## C´ alculo de constantes ´pticas de pel´ ıculas delgadas de Silicio o compensado a trav´ es del m´todo de Swanepoel e

W. A. Rojas C., 1, * M. Chaparro P., 1, ** L. M. Pardo C., 1, *** and M. I. Cruz F. 1, ****

1 sede Bogot´, a postcode UN. 11001

Department of Physics, Universidad Nacional de Colombia

Colombia

Characterization and determination of the optical constants for thin film silicon compensated through the transmittance spectrum is presented. Such properties were determined by R. Swanepoel model. Comparison between the refractive indices of pure silicon and silicon compensated. Increasing refractive index behavior at low wavelengths in both plots was observed. The difference lies in the concentration and type of element that has been added to the thin film. The behavior of the dielectric constant was studied, their relationship with the refractive index. It is found that the value of the dielectric constant to a thin film of silicon compensated agree with those reported in the literature. The reported value of the gap for pure silicon corresponds to 1 11 , eV and the value of the gap for the sample corresponds to 0 7275 , eV , the discrepancy is due to the level of concentration in the compensated silicon film.

Keywords :Thin films, optical constants, Swanepoel method.

PACS numbers: 78.20.Ci, 78.20.-e, 78.66.Qn

## I. INTRODUCCI ´ N O

Se presenta la caracterizaci´n y determinaci´n de las constantes ´pticas para una pel´ ıcula delgada o o o de Silicio compensado a trav´s del espectro de transmitancia. Tales propiedades fueron determinadas e por el modelo de R. Swanepoel. El modelo propuesto por R. Swanepoel proporciona una forma para determinar las propiedades ´pticas de las pel´ ıculas delgadas, las propiedades estudiadas fueron el o indice de refracci´n o n , el espesor de la pel´ ıcula d , el ´ ndice de absorci´n ı o α , el coeficiente de extinci´n o k y la brecha de energ´ ıa prohibida ´ptica (tambi´n conocida como gap) o e E g [1, 2]. Se contrastaron los valores del espesor d y el experimental d p que fue medido en un perfil´metro Dektak 150. A o la pel´ ıcula en estudio se le practicaron 5 ensayos de perfilometr´ ıa en los que se determin´ que el o espesor es d p = 308 4998 , nm valor que fue comparado con el modelo d = 282 96 , nm ± 8 %. La determinaci´n de los o T M y T m se realiz´ por interpolaci´n de Lagrange. Esto permiti´ determinar o o o una ecuaci´n de Cauchy de la forma o

$$n ( \lambda ) = \frac { 5 9 6 0 0 0 } { \lambda ^ { 2 } } + 3, 4 6 7 2.$$

De la comparaci´n entre o los ´ ındices de refracci´n o del Silicio puro y del Silicio compensado se observ´ el o comportamiento creciente del ´ ındice de refracci´n o para bajas longitudes de onda en

* Electronic address: warojasc@unal.edu.co

** Electronic address: mchaparrop@unal.edu.co

***

Electronic address: lmpardoc@unal.edu.co

**** Electronic address: micruzf@unal.edu.co

ambas gr´ aficas. La diferencia radica en la concentraci´n y los elementos que se le han aadido a o la pel´ ıcula en estudio. Se estudio el comportamiento de la constante diel´ctrica, su relaci´n con el e o indice de refracci´n. Hall´ndose que el valor de la constante diel´ctrica para una pel´ ıcula delgada de o a e Silicio compensado esta de acuerdo con lo reportado en la literatura. El valor reportado del gap para el Silicio en puro corresponde a 1 , 11 eV y el valor del gap para la muestra estudiada corresponde a 0 7275 , eV , la discrepancia se debe al nivel del concentraci´n con que est´ compensada la pel´ ıcula o a de Silicio.

## A. El modelo

En este punto se seguir´ el an´lisis realizado por Mesa et al [2]. Swanepoel, presenta un procea a dimiento para calcular las constantes ´pticas de pel´ ıculas delgadas de materiales semiconductores o amorfos a partir de datos obtenidos experimentalmente del espectro de transmitancia. Este procedimiento asume un sistema compuesto por una pel´ ıcula delgada homog´nea en espesor y con ´ ındice e de refracci´n complejo o η = n -ik que es depositada sobre un sustrato transparente de ´ ındice de refracci´n o s y espesor mayor que el de la pel´ ıcula, tal como se puede ver en la Figura 1. La parte

Figura 1: Sistema compuesto por una pel´ ıcula delgada absorbente sobre un sustrato transparente finito [2].

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-34218808-63e8-4bdd-95bc-b75c9025c3ac.jpg)

real n del ´ ındice de refracci´n determina la velocidad con que la radiaci´n se propaga en el material o o y el factor k es expresado en t´rminos e α de la forma

$$\alpha = \frac { 4 \pi k } { \lambda }.$$

Esto permite realizar un an´lisis de los efectos de interferencia que se observan en los espectros de a transmitancia como consecuencia de la superposici´n de los haces reflejados y transmitidos en las o interfaces pel´ ıcula/aire y sustrato/pel´ ıcula, obteniendo una expresi´n general para el valor de la o transmitancia T en funci´n de la longitud de onda o λ y de los par´metros a n , s , α y espesor d

$$T = \frac { A } { B - C x + D x ^ { 2 } },$$

y

$$\alpha = \frac { 4 \pi k } { \lambda }.$$

glyph[negationslash]

El espectro puede ser dividido en cuatro regiones, tal como se ve en la Figura 2. En la regi´n o transparente α = 0 y la transmitancia se encuentra determinada por n y s a trav´s de las reflexiones e m´ ultiples. En la regi´n de absorci´n d´bil o o e α es bajo y la transmitancia empieza a reducirse; en la regi´n de absorci´n media o o α crece y la transmitancia disminuye debido al efecto de α = 0. En la regi´n de fuerte absorci´n, la transmitancia disminuye dr´sticamente debido, casi exclusivamente, o o a a la influencia de α . Para una primera aproximaci´n, se consider´ ´nicamente el sustrato de modo o o u

Figura 2: Espectro de transmitancia en el cual se han definido tres regiones de alta, media-baja y absorci´n o nula, tal espectro se halla delimitado por dos curvas envolventes para los puntos de transmitancia m´ximos a T M y m´ ınimos T m [2].

