ROHM e STMicroelectronics, leader globale nei semiconduttori con clienti in tutti i settori applicativi dell'elettronica, hanno annunciato oggi l'ampliamento dell'accordo pluriennale a lungo termine esistente per la fornitura di substrati in carburo di silicio (SiC) da 150 mm con SiCrystal, società del gruppo ROHM. Il nuovo accordo pluriennale disciplina la fornitura di volumi maggiori di substrati in SiC prodotti a Norimberga, in Germania, per un valore minimo previsto di 230 milioni di dollari. Geoff West, nella foto, EVP e Chief Procurement Officer di STMicroelectronics, ha commentato: "Questo ampliamento dell'accordo con SiCrystal apporterà volumi aggiuntivi di substrati in SiC da 150 mm a supporto del ramp-up della nostra capacità produttiva di dispositivi per i clienti dei settori Automotive e Industrial in tutto il mondo. Contribuisce a rafforzare la resilienza della nostra filiera per la crescita futura, con un mix bilanciato di fette fra quelle prodotte da ST e quelle acquistate nelle diverse regioni". "SiCrystal è una società del gruppo ROHM con una posizione leader nel SiC e produce fette in carburo di silicio da molti anni. Siamo molto lieti di ampliare questo accordo di fornitura con ST, nostro cliente di lunga data. Continueremo a supportare il nostro partner nell'espansione delle sue attività di business nel carburo di silicio incrementando progressivamente i quantitativi di fette in SiC da 150 mm e fornendo sempre una qualità affidabile". ha dichiarato Robert Eckstein, President & CEO di SiCrystal, società del gruppo ROHM. I semiconduttori di potenza in SiC, efficienti dal punto di vista energetico, consentono un'elettrificazione più sostenibile nei settori automotive e industriale. Facilitando metodi più efficienti per la generazione, la distribuzione e lo stoccaggio di energia, il SiC supporta la transizione verso soluzioni di mobilità più pulite, processi industriali con minori emissioni e un futuro energetico più ecologico, nonché forniture di energia più affidabili per infrastrutture ad alta intensità di risorse come i data center dedicati alle applicazioni di intelligenza artificiale.