聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用於手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。
聯電表示，RFSOI是用於低雜訊放大器、開關和天線調諧器等射頻晶片的晶圓製程。隨著新一代智慧手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，並解決了晶片堆疊時常見的射頻干擾問題，將裝置中傳輸和接收資料的關鍵組件，透過垂直堆疊晶片來減少面積，以解決在裝置中為整合更多射頻前端模組帶來的挑戰。該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。
聯電指出，RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋和12吋晶圓生產，目前已完成超500個產品設計定案，出貨量更高達380多億顆。
聯電技術開發處執行處長馬瑞吉（Raj Verma）表示，聯電領先業界以創新射頻前端模組的3D IC技術打造最先進的解決方案，這項突破性技術不僅解決5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助於在行動、物聯網和虛擬實境的裝置中，透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來將持續開發如5G毫米波晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。