JFETと枯渇モードMOSFETは、両方とも増幅およびスイッチングアプリケーションに使用される3末端のデバイスです。JFETは、半導体材料のチャネルと反対のドーピングの2つの領域との間にPN接合部を形成することによって構築されますが、枯渇モードのMOSFETは、酸化物の薄い層を持つ、反対のタイプの2つの重いドープ領域の間に半導体材料のチャネルを作成することによって構築されます。上のゲート電極。

JFETと枯渇モードのMOSFETの動作原理は、JFETのソース端子と排水端子間の電流がゲートに印加された電圧によって制御され、チャネル周辺の枯渇領域の幅を制御するという点で異なります。枯渇モードMOSFETでは、ゲート電圧はチャネルと酸化物層の間のインターフェースにモバイルキャリアを引き付け、それによりキャリアのチャネルを枯渇させ、抵抗を増加させます。JFETは入力インピーダンスが高く、ノイズレベルが低く、枯渇モードのMOSFETは入力インピーダンスが低くなりますが、より高いゲインとより速いスイッチング速度を提供できます。
JFETs and depletion mode MOSFETs are both three-terminal devices used for amplification and switching applications. JFETs are constructed by forming a PN junction between a channel of semiconductor material and two regions of opposite doping, while depletion mode MOSFETs are constructed by creating a channel of semiconductor material between two heavily doped regions of the opposite type, with a thin layer of oxide and a gate electrode on top.

The operating principles of JFETs and depletion mode MOSFETs differ in that the current flow between the source and drain terminals of a JFET is controlled by the voltage applied to the gate, which in turn controls the width of the depletion region around the channel. In a depletion mode MOSFET, the gate voltage attracts mobile carriers to the interface between the channel and the oxide layer, thereby depleting the channel of carriers and increasing its resistance. JFETs have a high input impedance and low noise level, while depletion mode MOSFETs have lower input impedance but can provide higher gain and faster switching speeds.