(2)本件訂正発明は，バラストタンクを備えた船舶であればバラスト水配管系統（取水経路と排水経路が存在する。）を必ず備えていることを前提とした発明であり（構成要件Ａ），本件訂正により「前記取水口より取水したバラスト水を前記バラストタンクへ供給する前記バラスト水配管系統」（取水経路）の構成を特定することによって，訂正前に元々可能であった排水が訂正後にできなくなるという技術的矛盾を生じるはずがない。審決が，「バラスト水の排水は，開閉弁Ｖ２，Ｖ６及びＶ７が設けられていない適宜の配管経路から行えばよく，前記開閉弁が共に閉状態になるとしても，これをもって排水が不可能となるとはいえない」と正しく認定するとおりであり，本件明細書等には，具体的な排水系統の構成の例として，図３も開示されている。
原告らは，排水口を備えない配管系統図を作成して主張するが，本件訂正発明は，「バラスト水の排水時には排水口から前記バラストタンク内のバラスト水を排水する」バラスト水配管系統（構成要件Ａ）を備えるものであり，原告ら作成の配管系統は，本件訂正発明とは無関係である。
(3)構成要件Ｇは，バラスト水処理装置を舵取機室内に配設する場合（構成要件Ｆ）に，「前記舵取機室は吃水線よりも上方に位置すること」を利用して，すなわち，重力「により，緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように」するための具体的な「構成」を備えることを規定したものであり，その意義は技術的に明確である。そして，実際の船舶において，「バラスト水が供給される前記バラスト水処理装置が船舶後方の舵取機室内に配設され，前記舵取機室は吃水線よりも上方に位置することにより，緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できる」構成（構成要件Ｆ及びＧ）として，具体的にどのような構造を採用するかは，当業者において適宜決定し得るものであり，特許請求の範囲においてその構成を具体的態様として記載しなければ発明が不明確となるというものではない。
２取消事由２に対し
「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」とした訂正事項は，本件明細書の段落【００３３】に基づくものであり，本件訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである。すなわち，同段落には，「舵取機室９は，船舶の吃水より上方に位置するため，緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点もある。」と記載されているが，単にバラスト水処理装置を設置する「舵取機室９は，船舶の吃水より上方に位置する」というだけでは，バラスト水を船外に排水することはできないから，「緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点」が，バラスト水処理装置を設置する「舵取機室９は，船舶の吃水線より上方に位置する」こと，すなわち，重力により「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように」するための具体的構成を備えることによって得られるということは，同段落に記載されているに等しい事項である。
３取消事由３に対し
(1)特許法１２６条６項の趣旨は，訂正の効果が特許出願の時点まで遡って生じることから，訂正前の特許請求の範囲には含まれない発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることとなると，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれがあるので，これを防止することにある。そこで，「実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するもの」か否かは，訂正前の特許請求の範囲には含まれない発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれるか否かによって判断するのが相当である。そして，訂正事項１及び１０に係る本件訂正は，本件発明１及び６から，択一的記載の要素を削除し，これに新たな構成要件を直列的に付加するものであって，訂正前の特許請求の範囲には含まれない発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることはないから，特許請求の範囲の拡張・変更には当たらない。また，発明の目的が訂正における発明の実質的変更に影響を及ぼすかという点はさておき，本件特許に係る発明の目的，すなわち解決課題は，本件訂正の前後を通じて変わっていない。訂正事項１及び１０は，多種多様な船舶に対して多種多様なバラスト水処理装置を船内適所に容易に設置可能とするという共通の解決課題を目的とし，当該解決課題の下で，より具体的な構成を特定しているものであり，本件発明１及び６の課題を何ら変更するものではない。
(2)原告らは，本件訂正による間接侵害の拡大を問題にするに当たり，前記知財高裁平成２７年１０月２８日判決に依拠しているが，同判決は，発明の対象を「経皮吸収製剤」という物の発明から「経皮吸収製剤保持シート」という物の発明に変更するという訂正事項について，仮に，物の発明の対象を変更する訂正が許されるとすれば，間接侵害が成立する範囲が異なるものとなり，一般第三者の利益を害するおそれがあると述べたにすぎず，発明の対象を変更せずに構成要件の要素を直列的に付加した場合にも間接侵害の成立範囲が広がるなどとは述べていないから，原告らの主張の根拠となるものではない。


また，原告ら主張の本件バラスト水配管系統等が，単なる部品の集まりを意味するものであれば，それらはいずれも「日本国内において広く一般に流通しているもの」であるから，バラストポンプ，配管，開閉弁，逆止弁等を全て組み立てたものを指していると解されるが，実際の船舶では，船舶の内部の構造（床や壁，既設の機器や配管，配線等）の関係でスペースに限りがあるから，船外で組み立てた配管等をそのまま船内に持ち込んで設置することは不可能であり，配管等をばらばらの状態で船内に持ち込み，船内内部の形状・構造に応じて，現場で，切断・曲げ・溶接等の加工をしながら調整をして組立・取付工事を行うのが通常である。原告ら主張のエンジニアリング会社が配管等を全て組み合わせたものを製造して納入するという想定事例は，現実にはあり得ない空想事例にすぎない。さらに，本件訂正発明では，「配管」，「開閉弁」及び「逆止弁」が，船舶の「バラストタンク」，「バラストポンプ」や「バラスト水処理装置」に対して，本件訂正発明が規定するように設置等されることにより，発明の課題を解決する構成となるのであるから，原告ら主張の本件バラスト水配管系統等は，そのように設置等されていない以上，その譲渡等について特許法１０１条２号の間接侵害は成立しない。加えて，原告ら主張の本件バラスト水配管系統等が，本件訂正発明の「発明による課題の解決に不可欠なもの」に当たるとすれば，本件訂正により訂正前の課題がなくなるわけではないから，本件バラスト水配管系統は，「バラスト水が供給される前記バラスト水処理装置が船舶後方の舵取機室内に配設され，前記舵取機室は吃水線よりも上方に位置すること」を特徴とする本件発明の「発明による課題の解決に不可欠なもの」を含んでいるはずであり，本件訂正により，同号の間接侵害の成立範囲は広がっていない。このことは，独立請求項と，これに構成要件を直列的に付加した従属項における間接侵害の成立範囲の広狭について，従属項の方が間接侵害の成立範囲が広くなるという見解が存在しないこととの均衡からも明らかである。
４取消事由４に対し
前記２及び３のとおり，訂正事項１及び１０は，新規事項を追加するものでなく，実質的変更に該当するものでもないから，同様の理由により，訂正事項２及び１１も，新規事項を追加するものでなく，実質的変更にも該当しない。
５取消事由５に対し
構成要件Ｃ－２の「これら開閉弁は取水時には開とされ排水時には閉とされ，」及び構成要件Ｄ－２の「当該開閉弁は取水時と排水時に閉とされており，」は，開閉弁（Ｖ６，Ｖ７及びＶ２）の取水時及び排水時の開閉を規定したものであり，これと異なる意味に解すべき理由はない。原告らの主張は，特許請求の範囲に明記された「排水時には閉とされ」との記載を無視し，これを「排水時に閉としうる」と読み替える誤ったクレーム解釈に基づくもので，理由がない。甲３３に記載されているのは，排水時にバルブ７０６，７０８が閉となることだけであり，バルブ７０７，７０９，７０１０が排水時に閉であることは記載されていない以上，構成要件Ｃ－２及びＤ－２における全ての開閉弁は「排水時に閉とされ」との構成が記載されているとはいえない。
また，審決が正しく認定するとおり，甲３０ないし甲３２に，相違点２に係る，全ての開閉弁は「排水時に閉とされ」の構成は，記載されていない。原告ら主張の「適宜の配管経路」なるものは，甲３０ないし甲３２には記載されていない上，甲３０ないし甲３２に記載された配管経路はそれ自体で完結した経路であるから，「適宜の配管経路」なるものが存在する必然性もない。審決は，バラストタンクからのバラスト水の排水に関しては，本件訂正発明では，「バラスト水の排水時には排水口から前記バラストタンク内のバラスト水を排水する」バラスト水配管系統（構成要件Ａ）が存在することを前提に，その具体的な経路は「開閉弁Ｖ２，Ｖ６及びＶ７が設けられていない適宜の配管経路」を想定すればよいと判断したものであって，規定されてもいない「適宜の配管経路」なるものをあえて想定する判断など行っていない。
６取消事由６に対し
審決が正しく判断するとおり，バラスト水処理装置を吃水線よりも上方に配置したからといって，そのことのみをもって「緊急時」にバラスト水処理装置内のバラスト水を船外に排出できるわけではなく，重力により排水できる流路を構成する配管系統その他の具体的構成を備える必要があることは明らかである。そして，検甲１には，重力により緊急時に排水できるよう工夫をすることの記載も示唆もなく，その他の甲号証にも，緊急時にバラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成することは記載されていないし，このような緊急時の排水という課題に言及した記載すらない。したがって，相違点４についての「検甲１発明のバラスト水処理装置を吃水線よりも上方に位置する舵取機室に配置することは，当業者が容易に想到し得る」との審決の認定を前提としても，審決が，検甲１発明を相違点５に係る本件訂正発明１の構成とすることは，当業者が容易に想到し得るとはいえないと判断した点に，誤りはない。
原告らは，緊急時におけるバラスト水処理装置内のバラスト水の船外排出の必要性という課題が周知であったと主張するが，原告ら指摘の甲６４には，バラスト水管理条約で要求されている「バラスト水処理装置」についての記載も，「バラスト水処理装置」内のバラスト水の船外への緊急時排水の記載もないから，理由がない。
７取消事由７に対し
原告らは，審決における本件訂正発明１の相違点２及び５の判断が誤りであるから，本件訂正発明２ないし６の相違点２，５及び１３の判断も誤りであると主張するが，前記５及び６のとおり，本件訂正発明１の相違点２及び５についての審決の判断に誤りはないから，本件訂正発明２ないし６の相違点２，５及び１３についての審決の判断にも誤りはない。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（本件訂正の目的要件に関する判断の誤り）について原告らは，本件訂正発明は，技術的に明確に記載されているとはいえないから，訂正事項１及び１０は特許請求の範囲の減縮を目的としたものであるとした審決の判断は誤りである旨主張する。


しかしながら，以下のとおり，本件訂正後の請求項１の記載は技術的に明確であるから，これが技術的に明確でないことを理由として，訂正事項１は特許請求の範囲の減縮を目的としたものでないということはできない。そして，本件訂正発明１は，「バラスト水処理装置」によって「バラスト水中の微生物類を処理して除去または死滅させる」時期について，択一的に「バラスト水の取水時または排水時」と記載していたものを限定的に「バラスト水の取水時」と記載し（構成要件Ａ），また，「バラストタンク」及び「バラスト水配管系統に設けられ，機関室に設置されたバラストポンプ」についての記載を追加し（構成要件Ａ），構成要件Ｂないし構成要件Ｅについての記載を追加し，さらに，「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」との記載を追加し（構成要件Ｇ），それらの記載により特定される事項によって本件発明１を限定したものである。すなわち，本件訂正発明１は，本件訂正前の請求項１の択一的記載の要素を削除し，本件訂正前の請求項１の記載に発明を特定するための事項を追加することによって，本件発明１を限定したものである。以上のことは，本件訂正発明６についても同様のことがいえる。
そうすると，訂正事項１及び１０は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。これと趣旨を同じくする審決の判断に誤りはなく，取消事由１は理由がない。
(1)構成要件Ｃ－２及びＤ－２の追加について
ア本件訂正発明１では，本件訂正によって構成要件Ｃ－１及びＤ－１が追加されて，「バラスト水処理装置」，「バラスト水配管系統」，「処理装置入口側配管」，「処理装置出口側配管」及び３つの「開閉弁」の相互の関係が特定されるとともに，構成要件Ｃ－２及びＤ－２が追加されて，それら３つの「開閉弁」の「取水時」及び「排水時」における状態（開か閉か）が特定されている。具体的には，３つの「開閉弁」のうち，構成要件Ｃ－１の「処理装置入口側配管」（装置入口側配管。本件訂正図面の処理装置入口側配管１５ａに相当。）に設けられた「開閉弁」（装置入口側開閉弁。本件訂正図面の開閉弁Ｖ６に相当。）及び「処理装置出口側配管」（装置出口側配管。本件訂正図面の処理装置出口側配管１６に相当。）に設けられた「開閉弁」（装置出口側開閉弁。本件訂正図面の開閉弁Ｖ７に相当。）は，いずれも「取水時には開」，「排水時には閉」とされる（構成要件Ｃ－２）。また，構成要件Ｄ－１の「処理装置入口側配管と・・・バラスト水配管系統との連結点」（装置入口側連結点）と，「処理装置出口側配管と・・・バラスト水配管系統との連結点」（装置出口側連結点）との間の「バラスト水配管系統」（連結点間配管。本件訂正図面のバラスト水配管１４ｃに相当。）に設けられた「開閉弁」（連結点間開閉弁。本件訂正図面の開閉弁Ｖ２に相当。）は，「取水時と排水時に閉」とされる（構成要件Ｄ－２）。このように，構成要件Ｃ－１及びＤ－１により，装置入口側開閉弁，装置出口側開閉弁及び連結点間開閉弁（本件各開閉弁）が設けられる位置を，「船舶」に設けられた「バラスト水処理装置」，「バラスト水配管系統」，「処理装置入口側配管」及び「処理装置出口側配管」との関係で明確に把握することができる。そして，構成要件Ｃ－２及びＤ－２により，「取水時」及び「排水時」における本件各開閉弁の状態（開か閉か）を明確に把握することができる。そうすると，構成要件Ｃ－２及びＤ－２は，「取水時」及び「排水時」における本件各開閉弁の状態を明確に特定するものであり，構成要件Ｃ－２及びＤ－２の記載それ自体には，何ら不明確な点は存在しない。
イところで，本件訂正発明１では，装置入口側開閉弁及び装置出口側開閉弁は，いずれも「取水時には開」，「排水時には閉」とされるから，バラスト水は，「取水時」には，装置入口側連結点から装置入口側配管を通って「バラスト水処理装置」に入り，装置出口側配管を通って装置出口側連結点から「バラスト水配管系統」に出ることができるのに対し，「排水時」には，装置入口側配管及び装置出口側配管を通ることができない。これは，実質的には，装置入口側連結点から装置入口側配管，「バラスト水処理装置」，装置出口側配管を経て装置出口側連結点に至る配管系統（処理装置配管系統。本件訂正図面の処理水配管系統１５に相当。）が，「取水時」にはバラスト水の流路に組み込まれ，「排水時」にはバラスト水の流路に組み込まれないことを意味する。
また，本件訂正発明１において，連結点間開閉弁が「取水時と排水時に閉」とされることは，実質的には，連結点間配管が「取水時」及び「排水時」にバラスト水の流路に組み込まれないことを意味する。
このように，本件各開閉弁の位置を特定した上で，「取水時」及び「排水時」における本件各開閉弁の状態（開か閉か）を特定した結果，処理装置配管系統が「取水時」にはバラスト水の流路に組み込まれ，「排水時」にはバラスト水の流路に組み込まれないこと，連結点間配管が「取水時」及び「排水時」にバラスト水の流路に組み込まれないことが特定される。
ウそうすると，構成要件Ｃ－１，Ｃ－２，Ｄ－１及びＤ－２は，本件各開閉弁が設けられる位置を特定するとともに，「取水時」及び「排水時」における本件各開閉弁の状態を特定することにより，本件訂正発明１に係る「船舶」が，「取水時」にはバラスト水の流路に組み込まれ，「排水時」にはバラスト水の流路に組み込まれない処理装置配管系統を備えるとともに，「取水時」及び「排水時」にバラスト水の流路に組み込まれない連結点間配管を備えることを特定するものと理解することができる。
そして，本件訂正発明１に係る「船舶」は，そのようなバラスト水の流路の構成を可能とする処理装置配管系統及び連結点間配管を備えるものとして，明確に理解することができ，また，そのような処理装置配管系統又は連結点間配管を備えないその他の「船舶」から明確に区別することができるから，本件訂正発明１は，「船舶」という「物」の発明として明確である。


エ原告らは，本件各開閉弁の使用態様を特定しても「船舶」の構造や物性が限定されることはなく，取水時及び排水時におけるバラスト水の流路を特定するとしても，バラスト水の流路は単にバラスト水が流れる経路であって，「船舶」を構成する部材ではないから，「船舶」という物の発明の構成を客観的に特定することにはならず，構成要件Ｃ－２及びＤ－２は「船舶」という「物」をむしろ技術的に不明確にするものであると主張する。
しかしながら，前記ウのとおり，構成要件Ｃ－２及びＤ－２は，構成要件Ｃ－１及びＤ－１と併せて，「船舶」に設けられる本件各開閉弁の位置を特定するとともに，「取水時」及び「排水時」における本件各開閉弁の状態（開か閉か）を特定することにより，本件訂正発明１に係る「船舶」が，「取水時」にはバラスト水の流路に組み込まれ，「排水時」にはバラスト水の流路に組み込まれない処理装置配管系統を備えるとともに，「取水時」及び「排水時」にバラスト水の流路に組み込まれない連結点間配管を備えることを特定するものであることを，明確に理解することができる。そして，本件訂正発明１に係る「船舶」がそのような処理装置配管系統及び連結点間配管を備えることが特定されているということは，「船舶」の構造がそのような構成を備えるものに限定されていることに他ならないから，構成要件Ｃ－２及びＤ－２は，構成要件Ｃ－１及びＤ－１と併せて，「船舶」の構造を限定するものであり，「船舶」という物の発明の構成を客観的に特定するものということができる。原告らの主張は，理由がない。
(2)本件訂正発明１の技術的矛盾の有無についてア本件訂正発明１の構成要件Ａによれば，本件訂正発明１に係る「船舶」は，「バラストタンク」と「バラスト水処理装置」と「バラスト水配管系統に設けられ，機関室に設置されたバラストポンプ」とを備える。そして，「バラスト水配管系統」は，「バラスト水の取水時には取水口よりバラスト水を吸入しバラスト水の排水時には排水口から前記バラストタンク内のバラスト水を排水する」ものである。また，「バラスト水配管系統」が「バラスト水を吸入し」，「バラスト水を排水する」ための原動力は，「バラスト水配管系統に設けられ，機関室に設置されたバラストポンプ」によって供給されることが明らかである。そうすると，「バラスト水配管系統」には，「取水口」から「バラストポンプ」を経て「バラストタンク」に至る配管系統（取水管路）と，「バラストタンク」から「バラストポンプ」を経て「排水口」に至る配管系統（排水管路）とが存在する（なお，取水管路と排水管路とは，構造的に完全に分離されている必要はなく，取水と排水を同一のポンプで行う場合（特開２００７－４４５６７号公報（甲３０）段落【０００７】，【００１５】）などには，一部の配管を共有してもよい（本件訂正図面のバラスト水配管１４ｂ及び１４ｅ参照。）。）ものと認められる。したがって，構成要件Ａは，本件訂正発明１に係る「船舶」が，取水管路と排水管路とを含む「バラスト水配管系統」を備えることを特定するものである。イそして，前記(1)のとおり，処理装置配管系統は，取水管路の一部を構成するが，排水管路の一部を構成するものではなく，連結点間配管は，取水管路及び排水管路のいずれの一部をも構成しないことが理解できる。ウ以上のとおり，本件訂正発明１は，技術的に矛盾なく理解することができる。
エ原告らは，本件訂正発明１に記載されたバラストタンク内のバラスト水の排水時における本件各開閉弁の使用態様に従うと，前記第３の１(2)の図２のとおり，本件訂正発明１では，排水ができないという技術的矛盾をはらむと主張する。しかしながら，原告らの主張は，本件各開閉弁が設けられた処理装置配管系統及び連結点間配管によって排水することはできないことをいうにとどまるが，前記ウのとおり，本件訂正発明１においては，構成要件Ａにより特定された排水管路により排水することが予定されており，構成要件Ｃ－２及びＤ－２により本件各開閉弁が設けられた処理装置配管系統及び連結点間配管はこの排水管路に含まれないことが明らかにされているものと理解できる。すなわち，本件訂正発明１においては，処理装置配管系統及び連結点間配管を含まない排水管路を備えることが特定されている。審決が「バラスト水の排水は，開閉弁Ｖ２，Ｖ６及びＶ７が設けられていない適宜の配管経路から行えばよく」としたのは，恣意的な配管経路を想定したものではなく，本件訂正発明１が備えることを要求する上記排水管路を正しく指摘したものと理解することができ，他方，原告ら作成の上記図２は，上記排水管路を備えることを無視したものであり，失当である。
また，上記のとおり，構成要件Ｃ－２及びＤ－２において，排水時に本件各開閉弁を閉にすることが規定されている技術的意義は，本件各開閉弁が設けられた処理装置配管系統及び連結点間配管が排水管路に含まれないことを明らかにすることにあるから，審決のように，本件各開閉弁が設けられていない（すなわち，本件各開閉弁が設けられた処理装置配管系統及び連結点間配管を含まない）排水管路による排水を考慮することは，上記技術的意義に沿うものであって，上記技術的意義を没却するものではないことは明らかである。
原告らの主張は，理由がない。
(3)構成要件Ｇの記載の明確性について


ア構成要件Ｇにおいて，「舵取機室」内に配設された「バラスト水処理装置」が「吃水線よりも上方に位置する」ことが特定されていることに加え，本件訂正明細書の「舵取機室９は，船舶の吃水線より上方に位置するため，緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点もある。」（【００３３】）という記載に照らせば，「緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点」は，「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」が重力の作用により吃水線まで自然に落下し得る状態にあることに起因することが明らかである。そして，本件訂正明細書の上記記載は，「バラスト水処理装置」が「吃水線よりも上方に位置する」ことにより，「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」が重力の作用により吃水線まで自然に落下し得る状態にあるので，「緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できる」という作用効果を奏することをいうものと理解することができる。しかしながら，「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」が重力の作用により吃水線まで自然に落下し得る状態にあるとしても，船内に設置された「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」を「船外に排水」するのであるから，「緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できる」という作用効果を奏するためには，「バラスト水処理装置」が「吃水線よりも上方に位置する」だけでは足りず，緊急時に開放されて「バラスト水処理装置」から船外の吃水線に至る「バラスト水」の流路となる管路（緊急排水用管路）が必要不可欠であることは明らかである。そうすると，構成要件Ｇの「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」は，本件訂正発明１に係る「船舶」が緊急排水用管路を備え，それによって「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できる」ようになっていることを特定するものと認められる。イ以上によれば，構成要件Ｇは，「バラスト水処理装置」が「吃水線よりも上方に位置する」こと，これにより生じる重力の作用を利用して「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」を船外の吃水線に向けて流下させることができる緊急排水用管路が存在することを特定し，それによって「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できる」ようになっていることを特定するものと理解することができる。そして，そのような緊急排水用管路の具体的な構成は，本件訂正明細書に記載されてはいないものの，例えば，緊急時に開とされる開閉弁を備え，「バラスト水処理装置」から船外に通じる排水管など，当業者に自明な適宜の配管で足りると認められる。
このように，構成要件Ｇの記載は，技術的に明確に理解することができるから，本件訂正発明１を技術的に不明確にするものではない。ウ原告らは，構成要件Ｇの「ことにより，緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」という記載の追加は，舵取機室を吃水線よりも上方に位置させることについての主観的利点を付加するものにすぎず，本件訂正発明の船舶の構成を何ら具体的に限定するものではないし，「舵取機室は吃水線よりも上方に位置する」ことと，「緊急時に・・・バラスト水を船外に排水できるように構成する」こととの関係について，審決が採用したような誤った解釈を導く原因ともなる不明確な記載であると主張する。しかしながら，前記のとおり，構成要件Ｇは，「バラスト水処理装置」が「吃水線よりも上方に位置する」こととは別に，これにより生じる重力の作用を利用して「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」を船外の吃水線に向けて流下させることができる緊急排水用管路が存在することを特定するものであり，その具体的な構成は，本件訂正明細書に記載がなくても，当業者であれば，自明な適宜の配管として理解することができる。このように，訂正事項１による構成要件Ｇの上記記載の追加は，主観的利点を付加したものではなく，船舶の構成を特定したものである。また，前記アのとおり，当業者であれば，「舵取機室」内に配設された「バラスト水処理装置」が「吃水線よりも上方に位置する」ことが「緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点」をもたらすのは，重力の作用を利用することによると理解するとともに，船内に設置された「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」を「船外に排水」するためには，そのようなバラスト水処理装置が吃水線より上方に位置することとは別に，緊急時に開放されて，重力の作用を利用して船内の「バラスト水処理装置」から船外に至る「バラスト水」の流路となる管路が必要であることを当然に理解することができ，構成要件Ｇの「前記舵取機室は吃水線よりも上方に位置することにより，緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成することを特徴とする」という文言は，そのような理解と矛盾するものではないと認識することができる。当業者は，構成要件Ａにより，本件訂正発明１の「バラスト水処理装置」は，「バラスト水の取水時にバラスト水中の微生物類を処理して除去または死滅させる」ものであり，取水したバラスト水を内部に保持することができる構造であるとも理解でき，当業者において，そのような構造の「バラスト水処理装置」が船内に配設されているにもかかわらず，これが吃水線よりも上方に位置することのみによって，その内部に保持されている「バラスト水」が「船外に排水できる」と理解するということなどおよそ考えられないというべきであり，構成要件Ｇの記載をもって，審決が採用した正しい解釈のほかに，原告らが主張したような誤った解釈を導く原因ともなる不明確な記載であるということはできない。
当業者であれば，重力の作用を利用して「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」を船外の吃水線に向けて流下させることができる緊急排水用管路の具体的な構成について，本件訂正明細書に記載がなくても，自明な適宜の配管として理解することができることは，既に述べたとおりである。
原告らの主張は，理由がない。
２取消事由２（本件訂正の新規事項追加に関する判断の誤り）について(1)本件明細書には，「本発明は，・・・舵取機室９が，船舶におけるバラスト水処理装置２０の最適な設置場所であることを見いだしたものである。」（【００３２】），「舵取機室９は，船舶の吃水線より上方に位置するため，緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点もある。」（【００３３】）と記載されている。これらの記載から，バラスト水処理装置を舵取機室に設置すると，舵取機室が船舶の吃水線より上方に位置するため，緊急時においてはバラスト水処理装置内のバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点があるという技術的事項（本件技術的事項Ａ）を理解することができる。


