本件訂正発明の課題は，セラミックス基板と接触良く半田付け可能で，かつ，冷却フィンと密着性良くネジ止めできる形状の炭化珪素質複合体の放熱部品を提供することであるが，この課題の解決は，実際に使用する際に達成されなければ意味がない。
ところで，放熱部品を実際に使用する際には，放熱部品は，まずセラミックス基板と半田付けされてモジュール化される。そして，放熱部品にセラミックス基板を半田付けする際に，半田付けのための加熱と半田付け終了後の常温への冷却により，板状の放熱部品が変形してしまうことは技術常識である。この変形は，板状の放熱部品の加熱・冷却それ自体によるものと，板状の放熱部品の材質とセラミックス基板の材質との熱膨張率の差による影響とが複合して生じる現象である。
上記のとおり，放熱部品は半田付けの際に変形するものであるにもかかわらず，本件明細書では，その影響を全く考慮することなく，反り量の範囲を決定している。
そのため，当業者であっても，本件訂正発明を課題が解決されるものとして認識し得ないのであって，サポート要件を満たさない。また，課題を解決しうる実施品を製造・使用することもできないから，実施可能要件も満たさない。
(4)まとめ
以上によれば，本件訂正発明は，改正前特許法３６条４項，特許法３６条６項１号及び２号に違反するものであるから，本件審決における記載要件に係る判断は誤りである。
〔被告の主張〕
(1)本件訂正発明の「反り量」について
ア本件訂正発明の特許請求の範囲に記載された「反り量」を，本件明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌して解釈すれば，本件審決が認定するとおり，「炭化珪素質複合体が凸面を形成していることの程度を規定するものであって，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面から好ましい，板状体の中央部が凸部で凸面を形成さえしていれば，その裏面（反対面）が凹面であるか否かは問わない」と解釈することが自然である。イまた，本件訂正発明１の特許請求の範囲に記載された「穴間方向」を，本件明細書の発明の詳細な説明の記載（段落【００３１】）を参酌して解釈すれば，本件審決が認定するとおり，「図９（ａ）～（ｄ）に例示した，放熱板表面の一方向を示し，Ｙ方向は，前記表面内のＸ方向と垂直な方向を示している」，「本発明にかかる複合体の平面図である図９をみると，Ｙ方向に沿って並ぶ穴は，左側から順次，２個，２個，３個，４個であるのに対して，Ｘ方向に沿って並ぶ穴は，いずれも２個であることが見て取れ，本件訂正発明１で特定されているＸ方向Ｙ方向の違いは，明らかであるし，平面視が正方形の場合には，何れの方向をＸ方向Ｙ方向としてもよいことも明らか」である。
(2)「反り量」の定義（いずれの面についての物理量か）について本件訂正発明の特許請求の範囲には，構成要件として「凸面」が規定されており，「凸面」についての反り量の技術的意義が本件明細書に記載されている。これに対し，「凹面」は，特許請求の範囲において，構成要件として規定されていない。
特許請求の範囲の記載から，「反り量」は板状複合体の「凸面」の程度を規定するものであることは明確であり，本件明細書には，当該「反り量」は必要十分に開示されているから，実施可能であり，サポート要件も満たす。原告の主張は，特許請求の範囲に存在しない構成要件を想定して，特許請求の範囲に規定のある「凸面」と規定のない面のいずれかが不明確であるというに等しく，失当である。
(3)「反り量」の定義（穴間方向の意義）について
ア「穴間方向」の意義について
「穴間方向」は，穴と穴の間の方向であり，その技術的意義は図９に例示されており，明確である。
(ア)本件訂正発明１の特許請求の範囲（請求項１）には，「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が…ことを特徴とする」との記載がある。
したがって，「穴間方向（Ｘ方向）」とは，反り量（Ｃｘ；μｍ）の測定方向であり，「それに垂直な方向（Ｙ方向）」は，Ｘ方向に垂直な方向であって，反り量（Ｃｙ；μｍ）の測定方向である。また，本件明細書には，「穴間方向（Ｘ方向）とは，図９（ａ）～（ｄ）に例示した，放熱板表面の一方向を示し，Ｙ方向は，前記表面内のＸ方向と垂直な方向を示している。」（段落【００３１】）との記載がある。
したがって，「穴間方向（Ｘ方向）」とは，「放熱板表面の一方向」であり，「図９（ａ）～（ｄ）に例示」されており，「Ｙ方向」は「Ｘ方向と垂直な方向」である。
(イ)「穴部」について
本件訂正発明１の特許請求の範囲（請求項１）には，「板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し」との記載がある。
また，本件明細書には，「反り量（Ｃx；μｍ，並びにＣy；μｍ）が前記特定の範囲にあるときに，複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができるという知見を得て」（段落【００３２】）との記載がある。
「穴部」は，ネジ止め固定のためのものであるから，板状複合体の少なくとも四隅に設けることは自明である。また，設計上の制約によっては，穴部の配置が上下方向や左右方向に多少ずれることも自明である。したがって，「穴間方向（Ｘ方向）」，すなわち，反り量（Ｃｘ；μｍ）の測定方向は，穴部の中心点を結んだ線とは，必ずしも一致しない。本件明細書の図９の左から２番目には，そのような例が示されている。(ウ)なお，本件明細書の図９における例示の説明のための具体的な表現態様が，本件審決と被告とで同一でなかったり，状況に応じて説明の表現が同一ではないとしても，発明の要旨認定を左右するものではないし，無効理由を構成するものでもない。
Ｘ方向とＹ方向の区別は明らかであり，しかも，本件訂正発明１の特許請求の範囲に「｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜」という構成要件を追加したことによって，Ｘ方向とＹ方向の区別は一層明らかになった。
イ原告の主張について


(ア)原告は，被告の訂正事項１に係る主張につき，ＸＹ方向は当初から定まっているものではなく，実際に作成した複合体において得られた「反り量」の結果から，事後的にそれが大きい方向がＸ方向であると定義されるとするものである旨主張するが，被告はこのような主張はしていない。本件訂正発明は物の発明であるから，「当初から」，「事後的に」，あるいは，「事前に」という経時的要素は問題になる余地はない。(イ)原告は，本件明細書の段落【００３２】の「Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。」との記載は，「明らかに，好ましくない場合として，Ｙ方向の反り量が大きいこともありうること」を意味する旨主張するが，かかる記載は，「より望ましい反りの量」について記載したものであることは明らかであるから，本件訂正発明１において特定される反りの範囲でも好ましくない場合があるとはいえないのであり，原告が主張するような「明らかに好ましくない場合として，Ｙ方向の反り量が大きいこともありうること」を意味するものではない。
(4)「反り量」の範囲について
原告は，本件訂正発明の課題は，セラミックス基板と接触良く半田付け可能で，かつ，冷却フィンと密着性良くネジ止めできる形状の炭化珪素質複合体の放熱部品を提供することであるが，この課題は，実際に使用する際において達成されなければ意味がないなどと主張する。
しかしながら，本件訂正発明の解決課題は「セラミックス基板と接触良く半田付け可能」かとは別箇のものである。ヒートシンクを実際に使用する際に，セラミックス基板と接触良く半田付け可能であることは重要であるが，本件訂正発明の発明者は，本件訂正発明の解決課題としては設定しなかったから，本件明細書においては簡単に言及するにとどめているのである（段落【００７９】及び【００８０】）。
したがって，原告の上記主張はその前提を欠くものであり，失当である。また，原告は，放熱部品は半田付けの際に変形するものであるにもかかわらず，本件明細書では，その影響を全く考慮することなく，反り量の範囲を決定しているから，当業者であっても，本件訂正発明を課題が解決されるものとして認識し得ないし，課題を解決し得る実施品を製造・使用することもできない旨主張する。
しかしながら，板状のＡｌＳｉＣ複合体からなるヒートシンクを用いてセラミックス基板と接合する場合は，銅のヒートシンクと異なり，本来的には，いずれの方向にも反らないことを当然に予想して組み合わせるのであり，本件明細書においては，本件訂正発明の解決課題の解決手段が必要十分に開示されているから，板状のＡｌＳｉＣ複合体をセラミックス基板に接合する際の変形への言及がないとしても，記載不備の無効理由を構成するものではない。
(5)小括
以上によれば，本件訂正発明に，改正前特許法３６条４項，特許法３６条６項１号及び２号違反とされるべき点はないから，本件審決における記載要件に係る判断に誤りはない。
３取消事由３（刊行物１（甲１）に基づく進歩性判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)本件訂正発明１の進歩性判断の誤りについてア本件審決は，本件訂正発明１と甲１発明との相違点２は，実質的な相違点であって，甲１発明に甲２ないし甲８に記載された発明を組み合わせても，相違点２に係る本件訂正発明１の発明特定事項を導き出すことはできない旨判断した。
しかしながら，以下のとおり，相違点２に係る本件訂正発明１の発明特定事項には技術的意義はなく，本件訂正発明１における相違点２に係る構成は単なる設計事項であって，本件訂正発明１との実質的な相違点と認められるものではない。
イ半導体モジュールの放熱性能向上のための技術常識について(ア)本件訂正発明１は，板状の炭化珪素質複合体に係るものであるが，その産業上の利用可能性は，セラミックス基板等の絶縁性基板に搭載された半導体素子が発する熱を放熱フィン（冷却フィン）に効率よく放散させるための部品，すなわち，放熱部品（ヒートシンク）としての用途にある。
半導体モジュールの放熱性能を向上させるためには，空気の熱伝導性は著しく低いことから，半導体モジュールを構成する板状の放熱部品と放熱フィンとの間を密着させ，両者の間になるべく空隙が生じないようにしなければならない。
半導体モジュールを構成する板状の放熱部品と放熱フィンとの間に空隙が入らないようにするための一つの技術常識は，両者をネジ止めするのに先立ち，接合面にグリスを塗布するというものであるが，これに加えて，以下の技術が当業者に周知であった。
(イ)各文献に記載された事項
ａ甲２
甲２は，半導体モジュールを冷却フィンにネジ止めする際の，半導体モジュールを構成する板状の放熱部品の底面の凸状の程度を制御することで放熱性能を高めるという技術及びそのために，半導体モジュールを構成する前にあらかじめ放熱部品に凸状を形成しておくという技術を開示している（段落【０００３】，【０００５】，【００１４】，【００２０】，【００２１】，【００２２】，【図１】）。ここで，甲２に記載された放熱部品は銅製であり，炭化珪素質複合体ではない。しかしながら，甲２の段落【０００４】には「セラミック板の状態に対して凸状に湾曲した銅支持板が存在することになる。この事実は，冷却体への支持板の良好な接触がこの構造体の側面でのみはなお確保されるが，中央部ではまったく接触しないか又は不良な状態で接触するにすぎず，従って熱の放出にはほとんど役に立たないことを意味する。」と記載されており，放熱部品が放熱フィン側に凸となっていないと放熱フィンとの接触が悪くなり，冷却性能が低下するというのは，放熱部品の材質が銅であることに特有のことではないのであるから，甲２は，放熱部品の材質にかかわらず，放熱部品が放熱フィン側に凸の形状であることが好ましいという技術を開示しているといえる。
また，放熱部品を凸状あるいは球面にする場合，反りが小さすぎれば放熱性能を高めるという効果は発生しないし，大きすぎればネジ止めに不都合が生じるのは自明であるから，その反り量を所定の大きさにするのは当然である。甲２にも，「凸状に湾曲した，できる限り球面に等しい板構造体を得るには，十分に小さいセラミック板を，凸状に予め変形処理した銅支持板上に軟ろう結合により設け，その結果構造体の冷却後に所望の板構造体を少なくとも近似して生ぜしめることができる。」（段落【０００５】），「僅かに凸状に構成された支持板形状は理想的である」（段落【００１４】），「全体的には所望の残留凸面状が残り」（段落【００２１】）との記載があり，反りを所望の大きさに制御する思想が開示されている。
以上によれば，甲２には，放熱部品を放熱フィン側に凸状にすることが好ましいという技術及び所望の範囲に反り量を規定するという技術が開示されているといえる。
ｂ甲３


