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私はトランジスタについて学ぼうとしてきましたが、私を混乱させていることがあります。JFETと枯渇モードMOSFETの違いは、それらの使用方法に基づいて何ですか？彼らは互いに非常に似ているようです。
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JFETと枯渇モードMOSFETは、両方とも増幅およびスイッチングアプリケーションに使用される3末端のデバイスです。JFETは、半導体材料のチャネルと反対のドーピングの2つの領域との間にPN接合部を形成することによって構築されますが、枯渇モードのMOSFETは、酸化物の薄い層を持つ、反対のタイプの2つの重いドープ領域の間に半導体材料のチャネルを作成することによって構築されます。上のゲート電極。

JFETと枯渇モードのMOSFETの動作原理は、JFETのソース端子と排水端子間の電流がゲートに印加された電圧によって制御され、チャネル周辺の枯渇領域の幅を制御するという点で異なります。枯渇モードMOSFETでは、ゲート電圧はチャネルと酸化物層の間のインターフェースにモバイルキャリアを引き付け、それによりキャリアのチャネルを枯渇させ、抵抗を増加させます。JFETは入力インピーダンスが高く、ノイズレベルが低く、枯渇モードのMOSFETは入力インピーダンスが低くなりますが、より高いゲインとより速いスイッチング速度を提供できます。