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-c5c2ff81-aa1f-42cd-9626-f12b2d988dc2.jpg)

que la transmitancia es considerada libre de interferencia de la forma

$$T _ { s } & = \frac { [ 1 - R ] ^ { 2 } } { 1 - R ^ { 2 } }, & ( 1 1 )$$

$$A = 1 6 s \left [ n ^ { 2 } + k ^ { 2 } \right ],$$

$$B = \left \{ \left [ n + 1 \right ] ^ { 2 } + k \right \} \left \{ \left [ n + 1 \right ] \left [ n + s ^ { 2 } \right ] + k ^ { 2 } \right \},$$

$$C = \left \{ \left [ n ^ { 2 } - 1 + k ^ { 2 } \right ] \left [ n ^ { 2 } - s ^ { 2 } + k ^ { 2 } \right ] - 2 k ^ { 2 } \left [ s ^ { 2 } + 1 \right ] \right \} 2 \cos \phi - 2 k \left \{ 2 \left [ n ^ { 2 } - s ^ { 2 } + k ^ { 2 } \right ] + \left [ s ^ { 2 } + 1 \right ] \left [ n ^ { 2 } - 1 + k ^ { 2 } \right ] \right \} \sin \phi,$$

$$D = \left \{ \left [ n - 1 \right ] ^ { 2 } + k ^ { 2 } \right \} \left \{ \left [ n - 1 \right ] \left [ n - s ^ { 2 } \right ] + k ^ { 2 } \right \},$$

$$\phi = \frac { 4 \pi d } { \lambda },$$

$$x = e ^ { - \alpha d }$$

donde T s corresponde al coeficiente de transmitancia, incidiendo normalmente sobre la superficie del sustrato y R es el coeficiente de reflexi´n de la muestra o la pel´ ıcula o

$$R = \left [ \frac { s - 1 } { s + 1 } \right ] ^ { 2 }.$$

Por lo que T s se reescribe como

$$T _ { s } & = \frac { 2 s } { s ^ { 2 } + 1 }.$$

Y el valor posible del ´ ındice de refracci´n o s para el sustrato queda

$$s = \frac { 1 } { T _ { s } } \pm \sqrt { \frac { 1 } { T _ { s } ^ { 2 } } - 1 },$$

en donde s´lo se debe considerar la parte positiva de la anterior expresi´n. De otro lado, se tiene o o que las franjas de interferencia est´n descritas de la forma a

$$2 n d & = m \lambda &$$

donde m = 0 1 2 , , . . . ; que produce el patr´n de interferencia en pel´ ıculas delgadas. En tal sentido, o Swanepoel propone una simplificaci´n o en las expresiones, para un sistema compuesto por una pel´ ıcula absorbente sobre un sustrato transparente finito y para el caso de un substrato asumido infinito. S´ se considera que ı k = 0, que resulta ser una aproximaci´n v´lida en la mayor parte de la o a regi´n espectral [1, 2], la transmisi´n o o T est´ dada por a

$$T = \frac { A x } { B - C x \cos \varphi + D x ^ { 2 } },$$

en donde los par´metros a A B C D ϕ , , , , y x se reescriben como

$$A & = 1 6 n ^ { 2 } s, & ( 1 7 )$$

$$B = \left [ n + 1 \right ] ^ { 3 } \left [ n + s ^ { 2 } \right ],$$

$$C = 2 \left [ n ^ { 2 } - 1 \right ] \left [ n ^ { 2 } + s ^ { 2 } \right ],$$

$$D = 2 \left [ n - 1 \right ] ^ { 3 } \left [ n + s ^ { 2 } \right ],$$

$$\varphi = \frac { 4 \pi n d } { \lambda },$$

$$x & = e ^ { - \alpha d }.$$

La absorbancia x para del sistema t´rminos de la transmitancia libre de interferencia e T α de la forma

$$x = \frac { P + \sqrt { P ^ { 2 } + 2 Q T _ { \alpha } \left [ 1 - R _ { 2 } R _ { 3 } \right ] } } { Q },$$

en donde los par´metros a P , Q R , 1 , R 2 y R 3 son

$$Q = R _ { 1 } R _ { 2 } + R _ { 1 } R _ { 3 } - 2 R _ { 1 } R _ { 2 } R _ { 3 },$$

$$P = \left [ R _ { 1 } - 1 \right ] \left [ R _ { 2 } - 1 \right ] \left [ R _ { 3 } - 1 \right ],$$

$$R _ { 1 } & = \left [ \frac { 1 - n } { 1 + n } \right ] ^ { 2 },$$

$$R _ { 2 } & = \left [ \frac { n - s } { n + s } \right ] ^ { 2 },$$

y

$$R _ { 3 } & = \left [ \frac { s - 1 } { s + 1 } \right ] ^ { 2 }.$$

Es posible plantear dos funciones que describan los extremos de las franjas de interferencia de la forma

$$T _ { M } = \frac { A x } { B - C x + D x ^ { 2 } }$$

para los m´ximos a T M de la Figura 2. Y de la misma manera para los m´ ınimos T m

$$T _ { m } = \frac { A x } { B + C x + D x ^ { 2 } }.$$

Este modelo ha repartido el espectro de transmitancia en tres regiones de acuerdo al proceso de absorci´n en la pel´ ıcula a saber: o