甲３は，半導体素子を搭載した絶縁性基板を熱良伝導性物質からなる底板に半田付けした半導体モジュールにおいて，底板の底面を凸状とする技術が開示されている。
ここで，段落【０００８】では，熱良伝導性物質として銅が挙げられているが，「例えば」と記載されているように，例示にすぎない（段落【０００２】には，凸状にする理由は，熱接触を良好にするためであることが記載されており，銅特有の課題であると認識されているわけではない。）。
凸面形成は，「縦方向だけで充分」な場合もあれば，「両方向に行うことが推奨される」場合もあり，後者の場合には「例えば球面の形とされる」と記載されている（段落【００１１】）。
そして，凸状の程度は，ネジ止めした際に放熱部品と冷却フィンとの接触を良好にする程度のものであることが必要であるものの，ネジ止め後に放熱部品の中央部が冷却フィンと反対側に膨らんでしまうことのない大きさにとどめるべきことが開示されている（段落【０００２】）。
以上によれば，甲３には，（材料を問わず）ヒートシンクを放熱フィン側に凸形状にすることが好ましいという技術及び所定の大きさに反り量を制御するという技術が開示されているといえる。
ｃ甲４
甲４は，炭化珪素質複合体からなる板状の放熱部品について，「加熱された際にも反りがない，寸法安定性に優れた高熱伝導性複合体とそれを用いて放熱部品を安価に提供することを目的とする」発明に係るものであり（段落【００１２】），炭化珪素質複合体からなる板状の放熱部品について，複合体中の炭化珪素量を厳密に操作することにより，複合体の反りを防止しようとする発明である（段落【００１３】）。
甲４には，上記の工夫を施した場合であっても，半田付け時の温度に相当する３００℃に加熱し，冷却後に，表２に記載された程度の反りが生じる炭化珪素質複合体からなる板状のヒートシンクが開示されている。
ｄ甲５
甲５には，ＡｌＳｉＣ複合体製のヒートシンクが開示されており，それが反りを有する場合があることも開示されている。そして，甲５には，ＡｌＳｉＣ複合体製のヒートシンクの反りを適当なものに制御する技術開発が行われていたことも記載されている。
ｅ甲８
甲８の「図２の右側に示す機械加工による凸状（ｂｏｗ）形状は，明らかにベースプレートとヒートシンクとの間の熱伝導性を向上させる。」との記載及び図２によれば，絶縁性基板を半田付けした後の半導体モジュールにおける板状の放熱部品が凸状であることが重要であることが開示されているといえる。
甲８には，ＡｌＳｉＣ複合体について，「バイメタル効果が減少することにより，ヒートシンクとの接面のバランスが良くなるという効果が生じる」と記載されているが（訳文３頁下から７行目～下から６行目），「バイメタル効果が減少」，「バランスが良くなる」との記載により，問題が全て解消，根絶されるとは理解されないから，凸形状により熱伝導性を向上させる技術が開示されていることからすると，ＡｌＳｉＣ複合体を用いる場合も，さらに一層熱伝導性を向上させるために凸形状を採用しようとするのは自然な流れであり，何の阻害要因もない。
ｆ甲２１（特開平４－９６３５５号公報）
「セラミック基板の一方側に半導体素子を取り付け，他方側の放熱板を半田付けする半導体デバイスにおいて，放熱板の反接着面側が凸状となるよう予め反りをつけることによって，半田付後の冷却に伴う反りを相殺して熱抵抗を低減したもの」（１頁右欄３行ないし８行）であり，放熱部品にあらかじめ凸状を形成することで，セラミック基板を当該放熱部品に半田付けして半導体モジュールを作成して冷却した後も，凸状が残るようにすべきことが記載されている（３頁右下欄２行ないし１１行）。
そして，半導体モジュールを作成して冷却した後において「１０～１００μｍ」の凸状が維持されるようにするのが好適であるとし，凸状をこの程度としたことで，放熱フィンへの取り付け時に吸収されてフラットの状態となり接触面積が増大することが記載されている（３頁左下欄１行ないし９行，同頁右下欄２行ないし１１行）。以上のとおり，甲２１は，銅の熱膨張率を考慮したうえで，さらに，所定量の凸形状となるようにヒートシンクを形成することによって，放熱フィンとの接触性を高めることができることを開示しているが，冷却後に凸形状が残るようにするべきという技術は放熱フィンとの接触面積を保つためになされているのであり，銅に特有のものではなく，ヒートシンク一般に適用できる技術であると当業者には理解されるから，ＡｌＳｉＣ製のヒートシンクにおいても，所定の残留凸形状が残るように，あらかじめ凸形状を形成すべきことになる。以上によれば，甲２１は，半導体モジュールを冷却フィンにネジ止めする際の半導体モジュールの板状の放熱部品の底面の凸状の程度を制御することで放熱性能を高めるという技術及びそのためにあらかじめ放熱部品に凸状を形成しておくという技術が開示されている。
ｇ甲２２（特開平１１－１７７００２号公報）
板状の放熱部品の材料として「Ａｌ－ＳｉＣ（アルミ－シリコンカーバイド）複合体」，「ＳiＣ（シリコンカーバイド）の特性を改善した複合材料であり，ＳiＣの空隙にＡｌ（アルミ）を含浸することによって，脆性及び熱伝導率を改善したもの」，すなわち炭化珪素質複合体を採用した半導体モジュールが開示されている（   段落【００１８】）。
甲２２で開示された半導体モジュールは，板状の放熱部品と絶縁性基板を半田により接合して半導体モジュールを作成し，常温まで冷却し，その後，所定の工程を経ることで，半導体モジュールを冷却フィンに接合するのに先立って，当該放熱部品が凸状となるようにしたものである（段落【００１２】ないし【００１５】，図２）。そして，甲２２には，炭化珪素質複合体からなる放熱部品の底面を凸状とすることで放熱性能が向上する理由（段落【００１６】）及び半導体モジュールの底面を凸状とするための従来技術として，セラミックス基板を板状の放熱部品に半田付けするのに先立って，あらかじめ板状の放熱部品を凸状としておく技術が知られていたこと（段落【０００４】，【０００５】）が記載されている。


以上によれば，甲２２には，特に炭化珪素質複合体からなる板状の放熱部品を用いた半導体モジュールを冷却フィンにネジ止めする際に，当該放熱部品の底面の凸状の程度を制御することで，放熱性能を高めるという技術及びそのために炭化珪素質複合体からなる板状の放熱部品にあらかじめ凸状を形成しておくという技術が開示されている。また，甲２２には，半田付け工程における加熱と冷却の結果，炭化珪素質複合体からなる板状の放熱部品が変形することが記載されている（段落【００１３】）。
ｈ甲２３（特開平７－１６１８６３号公報）
甲２３には，シリコンカーバイドにアルミニウムを含浸させたヒートシンクについて，モジュール組み立て時の熱によって，平板の炭化珪素質複合体の放熱部材に反りが生じること及びその反りによって冷却フィンとの密着性が低下することが開示されている（段落【０００４】，【０００７】，【００１０】）。
甲２３に記載された発明では，この「反り」に抵抗するために，ヒートシンクを「閉囲構造つまり箱」の形状とし（段落【０００６】），これによって，高い剛性を得て，反りが生じないようにし，冷却フィンとの緊密な熱接触を促進するために，底面を僅かに凸形状にしている（段落【００１１】）。なお，甲２３では，熱による変形を考慮せずに凸形状を設けているが，これは，本件訂正発明とは異なり，箱型とすることによって熱による変形に抵抗する機構を備えているからである。
すなわち，甲２３は，加熱を伴うモジュール組み立て時に底面が反ることがないから，当該底面を最初から凸形状にしておけばモジュール組み立て後に冷却フィンと接合する際にも冷却フィン側が凸形状となる炭化珪素質複合体の放熱部品を開示している。
そして，「単体ベース構造物１０１」は，ＡｌＳｉＣ製であり（段落【０００９】），このＡｌＳｉＣ製のベース構造物に凸状底面１０６が設けられているから，甲２３は，冷却フィンと接合する際に冷却フィン側に凸形状となる炭化珪素質複合体のヒートシンクを開示している。
(ウ)周知技術の内容等
前記(イ)の各文献（甲２，３，８，２１ないし２３）に示されるように，半導体モジュールを放熱フィンにネジ止めする際，半導体モジュールを構成する板状の放熱部品の底面（絶縁性基板が半田付けされた面とは反対側の面であって，放熱フィンに接する面）を凸状とし，その凸状の程度を制御することで，半導体モジュールと冷却フィンとの密着性を向上させ，両者の間の空隙をなくすという技術が，本件特許の出願日前に当業者に周知であった。
また，半導体モジュールの底面にそのような凸状を形成するため，半田付けにより半導体モジュールを組み立てるのに先立って，あらかじめ板状の放熱部品の面に凸状を生じさせておくという方法も知られていた（半導体基板を半田付けして半導体モジュールを作成した後の底面（ヒートシンクの放熱フィンに接する面）を凸形状にするために半田付けに先立ってあらかじめ銅製のヒートシンクに凸状を形成しておくことが公知であれば，ＡｌＳｉＣ製のヒートシンクについてもその形状を適用することは，少なくとも容易である。）。
これらの周知技術において，放熱性能を向上させるために重要なのは，半導体モジュールを放熱フィンにネジ止めする際の板状の放熱部品の底面の形状であるから，これらの周知技術は，半導体モジュールを構成する板状の放熱部品の材質にかかわらず適用できるものとして知られており，甲２２に明示されるように，板状の放熱部品の材質が炭化珪素質複合体である場合も同様であった（ヒートシンクの一面を凸状にする目的や技術的意義に照らせば，ＡｌＳｉＣ製のヒートシンクに凸形状を適用することによる作用効果は，銅製であるかＡｌＳｉＣ製であるかに関わらないことは当業者に明らかであるから，半導体基板を半田付けして半導体モジュールを作成した後の底面（ヒートシンクの放熱フィンに接する面）を凸形状にすることが銅製のヒートシンクにおいて公知であれば，ＡｌＳｉＣ製のヒートシンクにその形状を適用することは，少なくとも容易である。）。
なお，甲２，甲３，甲８，甲２１及び甲２２は，いずれも半導体モジュールを作成したのちの底面の形状に着目し，最終的にそれを制御しようとするものであるが，これは，板状の放熱部品にセラミックス基板を半田付けする際，半田付けのための加熱と半田付け終了後の常温への冷却により，板状の放熱部品の加熱・冷却それ自体による変形と板状の放熱部品の材質とセラミックス基板の材質との熱膨張率の差による影響が複合して，板状の放熱部品が変形してしまうことが技術常識であったからである。
(エ)被告の主張について
被告の主張する技術開発は，ＡｌＳｉＣ製の板状のヒートシンクの製造やセラミックス基板の半田付けに際して意図しない変形（歪み）を抑えようとする技術であって，放熱フィンとの密着性向上のために所定の形状に制御しようとする思想とは，相互に矛盾するものではないヒートシンクの凸形状に関する各甲号証に開示されているのは，ヒートシンクを放熱フィンに密着良く接合するために，ヒートシンクと放熱フィンとを接合する際に，ヒートシンクの放熱フィン側の面が凸形状を有するようにする，そのためにあらかじめヒートシンクに凸形状を形成しておく，というヒートシンクの形状に関する技術であり，銅とＡｌＳｉＣの材料工学上の性質の差異にかかわらず適用できることは，当業者に明らかである。
仮に，被告が主張するように，銅とＡｌＳｉＣは明確に区別して研究がなされていたとしても，そのことが，物の発明としてのＡｌＳｉＣ製のヒートシンクに銅のヒートシンクで用いられてきた形状を適用することができない理由にはならない。


