b'\n_START_ARTICLE_\nPlumbikon\n_START_PARAGRAPH_\nPlumbikon \xe2\x80\x93 rodzaj widikonu, wprowadzony do produkcji przez Philipsa w 1960, w kt\xc3\xb3rym \xc5\x9bwiat\xc5\x82oczu\xc5\x82\xc4\x85 warstw\xc4\x99 stanowi tlenek o\xc5\x82owiu. Dzi\xc4\x99ki temu bezw\xc5\x82adno\xc5\x9b\xc4\x87 widikonu jest bardzo ma\xc5\x82a (brak rozmazywania ruchomych obraz\xc3\xb3w). Plumbikon ma te\xc5\xbc dobr\xc4\x85 czu\xc5\x82o\xc5\x9b\xc4\x87, rz\xc4\x99du 10 lx. Obecnie plumbikony s\xc4\x85 rzadko stosowane, wypar\xc5\x82y je przetworniki CCD._NEWLINE_Warstw\xc4\x99 \xc5\x9bwiat\xc5\x82oczu\xc5\x82\xc4\x85 uzyskiwano nanosz\xc4\x85c na p\xc5\x82yt\xc4\x99 szklan\xc4\x85 warstw\xc4\x99 tlenku cyny a na ni\xc4\x85 warstw\xc4\x99 tlenku o\xc5\x82owiu. W wyniku tego procesu powstaje struktura PIN, tlenek cyny staje si\xc4\x99 p\xc3\xb3\xc5\x82przewodnikiem typu n, w tlenku o\xc5\x82owiu w na styku z tlenkiem cyny powstaje warstwa zubo\xc5\xbcona w tlen b\xc4\x99d\xc4\x85ca izolatorem, z drugiej strony warstwa tlenku o\xc5\x82owiu staje si\xc4\x99 warstw\xc4\x85 typu p. \xc5\x9awiat\xc5\x82o padaj\xc4\x85c na warstw\xc4\x99 n wzbudza w niej elektrony, wzbudzone elektrony przep\xc5\x82ywaj\xc4\x85 przez warstw\xc4\x99 izoluj\xc4\x85c\xc4\x85 do warstwy p, elektryzuj\xc4\x85c j\xc4\x85. Odczyt nast\xc4\x99puje przez przemiatanie.'