b'\n_START_ARTICLE_\nImpulsslasersadestus\n_START_SECTION_\nSihtm\xc3\xa4rgi laserablatsioon ja plasma pilv-lehviku tekkimine\n_START_PARAGRAPH_\nLaserikiirguse t\xc3\xb5ttu aset leidev ablatsioon ja plasma tekkimine on v\xc3\xa4ga keerukad kirjeldamiseks. Aineosakeste eraldumine sihtm\xc3\xa4rgi pinnalt toimub t\xc3\xa4nu mittetasakaalulisele aurustumisele, mille kutsub esile Coulombi plahvatuseks nimetatav aine paiskumine ruumi. Selle raames langeb sihtm\xc3\xa4rgile laseri impulss, mis tungib ainesse kindla sisenemiss\xc3\xbcgavuseni. Sisenemiss\xc3\xbcgavus s\xc3\xb5ltub laserikiirguse lainepikkusest ja materjali murdumisn\xc3\xa4itajast konkreetse laseri lainepikkuse korral. Enamiku materjalide jaoks on sisenemiss\xc3\xbcgavus tavaliselt suurusj\xc3\xa4rgus 10 nanomeetrit. Laserikiirguse poolt tekitatav intensiivne elektriv\xc3\xa4li on piisavalt tugev, et sihtm\xc3\xa4rgi materjalist rebida v\xc3\xa4lja elektronid sellise ruumala ulatuses, kuhu laserikiir suudab sisse tungida. See protsess on v\xc3\xa4ga kiire. Kui kasutatakse nanosekundilisi laserimpulsse, toimub see 10 pikosekundi jooksul. Energia \xc3\xbcleminekut v\xc3\xb5imaldavad siin mittelineaarsed protsessid (n\xc3\xa4iteks mitme footoni ionisatsioon). Neid protsesse v\xc3\xb5imendavad mikropraod pinnas, t\xc3\xbchikud ja tihedamad kogumikud suurendades elektriv\xc3\xa4lja. Laserikiire tekitatud elektromagnetv\xc3\xa4ljas v\xc3\xb5ivad vabalt v\xc3\xb5nkuvad elektronid p\xc3\xb5rkuda sihtm\xc3\xa4rgi pinna-aatomitega, andes osa oma energiat kristallv\xc3\xb5rele. Materjali pind kuumeneb seel\xc3\xa4bi ja sihtm\xc3\xa4rgi materjal hakkab aurustuma.\n_START_SECTION_\nMaterjali sadestumine aluse pinnale\n_START_PARAGRAPH_\nKolmas etapp m\xc3\xa4ngib olulist rolli kasvava \xc3\xb5hukese kile kvaliteedi m\xc3\xa4\xc3\xa4ramisel. Sihtm\xc3\xa4rgist ableerunud k\xc3\xb5rge energiaga osakesed pommitavad intensiivselt alust ja seet\xc3\xb5ttu v\xc3\xb5ivad vigastada juba kasvanud kile pinda, l\xc3\xbc\xc3\xbces sealt v\xc3\xa4lja juba sadestunud aine osakesi v\xc3\xb5i lihtsalt p\xc3\xb5hjustades defektide arvu suurenemist. Alusele sadestunud kilest v\xc3\xa4lja l\xc3\xb6\xc3\xb6dud osakesed ja sihtm\xc3\xa4rgist tulev plasma moodustavad kokkup\xc3\xb5rke regiooni ning selles vahemikus toimub p\xc3\xb5hiline osakeste kondensatsioon. Kui kondensatsioon toimub piisavalt suure kiirusega, saavutatakse termiline tasakaal ja \xc3\xb5hukese kile kasvamine alusele toimub selle termilise tasakaalu ning otsese osakeste pealevoolu toimel.\n_START_SECTION_\nAjalugu\n_START_PARAGRAPH_\nImpulsslasersadestus on \xc3\xbcks paljudest \xc3\xb5hukese kile kasvatamise meetoditest. (N\xc3\xa4iteks molekulaarkiire epitaaksia (MBE), keemiline aurufaas-sadestus (CVD), ioonsadestamine (RF, magnetron, ioonkiir). Laserikiirguse abil kile kasvatamise ajalugu sai alguse veidi p\xc3\xa4rast esimese laseri ehitamist (1960 Theodore Maiman). 1965. aastal, mis oli kolm aastat hiljem kui F. Breech ja L. Cross uurisid laseraurustamist ja tahkeaine pinnaaatomite ergastamist, kasutasid _NEWLINE_Howard M. Smith ja A. F. Turner rubiinlaserit esimeste \xc3\xb5hukeste kilede sadestamiseks. Siiski olid esimesed sel viisil saadud kiled kehvemad, kui teiste meetoditega (n\xc3\xa4iteks molekulaarkiire epitaaksiaga v\xc3\xb5i keemilise aurufaas-sadestusega) saadud kiled. Kaheksak\xc3\xbcmnendate alguses saavutasid m\xc3\xb5ningad t\xc3\xb6\xc3\xb6grupid (p\xc3\xb5hiliselt endises N\xc3\xb5ukogude Liidus) v\xc3\xa4ljapaistvaid edusamme laseri abiga \xc3\xb5hukeste kilede kasvatamises. L\xc3\xa4bimurre s\xc3\xbcndis 1987. aastal, kui D. Dijkkampil ja T. Venkatesanil \xc3\xb5nnestus kasvatada YBa\xe2\x82\x82Cu\xe2\x82\x83O\xe2\x82\x87 (\xc3\xbctrumbaariumvaskoksiid on k\xc3\xb5rgtemperatuurne \xc3\xbclijuhtiv materjal) \xc3\xb5hukene kile. Nende laseri abiga kasvatatud kile oli kvaliteetsem, kui alternatiivsetel meetoditel kasvatatud kile. Sellest l\xc3\xa4bimurdest alates on impulsslasersadestamist kasutatud k\xc3\xb5rge kvaliteediga kristalsete \xc3\xb5hukeste kilede valmistamiseks. Seda tehnikat on edukalt kasutatud keraamiliste oksiidide, nitriidkilede, mitmekihilise metalli ja mitmete superv\xc3\xb5rega struktuuride sadestamisel. T\xc3\xa4nu \xc3\xbcheksak\xc3\xbcmnendatel arenema hakanud uutele lasertehnoloogiatele, mis v\xc3\xb5imaldavad k\xc3\xb5rgsagedusega ja l\xc3\xbchikese impulsi kestvusega lasereid koostada, on impulsslasersadestusest saanud \xc3\xbcks eelistatumaid tehnikaid, et saada kindlate parameetritega ja keerulise st\xc3\xb6hhiomeetrilise koostisega \xc3\xb5hukesi kilesid.'