ウ本件訂正発明１の相違点２に係る構成には技術的意義がないこと本件訂正発明１の相違点２に係る構成は，本件明細書の表９に基づき，良好な「密着率」が得られる反りの範囲を切り出そうとするものである。しかしながら，本件訂正発明の凸形状の技術的意義は，セラミックス基板を実装した後，他の放熱部材に接合する際に，応力を働かせることで熱接触性を向上させること，すなわち，セラミックス基板を実装した後の凸形状にある（本件明細書の段落【０００８】ないし【００１０】）にもかかわらず，本件明細書の表９に示されているのは，板状の炭化珪素質複合体にセラミックス基板を半田付けする工程を経ることなく，板状の炭化珪素質複合体をそのままアクリル板にネジ止めした場合の「密着率」である（段落【００７４】，【００７６】）。板状の炭化珪素質複合体を実際に使用するときには，冷却フィンにネジ止めする前にセラミックス基板を板状の炭化珪素質複合体に半田付けするのであり，その際に，板状の炭化珪素質複合体は変形してしまうのであるから，セラミックス基板を半田付けする工程を経ることなく，ただ板状の炭化珪素質複合体をアクリル板にネジ止めした際の「密着率」を測定しても，その結果は当該複合体を半導体モジュールの放熱部品として用いたときの冷却フィンに対する密着率を何ら示唆するものではなく，本件訂正発明１の作用効果を示すものではない（被告は，本件訂正発明の解決課題が，あたかも「ネジ止め後の締め付け力によって密着を保つこと」のみであるかのように主張するが，本件明細書の段落【０００６】ないし【０００９】，【００２９】，【００７９】ないし【００８１】の記載によれば，セラミックス基板側の接合する際における接着性もその課題とされている。）。
半導体を搭載した絶縁性基板を板状の放熱部品に半田付けして半導体モジュールを作成し，さらにそれが常温に冷却される過程では，半田付けする前の板状の放熱部品の凸面は変化するが，本件明細書には，どのように変化するかについての開示は一切なく，技術常識から明らかなものでもない。また，冷却フィンは金属製であって，アクリル板とは硬度が異なるため，アクリル板への密着率を測定しても意味がない。
以上のとおり，本件訂正発明１の相違点２に係る構成は，本件訂正発明１の炭化珪素質複合体の産業上の用途を考えた場合，何ら技術的意義を有するものではない。
さらに，相違点２に係る構成は，甲１発明に係る炭化珪素質複合体を当業者が通常の方法で作成した場合，意図しないとしても高い確率で生ずる範囲のものであり（甲９），甲４の表２の実施例に係る炭化珪素質複合体の反り量も含むものであって，ありふれたものである。以上によれば，半導体モジュールを作成した後の冷却フィン接合面の形状を凸面とし，その程度を適当なものとするために，半導体モジュールを作成する前の段階において板状の放熱部品の形状をあらかじめどのように作成しておくかは，設計事項として半田付けによる変形を予想しながら適宜定める事項であるといえる。
したがって，相違点２は実質的なものではなく，相違点２に係る本件訂正発明１の構成は，その進歩性を基礎付ける特徴であるとはいえない。エ本件訂正発明１の相違点２に係る構成に臨界的意義はないこと(ア)仮に，相違点２に係る本件訂正発明１の構成に何らかの技術的意義があるとしても，本件特許の出願時，本件訂正発明と同様の目的で，（材質を問わず）放熱部品を放熱フィン側に凸とすること及びその凸形状を制御することは周知技術であったから，その凸形状を具体的にどの程度にするかということは単なる設計事項にすぎない。したがって，本件訂正発明１に進歩性が認められる場合があるとすれば，相違点２に係る具体的な数値限定が技術的意義を有し，かつ，極めて特異な臨界的意義を有している場合に限られるというべきである。しかしながら，本件明細書の表９に記載された比較例３ないし６は，いずれも本件訂正発明の反り量の範囲からかけ離れたものであって，本件訂正発明の反り量の範囲の内外で密着率が劇的に変化することを示していない。また，参考例２７及び２９は，密着率９８％とされており，実施例２８の密着率（９３％）よりも密着率が良好であり，かつ，他の実施例とも密着率が同じか又は大差がない。このように，本件明細書の記載は，相違点２に係る構成の反り量に臨界的意義があることを一切示していない。
したがって，相違点２に係る構成の「反り量」には，何ら臨界的意義はないから，「反り量」を如何なる数値の範囲とするかは，当業者であれば，適宜決定できる事項にすぎない。
(イ)被告の主張について
ａ被告は，板状のＡｌＳｉＣ複合体は，セラミックス基板と接合した際に，いずれの方向にも反らない旨主張する。
しかしながら，ＡｌＳｉＣ複合体は，熱膨張係数を一定範囲で調整可能な材料であって，種々の熱膨張係数を取り得るものである。したがって，根拠もなく，板状のＡｌＳｉＣ複合体においては熱膨張係数を合わせるのは当然であるなどということはできないし，いずれの方向にも反らないということもできない。
また，被告の上記主張は，ＡｌＳｉＣ製のヒートシンクにおいても，その反り量については「セラミックス基板が実装されていない状態と基板が実装された状態とでは同一とは限らない」旨の被告の認識（甲２６）とも矛盾する。
そして，ＡｌＳｉＣ製ヒートシンクがセラミックス基板を実装する際に変形することがあることは，本件明細書に，本件特許の出願時において，熱膨張率がセラミックス基板に近い，金属－セラミックス複合体を提供することが課題であった旨の記載（段落【０００６】，【０００７】）や，ＡｌＳｉＣ複合体の熱膨張率は，配合比によっては，セラミックス基板の熱膨張率と異なる場合があること及びそれによってヒートシンクの信頼性が低下することについての記載（段落【００２７】）があることから明らかである。
また，セラミックス基板を実装する際，又は半田付けに際して，ＡｌＳｉＣ製の板状部材が変形する場合があることは，甲４（段落【０００９】），甲２２（段落【０００４】，【００１８】），甲２３（段落【０００７】），乙３（段落【０００６】ないし【００１１】），乙５の３（段落【００１２】，【００２５】）に記載又は示唆されているし，ＡｌＳｉＣ複合体の熱膨張係数を合わせるのが当然であるなどとはいえないことも，乙９の１ないし４，甲２９，甲３０，甲３１に記載又は示唆されている。
したがって，被告の上記主張は失当である。


ｂ仮に，ＡｌＳｉＣ複合体の熱膨張率をそろえれば変形しないのであったとしても，熱膨張率を制御することについて本件訂正発明は何ら言及していないから，本件訂正発明は，このように熱膨張率をそろえて変形しないようにしたヒートシンクに限定されない。したがって，被告の前記ａの主張を前提とすれば，本件訂正発明は，何ら作用効果を奏しない場合を含んでいることになる。さらに，変形を抑制できるＡｌＳｉＣ複合体を用いるとしても，その変形の程度を考慮して，あらかじめ適宜の凸形状を設けるのは，設計事項というほかない。どの方向にどの程度変形するかは，具体的な条件に依存するのであるから，その凸形状は，そのようなＡｌＳｉＣの性質の違いに対応して種々異なる形状となるはずである。したがって，熱膨張率がいかなるものであるのかを規定せずに，数値範囲等を限定することはそもそも矛盾であり，本件訂正発明１における数値範囲に臨界的意義はない。
ｃ被告は，相違点２に係る本件訂正発明１の構成は，板状のＡｌＳｉＣ複合体において，２方向の凸面を形成し，さらに，当該凸面を規定する反り量の数値範囲が互いに相違し，その上で，一方の反り量が他方の反り量以上であるというものであり，このような技術思想は，甲１にも，他の甲号証にも開示されていないから，設計事項ではありえない旨主張する。
しかしながら，凸面を形成すれば，２次元形状になるのは当然であるし，一方の反り量が他方の反り量より大きくなるのも当然であるから，かかる点が本件訂正発明１の特徴的事項であるとはいえない。数値範囲にも技術的意義はなく，仮に意義があったとしても臨界的意義を有しないから設計事項にすぎない。
オ小括
以上のとおり，本件審決における本件訂正発明１と甲１発明との相違点２に係る容易想到性の判断は誤りであり，本件訂正発明１は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(2)本件訂正発明２の進歩性判断の誤りについて本件審決は，相違点５に係る本件訂正発明２の構成は，反りを与え，その反り量を所定の範囲内に制御することといえるから，甲１発明に甲２ないし甲８に記載された発明を組み合わせても，相違点５に係る本件訂正発明２の構成を導き出すことはできない旨判断した。
しかしながら，前記(1)記載のとおり，反りを与えること及びその反り量を所定の範囲内に制御することは，甲２ないし甲８に開示されており，かつ周知技術でもある。
また，具体的な数値も単なる設計事項にすぎないから，甲１発明において，相違点５に係る本件訂正発明２の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明２は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(3)本件訂正発明３の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明３と甲１発明とは，少なくとも相違点５において相違するとした上で，相違点５に係る本件訂正発明３の構成は，甲１ないし甲８のいずれからも導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，前記(2)記載のとおり，甲１発明において，相違点５に係る本件訂正発明３の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明３は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(4)本件訂正発明４の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明４と甲１発明とは，本件訂正発明４は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲１発明は，かかる事項を有していない点で相違するとした上で，甲１ないし甲８のいずれにも反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は開示されておらず，当業者において，上記相違点に係る本件訂正発明４の構成を導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１及び甲２２に記載があるように周知技術であったから，甲１発明において，上記相違点に係る本件訂正発明４の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明４は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(5)本件訂正発明５の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲１発明との相違点５に係る容易想到性の判断は，前記(3)記載のとおり誤りである。イ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲１発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。ウ本件訂正発明５は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。(6)本件訂正発明６の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明６と甲１発明とは，本件訂正発明６は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲１発明は，かかる事項を有していない点で相違するとした上で，甲１ないし甲８に基づいて，当業者において，上記相違点に係る本件訂正発明６の構成を導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，本件審決における上記相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。
本件訂正発明６は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。(7)本件訂正発明７ないし１１の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明１の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点２に係る容易想到性の判断は，前記(1)記載のとおり誤りである。
イ本件訂正発明２の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点５に係る容易想到性の判断は，前記(2)記載のとおり誤りである。
ウ本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点５に係る容易想到性の判断は，前記(3)記載のとおり誤りである。
エ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。
オ本件訂正発明６の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(6)記載のとおり誤りである。
カ本件訂正発明７ないし１１は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(8)まとめ


