Samsung объявила о начале массового производства флеш-памяти V-NAND 9 поколения, которая предлагает прирост на 33% по сравнению с ныне актуальной. В этом месяце стартует производство TCL V-NAND емкостью 1 Тбит, QLC поступит во второй половине 2024 года. Ранее начало производства подтверждали неофициальные источники, из которых также известно, что память имеет 290+ слоев.
«Мы рады представить первую в отрасли V-NAND 9-го поколения, которая сделает шаг вперед для будущих приложений. Чтобы удовлетворить потребности в решениях для флеш-памяти NAND, Samsung раздвинула границы в архитектуре ячеек и операционной схеме для нашего продукта следующего поколения. Благодаря нашей новейшей V-NAND Samsung продолжит задавать тенденции на рынке высокопроизводительных твердотельных накопителей (SSD) высокой плотности, которые отвечают потребностям будущего поколения ИИ», — сказал СунгХой Хур, руководитель отдела флэш-продуктов и технологий памяти Samsung Electronics.
По словам компании, плотность битов V-NAND 9 поколения примерно на 50% больше по сравнению с V-NAND 8 поколения. Новые технологии избежания помех в ячейке и продления срока службы ячейки, повысили качество и надежность памяти, а устранение фиктивных отверстий в каналах значительно уменьшило площадь ячеек.
Технология травления отверстий каналов Samsung создает электронные пути через укладку слоев пресс-формой и максимизирует производительность изготовления, поскольку позволяет одновременно обрабатывать наибольшее в отрасли количество слоев ячеек в двойной структуре.
V-NAND 9 поколения оснащен флеш-интерфейсом нового поколения NAND Toggle 5.1, который поддерживает увеличенную скорость ввода/вывода данных на 33% до 3,2 Гбит в секунду. Энергопотребление было улучшено на 10%.