IT之家 5 月 17 日消息，韩媒 ZDNet Korea 今日报道称，三星电子考虑在 HBM4 内存上使用 1c nm 制程（第六代 10+nm 级）DRAM 裸片，以提升其产品在能效等方面的竞争力。
在目前已量产的 HBM3E 上，三星并未像竞争对手 SK 海力士、美光那样采用 1b nm 制程 DRAM 裸片，而是仍使用 1a nm 颗粒，在能耗方面处于劣势。
这被消息人士认为是三星内部考虑在 HBM4 上就导入 1c nm DRAM 颗粒的重要诱因。
IT之家获悉，同一制程节点的首批 DRAM 产品一般是面向桌面和移动端市场的标准 DDR / LPDDR 产品，等到成熟后才会在高价值低良率的 HBM 中引入新制程。
消息人士还称，三星电子 HBM 业务相关高管和工作组也计划同步将 HBM4 的开发时间周期缩短，以跟上 AI 处理器厂商的需求。但这必然会带来更大的良率风险。
目前 HBM 内存领域的领军企业 SK 海力士已表达了计划在 HBM4E 上导入 1c nm 制程颗粒的意向，但尚未正式确认 HBM4 内存具体使用哪种制程的 DRAM。
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