本件訂正発明は，いずれも甲１発明と甲２ないし甲８及び周知技術に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。したがって，本件審決における刊行物１（甲１）に基づく進歩性判断は誤りである。
〔被告の主張〕
(1)本件訂正発明１
ア本件訂正発明１の進歩性について
(ア)甲１には，金属－セラミックスの複合材料を用いたアルミニウム合金（Ａｌ合金）－炭化珪素（ＳｉＣ）の複合体（ＡｌＳｉＣ複合体）の凸形状についての記載はないから，そもそも，「反り」を積極的に規定するという技術思想の示唆はなく，また，「凸面」以外の本件訂正発明１に係る構成についての記載も示唆もない。
したがって，甲１発明を出発点として，本件訂正発明１に至る動機付けは存しない。仮に，甲１に「凸面」が開示されているとしても，「凸面」に関連する他の構成については，記載も示唆もないから，甲１発明を出発点として，本件訂正発明１に至る動機付けは存しない。(イ)甲１以外の各甲号証には，相違点２に係る本件訂正発明１の構成，すなわち，「凸面」に関連する他の構成は記載されていないから，甲１発明とこれ以外の各甲号証に記載された発明を組み合わせたとしても，本件訂正発明１に容易に想到することはできない。
ａ銅等の金属製のヒートシンクに係る技術を材料工学的に構造及び特性が基本的に異なるＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクについて適用できるか否かは不明であるから，銅等の金属材料のヒートシンクにおいて公知の技術が，ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクにおいても公知であるということはないし，まして，周知であることにはならない。ｂ銅とＡｌＳｉＣ複合体の材料工学的な相違は広範にわたるが，熱膨張係数についていえば，以下のとおりである。
すなわち，銅製の板状のヒートシンクにおいては，セラミックス基板との熱膨張係数の差に起因する問題に対応するため，あらかじめセラミックス基板と反対側に凸状となるように形成する技術は公知であるが（甲２，甲３，甲８），ＡｌＳｉＣ複合体は，セラミックス基板と熱膨張係数が近接していることに加え，組み合わせるセラミックス基板に応じて熱膨張係数を選択可能であるから，熱膨張係数の違いに起因する反りの問題を回避するために，熱膨張係数をできる限りセラミックス基板のそれに近接したものとするのが通常であり，熱膨張係数だけを考慮すると，板状のＡｌＳｉＣ複合体は，セラミックス基板と接合した際に，いずれの方向にも反らない（甲１の段落【００１９】，【００２１】，甲４の段落【００１２】，甲７の１頁「Ａｂｓｔｒａｃｔ」２行ないし３行，甲８の訳文２頁ないし３頁，乙８，乙１の１の段落【０００３】，【０００８】，乙１の２の段落【００５９】，乙１の３の段落【０００７】，乙２の１の段落【００１５】，乙９の１の段落【００１６】，乙９の２の段落【００２７】，乙９の３の段落【０００８】，【００１５】，【００１９】，乙９の４の段落【０００５】，【００１５】）。
したがって，板状のＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクには，銅製のヒートシンクと同様の問題は存在しない。仮に，板状のＡｌＳｉＣ複合体がいずれかの方向に反る場合があったとしても，銅のヒートシンクと同程度に反るというわけではない。
このようなことから，本件特許の出願日前においては，板状ＡｌＳｉＣ複合体の凸面について，凸面に関連する様々な構成を積極的に規定するという本件訂正発明の技術思想は存在せず，むしろ，本件訂正発明とは逆に，板状のＡｌＳｉＣ複合体の反りは望ましくないと考えられており，専ら，板状ＡｌＳｉＣ複合体を平坦にすることによって，放熱性を向上させる技術の開発が行われていた（甲４，乙２の１ないし３。特に，乙２の２の段落【００２３】，【０１２９】，乙２の４の１０頁２２行ないし２５行，１７頁１７行ないし２２行）。ｃ本件特許の出願日前において，板状のＡｌＳｉＣ複合体における凸形状を開示した甲号証はなく，そのような形状は公知でもないし，周知でもない（なお，本件訴訟において，ＡｌＳｉＣ複合体に関して，甲２２及び甲２３が提出されたが，新たな公知文献として本件訂正発明と対比することは認められない。）。
また，本件訂正発明は，ＡｌＳｉＣ複合体から成る板状複合体が凸面を有することを構成要件として規定した上で，当該凸面に関連する様々な構成を規定しているが，いずれの甲号証にも，板状ＡｌＳｉＣ複合体の凸面や数値範囲についての記載も示唆もない上に，当該凸面に関連する様々な構成についての記載も示唆もないから，本件訂正発明の進歩性が否定されることはない。
(ウ)以上のとおり，本件訂正発明１は，刊行物１（甲１）に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
イ原告の主張について
(ア)各文献の記載について
ａ甲２
甲２の段落【０００４】には，「セラミック板の状態に対して凸状に湾曲した銅支持板が存在することになる。この事実は，冷却体への支持板の良好な接触がこの構造体の側面でのみはなお確保されるが，中央部ではまったく接触しないか又は不良な状態で接触するに過ぎず，従って熱の放出にはほとんど役に立たないことを意味する。」と記載されているが，かかる記載は，「銅とＡｌ2Ｏ3の熱膨張係数は著しく異なることから，各板をろう付けする際に必然的に生じる熱が，Ａｌ２Ｏ３セラミック及び銅支持板を異なって著しく膨張させる（バイメタル効果）。その結果この構造体が冷却した後もはや意図した平行な銅支持板ではなく，」（段落【０００４】）とあるように，凸状が放熱部品の材質が銅である場合に特有の問題に対する解決手段であることを記載している。
また，甲２の「僅かに凸状に構成された支持板形状は理想的である。」との記載（段落【００１４】）や「全体的には所望の残留凸面状が残り」との記載（段落【００２１】）は，積極的に数値範囲を規定する技術思想を開示するものではない。
以上のとおり，甲２には，銅のヒートシンクについて，凸状を形成する技術が開示されているにすぎない。
ｂ甲３


甲３は，銅等の金属と，酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）あるいは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）という，互いに熱膨張係数が著しく異なる場合を前提にしているものであるから，セラミックスと熱膨張係数が近接するＡｌＳｉＣ複合体は，銅と並んで例示される対象ではない。また，段落【０００２】の「凸面状形成の大きさは，使用中に底板がその中央部に脹らみを生じない程度に選ばれている。」との記載も，積極的に数値範囲を規定する技術思想を開示するものではない。以上のとおり，甲３には，銅のヒートシンクについて，凸状を形成する技術が開示されているにすぎない。
ｃ甲４
甲４に記載された発明の目的は，「加熱された際にも反りがない」放熱部品の提供であり（段落【００１２】），甲４における反りが加熱の際の反りであることは，甲４の随所に明確に記載されている（例えば，請求項２，段落【００２５】）。
したがって，甲４発明の反り量は室温に冷却された後に計測されたものである旨の原告の主張は，甲４の記載に反し失当である。
ｄ甲５
甲５には，「ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３により形成されたセラミック基板と，前記セラミック基板の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板と，ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され前記第１又は第２アルミニウム板の表面に積層接着されたヒートシンクとを備えたヒートシンク付セラミック回路基板」が記載され，さらに，ヒートシンクの反りが５０ｍｍ当たり３０μｍ，すなわち，１０ｃｍ当たり６０μｍのものが記載されている。
しかしながら，甲５は，「第１及び第２のアルミニウム板によりセラミック基板にクラックが入らないことやＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので放熱特性が向上する」ことを開示するにとどまり，このヒートシンクに反りを積極的に付与することを示す記載はない。したがって，甲５には，反りを積極的に規定する技術思想はないから，反りの方向についての記載もなく，本件訂正発明の特徴である，凸面に関連する様々な構成要件についての記載もないし，示唆もない。むしろ，甲５には，反りは好ましくないものとして記載されている（段落【００２３】）。甲５は，本件特許の出願日前において，専ら，ＡｌＳｉＣ複合体製のヒートシンクを平坦にする技術開発が行われていたことの積極的な証拠である。
ｅ甲８
甲８は，銅のヒートシンクとセラミックス基板の熱膨張率の差に起因する問題の解決手段として「凸状」を開示し，ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクについては「上記問題をいずれも解消できる」と明記しており，ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクの凸状については開示がない。
甲８の図２に示されているのは，銅のヒートシンクの凸状だけであり，「板状の放熱部品」全般について記載されているのではない（乙８参照）。
甲８には，銅のヒートシンクの凸状が開示されているにすぎないから，「板状の放熱部品」が凸状であることが示されているとする原告の主張は，根拠なく上位概念化あるいは一般化を行うものであり失当である。
ｆ甲２１ないし甲２３について
原告は，本件訴訟において，新たに，ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクに係る甲２２及び甲２３を提出したが，新たな証拠を公知技術を示す証拠として審理対象とすることはできない。甲２２及び甲２３の記載内容は，審判段階で原告から提出された証拠の内容とは共通しないし，甲２２及び甲２３に記載の技術内容も互いに異なるから，技術常識を立証するための補強証拠としても認められる余地はない。仮に，甲２２及び甲２３が証拠として認められるとしても，以下のとおり，甲２２及び甲２３には，本件訂正発明の特徴についての記載も示唆もない。
⒜甲２１
甲２１には，銅のヒートシンクについての凸状とその数値範囲が開示されているにすぎない。
「板状の放熱部品」の凸状とその数値範囲が示されているとする原告の主張は，根拠なく上位概念化あるいは一般化を行うものであり失当である。
⒝甲２２
甲２２の従来技術は，セラミックス基板との熱膨張係数の差を前提にしており，そのような熱膨張係数の差が存在しないＡｌＳｉＣ複合体についての技術を含まない。
甲２２において，板状のＡｌＳｉＣ複合体は，単体の状態において平坦なものが開示されており，本件訂正発明のような凸状を有するものではない。
甲２２においては，筐体と板状のＡｌＳｉＣ複合体の熱膨張係数の差を利用して，板状のＡｌＳｉＣ複合体を反った状態にする技術が開示されているが，その反りの程度については，まったく記載がない。
さらに，甲２２には，板状の放熱部品を「冷却フィンにネジ止めする」技術は全く記載がない。むしろ，甲２２においては，ＡｌＳｉＣ複合体は筐体に組み入れられた後，ネジ止めされるのではなくて，ＡｌＳｉＣ複合体の凸状を維持したままで，冷却器に単に半田付けされる技術が開示されている（甲２２の図３参照）。
⒞甲２３
甲２３の段落【０００４】にある「平坦な打ち抜きヒートシンク」は，炭化珪素質複合体（ＡｌＳｉＣ複合体）ではない。甲２３には，「平坦な打ち   抜き金属のヒートシ   ンク」（段落【００   ０２】）と記載されており，これを受けて，「平坦な打ち抜きヒートシンク」の問題点が記載されているから，ここでいう「平坦な打ち抜きヒートシンク」は金属製のヒートシンクであり，炭化珪素質複合体ではない。
甲２３においては，金属の打ち抜きヒートシンクの問題点を受けて，箱型の構造が記載され（段落【０００６】），さらに，ＡｌＳｉＣ複合体が記載されている（段落【０００７】）のであるから，平板のＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクの問題点が記載されているとはいえない。
甲２３に開示されているのは，ＡｌＳｉＣ製の箱型のヒートシンクの底面が凸形状であるということに尽きるのであって，甲２３に，平板の炭化珪素質複合体の放熱部材に反りが生じることが記載されている旨の原告の主張は失当である。
(イ)周知技術について


