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ハイテク研究室のコンテキストでは、近接誘発性超伝導のプロセスを使用してトポロジースーパーコンダクタを製造する方法を段階的に説明します。
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これは、トポロジートーポンコンダクタを製造するプロセスの一般的な概要です。

1.基質の調製：最初のステップは、超伝導体が製造される適切な基質を準備することです。この基質は、サファイア基板などの適切な材料に堆積した、アルミニウム（AL）などの従来の超伝導体の薄膜である可能性があります。

2.通常の金属の堆積：次に、金（au）などの通常の金属が基板の上に堆積して二層構造を形成します。通常の金属は「近接効果」材料として機能し、隣接する層に超伝導を誘導できます。

3.磁気材料の堆積：強磁性鉄（Fe）などの磁気材料が、通常の金属の上に堆積されます。この磁気材料は、トポロジーの超伝導位相を制御するために使用できる磁場を作成するために使用されます。

4.磁気材料のパターン化：磁気材料は、フォトリソグラフィなどのプロセスを使用して、目的の形状にパターン化されます。これにより、磁場を超伝導層に制御された方法で適用できます。

5.トポロジカル絶縁体の堆積：セレナイドビスマス（bi2Se3）などのトポロジカル絶縁体が磁気材料の上に堆積されます。この材料は、磁場と強く相互作用し、通常の金属の超伝導性を誘発する「スピン偏光」材料として機能します。

6.アニーリング：その後、構造全体がアニーリングプロセスにさらされ、通常の金属とトポロジーの絶縁体が近接になり、それにより通常の金属に超伝導が誘導されます。

7.特性化：最後に、トポロジースーパーコンダクタは、輸送測定、走査型トンネル顕微鏡、角度分解光排出分光法（ARPES）などの技術を使用して特徴付けられ、トポロジー的超伝導性の存在を確認し、その特性を測定します。
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bi2te3は、bi2se3の代わりにトポロジカル絶縁体として使用できますか？
gpt
はい。

広州のSun-Yat Sen Universityのナノテクノロジー研究センターの研究チームは、バイアス電圧条件下での偏光照射下での多結晶Ti Bi2te3膜に基づく光検出器の異方性光電流を実証しました。
彼らは、これが「光強度を検出できるだけでなく、通常の光の偏光の分極状態を測定できる多機能フォトセクターとして多機能光検出器としての多機能フォトセクターとしてのアプリケーションへの扉を開くと主張しています。光強度。"

https://www.nature.com/articles/srep14184#auth-j__d_-yao