3,5 тысячи мурманских выпускников сдали ЕГЭ в 2016 году
Мурманск, 1 июля, 2016, 16:02 — ИА Регнум. Единый государственный экзамен на территории Мурманской области прошёл организованно, без сбоев, без технологических срывов и утечек экзаменационных материалов. Об этом, как передаёт корреспондент ИА REGNUM, в общении с журналистами заявила министр образования и науки Мурманской области Наталия Карпенко.
«В этом году как никогда экзамен прошёл объективно, прозрачно, — отметила чиновник. — Всего в экзамене приняло участие 3 с половиной тысячи выпускников и выпускников прошлых лет. Из общего количества выпускников количество выпускников прошлых лет составило 60 человек и 3 434 человека — это выпускники этого года».
По словам Карпенко, в этом году организаторы задействовали 31 пункт проведения экзамена, они функционировали на территории всей области. «И кроме того, у нас было создано ещё два пункта проведения экзамена для тех выпускников, которые имеют проблемы с состоянием здоровья», — подчеркнула министр.
Оценивая в целом процедуру сдачи экзаменов, Карпенко отметила, что с годами ЕГЭ совершенствуется, «он становится более объективным, более прозрачным».
«В этом году и увеличилась доля пунктов — там, где аудитории были подключены к онлайн-наблюдению, — пояснила мурманский министр. — Таких аудиторий у нас было 97 процентов. Это позволяет нам вести онлайн-наблюдение и обеспечить открытость экзамена как для самих выпускников, так и для тех людей, которые подключаются. На территории Российской Федерации было всего 2 тысячи онлайн-наблюдателей, которые по их усмотрению обеспечивали наблюдение за всеми пунктами».
Ранее, как сообщало ИА REGNUM, глава Министерства образования и науки Дмитрий Ливанов заявил, что в ходе проведения Единого государственного экзамена в 2016 году не зафиксировано серьезных нарушений. Российские выпускники этого года справились с заданиями единых государственных экзаменов лучше, чем их предшественники, отметил Ливанов. Министр также отметил, что единые госэкзамены прошли на высоком организационном и технологическом уровне.