문제 내용: N 채널 MOSFET의 포화영역에서의 전류-전압 특성(I-V characteristics)은 ₁ = =㎞(VGS-V㎞)2일 때, 포화영역에서 N 채널 MOSFET의 소신호 등가회로의 전달컨덕턴스(transconductance) gm은? (단, k₁은 전달컨덕턴스 파라미터, V』은 문턱전압이다)
선택지 1: knID
선택지 2: 2km (VGS - Vin)
선택지 3: kn(VGS - Vin)
선택지 4: 2km (VGS - Vin)