FETトランジスタ（フィールドエフェクトトランジスタ）を使用する回路の基本的な構成は、「共通のソース」構成です。この構成では、FETトランジスタを使用して、そのゲート端子（GATE）に適用される電圧信号を増幅し、増幅された信号は排水端子（ドレイン）を介して回路出力から取得されます。入力信号は、ゲートとFETソース（ソース）の間に適用されます。

基本的な共通のソース構成を下の図に示します。

          +vdd +vdd
            ||
            R r
            ||
  in ---/\/\/\ ----- | <| -----/\/\/\ ---- OUT OUT
                      ||
                      ||
                     --- |
                     ----- RL
                      ||
                     GND GND


どこ：

入力信号です。
rはゲートの偏光抵抗です。
GはFETトランジスタゲートです。
出力信号です。
RLは、回路出力に接続された負荷です。
VDDは正の電源です（通常は +5Vまたは +12V）。
GNDは地球の参照です。
この構成では、入力信号は偏光抵抗rを介してFETゲートに適用されます。ゲートの偏光は、FETの動作点を確立し、そのコンダクタンスを制御します。増幅された信号は、FET排水端子の回路の出力に現れ、RL負荷に結合することができます。
La configuración básica de un circuito que utiliza un transistor FET (Transistor de Efecto de Campo) es la configuración de "fuente común". En esta configuración, el transistor FET se utiliza para amplificar una señal de voltaje aplicada a su terminal de compuerta (gate) y la señal amplificada se toma de la salida del circuito a través de su terminal de drenador (drain). La señal de entrada se aplica entre la compuerta y la fuente (source) del FET.

La configuración básica de fuente común se muestra en la figura a continuación:

          +VDD                +VDD
            |                    |
            R                    R
            |                    |
  IN -----/\/\/\-----|<|--G----/\/\/\-----OUT
                      |          |
                      |          |
                     ---         |
                     ---        --- RL
                      |          |
                     GND        GND


Donde:

IN es la señal de entrada.
R es la resistencia de polarización de la compuerta.
G es la compuerta del transistor FET.
OUT es la señal de salida.
RL es la carga conectada a la salida del circuito.
VDD es la fuente de alimentación positiva (usualmente +5V o +12V).
GND es la referencia de tierra.
En esta configuración, la señal de entrada se aplica a través de la resistencia de polarización R a la compuerta del FET. La polarización de la compuerta establece el punto de operación del FET y controla su conductancia. La señal amplificada aparece en la salida del circuito, en el terminal de drenador del FET, y puede ser acoplada a una carga RL.