聯電（2303）今（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小45％以上，聯電表示，該製程已獲得多項國際專利，準備投入量產。
聯電表示，該公司長期以來專注於特殊製程，並在製程技術上持續引領創新，今（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，在5G時代於手機、物聯網和 AR／VR的應用上，為加速5G世代鋪路。此次出擊也再次展現聯電晶圓代工的製程彈性及多元化，利用差異化技術，在激烈的市場競爭中突圍而出。
聯電也表示，此次該公司推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻(RF)效能下，可將晶片尺寸縮小45％以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。