b"\n_START_ARTICLE_\n\xc3\x92xid\n_START_SECTION_\nNomenclatura de Stock\n_START_PARAGRAPH_\nS'anomenen amb la paraula \xc3\xb2xid seguida del nom de l'element. Si l'element t\xc3\xa9 m\xc3\xa9s d'una val\xc3\xa8ncia, s'indica en nombres romans i entre par\xc3\xa8ntesis._NEWLINE_Exemple:_NEWLINE_\xc3\x92xids met\xc3\xa0l\xc2\xb7lics_NEWLINE_Na\xe2\x82\x82O \xe2\x86\x92 \xc3\xb2xid de sodi_NEWLINE_CaO \xe2\x86\x92 \xc3\xb2xid de calci_NEWLINE_FeO \xe2\x86\x92 \xc3\xb2xid de ferro(II)_NEWLINE_Fe\xe2\x82\x82O\xe2\x82\x83 \xe2\x86\x92 \xc3\xb2xid de ferro(III)_NEWLINE_\xc3\x92xids no-met\xc3\xa0l\xc2\xb7lics_NEWLINE_P\xe2\x82\x82O\xe2\x82\x83 \xe2\x86\x92 \xc3\xb2xid de f\xc3\xb2sfor(III)_NEWLINE_N\xe2\x82\x82O\xe2\x82\x85 \xe2\x86\x92 \xc3\xb2xid de nitrogen(V)\n_START_SECTION_\nLlista d'\xc3\xb2xids\n_START_PARAGRAPH_\nVegeu la: Categoria:\xc3\x92xids\n_START_SECTION_\nPropietats qu\xc3\xadmiques\n_START_PARAGRAPH_\nEls \xc3\xb2xids es generen durant les reaccions redox per oxidaci\xc3\xb3. Quan un agent reductor reacciona amb oxigen molecular O\xe2\x82\x82 o amb agents oxidants que contenen oxigen, com el per\xc3\xb2xid d'hidrogen (H\xe2\x82\x82O\xe2\x82\x82) o permanganat (MnO\xe2\x82\x84\xe2\x81\xbb). Els \xc3\xb2xids es caracteritzen per una redistribuci\xc3\xb3 d'electrons entre l'oxigen, que est\xc3\xa0 disposat a cedir-ne dos i els altres \xc3\xa0toms que els accepten._NEWLINE_En \xc3\xb2xids d'hidrogen, carboni, nitrogen, sofre, f\xc3\xb2sfor i hal\xc3\xb2gens, trobem enlla\xc3\xa7os covalents entre l'oxigen i els altres elements. Generalment aquests compostos s\xc3\xb3n gasos o l\xc3\xadquids a temperatura ambient._NEWLINE_Els \xc3\xb2xids met\xc3\xa0l\xc2\xb7lics, s\xc3\xb3n compostos i\xc3\xb2nics o sals, i s\xc3\xb3n s\xc3\xb2lids a temperatura ambient. Les sals dels \xc3\xb2xids, generalment s\xc3\xb3n insolubles en aigua, tot i que algunes reaccionen amb aquesta._NEWLINE_Generalment, els \xc3\xb2xids no s\xc3\xb3n bons conductors el\xc3\xa8ctrics. L'\xc3\xbas d'aquesta caracter\xc3\xadstica en el silici i el seu \xc3\xb2xid (di\xc3\xb2xid de silici) que \xc3\xa9s f\xc3\xa0cil d'obtenir, permet la construcci\xc3\xb3 de transistor i \xc3\xa9s la base de molta de la tecnologia actual."