ａ原告は，甲２，甲３，甲８，甲２１ないし甲２３から，半導体モジュールを放熱フィンにネジ止めする際，半導体モジュールを構成する板状の放熱部品の底面を凸状とし，その凸状の程度を制御することで，半導体モジュールと冷却フィンとの密着性を向上させ，両者の間の空隙をなくすという技術が，本件特許の出願日前に当業者に周知であった旨主張する。
しかしながら，上記文献に示されるのは，銅のヒートシンクについての凸状にすぎず，板状のＡｌＳｉＣ複合体については，凸状は開示されていないから，原告の上記主張は，根拠なく上位概念化あるいは一般化を行うものであり失当である。
板状のＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクにおいて，半導体モジュールを構成する板状の放熱部品の底面を凸状として，その凸状の程度を制御するという技術は公知ではなく，ＡｌＳｉＣ複合体に関する甲８，甲２２及び甲２３にも凸状は開示されていない。
また，凸状の数値範囲については，銅の凸状の数値範囲を開示する証拠（甲２１）が一件提出されているだけであるから，銅についてすら，公知に過ぎず，「周知」ではない。まして，ＡｌＳｉＣ複合体については，公知ですらない。
ｂ原告は，甲２，甲３，甲８，甲２１及び甲２２は，いずれも半導体モジュールを作成したのちの底面の形状に着目し，最終的にそれを制御しようとするものであるが，これは，板状の放熱部品にセラミックス基板を半田付けする際，半田付けのための加熱と半田付け終了後の常温への冷却により，板状の放熱部品の加熱・冷却それ自体による変形と板状の放熱部品の材質とセラミックス基板の材質との熱膨張率の差による影響が複合して，板状の放熱部品が変形してしまうことが技術常識であったからである旨主張する。
しかしながら，甲２，甲３及び甲８には，銅のヒートシンクの凸状が，甲２１には，銅のヒートシンクの凸状と数値範囲が，甲２２には，板状の単体において平坦なＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクが，それぞれ開示されているにすぎない。
また，板状の放熱部品にセラミックス基板を半田付けする際に，半田付けのための加熱と半田付け終了後の常温への冷却により，板状の放熱部品が変形してしまうことが技術常識であったとする点も技術常識に反し失当である。
原告の上記主張は，各文献に根拠となる記載がなく，各文献の記載や技術常識に反するものであり失当である。
(ウ)本件訂正発明１の相違点２に係る構成に技術的意義がないとの主張
について
ａ原告は，本件訂正発明１の相違点２に係る構成は，本件明細書の表９に基づき，良好な「密着率」が得られる反りの範囲を切り出そうとするものである旨主張する。
しかしながら，本件訂正発明１は，凸面の程度を示す反り量の数値範囲にだけ特徴を有するものではなく，相違点２は，表９から数値範囲を切り出そうとするものでもない。
ｂ原告は，セラミックス基板を半田付けする工程を経ることなく，板状の炭化珪素質複合体をアクリル板にネジ止めした際の「密着率」を測定しても，意味がない旨主張する。
しかしながら，セラミックス基板を板状のＡｌＳｉＣ複合体に半田付けする際に板状のＡｌＳｉＣ複合体が変形するわけではないから，原告の上記主張は，誤った技術常識を前提にするものであり失当である。
ｃ原告は，冷却フィンは金属製であって，アクリル板とは硬度が異なるため，アクリル板への密着率を測定しても意味がない旨主張する。しかしながら，本件明細書に記載があるように，厚さ３０ｍｍのアクリル板を使用し，測定した密着率が優れていた旨の記載があれば，実際の放熱部材への密着率においても優れていることは，当業者であれば十分に理解できることであるから，本件明細書の「密着率」は本件訂正発明の技術的意義を適切に示すものである。
ｄ原告は，相違点２に係る構成は，甲１発明に係る炭化珪素質複合体を当業者が通常の方法で作成した場合，意図しないとしても高い確率で生ずる範囲のものであり（甲９），甲４の表２の実施例に係る炭化珪素質複合体の反り量も含むものであって，ありふれたものである旨主張する。
しかしながら，甲１には，「反り」に関する記載はないし，示唆もない。また，甲１に記載の製法と甲９に記載の製法とが同一である根拠は存在しないから，甲９の測定結果を甲１に適用できる根拠はない。さらに，甲４に記載の「反り」は加熱の際の反りであり，甲９の室温の反りとは異なる。
したがって，原告の上記主張は理由がない。
ｅ原告は，半導体モジュールを作成した後の冷却フィン接合面の形状を凸面とし，その程度を適当なものとするために，半導体モジュールを作成する前の段階において板状の放熱部品の形状をあらかじめどのように作成しておくかは，設計事項として半田付けによる変形を予想しながら適宜定める事項である旨主張する。
本件訂正発明は，半田付けの際の変形への対応を解決課題としていないから，相違点２に係る本件訂正発明１の構成は「半田付けによる変形を予想しながら適宜定める」というものではない。そもそも，相違点２に係る本件訂正発明１の構成は，板状のＡｌＳｉＣ複合体において，２方向の凸面を形成し，さらに，当該凸面を規定する反り量の数値範囲が互いに相違し，そのうえで，一方の反り量が他方の反り量以上であるというものであり，このような技術思想は，甲１にも，他の甲号証にも開示されていないから，設計事項ではあり得ない。
したがって，原告の上記主張は理由がない。
(エ)本件訂正発明１の相違点２に係る構成に臨界的意義はないとの主張
について
原告は，相違点２に係る本件訂正発明１の構成に何らかの技術的意義があるとしても，本件特許の出願時の周知技術においても，本件訂正発明と同様の目的で，放熱部品に所定の凸形状を付与するようにしていたのであり，その凸形状を具体的にどの程度にするかということは単なる設計事項にすぎないから，本件訂正発明１に進歩性が認められる場合があるとすれば，相違点２に係る具体的な数値限定が技術的意義を有し，かつ，極めて特異な臨界的意義を有している場合に限られるというべきである旨主張する。


しかしながら，各甲号証は，銅のヒートシンクについての凸状を開示するにすぎず，板状ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクについての凸状を開示するものではない。その上，銅のヒートシンクについてすら，単に，凸状が開示されているだけであり，凸面に関連する様々な構成要件を含む相違点２に係る本件訂正発明１の技術思想はまったく開示されていない（なお，甲２１には，銅のヒートシンクの凸状の数値範囲が開示されているが，本件訴訟において，甲２１に記載された上記技術事項を公知技術として扱うことは許されない。）。相違点２に係る本件訂正発明１の構成は，凸面に関連する様々な構成要件を含み，本件訂正発明１は，反り量の数値範囲にのみ特徴を有するものではないから，数値範囲の臨界的意義の有無が進歩性を左右するものではない。
なお，原告は，ＡｌＳｉＣ複合体の熱膨張率をそろえれば変形しないとすれば，本件訂正発明は，何ら作用効果を奏しない場合を含んでいることになる旨主張する。しかし，板状のＡｌＳｉＣ複合体からなるヒートシンクを用いてセラミックス基板と接合する場合は，銅のヒートシンクと異なり，本来的には，いずれの方向にも反らないことを当然に予定して組み合わせることは，当業者であれば，当然に理解できることであり，技術常識であるから，原告の上記主張は失当である。以上のとおり，原告の上記主張は理由がない。
ウ小括
以上のとおり，本件審決における本件訂正発明１の進歩性判断に誤りはない。
(2)本件訂正発明２について
原告は，相違点５に係る本件訂正発明２の構成は，反りを与え，その反り量を所定の範囲内に制御することといえるが，これらの事項は甲２ないし甲８に開示され，かつ，周知技術でもある旨主張する。
しかしながら，甲２ないし甲８に開示されているのは，銅のヒートシンクの凸状であり，板状のＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクについては，むしろ，反りを減少させて平坦にする技術，すなわち，本件訂正発明と相反する技術が開示されている。
また，本件訂正発明２は，相違点５に係る構成だけではなく，凸面に関連する様々な他の構成も含むものであるが，いずれの甲号証にも，それらの相違点については開示されていない。
したがって，いずれにせよ，本件訂正発明２は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
(3)本件訂正発明３について
原告は，甲１発明において，相違点５に係る本件訂正発明３の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明３は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。
しかしながら，前記(2)記載のとおりであって，本件訂正発明３は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
(4)本件訂正発明４について
原告は，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１及び甲２２に記載があるように周知技術であったから，甲１発明において，相違点に係る本件訂正発明４の構成（「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有する」）を導き出すことは容易であり，本件訂正発明４は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。
しかしながら，各甲号証の記載には，板状のＡｌＳｉＣ複合体の凸形状は開示されておらず，その数値範囲も開示されていないから，原告の上記主張は理由がない。
また，本件訂正発明４は，上記相違点に係る構成だけではなく，凸面に関連する様々な他の構成も含むものであるが，いずれの甲号証にも，それらの相違点については開示されていない。
したがって，いずれにせよ，本件訂正発明４は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
(5)本件訂正発明５
ア本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲１発明との相違点５に係る容易想到性の判断には，前記(3)記載のとおり誤りはない。イ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲１発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(4)記載のとおり誤りはない。ウしたがって，本件訂正発明５は甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件審決の判断に誤りはない。
(6)本件訂正発明６の進歩性判断の誤りについて原告は，本件訂正発明６は，甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。しかしながら，前記(4)記載のとおりであって，本件訂正発明６は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
また，本件訂正発明６は，ＡｌＳｉＣ複合体の反り量の規定に加えて，複合体と金属層の積層構造及び２つの板状複合体層の炭素含有量の差を構成要件として規定するものであるが，いずれの甲号証にも，これらの構成要件は開示されていないから，この点においても，本件訂正発明６の進歩性を肯定した本件審決の結論に誤りはない。
(7)本件訂正発明７ないし１１の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明１の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点２に係る容易想到性の判断には，前記(1)記載のとおり誤りはない。
イ本件訂正発明２の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点５に係る容易想到性の判断には，前記(2)記載のとおり誤りはない。
ウ本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点５に係る容易想到性の判断には，前記(3)記載のとおり誤りはない。
エ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(4)記載のとおり誤りはない。
オ本件訂正発明６の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲１発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(6)記載のとおり誤りはない。
カしたがって，本件訂正発明７ないし１１は甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件審決の判断に誤りはない。
(8)まとめ
本件訂正発明は，いずれも甲１発明と甲２ないし甲８及び周知技術に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものではない。したがって，本件審決における刊行物１（甲１）に基づく進歩性判断に誤りはない。
４取消事由４（刊行物４（甲４）に基づく進歩性判断の誤り）について
〔原告の主張〕


