alias V-NAND V9 beginnen. Der Flash-Speicher besitzt angeblich 290 Lagen, was branchenweit bis dato die höchste Anzahl ist. Nächstes Jahr wolle Samsung direkt auf 430 Layer erhöhen.berichtet, werde Samsung noch im April mit der Massenproduktion des V-NAND V9 beginnen. Dabei beruft sich der Autor auf Quellen aus der Halbleiterbranche.
Die Rede ist von einem nicht näher beschriebenen Flash-Speicher, der über 290 Layer verfüge, die sich auf zwei Layer-Türme aufteilen. Samsung hatte zur Fachkonferenz ISSCC im Februar einen 280-Layer-Chip mit 4 Bit pro Zelle undDass die Layer-Zahl mit den neuen Berichten nicht exakt übereinstimmt, könnte daran liegen, dass je nach Angabe die Schichten für die Logikschaltkreise entweder mitgerechnet oder eben nicht mitgerechnet werden.
Ob nun 280 Layer oder 290 Layer ist auch gar nicht so wichtig. Zur Stunde wäre es so oder so die höchste Anzahl an Speicherschichten für marktreifen 3D-NAND. Samsungs V8 bot bisher 236 Layer, erreicht aber nicht die Speicherdichte wie Micron und YMTC mit ihrem 232-Layer-NAND. Ob Samsung jetzt nur den erwähnten QLC-Speicher oder aber TLC-Varianten mit 3 Bit pro Zelle und somit weniger Speicherkapazität fertigen wird, bleibt abzuwarten.
Auch wenn die Anzahl der Layer allein nur wenig über Leistung und Speicherdichte und die damit verbundenen Kosten aussagt, wird gerne untereinander verglichen. SK Hynix hatte zum Flash Memory Summit 2023 dieverkündet, der nach damaligem Zeitplan im ersten Halbjahr 2025 in die Massenfertigung gelangen soll. Bei YMTC wird ein "300 Layer" Chip für dieses Jahr erwartet, der im zweiten Halbjahr reif für die Serienfertigung sein könne.
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