BRUXELLES – La Commissione europea ha approvato uno schema di aiuti di Stato da 2 miliardi di euro dell’Italia per sostenere la STMicroelectronics (St) nella costruzione e nella gestione di un impianto integrato di produzione di chip per dispositivi di potenza al carburo di silicio (SiC) a Catania. La misura, evidenzia Bruxelles, “rafforzerà la sicurezza dell’approvvigionamento, la resilienza e la sovranità digitale dell’Europa nelle tecnologie dei semiconduttori, in linea con gli obiettivi fissati” nel “Chips Act europeo”.
Il regime di sussidi dell’Italia assumerà la forma di una sovvenzione diretta di circa 2 miliardi di euro alla STMicroelectronics (St) a sostegno del suo investimento che ha un valore complessivo di 5 miliardi. Il progetto consentirà lo sviluppo di un impianto di produzione su larga scala per chip SiC ad alte prestazioni, basati su wafer di 200 mm di diametro che verranno trasformati in moduli e altri dispositivi utilizzati, ad esempio, dall’industria automobilistica in Europa e nel mondo. Si prevede che lo stabilimento siciliano entri a pieno regime nel 2032.
La società, sottolinea l’esecutivo Ue, “ha accettato di: garantire che il progetto avrà un chiaro impatto positivo sulla catena del valore dei semiconduttori dell’Ue, contribuire allo sviluppo della prossima generazione della tecnologia SiC da 200 mm, nonché a una tabella di marcia tecnologica per i moduli SiC in Europa, realizzare ordini prioritari in caso di carenza di approvvigionamento in linea con l’European Chips Act” e “sviluppare e implementare corsi di formazione e competenze per aumentare il bacino di forza lavoro qualificata”.
Il progetto si basa su tecnologie che sono state e saranno sviluppate nell’ambito degli importanti progetti di comune interesse europeo (Ipcei) per la ricerca e l’innovazione nel campo della microelettronica approvati dall’Ue. Nella sua valutazione, Bruxelles ha riscontrato che gli aiuti pubblici hanno un “effetto di incentivazione”, poiché in loro assenza il beneficiario non realizzerebbe l’investimento. La misura viene giudicata dalla squadra antitrust guidata da Margrethe Vestager “necessaria e opportuna per garantire la resilienza della catena di approvvigionamento europea dei semiconduttori”.
L’aiuto è visto poi come “proporzionato e limitato al minimo necessario sulla base di un comprovato deficit di finanziamento”. Positiva anche la valutazione – slegata da quella sui sussidi – del Campus di Catania come impianto produttivo integrato ai sensi dell’European Chips Act. Il Campus, spiega l’Ue, “contribuirà a invertire la tendenza all’eccessiva dipendenza dall’import” di materiali rilevanti per la svolta green e tech. “Il progetto stimolerà la ricerca, lo sviluppo e la collaborazione con il mondo accademico e i fornitori attivi nella tecnologia SiC e – viene ancora evidenziato – contribuirà allo stesso tempo agli obiettivi generali di coesione sviluppando un’attività economica in Sicilia”.
Insieme all’impianto di produzione di substrati in SiC in allestimento nello stesso sito, questi impianti formeranno il Silicon Carbide Campus di ST, realizzando la visione dell’azienda di una completa integrazione verticale degli impianti manifatturieri per la produzione su larga scala su SiC in un unico sito. La creazione del nuovo SiC campus rappresenta una tappa fondamentale per supportare la domanda di dispositivi SiC per applicazioni automotive, industriali e di infrastruttura cloud da parte dei clienti che passano all’elettrificazione e cercano maggiore efficienza.
Al sito di Catania stamattina è prevista la visita di Margrethe Vestager, commissaria europea per la Concorrenza, e del ministro Adolfo Urso. “Le capacità completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in misura significativa alla leadership di ST nella tecnologia SiC per clienti dei settori automotive e industriale nei prossimi decenni – ha detto Jean-Marc Chery, president & chief executive officer di STMicroelectronics – le dimensioni di scala e le sinergie offerte da questo progetto ci consentiranno di attuare una migliore innovazione con capacità produttive in grandi volumi, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali che nel compiere la transizione verso l’elettrificazione sono alla ricerca di soluzioni più efficienti sotto il profilo energetico per centrare gli obiettivi di decarbonizzazione”.
Il Silicon Carbide Campus sarà il polo centrale per l’ecosistema SiC globale di ST e integrerà tutte le fasi del flusso di produzione: sviluppo di substrati in SiC, processi di crescita epitassiale, fabbricazione front-end di fette da 200 mm e assemblaggio back-end dei moduli, ma anche ricerca e sviluppo di processi, progettazione di prodotti, laboratori avanzati di ricerca e sviluppo per i die, sistemi e moduli di potenza e capacità complete di packaging. Questo centro sarà il primo nel suo genere in Europa per la produzione in grandi volumi di fette in SiC da 200 mm con tutti i passaggi del processo condotti con l’utilizzo di tecnologie a 200 mm per raggiungere rese e prestazioni superiori.