(1)本件訂正発明１の進歩性判断の誤りについてア本件審決は，本件訂正発明１と甲４発明との相違点７について，甲４には，常温において複合体に所定量の反りを与えるという教示はなく，甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８のいずれにも所定量の反りを与えるという技術思想は開示されていないとして，甲４発明に甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８に記載された発明を組み合わせても，相違点７に係る本件訂正発明１の発明特定事項を導き出すことはできない旨判断した。
イ甲４の反り量について
本件審決は，甲４発明の反り量は３００℃におけるものである旨認定した。
しかしながら，技術常識に照らすと，上記認定は誤りであり，甲４発明の反り量は室温に冷却された後に計測されたものであると考えられる。すなわち，甲４によれば，寸法測定は「マクロメーター」を用いて行ったと記載されている（段落【００３９】）が，これは「マイクロメーター」の誤記であると解される。そして，マイクロメーターは，金属製であって，３００℃もの高温に熱せられた被計測物に接すれば，マイクロメーターの熱膨張により大きな誤差が生じてしまうからである（甲２４の１・２）。また，加熱は，試験体を電気炉中に設置して行ったとされるが（段落【００３９】），電気炉から取り出さなければ操作者が手により操作するマイクロメーターによる計測はできないはずであるからである。ウ以上のとおり，甲４は，室温に冷却された後に計測された反り量を規定したものであると認められるし，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１ないし甲２３に記載されているように周知技術であったから，本件審決における上記判断は誤りであり，本件訂正発明１は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。(2)本件訂正発明２の進歩性判断の誤りについて本件審決は，相違点１０に係る本件訂正発明２の構成は，甲１ないし甲８のいずれにも反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は開示されておらず，甲４発明に甲１ないし甲３及び甲５ないし甲８に記載された発明を組み合わせても，相違点１０に係る本件訂正発明２の構成を導き出すことはできない旨判断した。
しかしながら，前記(1)記載のとおり，反り量を所定の範囲内に制御することは，甲１ないし甲８に開示されており，かつ周知技術でもある。また，具体的な数値も単なる設計事項にすぎないから，甲４発明において，相違点１０に係る本件訂正発明２の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明２は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(3)本件訂正発明３の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明３と甲４発明とは，少なくとも相違点１０において相違するとした上で，相違点１０に係る本件訂正発明３の構成は，甲１ないし甲８のいずれからも導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，前記(2)記載のとおり，甲４発明において，相違点１０に係る本件訂正発明３の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明３は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(4)本件訂正発明４の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明４と甲４発明とは，本件訂正発明４は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲４発明は，かかる事項を有していない点で相違するとした上で，甲１ないし甲８のいずれにも反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は開示されておらず，当業者において，上記相違点に係る本件訂正発明４の構成を導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１ないし甲２３に記載があるように周知技術であったから，甲４発明において，上記相違点に係る本件訂正発明４の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明４は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(5)本件訂正発明５の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲４発明との相違点１０に係る容易想到性の判断は，前記(3)記載のとおり誤りである。イ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲４発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。ウ本件訂正発明５は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。(6)本件訂正発明６の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明６と甲４発明とは，本件訂正発明６は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲４発明は，かかる事項を有していない点で相違するとした上で，甲１ないし甲８に基づいて，当業者において，上記相違点に係る本件訂正発明６の構成を導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，本件審決における上記相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。
本件訂正発明６は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。(7)本件訂正発明７ないし１１の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明１の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点７に係る容易想到性の判断は，前記(1)記載のとおり誤りである。
イ本件訂正発明２の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点１０に係る容易想到性の判断は，前記(2)記載のとおり誤りである。
ウ本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点１０に係る容易想到性の判断は，前記(3)記載のとおり誤りである。
エ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。
オ本件訂正発明６の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(6)記載のとおり誤りである。
カ本件訂正発明７ないし１１は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(8)まとめ
本件訂正発明は，いずれも甲４発明と甲１ないし甲３，甲５ないし甲８及び周知技術に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
したがって，本件審決における刊行物４（甲４）に基づく進歩性判断は誤りである。


〔被告の主張〕
(1)本件訂正発明１について
ア本件訂正発明１の進歩性について
(ア)甲４には，３００℃に加熱した際の反りが記載されているにすぎず，この反りは，３００℃に加熱した際の一時的なものである点で，室温における凸状を規定した本件訂正発明とはまったく異なる。甲４には，「反り」を積極的に形成するという技術思想はなく，また，「凸面」以外の本件訂正発明１に係る構成についての記載も示唆もない。したがって，甲４発明を出発点として，本件訂正発明１に至る動機付けは存しない。
甲４には，加熱された際にはもちろん，室温においても，「反り」をなくすことで，放熱性を向上させようとする技術思想が開示されているから，本件訂正発明１の技術思想とは相反し，むしろ，本件訂正発明１の特徴である構成を導入することについて阻害事由がある。(イ)甲４以外の各甲号証には，相違点７に係る本件訂正発明１の構成，すなわち，「凸面」に関連する他の構成は記載されていないから，甲４発明とこれ以外の各甲号証に記載された発明を組み合わせたとしても，本件訂正発明１に容易に想到することはできない。
(ウ)以上のとおり，本件訂正発明１は，刊行物４（甲４）に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
イ原告の主張について
(ア)原告は，甲４発明の反り量は室温に冷却された後に計測されたものである旨主張する。
しかしながら，甲４の「反り」が加熱の際のものであることは，甲４に明記されているとおりであり（請求項２，段落【００１５】，【００２５】，【００２６】等），原告の上記主張は，甲４の記載に反し，失当である。
(イ)原告は，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１ないし甲２３に記載されているように周知技術であった旨主張する。
しかしながら，甲２，甲３及び甲８には，銅製のヒートシンクの凸状が開示されているにすぎず，「反り量を所定の範囲に規定する技術思想」については記載も示唆もない。
また，甲２１には，銅製のヒートシンクの凸状についての数値範囲が記載されているにすぎず，板状のＡｌＳｉＣ複合体については記載も示唆もない。
さらに，甲２２には，他の部材と組み合わさった状態におけるＡｌＳｉＣ複合体が反った状態が開示されているにすぎず（ＡｌＳｉＣ複合体は，筺体と組み合わされる前の単体の状態においては平坦なものとして記載されている。），本件訂正発明の板状ＡｌＳｉＣ複合体単体における凸状とは技術的意義が異なるうえに，数値範囲の規定も記載がない。甲２３は，箱状のヒートシンクの底面が凸状になった状態が開示されているに過ぎず，本件訂正発明の板状のＡｌＳｉＣ複合体における凸状とは技術的意義が異なるうえに，数値範囲の規定も記載がない。したがって，原告の上記主張は失当である。
ウ小括
以上のとおり，本件審決における本件訂正発明１の進歩性判断に誤りはない。
(2)本件訂正発明２について
原告は，相違点１０に係る本件訂正発明２の構成は，反りを与え，その反り量を所定の範囲に制御することといえるが，これらの事項は甲１ないし甲８に開示されており，かつ，周知技術でもある旨主張する。しかしながら，甲１には，反り量はおろか，反りについての記載も示唆もなく，甲２ないし甲８にも，ＡｌＳｉＣ複合体の反りは記載されていないから，原告の上記主張は失当である。
また，甲４発明において，反りを付することは，発明の目的に反するから，反りを導入することには阻害事由がある。
さらに，本件訂正発明２と甲４発明との相違点は，相違点１０だけではなく，本件訂正発明２は，反り量の数値範囲の規定に加えて，表裏の金属層の厚さ及び表裏の金属層の厚さの差の数値範囲を構成として有する。このような技術思想は，甲４にも，甲４以外の各甲号証にも開示されていないから，甲４と他の甲号証を組み合わせたとしても，本件訂正発明２に容易に想到できるものではない。
したがって，いずれにせよ，本件訂正発明２は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
(3)本件訂正発明３の進歩性判断の誤りについて原告は，甲４発明において，相違点１０に係る本件訂正発明３の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明３は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。
しかしながら，前記(2)記載のとおり，甲４において，ＡｌＳｉＣ複合体に反りを付することの動機付けはなく，また，反りを導入することには阻害事由があるから，甲４発明に，反りを構成要件として付加することは容易に想到できるものではない。
さらに，本件訂正発明３と甲４発明との相違点は，相違点１０だけではなく，本件訂正発明３は，反り量の数値範囲の規定に加えて，複合体部分の厚さと表裏の金属層の厚さの関係の数値範囲を構成として有する。このような技術思想は，甲４にも，甲４以外の各甲号証にも開示されていないから，甲４と他の甲号証を組み合わせたとしても，本件訂正発明３に容易に想到できるものではない。
したがって，いずれにせよ，本件訂正発明３は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
(4)本件訂正発明４の進歩性判断の誤りについて原告は，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１及び甲２２に記載があるように周知技術であったから，甲４発明において，相違点に係る本件訂正発明４の構成（「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有する」）を導き出すことは容易であり，本件訂正発明４は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。
しかしながら，甲２，甲３及び甲８には，銅製のヒートシンクの凸状が開示されているにすぎず，「反り量を所定の範囲に規定する技術思想」については記載も示唆もない。
また，甲２１には，銅製のヒートシンクの凸状についての数値範囲が記載されているにすぎず，板状のＡｌＳｉＣ複合体については記載も示唆もない。さらに，甲２２には，他の部材と組み合わさった状態におけるＡｌＳｉＣ複合体が反った状態が開示されているにすぎず（ＡｌＳｉＣ複合体は，筺体と組み合わされる前の単体の状態においては平坦なものとして記載されている。），本件訂正発明の板状ＡｌＳｉＣ複合体単体における凸状とは技術的意義が異なる上に，数値範囲の規定も記載がない。


甲２３は，箱状のヒートシンクの底面が凸状になった状態が開示されているにすぎず，本件訂正発明の板状のＡｌＳｉＣ複合体における凸状とは技術的意義が異なる上に，数値範囲の規定も記載がない。
以上のとおり，原告の上記主張は失当である。
また，甲４発明は，ＡｌＳｉＣ複合体について，加熱された際であっても反りを小さくすることが目的であるから，室温においては反りが存在しないのが望ましい。したがって，甲４発明において，反りを付することは，発明の目的に反するから，組み合わせ阻害事由がある。
さらに，本件訂正発明４と甲４との相違点は，相違点１０だけではなく，凸面に関連する様々な構成を含むものであるが，いずれの甲号証にも，これらの構成については開示されていない。
したがって，いずれにせよ，本件訂正発明４は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
(5)本件訂正発明５
ア本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲４発明との相違点１０に係る容易想到性の判断には，前記(3)記載のとおり誤りはない。イ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲４発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(4)記載のとおり誤りはない。ウしたがって，本件訂正発明５は甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件審決の判断に誤りはない。
(6)本件訂正発明６の進歩性判断の誤りについて原告は，本件訂正発明６は，甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。しかしながら，前記(4)記載のとおりであって，本件訂正発明６は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
また，本件訂正発明６は，ＡｌＳｉＣ複合体の反り量の規定に加えて，複合体と金属層の積層構造及び２つの板状複合体層の炭素含有量の差を構成要件として規定するものであるが，いずれの甲号証にも，これらの構成要件は開示されていないから，この点においても，本件訂正発明６の進歩性を肯定した本件審決の結論に誤りはない。
(7)本件訂正発明７ないし１１の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明１の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点７に係る容易想到性の判断には，前記(1)記載のとおり誤りはない。
イ本件訂正発明２の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点１０に係る容易想到性の判断には，前記(2)記載のとおり誤りはない。
ウ本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点１０に係る容易想到性の判断には，前記(3)記載のとおり誤りはない。
エ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(4)記載のとおり誤りはない。
オ本件訂正発明６の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲４発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(6)記載のとおり誤りはない。
カしたがって，本件訂正発明７ないし１１は甲４発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件審決の判断に誤りはない。
(8)まとめ
本件訂正発明は，いずれも甲４発明と甲１ないし甲３，甲５ないし甲８及び周知技術に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものではない。したがって，本件審決における刊行物４（甲４）に基づく進歩性判断に誤りはない。
５取消事由５（刊行物８（甲８）に基づく進歩性判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)本件訂正発明１の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明１と甲８発明との相違点１２について，相違点２と同じであるから，甲１ないし甲８に記載された発明を組み合わせても，相違点１２に係る本件訂正発明１の発明特定事項を導き出すことはできない旨判断した。
しかしながら，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１ないし甲２３に記載されているように周知技術であったから，本件審決における上記判断は誤りであり，本件訂正発明１は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(2)本件訂正発明２の進歩性判断の誤りについて本件審決は，相違点１５に係る本件訂正発明２の構成は，甲１ないし甲８のいずれにも反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は開示されておらず，甲１ないし甲８に記載された発明を組み合わせても，相違点１５に係る本件訂正発明２の構成を導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，前記(1)記載のとおり，反り量を所定の範囲内に制御することは，甲１ないし甲８に開示されており，かつ周知技術でもある。また，具体的な数値も単なる設計事項にすぎないから，甲８発明において，相違点１５に係る本件訂正発明２の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明２は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(3)本件訂正発明３の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明３と甲８発明とは，少なくとも相違点１５において相違するとした上で，相違点１５に係る本件訂正発明３の構成は，甲１ないし甲８のいずれからも導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，前記(2)記載のとおり，甲８発明において，相違点１５に係る本件訂正発明３の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明３は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(4)本件訂正発明４の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明４と甲８発明とは，本件訂正発明４は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲８発明は，かかる事項を有していない点で相違するとした上で，甲１ないし甲８のいずれにも反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は開示されておらず，当業者において，上記相違点に係る本件訂正発明８の構成を導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１ないし甲２３に記載があるように周知技術であったから，甲４発明において，上記相違点に係る本件訂正発明４の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明４は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。