そして，本件技術的事項Ａから，この利点をもらたす原因が，バラスト水処理装置が吃水線より上方に位置する結果，バラスト水処理装置内のバラスト水が重力の作用により吃水線まで自然に落下し得る状態になっているという事実にあることは明らかである。そうすると，本件明細書の「緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点もある。」（【００３３】）との記載は，バラスト水処理装置が吃水線よりも上方に位置する結果，バラスト水処理装置内のバラスト水が重力の作用により吃水線まで自然に落下し得る状態にあるので，それを利用してバラスト水を容易に船外へ排水できることをいうものと認められる。しかしながら，バラスト水処理装置内のバラスト水が重力の作用により吃水線まで自然に落下し得る状態にあるとしても，船内に設置されたバラスト水処理装置内のバラスト水を船外に排水するのであるから，実際に緊急時にバラスト水を船外へ排水するためには，バラスト水処理装置が吃水線よりも上方に位置するだけでは足りず，緊急時に開放されてバラスト水処理装置から船外の吃水線に至るバラスト水の流路となる管路，すなわち緊急排水用管路が必要不可欠である。そうすると，本件明細書の前記記載からは，本件技術的事項Ａに加えて，緊急排水用管路を設け，重力の作用を利用してバラスト水処理装置内のバラスト水を船外の吃水線に向けて流下させるという技術的事項（本件技術的事項Ｂ）を理解することができる。そして，そのような緊急排水用管路の具体的な構成は，例えば，緊急時に開とされる開閉弁を備え，「バラスト水処理装置」から船外に通じる排水管など，当業者に自明な適宜の配管で足りると認められる。
(2)他方，構成要件Ｇが特定する事項は，前記１(3)イのとおりであり，これは，本件技術的事項Ａ及びＢに他ならない。
したがって，構成要件Ｇが特定する事項は，本件明細書に記載した事項であり，本件訂正のうち，構成要件Ｇに係る部分は，当業者によって本件明細書の記載により導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものである。
本件訂正のうち，構成要件Ｓに係る部分も，同様であるから，取消事由２は，理由がない。
(3)原告らは，審決の解釈を前提とすると，舵取機室を吃水線よりも上方に位置させることとは別の，緊急時のバラスト水船外排出のための手段は，本件明細書には何ら記載されていないから，構成要件Ｇの「緊急時に・・・バラスト水を船外に排水できるように構成する」との記載の追加を含む訂正事項１は，新規事項の追加に該当すると主張する。
しかしながら，前記(1)のとおり，本件明細書には，「舵取機室９は，船舶の吃水線より上方に位置するため，緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点もある。」（【００３３】）と記載されているところ，当業者であれば，「舵取機室」内に配設された「バラスト水処理装置」が「吃水線より上方に位置する」ことが「緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点」をもたらすのは，重力の作用を利用することによると理解するとともに，船内に設置された「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」を「船外へ排水」するためには，そのようなバラスト水処理装置が吃水線より上方に位置することとは別に，緊急時に開放されて，重力の作用を利用して船内の「バラスト水処理装置」から船外に至る「バラスト水」の流路となる管路，すなわち緊急排水用管路が必要であることを当然に理解することができ，その具体的な構成も，自明な適宜の配管として理解することができる。
以上のとおり，本件訂正のうち，構成要件Ｇに係る部分は，本件明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであり，これと趣旨を同じくする審決の判断に誤りはない。
原告らの主張は，理由がない。
３取消事由３（本件訂正の実質的変更に関する判断の誤り）について(1)特許法は，特許無効審判において願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面の訂正を請求することを認める一方（１３４条の２第１項本文），その訂正は，特許請求の範囲の減縮（同項ただし書１号）を含む所定の事項を目的とするものに限って許されるものとし，さらに，「実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであってはならない」としている（１３４条の２第９項，１２６条６項）。これは，訂正を認める旨の審決が確定したときは，訂正の効果は特許出願の時点まで遡って生じ（１３４条の２第９項，１２８条），しかも，訂正された明細書，特許請求の範囲又は図面に基づく特許権の効力は不特定多数の一般第三者に及ぶものであることに鑑み，特許請求の範囲の記載に対する一般第三者の信頼を保護することを目的とするものであり，特に，１３４条の２第９項で準用する１２６条６項の規定は，訂正前の特許請求の範囲には含まれない発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることとなると，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれがあるため，そうした事態が生じないことを担保する趣旨の規定であると解される。また，特許権を侵害するものとみなされる行為（１０１条１号ないし６号）の範囲が訂正によって異なるものとなり，訂正前は特許権を侵害するものとはみなされなかった第三者の行為が，訂正後は特許権を侵害するものとみなされることになれば，特許請求の範囲の記載を信頼する一般第三者の利益を害することは明らかであるから，そのような訂正は，１３４条の２第９項で準用する１２６条６項の規定の趣旨に反するというべきである。
そこで，１３４条の２第９項で準用する１２６条６項の規定の趣旨や，平成６年法律第１１６号による特許法の改正は，あらゆる発明について目的，構成及び効果の記載を求めるのではなく，技術の多様化に対応した記載を可能とし，併せて制度の国際的調和を図ることを目的として，同法律による改正前の特許法３６条４項が発明の詳細な説明の記載要件として規定していた「発明の目的，構成及び効果」を削除したにとどまり，同法１２６条２項の実質上特許請求の範囲を拡張・変更する訂正の禁止の規定は，実質的改正はされていないこと（甲６０）を踏まえて，以下，検討する。
(2)原告らは，訂正事項１及び１０に係る本件訂正は，実質上特許請求の範囲を変更するものであると主張するので，本件訂正前の明細書である本件明細書（甲４９の３）を参照すると，本件明細書には，以下の記載がある。
ア発明が解決しようとする課題
【０００５】


ところで，上述したバラスト水処理装置は，荷役の進行と略同時に吸入または排水されるバラスト水を処理するものであるから，高い処理速度（たとえば，大型原油タンカーの場合には７０００ｍ３／hr程度）が求められる。このため，バラスト水処理装置自体が大型化する傾向にあり，船舶にバラスト水処理装置の適当な設置場所を確保することは，下記の理由により困難な状況にある。
【０００６】
（１）バラスト水処理装置は，電気や薬剤などを使用する高度な処理レベルが求められるため，海洋環境下での波浪・風雨に対する耐食性を考慮すると，甲板等の船外よりも船内に設置することが好ましい。
（２）バラスト水処理装置を船内に配置する場合，貨物積載量の確保や可燃性貨物の積載に伴う危険区画等を考慮すると，船体中央部分に配置することを避け，船首または船尾に配置することが望ましい。
（３）一般的な船舶設計では，バラストポンプ等の機器類は船尾の機関室に配置される。このため，船首にバラスト水処理装置を配置すると，船尾のバラストポンプ近傍に設けられた取水口から船首まで長距離の配管が必要となる。
【０００７】
このように，今後設置が義務づけられるバラスト水処理装置について，船体設計の大幅な変更を必要とせず，しかも，新造船に設置する場合はもとより，既存の船舶を改造して設置する場合にも容易に適用可能な構造の船舶が望まれる。すなわち，新造船や既存船の区別がなく，しかも，タンカー（ＬＰＧ船，ＬＮＧ船，油送船等），貨物船（コンテナ船，ロールオン／ロールオフ船，一般貨物船等）及び専用船（ばら積貨物船，鉱石運搬船，自動車運搬船等）等のように多種多様な船舶（特に一般商船）に対して，多種多様な方式のバラスト水処理装置を船内適所に容易に設置可能とする構造の船舶が望まれている。本発明は，上記の事情に鑑みてなされたものであり，その目的とするところは，多種多様な船舶に対して，多種多様な方式のバラスト水処理装置を船内適所に容易に設置可能とする船舶を提供することにある。
イ課題を解決するための手段
【０００８】
本発明は，上記の課題を解決するため，下記の手段を採用した。本発明の請求項１に係る船舶は，バラスト水の取水時または排水時にバラスト水中の微生物類を処理して除去または死滅させるとともにバラスト水が供給されるバラスト水処理装置を備えている船舶であって，バラスト水が供給される前記バラスト水処理装置が船舶後方の舵取機室内に配設され，前記舵取機室は吃水線よりも上方に位置することを特徴とするものである。
【０００９】
このような船舶によれば，バラスト水処理装置を船舶後方の舵取機室内に配設するようにしたので，船体構造や船型を大きく変更することなく，船舶内の空間を有効に利用して種々のバラスト水処理装置を容易に設置することができる。
また，上記の船舶において，前記舵取機室は吃水線よりも上方に位置するので，緊急時にバラスト水を容易に船外へ排水することができる。
(3)前記(2)の記載によれば，本件発明１について，次のとおり，認められる。すなわち，本件発明１は，バラスト水処理装置については，今後設置が義務付けられるにもかかわらず，船舶にその適当な設置場所を確保することが困難な状況にあり，船体設計の大幅な変更を必要とせず，しかも，新造船に設置する場合にも，既存の船舶を改造して設置する場合にも容易に適用可能な船舶が望まれていたことに鑑み，多種多様な船舶に対して，多種多様な方式のバラスト水処理装置を船内適所に容易に設置可能とする船舶を提供することを目的とするものである（【０００５】～【０００７】）。
そして，本件発明１は，この課題を解決するために，船舶後方で，吃水線よりも上方に位置する舵取機室内に，バラスト水処理装置を配設するという手段を採用した（【０００８】）。
その結果，バラスト水処理装置を船舶後方の舵取機室内に配設したことから，船体構造や船型を大きく変更することなく，船舶内の空間を有効利用して種々のバラスト水処理装置を容易に設置することができ，また，バラスト水処理装置を配設した舵取機室が吃水線よりも上方に位置することから，緊急時にバラスト水を容易に船外へ排水することができるという効果を奏する（【０００９】）。(4)これに対し，訂正事項１は，①「バラスト水処理装置」によって「バラスト水中の微生物類を処理して除去または死滅させる」時期を，「バラスト水の取水時または排水時」という択一的な記載から「バラスト水の取水時」という限定的な記載に変更し（構成要件Ａ），②「バラストタンク」及び「バラスト水配管系統に設けられ，機関室に設置されたバラストポンプ」についての記載を追加し（構成要件Ａ），③構成要件Ｂないし構成要件Ｅについての記載を追加し，さらに，④「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」との記載を追加する（構成要件Ｇ）ものであり，それによって「船舶」の発明である本件発明１を限定し，同じく「船舶」の発明である本件訂正発明１とするものである。これらのうち，①バラスト水処理装置へのバラスト水の供給時期が択一的であったものを１つの時期に限定した点は，本件発明１に新たな構成を付加するものではなく，本件発明１の課題に含まれない新たな課題を解決するものではないことは明らかである。
②バラストタンク，バラスト水配管系統及びバラストポンプの記載を追加した点は，本件発明１に新たな構成を付加するものであるが，本件発明１は，バラスト水処理装置を備えた船舶の発明であり，バラスト水処理装置を備えた船舶において，バラスト水を積載するバラストタンク，バラスト水の配管系統，バラスト水の取水と排水のためのバラストポンプが備えられていることは周知の事項であるから（甲３０～甲３３），これらの記載の追加は，本件発明１の課題に含まれない新たな課題を解決するものではない。


③構成要件Ｂないし構成要件Ｅについての記載を追加した点は，本件発明１に新たな構成を付加するものであるが，本件発明１は，バラスト水処理装置を備えた船舶の発明であるところ，構成要件Ｂないし構成要件Ｅは，バラスト水処理装置を備えた船舶において備えられているバラスト水配管系統の構成について，バラスト水処理装置が装置入口側配管及び装置出口側配管を介してバラスト水配管系統と連結され（構成要件Ｂ），装置入口側配管，装置出口側配管，連結点間配管に設けられた本件各開閉弁と，取水管路の一部を構成するが排水管路の一部を構成しない処理装置配管系統，取水管路も排水管路も構成しない連結点間配管を備え（構成要件Ｃ－１，Ｃ－２，Ｄ－１，Ｄ－２），バラストポンプと装置入口側連結点との間のバラスト水配管系統に設けられた，バラストポンプから装置入口側連結点へ向かう方向の流れのみを許容する逆止弁を備えること（構成要件Ｅ）を特定して，本件発明１において多種多様に構成することが可能であったバラスト水配管系統の構成を限定しているものであって，本件訂正明細書を踏まえて，構成要件Ｂないし構成要件Ｅの構成を検討しても，その構成の追加により本件発明１の課題に含まれない新たな課題を解決するものとは認められない。
④「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」との記載を追加した点は，本件発明１に緊急排水用管路という新たな構成を付加するものであるが，前記(2)のとおり，本件発明１の緊急時にバラスト水を容易に船外へ排水することができるという効果を，当業者にとって自明な構成により具体化したものにすぎないから，その構成の追加により本件発明１の課題に含まれない新たな課題を解決するものとまでは認め難い。
(5)また，本件発明１及び本件訂正発明１は，物の発明であるが，訂正事項１の内容からすれば，特許法１０１条１号及び３号の間接侵害の成立範囲が訂正事項１により左右されることはおよそ考え難い。
原告らは，訂正事項１により同条２号の間接侵害の成立範囲が広がる可能性があり，具体的には，訂正事項１により追加された配管構造等に関し，これを生産する等の行為について同条２号の間接侵害が成立するおそれがあると主張するが，訂正事項１により同条２号の間接侵害の成立範囲が広がるものとは認められない。すなわち，同条２号の間接侵害は，発明の対象である「物の生産に用いる物」のうち「その発明による課題の解決に不可欠なもの」に限って成立するものであり，その成立範囲は，その発明の構成要件中の本質的部分を実現するために不可欠な部品に限られるというべきであるが，前記(4)のとおり，訂正事項１により，本件発明１の課題に含まれない新たな課題が，本件訂正発明１の課題となったものとは認められない。したがって，たとえ原告ら主張の本件バラスト水配管系統等を現実的に想定できたとしても，訂正事項１が，本件訂正発明１の課題に本件発明１の課題と異なる新たな課題を追加するものではない以上，その課題の解決に不可欠なものの範囲，すなわち，その発明の構成要件中の本質的部分を実現するために不可欠な部品の範囲も，本件訂正発明１と本件発明１とで異なるものではないというべきであるから，訂正事項１により同条２号の間接侵害の成立範囲が広がるものとは認められない。(6)そして，以上の検討は，訂正事項１０についても同様に当てはまる。以上によれば，訂正事項１及び１０に係る本件訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではないと認められる。これと同旨の審決の判断は正当であり，取消事由３は，理由がない。
４取消事由４（本件訂正の訂正事項２及び１１についての判断の誤り）について原告らは，訂正事項１及び１０は，取消事由１ないし３のとおり，不適法な訂正であるから，訂正事項２及び１１は，明瞭でない記載の釈明を目的とするものではないと主張するが，前記１ないし３のとおり，取消事由１ないし３はいずれも理由がないから，原告らの主張は，その前提を欠き，理由がない。また，原告らは，訂正事項１及び１０は，取消事由２及び３のとおり，新規事項の追加に該当し，特許請求の範囲を実質的に変更するものであるから，訂正事項２及び１１も，新規事項の追加に該当し，特許請求の範囲を実質的に変更するものであると主張するが，前記２及び３のとおり，取消事由２及び３はいずれも理由がないから，原告らの主張は，その前提を欠き，理由がない。以上によれば，取消事由４は，理由がない。
５取消事由６（相違点５の判断の誤り）について
(1)事案に鑑み，取消事由５に先立ち，取消事由６を検討する。(2)相違点５に係る本件訂正発明１の構成である構成要件Ｇが，バラスト水処理装置が配設された「舵取機室は吃水線よりも上方に位置すること」に加え，これにより生じる重力の作用を利用して「バラスト水処理装置」内の「バラスト水」を船外の吃水線に向けて流下させることができる緊急排水用管路が存在することを特定し，それによって「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できる」ようになっていることを特定するものであることは，前記１(3)イのとおりである。
しかるに，検甲１発明において，バラスト水処理システムを吃水線より上方に位置する舵取機室に設置し，相違点４に係る本件訂正発明１の構成とすることは，審決認定のとおり，当業者が容易に想到し得ることであるとしても，舵取機室に設置したバラスト水処理装置が吃水線より上方に位置することを利用して，緊急時にバラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成することは，甲１の２に記載も示唆もされておらず，当業者にとって周知であったとも認められない。そうすると，検甲１発明において，舵取機室を吃水線より上方に位置させることは当業者にとって容易想到であるとしても，その結果として生じる利点を活用し，バラスト水処理システムから緊急時にバラスト水を容易に船外に排水するために，重力の作用を利用してバラスト水処理システム内のバラスト水を船外の吃水線に向けて流下させることができる緊急排水用管路を設け，相違点５に係る本件訂正発明１の構成（構成要件Ｇ）とすることまで，当業者にとって容易想到であるということはできない。


(3)原告らは，まず，相違点５に係る本件訂正発明１の構成要件Ｇは，「舵取機室を『吃水線より上方に位置させること』という手段により，緊急時にバラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」と解釈すべきこと，すなわち，「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」ことは，主観的利点を付加するものであって船舶の構成を具体的に限定するものではないことを前提に，検甲１発明において，バラスト水処理システムを舵取機室内に設け，かつ，舵取機室を吃水線より上方に位置させることは，周知技術に基づいて当業者が容易になしうることは，審決認定のとおりであるから，これにより，「緊急時にバラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成」することも，同様に当業者が容易に想到し得ると主張する。しかしながら，原告ら主張の構成要件Ｇの解釈が誤りであることは，前記１(3)のとおりであるから，原告らの主張は，その前提を欠き，理由がない。(4)また，原告らは，審決のように，構成要件Ｇについて，「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように」するための「具体的な構成」が必要であるとしても，その「具体的な構成」が，本件明細書に記載があるのと同視できる程度に当業者に自明である周知慣用手段であるというのであれば，洋上を航行する船舶において，緊急時における船外への排水という課題は周知の課題であるから，当業者は検甲１発明に当該周知慣用手段を適用することは容易に想到し得ると主張する。
しかしながら，構成要件Ｇの緊急排水用管路の具体的な構成が本件訂正明細書に記載があるのと同視できる程度に当業者に自明である周知慣用手段であるとされるのは，本件訂正明細書には，「本発明は，・・・舵取機室９が，船舶におけるバラスト水処理装置２０の最適な設置場所であることを見いだしたものである。」（【００３２】），「舵取機室９は，船舶の吃水線より上方に位置するため，緊急時においてはバラスト水を容易に船外へ排水できるという利点もある。」（【００３３】）と記載されており，これらの記載に接した当業者は，「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」という技術的事項を理解できるからである。
これに対し，相違点５の容易想到性の判断においては，甲１の２に接した当業者が，甲１の２の記載等に基づき，「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」という技術的事項を認識することができたかを検討する必要がある。
そして，舵取機室に設置したバラスト水処理装置が吃水線より上方に位置することを利用して，緊急時にバラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成することは，甲１の２に記載も示唆もされておらず，当業者にとって周知であったとも認められないことは，前記(2)のとおりである。また，原告らの引用する甲６４（財団法人日本海事協会発行「２００６鋼船規則    鋼船規則検査要領Ｄ編機関」）には，バラスト処理装置内のバラスト水の船外排出に関する記載はなく，緊急時にバラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水することが周知の課題であったことを認めるに足りる証拠はない。
そうすると，当業者が，検甲１発明において，「緊急時に前記バラスト水処理装置からバラスト水を船外に排水できるように構成する」ことを技術課題として認識していないわけであるから，その解決のための具体的な構成が周知慣用手段であるとしても，検甲１発明にこれを適用して相違点５に係る本件訂正発明１の構成とすることが容易想到であるということはできない。
原告らの主張は，理由がない。
(5)以上によれば，取消事由６（相違点５の判断の誤り）は，理由がないから，取消事由５（相違点２の判断の誤り）を判断するまでもなく，検甲１発明を主引例として本件訂正発明１の進歩性欠如を肯定することはできないとした審決の判断に誤りはない。
６取消事由７（本件訂正発明２ないし６に関する進歩性判断の誤り）について原告らは，審決の本件訂正発明１に係る相違点２及び５の判断は，取消事由５及び６のとおり，誤りであるから，本件訂正発明２ないし５に係る相違点２及び５の判断も誤りであると主張するが，前記５のとおり，取消事由６は理由がないから，その余の点を判断するまでもなく，検甲１発明を主引例として本件訂正発明２ないし５の進歩性欠如を肯定することはできないとした審決の判断に誤りはない。また，原告らは，審決の本件訂正発明１に係る相違点２及び５の判断は，取消事由５及び６のとおり，誤りであるから，本件訂正発明６に係る相違点２及び１３の判断も誤りであると主張する。しかしながら，前記５のとおり，取消事由６は理由がないから，相違点１３は，相違点５と同様に容易想到であるということはできない。したがって，その余の点を判断するまでもなく，検甲１発明を主引例として本件訂正発明６の進歩性欠如を肯定することはできないとした審決の判断に誤りはない。
以上によれば，取消事由７は，理由がない。
７結論
以上によれば，原告ら主張の取消事由は，いずれも理由がない。よって，原告らの請求を棄却することとして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
清水   節
裁判官
片岡早   苗
裁判官
古庄   研
（別紙）
当事    者目    録
原告         ジャパ   ンマリ   ン
ユナイ   テッド   株式会   社
原告         川崎重   工業株   式会社原告         佐世保   重工業   株式会   社原告         住友重   機械マ   リン
エンジニアリング株式会社
原告         内海造   船株式   会社原告         株式会   社名村   造船所
原告         函館どつく株式会   社
原告         三井造   船株式   会社原告         株式会   社新来   島どっ   く原告         常石造   船株式   会社原告         サノヤ   ス造船   株式会   社原告         株式会   社大島   造船所原告         今治造   船株式   会社原告         尾道造   船株式   会社
原告         株式会社ＪＭＵアムテック
原告         株式会   社臼杵   造船所原告         南日本   造船株   式会社
原告         四國ドツク株式会   社
原告         福岡造   船株式   会社原告         ＪＦＥエンジニアリング株式会社
原告         一般社団法人日本船主協会
原告ら   訴訟代理人弁護士         北原潤   一原告ら   訴訟代理人弁理士         加   藤   志麻子
中村佳   正
被告         三菱重   工業株   式会社被告         株式会   社日立   製作所被告ら   訴訟代理人弁護士         古城春   実
堀籠佳   典
被告ら   訴訟代理人弁理士         藤田考晴


主                    文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及   び理由
第１請求
被告が，原告に対する公正取引委員会平成▲年(判)第▲号私的独占の禁止及び公正取引の確保に関する法律の一部を改正する法律（平成１７年法律第３５号）附則第２条の規定によりなお従前の例によることとされる同法による改正前の私的独占の禁止及び公正取引の確保に関する法律（以下「独占禁止法」という。）に基づく課徴金納付命令審判事件について，平成２２年２月２４日付けでした審決のうち，１億１７１１万円を超えて課徴金の納付を命じた部分を取り消す。
第２事案の概要
１本件は，被告が，Ａ株式会社（以下「Ａ」という。）が他の事業者と共同してポリプロピレン（原料であるナフサの価格に連動して販売価格を設定する旨の契約を締結しているものを除く。）の販売価格の引き上げを決定し，相互にその事業活動を拘束することにより，公共の利益に反して，我が国におけるポリプロピレンの販売分野における競争を実質的に制限していたものであって，独占禁止法２条６項に規定する不当な取引制限に該当し，同法７条の２第１項に規定する商品の対価に係るものであり，同法３条に違反するとして，Ａを吸収合併した原告に対して課徴金１億４２１５万円の納付を命じる審決（以下「本件審決」という。）をしたのに対し，原告がその一部取消しを求める事案である。
２前提事実
(1)被告は，平成１９年８月８日，原告ほか２名の被審人に対し，Ａ及び被審人株式会社Ｂ（以下「Ｂ」という。）が，Ｃ株式会社（以下「Ｃ」という。），株式会社Ｄ（以下「Ｄ」という。），Ｅ株式会社（以下「Ｅ」という。），被審人Ｆ株式会社（以下「Ｆ」という。）及び被審人Ｇ株式会社(以下「Ｇ」という。）と共同して，平成１２年３月６日に，同年４月以降，ポリプロピレンの需要者向け販売価格を１キログラム当たり１０円をめどに引き上げることを決定した行為は，独占禁止法３条の規定に違反するものであり，かつ，当該行為は，既になくなっていると認めることなどを内容とする審決をした（公正取引委員会平成▲年(判)第▲号，以下「本案審決」という。）。
(2)本案審決において認定された事実は，次のとおりである。アポリプロピレンは，ナフサを分解・精製することによって生産されるプロピレンを重合して製造される合成樹脂であり，その用途は，日用品等広範囲に及んでいる。ポリプロピレンの市場規模は，平成１２年当時国産品約３２４０億円，輸入品約１８６億円の合計約３４２６億円であった。
イ平成１２年１月から５月までの当時，ポリプロピレンの製造販売業者として，Ａのほか，Ｆ（当時の商号Ｈ工業株式会社），Ｇ（当時の商号Ｉ株式会社），Ｂ，Ｃ（当時の商号Ｊ株式会社），Ｄ，Ｅが存在した（以下，上記７社を総称して「７社」という。）。
ウ当時の７社の市場占有率の合計は販売数量ベースで約９１パーセントであり，市場占有率第１位のＣ及び同第２位のＤの２社の国内販売における市場占有率の合計は販売数量ベースで約４５パーセントであった。エ７社は，ポリプロピレンをそれぞれ直接または販売業者を通じて需要者に販売しており，需要者の多くは７社のうち２社以上からポリプロピレンの供給を受けていた。ポリプロピレンの販売価格について，７社は，ほとんどの場合，直接又は販売業者を通じて需要者との間で価格交渉を行い，個別に需要者渡し価格を定めていた。
オポリプロピレンは，ナフサを分解して得られるプロピレンを原料としており，ナフサのコストがプロピレンのコストに占める割合が高く，かつ，プロピレンのコストがポリプロピレンのコストに占める割合が高いことから，ナフサの価格の動向がポリプロピレンのコストに大きな影響を及ぼす関係にあり，ナフサ価格が１キロリットル当たり１０００円上昇すれば，ポリプロピレンの価格を１キログラム当たり２円値上げする必要があるというのが，ポリプロピレンの製造販売業者における共通認識となっていた。７社は，販売するポリプロピレンの一部について一部の需要者との間で，あらかじめナフサ価格に連動して一定の算式の下にポリプロピレンの販売価格を設定する方式（以下「ナフサリンク方式」という。）による契約を締結している。
カ平成１２年当時，ポリプロピレン等の石油化学製品の製造業者の事業者団体として東京都千代田区α×番１号に事務所を置くＫ協会（以下「Ｋ協」という。）があり，７社はその会員となっていた。Ｋ協が製品別に設けている委員会として，７社の役員級の者を構成員とするポリプロピレン委員会があり，その下部機関として７社の営業部長級の者を構成員とするポリプロピレン委員会企画調査小委員会（以下「ポリプロピレン小委員会」という。）があった。
キポリプロピレン製造販売業者は，かねてから，各社の営業部長級の者らによる会合（以下「部長会」という。）を開催し，ポリプロピレンの販売に関する情報交換を行っていたところ，７社は，平成１１年１１月ころ以降，ポリプロピレン小委員会が開催される機会を利用して部長会を開催するようになり，ナフサ価格の先行きの見通し，ポリプロピレンの採算状況，ポリプロピレンの値上げの必要性等について協議していた。ク平成１２年１月２１日，Ｋ協においてポリプロピレン小委員会が開催された際，７社のうちＣを除く６社が出席して部長会が開催され，当時上昇が続いていたナフサ価格の見通し及びポリプロピレンの値上げの必要性について意見交換を行った。その内容は，Ｃの部長会構成員に対しても通知された。７社は，同年２月７日，部長会を開催し，現状のポリプロピレンの販売価格で採算がとれるナフサ価格の水準は１キロリットル当たり１万７０００円から１万８０００円とすることについて共通認識を得るとともに，以後，ポリプロピレンの値上げについて検討を行うこととした。部長会構成員は，その後，同年４月以降のナフサ価格の見通し及びポリプロピレンの値上げに関して意見交換を重ね，同年３月６日，Ｋ協において開催された部長会において，７社は，同年４月以降のナフサ価格は１キロリットル当たり２万２０００円から２万３０００円となる見通しであることにつき一致し，同月以降，ポリプロピレンの需要者向け販売価格を１キログラム当たり１０円をめどに引き上げることを合意した（以下「本件合意」という。）。


