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ASML hat die Zahlen für das erste Quartal 2024 verkündet und liegt in etwa der Mitte der eigenen Prognose. Der Umsatz geht von 6,75 Milliarden Euro auf 5,3 Milliarden Euro zurück, der Gewinn schrumpft von 1,96 auf 1,22 Milliarden Euro. Für das kommende Quartal erwartete ASML ein kleines Plus, was sich so auch für das Gesamtjahr 2024 fortsetzen soll. Ab 2025 und danach soll es dann in eine stärkere Wachstumsphase übergehen, denn die Milliarden, die aktuell in die Fabs gesteckt werden, sind natürlich in Teilen in den Auftragsbüchern von ASML zu finden und werden ab 2025 für das restliche Jahrzehnt abgerufen.
Auch wenn sich der Fokus auf die Fertigung mittels High-NA EUV richtet, so sieht ASML in den optimierten EUV-Maschinen für 0,33 NA noch deutliches Wachstumspotential. Erst vor wenigen Wochen hat man verkündet, dass man den ersten TWINSCAN NXE:3800E an einen Kunden ausgeliefert hat. Dabei handelt es sich um einen weiterentwickelten EUV-Scanner, der vor allem für mehr Wafer-Durchsatz sorgt. Anstatt etwa 160 Wafer pro Stunde können hier 220 Wafer pro Stunde belichtet werden, was einer Steigerung von 37,5 % entspricht.
Theoretisch kann der TWINSCAN NXE:3800E auch für eine aktuelle Fertigung in 7 oder 5 nm eingesetzt werden. Die meisten Kunden werden ihn allerdings für Chip in 3 bis 2 nm einsetzen, bevor dann High-NA EUV und die neue TWINSCAN-NXE:5000-Serie übernimmt. Das hohe Wachstumspotenial bei 0,33 NA sieht ASML vor allem durch den Umstand, dass eine Belichtung mittels EUV noch immer nur für wenige Schichten eines Chips zum Einsatz kommt, ein Großteil aber noch immer auf DUV basiert, dies sich aber in den kommenden Jahren ändern wird. Die Chiphersteller hätten recht früh auf die teure EUV-Technik gesetzt, die inzwischen jedoch deutlich billiger geworden ist und so bei mehr und mehr Chips zum Einsatz kommen soll.
Über die bisher installierten TWINSCAN NXE:3600D und TWINSCAN NXE:3400C will man seinen Kunden mit dem TWINSCAN NXE:3800E also einen deutlich aufgewerteten Prozessschritt anbieten. Der hohe Waferdurchsatz soll EUV damit deutlich attraktiver machen.
Zweiter High-NA-EUV-Scanner geht an unbekannten Kunden
Die zweite Hälfte des Jahrzehnts wird einerseits von einer ausgereiften und effektiven Fertigung mittels EUV bestimmt werden, während High-NA EUV dann für die Fertigung in 2 nm und darunter eine Rolle spielen wird. Intel hat bereits angekündigt, dass man High-NA EUV an Intel 14A einsetzen wird. Bisher nicht bekannt ist, wann TSMC und Samsung auf die neue Technik setzen werden, die einige Herausforderungen mit sich bringt. Hier zeigte man sich in der Vergangenheit sehr zurückhaltend.
Bei Intel steht auch der erste High-NA-EUV-Scanner, der nach dem ersten Prototypen bei ASML gebaut wurde. Im Rahmen der Bekanntgabe der Quartalszahlen lässt ASML durch einen Satz aufhorchen: "We actually just very recently also started shipping the second High NA tool to a customer" – ein zweiter Kunde wurde also bereits beliefert. Wer dies allerdings ist, gibt man nicht bekannt. In Frage kommen eigentlich nur Samsung und TSMC.
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Der Prototyp eines High-NA-EUV-Scanners in Veldhoven hat laut ASML auch einen weiteren Meilenstein erreicht. Die erste Belichtung von dichten Strukturen mit einem Abstand von 10 nm ist geglückt. Die Belichtung erfolgte, nachdem Optik, Sensoren und Tische auf denen die Wafer bewegt werden, grob kalibriert worden waren. In den weiteren Schritten wird das System nun immer weiter kalibriert und optimiert, bis auch Logikstrukturen belichtet werden können.