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フィールド効果が内部でどのように機能するかを説明していただけますか？
gpt
フィールドエフェクトトランジスタ（英語フィールドエフェクトトランジスタのFET）は、電界を使用して形状を制御するトランジスタであり、したがって、単一のタイプのキャリアを輸送するチャネルの導電率であるため、通常は通常も知られています。ユニポーラトランジスタ。これは、プエルタ（Gで表される）、排水（d）、およびソースと呼ばれる3つの端子を持つ半導体です。ドアは双極結合トランジスタのベースに相当する末端であり、その動作とは異なります。FETでは、ドアとソースの間に印加される電圧が排水内の循環電流を制御します。チャネルNとチャネルPのものは、デバイスチャネルが構成されている材料の種類に応じて、2つのタイプに分割されます。
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FETトランジスタを使用する回路の基本的な構成は何ですか
gpt
FETトランジスタ（フィールドエフェクトトランジスタ）を使用する回路の基本的な構成は、「共通のソース」構成です。この構成では、FETトランジスタを使用して、そのゲート端子（GATE）に適用される電圧信号を増幅し、増幅された信号は排水端子（ドレイン）を介して回路出力から取得されます。入力信号は、ゲートとFETソース（ソース）の間に適用されます。

基本的な共通のソース構成を下の図に示します。

          +vdd +vdd
            ||
            R r
            ||
  in ---/\/\/\ ----- | <| -----/\/\/\ ---- OUT OUT
                      ||
                      ||
                     --- |
                     ----- RL
                      ||
                     GND GND


どこ：

入力信号です。
rはゲートの偏光抵抗です。
GはFETトランジスタゲートです。
出力信号です。
RLは、回路出力に接続された負荷です。
VDDは正の電源です（通常は +5Vまたは +12V）。
GNDは地球の参照です。
この構成では、入力信号は偏光抵抗rを介してFETゲートに適用されます。ゲートの偏光は、FETの動作点を確立し、そのコンダクタンスを制御します。増幅された信号は、FET排水端子の回路の出力に現れ、RL負荷に結合することができます。