(5)本件訂正発明５の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲８発明との相違点１５に係る容易想到性の判断は，前記(3)記載のとおり誤りである。イ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲８発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。ウ本件訂正発明５は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。(6)本件訂正発明６の進歩性判断の誤りについて本件審決は，本件訂正発明６と甲８発明とは，本件訂正発明６は，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有」しているのに対し，甲８発明は，かかる事項を有していない点で相違するとした上で，甲１ないし甲８に基づいて，当業者において，上記相違点に係る本件訂正発明６の構成を導き出すことはできない旨判断した。しかしながら，本件審決における上記相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。
本件訂正発明６は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。(7)本件訂正発明７ないし１１の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明１の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点１２に係る容易想到性の判断は，前記(1)記載のとおり誤りである。
イ本件訂正発明２の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点１５に係る容易想到性の判断は，前記(2)記載のとおり誤りである。
ウ本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点１５に係る容易想到性の判断は，前記(3)記載のとおり誤りである。
エ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(4)記載のとおり誤りである。
オ本件訂正発明６の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点に係る容易想到性の判断は，前記(6)記載のとおり誤りである。
カ本件訂正発明７ないし１１は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。
(8)まとめ
本件訂正発明は，いずれも甲８発明と甲１ないし甲７及び周知技術に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く。したがって，本件審決における刊行物８（甲８）に基づく進歩性判断は誤りである。
〔被告の主張〕
(1)本件訂正発明１について
ア本件訂正発明１の進歩性について
(ア)甲８の記載からは，ヒートシンクを凸状にすることは，銅のヒートシンクによる問題の解決手段として採用されたのであって，これをＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクである場合には適用しないと理解するのが自然である。
すなわち，甲８は，銅のように，セラミックス基板との熱膨張率の差が著しい場合について，ヒートシンクを凸形状にすることを開示するにとどまり，ＡｌＳｉＣ複合体である場合に，ヒートシンクを「凸面」にすることについては記載も，示唆もない。
甲８発明を出発点として，本件訂正発明１に至る動機付けは存在しない。
(イ)仮に，甲８にＡｌＳｉＣ複合体の「凸面」が開示されているとしても，「凸面」以外の構成については記載も示唆もないから，甲８発明を出発点として，本件訂正発明１に至る動機付けは存在しない。(ウ)甲８以外の各甲号証には，相違点１２に係る本件訂正発明１の構成，すなわち，「凸面」に関連する他の構成は記載されていないから，甲８発明とこれ以外の各甲号証に記載された発明を組み合わせたとしても，本件訂正発明１に容易に想到することはできない。
(エ)以上のとおり，本件訂正発明１は，刊行物８（甲８）に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
イ原告の主張について
原告は，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１ないし甲２３に記載されているように周知技術であった旨主張する。
しかしながら，前記４〔被告の主張〕(1)イ(イ)記載のとおり，原告の上記主張は失当である。
ウ小括
以上のとおり，本件審決における本件訂正発明１の進歩性判断に誤りはない。
(2)本件訂正発明２について
原告は，相違点１５に係る本件訂正発明２の構成は，反りを与え，その反り量を所定の範囲に制御することといえるが，これらの事項は甲１ないし甲８に開示されており，かつ，周知技術でもある旨主張する。しかしながら，前記４〔被告の主張〕(2)記載のとおり，原告の上記主張は失当である。
甲８において，ＡｌＳｉＣ複合体に反りを付することの動機付けはないから，甲８発明に，反りを構成要件として付加することは容易に想到できるものではない。
さらに，本件訂正発明２と甲８発明との相違点は，相違点１５だけではなく，本件訂正発明２は，反り量の数値範囲の規定に加えて，表裏の金属層の厚さ及び表裏の金属層の厚さの差の数値範囲を構成として有する。このような技術思想は，甲８にも，甲８以外の各甲号証にも開示されていないから，甲８と他の甲号証を組み合わせたとしても，本件訂正発明２に容易に想到できるものではない。
したがって，いずれにせよ，本件訂正発明２は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
(3)本件訂正発明３の進歩性判断の誤りについて原告は，甲８発明において，相違点１５に係る本件訂正発明３の構成を導き出すことは容易であり，本件訂正発明３は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。
しかしながら，前記(2)記載のとおり，甲８において，ＡｌＳｉＣ複合体に反りを付することの動機付けはないから，甲８発明に，反りを構成要件として付加することは容易に想到できるものではない。
さらに，本件訂正発明３と甲８発明との相違点は，相違点１５だけではなく，本件訂正発明３は，反り量の数値範囲の規定に加えて，複合体部分の厚さと表裏の金属層の厚さの関係の数値範囲を構成として有する。このような技術思想は，甲８にも，甲８以外の各甲号証にも開示されていないから，甲８と他の甲号証を組み合わせたとしても，本件訂正発明３に容易に想到できるものではない。
したがって，いずれにせよ，本件訂正発明３は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。


(4)本件訂正発明４の進歩性判断の誤りについて原告は，反り量を所定の範囲に規定するという技術思想は，甲２，甲３及び甲８に開示され，かつ，甲２１及び甲２２に記載があるように周知技術であったから，甲８発明において，相違点に係る本件訂正発明４の構成（「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ以上２５０μｍ以下の反りを有する」）を導き出すことは容易であり，本件訂正発明４は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。
しかしながら，甲２，甲３及び甲８には，銅製のヒートシンクの凸状が開示されているにすぎず，「反り量を所定の範囲に規定する技術思想」については記載も示唆もない。
また，甲２１には，銅製のヒートシンクの凸状についての数値範囲が記載されているにすぎず，板状のＡｌＳｉＣ複合体については記載も示唆もない。さらに，甲２２には，他の部材と組み合わさった状態におけるＡｌＳｉＣ複合体が反った状態が開示されているにすぎず（ＡｌＳｉＣ複合体は，筺体と組み合わされる前の単体の状態においては平坦なものとして記載されている。），本件訂正発明の板状ＡｌＳｉＣ複合体単体における凸状とは技術的意義が異なるうえに，数値範囲の規定も記載がない。
甲２３は，箱状のヒートシンクの底面が凸状になった状態が開示されているにすぎず，本件訂正発明の板状のＡｌＳｉＣ複合体における凸状とは技術的意義が異なるうえに，数値範囲の規定も記載がない。以上のとおり，原告の上記主張は失当である。
また，甲８において，ＡｌＳｉＣ複合体に反りを付する動機付けはないし，いずれの甲号証にも，凸面に関連する様々構成要件を含む相違点は記載も示唆もないから，甲８と他の甲号証を組み合わせたとしても，本件訂正発明４に容易に想到することはできない。
したがって，いずれにせよ，本件訂正発明４は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
(5)本件訂正発明５
ア本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲８発明との相違点１５に係る容易想到性の判断には，前記(3)記載のとおり誤りはない。イ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明５と甲８発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(4)記載のとおり誤りはない。ウしたがって，本件訂正発明５は甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件審決の判断に誤りはない。
(6)本件訂正発明６の進歩性判断の誤りについて原告は，本件訂正発明６は，甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張する。しかしながら，前記(4)記載のとおりであって，本件訂正発明６は進歩性を有するから，本件審決における判断に誤りはない。
また，本件訂正発明６は，ＡｌＳｉＣ複合体の反り量の規定に加えて，複合体と金属層の積層構造及び２つの板状複合体層の炭素含有量の差を構成要件として規定するものであるが，いずれの甲号証にも，これらの構成要件は開示されていないから，この点においても，本件訂正発明６の進歩性を肯定した本件審決の結論に誤りはない。
(7)本件訂正発明７ないし１１の進歩性判断の誤りについてア本件訂正発明１の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点１２に係る容易想到性の判断には，前記(1)記載のとおり誤りはない。
イ本件訂正発明２の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点１５に係る容易想到性の判断には，前記(2)記載のとおり誤りはない。
ウ本件訂正発明３の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点１５に係る容易想到性の判断には，前記(3)記載のとおり誤りはない。
エ本件訂正発明４の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(4)記載のとおり誤りはない。
オ本件訂正発明６の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１と甲８発明との相違点に係る容易想到性の判断には，前記(6)記載のとおり誤りはない。
カしたがって，本件訂正発明７ないし１１は甲８発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件審決の判断に誤りはない。
(8)まとめ
本件訂正発明は，いずれも甲８発明と甲１ないし甲７及び周知技術に基づき，当業者が容易に発明をすることができたものではない。したがって，本件審決における刊行物８（甲８）に基づく進歩性判断に誤りはない。
第４当裁判所の判断
１取消事由１（本件訂正における訂正事項１及び２に係る許否判断の誤り）に
ついて
(1)原告は，訂正事項１は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず，願書に添付した明細書等に記載した事項の範囲内のものではなく，又は，実質上特許請求の範囲を拡張するものであるから，本件審決が訂正事項１及び２に係る訂正を認めたのは誤りである旨主張するので，以下において検討する。
(2)訂正事項１について
ア訂正事項１は，前記第２の２(1)記載のとおりのものであって，これは，特許請求の範囲の請求項１に記載された「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係」について，「５０≦Ｃｘ≦２５０，且つ－５０≦Ｃｙ≦２００である（Ｃｙ＝０を除く）」との規定に加え，「｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜」，すなわちＣｘの絶対値がＣｙの絶対値以上であることを規定するものである。
そうすると，訂正事項１は，特許請求の範囲の請求項１に記載された「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係」について，Ｃｘの絶対値がＣｙの絶対値以上であるとの限定を加えるものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められる。