ケ７社のうちＥ及びＢを除く５社は，平成１２年３月１７日，Ｃ本社において部長会を開催し，その際，Ａは同年４月２１日出荷分からポリプロピレン価格を１キログラム当たり１０円から１５円の値上げ，Ｃは同月２１日出荷分から１キログラム当たり１０円の値上げ，Ｄは同月１５日出荷分から１キログラム当たり１０円から１５円の値上げ，Ｆは同月２０日出荷分から１キログラム当たり１０円の値上げを行うとの予定を表明し，Ｇの値上げの具体的日程は未定であった。５社は，各社が大手の需要者を分担し，それぞれ，責任をもってポリプロピレンの値上げ交渉を行うことを合意し，その内容は，当日部長会を欠席したＥ及びＢの部長会構成員にも伝えられた。
コ７社は，平成１２年３月２７日，東京都中央区内の飲食店において部長会を開催し，各社がそれぞれ責任を持って値上げ交渉を行う大手需要者を取り決めた。
サ７社は，平成１２年３月１７日から４月１１日にかけて，順次，対外発表又は需要者に対するポリプロピレンの値上げ交渉を開始してポリプロピレンの値上げを打ち出し，Ａは同年３月１７日に同年４月２１日からポリプロピレンの価格を１キログラム当たり１０円から１５円値上げする旨を公式発表した。７社は，値上げを打ち出すのと同時に，取引先販売業者及び需要者に対しポリプロピレンの値上げを行う旨を通告し，交渉を開始し，一部において値上げを実現した。
シ７社は，その間，平成１２年４月中に部長会を開催し，各社が交渉を担当する需要者に対する値上げ交渉の進捗状況について情報交換を行った。
ス平成１２年５月３０日，公正取引委員会が立入検査を行い，Ｅは同年９月５日ころ，Ｃは同月７日ころ，Ｄは同月２２日ころ，それぞれ，本件合意から離脱することを，他の参加各社に通知して表明し，さらに，Ｃは同年１０月２５日，取引先販売業者及び需要者に対し，本件違反行為から離脱した旨を通知した。その余の各社は，本件合意ないし本件違反行為から離脱する旨の外部的な意思表明を行っていないが，本件違反行為は５月３０日以降，遅くとも１０月２５日までに違反行為者全員についてなくなり，本件合意は消滅した。
セ原告は，平成１６年８月１日，Ａを吸収合併し，平成１７年４月１日，Ｍ株式会社と共同新設分割により株式会社Ｎを設立し，両社のポリプロピレン製造販売業を包括承継させ，その後，自らはポリプロピレンの製造販売業を営んでいない。
(3)以上の事実に基づき，本案審決は次のとおり判断した。独占禁止法３条において禁止されている不当な取引制限，すなわち，事業者が，他の事業者と共同して対価を引き上げる等相互に事業活動を拘束し，又は，遂行することにより一定の取引分野における競争を実質的に制限すること（独禁法２条６項）にいう，「共同して」に当たるためには，複数事業者が対価を引き上げるに当たって，相互の間に意思の連絡があったと認められることが必要であると解される。Ａらは，平成１２年１月２１日の部長会においてナフサ価格の高騰を背景に，同年４月以降のナフサ価格の見通し及びポリプロピレンの値上げについて部長会において検討していくこととし，これに基づき同年２月７日及び同月２１日の部長会において，当該値上げについて意見交換が行われ，同年３月６日の部長会後の同月１７日の会合において，各社の値上げのための社内手続の進捗状況，値上げの打ち出しの内容，対外発表時期等につき確認をし，同月２７日の会合において，各社が責任をもって値上げ交渉を行う需要者に対する分担を決める案を持ち寄ることとし，同日の会合においてその分担が決められ，その後，実際に値上げの交渉が行われた。これらのことからすると，同月１７日の会合までには，ポリプロピレンの値上げについてＡらの間に「意思の連絡」が既に存在していたと考えられ，Ａらが，同月６日の部長会において，相互にポリプロピレンの需要者向け販売価格の引き上げを実施することを認識ないし予測し，これと歩調をそろえる意思を有し，もって上記「意思の連絡」に当たる本件合意が成立した。
本件においては，ポリプロピレン（ナフサリンク方式により販売価格を決定しているものを除く。）全体で１個の「一定の取引分野」を形成している。
原告と株式会社Ｎとは別法人であって，原告がポリプロピレン製造販売業を実質的に営んでいるということはできず，原告について独占禁止法５４条２項にいう「特に必要があると認めるとき」には当たらない。(4)被告は，平成２０年６月２０日，原告に対し，独占禁止法４８条の２第１項の規定に基づき課徴金１億４２１５万円の納付を命じ，原告は，同月２６日，同条５項の規定に基づき審判手続の開始を請求し，被告は，独占禁止法４９条２項の規定により審判手続を開始した。
(5)原告は，同審判手続において要旨次のとおり主張した。アＡが，他の事業者と共同して，平成１２年３月６日に，同年４月以降，ポリプロピレンの需要者向け販売価格を1キログラム当たり１０円をめどに引き上げることを決定した事実は存在しない。
イＯは平成１６年８月１日以前はＡの全額出資子会社であったもの（同日以後は原告の全額出資子会社）であり，ＡのＯに対するポリプロピレンの売上げは，経理上売上げとしているものであっても同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るものであるから，Ｏに対する売上額１億９６７４万０４６７円は課徴金の算定の基礎となる売上額から控除されるべきである。
ウＰ株式会社（以下「Ｐ」という。）は平成１１年２月以降Ａの全額出資子会社となったもの（その後，原告の全額出資子会社）であり，ＡのＰに対する売上げは，経理上売上げとしているものであっても同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るものであるから，ＡのＰに対する売上額５２６万６０４４円は課徴金の算定の基礎となる売上額から控除されるべきである。


エＱ株式会社（以下「Ｑ」という。）は，Ａの全額出資子会社であるＯの製品の製造を受託し，その主要原料であるポリプロピレンについてＯから全量支給を受け，受託製造した製品はＯからＱに販売した原料価格に委託加工料を加えた価格でＯが全量引き取っており，Ｑ向けのポリプロピレンの売上げは，Ａの自家消費又は同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るものであるから，ＡのＯを通じてのＱに対する売上額３５９３万４７８０円は，課徴金の算定の基礎となる売上額から控除されるべきである。
オＲ株式会社（以下「Ｒ」という。）に対するＡからの合成樹脂の販売価格については，第三者に対する価格（国内ナチュラルプロパーの平均価格（Ｒ向け及び二次加工品を除く）の９０パーセントといった一定のフォーミュラに基づき自動的に設定されており，競争の余地の全くないもので，一般の需要者との間の販売価格決定方法とは全く異なっていたから，Ｒは実質的にＡの完全子会社と同視されて扱われていたものであり，ＡのＲに対するポリプロピレンの売上げは実質的にＡの加工部門への物資の移動と同視し得るものあるいは明示的又は黙示的にカルテルの対象から除外したか又はこれと同視し得る合理的な理由がある特段の事情が認められる場合に当たり，Ｒに対する売上額１億７９３５万４１６６円は課徴金の算定の基礎となる売上額から控除されるべきである。(6)これに対し，審査官は次のとおり意見を述べた。ア独占禁止法７条の２第１項は，「当該商品の実行としての事業活動」が行われた期間における「当該商品の（中略）売上額」を基礎として計算した額の課徴金の納付を命ずる旨規定している。「当該商品」とは，一定の取引分野における競争を実質的に制限する違反行為が行われた場合において，その対象商品の範ちゅうに属する商品であって，当該違反行為による拘束を受けたものをいう。対象商品の範ちゅうに属する商品については，当該行為を行った事業者又は事業団体が明示的又は黙示的に当該行為の対象からあえて除外したこと，あるいは，これと同視し得る合理的な理由によって定型的に当該行為による拘束から除外されていることを示す特段の事由がない限り「当該商品」に該当し，課徴金の算定対象に含まれると推定される。本件違反行為の対象商品は，ナフサリンク方式により販売価格を設定しているものを除く我が国において販売されるポリプロピレンである。また，資本関係のある事業者との取引に係る売上額が課徴金の算定対象から一律に除外されるものではない。イＡのＯ向け商品は，本件違反行為の対象商品の範ちゅうに含まれ，Ｏ向け商品は本件違反行為による拘束を受けており，本件違反行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情は存在しない。したがって，Ｏ向け製品の売上額は，課徴金の算定対象から除外されない。ウＰ及びＱは，ポリプロピレンの全量をＯから購入しており，両社を需要者とする取引は物流上はＡから両社に直接配送しているが販売先はＯである。したがって，Ｐ及びＱ向けに販売したポリプロピレンはＯ向け製品に含まれ，課徴金の算定対象となる。
エＲ向け商品は，本件違反行為の対象商品の範ちゅうに含まれ，本件違反行為による拘束を受けており，本件違反行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情は存在しない。したがって，Ｒ向け商品の売上額は，課徴金の算定対象から除外されない。
(7)審判官らは，平成２１年１２月１４日，原告に対し課徴金として１億４２１５万円を国庫に納付することを命ずる審決案を作成し，同審決案は，平成２２年１月５日原告に送達され，これに対し，原告が異議の申し立てをした。
３本件審決
被告は，平成２２年２月２４日，本件審決をした。その要旨は，次のとおりである。
(1)Ａは，他の事業者と共同してポリプロピレン（ナフサリンク方式による契約を締結しているものを除く。）の販売価格の引き上げを決定し，相互にその事業活動を拘束することにより，公共の利益に反して，我が国におけるポリプロピレンの販売分野における競争を実質的に制限していたものであって，これは独占禁止法２条６項に規定する不当な取引制限に該当し，同法３条の規定に違反するものであり，かつ，同法７条の２第１項に規定する商品の対価に係るものである（以下「本件違反行為」という。）。(2)Ａはポリプロピレンの製造販売業を営んでいた者であるが，平成１６年８月１日付けで原告との間で原告を存続会社として合併したことにより消滅し，Ａがした本件違反行為は独占禁止法７条の２第５項の規定により原告がした違反行為とみなされる。
(3)Ａが本件違反行為の実行としての事業活動を行った日は，平成１２年４月２１日である。Ａのその実行としての事業活動は，平成１２年５月２９日になくなっている（以下「本件実行期間」という。）。(4)本件実行期間における原告のポリプロピレンの売上額は，私的独占の禁止及び公正取引の確保に関する法律の一部を改正する法律（平成１７年法律第３５号）附則２条のなお従前の例によることとする規定により，私的独占の禁止及び公正取引の確保に関する法律施行令の一部を改正する政令（平成１７年政令第３１８号）による改正前の私的独占の禁止及び公正取引の確保に関する法律施行令（以下「独占禁止法施行令」という。）５条の規定に基づき算定すると，２３億６９２１万６５０２円である。そのうちＯに対するものは２億３７９４万１２９１円，Ｒに対するものは１億７９３５万４１６６円である。
(5)原告が納付すべき課徴金の額は，独占禁止法７条の２第１項の規定により，原告のポリプロピレンの売上額２３億６９２１万６５０２円に１００分の６を乗じて得た額から，同条４項の規定により１万円未満の端数を切り捨てて算出された１億４２１５万円である。
(6)原告には，本案審決に係る審判手続において本件違反行為の存否を争う機会が与えられており，被告は原告の主張立証を踏まえて本件違反行為の存在を認定して本案審決を行ったものである。このような場合には，課徴金に係る審判において重ねて違反行為の不存在を主張することは許されない。


(7)独占禁止法７条の２第１項所定の「当該商品」とは，違反行為の対象商品の範ちゅうに属する商品であって，当該行為による拘束を受けたものをいう。違反行為の対象商品の範ちゅうに属する商品については，当該行為を行った事業者又は事業者団体が明示的又は黙示的に当該行為の対象からあえて除外していたか又はこれと同視し得る合理的な理由によって定型的に当該行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情がない限り，当該行為による拘束を受けたものと推定し，課徴金の算定対象に含めるのが相当である。
(8)本件違反行為の対象商品はポリプロピレン（ナフサリンク方式による契約を締結しているものを除く。）であり取引先による限定は加えられていないから，Ｏ向け商品及びＲ向け商品は，本件違反行為の対象商品の範ちゅうに属する。Ｏ向け商品及びＲ向け商品が，本件違反行為の参加者らにおいて明示的又は黙示的に本件違反行為の対象からあえて除外したものに該当すると認めるべき証拠はない。
(9)Ｏは，Ａの全額出資子会社でその支配下にあった者であるが，Ａとは別個の法人格を有する者として，Ａから購入したポリプロピレンを原料として製造した製品を自ら需要者に販売していた者であり，Ａからの購入価格は，本件違反行為によるポリプロピレンの値上げ等と連動していた。かかる事情を総合考慮すると，Ｏ向け商品がその性質上客観的にみて本件違反行為の対象外のものであるとみることはできず，その売上げが同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るものということもできず，本件違反行為の参加者らにおいて明示的又は黙示的に本件違反行為の対象からあえて除外していたことと同視し得る合理的な理由によって定型的に当該行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情があると認めることはできない。
よって，Ｏ向け商品は本件違反行為による拘束を受けたものと推定され，独占禁止法７条の２第１項所定の「当該商品」に該当するものとして課徴金算定対象に含めるのが相当である。
(10)ＲはＡと密接な関係にあったが同社の完全な支配下にあったのではない上，同社から購入したポリプロピレンを原料として製造した製品を自ら需要者に販売していた者であり，かつ，Ａからの購入価格は本件違反行為によるポリプロピレンの値上げ等と連動していたという事情に照らせば，Ｒ向け商品について，本件違反行為の参加者らにおいて明示的又は黙示的に本件違反行為の対象からあえて除外していたことと同視し得る合理的な理由によって定型的に当該行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情があると認めることはできない。
よって，Ｒ向け商品は本件違反行為による拘束を受けたものと推定され，独占禁止法７条の２第１項所定の「当該商品」に該当するものとして課徴金算定対象に含めるのが相当である。
４争いのない事実等
本件審決は，本件違反行為に係る本案審決の後，本案審決と同一の当事者に対して本案審決において認定された本件違反行為に基づいてされた課徴金納付命令に関するものである。独占禁止法４８条の２第１項ただし書きは，違反行為について審判手続が開始された場合には，審判手続が終了した後でなければ課徴金の納付を命ずることができない旨を規定するところ，その趣旨は，違反行為の存否について争いがある場合，まず違反行為に関する事実の存否については判断を確定し，これを前提として課徴金の納付を命ずることにより，同一の違反行為について排除措置を命ずる手続と課徴金の納付を命ずる手続との間で違反行為の事実認定が不統一となることを防止し，同一の違反行為に関する審理の重複を回避するにあると解されるから，本件課徴金納付命令に関し，本案審決において認定された本件違反行為の存否を争うことはできないと解すべきであり，原告も，本件訴訟においては，これを争っていない。
独占禁止法施行令５条の規定に従い算定した本件実行期間における原告のポリプロピレンの売上額が２３億６９２１万６５０２円であり，そのうちＯに対する売上額が２億３７９４万１２９１円，Ｒに対する売上額が１億７９３５万４１６６円であることは，当事者間に争いがない。
５争点
(1)本件課徴金算定の基礎となる独占禁止法７条の１第１項による原告のポリプロピレンの売上額に，Ｏに対するポリプロピレンの売上額が含まれるか。
(2)同条項による原告のポリプロピレンの売上額に，Ｒに対するポリプロピレンの売上額が含まれるか。
６争点に関する当事者の主張
(1)原告の主張
ア総論
独占禁止法においては，法適用上，親子会社関係という経済的実質における組織的一体性に適合する解釈がなされるべきであり，経済的実質における組織的一体性を有する子会社であるＯやＲに対する商品の売り上げは，課徴金の対象となる売上額に該当しない。
本件課徴金算定の基礎となる原告のポリプロピレンの売上額は，本件実行期間における原告のポリプロピレンの売上額２３億６９２１万６５０２円からＯに係る売上額２億３７９４万１２９１円及びＲに係る売上額１億７９３５万４１６６円の合計４億１７２９万５４５７円を除外した１９億５１９２万１０４５円であり，課徴金の金額は，これに１００分の６を乗じて得た金額の１万円未満の端数を切り捨てた１億１７１１万円となる。
したがって，本件審決のうち，１億１７１１万円を超えて課徴金の納付を命じた部分は，独占禁止法７条の２第１項の解釈適用を誤り，課徴金を課すべき理由なくこれを課した違法があり，取消を免れない。
イ争点(1)について
(ア)Ｏは，Ａが開発した合成樹脂シート及びフィルム等の加工製品の製造工場として，昭和５９年１月１１日Ａの全額出資により設立され，平成１２年３月２９日，経営戦略・経営管理上の観点からＡの加工製品事業を営業譲渡する形で分社化し，合成樹脂加工製品の研究開発，製造及び販売を行っており，平成１６年８月１日，Ａが原告との間で原告を存続会社として合併し，同日以降，原告の全額出資子会社となるまでは，Ａの全額出資子会社であり，現在に至るまでその資本構成に変化はなく，その代表取締役は原告（Ａ）から派遣され，役員も全て原告（Ａ）の関係者で占められ，実質的にもＡの加工部門として位置づけられてきた会社にほかならない。


(イ)Ｏは本件違反期間中Ａの全額出資子会社であったものであり，このような全額出資子会社については，経理上ＡのＯに対するポリプロピレンの売上げとされているものであったとしても，同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るものであるから，独占禁止法７条の２第１項にいう「売上額」に当たらず，課徴金算定の基礎となる売上額から除外されるべきである（公正取引委員会昭和５９年２月２日審決・公正取引委員会審決集３０巻５６頁参照）。(ウ)Ｏは，Ａの加工部門として位置づけられている全額出資子会社であり，もっぱら同社から原材料としてのポリプロピレンの支給を受け，これを原料に合成樹脂加工製品を製造し，当該製品を一般需要者に販売している。したがって，ＡがＯを隠れ蓑にして市場にポリプロピレンを出荷している関係にもなく，同社に対する売上げを課徴金の対象となる売上げとしなければ不当に課徴金を免れることになることもない。
(エ)Ｏ向けのポリプロピレンが独占禁止法７条の２第１項に規定する「当該商品」に該当するかとの観点からみても，対象商品の範ちゅうが，違反行為の内容に応じ，商品の種類，取引地域，取引段階，取引相手方等の要素により画定されることは被告が認めており，全額出資子会社は，ここでいう「取引先」に該当するものでなく，同社に対する販売も実質的に支給であって「取引」に該当せず，全額出資子会社であるＯ向けのポリプロピレンは，そもそも違反行為の対象商品の範ちゅうに属しないか，少なくとも「定型的に当該行為による拘束から除外されることを示す特段の事情」がある。
(オ)本件違反行為の内容とされているのは，「ポリプロピレンを１キログラムあたり１０円をめどに値上げを行うことの合意」による相互拘束であるから，かかる相互拘束の対象となるのは，値上げを行うことについての交渉を行うことができ，その必要性がある取引であり，そのような取引先向けの「当該商品」である。そのような余地，必要性のない，全額出資子会社であり一定のフォーミュラに基づき自動的，機械的に設定されていたＯ向けのポリプロピレンについては，被告のいう「違反行為の対象商品の範ちゅう」に属しない。Ｏについて，大手需要家向け販売価格（一定期間の実績値）の９０パーセントという販売価格の決定方式を取っているのは，実質的にはＡの加工部門であるＯへのポリプロピレンの原料支給でありながら，経理上売り上げの形を取らざるを得ないポリプロピレンの販売について何らかの販売価格の設定をするに当たり，廉価に販売し実質的に子会社への原料支給とするためという，親子会社関係ゆえの政策的な観点から設定された価格決定方法にすぎず，通常の取引先との取引関係に基づく価格決定方法とは，質的に全く異なるものであり，本件違反行為の実施に伴って価格改定が行われることを企図したものでなく，そのような趣旨，性質のものでもない。また，全額出資子会社が親会社から購入できるポリプロピレンを，親会社から１００パーセント購入することは当然のことであり，親会社以外のポリプロピレンメーカーから購入することは現実的にあり得ないから，そのような全額出資子会社向けのポリプロピレンは定型的に違反行為による拘束から除外されている類型に当たる。Ｏについては，当初から競争が行われる分野でなく，カルテル行為による不当な経済的利得を剥奪することによって，違反行為の抑止を図り，その実効性を確保するという課徴金制度の趣旨は当てはまらない。
(カ)なお，被告は，「流通・取引慣行に関する独占禁止法上の指針（付）親子会社間の取引」（以下「指針」という。）において，「事業者」（親会社）が他の事業者（子会社）の株式を所有している場合に，親子会社間の取引が不公正な取引方法による規制の対象となるか否かについて，「親会社が株式の１００パーセントを所有している子会社の場合には，通常，親子会社間の取引は実質的に同一企業内の行為に準ずるものと認められ，親子会社間の取引は，原則として不公正な取引方法による規制を受けない。親会社の株式所有比率が１００パーセントに満たない子会社（原則として株式所有比率が５０パーセント超）の場合についても，親子会社間の取引が実質的に同一企業内の行為に準ずるものと認められるときには，親子会社間の取引は，原則として不公正な取引方法による規制を受けない。」としており，１００パーセント子会社の場合を含め，親子会社間の取引が，実質的に同一企業内の行為に準ずるものと認められる場合があることを認めている。
指針が独占禁止法７条の２第１項の解釈にただちに準用されるものでないとしても，その基礎にある考え方においては，親子会社に関して経済的実質の観点を踏まえた解釈，運用を行っていることに変わりはなく，その基礎にある考え方は，課徴金賦課の問題においても共通するというべきである。
ウ争点(2)について
(ア)     Ｒは，   昭和５   ４年５   月２６   日，Ａ   とＳ株   式会社   （当時   ，以下「Ｓ」という。）の均等出資により設立され，複合樹脂材料の開発，生産，販売を行う会社であり，その資本構成は設立以来変化がなく，Ｒの代表取締役は，設立時から一貫してＡから派遣され，取締役，監査役については各２分の１の人数をＡ及びＳから出していた。Ｒの取り扱う複合樹脂はポリオレフィン（ポリプロピレンとポリエチレンの総称）等の合成樹脂を主要原料としており，ＡとＳ間の昭和５４年５月７日付け「合弁会社設立に関する基本契約書」（以下「合弁基本契約書」という。）の定めにより，Ｒ向けの合成樹脂については，Ａが供給責任を負い，市場競争力ある価格及び条件で供給するものとされており，Ｒはポリプロピレン等の合成樹脂については全量Ａから購入し他社から購入することはなく，ＲについてＡと競合しようとするメーカーもなかった。
(イ)Ｒに対するＡからの合成樹脂の販売価格については，合弁基本契約書を踏まえ，常に第三者に対する市場価格より優遇した価格とするため，Ｒ向けに販売したポリプロピレンと加工品である樹脂製品を除いたＡのナチュラル品のポリプロピレンの平均単価に０．９を乗じた金額がＲ向けのポリプロピレンの単価になるという形で予め一定のフォーミュラが設定され，かかるフォーミュラに基づき四半期ごとに直前四半期の実績に基づいて自動的，機械的に設定されていたものであり，当該販売価格についてＲとＡとの間で個別に価格交渉が行われることはなかった。


本件において，需要者との価格をナフサリンク方式で決定している売上げは課徴金の対象から除外されているが，Ｒ向け販売価格については，一般需要者に対して値上げを依頼するか否かにかかわらず，また，一般需要者に対する値上げ交渉の時期如何にかかわらず，さらに，一般需要者に対する関係で現実に値上げを実施できたか否かにかかわらず，四半期毎に定期的に過去の実績値に基づいて自動的に販売価格が決まり，一定のフォーミュラに従って自動的，機械的に価格が決まるという点で，ナフサリンク方式とＲに対する売上げとで何ら差異はなく，Ｒ向けのポリプロピレンの売上げは課徴金の対象となる売上額から除外されるべきである。
(ウ)Ｒ向けのポリプロピレンの販売価格の決定方法は，一般の需要者との間の販売価格の決定方法とは全く異なっており，Ｒはポリプロピレンに関して実質的にＡの完全子会社と同視されて取り扱われていたものであり，ＡのＲに対するポリプロピレンの販売は，Ａの加工部門への物資の移動又は同一事業者内での供給の延長と位置づけられていた。また，ＲがポリプロピレンをＡから１００パーセント購入することも当然のことであって，同社以外の事業者からポリプロピレンを購入することは現実的にあり得ない。
(エ)本件で違反行為とされているカルテル行為は，交渉等により取引先に対して値上げを行いたいとする場合に，１社単独で取引先と交渉するのでは交渉力が弱く実現性に困難が生じることから，当該市場の主だった市場占有率を占める複数社間で合意をして，その相互拘束の下，共同して値上げ交渉を遂行することにより値上げを実現しやすくする行為が問題とされるものである。本件違反行為において，違反行為者の間で本件合意により相互拘束の対象となっているのも，これから交渉により値上げを行おうとする取引先に販売するポリプロピレンであることは明らかである。Ｒに対する販売価格の決定方法は，違反行為に基づいてその相互拘束力を背景に一般の需要者に対すると同様に値上げの実現に向けて行動していくという関係に立つものではなく，一般の需要者と同様に本件違反行為の実施に連動して値上げが行われる取引関係でもなく，個別の交渉により販売価格を決定し販売する一般の需要者との取引関係とは質的に大きく異なっていた。すなわちＲに関しても，当初から競争が行われ得る分野ではなかったものであり，同社向けのポリプロピレンは，「明示的又は黙示的にカルテルの対象から除外したかまたはこれと同視し得る合理的な理由がある特段の事情が認められる場合」に当たることは明らかであり，Ｒに対する売上額は，課徴金の算定の基礎となる売上額から控除されるべきものである。
(2)被告の主張
ア総論
(ア)Ａは，他の事業者と共同してポリプロピレンの販売価格の引き上げを決定し，相互にその事業活動を拘束することにより，公共の利益に反して我が国におけるポリプロピレンの販売分野における競争を実質的に制限していたものであって，独占禁止法２条６項に規定する不当な取引制限に該当し，同法３条の規定に違反するものであり，同法７条の２第１項に規定する商品の対価に係るものである。Ａはポリプロピレンの製造販売業を営んでいたものであるが，平成１６年８月１日付けで原告との間で原告を存続会社として合併したことにより消滅し，同法７条の２第５項の規定によりＡがした違反行為は，原告がした違反行為とみなされる。
(イ)独占禁止法７条の２第１項は，事業者が商品の対価に係る不当な取引制限をしたときは，事業者に対し，当該行為の実行としての事業活動が行われた期間における「当該商品」の売上額を基礎として計算した額の課徴金の納付を命ずる旨を規定している。
「不当な取引制限」とは，同法２条６項において「業者が（中略）他の事業者と共同して（中略）相互にその事業活動を拘束し，又は遂行することにより，公共の利益に反して，一定の取引分野における競争を実質的に制限すること」をいうから，同法７条の２第１項にいう「当該商品」とは，「当該行為」，すなわち一定の取引分野における競争を実質的に制限する違反行為が行われた場合において，違反行為である相互拘束の対象とされた商品全体である。そして，対象商品の範ちゅうに属さない商品は「当該商品」に該当しないのはいうまでもないから，独占禁止法７条の２第１項所定の「当該商品」とは，違反行為の対象商品の範ちゅうに属する商品であって，当該行為による拘束を受けたものをいうと解される。また，対象商品の範ちゅうは，違反行為の内容に応じ，商品の種類，取引地域，取引段階，取引相手方等の要素によって画定されるものであるところ，これらの要素によって画定された対象商品の範ちゅうに属する商品については，当該違反行為による拘束を受け，定性的に違反行為の影響が及ぶものであるから，原則として当該範ちゅうに属する商品全体が課徴金の算定対象となる。したがって，違反行為の対象商品の範ちゅうに属する商品については，当該行為を行った事業者が明示的に又は黙示的に当該行為の対象から除外したこと，あるいは，これと同視し得る合理的な理由によって定型的に当該行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情がない限り，当該行為による拘束を受けたものと推定し，当該商品に該当するものとして課徴金の算定対象に含めるのが相当である。


