b"\n_START_ARTICLE_\nFinFET\n_START_PARAGRAPH_\nFinFET (acr\xc3\xb2nim de fin field-effect transistor) \xc3\xa9s un tipus de transistor d'efecte camp de tecnologia 3D (proc\xc3\xa9s no planar) i substracte silici sobre a\xc3\xafllant (SOI), emprat en la fabricaci\xc3\xb3 dels actuals microprocessadors. Els transistors FinFET aconsegueixen menor superf\xc3\xadcie en el dau de silici, a m\xc3\xa9s a m\xc3\xa9s de major velocitat de commutaci\xc3\xb3 i menor consum de pot\xc3\xa8ncia. El FinFET va ser concebut el 2001 a la universitat de Calif\xc3\xb2rnia, Berkeley, pels investigadors Chenming Hu, Tsu-Jae King-Liu i Jeffrey Bokor."