b"\n_START_ARTICLE_\nTransistor unijunci\xc3\xb3\n_START_PARAGRAPH_\nEl transistor unijunci\xc3\xb3 (en angl\xc3\xa8s UJT: UniJuntion Transistor) \xc3\xa9s un tipus de tiristor que cont\xc3\xa9 dues zones semiconductores._NEWLINE_T\xc3\xa9 tres terminals anomenats emissor (E), base un (B1) i base dos (B2). Est\xc3\xa0 format per una barra semiconductora tipus N, entre els terminals B1-B2, en qu\xc3\xa8 es difon una regi\xc3\xb3 tipus P+, l'emissor, en algun punt al llarg de la barra, el que determina el valor del par\xc3\xa0metre \xce\xb7, Standoff r\xc3\xa0tio, conegut com a ra\xc3\xb3 de resist\xc3\xa8ncies o factor intr\xc3\xadnsec._NEWLINE_Quan el voltatge Veb1 sobrepassa un valor vp de ruptura, el UJT presenta un fenomen de modulaci\xc3\xb3 de resist\xc3\xa8ncia que, en augmentar el corrent que passa pel dispositiu, la resist\xc3\xa8ncia d'aquesta baixa i per aix\xc3\xb2, tamb\xc3\xa9 baixa el voltatge en el dispositiu, aquesta regi\xc3\xb3 es diu regi\xc3\xb3 de resist\xc3\xa8ncia negativa, aquest \xc3\xa9s un proc\xc3\xa9s reiteratiu, de manera que aquesta regi\xc3\xb3 no \xc3\xa9s estable, cosa que el fa excel\xc2\xb7lent per commutar, per circuits de tir de tiristors i en oscil\xc2\xb7ladors de relaxaci\xc3\xb3."