(ウ)また，親会社と子会社は，あくまで別の法人格を有するのであるから原則としてそれぞれ独立した別個の事業者と解するべきであり，違反行為を行った事業者（親会社）が，違反行為の対象となった商品を子会社に対して販売した場合であっても，課徴金の算定の基礎となるべき当該商品の売上額は，違反行為を行った事業者の当該商品に係る売上額を意味し，当該事業者に当該商品に係る売上げが発生している以上は，この売上げは「当該商品」の売上額に該当し，課徴金算定の基礎となる売上げとなることは，条文上明確であり，親子会社間の取引か否かは「当該商品」の売上額にかかる認定に影響を与える関係にはない。そもそも，独占禁止法の定める課徴金の制度は，カルテルの摘発に伴う不利益を増大させてその経済的誘因を小さくし，カルテルの予防効果を強化することを目的として設けられたものであり（最高裁平成１４年（行ヒ）第７２号平成１７年９月１３日第三小法廷判決・民集５９巻７号１９５０頁），独占禁止法７条の２は，課徴金の算定について，違反行為の実行期間における対象商品の又は役務の売上額に一定率を乗ずる方法を採用していることに照らすと，親子会社間の取引を課徴金の対象から除外すべきと解する根拠はない。(エ)本件審決において認定された本件違反行為の対象商品はポリプロピレンであり，その取引先による限定は加えられていないのであるから，Ｏ向け商品及びＲ向け商品は，いずれも本件違反行為の対象商品の範ちゅうに属する商品である。また，Ｏ向け商品及びＲ向け商品について，本件違反行為の参加者らが，明示的又は黙示的に本件違反行為の対象からあえて除外したという事情は認められないから，Ｏ向け商品及びＲ向け商品が定型的に本件違反行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情の有無が問題となるが，Ｏ向け商品及びＲ向け商品について，そのような事情も認められないから，これらの商品については，本件違反行為による拘束を受けたものと推定し「当該商品」に該当するものとして課徴金算定対象に含めるべきである。
イ争点(1)について
(ア)本件では，ＡがＯに販売したＯ向け商品が違反行為の対象となったポリプロピレンに該当する以上，違反行為者間の明示又は黙示の合意によってＯ向け商品が本件違反行為の対象から除外された等のＯ向け商品が違反行為の拘束を受けたものではないことをうかがわせる特段の事情が存在しない限り，Ｏ向け商品に係る売上げは「当該商品」の売上げに該当すると解すべきところ，ＡとＯが親子会社であったとの事情の存在のみでは，上記特段の事情に該当するものとはいえない。むしろ，本件では，Ｏ向け商品の価格は，本件違反行為によるポリプロピレンの値上げ等と連動していたというのであるから，Ｏ向け商品が本件違反行為の対象となるものであったことは明らかである。
仮に，対象商品に係る取引が同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得る場合には，「当該商品」の売上額には該当しないと解するとしても，同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るか否かは，対象となった商品の販売先が，その商品を原料として別の商品に加工し，加工された商品を当該販売先自ら需要者に販売するか否か等の諸事情を総合考慮した上で判断されるものであり，違反行為の対象となった商品の販売相手が全額出資子会社か否か，又は，子会社が親会社の支配下にあったか否かの事実のみによって判断されるものではない。本件では，そもそも，Ｏは，Ａから購入したポリプロピレンを原料として製造した商品を自ら需要者に販売していたのであり，販売としての事業活動を実施していたのであるから，上記場合にも該当しないことは明らかである。(イ)以上の事情によれば，Ｏ向け商品が，本件違反行為の参加者らが明示的又は黙示的に当該行為の対象からあえて除外していたことと同視し得る合理的な理由によって定型的に当該行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情があると認めることもできない。
(ウ)ナフサリンク方式は，原料であるナフサの価格に連動して販売価格を設定する旨の契約によるものであり，本件違反行為の実施に伴って価格改定が行われるようなものでないのに対し，Ｏ向け商品の販売価格の決定方法は，Ｏが製造販売するフィルム，シート及び不織布の３分野ごとに，Ａの販売するポリプロピレンに係る代表的な大手需要者としてあらかじめ定められた者向けのポリプロピレンの販売単価の９０パーセントとすることとされていたのであり，本件違反行為によるポリプロピレンの値上げ等が行われた場合には，Ｏ向け商品の販売価格もそれと連動して値上げ等される関係にあった。したがって，Ｏ向け商品の販売価格の決定方法は，本件違反行為の影響を受けるという点でナフサリンク方式と全く異なるものであり，販売価格の決定方法によって，Ｏ向け商品が定型的に本件違反行為による拘束から除外されていることを示す特段の事情は認められない。
(エ)原告は，Ｏに対する販売価格が，平均的市場価格より優遇された価格であって，Ｏは実質的にＡからポリプロピレンの支給を受けていたといえ，ＯがＡ以外の他の事業者からポリプロピレンを購入することが現実にあり得ず，Ｏ向け商品は当初から競争が行われる分野ではなかったから，定型的に違反行為による拘束から除外されていると主張する。しかし，Ｏに対する取引が経理上売買の形をとっている以上，ＯがＡからポリプロピレンの支給を受けていたとはいえず，ＯがＡ以外の業者からポリプロピレンを購入する可能性が否定されるわけではないから，Ｏ向け商品が，競争が行われる分野でなかったとはいえず，原告の主張は失当である。
(オ)Ｏがポリプロピレンを加工等せず単純に転売している事実はなくＡがＯを隠れ蓑にして市場にポリプロピレンを出荷している関係にないことは，Ｏ向け商品の売上げを課徴金の算定対象とするか否かとは関係がない。
(カ)原告の援用する公正取引委員会昭和５９年２月２日付け審決は，全額出資の子会社に対する取引であることのみによってその売上げを課徴金算定の基礎から一律に除外するのではなく，個々の事案ごとに他の事情も勘案して課徴金算定の基礎から除外するか否かを判断する立場をとっているものと解され，ＯがＡの全額出資子会社であることのみをもって，Ｏ向け商品の売上げが課徴金算定の基礎から除外されるべきであるということはできない。


(キ)「指針」に関しては，「事業者は不公正な取引方法を用いてはならない。」と規定されている(独占禁止法１９条）ところ，親会社と子会社は，あくまで別の法人格を有する以上，別の事業者として独占禁止法が適用されるのであり，親会社と子会社を一体のものと見て，一体としての親子会社を一つの事業者として独占禁止法が適用されるわけではない。しかしながら，子会社は，法人格としては別に存在していても，独立の取引単位としての機能を有していない場合があり，親会社が，その製品を子会社を通じて販売するに際して，子会社に対し，子会社がその取引先に販売すべき価格を指示する場合等，親子会社間の行為が，独占禁止法の保護目的である「競争」に影響を及ぼすものでない場合があるが，そのような場合にも，親子会社はそれぞれ別の事業者であるとの前提に立って，親子会社間の行為に不公正な取引方法に係る規定を機械的に当てはめると，外形上不公正な取引方法として禁止される行為に該当するかのように見える場合がある。このような場合は，原則として，不公正な取引方法による規制を受けないことを明確化したものである。「指針」は一定の親子会社間の取引は，その実態を考慮して不公正な取引方法の規制の対象とならないことを明確にしたものにとどまり，その適用は不公正な取引方法の対象となる親子会社間の取引の局面に限定される。ただし，親会社が子会社以外の取引先に対しても，子会社と同様の制限を課している場合には，全額出資子会社の場合であっても，当該子会社に対しても一取引先事業者として制限を課していると認められるから，不公正な取引方法による規制の対象となる。不公正な取引方法以外の独占禁止法違反行為には，「指針」の考え方は，そのまま適用されるものではなく，例えば不当な取引制限について，親子会社又は兄弟会社間のみで不当な取引制限行為を行っている場合に，これら事業者の間で不当な取引制限が成立しているとみるべきか否かは，個々の事案の具体的な事情に応じて実態に即した事実認定がなされるのであり，親子会社間取引について一律に同一企業内の行為に準ずるものとする運用を行っている事実はない。
ウ争点(2)について
(ア)ナフサリンク方式は原料であるナフサの価格に連動して販売価格を設定する旨の契約によるものであり，本件違反行為の実施に伴って価格改定が行われるようなものでないのに対し，Ｒ向け商品の販売価格は，Ａが販売する「ナチュラル品」と呼ばれるポリプロピレン（ただし，Ｒ向けのものを除く。）の平均単価の９０パーセントとすることとされ，平均単価にはナフサ連動や輸入品価格連動によるものもすべて含まれており，ＡとＲとの間であらかじめ一定の指標を決め，これを基準として計算方式を定めてそれに基づく四半期ごとに前四半期の実績値に基づき自動的，機械的に販売価格を設定していたとしても，本件違反行為によるポリプロピレンの値上げ等が行われた場合には，Ｒ向け商品の販売価格もそれと連動して値上げ等される関係にあったのであり，本件違反行為の影響を受けるという点で，ナフサリンク方式と全く異なるものである。企業間の商品取引における販売価格の設定方法としては様々なものがあり得るところ，その一つとしてＲ向け商品の販売価格の設定方法が，一般の需要者と異なり，一定の計算式によって自動的に定まる方法が採用されていたからといって，ＡとＲとの間の取引関係がＡと他社との間の取引関係と質的に異なるものであったとはいえない。一般の需要者のようにＡとＲとの間で個別の価格交渉等が行われなかったとの点についても，一定の計算式によって自動的に定まる販売価格の設定方法が採用されていたことの結果にすぎず，これが，両社間の取引関係がＡと他社との間の取引関係と質的に異なるものであった根拠にはならない。
(イ)Ｒが，ＡとＳとの均等出資により設立され，Ｒの代表取締役は一貫してＡから派遣され，Ｒの取締役，監査役はそれぞれＡとＳから各２分の１の人数を派遣しているとしても，Ｒは，Ａと別個の法人格を有するものとして，Ａから購入したポリプロピレンを原料として製造した製品をＡではなく他の需要者に販売していた者であることから，Ｒに対する取引について同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るものということはできない。(ウ)原告は，合弁基本契約書の定めにより，Ｒ向けの合成樹脂についてはＡが供給責任を負い，かつ，市場競争力ある価格及び条件で供給するものとされており，Ｒはポリプロピレン等の合成樹脂については，全量Ａから購入し，他社から購入することはなく，ＲについてＡと競合しようとするメーカーはなかった旨主張する。しかし，合弁基本契約書に，Ｒ自身の原料調達に何らかの制約を課す条項はなく，また，ＡのＲ向けポリプロピレンの販売価格は，「ナチュラル品」と呼ばれるポリプロピレンの９０パーセントとすることとされていたところ，それが他のポリプロピレン製造業者から提示されることがあり得ないほどの低価格であったとはいえず，その他の事情を考慮しても，Ｒにおけるポリプロピレンの仕入れについて，およそＡ以外の業者が参入する余地が全くなかったとはいえないのであるから，原告の主張は失当である。
第３当裁判所の判断
１課徴金算定の対象となる商品について
独占禁止法の定める課徴金の制度は，昭和５２年法律第６３号による独占禁止法改正において，カルテルの摘発に伴う不利益を増大させてその経済的誘因を小さくし，カルテルの予防効果を強化することを目的として，既存の刑事罰の定めやカルテルによる損害回復をするための損害賠償制度に加えて設けられたものであり，カルテル禁止の実効性確保のための行政上の措置として機動的に発動できるようにしたものである（前掲最高裁判所平成１７年９月１３日第三小法廷判決）。
独占禁止法７条の２第１項は，事業者が不当な取引制限で，商品の対価に係るものをしたときは，実行期間における当該商品の政令で定める方法により算定した売上額に１００分の６を乗じて得た額に相当する額の課徴金を国庫に納付することを命じなければならないものと定めており，これを受けて独占禁止法施行令５条は，その売上額の算定方法を，いわゆる引渡基準により実行期間において引き渡した商品の額を合計する方法によることとし，ここから控除すべきものとして，同条１号ないし３号の場合だけを明文で掲げており，同６条は，引渡基準によって売上額を算定すると事業活動の結果と著しい差異を生じる事情があると認められるときは，例外としていわゆる契約基準によることとし，実行期間において締結した商品の販売に係る契約により定められた対価の額を合計する方法とすると定め，その場合の合計額から控除するものとして同５条３号だけを準用している。以上によれば，独占禁止法は，課徴金の算定方法を具体的な法違反による現実的な経済的不当利得そのものとは切り離し，売上額に一定の比率を乗じて一律かつ画一的に算出することとして，カルテル禁止の実効性確保のための行政上の措置として機動的に発動できることを図ったものと解すべきである。


そして，独占禁止法７条の２第１項にいう「当該商品」とは，違反行為である相互拘束の対象である商品，すなわち，違反行為の対象商品の範ちゅうに属する商品であって，違反行為である相互拘束を受けたものをいうと解すべきであるが，上記のような課徴金制度の趣旨及び課徴金の算定方法に照らせば，違反行為の対象商品の範ちゅうに属する商品については，一定の商品につき，違反行為を行った事業者又は事業者団体が，明示的又は黙示的に当該行為の対象から除外するなど当該商品が違反行為である相互拘束から除外されていることを示す事情が認められない限り，違反行為による拘束が及んでいるものとして，課徴金算定の対象となる当該商品に含まれ，違反行為者が，実行期間中に違反行為の対象商品の範ちゅうに属する商品を引き渡して得た対価の額が，課徴金の算定の基礎となる売上額となると解すべきである。
２争点(1)について
(1)Ｏは，Ａが資本の全額を出資して昭和５９年１月１１日に設立され（当時の商号「Ｔ株式会社」），設立以来，ポリプロピレンを原料としたフィルム，シート等の合成樹脂製品の製造を行っており，設立以来，ＯとＡとの間の資本関係に変化はなく，平成１６年８月，Ａが原告に吸収合併されて以後は，原告の全額出資子会社となった。Ｏの役員は全員がＡからの出向又は兼任であった。当初，Ｏは，Ａからポリプロピレンの提供を受け，それを製品に加工してＡに納入し，Ａが需要者に販売する委託加工取引関係にあり，ＯはＡから委託加工費を得ていたが，平成１２年４月，Ａの加工製品事業を譲り受け，同月から，Ａとの間の委託加工契約を解消し，ＯがＡからポリプロピレンを購入してフィルム等の製品を製造し自ら需要者に販売する取引形態となり，ＯとＡとの取引関係は委託加工契約取引関係から売買契約取引関係へと変更された。
平成１２年当時，ＯのＡからのポリプロピレンの購入単価は，Ｏが製造販売するフィルム，シート，不織布の各製品の分野ごとに，Ａが原料であるポリプロピレンを販売する代表的な大手需要者として定めた者向けの販売単価の９０パーセントに相当する価格とすることが定められており，Ｏが，Ａ以外の事業者からポリプロピレンを購入することはなかった。（査第１号証，審第１ないし３号証，第１９号証）
(2)本件違反行為は，Ａが，他の事業者と共同してポリプロピレン（ナフサリンク方式による契約を締結しているものを除く。）の販売価格の引き上げを決定し，相互にその事業活動を拘束することにより，公共の利益に反して，我が国におけるポリプロピレンの販売分野における競争を実質的に制限していたというものであり，その対象となる商品は，ナフサリンク方式による契約を締結しているものを除くポリプロピレン全体である。そして，ＡがＯに対して販売したのはポリプロピレンであってその商品の範ちゅうに含まれ，本件違反行為を行った事業者が，特に，Ｏへ販売した商品を本件違反行為の対象から除外した事実は認められず，これが本件違反行為である相互拘束から除外されていることを示す事情も認められない。(3)ア原告は，ＯがＡの全額出資子会社であり，このような全額出資子会社については，経理上ＡのＯに対するポリプロピレンの売上げとされているものであったとしても，同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るものであるから，Ｏ向けのポリプロピレンは，そもそも違反行為の対象商品の範ちゅうに属しないか，少なくとも「定型的に当該行為による拘束から除外されることを示す特段の事情」があり，独占禁止法７条の２第１項にいう「売上額」に当たらず，課徴金算定の基礎となる売上額から除外されるべきであると主張する。
しかしながら，Ｏは，Ａの全額出資の子会社であるとはいえ，違反行為者であるＡとは別個の法人格を有し，法律上も独立の取引主体として活動しているものである以上，そのような子会社に販売した商品が違反行為の対象である商品から除外されているものと認めることはできない。もっとも，全額出資子会社に対する商品の販売が，同一企業内における加工部門への物資の移動と同視し得るような事情が存在する場合には，そのような子会社へ販売した商品が，違反行為の対象となる商品から除外され，その商品の売上額が，課徴金算定の基礎となる売上額から除外されると解すべき余地はある。
しかし，本件において，Ｏは，平成１２年４月までは，Ａからポリプロピレンの提供を受け，それを製品に加工してＡに納入してＡが需要者に販売する委託加工取引関係にあったものの，平成１２年４月から，Ａとの間の委託加工契約を解消し，本件実行期間においては，Ａから購入したポリプロピレンを原料として製造した製品を，自ら需要者に対して販売していたことに照らすと，ＯをＡの同一企業内における加工部門と同視し得るような事情は認められない。また，Ｏに対するポリプロピレンの販売単価が大手需要者に対する販売単価の９０パーセントに相当する価格とする算定方法により決定されていたことも，Ｏが，取引条件において優遇されていたことをうかがわせるものの，そのことから，ＯがＡの同一企業内における加工部門と同視し得るような事情があるとは認められず，他に，上記事情の存在を認めるに足りる証拠はない。
イまた，原告は，ＡのＯに対するポリプロピレンの販売単価が，大手需要者に対する販売単価の９０パーセントという決定方式により自動的，機械的に設定され，ＯがＡとポリプロピレンの販売価格について交渉する関係にはなく，そのような販売価格の決定方法が，通常の需要者向けの販売価格の決定方法と質的に全く異なるものであり，また，ＯがＡ以外からポリプロピレンを購入することはあり得ないから，Ｏ向けのポリプロピレンの販売は，競争が行われる取引分野には当たらず，Ｏ向けのポリプロピレンは，定型的に違反行為による拘束から除外されていると主張する。しかしながら，Ｏに対するポリプロピレンの販売単価の決定方法が上記のようなものであるとしても，本件違反行為によりＡの事業活動が相互拘束を受けた結果，一般の需要者に対するポリプロピレンの販売価格が値上げされた場合には，そのうちの大手需要者に対する販売単価の９０パーセントに相当する価格と定められていたＯへ販売するポリプロピレンの単価も自動的に値上げされる結果となることに照らすと，Ｏ向けのポリプロピレンが，本件違反行為による拘束から除外されていることを示す事情は認められない。


また，Ｏは，前判示のように法律上独立の取引主体であり，Ａの全額出資の子会社であることから，当然にＡ以外の事業者からポリプロピレンを購入することができないものとすべき理由はなく，それ以外に，Ａ以外の事業者からのポリプロピレンの購入を法律上，あるいは契約上禁じられていたことを認めるに足りる証拠もない。したがって，Ｏ向けポリプロピレンの販売が，競争の行われる余地のない分野での行為であるということもできない。
ウなお，原告は，「指針」が，親子会社間の取引が実質的に同一企業内の行為に準ずるものと認められる場合があることを認めており，その基礎にある考え方は，課徴金の賦課についても共通するものであると主張する。
しかしながら，「指針」は，親子会社間における取引が不公正な取引方法による規制の対象となるか否かに関するものであり，不当な取引制限のある場合について当然に適用されるべきものではない。そして，子会社が親会社の同一企業内の加工部門と同視し得るような場合に，親会社が子会社に販売した商品が，違反行為の対象となる商品から除外されていると解すべき余地があるが，ＡとＯとの関係は，そのような場合には当たらないことは前判示のとおりである。
エ原告の主張はいずれも採用することができない。
３争点(2)について
(1)Ｒは，Ａが５０パーセント，Ｓが５０パーセントを出資して昭和５４年５月に設立され，合成樹脂製品の複合材料の製造販売を行っており，その購入するポリプロピレンの全量を，原則としてＡから購入していた。Ｒ設立に当たり，ＡとＳとの間において，合弁基本契約書が締結され，Ａ及びＳからＲの取締役を各同数，代表取締役各１名，監査役各１名を選出すること，ＡはＲに対しその製品製造に適する合成樹脂を市場競争力ある価格及び条件で供給するものとすることなどが定められ，Ｒの役員はＡ及びＳから各半数ずつが派遣されていた。
ＡがＲに販売するポリプロピレンは，ナチュラル品と呼ばれるポリプロピレンであり，平成１２年当時のＡのＲ向けポリプロピレンの販売単価は，Ａが販売するすべてのナチュラル品（Ｒ向けを除く。）の平均単価の９０パーセントに設定することが決められており，四半期が終了するごとに実績を把握し，次の四半期に適用される単価が自動的に改定されていた。ＲがＡ以外の事業者からポリプロピレンを購入することは原則としてなかったが，顧客からの要望により，Ａにはないグレードのポリプロピレンを少量購入することはあった。（査第１号証，第２号証，審第１０ないし１４号証，第１９号証，第２０号証）
(2)本件違反行為は，第２の２(2)判示のとおりであり，その対象となる商品は，ナフサの価格に連動して自動的に販売価格を設定する旨の契約を締結しているものを除くポリプロピレン全体である。そして，ＡがＲに対して販売したのはポリプロピレンであってその商品の範ちゅうに含まれ，本件違反行為を行った事業者が，特に，Ｒへ販売した商品を本件違反行為の対象から除外した事実は認められず，これが本件違反行為による拘束から除外されていることを示す事情も認められない。
(3)ア原告は，Ｒ向けのポリプロピレンの販売単価の決定方式が上記のようなものであり，ＲとＡとの間においてポリプロピレンの販売単価について交渉が行われることはなく，一定の算定方法に従って自動的，機械的に価格が決定される点で，ナフサリンク方式により販売価格が決定される場合と異ならないから，Ｒ向けのポリプロピレンは，違反行為による拘束から定型的に除外されているものであり，その売上額は課徴金算定の対象となる売上額から除外されるべきであると主張する。しかしながら，ナフサの価格に連動して自動的に販売価格を設定する旨の契約が締結されているナフサリンク方式の場合には，原料であるナフサの価格に連動して自動的にポリプロピレンの販売価格が決定されるものであって，上記ナフサの価格が本件違反行為である相互拘束を受けるものではないのであるから，ナフサリンク方式による契約がされているポリプロピレンは，本件違反行為の拘束を受けるものでないことが明らかである。これに対し，Ｒへ販売するポリプロピレンの販売単価は，四半期ごとのＲ向けを除くナチュラル品のポリプロピレンの平均販売単価の９０パーセントに相当する価格と合意されていたのであるから，本件違反行為によりＡの事業活動が相互拘束を受ける結果，一般の需要者に対する上記ポリプロピレンの販売価格が値上げされた場合には，Ｒ向けのポリプロピレンの販売単価も自動的に値上げされる結果となることに照らすと，ＡがＲへ販売したポリプロピレンが，本件違反行為による相互拘束から除外されているものとは認められない。
イまた，原告は，Ｒに対するポリプロピレンの販売価格の決定方法が，交渉により販売価格が決定される一般の需要者との取引関係とは質的に異なるものであり，ＲはＡの完全子会社と実質的に同視されており，Ｒに対するポリプロピレンの販売は，Ａの同一企業内における加工部門への物資の移動と位置づけられ，ＡがＲ向けのポリプロピレンに対して違反行為による拘束を及ぼして高い販売単価で販売する意義はなく，また，ＲがＡ以外の事業者からポリプロピレンを購入することもあり得ないから，Ｒとの取引は，競争が行われる分野ではなく，Ｒ向けのポリプロピレンは，明示的又は黙示的に違反行為の対象から除外されたのと同視し得る特段の事情があると主張する。


－1－
平成２６年２月１９日判決言渡同日原本領収    裁判所書記官平成２５年（行ケ）第１０１３２号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２６年１月２９日
判        決
原              告        株式会   社グラ   ーブル
パテン   トキャ   ピタル
訴訟代   理人弁   護士         川田    篤被              告        日立金   属株式   会社訴訟代   理人弁   護士         増井和   夫同                        橋口尚   幸同                        齋   藤   誠二郎
主        文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１２－８０００９４号事件について平成２５年３月２５日にした審決を取り消す。
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯等
(1)被告は，平成２０年６月２７日，発明の名称を「Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石およびその製造方法」とする特許出願（特願２００８－１６８７６９号。特－2－
願２００８－５０３８０６号（優先権主張日：平成１８年３月３日（日本国），同年７月２７日（日本国），同日（日本国），同年９月４日（日本国），同年１２月２８日（日本国））の分割出願。請求項の数７）をし，平成２１年１月９日，設定の登録（特許第４２４１８９０号）を受けた（甲２０）。以下，この特許を「本件特許」という。
(2)原告は，平成２４年６月６日，本件特許の請求項の全てである請求項１ないし７に係る発明について，特許無効審判を請求し，無効２０１２－８０００９４号事件として係属した。
(3)   特許庁   は，平   成２５   年３月   ２５日   ，「本   件審判   の請求   は，成   り立た   ない。」との審決をし，同年４月８日，その謄本が原告に送達された。(4)原告は，平成２５年５月８日，本件審決の取消しを求めて本件訴訟を提起した。
２特許請求の範囲の記載
本件審決が対象とした特許請求の範囲請求項１ないし７の記載は，次のとおりである。以下，順に「本件発明１」ないし「本件発明７」などといい，これらを併せて「本件発明」という。また，本件発明に係る明細書（甲２０）を「本件明細書」という。
【請求項１】処理室と，
前記処理室内において，重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ，およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するバルク体と軽希土類元素ＲＬ（ＮｄおよびＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有するＲ２Ｆｅ１４Ｂ型化合物結晶粒を主相として有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体とを対向配置さ
せる保持部材と，
前記処理室内の温度を７００℃以上１０００℃以下に調節する加熱手段と，
を有し，
前記処理室内を減圧し，前記加熱手段によって前記バルク体および前記Ｒ－Ｆｅ
－3－
－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理することにより，前記バルク体から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ，前記重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させるように構成したことを特徴とする拡散処理装置。
【請求項２】前記処理室の内壁面は，前記重希土類元素ＲＨと反応しない材料から形成されている，請求項１に記載の拡散処理装置。
【請求項３】前記材料は，Ｎｂ，Ｍｏ，およびセラミックスからなる群から選択された少なくとも１種の材料である，請求項２に記載の拡散処理装置。【請求項４】前記保持部材は，前記バルク体と前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体との間を遮断しないように前記バルク体と前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体とを対向させる，請求項１に記載の拡散処理装置。
【請求項５】前記保持部材は，前記バルク体と前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体との間隔が０．１ｍｍ～３００ｍｍとなるように前記バルク体と前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の少なくとも一方を保持する，請求項１に記載の拡散処理装置。
【請求項６】前記保持部材は，前記バルク体と前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体との間に位置する部分を有し，前記部分は，前記バルク体と前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体との間を遮断しないように開口部を有している，請求項１に記載の拡散処理装置。
【請求項７】前記保持部材の少なくとも前記部分は網から形成されている，請求項６に記載の拡散処理装置。
３本件審決の理由の要旨
(1)本件審決の理由は，別紙審決書（写し）のとおりであり，要するに，①本件発明１は，後記アの甲１に記載された発明（以下「甲１発明」という。）と同一の発明ではなく，甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない，②本件発明２ないし７は，いずれも，甲１発明と同一の発明ではなく，
－4－


甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない，③本件発明１は，後記オの甲５に記載された発明（以下「甲５発明」という。）と同一の発明ではなく，甲５発明及び後記エの甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない，④本件発明２ないし７は，いずれも，甲５発明と同一の発明ではなく，甲５発明及び甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない，というものである。ア引用例１：特開平１０－６４７４６号公報（甲１）イ引用例２：特開２００１－７７３８６号公報（甲２）ウ引用例３：特開２００４－２９６９７３号公報（甲３）エ引用例４：「ＩＥＥＥ    ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳＯＮ    ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ，ＶＯＬ．２６，ＮＯ．５，ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ１９９０」１３７６頁～１
３７８頁（甲４）
オ引用例５：特開２００５－１１９７３号公報（甲５）(2)本件審決が認定した甲１発明並びに本件発明１と甲１発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
ア甲１発明：処理室と，
前記処理室内において，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種）にバインダーと水を添加，撹拌してスラリー状となし，これをスプレードライヤー装置によって造粒した粉末を原料粉末として，該粉末を磁場中で成形後，脱脂，焼結した後，０．３ｍｍ以下の研磨量で研磨加工が施され，一対の加工対向面間の寸法が３ｍｍ以下の焼結体の周囲に前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を配
置して保持する手段と，
前記焼結体の周囲に前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を配置して５００℃～９００℃
の温度にする加熱手段と，
を有し，
真空中で，前記加熱手段によって前記焼結体および前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末
－5－
に熱処理を施すことにより，前記焼結体表面にＲ（希土類元素）を蒸着もしくは吸着させて還元して，研磨加工による磁気特性の劣化を回復させるようにした熱処理
装置であって，
Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末が，Ｎｄ１３．３原子％，Ｐｒ０．３１原子％，Ｄｙ０．２８原子％，Ｃｏ３．４原子％，Ｂ６．５原子％，残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる原料を，Ａｒガス雰囲気中で高周波溶解して，ボタン状溶製合金を得て，次に，該合金を粗粉砕した後，ジョークラッシャーなどにより平均粒度約１５μｍに粉砕し，さらに，ジェットミルにより平均粒度３μｍとした原料合金粉末であり，加工した焼結体の周囲にジェットミル粉砕した原料合金粉末を置き，真空中で８
００℃の温度で熱処理を施す，
熱処理装置。
イ一致点：「（１－ａ）処理室と，
（１－ｂ）’前記処理室内において，重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ，およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有する物体と軽希土類元素ＲＬ（ＮｄおよびＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有するＲ２Ｆｅ１４Ｂ型化合物結晶粒を主相として有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体とを
対向配置させる保持部材と，
（１－ｃ）前記処理室内の温度を７００℃以上１０００℃以下に調節する加熱手段
と，
（１－ｄ）を有し，
（１－ｅ）’前記処理室内を減圧し，前記加熱手段によって前記物体および前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理することにより，前記物体から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給するように構成した（１－ｆ）’処理装置。」である点。
ウ相違点１：「重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ，およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有する」「物体」が，
－6－
本件発明１では，「バルク体」であるのに対して，
甲１発明では，「粉末」（原料合金粉末）である点。
エ相違点２：「前記処理室内を減圧し，前記加熱手段によって前記物体および前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理することにより，」「前記物体から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給するよう
に構成した」「処理装置」が，
本件発明１では，「前記物体」「から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ，前記重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させるように構成した」「拡散処理装置」であるの
に対して，
甲１発明では，「前記物体」「から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給」するように構成しているものの，「供給しつつ，前記重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させる」ように構成したとしておらず，「拡散」処理装置ともしていない点。(3)本件審決が認定した甲５発明並びに本件発明１と甲５発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
ア甲５発明：処理室と，


前記処理室内において，８０質量％Ｔｂ－２０質量％Ｃｏ組成の合金ターゲットを配置するバックプレートと，Ｎｄ１０Ｐｒ２Ｆｅ７７．５Ｃｏ３Ｂ７．５組成の原料合金を溶解し，粉砕，成形，焼結工程を経た平板状磁石を配置する基板と，磁石試料の温度が約８００℃に達するように抵抗加熱による基板の加熱温度とスパッタリング装置のＲＦ出力及びＤＣ出力を設定する手段と，
を有し，
前記処理室内を真空排気後，基板加熱と併行して成膜中での磁石試料の温度上昇を利用して，Ｔｂ－Ｃｏ層の成膜と同時にＴｂとＣｏ元素のＮｄＰｒ－Ｆｅ－Ｂ系
焼結磁石内部への拡散を行う，
－7－
スパッタリング装置。
イ一致点：「（１－ａ）処理室と，
（１－ｂ）前記処理室内において，重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ，およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するバルク体と軽希土類元素ＲＬ（ＮｄおよびＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有するＲ２Ｆｅ１４Ｂ型化合物結晶粒を主相として有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体とを
対向配置させる保持部材と，
（１－ｃ）’温度を７００℃以上１０００℃以下に調節する加熱手段と，
（１－ｄ）を有し，
（１－ｅ）’前記処理室内を減圧し，前記加熱手段によって前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理することにより，前記バルク体から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ，前記重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させるように構成した（１－ｆ）拡散処理装置。」である点。
ウ相違点３：「加熱手段」が，
本件発明１では，「前記処理室内の温度を７００℃以上１０００℃以下に調節する加熱手段」であって，「前記バルク体および前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石
体を加熱処理する」ものであるのに対して，
甲５発明では，磁石の温度を調整するのであって，「前記処理室内の温度」を調節するとはしておらず，Ｔｂ－Ｃｏ組成の合金ターゲット「を加熱処理する」ともしていない点。
４取消事由
(1)本件発明１の新規性・進歩性に係る判断の誤りア甲１発明に基づく新規性の判断の誤り（取消事由１）イ甲１発明に基づく進歩性の判断の誤り（取消事由２）ウ甲５発明に基づく新規性の判断の誤り（取消事由３）
－8－
エ甲５発明に基づく進歩性の判断の誤り（取消事由４）(2)本件発明２ないし７の新規性・進歩性に係る判断の誤り（取消事由５）
第３当事者の主張
１取消事由１（本件発明１の甲１発明に基づく新規性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)相違点１の認定の誤り
本件審決は，本件発明１と甲１発明との相違点１として，「重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ，およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有する」「物体」が，本件発明１では，「バルク体」であるのに対して，甲１発明では，「粉末」（原料合金粉末）である点と認定した。
しかし，次のとおり，本件審決の上記認定は誤りである。ア「新英和大辞典    第６版」（甲２３）によれば，「バルク」とは，名詞としては，「大きさ」「容積」「かさ」「大部分」「ばら積み貨物」などの意味を有し，形容詞としては，「ばら荷の」「大口の」「大量の」「全部の」などの意味を有し，動詞としては，「塊になる」「かさむ」「大きく見える」「山と積む」「集める」などの意味を有するものである。また，前記「新英和大辞典」等（甲２３～２５）には，「bulk」を用いた合成語の用例として，「bulkbuying（大量買い付け）」「bulkcathartic（膨張性便通薬）」「bulkpowder（混合散剤）」「bulk   sale（全量販売，全量売買）」「bulkboiling（バルク沸騰）」「bulkeffect（バルク効果）」等が挙げられている。これらの用例等からすると，「bulk」とは，固体か，液体か，粉体か，粒体か，混合物か，取引の対象かを問わず，体積が大きいことや量が多いことを示す概念であるということができる。イ一方，相違点１の認定において本件審決が依拠した「理化学辞典    第５版」（甲１２）では，「バルク」の意義について，「塊状の結晶・固体など，３次元的な拡がりをもち，かさばった状態の物質。薄膜，粒体，粉末に対して用いられ，表面，界面，端の効果が無視できる状態にあるものをさす。」と記載されている。
－9－
しかし，「バルク」という用語は，前記アに記載した多様な意義からも明らかなとおり，従来から前記「理化学事典」に記載された意味で一般的に用いられていたものではない。しかも，前記「理化学辞典」に示された「バルク」の意義は，「表面，界面，端の効果が無視できる状態にあるもの」との限定が付されていることからすると，半導体について用いられる「bulkeffect」（バルク効果。接合部などの局部でなく，半導体全体で起こる効果）（甲２５）に関するものではないかと思われる。このような特殊分野における意義を「バルク」の一般的な用語の定義として用いることは，極めて疑問である。また，前記「理化学辞典」における「バルク」の意義は，固体のみならず，液体，粉体，粒体についても用いられるという「バルク」の前記概念とも相入れないものである。しかも，前記「理化学辞典」において「バルク」と区別される「粉体」や「粒体」の大きさも，数値的に明確に規定がされるものではない（なお，「粉体」とは，マイクロメートル単位からセンチメートル単位のものまでを含む広範な概念である（甲２７））。ウまた，本件明細書には，「バルク体」の意義について，明確な定義はなく，その形状について限定するような記載はない。


そして，本件明細書（【００１８】）には，「重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ，およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するバルク体」，「前記バルク体および前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を７００℃以上１０００℃以下に加熱することにより，前記バルク体から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ」と記載されており，このような用例から帰納的に推測すれば，「バルク体」は，重希土類元素ＲＨを含有するために適し，かつ，加熱したとき重希土類元素ＲＨを供給するために適していれば足りることになる。
エ以上によれば，本件発明１の「バルク体」は，薄膜，粒体，粉末を排除するものということはできないから，本件審決の相違点１の認定は誤りである。
(2)相違点２の認定の誤り
－10－
ア甲１においては，希土類金属が気化（昇華）し，焼結磁石体の表面に供給されるものの，焼結磁石体の表面に供給された後，磁石体の結晶体の粒界に「拡散」することは明示的には記載されていない。
しかし，焼結磁石体の表面にあるＤｙ（ジスプロシウム）などの希土類金属が，７００℃から１０００℃程度の熱処理により，焼結磁石体の結晶体の粒界に多かれ少なかれ入り込むこと，すなわち「拡散」することは，本件出願に係る優先権主張日（平成１８年７月２７日）当時には技術常識であった（甲２８～３１）。そして，甲１には，磁気特性の劣化の回復のために行う熱処理の方法について，「熱処理としては，…２）加工時の製品表面の酸化による熱処理時の磁気特性劣化防止のために，製品の周囲にＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を置き，５００℃～９００℃で熱処理して製品の表面層を還元して磁気特性を回復させる，…の方法が好まし」い旨記載され（【００４７】），また，実施例として，「Ｒとして，Ｎｄ１３．３原子％，Ｐｒ０．３１原子％，Ｄｙ０．２８原子％，Ｃｏ３．４原子％，Ｂ６．５原子％，残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる原料を，Ａｒガス雰囲気中で高周波溶解して，ボタン状溶製合金を得た。次に，該合金を粗粉砕した後，ジョークラッシャーなどにより平均粒度約１５μｍに粉砕し，さらに，ジェットミルにより平均粒度３μｍの粉末を得た。」（【００５１】），「焼結体の厚み方向に両面ラップで表２～表４に示すような寸法に研磨加工した後，…加工した焼結体の周囲にジェットミル粉砕した原料合金粉末を置き，真空中で８００℃の温度で，２時間保持する熱処理（Ｂ工程）…の３通りの熱処理を行った。」（【００５４】）との記載がある。
そうすると，本件出願に係る前記優先権主張日当時，甲１の記載に接した当業者であれば，前記のような技術常識を踏まえて，甲１において，希土類金属が気化（昇華）した後，焼結磁石体が表面に付着すれば，磁石体の結晶体の粒界に多かれ少なかれ「拡散」することを当然に認識し得たというべきである。イ本件審決は，甲１（【００４７】）に記載された「２）加工時の製品表面の－11－
酸化による熱処理時の磁気特性劣化防止のために，製品の周囲にＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を置き，５００℃～９００℃で熱処理して製品の表面層を還元して磁気特性を回復させる方法」は，少なくとも，焼結体の磁気特性の向上をもたらすようにＤｙを焼結体の内部に拡散させているとは認められないと判断した。しかし，本件審決のかかる判断は，Ｄｙが微量でも「拡散」している可能性があることは認定しているともいえる。甲１の【表２】（焼結後加工前の磁気特性）の保磁力（ｉＨｃ）の数値と【表４】（加工及び熱処理後の磁気特性）の保磁力（ｉＨｃ）の数値とを対比しても，顕著な向上はみられないが，この結果は，焼結体の周囲に置かれた原料合金粉末において，Ｎｄ（ネオジム）が１３．３原子％であるのに対し，Ｄｙがわずか０．２８原子％であるからにすぎない。当業者においても，わずかに含まれるＤｙでは，保磁力（ｉＨｃ）の測定結果に顕著に影響を与えないものと認識するのであって，上記各表の記載内容がＤｙ自体は「拡散」しているとの認識に影響を与えるものではない。
ウよって，本件審決の相違点２の認定は誤りである。
エ被告の主張について
被告は，甲１発明では，焼結磁石と粉末の組成が同じであり，同一組成の２つの物を同じ温度に保持した場合に，両者の間で組成の偏りを生ずるというのは，熱力学の法則に反する上，Ｄｙの含有量が非常に少ないことを考慮すれば，焼結磁石に供給されるＤｙ原子が皆無ではないとしても，焼結磁石内部にＤｙが拡散するほどの濃度差は生じ得ないと主張する。
しかし，Ｄｙの方がＦｅやＮｄよりも蒸気圧が高く（甲３２），焼結の際，より高い割合で蒸発するため，焼結磁石のＤｙの含有量の方が，原料の粉末のＤｙの含有量よりも低い状態となるが，焼結磁石体と原料の粉末とを同時に加熱すると，より蒸発しやすい原料の粉末からは，Ｄｙが原料における含有量よりも多く含まれた蒸気が発生するから，そのような蒸気が焼結磁石の表面に付着すれば，焼結磁石中のＤｙとの濃度差が生じ，粒界への拡散が始まるものである。
－12－
したがって，被告の上記主張は失当である。
(3)小括
以上のとおり，甲１発明と本件発明１との相違点１及び２の認定は，いずれも誤りであり，甲１発明と本件発明１とは同一の発明である。
〔被告の主張〕
(1)相違点１について
ア原告は，前記「新英和大辞典」等（甲２３～２５）を引用し，「バルク」の意義は多義的であって，本件審決の相違点１の認定は誤りである旨主張する。しかし，前記「新英和大辞典」等（甲２３～２５）において，「バルク」は，「大きい」や「かさばる」の意味で使用されているものであって，多義的ではなく，本件審決の認定に誤りがあるということはできない。


イ原告は，前記「理化学事典」（甲１２）では，「バルク」について，「表面，界面，端の効果が無視できる状態にあるもの」との限定があり，その記載は，半導体分野での「bulkeffect（バルク効果）」を意識したものであると主張する。しかし，半導体分野においてこのような用法があるからといって，一般的な意味での用法が否定されるわけではない。
ウ原告は，本件明細書には，「バルク体」の明確な定義はないと主張する。しかし，本件明細書では，「バルク体」が「大きい」「かさばる」との意味を有することを前提として，「ＲＨバルク体の形状・大きさは特に限定されず，板状であってもよいし，不定形（石ころ状）であってもよい」（【００６５】）などと記載しているのであり，原告が主張するように，「バルク体」とはいい難い「粉末」をも許容する趣旨ではない。
(2)相違点２について
原告は，当業者であれば，甲１において，希土類金属が気化（昇華）した後，焼結磁石体の表面に付着すれば，磁石体の結晶体の粒界に多かれ少なかれ「拡散」することを当然に認識すると主張する。
－13－
しかし，甲１発明では，焼結磁石と粉末の組成が同じであり，かつ，Ｄｙは０.２８原子％（希土類元素Ｒ中でも２原子％）と微量である。そもそも，同一組成の２つの物を，同じ温度に保持した場合に，両者の間で組成の偏りを生ずるというのは，熱力学の法則に反する上，Ｄｙの含有量が非常に少ないことを考慮すれば，焼結磁石に供給されるＤｙ原子が皆無ではないとしても，焼結磁石内部にＤｙが拡散するほどの濃度差は生じ得ない。
また，甲１の実施例において，加工後に熱処理をした場合の磁気特性の結果を記載した【表４】では，サンプル番号ごとにＡ，Ｂ及びＣの各熱処理（そのうちＢが甲１発明である「加工した焼結体のの周囲にジェットミル粉砕した原料合金粉末を置き，真空中で８００℃の温度で２時間保持する熱処理」である。）が施されているが，いずれのサンプルにおいても，磁気特性の結果は，Ａ，Ｂ及びＣの各熱処理の間で相違はほとんど見られない。かかるデータからすると，甲１の実施例においては，加熱処理自体の効果が保磁力の回復にとって決定的であり，焼結磁石体の周囲に合金粉末を置くかどうかによる効果が生じているとは認められない。以上によれば，甲１において，Ｄｙが焼結磁石体内部へ拡散する技術（Ｄｙが拡散することにより磁気特性を向上させる技術）が記載されていないことは明らかである。
(3)小括
以上のとおり，本件審決の相違点１及び２の認定に誤りはなく，本件発明１と甲１発明とが同一の発明であるということはできない。
２取消事由２（本件発明１の甲１発明に基づく進歩性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
本件審決は，本件発明１は甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできないと判断した。
しかし，次のとおり，本件審決の上記判断は誤りである。
(1)相違点１について
－14－
本件明細書には，重希土類元素ＲＨを含有する物体を「バルク体」にする技術的な効果については何ら明確な記載がないから，本件発明１において「バルク体」との構成を採用することについて，その新規性及び進歩性を基礎づける技術的特徴は何ら認められない。本件発明１では，重希土類金属の供給源となり得るものであれば何でもよく，「バルク体」にもその程度の意味合いしか認められない。したがって，本件発明１の「バルク体」と甲１発明の「原料金属粉末」には，相対的な差異しかなく，設計変更という程度の範囲のものであって，進歩性を基礎づけるに足りるだけの技術的意義はないというべきである。
(2)相違点２について
前記のとおり，本件出願に係る前記優先権主張日当時，甲１の記載に接した当業者であれば，甲１発明においても，微量ではあるがＤｙが焼結磁石の結晶粒の粒界に「拡散」しているものと理解するものである。
したがって，本件発明１と甲１発明には，「拡散」するＤｙの量の相対的な差異があるにすぎない。この点も，設計変更という程度の範囲のものであり，進歩性を基礎づけるに足りるだけの技術的意義はないというべきである。
〔被告の主張〕
(1)相違点１について
本件発明１では，供給源が「粉末」では表面が酸化するなど使いにくく，特に高純度Ｄｙ粉末にすると危険物扱いとなることから（乙１），粉末を除外している。他方，甲１を技術常識に従って理解すれば，原料粉末を使用する技術的意義は，酸素等を捕捉して焼結磁石体を保護することにあるのだから，粉末である方が有効であると認められる。そうである以上，甲１発明には，粉末をバルク体に変更するという動機付けは存在しない。
(2)相違点２について
甲１発明には，焼結磁石内部にＤｙが拡散することの記載も示唆もなく，また，技術常識によっても，甲１から，Ｄｙを焼結磁石体内部に拡散させることにより磁
－15－
気特性を向上させるとの技術思想は全く得られない。
(3)よって，本件発明１の甲１発明に基づく進歩性に係る本件審決の判断に誤りはない。
３取消事由３（本件発明１の甲５発明に基づく新規性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)相違点３の認定の誤り
本件審決は，甲５の実施例５のみから甲５に記載された発明を認定した上で，本件発明１と甲５発明との相違点３として，甲５発明が「処理室内の温度を７００℃以上１０００℃以下に調節する加熱手段」を備えない点を認定した。しかし，次のとおり，本件審決の上記認定は誤りである。ア技術的思想の創作は，明細書及び図面の記載の全体において開示されているのであるから，甲５においても，実施例５を踏まえながらも，この実施例に限定して理解されるべきものではなく，その開示されている内容の全体から的確に把握することが求められる。
実施例５においては，磁石表面への希土類元素の供給方法として，スパッタリングが用いられ，かつ，供給と同時に焼結磁石体の熱処理（８００℃）がされ，希土類元素の「拡散」をするという技術的思想が開示されている。そして，甲５（【００４７】）では，磁石表面への希土類元素の供給方法としては，スパッタリングに限定するものではなく，「蒸着」も挙げられているから，甲５には，焼結磁石の表面に「蒸着」を用いて希土類金属を供給し，それと同時に焼結磁石を８００℃程度に加熱して，表面に供給された希土類金属を焼結磁石の結晶体の粒界に「拡散」させるという技術的思想も開示されている。


そして，希土類金属の供給法として「蒸着」を用いた場合，加熱が必要であることは，技術常識である。また，希土類金属を「蒸着」をするためには，真空の程度及び金属の種類に応じた温度において，加熱をして気化（昇華）させれば足りることもまた技術常識である（甲３２）。
－16－
さらに，甲５には，Ｔｂ（テルビウム）のみならず，Ｄｙも焼結磁石の結晶体の粒界に拡散させるために適した金属として，実施例１から実施例４までにおいて，明確に開示されている。
そうすると，甲５においては，結晶体の粒界に「拡散」させるために適した熱処理温度（およそ７００℃から１０００℃程度）において気化（昇華）するために適した希土類金属，例えば，Ｄｙを希土類焼結磁石の表面に供給する方法として，「蒸着」を用いる技術的思想も開示されているというべきである。イ本件審決は，蒸着のためには，蒸気圧「１０－   ２Torr」が必要であることが技術常識であるとした上で，Ｔｂに係る蒸気圧と温度との対応表の数値（甲１５の１）からみて，Ｔｂの蒸着に適する１０－２Torrなる温度は１４２７℃であり，希土類金属の粒界への拡散のための熱処理がなされる通常の温度８００℃とは相容れないので，実施例５において「蒸着」を用いることは，甲５の記載から認識することはできない旨判断した。
しかし，「蒸着」の際に蒸気圧「１０－２Torr」が必要であるかどうかは，真空蒸着装置の真空の程度に依存するものである。本件審決が用いた甲１５の１は，昭和４５年当時の技術水準に基づくものであり，その当時の真空蒸着装置においては，真空の程度が低く，１４２７℃程度にまで加熱する必要があったかもしれないが，本件出願に係る前記優先権主張日当時には，真空蒸着の技術は格段に進歩し，１０－２Torrより２桁から８桁低い圧力である，１×１０－２～１０－８Pa（＝０．７５×１０－４～１０－１０Torr）でも行われ（甲３３），一般的には，１０－２Ｐａ（＝０．７５×１０－４Torr）又は１０－４Ｐａ（＝０．７５×１０－６Torr）程度の真空圧力下において行われている（甲３４）。そして，Ｄｙ（ジスプロシウム），Ｔｂ（テルビウム）についても，一般的に，１０－２Ｐａ（＝０．７５×１０－４Torr）から１０－６Ｐａ（＝０．７５×１０－８Torr）で「蒸着」が行われている（甲３２。なお，Ｄｙの場合，１０－２Ｐａにおける蒸着の温度は９００℃，１０－６Ｐａにおける蒸着の温度は６２５℃であり，Ｔｂの場合，１０－２Ｐａにおける蒸着の温度は－17－
１１５０℃，１０－６Ｐａにおける蒸着の温度は８００℃である。）。したがって，遅くとも，本件出願に係る前記優先権主張日当時には，Ｄｙ及びＴｂのいずれにおいても，結晶粒の粒界に希土類金属を拡散するために熱処理の温度域である７００℃から１０００℃程度において「蒸着」をすることが可能なだけの蒸気圧において「蒸着」をすることが，通常のことであり，かつ，技術常識であるといえる。
したがって，本件審決の上記認定は誤りである。
ウ以上のとおり，甲５について，実施例５に限定することなく，その明細書の全体の記載から，かつ，本件出願に係る前記優先権主張日当時の「蒸着」についての技術常識を踏まえて理解すれば，甲５には，焼結磁石の表面に「蒸着」を用いて希土類金属（例えば，Ｄｙ）を供給し，同時に焼結磁石を８００℃程度に加熱して，表面に供給された希土類金属Ｄｙを焼結磁石の結晶体の粒界に「拡散」させるという技術的思想が開示されているというべきである。
(2)したがって，本件審決の相違点３の認定は誤りであり，甲５発明と本件発明１とは同一の発明である。
〔被告の主張〕
(1)原告は，甲５には，「蒸着」の際にも，同時に焼結磁石を８００℃程度に加熱する技術思想が開示されていると主張する。
しかし，甲５（【００４７】）において，「蒸着」という文言は，他の手法であるスパッタリング，イオンプレーティング等と併記されているにすぎず，「蒸着」の具体的構成は一切開示されていないから，実施例５の「スパッタリング」に際し８００℃の温度が適用できたからといって，「蒸着」にそのまま適用できるわけではない。
したがって，原告の主張は，失当である。
(2)原告は，希土類金属の供給法として，蒸着に通常用いられる「加熱手段」を用いることは自明のことであるとか，甲５では，拡散させるために適した熱処理
－18－
温度（７００℃～１０００℃）において，気化（昇華）するために適した希土類金属，例えばＤｙを蒸着に用いる技術思想が開示されていると主張する。しかし，蒸着の「加熱手段」とは，甲５発明ではスパッタリングと同じく成膜法としての蒸着の「加熱手段」を意味するので，後記のとおり，具体的には平衡蒸気圧が１.３３Pa=１０－２Torr程度まで加熱するのが技術常識である。また，甲５における熱処理温度がＤｙを拡散させるために適した温度でも，その温度がＤｙが気化（昇華）するために適した温度であるとは，甲５には何ら記載されていない。本件発明１の拡散温度は，Ｄｙの気化については低すぎるものである。そもそも，甲５（【００４０】）には，実施例５のように成膜させながら拡散を行うことができるのは，スパッタリングの場合だけであることが明記されている。したがって，甲５に基づき，仮に蒸着法を適用するとしても，真空蒸着の常識に従えば，焼結磁石の温度は室温～３００℃である（乙５）。甲５において，希土類元素は，次に加熱して拡散を行う前段階として，磁石表面に付着していればよいのであるから，特別な熱処理を蒸着段階で行う動機付けは全く存在しない。したがって，原告の主張は失当である。


