b"\n_START_ARTICLE_\nJunci\xc3\xb3 PN\n_START_PARAGRAPH_\nUna junci\xc3\xb3 PN, o junci\xc3\xb3 NP, \xc3\xa9s la uni\xc3\xb3 de dos canalies, un de tipus N i un altre de tipus P._NEWLINE_Qualsevol dispositiu electr\xc3\xb2nic utilitza aquesta Junci\xc3\xb3. Es basa en la tecnologia del semiconductor. _NEWLINE_Si al silici s'hi aplica un tipus de dopant anomenat impuresa, s'obtenen unes propietats el\xc3\xa8ctriques diferents que si se n'apliquen unes altres.\n_START_SECTION_\nSemiconductors tipus N i tipus P\n_START_PARAGRAPH_\nEn els semiconductors tot es basa en els percentatges dels dopatges que es posen dins el mateix silici. Si s'aplica una determinada impuresa que mitjan\xc3\xa7ant els enlla\xc3\xa7os que t\xc3\xa9 amb el silici i resulta que un electr\xc3\xb3 queda en solitari, no \xc3\xa9s compartit amb el silici, llavors aquest electr\xc3\xb3 possiblement quan hi hagi el suficient camp el\xc3\xa8ctric o fins i tot la temperatura adient deixar\xc3\xa0 de pert\xc3\xa0nyer a aquesta estructura per anar a la del ve\xc3\xad. Quan aix\xc3\xb2 passa amb aquest tipus de dopant es diu que \xc3\xa9s un dopant donador, d\xc3\xb3na l'electr\xc3\xb3, i per tant es diu semiconductor tipus N. Quan passa el mateix per\xc3\xb2 no sobre un electr\xc3\xb3, sin\xc3\xb3 que en falta un, llavors es diu que \xc3\xa9s un semiconductor de tipus P; \xc3\xa9s clar que no \xc3\xa9s amb el mateix tipus de dopant que en els de tipus N. Quan un electr\xc3\xb3 deixa un lloc buit, es diu que s'ha creat un parell electr\xc3\xb3/forat. \xc3\x89s a dir, un forat no \xc3\xa9s un no electr\xc3\xb3. Un forat \xc3\xa9s on hi pot anar un electr\xc3\xb3 i estar-s'hi fins que tingui la suficient energia perqu\xc3\xa8 marxi, quan aquest ha marxat i queda aquesta zona no ocupada llavors es diu que aquesta zona no ocupada \xc3\xa9s un forat. El que s'intenta fer veure \xc3\xa9s que no a tot arreu hi ha electrons i per tant no perqu\xc3\xa8 no hi hagi electrons vol dir que hi ha un forat.\n_START_SECTION_\nCreaci\xc3\xb3 d'unions P-N\n_START_PARAGRAPH_\nUna uni\xc3\xb3 P-N pot ser creada dopant regions pr\xc3\xb2ximes d'un semiconductor amb dopants del tipus P i el tipus N. La uni\xc3\xb3 comporta l'anivellament de l'energia de Fermi per decalatge de bandes. Si una tensi\xc3\xb3 positiva s'aplica a la part de tipus P, els forats (els portadors majoritaris de c\xc3\xa0rrega positiva) s\xc3\xb3n empentats cap a la uni\xc3\xb3. Al mateix temps els electrons de la part de tipus N (els portadors majoritaris de c\xc3\xa0rrega negativa) s\xc3\xb3n atrets cap a la uni\xc3\xb3. En arribar a la uni\xc3\xb3 els diferents tipus de portadors de c\xc3\xa0rrega es recombinen, per exemple un electr\xc3\xb3 cau a un forat, emetent un fot\xc3\xb3 que pot ser visible (LED), o b\xc3\xa9 els portadors de c\xc3\xa0rrega continuen el seu cam\xc3\xad a trav\xc3\xa9s de l'altre semiconductor fins a arribar a l'el\xc3\xa8ctrode oposat, el corrent pot circular i la seva intensitat varia de manera exponencial respecte de la tensi\xc3\xb3. En canvi, si revertim la tensi\xc3\xb3, els forats i electrons migren lluny de la uni\xc3\xb3, i aquesta es converteix en molt poc conductiva, i per tant el corrent el\xc3\xa8ctric no pot circular. Aquest comportament asim\xc3\xa8tric s'utilitza especialment per controlar la circulaci\xc3\xb3 del corrent altern._NEWLINE_La uni\xc3\xb3 P-N \xc3\xa9s la base del component anomenat d\xc3\xadode, que permet la circulaci\xc3\xb3 del corrent el\xc3\xa8ctric sols en una direcci\xc3\xb3. De manera similar, es pot crear una tercera zona de tipus P o tipus N, formant aix\xc3\xad tres zones, que corresponen als tres terminals del component conegut com a transistor bipolar d'uni\xc3\xb3 o BJT (de l'angl\xc3\xa8s Bipolar Junction Transistor), que presenta dos estructures b\xc3\xa0siques: N-P-N o P-N-P. Els dos semiconductors del mateix tipus reben el nom d'emissor i col\xc2\xb7lector mentre que el semiconductor situat entre l'emissor i el col\xc2\xb7lector s'anomena base i presenta un gruix de l'ordre d'un micr\xc3\xb2metre. Quan es polaritza la uni\xc3\xb3 emissor-base de manera normal \xc3\xa9s conductora, mentre que la uni\xc3\xb3 base-col\xc2\xb7lector no condueix. Tanmateix la uni\xc3\xb3 \xc3\xa9s prou prima com per permetre a nombrosos portadors de c\xc3\xa0rrega, procedents de l'emissor fortament dopat, de travessar-la abans de tenir temps de recombinar-se. Ens trobem que el col\xc2\xb7lector produeix un corrent controlat per la tensi\xc3\xb3 de la base."