華為晶片攜手中芯國際 目標挺進3奈米製程
中國電信設備大廠華為2019年入列美國貿易黑名單，但在北京政府的支援下，華為仍不斷突圍，根據外媒報道，華為從去年下半年的7奈米一路往3奈米技術前進。
美國科技網站「Tom's Hardware」報道，華為在先進製程上步步推進，去年10月推出讓市場震撼、搭載中芯7奈米晶片的Mate 60高階手機後，今年3月傳出已往5奈米前進。
報道指出，與華為合作的國家支持晶片製造設備開發商新凱來（SiCarrier），也獲得了多重圖案化技術的專利，這證實了中芯國際計劃將該技術用於未來的晶片製程。華為和中芯國際可以使用深紫外光微影（DUV）曝光機和多重圖案化生產3奈米晶片。
報道提及，SAQP對於華為和中芯來說至關重要，因為在美國出口管制下，無法使用ASML的設備製造。英特爾先前為了避免依賴曝光機，在2019年至2021年的10奈米製程上，也做過同樣的方式，但最後宣告失敗，主要在於良率問題。
對於中芯國際來說，多重圖案化對於半導體技術的進步是必要的，從而能夠生產更複雜的晶片，包括用於消費設備的下一代海思麒麟處理器和用於人工智能伺服器的昇騰處理器。
以成本來說，多重圖案化生產5奈米或3奈米晶片單個成本一定更高，商用設備可行性降低，但這項技術除了幫助中國半導體進步，也對超級電腦等應用及潛在軍武發展相當重要。