- 1. Regi´n transparente, definida como aquella regi´n del espectro donde se puede considerar que o o α = 0 , x = 1, por lo que la posici´n de los o T M queda definida como

$$T _ { M } & = \frac { 2 s } { s ^ { 2 } + 1 }.$$

La posici´n de los m´ ınimos o T m es

$$T _ { m } = \frac { 4 n ^ { 2 } } { n ^ { 4 } + n ^ { 2 } \left ( s ^ { 2 } + 1 \right ) + s ^ { 2 } }.$$

Y el ´ ındice de refracci´n de la pel´ ıcula delgada para esta regi´n es o o

$$n = \sqrt { M + \sqrt { M ^ { 2 } - s ^ { 2 } } }, \ M = \frac { 2 s } { T _ { m } } + \frac { s ^ { 2 } + 1 } { 2 }.$$

glyph[negationslash]

- 2. Regi´n de baja y media absorci´n, para esta zona del espectro de transmitancia se tiene que o o α = 0 , x &lt; 1, por lo que la relaci´n de la resta de sus inversos multiplicativos de (29) y (30) o es

$$\frac { 1 } { T _ { m } } - \frac { 1 } { T _ { M } } = \frac { 2 C } { A }.$$

Y el ´ ındice de refracci´n de la pel´ ıcula delgada para esta regi´n es o o

$$n = \sqrt { N + \sqrt { N ^ { 2 } - s ^ { 2 } } }, \ N = 2 s \left [ \frac { T _ { M } - T _ { m } } { T _ { M } T _ { m } } \right ] + \frac { s ^ { 2 } + 1 } { 2 }.$$

la absorbancia x en t´rminos de los e T M es

$$x = \frac { E _ { M } - \sqrt { E _ { M } ^ { 2 } - ( n ^ { 2 } - 1 ) ^ { 3 } \, ( n ^ { 2 } - s ^ { 2 } ) } } { \left ( n - 1 \right ) ^ { 3 } \left ( n - s ^ { 2 } \right ) }, \ \ E _ { M } = \frac { 8 n ^ { 2 } s } { T _ { M } } + \left ( n ^ { 2 } - 1 \right ) \left ( n ^ { 2 } - s ^ { 2 } \right ).$$

La suma de los rec´ ıprocos de (29) y (30) conduce a

$$\frac { 2 T _ { M } T _ { m } } { T _ { M } + T _ { m } } = \frac { A x } { B + D x ^ { 2 } }.$$

la absorbancia x en t´rminos de los e T i es

$$x = \frac { F - \sqrt { F ^ { 2 } - ( n ^ { 2 } - 1 ) ^ { 3 } \, ( n ^ { 2 } - s ^ { 2 } ) } } { \left ( n - 1 \right ) ^ { 3 } \, ( n - s ^ { 2 } ) }, \ F = \frac { 8 n ^ { 2 } s } { T _ { i } }, \ T _ { i } = \frac { 2 T _ { M } T _ { m } } { T _ { M } + T _ { m } },$$

Donde T i representa una curva que pasa a trav´s de los puntos de inflexi´n de las franjas e o presentadas en la Figura 2. La transmitancia libre de interferencias T α se calcula como

$$T _ { \alpha } = \frac { A x } { \sqrt { \left [ B - C x \cos \varphi + D x ^ { 2 } \right ] \left [ B + C x \cos \varphi + D x ^ { 2 } \right ] } } = \sqrt { T _ { M } T _ { m } }.$$

donde se tiene que T α corresponde a la media geom´trica de e T M y T m .

- 3. Regi´n de intensa absorci´n, en esta situaci´n, las franjas de interferencia desaparecen, por lo o o o que no hay forma de calcular n y x independientemente en esta regi´n a partir del espectro de o transmitancia ´nicamente. Si se desprecian los efectos debido a la interferencia en la pel´ ıcula, u bajo la condici´n o x glyph[lessmuch] 1

$$T _ { 0 } = \frac { A x } { B }, \ \ x \approx \frac { \left ( n - 1 \right ) ^ { 3 } \left ( n + s ^ { 2 } \right ) } { 1 6 n ^ { 2 } s } T _ { 0 }.$$

## II. MONTAJE Y EQUIPOS EMPLEADOS

## A. Espectro de transmitancia

Para determinar el tipo de espectro de transmitancia de la muestra suministrada (Silicio compensado), se emple´ un espectrofot´metro UV-Vis-IR. El Cary 5000 es espectrofot´metro UV -Vis -NIR o o o

Figura 3: Espectrofot´metro Cary 5000 del Departamento de F´ ısica de la Universidad Nacional de Colombia. o

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-80ee488f-cdba-4dc3-aa6c-5f0ef9d31caa.jpg)

con rendimiento fotom´trico el rango de 175 e -3300 nm y con una margen de error ∆ λ = 0 02 , nm . El uso de un detector de PbSmart, el Cary 5000 ampl´ ıa su gama NIR a 3300 nm y es controlado por el software Cary WinUV, que se halla disponible en las instalaciones del Departamento F´ ısica de la Universidad Nacional de Colombia, tal como se halla en la Figura 3. Con este equipo y la muestra de Silicio compensado se obtuvo el espectro de transmitancia de la pel´ ıcula que se puede ver en la Figura 4. El proceso se repiti´ dos veces para verificar el espectro de la pel´ ıcula, el cual o

Figura 4: Espectro de transmitancia para una pel´ ıcula delgada de silicio compensado. Primera prueba.

