BJTとMOSFETの主な違いは次のとおりです。

1. BJTは双極結合トランジスタであり、MOSFETはフィールド効果トランジスタです。

2. BJTは電流によって活性化されるトランジスタであり、MOSFETは電圧活性化トランジスタです。

3. BJTは出力電流を制御するためにベース電流を必要としますが、MOSFETは出力電流を制御するための電圧を必要とします。

4. BJTは、MOSFETよりも低伝導係数を持っています。

5. BJTは、MOSFETよりも出口抵抗が大きくなります。

6. BJTはMOSFETよりも騒々しくありません。

7. BJTは、MOSFETよりもエネルギーの点でより効率的です。
Las principales diferencias entre un BJT y un mosfet son:

1. El BJT es un transistor de unión bipolar, mientras que el mosfet es un transistor de efecto de campo.

2. El BJT es un transistor activado por corriente, mientras que el mosfet es un transistor activado por voltaje.

3. El BJT requiere una corriente de base para controlar la corriente de salida, mientras que el mosfet requiere un voltaje para controlar la corriente de salida.

4. El BJT tiene un coeficiente de transconductancia más bajo que el mosfet.

5. El BJT tiene una mayor resistencia de salida que el mosfet.

6. El BJT es menos ruidoso que el mosfet.

7. El BJT es más eficiente en términos de energía que el mosfet.