フィールドエフェクトトランジスタ（FET）は、電圧制御スイッチとして機能する半導体デバイスです。FETの内部動作は、大量の電流を制御するための少量の電荷の容量に基づいています。

FETには、3つの主要な端子があります。ソース、ドレイン（d）とゲート（g）です。ソースと排水は、特定のタイプの材料を作成するための不純物を持つ半導体材料の2つの領域です（通常、チャネルNまたはチャネルPのFETの場合はNまたはPのフェットの場合）。ゲートは、酸化シリコンなどの絶縁材料の領域であり、供給源と排水の間に配置されています。

電圧がゲートに適用されない場合、電荷はソースからドレンに自由に流れます。ただし、ゲートに電圧が適用されると、ソースとドレインの間に流れる電荷の量を変更する電界が作成されます。たとえば、チャネルNのFETでは、負の電圧がゲートに適用され、供給源とドレインの間の運河領域の電子を撃退し、流れることができる電荷の量が減少します。PCチャネルのFETでは、電子を引き付けるために正の電圧が適用され、流れることができる電荷の量が増加します。

したがって、FETは電圧制御スイッチとして機能します。これは、デバイスを流れる電流の量がゲートに適用される電圧の量によって制御されるためです。さらに、デバイスを流れる電荷の量はゲートに適用される電圧の量に比例するため、FETは信号アンプとしても使用できます。
Un transistor de efecto de campo (FET, por sus siglas en inglés) es un dispositivo semiconductor que funciona como un interruptor controlado por voltaje. El funcionamiento interno de un FET se basa en la capacidad de una pequeña cantidad de carga eléctrica para controlar grandes cantidades de corriente eléctrica.

En un FET, hay tres terminales principales: la fuente (S), el drenador (D) y la compuerta (G). La fuente y el drenador son dos regiones de material semiconductor dopado con impurezas para crear un tipo específico de material (normalmente N para un FET de canal n o P para un FET de canal p). La compuerta es una región de material aislante, como óxido de silicio, que se coloca entre la fuente y el drenador.

Cuando no se aplica voltaje a la compuerta, la carga eléctrica fluye libremente desde la fuente hacia el drenador. Sin embargo, si se aplica un voltaje a la compuerta, se crea un campo eléctrico que cambia la cantidad de carga eléctrica que puede fluir entre la fuente y el drenador. En un FET de canal n, por ejemplo, se aplica un voltaje negativo a la compuerta para repeler los electrones en la región de canal que se encuentra entre la fuente y el drenador, lo que reduce la cantidad de carga eléctrica que puede fluir. En un FET de canal p, se aplica un voltaje positivo para atraer los electrones y aumentar la cantidad de carga eléctrica que puede fluir.

El FET, por lo tanto, actúa como un interruptor controlado por voltaje, ya que la cantidad de corriente eléctrica que fluye a través del dispositivo se controla mediante la cantidad de voltaje aplicado a la compuerta. Además, como la cantidad de carga eléctrica que fluye a través del dispositivo es proporcional a la cantidad de voltaje aplicado a la compuerta, un FET también se puede utilizar como un amplificador de señal.