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陳澤嘉觀察,英特爾、台積電陸續獲得美國政府補助,兩案貼補合計151億美元,佔晶片法對半導體製造補助的390億美元的4成,凸顯美國意圖強化進半導體製造能力決心。除了台積電、英特爾協助美國建立半導體先進製程生產能力外,美國商務部尚未公布對三星電子的投資補助,以及三星電子未來宣布相應投資計畫,皆是後續可關注的重點。
此外,陳澤嘉指出,台積電在考量美國半導體建廠時程、員工招募與訓練、客戶製程需求等因素下,台積電亞利桑那州Fab 21 P1原規劃量產技術已由5奈米製程轉為4奈米,量產時程則由2024年下半遞延至2025年上半。而原先規劃2026年量產3奈米製程的Fab 21 P2,因應美國客戶需求,將增加生產更先進的2奈米製程,量產時程則預定在2028年。
陳澤嘉認為,由於台積電規劃2025年在新竹寶山Fab 20量產2奈米製程,因此在2028年將2奈米製程導入Fab 21 P2,該廠製程順利升級機率相當高。
至於台積電規劃亞利桑那州第三座晶圓廠Fab 21 P3將在2030年以前完工,屆時將導入2奈米及以下先進製程,陳澤嘉表示,台積電2奈米製程於2025年進入量產階段,而1.4奈米製程則可望在2027年到2028年在台灣量產。因此,只要在廠務建設、機台進駐、人員招募與訓練順利,Fab 21 P3可望在2030年以前順利導入1.4奈米製程。
不過,根據英特爾IDM2.0戰略計畫,其Intel 3製程已在2023年下半完成開發,2024年將進入量產階段,將成為美國率先量產3奈米製程的業者。至於Intel 18A製程,陳澤嘉預估,將在2025年進入量產階段,使英特爾成為美國本土首家生產2奈米以下製程的半導體業者。另英特爾5奈米以下先進製程量產時點將早於台積電Fab 21,英特爾可望在2030年以前在美國量產Intel 10A製程,相似的先進製程量產時點皆可望早於台積電Fab 21,將可提早為美國建立先進製程生產能力。
然而,陳澤嘉表示,考量到台積電在7奈米以下先進製程生產經驗疊加仍佔優勢,客戶高度客製化產品經驗豐富,在美國市場仍可望持續保有競爭力,全球市場競爭力也可望維繫。