FETトランジスタ（フィールドエフェクトトランジスタ）を使用する回路の基本構成は、共通のソース構成です。この構成では、FETトランジスタは電圧アンプまたは電流アンプとして使用されます。

共通のソース構成は、次の要素で構成されています。

FETトランジスタ：FETトランジスタは、電源と制御される負荷の間に配置されます。
偏光抵抗：偏光抵抗は、FETトランジスタゲートの電源と端子の間に配置されます。
貨物抵抗：FETトランジスタ排水端子と制御される負荷の間に耐荷重が配置されます。
電源：電源は、回路の動作に必要なエネルギーを提供します。
負荷：負荷は、FETトランジスタを介して制御される要素です。
偏光抵抗の機能は、トランジスタが入力信号を増幅できるように、FETトランジスタのゲートを一定の電圧で維持することです。負荷抵抗は、FETトランジスタを介して流れる電流と制御されている負荷を制限するために使用されます。

基本的な共通ソース構成は、回路のニーズに応じて変更できること、および共通ドレイン構成や共通ゲート構成など、他のFETトランジスタ構成があることに留意することが重要です。
La configuración básica de un circuito que utiliza un transistor FET (transistor de efecto de campo, por sus siglas en inglés) es la configuración de fuente común. En esta configuración, el transistor FET se utiliza como amplificador de voltaje o amplificador de corriente.

La configuración de fuente común se compone de los siguientes elementos:

Transistor FET: El transistor FET se coloca entre la fuente de alimentación y la carga que se va a controlar.
Resistencia de polarización: La resistencia de polarización se coloca entre la fuente de alimentación y la terminal de la compuerta del transistor FET.
Resistencia de carga: La resistencia de carga se coloca entre la terminal de drenador del transistor FET y la carga que se va a controlar.
Fuente de alimentación: La fuente de alimentación proporciona la energía necesaria para el funcionamiento del circuito.
Carga: La carga es el elemento que se va a controlar a través del transistor FET.
La función de la resistencia de polarización es mantener la compuerta del transistor FET a una tensión constante para que el transistor pueda amplificar la señal de entrada. La resistencia de carga se utiliza para limitar la corriente que fluye a través del transistor FET y la carga que se está controlando.

Es importante tener en cuenta que la configuración básica de fuente común se puede modificar según las necesidades del circuito y que existen otras configuraciones de transistores FET, como la configuración de drenador común y la configuración de compuerta común.