HBM明年需求倍增 集邦：產值占DRAM比重將突破3成
（中央社記者張建中新竹6日電）市調機構集邦科技預期，高頻寬記憶體（HBM）位元需求可望高度成長，今年將增加近200%，2025年再進一步倍增，HBM產值占動態隨機存取記憶體（DRAM）比重有機會突破3成。
集邦科技今天發布新聞稿，說明HBM最新市況，資深研究副總經理吳雅婷指出，HBM銷售單價較傳統DRAM高出數倍，與DDR5規格DRAM價差約5倍。
吳雅婷表示，隨著AI晶片新產品不斷推出，HBM單機搭載容量擴增，HBM產能及產值占DRAM比重向上攀升。
集邦科技預估，2024年HBM位元需求年增近200%，2025年可望再倍增。2024年HBM產能占DRAM比重約5%，2025年將逾10%。2024年HBM產值占DRAM比重將超過20%，2025年有機會進一步突破3成。
吳雅婷說，因產能受限，HBM供應商提早於今年第2季開始針對2025年展開議價，初步漲價5%至10%，買方對於AI需求展望具高度信心，願意接受漲價。（編輯：張均懋）1130506
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