b'\n_START_ARTICLE_\nGunn-diode\n_START_PARAGRAPH_\nDe Gunn-diode is een diode die wordt gebruikt in low noise hoogfrequent toepassingen. Hierbij is het een uitdaging om vermogen te leveren bij hoge frequenties._NEWLINE_Hoewel er gesproken wordt van een diode, is er geen pn-junctie aanwezig. Er zijn echter wel twee elektroden. Als symbool wordt soms een gewone diode gebruikt, maar er kan ook gebruik worden gemaakt van twee gevulde driehoeken waarbij de toppen elkaar raken.\n_START_SECTION_\nConstructie\n_START_PARAGRAPH_\nGunn-diodes bestaan enkel uit N-type-halfgeleider. De meest gebruikte materialen zijn galliumarsenide (GaAs) and indiumfosfide (InP). Er wordt gebruikgemaakt van drie lagen, waarvan de middelste (actieve) laag veel minder gedoteerd is. De dikte van de component is afhankelijk van de vereiste frequentie. De dunne actieve laag (N-materiaal) varieert in dikte van 40 tot 1\xc2\xa0\xc2\xb5m, afhankelijk van de frequentie.\n_START_SECTION_\nWerking\n_START_PARAGRAPH_\nOm de Gunn-diode als versterker te laten werken, wordt er gewerkt op basis van de negatieve weerstand. Deze wordt bekomen op basis van het getransfereerd elektroneneffect (= Gunn-effect) dat in 1963 door J.B. Gunn ontdekt werd. Er ontstaat een gelijkaardige karakteristiek als bij de tunneldiode, maar om een andere reden._NEWLINE_Bij halfgeleidermaterialen is er een ruimte tussen de valentieband en de geleidingsband. Er is dus energie nodig om dit gat te overbruggen voor het materiaal in geleiding gaat._NEWLINE_Sommige halfgeleidermaterialen (zoals GaAs) hebben nog een extra lege geleidingsband boven de hoogste energieband met een kleine ruimte ertussen. Bij een bepaalde drempelspanning hebben de elektronen voldoende energie om naar de hoogste (lege) energieband over te gaan. _NEWLINE_In deze band zijn de elektronen veel minder beweeglijk en zal er dus minder stroom gaan vloeien, naarmate de spanning toeneemt. Bij spanningen die de negatieve drempelspanning overschrijden, neemt de stroom weer toe.'