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-40bea5d4-6879-4887-ba88-a1c82c4ee648.jpg)

se puede ver en la Figura 5. De lo anterior se observa, que los dos espectros tomados a la misma muestra son similares, se opta por caracterizar la pel´ ıcula de muestra con el espectro de la primera prueba, ver Figura 4. Para determinar el ´ ındice de refracci´n del sustrato o s , se realiz´ un espectro de o transmitancia al sustrato (vidrio) por separado, es decir sin pel´ ıcula, del cual se obtuvo el espectro que se observa en la Figura 6.

Figura 5: Segunda prueba.

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-786fda35-2651-4b57-8c8f-e579b4bd26c8.jpg)

Figura 6: Espectro de transmitancia para el sustrato sin pel´ ıcula delgada.

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-0c9dbc39-6c89-488f-a361-5d52940800ff.jpg)

## B. Espesor de la pel´ ıcula delgada de Silicio compensado.

El perfil´metro o es un equipo que puede tomar espesores y rugosidades de pel´ ıculas delgadas, del orden de las micras, opera mediante una torre donde tiene una c´mara (zoom 166x), con una a punta (diamante) y un sensor de proximidad. La punta hace contacto con la muestra, mediante el brazo hace un barrido desde el sustrato hasta la muestra, a medida que la punta de diamante hace contacto con la superficie, en su brazo tiene un solenoide de fuerza, este sirve para ir graduando como debe interactuar la punta con la muestra. El perfil´metro toma la seal de espesor de la pel´ ıcula o

mediante un sensor (Low-Inertia Sensor LIS 3) que se denomina LVDT, y este opera haciendo que las variaciones mec´nicas se conviertan en seales de corriente continua que son enviadas al software a para ser interpretadas como espesores de la muestra. Despu´ es de hacer el barrido y enviar las seales al software, este presenta una imagen del espesor de la muestra tomando como referencia el sustrato, de acuerdo con esto, se puede realizar por medio del software una aproximaci´n promedio o del espesor de la pel´ ıcula. De igual manera, presenta la distancia vertical punto a punto del sustrato y de la muestra, ver Figura 7.

Figura 7: Equipo de perfilometr´ ıa disponible en Departamento de F´ ısica de la Universidad Nacional de Colombia.

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-cd8f852a-7fb8-401f-a5f1-7d6631dfa696.jpg)

A la pel´ ıcula en estudio se le hicieron 5 ensayos para determinar su espesor experimental 〈 d p 〉 = 308 4998 , nm . Una curva t´ ıpica que muestra el equipo de perfilometr´ ıa para la muestra en estudio se puede ver en la Figura 8.

## III. AN´ ALISIS DE RESULTADOS

Una vez obtenidos el espesor de la pel´ ıcula y los espectros en el rango

$$3 0 0 n m \leq \lambda \leq 2 5 0 0 n m,$$

para tal intervalo, de acuerdo con el espectro de transmitancia del sustrato que se observa en la Figura 6, se advierte que la transmitancia no fluct´a u de manera considerable para el rango de

Figura 8: Curva t´ ıpica para la muestra en estudio.

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-f77f301a-0f33-4878-ae27-c58732f6317d.jpg)

longitud de onda establecido. Por lo que se considera tal transmitancia constante

$$\langle T _ { s } \rangle = 0, 9 0 0 3 \pm 0, 0 0 6 6.$$

Lo cual permite obtener el ´ ındice de refracci´n del sustrato a partir de (13) o

$$s & = 1, 5 1 4 2.$$

Del espectro que se aprecia en la Figura 4. se obtuvieron los siguientes valores de T M y T m

Cuadro I: Valores experimentales para los T M y T m del espectro de la Figura 4.

|   λ ( nm ) | T M    | T m    |
|------------|--------|--------|
|    707.011 | 0.4355 | -      |
|    866.061 | 0.8925 | -      |
|   1230     | 0.9144 | -      |
|    762     | -      | 0.2654 |
|   1006.01  | -      | 0.3176 |
|   1607.01  | -      | 0.3378 |

De acuerdo con los valores consignados en el Cuadro I para el espectro de transmitancia de la Figura 4, se calcularon los valores intermedios de T M y de T m por el m´ etodo de interpolaci´n de o Lagrange, ver Ap´ endice A. Este m´todo permite calcular las curvas envolventes del espectro en e cuesti´n, tal como se aprecia en la Figura 9. o

Se aprecia que la regi´n de baja y media absorci´n corresponde al intervalo de o o

$$7 0 0 n m \leq \lambda \leq 1 8 0 0 n m.$$

Para la regi´n de baja y media absorci´n establecida es posible calcular el ´ ındice de refracci´n de o o o la pel´ ıcula n λ ( ) por unidad de longitud de onda a partir de (34). Esto permiti´ construir la gr´fica o a de n λ ( ) vs λ que se observa en la Figura refF9.

Se puede realizar un comparativo del comportamiento del ´ ındice de refracci´n o n λ ( ) de la pel´ ıcula en estudio y el comportamiento del indice refracci´n para el Silicio puro reportado en la literatura o

Figura 9: Se aprecia el espectro de transmitancia para la pel´ ıcula de Silicio compensada, en donde se trazan los puntos T M y T m experimentales, junto con las curvas envolventes que se determinaron por el m´todo e de interpolaci´n de Lagrange. o

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-26555eb7-ce47-47c2-b5be-4cba7bb90cae.jpg)

Figura 10: Comportamiento de´ ındice de refracci´n o n λ ( ) en funci´n de la longitud de onda o λ para el intervalo 700 nm ≤ λ ≤ 1800 nm .

