Le PZT, le BiFe0 $_{3}$, BaTi0 3 sont des exemples de matØriaux ferroØlectriques et piØzoØlectriques. 

En variante, le quatriŁme matØriau MAT4 est un matØriau àchangement de phase. 

Il peut ŒtrecitØ le V0 $_{2}$, le V$_{2}$0 3 ou un chalcogØnure tel que l’alliagede GeSbTe. 

En fonctionnement, il est appliquØ sur la quatriŁme couche C4 une impulsion de tension. 

Cela entraîne une variation de la propriØtØ de la quatriŁme couche C4 provoquant une modification de l’aimantation ou de l’anisotropie magnØtique de la troisiŁme couche C3. 

La modification de l’anisotropie magnØtique de la troisiŁme couche C3 permet de changer la frØquence de rØsonance i, m de la synapse 112i,$_{m}$. 

La modification des caractØristiques (durØe et/ou amplitude) de tension permet donc de modifier la valeur de la frØquence de rØsonance i$_{,m}$ de la synapse 112i$_{,m}$ . 

Cela permet d’obtenirun ensemble continu de valeurs possibles pour la frØquence de rØsonance i, m de la synapse 112i,$_{m}$, ce qui permet l’apprentissage. 

## DIXIEME MODE DE REALISATION (M1 0) 

Le mode de rØalisation M 10 est dØcrit par diffØrence avec le mode de rØalisation M6. 

Le mode de rØalisation M10 est notamment illustrØ àla figure 30. 

Dans le cas d u mode de rØalisation M 10, l’interconnexion 104 comporte un gØnØrateur de courant (non reprØsentØ sur cette figure) propre àappliquer en continu des courants. 

L’ØlØmentd’ajustement 188 est un ensemble de lignes de contrôle. 

Chaque ligne de contrôle est reliØe au gØnØrateur de courant. 

Chaque ligne de contrôle est perpendiculaire àla ligne de transmission 162 (omise sur cette figure). 

En outre, chaque ligne de contrôle est agencØe sur une plaque rØalisØe en un matØriau isolant. 

La plaque est en contact avec chaque deuxiŁme borne 170 des rØsonateurs 164 faisant partie d’unemŒme chaînesynaptique 110. 

Les mØmoires 154 sont, en outre, propres àmØmoriser la valeur de l’amplitude du courant appliquØ àchaque ligne de contrôle. 

Dans cet exemple, les mØmoires 154 sont des cellules de mØmoires commandØes par transfert de spin (ST MRAM). 

Comme expliquØ prØcØdemment, de telles mØmoires 154 sont des vannes de spin ou des jonctions tunnel magnØtiques ayant une structure semblable au rØsonateur 164. 

