b'\n_START_ARTICLE_\nJFET\n_START_PARAGRAPH_\nEl  JFET  (Junction Field-Effect Transistor, en catal\xc3\xa0: transistor d\'efecte camp d\'uni\xc3\xb3) \xc3\xa9s un dispositiu electr\xc3\xb2nic, \xc3\xa9s a dir, un circuit que, segons uns valors el\xc3\xa8ctrics d\'entrada, reacciona donant uns valors de sortida. En el cas dels JFET, en ser transistors d\'efecte de camp el\xc3\xa8ctric, aquests valors d\'entrada s\xc3\xb3n les tensions el\xc3\xa8ctriques, en concret la tensi\xc3\xb3 entre els terminals S (font) i G ( porta), V  GS . Segons aquest valor, la sortida del transistor presentar\xc3\xa0 una corba caracter\xc3\xadstica que es simplifica definint-hi tres zones amb equacions definides: tall, \xc3\xb2hmica i saturaci\xc3\xb3._NEWLINE_F\xc3\xadsicament, un JFET dels anomenats "canal P" est\xc3\xa0 format per una pastilla de semiconductor tipus P en els extrems se situen dues patilles de sortida (drenador i font) flanquejada per dues regions amb dopatge de tipus N en qu\xc3\xa8 es connecten dos terminals connectats entre si (porta). En aplicar una tensi\xc3\xb3 positiva (en inversa) VGS entre porta i font, les zones N creen al seu voltant sengles zones en les que el pas d\'electrons (corrent ID ) queda tallat, anomenades zones d\'exclusi\xc3\xb3. Quan aquesta VGS sobrepassa un valor determinat, les zones d\'exclusi\xc3\xb3 s\'estenen fins a tal punt que el pas d\'electrons ID entre font i drenador queda completament tallat. A aquest valor de VGS se l\'anomena V\xe2\x82\x9a. Per a un JFET "canal N" les zones pin s\'inverteixen, i les VGS i V  \xe2\x82\x9a  s\xc3\xb3n positives, tallant el corrent per a tensions majors que V\xe2\x82\x9a._NEWLINE_Aix\xc3\xad, segons el valor de VGS es defineixen dues primeres zones: una activa per tensions negatives grans que V\xe2\x82\x9a (ja que V\xe2\x82\x9a \xc3\xa9s tamb\xc3\xa9 negativa) i una zona de tall per tensions menors que V\xe2\x82\x9a. Els diferents valors de la ID en funci\xc3\xb3 de la VGS v\xc3\xa9nen donats per una gr\xc3\xa0fica o equaci\xc3\xb3 anomenada equaci\xc3\xb3 d\'entrada._NEWLINE_A la zona activa, en permetre el pas de corrent, el transistor donar\xc3\xa0 una sortida al circuit que ve definida per la mateixa ID i la tensi\xc3\xb3 entre el drenador i la font VDS. A la gr\xc3\xa0fica o equaci\xc3\xb3 que relaciona est\xc3\xa0s dues variables s\'anomena equaci\xc3\xb3 de sortida, i en ella \xc3\xa9s on es distingeixen les dues zones de funcionament d\'activa: \xc3\xb2hmica i saturaci\xc3\xb3.\n_START_SECTION_\nEquacions del transistor JFET\n_START_PARAGRAPH_\nMitjan\xc3\xa7ant la gr\xc3\xa0fica d\'entrada del transistor es poden deduir les expressions anal\xc3\xadtiques que permeten analitzar matem\xc3\xa0ticament el funcionament d\'aquest. Aix\xc3\xad, hi ha diferents expressions per a les diferents zones de funcionament._NEWLINE_Per|VGS|<|V\xe2\x82\x9a|(zona activa), la corba de valors l\xc3\xadmit de RD ve donada per l\'expressi\xc3\xb3:_NEWLINE_Sent la IDSS la RD de saturaci\xc3\xb3 que travessa el transistor per VGS = 0, la qual ve donada per l\'expressi\xc3\xb3:_NEWLINE_Els punts inclosos en aquesta corba representen les ID i VGS (punt de treball, Q) en zona de saturaci\xc3\xb3, mentre que els punts de l\'\xc3\xa0rea inferior a aquesta representen la zona \xc3\xb2hmica._NEWLINE_Per|VGS|>|V\xe2\x82\x9a|(zona de tall):\n_START_SECTION_\nEquaci\xc3\xb3 de sortida\n_START_PARAGRAPH_\nA la gr\xc3\xa0fica de sortida es poden observar amb m\xc3\xa9s detall els dos estats en qu\xc3\xa8 el JFET permet el pas de corrent. En un primer moment, la R  D  va augmentant progressivament segons el que fa la tensi\xc3\xb3 de sortida V  DS . Aquesta corba ve donada per l\'expressi\xc3\xb3:_NEWLINE_ que sol expressar com , essent: _NEWLINE_Per tant, en aquesta zona ia efectes d\'an\xc3\xa0lisi, el transistor pot ser substitu\xc3\xaft per una resist\xc3\xa8ncia de valor R  \xe2\x82\x92\xe2\x82\x99 , de manera que s\'observa una relaci\xc3\xb3 entre la R  D  i la V  DS  definida per la Llei d\'Ohm. Aix\xc3\xb2 fa que a aquesta zona de funcionament s\'anomena zona \xc3\xb2hmica._NEWLINE_A partir d\'una determinada V  DS  el corrent I  D  deixa d\'augmentar, quedant-se fix en un valor al que s\'anomena I  D  de saturaci\xc3\xb3 o I  DSAT . El valor de V  DS  a partir del qual s\'entra en aquesta nova zona de funcionament ve donat per l\'expressi\xc3\xb3: . Aquesta I  DSAT , caracter\xc3\xadstica de cada circuit, es pot calcular mitjan\xc3\xa7ant l\'expressi\xc3\xb3:'