(3)原告は，現在の真空蒸着は，相当に低い圧力（高い真空度）で行われており，具体的には０.７５×１０－４～０.７５×１０－６Torr程度で行うのが一般的であるから，蒸着物質（本件では希土類元素Ｒ）を１０－２Torrの蒸気圧が発生するまで加熱するとした本件審決の認定は誤りである旨主張する。しかし，原告の上記主張は，①蒸着開始前に，装置内の残留気体を除去するために真空引きをして到達される真空度と，②蒸着を開始して，成膜に必要な蒸着材料の蒸気を供給するために，蒸着材料を１０－２Torr程度の蒸気圧が発生するまで加熱する点とを技術的に混同したものである。
すなわち，真空蒸着においては，装置内に残留する気体の圧力を示す「真空度」と，蒸着材料を適切な速度で蒸発させるための加熱温度における蒸着材料の「蒸気圧」の２種類の異なる圧力の数値が使用される。「真空度」は，少なくとも１０－
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２Pa（＝０.７５×１０   －４   Torr），一般   的には１０－   ４Pa（＝０.７５×１０   －６Torr）程度である（甲３３，３４）。そして，装置内で上記「真空度」を実現した後に，薄膜にする蒸着材料（本件では重希土類元素ＲＨ）を加熱して蒸気を発生させる際には，実用的な蒸着速度を得るために必要な「蒸気圧」を得るように，加熱温度を設定する。この「蒸気圧」と装置の「真空度」は，まったく別の数値であり，蒸着物質の「蒸気圧」としては，甲１５の１が刊行された昭和４５年当時のみならず，現在においても，一貫して，「１０－２Torr」程度の蒸気が発生するように加熱するのが標準とされている（乙２～４）。
なお，原告が挙げる甲３２は，蒸気圧と温度の関係を一般的に示しているにすぎず，「蒸着」に適した温度を示しているわけではない。したがって，原告の主張は失当である。
(4)原告は，本件出願に係る優先権主張日当時には，Ｄｙ及びＴｂのいずれにおいても，結晶粒の粒界に希土類金属を拡散するために熱処理の温度域である７００℃から１０００℃程度において「蒸着」をすることが可能なだけの蒸気圧において「蒸着」をすることが，通常のことであり，かつ，技術常識であったと主張する。しかし，蒸着の技術常識によれば，ＴｂにしてもＤｙにしても，１０００℃以下の温度では蒸着が遅すぎるし，また，一般的な真空蒸着においては，蒸着材料を高温で加熱して，低温の基板上で凝縮・成長させるので，例えば成膜される金属の結晶化の状態を抑制するため基板全体を所定温度に加熱するとしても，蒸着材料と同じ温度まで基板を加熱するという技術思想はない。
したがって，原告の主張は失当である。
(5)よって，本件審決の相違点３の認定に誤りはない。４取消事由４（本件発明１の甲５発明に基づく進歩性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
本件審決は，本件発明１は甲５発明及び甲４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもないと判断した。
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しかし，次のとおり，本件審決の上記判断は誤りである。
(1)甲５発明に基づく容易想到性について
甲５の実施例５において，焼結磁石の表面への希土類金属の供給方法として，スパッタリングに代えて蒸着を用いることは，甲５において明示的に示唆しているから（【００４７】），当業者はこれを容易に想起し得るものである。また，蒸着をする以上，甲５において，希土類金属を「加熱」する手段を備えていることは明らかである。
そして，前記のとおり，本件出願に係る前記優先権主張日当時には，「蒸着」においても，例えば，Ｄｙについては，８００℃程度で気化（昇華）させることができたものである。
また，甲５の実施例５で用いられているＴｂも，焼結磁石の表面の希土類を拡散させるための熱処理の温度を９００℃程度とし，かつ，「１×１０－６Ｐａ」程度の蒸気圧にすれば，「蒸着」を希土類金属の供給方法とすることができる。このように，甲５の実施例５において開示されているスパッタリングを「蒸着」に代え，かつ，やや熱処理の温度を上げてＴｂ自体を用いるか，又はＴｂを熱処理の温度において蒸着をすることがより容易なＤｙに置き換える程度のことは，本件出願に係る前記優先権主張日当時の技術常識を踏まえるならば，当業者において容易になし得たことである。
(2)甲５発明及び甲４に記載された発明に基づく容易想到性について本件審決は，甲４に記載のものは，サマリウムから成るブロックを加熱する手段を備えていない旨認定した。
確かに，甲４には，具体的な加熱手段は記載されていないが，石英チューブという閉空間において，リボンが加熱されているとき，当業者であれば，同じ石英チューブ内のサマリウムから成るブロックも加熱されていると当然に認識するというべきである。
そして，サマリウムから成るブロックが，リボンとともに「７００℃～９００
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℃」に加熱されると，石英チューブ内の圧力は「１０－２Torr」となり，この圧力において，サマリウムが気化する温度は７４２℃であるから（甲１５の１），サマリウムが石英チューブ内において，リボンの表面に供給されることも，当業者において容易に理解し得ることである。
したがって，当業者は，甲５発明に甲４に記載された発明を適用することにより，相違点に係る本件発明１の構成を容易に想到することができたものである。(3)よって，本件審決の上記判断は誤りである。
〔被告の主張〕
(1)甲５発明に基づく容易想到性について
原告は，当業者においては，甲５発明に基づき，相違点に係る本件発明１の構成を容易に想到し得たものである旨主張する。
しかし，甲５は，焼結磁石表面に希土類元素を成膜して熱処理することのみを技術思想としているのに対し（スパッタリングのみに関しては，成膜しながらの熱処理が可能であるとの開示があるが，その場合も成膜はされる），本件発明１は，真空蒸着の技術常識からは成膜には適さない低い温度に重希土類元素ＲＨを加熱し，また，真空蒸着の技術常識からは適用されない高い温度（蒸着材料であるＲＨとほぼ同じ温度）に焼結磁石を加熱したところ，成膜には適さない少量のＲＨの供給量であるにもかかわらず，磁石表面に膜や濃厚な層を作ることなく，速やかに焼結磁石内部に粒界拡散することによって，効率的に磁気特性を向上させ得るという，予測を越えた作用効果を達成したのである。


しかも，ＲＨ供給源と焼結磁石体を，個別に加熱するのではなく，処理室全体を加熱することによって，両者をほぼ同じ温度に加熱するという装置構成によって上記の効果を達成するとの技術思想は，公知のスパッタリングからも真空蒸着からも，到底容易に想到できることではなかったものである。
したがって，原告の上記主張は，失当である。
(2)甲５発明及び甲４に記載された発明に基づく容易想到性について
－22－
原告は，本件審決は甲４に記載のものはサマリウムから成るブロックを加熱する手段を備えていないと認定しているが，当業者であれば，石英チューブ内のサマリウムから成るブロックも加熱されていると当然に認識するものであるなどと主張する。
しかし，本件審決は，審判手続において，原告がＭｏ（モリブデン）に関して不可解な主張をしていたことから，その主張に意味がないことを指摘したものである。さらに，本件審決は，甲４では重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ，およびＴｂ）をＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体に供給する加熱手段の開示がないこと（サマリウムは重希土類元素ＲＨではないこと）を指摘しているのであり，本件審決に誤りはない。
したがって，原告の上記主張は，失当である。
５取消事由５（本件発明２ないし７の新規性・進歩性の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
前記１ないし４の〔原告の主張〕のとおり，本件発明１の新規性・進歩性に係る
本件審決の判断は，誤りである，
したがって，本件発明１を引用する形式である本件発明２ないし７の新規性・進歩性に係る本件審決の判断も誤りである。
〔被告の主張〕
争う。
第４当裁判所の判断
１本件発明について
(1)本件発明は，前記第２の２に記載のとおりであるところ，本件明細書（甲２０）には，本件発明について，概略，次のような記載がある。
ア技術分野
本件発明は，Ｒ２Ｆｅ１４Ｂ型化合物結晶粒（Ｒは希土類元素）を主相として有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石及びその製造方法に関し，特に，軽希土類元素Ｒ
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Ｌ（Ｎｄ及びＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有し，かつ，軽希土類元素ＲＬの一部が重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ及びＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）によって置換されているＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石及びその製造方法に関するものである（【０００１】）。
イ背景技術
Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ型化合物を主相とするＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石は，永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られているが，これをハードディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）や，ハイブリッド車搭載用モータ等の各種装置に使用する場合には，高温での使用環境に対応するため，耐熱性に優れ，高保磁力特性を有することが要求される（【０００２】）。
Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石の保磁力を向上する手段として，重希土類元素ＲＨを原料として配合し，溶製した合金を用いることが行われている。この方法によると，希土類元素Ｒとして軽希土類元素ＲＬを含有するＲ2Ｆｅ14Ｂ相の希土類元素Ｒが重希土類元素ＲＨで置換されるため，Ｒ2Ｆｅ14Ｂ相の結晶磁気異方性（保磁力を決定する本質的な物理量）が向上する。しかし，Ｒ2Ｆｅ14Ｂ相中における軽希土類元素ＲＬの磁気モーメントは，Ｆｅの磁気モーメントと同一方向であるのに対して，重希土類元素ＲＨの磁気モーメントは，Ｆｅの磁気モーメントと逆方向であるため，軽希土類元素ＲＬを重希土類元素ＲＨで置換するほど，残留磁束密度Ｂrが低下してしまうことになる（【０００３】）。
一方，重希土類元素ＲＨは希少資源であるため，その使用量の削減が望まれている。これらの理由により，軽希土類元素ＲＬの全体を重希土類元素ＲＨで置換する方法は好ましくない（【０００４】）。
比較的少ない量の重希土類元素ＲＨを添加することにより，重希土類元素ＲＨによる保磁力向上効果を発現させるため，重希土類元素ＲＨを多く含む合金・化合物などの粉末を，軽希土類ＲＬを多く含む主相系母合金粉末に添加し，成形・焼結させることが提案されている。この方法によると，重希土類元素ＲＨがＲ２Ｆｅ１４Ｂ
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相の粒界近傍に多く分布することになるため，主相外殻部におけるＲ２Ｆｅ１４Ｂ相の結晶磁気異方性を効率よく向上させることが可能になる。Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石の保磁力発生機構は核生成型（ニュークリエーション型）であるため，主相外殻部（粒界近傍）に重希土類元素ＲＨが多く分布することにより，結晶粒全体の結晶磁気異方性が高められ，逆磁区の核生成が妨げられ，その結果，保磁力が向上する。また，保磁力向上に寄与しない結晶粒の中心部では，重希土類元素ＲＨによる置換が生じないため，残留磁束密度の低下を抑制することもできる（【０００５】）。
しかし，実際にこの方法を実施してみると，焼結工程（工業規模で１０００℃から１２００℃で実行される）で重希土類元素ＲＨの拡散速度が大きくなるため，重希土類元素ＲＨが結晶粒の中心部にも拡散してしまう結果，期待していた組織構造を得ることは容易でない（【０００６】）。
さらに，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石の別の保磁力向上手段として，焼結磁石の段階で重希土類元素ＲＨを含む金属，合金，化合物等を磁石表面に被着後，熱処理，拡散させることによって，残留磁束密度をそれほど低下させずに保磁力を回復又は向上させることが検討されている（【０００７】）。
ウ発明が解決しようとする課題


しかし，特開昭６２－１９２５６６号公報，特開２００４－３０４０３８号公報及び特開２００５－２８５８５９号公報に開示されている従来技術は，いずれも加工劣化した焼結磁石表面の回復を目的としているため，表面から内部に拡散される金属元素の拡散範囲は，焼結磁石の表面近傍に限られている。このため，厚さ３ｍｍ以上の磁石では，保磁力の向上効果がほとんど得られない（【００１２】）。一方，特開２００４－２９６９７３号公報（甲３）に開示されている従来技術では，Ｄｙなどの希土類金属を充分に気化する温度に加熱し，成膜を行っているため，磁石中の拡散速度よりも成膜速度の方が圧倒的に高く，磁石表面上に厚いＤｙ膜が形成される。その結果，磁石表層領域（表面から数十μｍの深さまでの領域）では，
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Ｄｙ膜と焼結磁石体との界面におけるＤｙ濃度の大きな濃度差を駆動力として，Ｄｙが主相中にも拡散することを避けられず，残留磁束密度が低下してしまう（【００１３】）。
また，特開２００４－２９６９７３号公報（甲３）の方法では，成膜処理時に装置内部の磁石以外の部分（例えば真空チャンバーの内壁）にも多量に希土類金属が堆積するため，貴重資源である重希土類元素の省資源化に反することになる（【００１４】）。
さらに，Ｙｂなどの低沸点の希土類金属を対象とした実施形態においては，確かに個々のＲ－Ｆｅ－Ｂ系微小磁石の保磁力は回復するが，拡散熱処理時にＲ－Ｆｅ－Ｂ系磁石と収着金属が融着したり，処理後お互いを分離することが困難であり，焼結磁石体表面に未反応の収着金属（ＲＨ）の残存が事実上避けられない。これは，磁石成形体における磁性成分比率を下げ磁石特性の低減を招くのみならず，希土類金属は本来非常に活性で酸化しやすいため，実用環境において未反応収着金属が腐食の起点になりやすく好ましくない。また，混合攪拌するための回転と真空熱処理を同時に行う必要があるため，耐熱性，圧力（気密度）を維持しながら回転機構を組み込んだ特別な装置が必要になり，量産製造時に設備投資や品質安定製造の観点で課題がある。また，収着原料に粉末を使用した場合は安全性の問題（発火や人体への有害性）や作製工程に手間がかかりコストアップ要因となる（【００１５】）。また，Ｄｙを含む高沸点希土類金属を対象とした実施形態においては，高周波によって収着原料と磁石の双方を加熱するため，希土類金属のみを充分な温度に加熱し磁石を磁気特性に影響を及ぼさない程度の低温に保持することは容易ではなく，磁石は，誘導加熱されにくい粉末の状態か極微小なものに限られてしまう（【００１６】）。
本件発明は，上記課題を解決するためになされたものであり，その目的とするところは，少ない量の重希土類元素ＲＨを効率よく活用し，磁石が比較的厚くとも，磁石全体にわたって主相結晶粒の外殻部に重希土類元素ＲＨを拡散させたＲ－Ｆｅ
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－Ｂ系希土類焼結磁石を提供することである（【００１７】）。
エ課題を解決するための手段
本件発明によるＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石の製造方法は，軽希土類元素ＲＬ（Ｎｄ及びＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有するＲ2Ｆｅ14Ｂ型化合物結晶粒を主相として有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を用意する工程（ａ）と，重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ及びＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するバルク体を，前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体とともに処理室内に配置する工程（ｂ）と，前記バルク体及び前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を７００℃以上１０００℃以下に加熱することにより，前記バルク体から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ，前記重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させる工程（ｃ）とを包含する（【００１８】）。
オ発明の効果
本件発明では，重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ及びＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）の粒界拡散を行うことにより，焼結磁石体内部の奥深い位置まで重希土類元素ＲＨを供給し，主相外殻部において軽希土類元素ＲＬを効率よく重希土類元素ＲＨで置換することができ，その結果，残留磁束密度の低下を抑制しつつ，保磁力を上昇させることが可能になる（【００３４】）。
カ発明を実施するための最良の形態
本件発明の製造方法では，気化（昇華）しにくい重希土類元素ＲＨのバルク体及び希土類焼結磁石体を７００℃以上１０００℃以下に加熱することにより，ＲＨバルク体の気化（昇華）をＲＨ膜の成長速度がＲＨの磁石内部への拡散速度よりも極度に大きくならない程度に抑制しつつ，焼結磁石体の表面に飛来した重希土類元素ＲＨを速やかに磁石体内部に拡散させる。７００℃以上１０００℃以下の温度範囲は，重希土類元素ＲＨの気化（昇華）がほとんど生じない温度であるが，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石における希土類元素の拡散が活発に生じる温度でもある。こ
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のため，磁石体表面に飛来した重希土類元素ＲＨが磁石体表面に膜を形成するよりも優先的に，磁石体内部への粒界拡散を促進させることが可能になる（【００３７】）。


従来，Ｄｙなどの重希土類元素ＲＨの気化（昇華）には，１０００℃を超える高温に加熱することが必要であると考えられており，７００℃以上１０００℃以下の加熱では磁石体表面にＤｙを析出させることは無理であると考えられていた。しかしながら，本発明者の実験によると，従来の予測に反し，７００℃以上１０００℃以下でも対向配置された希土類磁石に重希土類元素ＲＨを供給し，拡散させることが可能であることがわかった（【００３９】）。
重希土類元素ＲＨの膜（ＲＨ膜）を焼結磁石体の表面に形成した後，熱処理により焼結磁石体の内部に拡散させる従来技術では，ＲＨ膜と接する表層領域で「粒内拡散」が顕著に進行し，磁石特性が劣化してしまう。これに対し，本発明では，ＲＨ膜の成長レートを低く抑えた状態で，重希土類元素ＲＨを焼結磁石体の表面に供給しながら，焼結磁石体の温度を拡散に適したレベルに保持するため，磁石体表面に飛来した重希土類元素ＲＨが，粒界拡散によって速やかに焼結磁石体内部に浸透して行く。このため，表層領域においても，「粒内拡散」よりも優先的に「粒界拡散」が生じ，残留磁束密度Ｂｒの低下を抑制し，保磁力ＨｃＪを効果的に向上させることが可能になる（【００４０】）。
Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石の保磁力発生機構はニュークリエーション型であるため，主相外殻部における結晶磁気異方性が高められると，主相における粒界相の近傍で逆磁区の核生成が抑制される結果，主相全体の保磁力ＨｃＪが効果的に向上する。本件発明では，焼結磁石体の表面に近い領域だけでなく，磁石表面から奥深い領域においても重希土類置換層を主相外殻部に形成することができるため，磁石全体にわたって結晶磁気異方性が高められ，磁石全体の保磁力ＨｃＪ充分に向上することになる。したがって，本件発明によれば，消費する重希土類元素ＲＨの量が少なくとも，焼結体の内部まで重希土類元素ＲＨを拡散・浸透させることができ，
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主相外殻部で効率良く重希土類元素ＲＨが濃縮された層を形成することにより，残留磁束密度Ｂｒ   の低下を抑制しつつ保   磁力Ｈｃ   Ｊを向上させるこ   とが可能になる（【００４１】）。
(2)以上の記載からすると，本件明細書には，次の事項が開示されていると認められる。
ア従来のＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石では，比較的少ない量の重希土類元素ＲＨを添加することにより，重希土類元化合物などの粉末を，軽希土類ＲＬを多く含む主相系母合金粉末に添加し，成形・焼結させる方法や，焼結磁石の段階で重希土類元素ＲＨを含む金属，合金，化合物等を磁石表面に被着後，熱処理，拡散させる方法が提案されているが，前者では，焼結工程（工業規模で１０００℃から１２００℃で実行される）で重希土類元素ＲＨの拡散速度が大きくなるため，重希土類元素ＲＨが結晶粒の中心部にも拡散してしまう結果，期待していた組織構造を得ることは容易でないという問題があり，後者でも，加工劣化した焼結磁石表面の回復を目的としているため，表面から内部に拡散される金属元素の拡散範囲は，焼結磁石の表面近傍に限られ，厚さ３ｍｍ以上の磁石では，保磁力の向上効果がほとんど得られなかったり，磁石表層領域では，Ｄｙ膜と焼結磁石体との界面におけるＤｙ濃度の大きな濃度差を駆動力として，Ｄｙが主相中にも拡散することを避けられず，残留磁束密度が低下してしまうなどの問題があった。
イ本件発明は，少ない量の重希土類元素ＲＨを効率よく活用し，磁石が比較的厚くとも，磁石全体にわたって主相結晶粒の外殻部に重希土類元素ＲＨを拡散させたＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石を提供することを目的とし，処理室内において，重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ及びＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するバルク体と，軽希土類元素ＲＬ（Ｎｄ及びＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有するＲ２Ｆｅ１４Ｂ型化合物結晶粒を主相として有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体とを対向配置させ，処理室内を減圧し，加熱手段によってバルク体及びＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理することに
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より，バルク体から重希土類元素ＲＨをＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ，重希土類元素ＲＨをＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させることにより，焼結磁石体内部の奥深い位置まで重希土類元素ＲＨを供給し，主相外殻部において軽希土類元素ＲＬを効率よく重希土類元素ＲＨで置換することができ，その結果，残留磁束密度の低下を抑制しつつ，保磁力を上昇させることが可能になるとの作用効果を奏する。
２甲１発明について
(1)甲１発明は，前記第２の３(2)アに記載のとおりであるところ，甲１には，甲１発明について，概略，次のような記載がある。
ア発明の属する技術分野
この発明は，薄肉形状，小型形状でかつ高磁気特性を有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系異方性焼結永久磁石を得る製造方法に係り，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末の１次粒子又はそれを２次粒子に造粒したスプレー造粒粉末を用いて寸法精度を向上させた薄肉の焼結体に，高精度化のためにごく少量の研磨量で研磨加工を施した後に，研磨加工によって劣化した磁気特性を特定の種々雰囲気の熱処理にて，回復させることにより，高精度かつ高磁気特性を維持した薄肉，小型の焼結永久磁石を得ることが可能な薄肉Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石の製造方法に関するものである（【０００１】）。
イ従来の技術


