量子トンネルの現在のアプリケーションには、主にトンネルダイオード、量子コンピューティング、フラッシュメモリ、およびスキャントンネル顕微鏡が含まれます。
 - トンネルダイオードまたはEsakiダイオードは、トンネル効果により「負の抵抗」（電圧の増加が電流の減少につながる）を持つ半導体ダイオードの一種です。「ネガティブ」部分により、発振器とアンプとして機能し、ヒステリシスを使用して回路を切り替えることができます。
 - フラッシュメモリは、フローティングゲートトランジスタのゲートに充電としてデータを保存します。トンネリングにより、低電圧でフラッシュメモリを充電および放電することが可能になり、消費電力と熱が低下します。
-Scanningトンネル顕微鏡（STM）は、サンプル表面とその近くの先端の間のトンネリング電流に基づいて機能します。
 バイアス電圧が印加されたときに、それらを分離する真空を通過する電子がトンネリングすることによって引き起こされます。
Current applications of quantum tunneling mainly include the tunnel diode, quantum computing, flash memory, and the scanning tunneling microscope.
-A tunnel diode or Esaki diode is a type of semiconductor diode that has "negative resistance" (an increase in voltage leads to a decrease in current) due to the tunneling effect. The "negative" part allows them to function as oscillators and amplifiers, and in switching circuits using hysteresis.
-Flash memory store the data as charges at the gate of floating-gate transistors. Tunneling makes it possible to charge and discharge flash memory at lower voltages, lowering power consumption and heat.
-A scanning tunneling microscope (STM) works based on the tunneling current between the sample surface and a tip very near to it, 
 caused by electrons tunneling through the vacuum separating them when a bias voltage is applied.