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-2a1dc850-68c1-4c73-863b-1d5612a26428.jpg)

[6], el cual se puede ver en la Figura 11 y 12. De la comparaci´n entre las Figuras 10, 11 y 12 o se observa un comportamiento creciente del ´ ındice de refracci´n para bajas longitudes de onda en o ambas gr´ficas. La diferencia radica en el tipo de concentraci´n y los elementos que se le han aadido a o a la pel´ ıcula en estudio. Por definici´n se conoce que o

$$n v = c,$$

Figura 11: Comportamiento del ´ ındice refracci´n o n λ ( ) vs λ para el Silicio, Tomado de Handbook of Optical Constants of Solids, Edward D. Palik. Academic Press, Boston, 1985.

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-985f768e-1fa8-48be-8f56-5b8824010243.jpg)

Figura 12: Comportamiento del ´ ındice refracci´n o n λ ( ) vs λ para el Silicio, Tomado de http://www.nist. gov/data/PDFfiles/jpcrd162.pdf

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-3c6d4834-963d-4389-a995-9626eb51ed48.jpg)

$$n \frac { 1 } { \sqrt { \epsilon \mu } } = \frac { 1 } { \sqrt { \epsilon _ { 0 } \mu _ { 0 } } },$$

donde se tiene que glyph[epsilon1] i y µ i corresponden a la permitividad y la permeabilidad del medio i respectivamente. Si la pel´ ıcula delgada de Silicio compensado no es magn´tica e µ ≈ µ 0 . Por lo que ´ ındice de refracci´n de la pel´ ıcula delgada se reduce a o

$$n & = \sqrt { \frac { \epsilon } { \epsilon _ { 0 } } }.$$

De lo anterior, se puede deducir el comportamiento de la permitividad de la pel´ ıcula delgada. Adem´ as, es posible determinar la constante diel´ctrica e κ para la pel´ ıcula delgada est´ dada por a

$$\kappa = \frac { \epsilon } { \epsilon _ { 0 } } = n ^ { 2 },$$

cuyo comportamiento se observa en la Figura 13. En la literatura se halla que el valor de la constante diel´ctrica e κ para el Silicio en estado puro corresponde a κ = 11 7, y en la misma Figura se muestra ,

que para el intervalo de longitud de onda tenemos que la constante diel´ctrica est´ en el intervalo e a de

$$1 3, 9 4 \ll \kappa \ll 2 0, 7.$$

Lo cual confirma que la constante diel´ctrica e corresponde al mismo orden de magnitud con lo reportado en la literatura [8]. Se conoce que la ecuaci´n de Cauchy es de la forma o

Figura 13: Comportamiento de la constante diel´ ectrica κ en funci´n o de la longitud de onda λ para el intervalo 700 nm ≤ λ ≤ 1800 nm .

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-b189a3e9-09b0-44e0-ada5-6cb82fe5a5c8.jpg)

$$n = a \frac { 1 } { \lambda ^ { 2 } } + c,$$

donde se tiene que a corresponde a la pendiente y c es el punto de corte de la recta con el eje y . Por el m´todo de m´ ınimos cuadrados se determin´ que la ecuaci´n para los puntos hallados con (49) es e o o de la forma

$$n ( \lambda ) = \frac { 5 9 6 0 0 0 } { \lambda ^ { 2 } } + 3, 4 6 7 2, \ \ R = 0, 9 9 9 3.$$

Posteriormente, con el espectro en estudio se determinaron los puntos m´ximos de orden a l que se observan en la Figura 15. Esto permite hallar de una manera indirecta el espesor de la pel´ ıcula delgada de Silicio compensado. Dada la relaci´n o

$$\frac { l } { 2 } = 2 d \left [ \frac { n } { \lambda } \right ] - m _ { 1 }.$$

La cual es representada en la Figura 16.

Posteriormente, se representan los datos consignados en el Cuadro II que permite hallar de manera indirecta el espesor de la pel´ ıcula d . Donde se calcul´ el ajuste de la recta para la Figura 16 que o corresponde a

$$\frac { l } { 2 } = 2 \left ( 2 8 2, 9 8 n m \right ) \left [ \frac { n } { \lambda } \right ] - 0, 3$$

Figura 14: Comportamiento de ´ ındice de refracci´n o n λ ( ) en funci´n de o 1 λ 2 para el intervalo 700 nm ≤ λ ≤ 1800 nm de acuerdo a la ecuaci´n de Cauchy. o

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-f226ce6c-9cf0-42e2-8828-05c403e124db.jpg)

Figura 15: Puntos m´ximos de orden a l .

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-967dcdd8-9e8e-42f9-9f17-96a2cc3d3c52.jpg)

donde se identifican los t´rminos e

$$m _ { 1 } = 0, 3, \ \ 2 d = 5 6 5, 9 7 n m.$$

De lo cual se puede afirmar que el espesor te´rico es o d = 282 98 , nm y m 1 ≈ 0 5. ,

Posteriormente, se calcula el coeficiente de absorci´n o α λ ( ) a partir de (22) y (36). En la Figura 17 se observa el comportamiento del coeficiente de absorci´n o α en funci´n de la longitud de onda. o Se tiene que el coeficiente de absorci´n aumenta con la disminuci´n de la longitud de onda. Esto o o puede deberse a que se est´ aproximando a la frecuencia natural de la pel´ ıcula. El siguiente paso, a

Cuadro II: Valores experimentales para los n/λ y l .

|   λ ( nm ) | n/λ ( ∗ 10 - 3 ) nm - 1   | l/ 2   |
|------------|---------------------------|--------|
|        760 | 5.9                       | 3 , 0  |
|        870 | 4.89                      | 2 , 5  |
|       1010 | 4.01                      | 2 , 0  |
|       1230 | 3.13                      | 1 , 5  |
|       1610 | 2 , 30                    | 1.0    |
|       2350 | 1 , 48                    | 0.5    |

Figura 16: Gr´fica de a l/ 2 vs n/λ para determinar el numero de orden y el espesor la pel´ ıcula.