今日，家電製品をはじめコンピューターの周辺機器，光通信機器や自動車等の用途に用いられる小型モーター，アクチュエーターや光アイソレーター等は，小型化，軽量化とともに高性能化が求められており，これらに使用する磁石材料も小型化，軽量化，薄肉化が要求されている（【０００２】）。
現在の代表的な焼結永久磁石材料としては，フェライト磁石，Ｒ－Ｃｏ系磁石，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系磁石が挙げられるが，その中でも，特に，Ｒ－Ｃｏ系磁石やＲ－Ｆｅ－Ｂ系磁石などの希土類磁石は，他の磁石材料に比べて磁気特性が格段にすぐれるために，各種用途に多用されている（【０００３】）。
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上記の希土類磁石，例えばＲ－Ｆｅ－Ｂ系焼結永久磁石は，最大エネルギ－積が４０ＭＧＯｅを超え，最大では５０ＭＧＯｅを超える極めて優れた磁気特性を有する。しかし，この特性を１００％発現させるためには，焼結後の特に厚み寸法が２ｍｍ以上，より好ましくは３ｍｍ以上必要であった（【０００４】）。すなわち，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結永久磁石は，磁化のメカニズムが核発生型（ニュークリエーション型）であるために，焼結後の機械加工等による内部欠陥，加工歪，微小なヘアークラック等によって逆磁区が発生しやすくなり，保磁力が急激に低下する特徴がある。特に，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結永久磁石は，加工後の厚みが薄くなるにしたがってこの影響が著しくなり，厚みが３ｍｍ以下，特に２ｍｍ以下の薄肉形状や小型形状の製品を得るのが困難であった（【０００５】）。
ウ発明が解決しようとする課題
従来，薄肉，小型化を図る方法として，できるだけ加工を減らすか，加工が必要な場合でも加工歪を少なくするために加工代が少なくなるように焼結上がりの寸法精度を高めること，例えば，スプレー造粒法によりＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末の１次粒子を２次粒子の造粒粉末にして粉体の流動性を高めてプレス成形時の単重バラツキを少なくし，また焼結後の変形を小さくする方法が知られている（特開平８－２０８０１号公報，特開平８－２０８０２号公報）（【０００６】）。しかし，上記方法は，加工時の取代をある程度まで減少できるが，その改善効果にも限界がある。近年要求される厚み０．５ｍｍ程度の薄肉形状や小型形状の製品では，機械加工後の磁気特性を満足することは依然困難であった（【０００７】）。従来，成形法を改良し，薄肉形状品や小型形状品を寸法精度良く製造する方法として，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末にバインダーを添加して射出成形し，脱バインダー後に焼結するＲ－Ｆｅ－Ｂ系焼結永久磁石の製造方法（特開昭６１－２２０３１５号公報）が提案されている（【０００８】）。
しかし，射出成形法で使用される熱可塑性樹脂やパラフィン系ワックス等のバインダーをＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末に添加混合した場合，バインダー中の酸素や炭素
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と希土類元素（Ｒ）が加熱混練時，脱バインダー時に反応して焼結後の残留酸素量と残留炭素量が増加しすぎて，磁気特性の劣化を招き，射出成形法のＲ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石への適用の妨げになっている（【０００９】）。この発明は，薄肉形状や小型形状のＲ－Ｆｅ－Ｂ系異方性焼結永久磁石を製造する方法において，焼結体における寸法精度をできる限り高くし，寸法出しのための研磨加工による研磨量を極力少なくして，加工による磁気特性の劣化を最小限に抑え，さらに，熱処理によって劣化した磁気特性をほぼ完全に回復させることにより，特に厚みが３ｍｍ以下，さらには２ｍｍ以下の薄肉，小型で寸法精度が高くかつ磁気特性の高い焼結磁石を製造できる薄肉Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供することを目的としたものである（【００１０】）。
エ課題を解決するための手段
この発明は，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種）にバインダーと水を添加，撹拌してスラリー状となし，これをスプレードライヤー装置によって造粒した粉末を原料粉末として，その粉末を磁場中で成形後，脱脂，焼結した後，０．３ｍｍ以下の研磨量で研磨加工が施された，一対の加工対向面間の寸法が３ｍｍ以下とされた焼結体を用意し，その焼結体に研磨加工による磁気特性の劣化を回復させるための熱処理を施すことを特徴とする薄肉Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石の製造方法である（【００１３】）。
オ発明の実施の形態
(ア)この発明は，スプレー造粒したＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を用いて粉末冶金方法にて高寸法精度の薄肉の焼結体を得た後，寸法精度をさらに向上させるために０．３ｍｍ以下の研磨量で研磨加工を施し，一対の加工対向面間の寸法が３ｍｍ以下となった焼結体に更に研磨加工後の加工歪みにより劣化した磁気特性を回復する方法として，機械加工後の取代の大きさあるいは加工歪みやヘアークラック等の大きさによって，研磨加工後に真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で熱処理したり，また熱処理時に製品の周囲にＲ－Ｆｅ－Ｂ系の合金粉末を置き，熱処理時に製品表
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面に希土類元素（Ｒ）を蒸着もしくは吸着させて還元して磁気特性を回復させたり，さらに熱処理前に製品に水素を吸蔵させた後，真空引きして脱水素し，真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で再焼結した後，熱処理することにより低下した磁気特性を加工前の特性に回復させることを特徴とする（【００１５】）。(イ)熱処理としては，１）真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で５００℃～７００℃の温度で１～２時間程度保持する，２）加工時の製品表面の酸化による熱処理時の磁気特性劣化防止のために，製品の周囲にＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を置き，５００℃～９００℃で熱処理して製品の表面層を還元して磁気特性を回復させる，３）熱処理前に製品に室温から８５０℃までの任意の温度で水素を吸蔵させた後，真空引きして脱水素し，真空中もしくは不活性ガス雰囲気中で１０００℃～１１８０℃の温度範囲で１～２時間再焼結した後，５００～７００℃の温度で１～２時間保持する熱処理をする，の３方法が好ましく，いずれも加工歪みやヘアークラック等により低下した磁気特性を加工前のそれとほぼ同等まで回復させることができる。特に，上記の２），３）の方法は，厚み１．０ｍｍ～０．５ｍｍ程度に加工した薄物については非常に有効である（【００４７】）。
上記２）の熱処理において，焼結体の周囲にＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を置くのは，焼結体の表面層を還元することにより磁気特性を回復させるためである。その際の熱処理温度を５００℃～９００℃にしたのは，５００℃未満では，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末のＲ成分が蒸発せず，９００℃を超えると加工表面に存在する酸素が焼結体内部に拡散するため，蒸着されたＲ成分による還元効果がなくなるためである。また，熱処理時間を１～２時間としたのも，上記と同様な理由による（【００４９】）。
(ウ)実施例１
Ｒとして，Ｎｄ１３．３原子％，Ｐｒ０．３１原子％，Ｄｙ０．２８原子％，Ｃｏ３．４原子％，Ｂ６．５原子％，残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる原料を，Ａｒガス雰囲気中で高周波溶解して，ボタン状溶製合金を得た。次に，当該合金を
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粗粉砕した後，ジョークラッシャーなどにより平均粒度約１５μｍに粉砕し，さらに，ジェットミルにより平均粒度３μｍの粉末を得た（【００５１】）。当該粉末に表１に示す種類及び添加量のバインダー，水，滑剤等を添加して室温で混練してスラリー状となし，当該スラリーをディスク回転型スプレードライヤー装置により，不活性ガスに窒素を用い，熱風入口温度を１００℃，出口温度を４０℃に設定して造粒を行った（【００５２】）。
上記造粒粉を圧縮磁場プレス機を用いて，磁場強度１５ｋＯｅ，圧力１ｔｏｎ／ｃｍ２で１０ｍｍ×１５ｍｍの金型で，表２～表４に示すように厚み寸法（磁場方向）を変えてプレス成形した後，水素雰囲気中で室温から３００℃までを昇温速度１００℃／時で加熱する脱バインダー処理を行い，引き続いて真空中で１１００℃まで昇温し１時間保持する焼結を行い，さらに焼結完了後，Ａｒガスを導入して７℃／分の速度で８００℃まで冷却し，その後１００℃／時の速度で冷却して５５０℃で２時間保持して時効処理を施して異方性の焼結体を得た（【００５３】）。焼結体の厚み方向に両面ラップで表２～表４に示すような寸法に研磨加工した後，真空中で５００℃の温度で２時間保持する熱処理（Ａ工程），また加工した焼結体の周囲にジェットミル粉砕した原料合金粉末を置き，真空中で８００℃の温度で，２時間保持する熱処理（Ｂ工程），さらに加工した焼結体に６００℃で３０分間水素を吸蔵させた後，真空引きして脱水素し，真空中で１１００℃まで昇温し，２時間再焼結した後，５００℃で２時間保持して熱処理（Ｃ工程）の３通りの熱処理を行った（【００５４】）。
成形時の造粒粉の流動性を表１に，また焼結体の厚み寸法バラツキ，加工前後及び熱処理後の磁気特性を表２～表４に示す。なお，流動性は，内径８ｍｍのロート管を１００ｇの原料粉が自然落下し，通過するまでに要した時間で測定した。また，得られた全ての焼結体および熱処理品には，ワレ，ヒビ，変形などは全く見られなかった（【００５５】）。
カ発明の効果
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この発明によれば，薄肉形状や小型形状のＲ－Ｆｅ－Ｂ系異方性焼結永久磁石を製造する方法において，焼結体における寸法精度をできる限り高くし，寸法出しなどのための研磨加工による研磨量を極力少なくして加工による磁気特性の劣化を最小限に抑え，さらに，熱処理によって劣化した磁気特性をほぼ完全に回復させることにより，従来，作製が極めて困難であった厚みが３ｍｍ以下，さらには２ｍｍ以下の薄肉，小型形状で，しかも寸法精度が高く，磁気特性の優れた薄肉Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石を得ることができるという効果を奏するものである（【００６１】）。(2)以上の記載からすると，甲１発明は，薄肉形状や小型形状のＲ－Ｆｅ－Ｂ系異方性焼結永久磁石を製造する方法において，焼結体における寸法精度をできる限り高くし，寸法出しのための研磨加工による研磨量を極力少なくして，加工による磁気特性の劣化を最小限に抑え，さらに，熱処理によって劣化した磁気特性をほぼ完全に回復させることにより，特に厚みが３ｍｍ以下，さらには２ｍｍ以下の薄肉，小型で寸法精度が高くかつ磁気特性の高い焼結磁石を製造できる薄肉Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供することを目的とするものであり，処理室内において，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種）にバインダーと水を添加，撹拌してスラリー状となし，これをスプレードライヤー装置によって造粒した粉末を原料粉末として，その粉末を磁場中で成形後，脱脂，焼結した後，０．３ｍｍ以下の研磨量で研磨加工が施され，一対の加工対向面間の寸法が３ｍｍ以下とされた焼結体の周囲に，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末（Ｎｄ１３．３原子％，Ｐｒ０．３１原子％，Ｄｙ０．２８原子％，Ｃｏ３．４原子％，Ｂ６．５原子％，残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる原料を，Ａｒガス雰囲気中で高周波溶解して，ボタン状溶製合金を得て，次に，当該合金を粗粉砕した後，ジョークラッシャーなどにより平均粒度約１５μｍに粉砕し，さらに，ジェットミルにより平均粒度３μｍとした原料合金粉末）を配置して，真空中で，加熱手段によって焼結体及びＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末に８００℃の温度で熱処理を施すことにより，焼結体表面に希土類元素Ｒを蒸着もしくは吸着させて還元して，研磨加工による磁気特性
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の劣化を回復させることにより，従来，作製が極めて困難であった厚みが３ｍｍ以下，さらには２ｍｍ以下の薄肉，小型形状で，しかも寸法精度が高く，磁気特性の優れた薄肉Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石を得ることができるとの効果を奏するというものである。
３甲５発明について
(1)甲５発明は，前記第２の３(3)アに記載のとおりであるところ，甲５には，甲５発明について，概略，次のような記載がある。
ア特許請求の範囲
【請求項１】磁石表面からのＭ元素（但し，Ｍは，Ｐｒ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｈｏから選ばれる希土類元素の一種又は二種以上）の拡散によりＭ元素が富化した結晶粒界層を有し，保磁力Ｈｃｊと磁石全体に占めるＭ元素含有量が下記の式で表されることを特徴とする，希土類－鉄－ホウ素系磁石。
Ｈｃｊ≧１＋０．２×Ｍ（ただし，０．０５≦Ｍ≦１０）ただし，Ｈｃｊ：保磁力，単位（ＭＡ／ｍ），Ｍ：磁石全体に占めるＭ元素含有量
（質量％）
【請求項２】残留磁束密度Ｂｒと保磁力Ｈｃｊが下記の式で表されることを特徴とする，請求項１記載の希土類－鉄－ホウ素系磁石。
Ｂｒ≧１．６８－０．１７×Ｈｃｊ
ただし，Ｂｒ：残留磁束密度，単位（Ｔ）
【請求項３】希土類－鉄－ホウ素系磁石が，粉末成形と焼結法によって製作される磁石，又は粉末成形と熱間塑性加工によって製作される磁石，であって，主結晶の間に希土類元素リッチな粒界層を有する磁石であることを特徴とする請求項１又は２記載の希土類－鉄－ホウ素系磁石。
【請求項４】磁石を減圧槽内に支持し，該減圧槽内で物理的手法によって蒸気又は微粒子化したＭ元素（但し，Ｍは，Ｐｒ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｈｏから選ばれる希土類元素の一種又は二種以上）又はＭ元素を含む合金を，該磁石の表面の全部又は一部に
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飛来させて成膜し，かつ該磁石の最表面に露出している結晶粒子の半径に相当する深さ以上に該磁石内部にＭ元素を磁石表面から拡散浸透させることによって，Ｍ元素が富化された結晶粒界層を形成することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の希土類－鉄－ホウ素系磁石の製造方法。
【請求項５】結晶粒界層のＭ元素の濃度を磁石の表面側ほど高濃度に富化させることを特徴とする請求項４記載の希土類－鉄－ホウ素系磁石の製造方法。
イ発明の詳細な説明
(ア)発明の属する技術分野
本発明は，Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系又はＰｒ－Ｆｅ－Ｂ系等の希土類－鉄－ホウ素系磁石において，特にＤｙ等の希少金属を有効活用した高性能磁石とその製造方法に関するものである（【０００１】）。
(イ)従来の技術
希土類－鉄－ホウ素系磁石，特にＮｄ－Ｆｅ－Ｂ系の焼結磁石は，永久磁石の中で最も高性能磁石として知られているが，残留磁束密度Ｂｒ又は最大エネルギー積（ＢＨ）ｍａｘと，保磁力Ｈｃｊの値が相反する関係にあり，磁石中のＤｙ元素の添加量を増やしてＨｃｊを増加させると，磁石の飽和磁束密度の急激な減少を招いて前２者の値が低下してしまうため，これまで両者ともに高い値を有する希土類磁石は得られておらず，高性能（高Ｂｒ）型と耐熱（高Ｈｃｊ）型とに分類されて生産されている（【０００２】【０００４】）。


Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系磁石において，Ｂｒの低下を抑制しつつＨｃｊを向上させるには，焼結密度や各結晶粒の配向性を向上させたり，焼結条件と添加元素を工夫して結晶組織を微細化させたりする等の多くの報告がある。この焼結磁石は核発生型の保磁力機構を持つことが知られており，したがって，逆磁区の発生源となりやすい結晶粒界や磁石表面を清浄化して磁気的に強化することが望ましい。そのためには，Ｎｄより磁気異方性が大きいＤｙやＴｂ等を磁石合金内の粒界に優先的に存在させるのが有効である（【０００５】）。
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(ウ)発明が解決しようとする課題
特開昭６１－２０７５４６号公報（特許文献１）及び特開平０５－０２１２１８号公報（同２）には，２つの合金を出発原料としてＮｄ２Ｆｅ１４Ｂ主相よりもＮｄリッチ粒界相に，より多くのＤｙ元素等を分布させ，その結果として，残留磁束密度の低下を抑制しつつ保磁力を向上させた焼結磁石が得られることが開示されており，その技術の一部は現在の磁石製造に応用されている（【０００７】【０００８】）。
しかし，Ｄｙ等を多く含む合金製作に工数が別途かかること，当該合金は粘いために数ミクロンまで粉砕するには超急冷法や水素脆化する方法等，特殊な方法を用いる必要があること，Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ組成合金より格段に酸化しやすいためにより一層の酸化防止が必要であること，及び２つの合金の焼結と熱処理反応を厳密に制御する必要があること等，製造面で多くの解決すべき課題がある。また，本方法によって得られる磁石においては，現在，なお１０質量％未満のＤｙが含有されるため，高保磁力型磁石は残留磁束密度が低いものとなっている（【０００９】）。特開２０００－９６１０２号公報（特許文献３）には，Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系磁石粉末と，Ｄｙ－Ｃｏ又はＴｂＨ２等の粉末とを混合し高温で熱処理して，ＤｙやＴｂを磁石粉末表面にコーティングさせることにより高保磁力の異方性磁石粉末を得ている。しかし，この方法でもＤｙ－Ｃｏ又はＴｂＨ２等の粉末における粉砕や酸化等の問題を解消できず，また，Ｄｙ－Ｃｏ又はＴｂＨ２等の粉末を完全に反応終結させて消滅させ，主とする磁石粉末のみを得ることが難しい。また，異方性粉末においては，その結晶粒径は０．３ミクロン前後であり明確な粒界相が認められないため，焼結磁石とは保磁力機構が異なりＤｙのコーティングが保磁力向上にどのように寄与しているかが不明である（【００１０】）。
また，Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系磁石は最終寸法の磁石を得るまでの加工工程において，特に酸化や機械的な劣化を生じることが知られているが，上記の特許文献１，２では焼結磁石の内部を構成する結晶組織を改良することはできるが，一般の磁石製品
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を製作するための切断や研磨加工後の特性低下を免れることができない。同様に上記の特許文献３でも，改良した磁石粉末にエポキシ樹脂等を添加混合して数百ＭＰａの圧力で成型加工すると，その過程で多くの粉末は圧縮と同時に破砕されて磁気特性が低下するため，製作されるボンド磁石の性能は磁石粉末の本来の特性より低いものとなってしまう（【００１１】）。
焼結磁石の内部組織は，６～１０ミクロンの微細で均一な主相結晶粒の周囲を１ミクロン以下の厚さの均一で薄いＮｄリッチ粒界相が取り囲んでいる。核発生型の磁石では，減磁界が加わったときの逆磁区の発生をいかに抑止するかが保磁力の大小を決めるため，逆磁区の核となりやすい不純物や不均一な組織を排除する必要がある。逆磁区は，磁石内部の結晶粒界の乱れと磁石表面の酸化や機械的損傷によって発生し，特に表面の影響が大きいことが指摘されている。また，実際に焼結磁石を機械加工によって裁断して磁石厚さをおよそ１ｍｍ以下にした場合に，保磁力が著しく低下することが良く知られている（【００１２】）。そこで，本発明は，希少なＤｙ等の希土類元素含有量を節減しても高保磁力，又は高残留磁束密度が得られることを特徴とする高性能な希土類磁石を提供することを目的とするものである（【００１３】）。
(エ)課題を解決するための手段
本発明は，(1)磁石表面からのＭ元素（ただし，Ｍは，Ｐｒ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｈｏから選ばれる希土類元素の一種又は二種以上）の拡散によりＭ元素が富化した結晶粒界層を有し，保磁力Ｈｃｊと磁石全体に占めるＭ元素含有量が，下記の式で表される希土類－鉄－ホウ素系磁石である。
Ｈｃｊ≧１＋０．２×Ｍ（ただし，０．０５≦Ｍ≦１０，Ｈｃｊ：保磁力，単位（ＭＡ／ｍ），Ｍ：磁石全体に占めるＭ元素含有量（質量％））（【００１７】）。また，本発明は，(2)残留磁束密度Ｂｒと保磁力Ｈｃｊが下記の式で表されることを特徴とする，上記(1)の希土類－鉄－ホウ素系磁石，である。Ｂｒ≧   １．６   ８－０   ．１７   ×Ｈｃ   ｊ（た   だし，   Ｂｒ：   残留磁   束密度   ，単位－39－
（Ｔ））（【００１８】）。


また，本発明は，(3)希土類－鉄－ホウ素系磁石が，粉末成形と焼結法によって製作される磁石，又は粉末成形と熱間塑性加工によって製作される磁石であって，主結晶の間に希土類元素リッチな粒界層を有する磁石であることを特徴とする上記(1)又は(2)の希土類－鉄－ホウ素系磁石である（【００１９】）。さらに，本発明は，(4)磁石を減圧槽内に支持し，当該減圧槽内で物理的手法によって蒸気又は微粒子化したＭ元素（ただし，Ｍは，Ｐｒ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｈｏから選ばれる希土類元素の一種又は二種以上）又はＭ元素を含む合金を，当該磁石の表面の全部又は一部に飛来させて成膜し，かつ磁石の最表面に露出している結晶粒子の半径に相当する深さ以上に磁石内部にＭ元素を磁石表面から拡散浸透させることによって，Ｍ元素が富化された結晶粒界層を形成することを特徴とする上記(1)ないし(3)の   いずれ   かの希   土類－   鉄－ホウ   素系磁   石の製   造方法で   ある（   【００   ２０】）。
本発明では，Ｍ元素を表面に成膜して拡散することにより，Ｍ元素を結晶粒界部に富化させることによりＤｙ等の希土類金属を磁石内部側に薄く，表面側に濃く分布させることができる（【００２２】）。
(オ)作用
Ｍ元素を磁石表面に成膜後に熱処理を行うと，Ｍ元素は焼結磁石内の浸透しやすい結晶粒界に多く，主結晶内に少し拡散浸透する（【００３２】）。そして，Ｍ元素を多く含んだ結晶粒界層が形成されることによって保磁力が増加する（【００３３】）。
(カ)発明の実施の形態
ａ磁石表面に供給して堆積又は成膜する金属は，Ｎｄよりも磁気異方性が大きく，かつ，磁石を構成するＮｄリッチ粒界相等に容易に拡散浸透することを目的とするため，希土類金属のＰｒ，Ｄｙ，Ｔｂ，Ｈｏから選ばれるＭ元素の一種以上の単独又は上記のＭ元素を相当量含有する合金や化合物，例えば，Ｔｂ－Ｆｅ合金や
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Ｄｙ－Ｃｏ合金，又はＴｂＨ２等を用いることができる（【００３８】）。上記のＭ元素は，磁石表面に単に被覆されているだけでは磁気特性の向上が認められないため，成膜した金属成分の少なくとも一部が磁石内部に拡散して構成元素の一部であるＮｄ等の希土類金属リッチ相と反応した結晶粒界層を形成するようにすることが必須である（【００３９】）。
このため，通常は成膜した後に５００～１０００℃における熱処理を行って成膜金属を拡散させる。スパッタリングの場合には，磁石試料を保持具と共に熱しておくか，又はスパッタリング時のＲＦ及びＤＣ出力を上げて成膜することにより成膜中の磁石を上記温度範囲，例えば８００℃位にまで上昇させることができるため，実質的に成膜させながら同時に拡散を行うこともできる（【００４０】）。ｂ熱処理によってＭ元素は磁石内部に浸透するが，相互拡散によって元の磁石表面に存在するＮｄやＦｅ元素の一部が，成膜したＭ元素にも取り込まれる。ただし，Ｍ元素の膜内でのこの種の反応量はわずかであるために磁石特性にほとんど悪影響を及ぼさない。膜の一部が拡散処理後に拡散されずに磁石表面に残存しても構わないが，Ｍ元素を節減して十分な効果を得るためには，完全に拡散させることが望ましい（【００４３】）。
磁石表面への希土類金属Ｍの供給法については特に限定されるものではなく，蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング，レーザーデポジション等の物理的成膜法や，ＣＶＤやＭＯ－ＣＶＤ等の化学的気相蒸着法及びメッキ法等の適用が可能である。ただし，成膜並びに後の加熱拡散の各処理においては，希土類金属の酸化や磁石成分以外の不純物を防止するために，酸素や水蒸気等が数十ｐｐｍ以下の清浄雰囲気内で行うことが望ましい（【００４７】）。
ｃ別紙１の図４に，本発明の製造方法を実施するのに好適な三次元スパッタ装置の概念を示す。図４において，輪状をした成膜金属からなるターゲット１及びターゲット２を対向させて配置し，その間に水冷式の銅製高周波コイル３を配置する。円筒形状磁石４の筒内部には，電極線５が挿入されており，電極線５はモータ６の
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回転軸に固定されて円筒形状磁石４を回転できるように保持している。穴のない円柱や角柱形状磁石の場合は，複数個の磁石製品を金網製の籠に装填して転動自在に保持する方法を採用できる（【００５０】）。
ｄ実施例５
Ｎｄ１０Ｐｒ２Ｆｅ７７．５Ｃｏ３Ｂ７．５組成の原料合金を溶解し，粉砕，成形，焼結工程を経て，縦２０ｍｍ，横６０ｍｍ，厚さ２ｍｍ，体積が２４００ｍｍ３の平板状磁石を準備した。この磁石を，アネルバ（株）製のＬ－２５０Ｓ型スパッタリング装置内のＳＵＳ基板上に載せ，その上部に，８０質量％Ｔｂ－２０質量％Ｃｏ組成の合金ターゲットを，ＳＵＳ３０４製のバックプレートに固定して配置した（【００７７】）。
装置内を真空排気後，高純度Ａｒガスを導入して圧力を５Ｐａに維持し，抵抗加熱によってＳＵＳ基板を約５５０℃に加熱したまま，逆スパッタを行って磁石表面の酸化膜を除去した。ここでは，基板加熱と併行して成膜中での磁石試料の温度上昇を利用して成膜と同時に拡散を行うことを目的とし，ＲＦ出力を１５０Ｗ，ＤＣ出力を６００Ｗまで上げてスパッタリングを開始した結果，磁石試料が赤熱するのが観測され，色調より温度は約８００℃に達していると推測された。この基板加熱と試料加熱を維持した状態で３０分間成膜を行い，一旦スパッタを中断して試料を表裏反転させた後，再度，同一条件で３０分間成膜作業を行って，本発明試料（２２）を製作した（【００７８】）。


