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Intel, Samsung, TSMC und nun auch Sk hynix. Der Südkoreanische Speicherhersteller will in West Lafayette im US-Bundesstaat Indiana fast vier Milliarden US-Dollar in eine Fabrik für Advanced Packaging sowie eine Forschungs- und Entwicklungsabteilung investieren. Die genaue Summe der Investition beläuft sich auf 3,87 Milliarden US-Dollar. Hauptsächlich soll hier das Packaging von High Bandwidth Memory oder kurz HBM stattfinden. Der schnelle Speicher ist im aktuellen Boom der KI-Hardware extrem gefragt.
Etwa 1.000 Arbeitsplätze sollen im Werk von Sk hynix entstehen und offenbar erhoffen sich die Südkoreaner einerseits noch etwas Fördergeld durch den US Chips Act, aber auch das Argument einer resilienten Lieferkette wird für US-amerikanische Unternehmen immer wichtiger und so müssen sich auch die Zulieferer umorientieren und können sich nicht mehr nur auf ihre Stammwerke im Heimatland verlassen.
Für HBM werden DRAM-Chips (Dynamic Random Access Memory) übereinander gestapelt und vertikal miteinander verbunden. Einerseits wird damit eine hohe Speicherdichte erreicht und auch die Bandbreiten pro Chip sind bei HBM höher als bei DDR, GDDR oder LPDDR.
Laut Sk hynix soll die Massenproduktion in der neuen Fab in Indiana in der zweiten Jahreshälfte 2028 starten. Bis dahin wird sicherlich HBM4 der aktuelle Standard in diesem Bereich sein. Im neuen Werk sollen auch zukünftige Versionen des HBM bzw. das dazugehörige Packaging entwickelt werden.
Die Wahl fiel auch aufgrund der Expertise in diesem Bereich auf West Lafayette. Die dortige Purdue University bildet zusammen mit dem Purdue Research Park und dem Purdue Birck Nanotechnology Center eine entsprechende Ausbildung bzw. einen Forschungsbereich an, der thematisch sehr gut passt. Das Ivy Tech Community College ist ebenfalls ein Partner und so sollen Schüler recht früh in ein passendes Ausbildungsfeld herangeführt werden.
Sk hynix bestätigt riesiges Semiconductor Cluster
Vor einigen Wochen wurden die Pläne zu einem riesigen Semiconductor Cluster in Südkorea bekannt. Daran beteiligt ist unter anderem auch Sk hynix. Zusammen mit der Ankündigung zu Investitionen in den USA gibt Sk hynix bekannt, dass man umgerechnet etwa 89 Milliarden US-Dollar in das Yongin Semiconductor Cluster investieren möchte.
Die Grundsteinlegung für die erste Fab wird im März 2025 erfolgen. Anfang 2027 soll der erste Baustein dann stehen. Außerdem wird man eine Mini-Fab bauen, eine Anlage mit Ausrüstung für die Verarbeitung von 300-mm-Wafern, eine Testeinrichtung für Halbleitermaterialien sowie Komponenten und Ausrüstung.