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-be2e1ed3-f09f-42ea-9921-878927657191.jpg)

es calcular el coeficiente de extinci´n o k a partir de (1) y cuyo comportamiento en funci´n de o λ se aprecia en la Figura 18. De las Figuras 11 y 18 es posible determinar el ´ ındice de refracci´n o complejo η = n -ik por unidad de longitud de onda. Para la determinaci´n de la banda de energ´ ıa o prohibida E g se recurre a representar los valores del coeficiente de absorci´n o α λ ( ) vs E = hc λ que se observan en la Figura 19. Lo cual permite realizar una extrapolaci´n de la regi´n que presenta o o un comportamiento lineal y determinar el punto de corte de una recta dibujada sobre dicha regi´n o y el eje E = hc λ . Tal punto corresponde a

$$E _ { g } = 1, 1 6 5 5 * 1 0 ^ { - 2 8 } J \approx 0, 7 2 7 5 e V.$$

De acuerdo a Kittel el valor reportado del gap de Silicio puro corresponde a 1 11 , eV a una temperatura de 300 K [3]. La diferencia entre el valor reportado y el hallado en el presente informe se deben atribuir a dos posibles razones:

- Margen de error en el presente calcul´ dado que el error para el gap de la muestra en estudio o corresponde a 2 842 % que se puede ver en el Ap´ndice B. , e
- Nivel de concentraci´n de las impurezas u otros elementos presentes en la muestra en estudio. o

La presencia de impurezas permiten que se presenten transiciones de los portadores de carga de menor energ´ ıa entre la banda de valencia y la banda de conducci´n. o Para el presente estudio

Figura 17: Comportamiento del coeficiente de absorci´n o α en funci´n de la longitud de onda o λ .

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-25117d17-a0cd-466a-beed-991929d200b2.jpg)

Figura 18: Comportamiento del coeficiente de extinci´n o k en funci´n de la longitud de onda o λ .

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-556a7044-c8df-4bd0-b9d5-705ec2064c15.jpg)

no es posible determinar qu´ e tipo de portadores de carga hay presentes en la muestra, ello se podr´ a determinar en otro tipo de pruebas tales como someter la pel´ ıcula a un estudio de efecto Hall. Se sabe que en un semiconductor se denomina de gap directo cuando el m´ ınimo de la banda de conducci´n y el m´ximo de la banda de valencia se dan para el mismo valor de o a k . De lo contrario es de gap indirecto, como se sabe el silicio y el germanio poseen un gap indirecto [3]. En otras palabras el gap directo se caracteriza por la transferencia de electrones de la banda de valencia a la banda de conducci´n mediante la interacci´n solo de electr´n-fot´n. En el caso del gap indirecto ademas de o o o o la interacci´n electr´n-fot´n la transici´n de a la banda de conducci´n debe estar mediada por un o o o o o fon´n [3]. Tal como se observa en la Figura 20. La absorci´n directa de un fot´n es una transici´n o o o o

Figura 19: Determinaci´n de la banda de energ´ ıa prohibida o E g .

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-d68416cf-8491-4562-bcf2-13ac6ae9e435.jpg)

Figura 20: En (a) se presenta el proceso de transici´n entre la banda de valencia y la banda de conducci´n o o para un material de gap directo, tal transici´n se realiza por la interacci´n electr´n-fot´n. En (b) se involucra o o o o tanto un fot´n como un fon´n para que se de la transici´n de un electr´n de la banda de valencia a la banda o o o o de conduccion. Tomado de [3].

![image](https://ac.marcodsn.me/arxiv-markdown-images/1908.00359v1-figure-2af6ed33-315a-4a5e-b11a-fdfd8318a454.jpg)

vertical desde la banda de valencia a la de conducci´n. Cuando un electr´n hace una transici´n o o o vertical desde la banda de conducci´n a la de valencia emite un fot´n. Tambi´n son posibles las o o e transiciones indirectas que consisten en la absorci´n/emisi´n simult´nea de un fot´n y un fon´n. El o o a o o salto vertical corresponde al fot´n y el cambio de o k se debe al fon´n. La transici´n indirecta tiene o o una frecuencia mucho menor que la directa[11].

## IV. CONCLUSIONES

Del presente estudio realizado a una pel´ ıcula delgada de Silicio compensado se extraen las siguientes conclusiones:

- 1. Se estudi´ la pel´ ıcula suministrada, a la cual se le determinaron las constantes ´pticas bajo o o el modelo propuesto por Swanepoel. La determinaci´n de los o T M y T m se realiz´ por interpoo

laci´n de Lagrange. Esto permiti´ determinar una ecuaci´n de Cauchy de la forma o o o

$$n ( \lambda ) = \frac { 5 9 6 0 0 0 } { \lambda ^ { 2 } } + 3, 4 6 7 2.$$

- 2. Ala pel´ ıcula en estudio se le practicaron 5 ensayos de perfilom´tria en los que se determin´ que e o el espesor es

$$d _ { p } = 3 0 8, 4 9 9 8 n m.$$

Por otro lado empleando el modelo propuesto, de acuerdo a la Figura 13 y por 14, se determin´ o que el valor d es de

$$d = 2 8 2, 9 6 n m \pm 3 \, \%.$$

Y el error es del 8 %.

