Dans ce qui suit, une telle situation oø deux rØseaux de neurones 100 selon deux modes de rØalisation MX et MY sont similaires sera mis en Øvidence par la seule phrase « Le mode de rØalisation MX est dØcrit par diffØrence avec le mode de rØalisation MY ». 

En l’espŁce,le mode de rØalisation M2 est dØcrit par diffØrence avec le mode de rØalisation M 1. 

En rØfØrenceaux figures 22 et 23, le rØsonateur 164 selon le mode de rØalisation M2 est dans une configuration CIP, c’est-à-dire que le courant est injectØdans le plan des couches C 1, C2 et C3. 

Le deuxiŁme matØriau MAT2 est un mØtal. 

Dans un tel cas, les deux contacts Ølectriques 174 et 176 sont rattachØs àla troisiŁme couche C3. 

Le rØseau de neurones 100 selon le mode de rØalisation M2 prØsente l’avantage d’Œtre plus facile àrØaliserque le rØseau de neurones selon le mode de rØalisation M 1. 

## TROISIEME MODE DE REALISATION (M3) 

Le mode de rØalisation M3 est dØcrit par diffØrence avec le mode de rØalisation M 1. 

Comme reprØsentØsur la figure 24, le rØsonateur 164 selon le mode de rØalisation M3 est formØ d’une unique couche C3 au lieu des trois couches C 1, C2 et C3. 

L’unique couche est une couche rØalisØeen un matØriau magnØtique. 

Dans une telle structure, le fonctionnement d’une synapse 112 repose sur l’effet de magnØto-rØsistance anisotrope. 

Dans une simple couche magnØtique, la magnØto-rØsistance anisotrope qualifie les variations de rØsistance en fonction de l’angleque fait l’aimantationavec la direction du courant injectØ. 

Le rØseau de neurones 100 selon le mode de rØalisation M3 prØsente l’avantage d’Œtre trŁs aisØ àrØaliser. 

## QUATRIEME MODE DE REALISATION (M4) 

Le mode de rØalisation M4 est dØcrit par diffØrence avec le mode de rØalisation M 1. 

Selon l’exempledu mode de rØalisation M4, le deuxiŁme matØriau MAT2 est un isolant. 

Dans un tel cas, le rØsonateur 164 est une jonction tunnel magnØtique. 

A titre d’exempleparticulier, le deuxiŁme matØriau MAT2 est de l’oxydede magnØsium (MgO), de l’oxyde d’aluminium(Al$_{2}$0 $_{3}$), du titano-zirconate de plomb (PZT), du ferrite de bismuth (BiFe0 $_{3}$), du titanate de baryum (BaTi0 $_{3}$) ou de l’oxyde d’hafnium(HfOx). 

