韓媒《The Elec》引述SK海力士（SK Hynix）高層說法指出，該公司打算在2026年開始量產HBM4E，比原先規劃還提前一年達陣。分析師表示，受到人工智慧（AI）爆炸性需求挹注，帶動高效能記憶體晶片供不應求，預料今年此類晶片供應吃緊情況將延續至明年。
SK海力士HBM技術團隊負責人與研究員Kwi Wook Kim於13日在首爾舉行的研討會表示，隨著技術不斷進展，新一代高頻寬記憶體（HBM）的更新週期由2年縮短到1年，第七代HBM投入量產時間由2027年提前到2026年。
HBM4E將是SK海力士以10奈米級第六代（1c）DRAM打造的首款晶片。
另據CNBC報導引述記憶體晶片大廠SK海力士與美光（Micron）說法，兩業者2024年生產高頻寬記憶體（HBM）晶片已經售罄，就連2025年的HBM產量幾乎被預訂一空。
晨星（Morningstar）股票研究部門主管Kazunori Ito日前發布報告指出，「我們預期整個2024年記憶體供應仍將維持緊俏。」
SK海力士已供應輝達（NVIDIA）HBM晶片，傳另一家韓國晶片巨擘三星電子（Samsung Electronics）也列為考慮中的潛在供應商。
Nasdaq IR Intelligence主管貝利（William Bailey）表示，這些HBM的晶片製造更加複雜，提高產量也相當困難，這可能使HBM晶片到年底前、以及2025年大部份時間都會出現短缺。
《韓國經濟日報》報導，全球兩大記憶體晶片廠三星與SK海力士皆認為，AI技術熱潮推升今年DRAM和HBM價格維持堅挺，兩公司已將逾2成的DRAM產線轉為生產HBM晶片，以因應HBM旺盛需求。