- 3. El indice refracci´n o s para el sustrato que en este caso corresponde al vidrio est´ dentro del a orden de magnitud reportado en la literatura

$$s = 1, 5 1 4 2.$$

- 4. De la comparaci´n entre las Figuras 10, 11 y 13 se observa un comportamiento creciente del o ´ ındice de refracci´n para bajas longitudes de onda en ambas gr´ficas. La diferencia radica en o a la el tipo de concentraci´n y el elemento que se le ha aadido a la pel´ ıcula en estudio. o
- 5. Se estudio el comportamiento de la constante diel´ctrica, su relaci´n con el indice de refrace o ci´n. Hall´ndose que el valor de la constante diel´ctrica para una pel´ ıcula delgada de Silicio o a e compensado esta de acuerdo con lo reportado en la literatura.
- 6. El valor gap reportado para el Silicio en puro corresponde a 1 , 11 eV y el valor del gap para la muestra estudiada corresponde a 0 7275 , eV , la discrepancia se debe al nivel del concentraci´n o con que esta compensado la pel´ ıcula de Silicio.

## Ap´ endice A: Polinomios de interporlaci´n de Lagrange o

Los polinomios de interpolaci´n de Lagrange corresponden a uno de los diversos m´todos que o e para n + 1 puntos en un plano con diferentes coordenadas de x, permiten encontrar una funci´n o polin´mica del menor grado posible que pase por esos o n +1 puntos. Tales polinomios son escritos de la forma

$$P ( x ) & = \sum _ { i = 0 } ^ { n } l _ { i } ( x ) y _ { i }, & ( \text{A1} )$$

donde

$$l _ { i } ( x ) = \prod _ { m \neq i, m = 0 } ^ { n } \frac { x - x _ { m } } { x _ { i } - x _ { m } }.$$

glyph[negationslash]

Y al expandir la productoria se tiene

glyph[negationslash]

$$l _ { i } ( x ) = \prod _ { m \neq i, m = 0 } ^ { n } \frac { x - x _ { m } } { x _ { i } - x _ { m } } = \frac { x - x _ { 0 } } { x _ { i } - x _ { 0 } } \cdots \frac { x - x _ { i - 1 } } { x _ { i } - x _ { i - 1 } } \cdot \frac { x - x _ { i + 1 } } { x _ { i } - x _ { i + 1 } } \cdots \frac { x - x _ { n } } { x _ { i } - x _ { n } } \quad \text{(A3)}$$

Estos polinomios son construidos con una propiedad importante que dice,

$$l _ { i } ( x _ { j } ) & = \delta _ { i j }. & ( A 4 )$$

Este m´ etodo, ofrece un mejor ajuste de los puntos T M y T m que fueron hallados experimentalmente para el espectro de transmitancia de la Figura 4.

Tales polinomios de interpolaci´n o puesto que para el espectro obtenido de la medici´n de la o muestra de silicio compensado en partes por mill´n, se quiere encontrar una funci´n de la envolvente o o del espectro con base en los m´ximos y m´ ınimos de transmitancia obtenidos de la medici´n que a o en este caso es de 3 m´ximos y 3 m´ ınimos. Para el presente trabajo realizado los polinomios de a interpolaci´n de Lagrange se interpretan de la siguiente manera: o

- 1. La variable x corresponde a la longitud de onda del espectro obtenido en la medici´n. o
- 2. x corresponde a la longitud de onda del espectro obtenido en la medici´n, o
- 3. x m corresponde a la longitud de onda siguiente o anterior a la longitud de onda correspondiente a cada m´ aximos o m´ ınimos de transmitancia medidos en el espectro de la muestra del punto que se est´ utilizando para la interpolaci´n, a o
- 4. x i corresponde a la longitud de onda del punto que se est´ interpolando y a
- 5. y i es el valor de la transmitancia que corresponde al punto xi que se est´ analizando. a

## Ap´ endice B: An´lisis de incertidumbre y error a

## 1. Incertidumbre en las mediciones

Para realizar el an´lisis en la incertidumbre en las mediciones se consideran los siguientes casos: a

- 1 . Si la propagaci´n del error proviene de una ecuaci´n se aplica la relaci´n o o o

$$\Delta f = \sum _ { i = 1 } ^ { n } \left | \frac { \partial f } { \partial x _ { i } } \Delta x _ { i } \right |.$$

Siendo ∆ x i la incertidumbre en las mediciones y ∆ f la incertidumbre propagada. Esta es la forma en que la que se hallar´ el error para a n , α y k .

- 2 . Si la medida proviene de promediar un conjunto de datos, la incertidumbre es la desviaci´n o est´ndar, calculada f´cilmente a trav´s de herramientas de software. a a e

- 3 . S´ ı la medida se obtiene a partir de un m´todo de ajuste a una recta, como es el caso del espesor e de la pel´ ıcula, d , y la energ´ ıa de gap E g . Se aplica la t´cnica que se describe a continuaci´n: e o Se hace un promedio de los errores de las variables ubicadas en los ejes x e y en la gr´fica a

$$\sigma _ { x } = \frac { \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } } { n }$$

$$\sigma _ { y } = \frac { \sum _ { i = 1 } ^ { n } y _ { i } } { n }$$

A partir de los cuales se halla un par´metro a σ

$$\sigma = \sqrt { \sigma _ { y } ^ { 2 } + m ^ { 2 } \sigma _ { x } ^ { 2 } }$$

Con m la pendiente de la recta. A partir de este par´metro se hallan la incertidumbre en la a pendiente y en el intercepto con el eje y .

