реклама
Samsung Electronics начала массовое производство памяти V-NAND девятого поколения. Первые кристаллы, основанные на новейшей технологии NAND, имеют ёмкость 1 терабит (Тб) и используют трёхуровневую архитектуру ячеек (TLC), сообщает AnandTech.
реклама
Samsung не указывает количество слоёв в своей NAND последнего поколения, но подтверждает использование структуры с двойным стеком. Текущая версия V-NAND 8-го поколения имеет 236 слоёв. Компания заявляет, что память V-NAND 9-го поколения имеет улучшение битовой плотности примерно на 50%, по сравнению с предшественницей 8-го поколения. Составляющие этого успеха: миниатюризация размеров ячеек, а также различные новые технологии для уменьшения помех, увеличения срока службы ячеек и устранения фиктивных отверстий в каналах. Ещё одним ключевым технологическим усовершенствованием V-NAND 9-го поколения является передовая технология Samsung «травление каналов», которая позволяет эффективно просверливать большее количество слоёв, что становится все более важным по мере увеличения их количества.
В новой версии V-NAND также представлен более быстрый интерфейс флэш-памяти Toggle 5.1, который повышает пиковую скорость передачи данных на 33% — до 3,2 гигабит в секунду. Кроме того, по данным Samsung, энергопотребление V-NAND 9-го поколения снижено на 10%.
За запуском Samsung TLC V-NAND ёмкостью 1 терабит последует запуск QLC памяти нового поколения позднее в этом году.