路透社23日引述消息人士報導，三星最新的高頻寬記憶體（HBM）晶片因發熱和功耗問題，仍未能通過輝達（Nvidia）的測試。
HBM晶片是由DRAM（動態隨機存取記憶體）堆疊，再透過3D IC先進封裝而成，能以更小的體積、更小的功率，達到更大的頻寬與儲存空間，有鑑於上述特質，HBM晶片有助於處理人工智慧（AI）應用產生的大量資料。
隨著生成式AI熱潮推升GPU的需求，市場對HBM的需求也激增。根據研究機構TrendForce的數據，在AI的帶動下，HBM晶片市場今年料將成長逾一倍，達到近90億美元規模，其中HBM3E晶片很可能成為市場上的主流HBM產品，出貨量料將集中在今年下半年。
考量到輝達為全球AI應用GPU市場的龍頭，市占率達80％，故能否讓輝達埋單便成為HBM製造商未來成長的關鍵。
三名消息人士稱，三星自去年以來便致力於通過輝達對HBM3和HBM3E的測試，據悉，最近對該公司8層和12層HBM3E晶片的測試結果已於4月公布，結果為未通過。消息人士表示，未能滿足輝達要求使該公司擔憂，可能會進一步落後競爭對手SK海力士和美光（Micron）。
三星針對此事回應路透社稱，HBM為一款訂製記憶體產品，需要根據客戶需求進行優化流程，而該公司正在與客戶密切合作優化其產品，不過拒絕對特定客戶發表評論。輝達亦拒絕對此消息置評。
三星於本周稍早宣布更換半導體部門的負責人，由三星 SDI 前執行長、記憶體業務前高階主管全永鉉（Young Hyun Jun）接替慶桂顯（Kyung Kye-hyun），領導三星最重要的半導體事業暨裝置解決方案部門。分析師研判，此舉凸顯了三星擔憂其在HBM市場落後，因此需要一位新的高層人士來應對影響這場「危機」。
路透社今年3月報導稱，三星為了提高其HBM產量，計劃使用其競爭對手SK海力士主導的大規模回流模塑底部填充（MR-MUF）方法，放棄過去堅持使用的非導電膠膜（NCF）晶片製造技術，在在凸顯該公司在市場競爭中面臨的龐大壓力。
全球HBM市場呈現三分天下的局面，由三星、SK 海力士、美光占據主導地為，其中，SK海力士到今年三月為止都輝達的唯一供應商，美光則於2月宣布開始生產最先進的HBM3E，成功整合至輝達的「地表最強AI晶片」H200 GPU，成為SK海力士以外另一家輝達供應商，唯三星目前仍未與輝達有相關協議。
儘管未獲輝達訂單，三星仍已開始向超微（AMD）等客戶供貨，該公司計劃於自第二季起大規模生產HBM3E晶片，並也表示其產品計畫正在按步調進行。