$$\Delta m & = \sqrt { \frac { n \sigma ^ { 2 } } { n \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } ^ { 2 } - \left ( \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } \right ) ^ { 2 } } }$$

$$\Delta c = \sqrt { \frac { \sigma ^ { 2 } \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } ^ { 2 } } { n \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } ^ { 2 } - \left ( \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } \right ) ^ { 2 } } }$$

Aplicando los m´todos descritos seg´n los casos correspondientes, se halla primero una incertidume u bre para n a partir de

$$n ( \lambda ) = \frac { 5 9 6 0 0 0 } { \lambda ^ { 2 } } + 3, 3 6 7 2.$$

bajo la hip´tesis que se hall´ una relaci´n anal´ ıtica entre o o o n y λ dada por (50)

$$\Delta n = \frac { 1, 1 9 * 1 0 ^ { 6 } \Delta \lambda } { \lambda ^ { 3 } }$$

Seg´n especificaciones t´cnicas ∆ u e λ = 0 02 , nm para el espectrof´metro Cary 5000, lo cual permite o a su vez hallar la incertidumbre de n λ

$$\Delta \left ( \frac { n } { \lambda } \right ) = \frac { \Delta n } { \lambda } + \frac { n \Delta \lambda } { n ^ { 2 } }$$

Esto corresponde al error en los datos del eje x para el m´todo gr´fico que permiten determinar el e a espesor de la pel´ ıcula d Teo . Posteriormente se aplica el m´todo 3, teniendo en cuenta que e σ y = 0, pues en el eje y s´lo o se ubican valores l 2 que no llevan ning´n error inherente, se encuentra la u incertidumbre en la pendiente. Dado que

$$\Delta d & = \frac { \Delta m } { 2 }.$$

As´ ı se encuentra que la incertidumbre para el espesor es de

$$\Delta d = 8, 4 4 7 \ n m, \ \Delta d = 2, 9 8 5 \, \%.$$

Los datos calculados a partir de (37) para x se observ´ que todos son cercanos 1. Por lo cual, es o posible aplicar el m´todo 2 y considerar el error en e x como su desviaci´n est´ndar. Se halla que o a

$$\Delta x = 0, 0 0 9, \ \Delta x = 0, 9 1 9 \%.$$

Utilizando el m´todo 1 se pueden encontrar las incertidumbres en e α y k

$$\Delta \alpha = \frac { l n x \Delta d } { d ^ { 2 } } + \frac { \Delta x } { x d }$$

$$\Delta k = \frac { 1 } { 4 \pi } ( \Delta \alpha \lambda + \alpha \Delta \lambda )$$

Dado que el c´lculo en el gap proviene de un m´todo gr´fico, en el cual el valor de esta energ´ ıa a e a es el intercepto en el eje x , se utiliza el m´ etodo 3, teniendo en cuenta que, para poder aplicar correctamente

$$\Delta c & = \sqrt { \frac { \sigma ^ { 2 } \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } ^ { 2 } } { n \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } ^ { 2 } - \left ( \sum _ { i = 1 } ^ { n } x _ { i } \right ) ^ { 2 } } },$$

donde ∆ α son los errores ∆ x i y ∆ ( hc λ ) son los errores ∆ y i . Calculando los ∆ x i y ∆ ( hc λ ) a partir de

$$\Delta \left ( \frac { h c } { \lambda } \right ) = \frac { h c \Delta \lambda } { \lambda ^ { 2 } }.$$

Por otro lado, se tiene que la incertidumbre en el gap corresponde a

$$\Delta E _ { g } = 0, 0 3 5 7 e V, \ \Delta E _ { g } = 2, 8 4 2 \%.$$

## 2. C´ alculo de error

El error glyph[epsilon1] en la medici´n se determina mediante o

$$\epsilon = \left | \frac { V _ { m } - V _ { r } } { V _ { r } } \right |,$$

donde V m corresponde al valor obtenido en la medici´n y o V r es un valor que se usa como referencia. Para el valor de referencia del espesor de la pel´ ıcula se realiz´ o un conjunto de 5 mediciones de perfilometr´ ıa . Promediando los datos de las 5 mediciones a partir de los datos entre la zona de la medici´n entre los 4000 ˚ y los 5000 ˚ se obtiene un espesor de la pel´ ıcula de Silicio compensado o A A

$$d _ { r } & = 3 0 8, 5 0 0 m m.$$

A partir del cual el error en la medici´n del espesor es de o

$$d = 2 5, 5 1 9 \ n m, \quad \epsilon = 8, 2 7 2 \%$$

Teniendo en cuenta la incertidumbre en la medida del espesor, el error puede reducirse hasta 5 287 %. ,

## References

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W. A. Rojas C. M. Chaparro P. L. M. Pardo C. M. I. Cruz F.
Cálculo de constantes ópticas de peliculas delgadas de Silicio compensado a través del método de Swanepoel
Characterization and determination of the optical constants for thin film
silicon compensated through the transmittance spectrum is presented. Such
properties were determined by R. Swanepoel model. Comparison between the
refractive indices of pure silicon and silicon compensated. Increasing
refractive index behavior at low wavelengths in both plots was observed. The
difference lies in the concentration and type of element that has been added to
the thin film. The behavior of the dielectric constant was studied, their
relationship with the refractive index. It is found that the value of the
dielectric constant to a thin film of silicon compensated agree with those
reported in the literature. The reported value of the gap for pure silicon
corresponds to $ 1.11eV $ and the value of the gap for the sample corresponds
to $ 0.7275eV $, the discrepancy is due to the level of concentration in the
compensated silicon film.