b'\n_START_ARTICLE_\nWsp\xc3\xb3\xc5\x82czynnik przesterowania\n_START_PARAGRAPH_\nWsp\xc3\xb3\xc5\x82czynnik przesterowania \xe2\x80\x93 wsp\xc3\xb3\xc5\x82czynnik liczbowy kf okre\xc5\x9blaj\xc4\x85cy, jak zachowuje si\xc4\x99 tranzystor bipolarny w czasie pracy impulsowej. Zwi\xc4\x85zany jest z gromadzeniem si\xc4\x99 \xc5\x82adunku przesterowania w obszarze bazy podczas przechodzenia z zakresu pracy aktywnej normalnej w stan nasycenia._NEWLINE_W czasie pracy impulsowej tranzystora bipolarnego w uk\xc5\x82adzie WE nast\xc4\x99puje przesuni\xc4\x99cie punktu pracy z zakresu odci\xc4\x99cia do zakresu nasycenia. Tranzystor, wchodz\xc4\x85c w zakres nasycenia, zaczyna \xc5\x82adowa\xc4\x87 obszar bazy (zwi\xc4\x85zane jest to z pojemno\xc5\x9bci\xc4\x85 bazy) \xc5\x82adunkiem przesterowania. \xc5\x81adunek przesterowania nap\xc5\x82ywa zar\xc3\xb3wno ze z\xc5\x82\xc4\x85cza emiter-baza jak i ze z\xc5\x82\xc4\x85cza kolektor-baza (w stanie nasycenia obydwa z\xc5\x82\xc4\x85cza p-n s\xc4\x85 spolaryzowane przewodz\xc4\x85co). Nast\xc4\x99puje superpozycja \xc5\x82adunk\xc3\xb3w. Pr\xc4\x85d potrzebny do sterowania tranzystorem, czyli pr\xc4\x85d bazy, w tym przypadku zawiera si\xc4\x99 w zakresie nasycenia. Pr\xc4\x85d bazy, przy kt\xc3\xb3rym napi\xc4\x99cie Ucb wynosi zero to pr\xc4\x85d nazwany Ibs - jest to moment wej\xc5\x9bcia w stan nasycenia. Na krzywej oddzielaj\xc4\x85cej obszar pracy aktywnej normalnej od obszaru nasycenia znajdujemy punkt, w kt\xc3\xb3rym prosta obci\xc4\x85\xc5\xbcenia przecina omawian\xc4\x85 krzyw\xc4\x85. W tym punkcie mo\xc5\xbcna wyznaczy\xc4\x87 pr\xc4\x85d maksymalny zakresu aktywnego normalnego na danej krzywej obci\xc4\x85\xc5\xbcenia. Wsp\xc3\xb3\xc5\x82czynnik przesterowania kf to iloraz pr\xc4\x85du bazy Ibf i pr\xc4\x85du Ibs.'