ＥＰＭＡによる試料観察の結果，磁石最表面におよそ２０μｍのＴｂ－Ｃｏ層と，その下部の８０μｍの深さまで結晶粒界に表面側ほど高濃度のＴｂとＣｏ元素が分布していることが明らかになった。また，ＩＣＰ分析結果による磁石中のＴｂ量は，２．７質量％であった。そこで，出発合金中のＮｄとＰｒ比率を変えず，Ｃｏ量を微調整してＴｂを２．４質量％添加した合金を別途溶解し，同一寸法形状の磁石を製作して比較例試料（１０）とした。比較例試料（１０）のＥＰＭＡ観察によれば，ＴｂとＣｏ元素とも磁石全体にほぼ均一に分布しており，結晶粒界と主相における
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Ｔｂ濃度差は×２０００倍の画像で見分けることが困難であった（【００７９】）。各試料を切断して３枚を重ね合わせ，ＢＨトレーサによって磁気測定を行った結果，比較例試料（１０）のＨｃｊが１．４７ＭＡ／ｍに対して，本発明試料（２２）のＨｃｊは１．８８ＭＡ／ｍであり，同一Ｔｂ量で大きな保磁力を示し，車等の耐熱用途向けに好適な保磁力が得られた。本実施例により，成膜と拡散処理を同一工程で行っても本発明の効果があることが明白になった。なお，本発明試料を６０℃で９０％ＲＨの湿度試験に供した結果，耐食性が向上し，磁石内部の結晶粒界へのＣｏ元素の拡散浸透が好影響を及ぼしていると推察された（【００８０】）。
(キ)発明の効果
本発明によれば，希土類磁石表面にＤｙ，Ｔｂ等の希土類金属を成膜し，拡散して磁石内部よりも表面側の希土類濃度を高くすることによって，従来の焼結磁石より少ない希土類金属含有量で大きな保磁力を出現させることができるか，又は従来と同等のＤｙ含有量においては残留磁束密度を向上させることができる。これにより，磁石のエネルギー積の向上，及び希少なＤｙ等の資源問題の解決に寄与するものである（【００８１】）。
(2)以上の記載からすると，甲５発明は，希少なＤｙ等の希土類元素含有量を節減しても高保磁力，又は高残留磁束密度が得られることを特徴とする高性能な希土類磁石を提供することを目的とするものであり，処理室内において，８０質量％Ｔｂ－２０質量％Ｃｏ組成の合金ターゲットを配置するバックプレートと，Ｎｄ１０Ｐｒ２Ｆｅ７７．５Ｃｏ３Ｂ７．５組成の原料合金を溶解し，粉砕，成形，焼結工程を経た平板状磁石を配置する基板と，磁石試料の温度が約８００℃に達するように抵抗加熱による基板の加熱温度とスパッタリング装置のＲＦ出力及びＤＣ出力を設定する手段とを有し，処理室内を真空排気後，基板加熱と併行して成膜中での磁石試料の温度上昇を利用して，スパッタリングによりＴｂ－Ｃｏ層の成膜を行うのと同時にＴｂとＣｏ元素のＮｄＰｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石内部への拡散を行うことにより，希土類磁石表面にＤｙ，Ｔｂ等の希土類金属を成膜し，拡散して磁石内部よりも表
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面側の希土類濃度を高くすることによって，従来の焼結磁石より少ない希土類金属含有量で大きな保磁力を出現させることができるか，又は従来と同等のＤｙ含有量においては残留磁束密度を向上させることができるというものである。
４他の文献について
(1)甲４について
ＳｍＦｅ１０（Ｔｉ，Ｍ）２の溶融紡糸リボンの高保磁力に関する甲４には，「研究対象の合金の組成として，ＳｍＦｅ１０（Ｔｉ１－ＸＭＸ）２（Ｍ＝Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，及びＭｏ）を選択した。焼入れしたリボンをアルゴン雰囲気下での単一ホイ－ル技法（singlewheeltechnique）によって用意した。銅ホイールの基板表面流速（Ｖｓ）は，２０ｍ／秒から４０ｍ／秒まで変化する。作製した薄片状のリボンのサイズは，（１０－７０）μｍｘ（１－１．４）ｍｍｘ（１５－１００）ｍｍである。我々の以前の研究では，高い飽和保磁力を与えるのに最適なホイール速度は２０ｍ／秒であり，４０ｍ／秒の速度で過剰に焼入れしたリボンがさらなるアニーリングに適していることが分かっている。別紙２の図１に示すように，過剰に焼入れしたリボンをサマリウム雰囲気において７００度～９００度で３０分間アニーリングした。リボンは，サマリウムから成る小ブロックと共に石英チューブ内に配置し，１－２トールの真空で封止した。リボンを粉砕して（０．１５ｍｍ未満の）粉末にした。溶融パラフィンと混合した上記粉末を１２ｋＯｅの磁場で固化した。最大印加磁場が１．２ＭＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）である試料振動型磁力計を用いて磁気特性を測定した。いくつかの試料の磁気特性は，４．０ＭＡ／ｍ（５０ｋＯｅ）のパルス磁場を印加した後に測定した。ＦｅＫａ放射を用いたＸ線回折によって結晶構造を調べた。」との記載がある。
(2)薄膜技術に関する「Handbook   ofThinFilm   Technology」（甲１５の１）には，以下の記載がある。
「４．蒸気発生源の構成と使用
真空系における物質の蒸発には，蒸発物質を保持し蒸発熱を供給し，材料所望の
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蒸気圧を生ずるに十分な高温に維持する蒸発発生源が必要である。成膜（フィルム堆積）に適用される速度は１秒当たり１Å未満から１０００Å超までの値をとることがあり，特定の元素について蒸発温度はこれに応じて変動する。蒸発源の運転温度のおよその算定は，通常，有用な成膜速度を得るために蒸気圧１０－２Torrを確保しなければならないとの前提に基づいている。実用上興味のある物質の大半について，この温度が１０００～２０００℃の範囲に含まれる。」(3)「薄膜の基本技術    第３版」（乙２）には，「抵抗加熱法」について，次の記載がある。
「高融点金属（とくにＷ，Ｍｏ，Ｔａなどがよく用いられる）の線または薄い板を適当な形に作って蒸発源にしたもので，その上に薄膜材料を載せ，蒸発源に電流を流してジュール熱で加熱し，材料を蒸発させる。」（５４頁）「薄膜にする材料は，平衡蒸気圧が１．３３Ｐａ＝１０－２Torr程度になる温度に加熱するのが１つの目安になるが，その温度は多くは１０００～２０００Ｋの範囲にあるから蒸発源材料の温度はその程度に高くならなければならない。」（５５頁）。
(4)「はじめての薄膜作製技術    第２版」（乙３）には，次の記載がある。「一般に，真空蒸発法においては，１０－２Ｐａ程度の圧力のもとで，蒸発物質の蒸気圧がおよそ１Ｐａ程度となるように蒸発物質を加熱蒸発させる。」（４３頁）。
「通常の生産プロセスにおいて，比較的簡単に到達できる基板温度は３００℃くらいである。」（５８頁）。
(5)「薄膜作成の基礎    第４版」（乙４）には，次の記載がある。「蒸着しようとする材料（以下蒸着材料）を，蒸気圧でいえば１Ｐａ（１０－２Torr）程度が得られるまで，温度でいえばだいたい融点よりも少し高い温度に加熱する。」（１６７頁）。
(6)「トコトンやさしい    薄膜の本」（乙５）には，「薄膜を作るときの金属
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の沸点や融点と基板の温度」に関し，別紙３の表とともに，普通の基板温度は「常温～３００℃」であること，薄膜の蒸着の原理について，真空状態で薄膜材料を原子あるいは分子状のバラバラの気体にして，基板に向かって高速で飛ばすこと，基板に到着した気体は，そこで基板の温度である常温～３００℃に急速冷却され，液体を経て固体となり，薄膜ができることが記載されている。５取消事由１（本件発明１の甲１発明に基づく新規性の判断の誤り）について
(1)相違点１について
ア本件審決が認定した相違点１は，「重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ，およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有する」「物体」が，本件発明１では，「バルク体」であるのに対して，甲１発明では，「粉末」（原料合金粉末）である点というものである。
(ア)本件発明１の「バルク体」の意義について
ａ本件明細書には，「バルク体」の形状等についての明確な定義はないものの，「ＲＨバルク体の形状・大きさは特に限定されず，板状であってもよいし，不定形（石ころ状）であってもよい。ＲＨバルク体に多数の微小孔（直径数１０μｍ程度）が存在してもよい。」との記載（【００６５】）や，実施例１では，「ＲＨバルク体は，純度９９．９％のＤｙから形成され，３０ｍｍ×３０ｍｍ×５ｍｍのサイズを有している。」との記載（【０１１０】）があり，ＲＨバルク体が直径数１０μｍ程度の多数の微小孔が存在し得るものであることや，実施例における大きさが「３０ｍｍ×３０ｍｍ×５ｍｍのサイズ」とされていることが挙げられている。その一方で，本件明細書には，前記のとおり，「収着原料に粉末を使用した場合は安全性の問題（発火や人体への有害性）や作製工程に手間がかかりコストアップ要因となる。」との記載（【００１５】）があり，本件発明においては収着原料に粉末を使用しないことが解決すべき課題の一つとして挙げられている。ｂまた，前記「理化学辞典」（甲１２）には，「バルク」の意味について，「塊状の結晶・固体など，３次元的な拡がりをもち，かさばった状態の物質。薄膜，
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粒体，粉末に対して用いられ，表面，界面，端の効果が無視できる状態にあるものをさす。」と記載されている。また，甲２３の「新英和大辞典」には，物理分野の用法として，「バルクの：ａ巨視的な．ｂ三次元的な嵩のある」との意味があることが示されている。さらに，「バルク」の意味については，甲２４の「英和和英・科学技術と産業用語辞典」では，「大きさ」，「容量」などと，甲２５の「理化学英和辞典」では，「大きさ」「容量」「大量」などと記載されている。そして，乙２の「薄膜の基本技術第３版」では，固体の薄膜を作る場合においては，「薄膜になる前の普通の固まりの状態になっている物体をバルク（bulk）という。」（１頁）と記載されている。加えて，発明の名称を「等方性永久磁石及びその製造方法」とする特開昭５９－２０４２０９号公報（乙７）では，「特開昭５７－２１０９３４において，…Ｆｅ－Ｎｄの二元系合金を液体急冷法により非晶質リボンとしてこれを磁化して磁石とすることが提案されている。この方法では（ＢＨ）ｍａｘが４～５ＭＧＯｅのものが得られるが数μｍ～数１０μｍの厚さのリボンであるため実用的なバルクにするには積層か粉末化後プレスが必要となりいずれの方法でも理論密度比が６０～８０％位に低下し磁石特性はさらに低下して実用的なものでなくなつてしまう。」（３８頁）と記載され，希土類元素を含む磁石の分野において，「バルク」なる用語が，「粉末」と対比して用いられることが示されている。ｃ以上からすると，結晶・固体の物質等の技術分野においては，「バルク」とは，塊状の結晶・固体など，３次元的な拡がりをもち，かさばった状態の物質であって，薄膜，粒体，粉末に対して用いられ，表面，界面，端の効果が無視できる状態にあるものを意味するものと解されるから，本件発明１における「バルク体」についても同様のものを意味するものと認めるのが相当である。(イ)甲１発明における「粉末」（原料合金粉末）の意義について前記のとおり，甲１発明は，処理室内において，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種）にバインダーと水を添加，撹拌してスラリー状となし，これをスプレードライヤー装置によって造粒した粉末を原料粉末とし
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て，その粉末を磁場中で成形後，脱脂，焼結した後，０．３ｍｍ以下の研磨量で研磨加工が施され，一対の加工対向面間の寸法が３ｍｍ以下とされた焼結体の周囲に，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を配置して，真空中で，加熱手段によって焼結体及びＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末に熱処理を施すことにより，焼結体表面に希土類元素Ｒを蒸着もしくは吸着させて還元して，研磨加工による磁気特性の劣化を回復させるというものである。
そして，焼結体の周囲に配置するＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末は，Ｎｄ１３．３原子％，Ｐｒ０．３１原子％，Ｄｙ０．２８原子％，Ｃｏ３．４原子％，Ｂ６．５原子％，残部Ｆｅ及び不可避的不純物からなる原料を，Ａｒガス雰囲気中で高周波溶解して，ボタン状溶製合金を得て，次に，当該合金を粗粉砕した後，ジョークラッシャーなどにより平均粒度約１５μｍに粉砕し，さらに，ジェットミルにより平均粒度３μｍとした原料合金粉末である。
したがって，甲１発明にいう粉末（原料合金粉末）は，平均粒度３μｍ程度のものである。
(ウ)以上のとおり，本件発明１における「バルク体」とは，塊状の結晶・固体など，３次元的な拡がりをもち，かさばった状態の物質であって，薄膜，粒体，粉末に対して用いられ，表面，界面，端の効果が無視できる状態にあるものを意味するものであるから，甲１発明における平均粒度３μｍ程度の「粉末」（原料合金粉末）がこれと相違することは明らかである。
したがって，本件審決の相違点１の認定に誤りはない。
イ原告の主張について
(ア)原告は，本件明細書の記載からすると，本件発明１の「バルク体」とは，重希土類元素ＲＨを含有するために適し，かつ，加熱したとき重希土類元素ＲＨを供給するために適したものであれば足り，薄膜，粒体，粉末を排除するものではないなどと主張する。
しかし，前記のとおり，希土類元素を含む磁石の分野において，「バルク」は
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「粉末」と対比して用いられる用語であること，本件明細書では，ＲＨバルクの大きさが３０ｍｍ×３０ｍｍ×５ｍｍサイズであることや，ＲＨバルク体は，直径数１０μｍ程度の多数の微小孔が存在し得るものであることが挙げられていること，かえって，本件発明においては収着原料に粉末を使用しないことが解決すべき課題の一つとされていること，前記「理化学辞典」（甲１２）等に挙げられた「バルク」の意義などからすると，本件発明１にいう「バルク体」が甲１発明のような平均粒度３μｍ程度の「粉末」を含む概念であると認めることはできない。よって，原告の上記主張は，採用することができない。(イ)原告は，「バルク」の多様な意義からすると，前記「理化学辞典」（甲１２）に示された「バルク」の意義は特殊な分野における意義で，「バルク」の概念と相入れないものであり，しかも「バルク」と区別される粉体や粒体の大きさは，数値的に明確に規定されるものではないなどと主張する。本件発明１にいう「バルク体」については，塊状の結晶・固体など，３次元的な拡がりをもち，かさばった状態の物質であって，薄膜，粒体，粉末に対して用いられ，表面，界面，端の効果が無視できる状態にあるものと解するとしても，その形状や大きさが数値的に明示されるものではないから，その外延が必ずしも明確でないことは否定できないが，「バルク体」は，希土類元素を含む磁石の分野において，「粉末」と対比して用いられる用語であり，甲１発明において焼結体の周囲に配置されるのは，平均粒度３μｍのＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末であるから，これが「粉末」というべきものであることは明らかであって，本件発明１における「バルク体」と甲１発明における「粉末」（原料合金粉末）が同一のものとみることはできない。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
(2)相違点２について
ア本件審決が認定した相違点２は，「前記処理室内を減圧し，前記加熱手段によって前記物体および前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理することに
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より，」「前記物体から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給するように構成した」「処理装置」が，本件発明１では，「前記物体」「から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ，前記重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させるように構成した」「拡散処理装置」であるのに対して，甲１発明では，「前記物体」「から重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給」するように構成しているものの，「供給しつつ，前記重希土類元素ＲＨを前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させる」ように構成したとしておらず，「拡散」処理装置ともしていない点というものである。イ原告は，甲１の記載に接した当業者であれば，甲１において，希土類金属が気化（昇華）した後，焼結磁石体の表面に付着すれば，磁石体の結晶体の粒界に多かれ少なかれ「拡散」することを当然に認識し得たというべきであると主張する。しかしながら，甲１には，焼結体表面に蒸着もしくは吸着した希土類元素Ｒ（Ｄｙを含む）が，焼結体内部に拡散することについて明示的な記載はない。また，前記のとおり，甲１発明は，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末に含まれている希土類元素Ｒ（Ｄｙを含む）が焼結体表面に蒸着もしくは吸着するというものであるが，甲１発明では，Ｄｙは，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末にわずか０．２８原子％含まれているにすぎず，そのＤｙも，焼結体の研磨加工時に製品表面が酸化して形成された表面層を還元するために用いられているものであって（甲１【００４７】【００４９】），焼結体内部に拡散させるために用いられているものではない。そして，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石の結晶粒界にＤｙを拡散させることにより，保磁力が向上することは，技術常識であるから（甲５【００３２】【００３３】），甲１においてＤｙが焼結体内部に拡散しているのであれば，それにより保磁力が向上すると考えられるが，甲１において，実施例１で用いられた各サンプルの各製造工程における磁気特性の推移を示した表２（研磨加工前のもの），表３（研磨加工後のもの）及び表４（熱処理後のもの）の記載内容を比較すると，熱処理を施すこ
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とにより，研磨加工により劣化した保磁力が研磨加工前の状態に回復していることは認められるものの，熱処理によって保磁力が向上したといえる形跡は見ることができない。
そうすると，甲１発明において，Ｄｙが焼結体内部にまで拡散しているか否かは不明であるといわざるを得ない。
他方，本件発明１は，前記のとおり，処理室内において，重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ，Ｈｏ及びＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するバルク体と，軽希土類元素ＲＬ（Ｎｄ及びＰｒの少なくとも１種）を主たる希土類元素Ｒとして含有するＲ２Ｆｅ１４Ｂ型化合物結晶粒を主相として有するＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体とを対向配置させ，処理室内を減圧し，加熱手段によってバルク体及びＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理することにより，バルク体から重希土類元素ＲＨをＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ，重希土類元素ＲＨをＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させるというものである。したがって，本件発明１と甲１発明とは，重希土類元素ＲＨをＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させるように構成された拡散処理装置であるか否かという点で相違するのであるから，本件審決の相違点２の認定に誤りはない。ウ原告は，甲２８ないし３１を挙げて，焼結磁石体の表面にあるＤｙなどの希土類金属が，７００℃から１０００℃程度の熱処理により，焼結磁石体の結晶体の粒界に多かれ少なかれ入り込むこと，すなわち「拡散」することは，本件出願に係る前記優先権主張日当時には技術常識であったとして，甲１に接した当業者は，甲１発明においても，希土類金属が気化した後，焼結磁石体の表面に付着すれば，磁石体の結晶体の粒界の多かれ少なかれ「拡散」することは当然に理解し得たと主張する。
(ア)甲２８ないし３１には，次のとおりの記載がある。甲２８の「金属コーティングに続く熱処理の薄型Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石の保磁力への影響」には，Ｄｙ金属の３ミクロンメートルの層が薄型磁石の両面にコー
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ティングされ，最適な熱処理をしたサンプルについては，当初の磁石の約２倍の保磁力が得られており，これは「Ｄｙが完全にマトリックス結晶粒の内部に拡散され，（Ｎｄ，Ｄｙ）２Ｆｅ１４Ｂのマトリックス結晶粒を形成している」と記載されている。


甲２９の「超微小に加工されたＮｄ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石」には，小型に加工された磁石表面に，スパッタによりＤｙあるいはＴｂを被着させて高温熱処理と時効処理を施すと，「Ｎｄに富む相が液層となって磁気表面のＤｙと反応した結果，液層はＤｙに富むようになり，結晶粒界面でのみ化合物のＮｄがＤｙに置換されるために磁束密度の低下がほとんどなく保磁力が増大する。」と記載されている。甲３０の「粒界改質型Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石の磁気特性」には，Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ系焼結磁石片をスパッタリング装置内に設置した２枚のＤｙ又はＴｂターゲットの中間に保持し，磁石表面に厚さ数μｍのＤｙ又はＴｂ金属を成膜したところ，７００℃～１０００℃まで昇温し，熱処理したところ，「磁気表面に成膜したＴｂ金属は熱処理によって磁石内部に拡散し，主として粒界相に選択的に浸透したものと考えられる。」と記載されている。
甲３１の「ネオジウム系微小焼結磁石の表面改質と特性向上」には，スパッタリングを行って，磁石の外周全面に厚さ１．４μｍのＤｙ金属膜を形成し，９００℃で１０分，６００℃で２０分の２段の熱処理を実施したところ，「Ｄｙ元素が磁石表面に濃く分布し，かつＮｄリッチ粒界相に選択的に拡散しておよそ３０μｍの深さまで磁石内部に浸透している様子が明瞭に認められる。」（１８頁）と記載されている。
(イ)しかし，甲２８，甲３０及び甲３１では，いずれも，焼結体の表面に数μｍ程度の厚さのＤｙ層（Ｄｙ膜）を形成し，加熱によりＤｙを焼結体内部に拡散させるというものである。拡散の生じやすさが，接触する２つの相における元素の濃度差に影響を受けることは，一般的な科学常識であるから，甲２８，甲３０及び甲３１に記載されているように焼結体の表面に数μｍ程度の厚さのＤｙ層を形成して，
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これを加熱するという工程による作用と，０．２８原子％という少量のＤｙを含んだＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を熱処理した場合の作用を同視することはできず，甲１発明においても，甲２８，甲３０，甲３１と同様に，焼結体内部にＤｙ拡散しているか否かは不明であるといわざるを得ない。
また，甲２９には，磁石表面にＤｙあるいはＴｂを被着させて，高温熱処理と時効処理を施す旨記載されているものの，スパッタリングが用いられている点で甲１発明とは異なる方法であること，高温熱処理や時効処理の温度が不明であるから，甲２９は，原告が主張するような技術常識が存在することを示すものとはいえない。したがって，原告の上記主張は，採用することができない。エ原告は，甲３２を挙げて，Ｄｙの方がＦｅやＮｄよりも蒸気圧が高く，焼結の際，より高い割合で蒸発するため，焼結磁石のＤｙの含有量の方が，原料の粉末のＤｙの含有量よりも低い状態となるが，焼結磁石体と原料の粉末とを同時に加熱すると，より蒸発しやすい原料の粉末からは，Ｄｙが原料における含有量よりも多く含まれた蒸気が発生するから，そのような蒸気が焼結磁石の表面に付着すれば，焼結磁石中のＤｙとの濃度差が生じ，粒界への拡散が始まると主張する。甲３２は，物質ごとの温度と蒸気圧の関係を示したものであるが，Ｄｙの方が，ＦｅやＮｄよりも蒸気圧が高いとしても，実際に，原告が指摘する上記のような現象が生じると認めるに足りる証拠はない。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
(3)小括
よって，取消事由１は理由がない。
６取消事由２（本件発明１の甲１発明に基づく進歩性の判断の誤り）について
(1)相違点１について
前記のとおり，本件発明１は，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石において，少ない量の重希土類元素ＲＨを効率よく活用し，磁石が比較的厚くとも，磁石全体にわたって主相結晶粒の外殻部に重希土類元素ＲＨを拡散させることにより，残留磁束密
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度の低下を抑制しつつ，保磁力を向上しようとするものである。そして，本件発明１においては，重希土類元素ＲＨを含有するバルク体から，重希土類元素ＲＨをＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の表面に供給しつつ，重希土類元素ＲＨをＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させるものである。これに対し，甲１発明は，薄肉形状や小型形状のＲ－Ｆｅ－Ｂ系異方性焼結永久磁石を製造する方法において，焼結体における寸法精度をできる限り高くし，寸法出しのための研磨加工による研磨量を極力少なくして，加工による磁気特性の劣化を最小限に抑え，さらに，熱処理によって劣化した磁気特性をほぼ完全に回復させることにより，特に厚みが３ｍｍ以下，さらには２ｍｍ以下の薄肉，小型で寸法精度が高くかつ磁気特性の高い焼結磁石を製造しようとするものである。そして，甲１発明においては，焼結体を製造するための原料合金粉末である平均粒度３μｍのＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末から，その粉末に含まれている希土類元素Ｒ（Ｄｙを含む）を焼結体表面に蒸着もしくは吸着させて還元して，研磨加工による磁気特性の劣化を回復させるものである。
以上のとおり，本件発明１と甲１発明とは，いずれも，重希土類元素ＲＨを含有する物体から重希土類元素ＲＨを希土類焼結磁石体の表面に供給するという点で共通するものの，これにより解決しようとする課題は異なるものであり，また，希土類焼結磁石体の表面に供給された重希土類元素ＲＨの作用，目的及び効果も異なるものである。


そして，甲１には，焼結体の周囲に配置する合金として，バルク体を用いることの記載や示唆はない。また，甲１発明は，前記のとおり，所定の組成を有する平均粒度３μｍのＲ－Ｆｅ－Ｂ系合金粉末を原料合金粉末として焼結体を製造するとともに，その同じ原料合金粉末を焼結体の周囲に配置して，研磨加工による磁気特性の劣化を回復させるためにも用いるものであって，このような甲１発明において，焼結体の周囲に配置する原料合金粉末を，あえてバルク体とする動機付けがあるということはできない。
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したがって，甲１発明について，相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは，当業者が容易に想到することができたものではない。
(2)相違点２について
前記のとおり，本件発明１と甲１発明とは，これにより解決しようとする課題が異なり，重希土類元素ＲＨの作用，目的及び効果も異なるものである。そして，甲１には，焼結体表面に蒸着もしくは吸着させたＤｙを，焼結体内部に拡散させることについての記載や示唆はなく，甲１発明において，焼結体表面に蒸着もしくは吸着させたＤｙを，焼結体内部に拡散させる動機付けがあるということはできない。したがって，甲１発明について，相違点２に係る本件発明１の構成を採用することは，当業者が容易に想到することができたものではない。
(3)原告の主張について
原告は，本件明細書には，本件発明１において「バルク体」との構成を採用することによる技術的な効果については記載がなく，新規性及び進歩性を基礎づける技術的特徴は何ら認められないと主張する。
しかしながら，前記のとおり，本件発明では，収着原料に粉末を使用しないことを解決すべき課題の一つとしているのである。また，本件発明１は，Ｄｙ等の重希土類元素ＲＨをＲ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体の内部に拡散させるものであるから，Ｄｙ等の重希土類元素ＲＨを含有するバルク体は，高純度のものが望ましいことは明らかである。実際，本件明細書の各実施例においても，高純度のもの（例えば，純度９９．９％のＤｙ板）が用いられている。このように，本件発明１において，「バルク体」とすることには，技術的な意義があるということができる。そして，前記のとおり，甲１発明において，焼結体の周囲に配置する原料合金粉末を，あえてバルク体とする動機付けがあるということはできないから，甲１発明に基づき，相違点１に係る本件発明１の構成を容易に想到することができたということはできない。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。
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(4)小括
よって，取消事由２も理由がない。
７取消事由３（本件発明１の甲５発明に基づく新規性の判断の誤り）について
(1)相違点３について
ア本件審決が認定した相違点３は，「加熱手段」が，本件発明１では，「前記処理室内の温度を７００℃以上１０００℃以下に調節する加熱手段」であって，「前記バルク体および前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理する」ものであるのに対して，甲５発明では，磁石の温度を調整するのであって，「前記処理室内の温度」を調節するとはしておらず，Ｔｂ－Ｃｏ組成の合金ターゲット「を加熱処理する」ともしていない点というものである。
イ原告は，希土類金属を蒸着するためには，真空の程度及び金属の種類に応じた温度において，加熱して気化（昇華）させれば足りることは技術常識であるとした上で，甲５においては，結晶体の粒界に「拡散」させるために適した熱処理温度（およそ７００℃から１０００℃程度）において気化（昇華）するために適した希土類金属，例えば，Ｄｙを希土類焼結磁石の表面に供給する方法として，「蒸着」を用いる技術的思想も開示されていると主張する。
そこで検討するに，甲５には，希土類－鉄－ホウ素系焼結磁石の保磁力を向上するために，希土類－鉄－ホウ素系焼結磁石の表面に，Ｍ元素（Ｄｙ，Ｔｂ，Ｈｏ等）又はＭ元素を含む合金を成膜し，かつ磁石内部にＭ元素を拡散浸透させることによって，Ｍ元素が富化された結晶粒界層を形成すること（【請求項１】【請求項４】【００３２】【００３３】），成膜は，蒸着，スパッタリング，イオンプレーティング，レーザーデポジション等の物理的成膜法，ＣＶＤやＭＯ－ＣＶＤ等の化学的気相蒸着法，メッキ法等により行うことができること（【００４７】），通常，Ｍ元素を成膜した後に，５００～１０００℃における熱処理を行ってＭ元素を拡散させるが，スパッタリングの場合には，磁石試料を保持具とともに熱しておくか，スパッタリング時のＲＦ及びＤＣ出力を上げて成膜することにより，成膜中の磁石
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を５００～１０００℃，例えば８００℃位にまで上昇させることができるため，実質的にＭ元素を成膜させながら同時に拡散を行うこともできること（【００３９】【００４０】）などが記載されている。そして，スパッタリングによる実施例１ないし３（【００５４】～【００７２】）及びイオンプレーティングによる実施例４（【００７３】～【００７６】）が，Ｍ元素を成膜した後に熱処理を行ってＭ元素を拡散させる場合の具体例であり，スパッタリングによる実施例５（【００７７】～【００８０】）が実質的にＭ元素を成膜させながら同時に拡散を行う場合の具体例である。
以上のとおり，甲５には，スパッタリングの場合には，実質的にＭ元素を成膜させながら同時に拡散を行うことが記載されている。


しかしながら，スパッタリング以外の場合，例えば蒸着の場合においても，実質的にＭ元素を成膜させながら同時に拡散を行うことの明示的な記載はない。また，前記乙３，乙５の記載によれば，本件出願に係る優先権主張日当時，蒸着による薄膜の形成においては，通常，基板の温度が常温～３００℃程度とされることは，技術常識であったと認められる。そうすると，磁石（基板）を８００℃程度に加熱する甲５の実施例５において，スパッタリングに代えて蒸着を適用すること，すなわち，Ｔｂ－Ｃｏ合金を蒸着材料として用いて，蒸着により磁石の表面に成膜を行うと同時に磁石（基板）を８００℃程度に加熱して拡散するようにすることは，上記のような技術常識に反するものといわざるを得ない。さらに，本件出願に係る優先権主張日当時，蒸着による薄膜の形成においては，通常，「１０－２Torr」の蒸気圧が得られる温度で蒸着材料を加熱することは，技術常識であったものである（甲１５の１，乙２～４）。甲５におけるＭ元素であるＤｙ，Ｔｂ，Ｈｏにおいて，このような蒸気圧が得られる温度は，いずれも，１０００℃を越える温度となるから（甲１５の１），甲５の実施例５において，スパッタリングに代えて蒸着を適用した場合，蒸着材料としてのＴｂ－Ｃｏ合金を１０００℃を超える温度で加熱することを要するものとなる。
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そうすると，甲５には，Ｔｂ－Ｃｏ合金を蒸着材料として用いて，その蒸着材料を７００℃以上１０００℃以下に加熱して，蒸着により磁石の表面に成膜を行うと同時に，磁石を８００℃程度に加熱して蒸着材料を磁石内部へ拡散を行う発明が記載されているということはできない。
以上のとおり，甲５には，蒸着材料を７００℃以上１０００℃以下に加熱して，蒸着により磁石の表面に成膜を行うと同時に，磁石を８００℃程度に加熱して蒸着材料を磁石内部へ拡散を行う発明が記載されているとはいえないから，結局，「前記処理室内の温度を７００℃以上１０００℃以下に調節する加熱手段」であって，「前記バルク体および前記Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石体を加熱処理する」ことが記載されているとはいえず，本件発明１と甲５発明とは，この点で相違する。したがって，本件審決の相違点３の認定に誤りはない。ウ原告は，甲３２ないし３４を挙げて，蒸着のために１０－２Torr   の蒸気圧が必要であることは，本件出願に係る優先権主張日当時の技術常識とはいえないと主張する。
しかし，原告の上記主張は，真空蒸着において，装置内に残留する気体の圧力を示す「真空度」と，蒸着材料を適切な速度で蒸発させるための加熱温度における蒸着材料の「平衡蒸気圧」とを混同するものである（甲３３，３４）。また，甲３２は，蒸気圧と温度との関係を一般的に示したものにすぎず，蒸着に適した蒸気圧や温度を示したものということはできない。
したがって，原告の上記主張は，採用することができない。なお，原告は，乙２には，「蒸発源材料の平衡蒸気圧が１０－６Pa台かそれを少し上回る温度で多くの薄膜材料を蒸着することができる」と記載されているとも主張する。
しかしながら，乙２は，蒸着材料（薄膜材料）を保持し，加熱するための「蒸着源材料」の蒸気圧を示すものであるから，原告の上記主張は，「蒸着材料」と「蒸着源材料」とを混同するものであり，これを採用することはできない。
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(2)小括
よって，取消事由３も理由がない。
８取消事由４（本件発明１の甲５発明に基づく進歩性の判断の誤り）について
(1)甲５発明に基づく容易想到性について
前記のとおり，本件発明１は，重希土類元素ＲＨの気化（昇華）はほとんど生じないが，Ｒ－Ｆｅ－Ｂ系希土類焼結磁石における希土類元素の拡散が活発に生じる温度である７００℃以上１０００℃以下の温度範囲とすることにより，ＲＨバルク体の気化（昇華）をＲＨ膜の成長速度がＲＨの磁石内部への拡散速度よりも極度に大きくならない程度に抑制しつつ，焼結磁石体の表面に飛来した重希土類元素ＲＨを速やかに磁石体内部に拡散させるというものである（甲２０【００３７】）。しかるに，前記のとおり，甲５には，スパッタリングの場合には，実質的にＭ元素を成膜させながら同時に磁石内部へ拡散を行うことが記載されているといえるが，蒸着の場合においても，実質的にＭ元素を成膜させながら同時に磁石内部へ拡散を行うことが記載されているとはいえない。
また，前記のとおり，蒸着による薄膜の形成においては，薄膜材料が基板に到着して急速冷却され，固体になって薄膜になるため，通常，基板の温度が常温～３００℃程度とされることは，技術常識である。このような技術常識を踏まえると，磁石試料（基板）を約８００℃に加熱する甲５発明において，スパッタリングに代えて蒸着を適用する動機付けがあるということはできない。さらに，蒸着による薄膜の形成においては，通常，「１０－２Torr」の蒸気圧が得られる温度で蒸着材料を加熱することは，技術常識であり，甲５におけるＭ元素であるＤｙ，Ｔｂ，Ｈｏにおいて，このような蒸気圧が得られる温度は，いずれも，１０００℃を越えるものである。したがって，甲５発明において，スパッタリングに代えて蒸着を適用してみたとしても，蒸着材料としての８０質量％Ｔｂ－２０質量％Ｃｏ組成の合金を，１０００℃を超える温度で加熱することになるだけである。そうすると，甲５発明において，スパッタリングに代えて蒸着を適用し，その際，
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蒸着材料としての８０質量％Ｔｂ－２０質量％Ｃｏ組成の合金を７００℃以上１０００℃以下に加熱する動機付けがあるとはいえない。