フィールドエフェクトトランジスタ（FET）は、電界を使用して電流流を制御するトランジスタの一種です。電流を使用して電流の流れを制御する双極トランジスタとは異なり、FETは分離ゲートに加えられた電圧によって生成された電界によって制御されます。

FETは、ソース、ドレイン、ゲートの3つの領域で構成されています。ソースとドレインは導電性チャネルで接続されており、ゲートはチャネルの近くに配置されますが、接触していません。ゲートは、酸化シリコンなどの誘電体材料の薄い層によってチャネルから分離されます。

正電圧がゲートに適用されると、荷重キャリア（電子または穴）をチャネルの表面に引き付ける電界が作成され、チャネルの抵抗が低下し、電流が流れるようになります。負の張力がゲートに適用されると、電界が弱まり、チャネルの抵抗が増加し、電流の流れが減少します。

FETは、信号アンプからメモリデバイスまで、幅広い電子アプリケーションで使用されます。チャネルN FETには荷重キャリアなどの電子があり、チャネルPのFETには荷重キャリアなどの穴があります。タイプN FETは最も一般的であり、ほとんどの電子アプリケーションで使用されます。
Un transistor de efecto de campo (FET, por sus siglas en inglés) es un tipo de transistor que utiliza un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. A diferencia de los transistores bipolares, que utilizan corriente para controlar el flujo de corriente, los FET son controlados por un campo eléctrico generado por una tensión aplicada a una compuerta aislada.

El FET está compuesto por tres regiones: la fuente, el drenador y la compuerta. La fuente y el drenador están conectados por un canal conductor, y la compuerta se coloca cerca del canal pero no está en contacto con él. La compuerta está aislada del canal por una fina capa de material dieléctrico, como el óxido de silicio.

Cuando se aplica una tensión positiva a la compuerta, se crea un campo eléctrico que atrae los portadores de carga (electrones o huecos) hacia la superficie del canal, lo que disminuye la resistencia del canal y permite que fluya la corriente. Cuando se aplica una tensión negativa a la compuerta, el campo eléctrico se debilita, lo que aumenta la resistencia del canal y reduce el flujo de corriente.

Los FET se utilizan en una amplia gama de aplicaciones electrónicas, desde amplificadores de señal hasta dispositivos de memoria. Los FET de tipo de canal N tienen electrones como portadores de carga, mientras que los FET de tipo de canal P tienen huecos como portadores de carga. Los FET de tipo N son los más comunes y se utilizan en la mayoría de las aplicaciones electrónicas.