b'\n_START_ARTICLE_\nElectr\xc3\xb2nica d\xe2\x80\x99estat s\xc3\xb2lid\n_START_PARAGRAPH_\nLa electr\xc3\xb2nica d\'estat s\xc3\xb2lid s\'ocupa d\'aquells circuits o dispositius constru\xc3\xafts totalment de materials s\xc3\xb2lids i en els quals els electrons, o altres  portadors de c\xc3\xa0rrega, estan confinats enterament dins del material s\xc3\xb2lid. El terme s\'utilitza sovint per contrastar amb les tecnologies anteriors de buit i dispositius de tub de desc\xc3\xa0rrega de gas i tamb\xc3\xa9 s\'ha convingut a excloure del terme estat s\xc3\xb2lid als dispositius electromec\xc3\xa0nics (rel\xc3\xa9s, interruptors,  discs durs i altres dispositius amb parts m\xc3\xb2bils).\n_START_SECTION_\nDescripci\xc3\xb3\n_START_PARAGRAPH_\nEncara estat s\xc3\xb2lid pot incloure s\xc3\xb2lids de monocristall, de policristall i amorfs referits a conductors el\xc3\xa8ctrics, a\xc3\xafllants i semiconductors, el material de construcci\xc3\xb3 m\xc3\xa9s sovint utilitzat \xc3\xa9s un semiconductor cristal\xc2\xb7l\xc3\xad. Els dispositius d\'estat s\xc3\xb2lid comuns inclouen transistors microprocessadors i xips de mem\xc3\xb2ria RAM. Un tipus especialitzat de RAM anomenada mem\xc3\xb2ria flash utilitzada en les  mem\xc3\xb2ries USB i, m\xc3\xa9s recentment, en les unitats d\'estat s\xc3\xb2lid per substituir els discs durs magn\xc3\xa8tics de rotaci\xc3\xb3 mec\xc3\xa0nica. Dins el dispositiu t\xc3\xa9 lloc una quantitat considerable d\'acci\xc3\xb3 electromagn\xc3\xa8tica i de mec\xc3\xa0nica qu\xc3\xa0ntica. La denominaci\xc3\xb3 es va imposar en la d\xc3\xa8cada de 1950 i en la de 1960, durant la transici\xc3\xb3 des de la tecnologia del  tub de buit cap als d\xc3\xadodes i transistors semiconductor \xc3\xa9s. M\xc3\xa9s recentment, el circuit integrat (IC), el d\xc3\xadode emissor de llum (LED) i la pantalla de cristall l\xc3\xadquid (LCD) han evolucionat com altres exemples de dispositius d\'estat s\xc3\xb2lid. _NEWLINE_En un component d\'estat s\xc3\xb2lid, la  corrent est\xc3\xa0 confinada a elements s\xc3\xb2lids i compostos dissenyats espec\xc3\xadficament per commutarla i amplificar. El flux de corrent es pot entendre de dues maneres: com a c\xc3\xa0rrega negativa d\'electrons i com defici\xc3\xa8ncies d\'electrons carregades positivament, denominades  buits.\n_START_SECTION_\nHist\xc3\xb2ria\n_START_PARAGRAPH_\nTot i que el primer dispositiu electr\xc3\xb2nic d\'estat s\xc3\xb2lid va ser el detector de bigotis de gat, un grec d\xc3\xadode semiconductor inventat cap al 1904, l\'electr\xc3\xb2nica d\'estat s\xc3\xb2lid va comen\xc3\xa7ar realment amb la invenci\xc3\xb3 del primer treball transistor el 1947.  El primer transistor en funcionament va ser un transistor de contacte inventat per William Shockley, Walter Houser Brattain i John Bardeen a Bell Laboratories el 1947.  Abans, tots els equips electr\xc3\xb2nics utilitzaven tubs de buit, perqu\xc3\xa8 els tubs de buit eren els \xc3\xbanics components electr\xc3\xb2nics que podien   amplificar : Una capacitat essencial en tots els electr\xc3\xb2nics._NEWLINE_El MOSFET (metall-\xc3\xb2xid-silici transistor d\'efecte de camp), tamb\xc3\xa9 conegut com a transistor MOS, va ser inventat per Mohamed Atalla i Dawon Kahng en els Bell Labs  el 1959. Els avantatges del transistor MOS inclouen  escalabilitat alta,  baixpreu  baix consum d\xe2\x80\x99energia, i  alta densitat. El transistor MOS va revolucionar la ind\xc3\xbastria de l\'electr\xc3\xb2nica, i \xc3\xa9s el dispositiu semiconductor m\xc3\xa9s com\xc3\xba del m\xc3\xb3n. _NEWLINE_La substituci\xc3\xb3 de tubs de buit voluminosos i fr\xc3\xa0gils que consumeixen molta energia per transistors a la d\xc3\xa8cada de 1960 i 1970, va crear una revoluci\xc3\xb3 no nom\xc3\xa9s en la tecnologia sin\xc3\xb3 en els h\xc3\xa0bits de les persones, ja que va fer possible el primers aparells realment port\xc3\xa0tils en l\'electr\xc3\xb2nica de consum, com el r\xc3\xa0dio transistor, el reproductor de casset, el walkie-talkie i el rellotge de quars, aix\xc3\xad com els primers ordinadors pr\xc3\xa0ctics i tel\xc3\xa8fons m\xc3\xb2bils._NEWLINE_Uns exemples de dispositius electr\xc3\xb2nics d\'estat s\xc3\xb2lid s\xc3\xb3n el xip microprocessador, la l\xc3\xa0mpada LED, la cel\xc2\xb7la solar, el sensor d\'imatge (CCD) usat a les c\xc3\xa0meres i el l\xc3\xa0ser de semiconductor._NEWLINE_El primer dispositiu d\'estat s\xc3\xb2lid va ser el "detector de bigotis de gat", utilitzat per primera vegada en 1930 en els receptors de r\xc3\xa0dio. Es col\xc2\xb7loca un filferro similar a un bigoti lleugerament en contacte amb un cristall s\xc3\xb2lid (com el cristall de galena) per tal de detectar un senyal de r\xc3\xa0dio per efecte de la uni\xc3\xb3 de contacte. El dispositiu d\'estat s\xc3\xb2lid va fer pr\xc3\xb2piament la seva entrada amb la invenci\xc3\xb3 del transistor el 1947.'