フィールドエフェクトトランジスタ（英語フィールドエフェクトトランジスタのFET）は、電界を使用して形状を制御するトランジスタであり、したがって、単一のタイプのキャリアを輸送するチャネルの導電率であるため、通常は通常も知られています。ユニポーラトランジスタ。これは、プエルタ（Gで表される）、排水（d）、およびソースと呼ばれる3つの端子を持つ半導体です。ドアは双極結合トランジスタのベースに相当する末端であり、その動作とは異なります。FETでは、ドアとソースの間に印加される電圧が排水内の循環電流を制御します。チャネルNとチャネルPのものは、デバイスチャネルが構成されている材料の種類に応じて、2つのタイプに分割されます。
El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor de unión bipolar, de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal N y los de canal P, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.