b'\n_START_ARTICLE_\nIntegrert krets\n_START_SECTION_\nIntegrert krets-teknologi\n_START_PARAGRAPH_\nIntegrerte kretser kan utvikoes i forskjellige halvledermaterialer eller kombinasjoner av halvledermaterialer. Sterkt dominerende er silisium (Si). Eksempler p\xc3\xa5 andre alternativer er f.eks. galliumarsenid (GaAs) og silisiumkarbid (SiC)._NEWLINE_Innen hvert halvledermateriale er det ofte flere alternativer. Innen silisium kan man f.eks. ha CMOS, bipolare transistorer, eller kombinasjonen BiCMOS. Man kan ogs\xc3\xa5 ha SOI (Silicon on Isolator) hvor det aktive halvlederomr\xc3\xa5det ligger p\xc3\xa5 toppen av en isolator. Det finnes ogs\xc3\xa5 teknologier som er spesielt egnet for h\xc3\xb8ye spenninger (opp mot noen tusen volt), h\xc3\xb8ye temperaturer (opp mot 500 grader), som er mer motstandsdyktig mot h\xc3\xb8y partikkel- eller r\xc3\xb8ntgenstr\xc3\xa5ling, eller har tilpasning for lysf\xc3\xb8lsomme sensorer (billedpiksler), MEMS-strukturer, frie spoler, frie kondensatorer o.s.v._NEWLINE_En annen viktig karakteristikk er linjebredden. Linjebredden er egentlig lengden til \xc2\xabgate\xc2\xbb (kontrollinngangen til CMOS-transistorer), men alle andre bredder, lengder, tykkelser o.s.v. skaleres forholdsvis line\xc3\xa6rt med gate-lengden. Typiske linjebredder i dag er 90\xc2\xa0nm, 45\xc2\xa0nm og 25\xc2\xa0nm. Vanligvis er det ren digital elektronikk som bruker de minste linjebreddene, mens analog elektronikk bruker mer konservative st\xc3\xb8rrelser.\n_START_SECTION_\nUtviklingstrinn for integrerte kretser\n_START_PARAGRAPH_\nUtvikling av integrerte kretser best\xc3\xa5r av to trinn: konstruksjon og produksjon. Noen bedrifter tilbyr b\xc3\xa5de konstruksjon og produksjon, mens andre tilbyr bare \xc3\xa9n av delene. Noen av produksjonsbedriftene (\xc2\xabprocess fabs\xc2\xbb) tilbyr produksjonslinjen kun for interne konstruksjonsmilj\xc3\xb8er, mens det vanligste er \xc3\xa5 tilby dette fritt. Antallet konstruksjonsbedrifter (uten produksjon = \xc2\xabfabless design houses\xc2\xbb) er vesentlig st\xc3\xb8rre enn antall produksjonsbedrifter. I utgangspunktet er disse uavhengige av produksjonsbedriftene, og kan tilby konstruksjon for flere forskjellige teknologier. Imidlertid er det tids- og  arbeidskrevende \xc3\xa5 skifte teknologi. Derfor vil konstruksjonshusene ofte knytte seg til \xc3\xa9n eller f\xc3\xa5 produksjonsbedrifter.\n_START_SECTION_\nKonstruksjon\n_START_PARAGRAPH_\nKonstruksjon best\xc3\xa5r av to deler: skjema-/nettlisteutvikling og utlegg. _NEWLINE_Nettlisteutvikling av digitale deler gj\xc3\xb8res gjerne i et h\xc3\xb8yniv\xc3\xa5spr\xc3\xa5k som VHDL eller Verilog og verifiseres p\xc3\xa5 FPGAer. For \xc3\xa5 utvikle analoge kretser brukes kretsskjemaverkt\xc3\xb8y og kretssimulatorer. Konstrukt\xc3\xb8ren vil ta utgangspunkt i et bibliotek av celler (kretsmoduler) og modifisere dem ved behov. Ofte vil det v\xc3\xa6re n\xc3\xb8dvendig \xc3\xa5 modifisere cellene n\xc3\xa6rmest sensorene for \xc3\xa5 kunne oppn\xc3\xa5 optimale signalforhold._NEWLINE_Utlegg inneb\xc3\xa6rer \xc3\xa5 bestemme den fysiske plasseringen av elementene. Utleggfasen avsluttes med at det genereres en datafil (GDSII-format) som sendes til prosesshuset (produksjonsfabrikken). Hvis en digital krets er utviklet i et h\xc3\xb8yniv\xc3\xa5spr\xc3\xa5k som VHDL eller Verilog, vil synteseverkt\xc3\xb8y kunne utvikle utlegget i l\xc3\xb8pet av noen timer. Ved utlegg av analoge kretser vil verkt\xc3\xb8y som plasserer og forbinder elementene automatisk kunne gi stor tidsbesparelse.\n_START_SECTION_\nProduksjon\n_START_PARAGRAPH_\nProduksjon best\xc3\xa5r at to faser: maskegenerering og prosessering._NEWLINE_Maskegenerering kan sammenlignes med (og innebar tidligere) \xc3\xa5 lage den negative filmen f\xc3\xb8r man starter volumproduksjon. Maskegenerering er en forholdsvis dyr prosess, spesielt i de mest moderne teknologiene med de minste linjebreddene. Produksjonshuset tilbyr derfor forskjellige muligheter hvor det blir satt sammen bidrag fra flere forskjellige akt\xc3\xb8rer for \xc3\xa5 redusere prisen._NEWLINE_Prosesseringen gj\xc3\xb8res p\xc3\xa5 \xc2\xabwafere\xc2\xbb. Wafere er runde skiver med en diameter p\xc3\xa5 mellom fire og 22 tommer som er sk\xc3\xa5ret ut av sylindriske barrer. Waferne er vanligvis under 1,5\xc2\xa0mm tykke, typisk rundt 0,8\xc2\xa0mm. P\xc3\xa5 et wafer repeteres produksjonsmasken, slik at man vil f\xc3\xa5 et st\xc3\xb8rre antall like moduler. Produksjonen inneb\xc3\xa6rer blant annet \xc3\xa5 deponere m\xc3\xb8nstrede lag p\xc3\xa5 waferet, slik at gasser av forskjellig sammensetning f\xc3\xa5r tilgang til strukturer bestemt av masken. Dette er prosesser som krever optimale gasskonsentrasjoner, trykk og temperaturer, og som det er vanskelig \xc3\xa5 akselerere. Produksjonstid er mellom tolv og seksten uker, avhengig av antall maskelag. Dette har n\xc3\xa6rmest v\xc3\xa6rt uendret i l\xc3\xb8pet av de siste 30 \xc3\xa5r.'