SK海力士決定與臺灣TSMC(臺積電)攜手,共同開發人工智能(AI)半導體所必需的新壹代高帶寬存儲器(HBM)。HBM全球第壹(SK海力士)和晶圓代工(委托生產)全球第壹(TSMC)的兩家公司結成了"技術同盟"。這可能是為了在與HBM全球第2位、晶圓代工全球第2位的三星電子的競爭中確保穩固的優勢而采取的戰略。
19日,SK海力士表示,將與TSMC簽署技術合作諒解備忘錄(MOU),共同開發計劃於2026年批量生產的HBM4(第6代HBM)。
兩家公司計劃改善與AI運算裝置連接,控制HBM的"底模(Base Die)"的性能。另外,TSMC的專利工藝"Chip-on-Wafer-on-Substrate(CoWos)"技術將應用於SK海力士的HBM生產技術。也就是說,通過這壹措施,將最先開發並批量生產第6代HBM。目前,SK海力士和三星電子正在展開第5代HBM技術競爭。上月20日,SK海力士宣布成功批量生產第5代8H(8層堆疊)HBM3E後,三星電子宣布首次開發出了比8層堆疊多4層的12H HBM3E。隨著SK海力士與TSMC形成"聯合軍",全球HBM及晶圓代工行業將展開更加激烈的競爭。
邊鐘國記者 bjk@donga.com
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