SK海力士决定与台湾TSMC(台积电)携手,共同开发人工智能(AI)半导体所必需的新一代高带宽存储器(HBM)。HBM全球第一(SK海力士)和晶圆代工(委托生产)全球第一(TSMC)的两家公司结成了"技术同盟"。这可能是为了在与HBM全球第2位、晶圆代工全球第2位的三星电子的竞争中确保稳固的优势而采取的战略。
19日,SK海力士表示,将与TSMC签署技术合作谅解备忘录(MOU),共同开发计划于2026年批量生产的HBM4(第6代HBM)。
两家公司计划改善与AI运算装置连接,控制HBM的"底模(Base Die)"的性能。另外,TSMC的专利工艺"Chip-on-Wafer-on-Substrate(CoWos)"技术将应用于SK海力士的HBM生产技术。也就是说,通过这一措施,将最先开发并批量生产第6代HBM。目前,SK海力士和三星电子正在展开第5代HBM技术竞争。上月20日,SK海力士宣布成功批量生产第5代8H(8层堆叠)HBM3E后,三星电子宣布首次开发出了比8层堆叠多4层的12H HBM3E。随着SK海力士与TSMC形成"联合军",全球HBM及晶圆代工行业将展开更加激烈的竞争。
边钟国记者 bjk@donga.com
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