La prima è stata Apple, ma fra pochi mesi anche l'universo Android darà il benvenuto ai primi microchip a 3 nm: uno dei primi sarà l'Exynos 2500 installato nella futura serie Samsung Galaxy S25. La divisione semiconduttori della compagnia sud-coreana è in prima linea per effettuare la transizione dall'attuale nodo produttivo a 4 nm, in diretta competizione con TSMC che farà altrettanto, permettendo a Qualcomm di sfruttarlo per il prossimo Snapdragon 8 Gen 4.
Exynos 2500 e Snapdragon 8 Gen 4, il passaggio a 3 nm migliorerà l'efficienza
Come praticamente ogni anno, lo scontro fra Snapdragon ed Exynos si ripeterà anche nel 2025, visto che si vocifera che la serie Samsung Galaxy S25 avrà nuovamente due versioni differenti. In passato, i modelli Snapdragon hanno vantato migliori risultati sia nelle prestazioni che soprattutto nell'efficienza energetica, dimostrando la superiorità di TSMC in tal senso.
Tuttavia, c'è un aspetto da considerare, ovvero l'utilizzo della tecnologia GAAFET (gate-all-around field-effect), dove il gate che fa passare gli elettroni tocca non più su tre ma su quattro lati il canale del transistor, permettendone una migliore miniaturizzazione. Si vocifera che Samsung la maneggi meglio rispetto a TSMC avendola adottata prima, e ciò permetterebbe all'Exynos 2500 di avere consumi migliori rispetto alla controparte di Qualcomm oltre che consumare meno pur performando meglio rispetto all'Exynos 2400.
A voler essere precisi, sappiamo anche che il primo SoC Samsung a 3 nm non debutterà su uno smartphone ma su un altro prodotto, così come che l'azienda sta iniziando a indicare a 2 nm alcuni dei suoi SoC a 3 nm. Inoltre, conosciamo già le presunte specifiche dell'Exynos 2500, di cui ce ne sarebbero due versioni ma la più potente non sarebbe destinata agli mercato telefonico.
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