イ本件明細書の段落【００３２】（同段落の記載につき，出願時から補正及び訂正はされていない。甲１８）には，「本発明の複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定する場合，一般には，放熱板と放熱部品との間に放熱グリス等を介して固定される。このため，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）に関しては，その絶対値が放熱グリス厚より小さいことが好ましい。また，締め付け時の放熱板の変形を考慮した場合，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。」との記載がある。
ところで，「締め付け時の放熱板の変形を考慮した場合，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。」との記載を，両反り量を絶対値で比較するものと理解しないとすると，Ｃｙが負の場合には，Ｃｙが小さい方，すなわち，凹状に反っている量が大きい方が好ましいことを意味することになる。しかしながら，このような理解は技術常識に反することから，上記記載は，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）は，その絶対値が放熱グリス厚より小さいことが好ましいと記載されているのと同様に，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）の絶対値が，Ｘ方向の反り量（Ｃｘ）の絶対値より小さい方向が好ましいことを記載したものと理解される。したがって，本件明細書には，「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係」について，｜Ｃｘ｜＞｜Ｃｙ｜の関係が記載されているといえる。
そして，本件明細書の段落【００７５】の表９（ただし，本件訂正前のもの。甲１８）には，本件訂正発明の実施例（実施例２８）として，「厚み３ｍｍ」，「Ｃｘ１２０μｍ」，「Ｃｙ１２０μｍ」に３次元ミルで面加工した炭化珪素質複合体について，測定した密着率が９３％である例が記載されているから，本件明細書には，Ｃｘ＝Ｃｙの関係が記載されているといえる。
そうすると，本件明細書には，「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係」について，｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜の関係が記載されているものと認められる。
したがって，訂正事項１は，願書に添付された明細書に記載した事項の範囲内でされたものであると認められ，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
ウ原告の主張について
(ア)原告は，被告の訂正事項１に係る「反り量の大きい方向がＸ方向で，反り量の小さい方向がＹ方向であること」を明示したものであるとの主張を前提とすれば，Ｘ方向及びＹ方向（Ｘ方向に垂直な方向）は当初から定まっているものではなく，実際に作成した複合体において得られた「反り量」の結果から事後的にそれが大きい方向がＸ方向であると定義されることになり，訂正事項１は特許請求の範囲の減縮を目的としていないことになる旨主張する。
原告の上記主張は，要するに，特許請求の範囲及び本件明細書の記載から「穴間方向」，すなわちＸ方向及びＹ方向が明確ではないと主張するものと解されるところ，訂正事項１に起因して，特許請求の範囲（請求項１）の記載が明確でなくなるというものではないから，かかる点を理由に，訂正事項１が特許請求の範囲の減縮を目的とするものではないとはいえない。
原告の主張する点は，訂正事項１に係る訂正が認められた後，本件訂正発明１について，記載要件違反があるか否か（取消事由２）において検討すべきである。
したがって，原告の上記主張は理由がない。
(イ)原告は，本件訂正発明において，反りの向きは発明を特徴付ける凹凸形状の形成にとって極めて重要な指標であり，これを捨象して大小を比較するのが当然ということはできないから，単に「Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。」という記載だけからは，ＣｘとＣｙを絶対値で比較すべきことが示唆されているとはいえず，｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜との構成要件を特許請求の範囲に付加することは，願書に添付した明細書に記載のない新規事項を導入するものである旨主張する。
しかしながら，本件明細書の段落【００３２】には，ＣｘとＣｙを絶対値で比較することが記載されていると認められることは，前記イ記載のとおりである。
また，本件訂正前の請求項１におけるＣｘとＣｙとの関係から，Ｃｙが負の場合に，その絶対値が最大となるのはＣｙ＝－５０のときであり，その絶対値は５０となる。これに対し，Ｃｘの絶対値の最小の値は５０であるから，Ｃｙが負の場合，｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜の関係は常に満たされることになる。そうすると，訂正事項１は，Ｃｙが負の場合，本件訂正前の請求項１におけるＣｘとＣｙの関係に何ら変更を与えるものではないから，ＣｘとＣｙを絶対値で比較することはＣｙの反りの向きを捨象して大小を比較することであるとする原告の指摘は当たらない。したがって，原告の上記主張は理由がない。
(ウ)原告は，被告が本件無効審判手続において提出した答弁書（甲２５）における，「Ｙ方向は，Ｘ方向の穴と同数以上の穴が並ぶ方向に相当する」（３３頁）という主張を前提とすれば，本件訂正前には請求項１に含まれなかった板状複合体が，本件訂正後の請求項１には含まれることになるから，訂正事項１は，実質的には，特許請求の範囲を拡張するものである旨主張する。


しかしながら，原告の上記主張は，被告の上記答弁書における主張を前提とした場合にかかる事例が生じることを指摘するものにすぎず，本件訂正前及び本件訂正後の特許請求の範囲，並びに本件明細書の記載に基づくものであるとはいえない。訂正事項１によって，穴間方向（Ｘ方向）及びそれと垂直なＹ方向の意義が変化するわけではないから，本件訂正前に特許請求の範囲（請求項１）に含まれなかった板状複合体が，本件訂正後にはこれに含まれるようになるとは認められない。なお，特許請求の範囲（請求項１）の「穴間方向」（Ｘ方向・Ｙ方向）の意義については，後記取消事由２で判断するとおりである。エ以上のとおり，訂正事項１は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，かつ，願書に添付された明細書に記載した事項の範囲内でされたものであると認められ，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではないから，訂正事項１に係る訂正を認めた本件審決の判断に誤りはない。
(3)訂正事項２について
訂正事項２は，前記第２の２(2)記載のとおりのものであって，これは，訂正事項１に係る訂正後の特許請求の範囲（請求項１）の記載と，明細書の段落【００１２】の記載を整合させることを内容とするものである。したがって，訂正事項２は明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって，かつ，前記(2)記載のとおり，願書に添付された明細書に記載した事項の範囲内でされたものであると認められ，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではないから，訂正事項２に係る訂正を認めた本件審決の判断に誤りはない。
(4)小括
以上によれば，取消事由１に係る原告の主張は理由がない。
２本件訂正発明について
(1)本件訂正発明の特許請求の範囲（請求項１ないし１１）の記載は，前記第２の３に記載のとおりであるところ，本件明細書（甲１８，１９の２）には，次のような記載がある（下記記載中に引用する図面については，別紙１の本件明細書図面目録を参照。）。
ア発明の属する技術分野
「本発明は，熱伝導特性に優れ，かつ軽量であり，セラミックス基板やＩＣパッケージなどの半導体部品のヒートシンクなどの放熱部材として好適な高熱伝導性の炭化珪素質複合材料とその製造方法及びそれを用いた放熱部品に関する。」（段落【０００１】）
イ従来の技術
「近年，半導体分野での半導体素子の大容量化，半導体素子の高集積化が進むに従い，半導体素子から発生した熱エネルギーをいかに効率よく外部に放散させるかが重要な課題となっている。半導体素子は，通常，セラミックス基板等の絶縁性基板に搭載されて用いられる。この場合，半導体素子からの発熱は基板裏面等に設けられるヒートシンクと呼ばれる放熱部品を介して外部に発散させ，半導体素子の動作特性を確保している。」
（段落【０００２】）
「従来，このヒートシンク材料としては，主に銅（Ｃｕ）が用いる。銅は，室温付近の熱伝導率が３９０Ｗ／ｍＫと高いが，熱膨張係数が１７×１０-6／Ｋと大きく，セラミックス基板（熱膨張係数：７～８×１０-6／Ｋ）とヒートシンクの熱膨張差に起因して，加熱接合時や熱サイクルの付加等によりセラミックス基板にクラックや割れ等が生じることがある。従来，セラミックス基板を信頼性が要求される分野に放熱部品として用いる場合には，セラミックス基板と熱膨張係数の差の小さいＭｏ／Ｗ等をヒートシンクとして用いていた。」（段落【０００３】）
「上述したようなＭｏ／Ｗ製ヒートシンクは，信頼性に優れる反面，熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫと低く，放熱特性の面で問題があり，更に，このようなヒートシンクは高価である。このような事情から，近年，銅やアルミニウム合金を無機質繊維または粒子で強化したＭＭＣ（ＭｅｔａｌＭａｔｒｉｘＣｏｍｐｏｓｉｔｅ）と略称される金属ーセラミックス複合体が注目されている。このような複合体は，一般には，強化材である無機質繊維あるいは粒子を，あらかじめ成形することでプリフォームを形成し，そのプリフォームの繊維間あるいは粒子間に基材（マトリックス）である金属を溶浸させた複合体である。強化材としては，アルミナ，炭化珪素，窒化アルミニウム，窒化珪素，シリカ，炭素等のセラミックスが用いられている。しかし，強化材であるセラミックスとマトリックスである合金の濡れ性や界面の反応層等も熱伝導率に大きく寄与する。」（段落【０００４】）
「上記の複合体において，熱伝導率を上げようとする場合，強化材及び合金として熱伝導率の高い物質を選択する必要があり，熱膨張係数を下げるためには，熱膨張率の低い強化材を選択する必要がある。このため，炭化珪素－アルミニウム合金の複合体が主に研究されている。」（段落【０００５】）
ウ発明が解決しようとする課題
「しかしながら，上述したように従来のセラミックス基板とヒートシンクとの接合構造を有する放熱部品において，ＭｏやＷ等の重金属材料をヒートシンクに用いた場合，放熱部品の重量が重くなると共に，放熱性に関しても必ずしも十分でないという問題がある。一方，比較的軽量で放熱性に優れるＣｕやＡｌ等をヒートシンクとして用いる場合，セラミックス基板との熱膨張差が大きく，信頼性の高い構造を得るためには，接合構造自体が非常に複雑になってしまい，製造コストの増加や放熱部品としての熱抵抗の増加等を招くといった問題があった。この様なことから，従来のセラミックス基板とヒートシンクの接合構造を有する放熱部品においては，接合構造の簡略化を図り，且つ信頼性や放熱性の向上を図ることが課題とされている。」（段落【０００６】）


「一方，上記の課題を解決するため，金属－セラミックス複合体が検討されているが，セラミックス基板に近い熱膨張率を得ようとすると，熱膨張率の低い強化材であるセラミックスの比率を上げる必要がある。セラミックス成分の比率を上げるには，高い成形圧でプリフォームを成形する必要があり，コストアップに繋がると共に，その後の合金の十分な含浸が難しくなるという問題がある。このため，熱膨張率がセラミックス基板に近く，高い熱伝導率を有する金属－セラミックス複合体を安価に提供できる技術の開発が課題としてある。」（段落【０００７】）「更に，この様な複合体は，放熱部品として用いる場合，回路基板と半田付けして用いられるため，複合体の反り量が大きすぎると半田付けが難しくなる。このため，この様な複合体を放熱部品として用いる場合，所定量以下の反り量に制御する必要がある。一方，この様な放熱部品を組み込んだパワーモジュール等の部品は，一般に放熱フィン等にネジ止めされて用いられる。その場合，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面に応力が働くべく，接合面が凸型になっていることが，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面より好ましい。しかし，従来の金属－セラミックス複合体では，この様に，任意に反り等の形状を付加しようとする場合，後加工により調整するしか方法がなかった。この場合，金属－セラミックス複合体は，非常に硬く，加工費用が高く，部品自体が非常に高価になってしまうという課題があった。」（段落【０００８】）「本発明は，上記の事情に鑑みなされたものであって，高熱伝導性を有すると共に，比重が小さく，且つ熱膨張係数がセラミックス基板に近い，反りを有していて放熱部品等に密着性良く接合される複合体及びこれを用いた放熱部品を安価に提供することを目的とするものである。」（段落【０００９】）
エ課題を解決するための手段
「本発明者らは，上記目的を達成するため鋭意研究した結果，複合体の組成及びその構造を調整することにより，熱膨張係数等の特性及び複合体の形状を制御できることを見出し，本発明を完成するに至ったのである。」（段落【００１０】）
「本発明は，多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し，穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が，｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜，５０≦Ｃｘ≦２５０且つ－５０≦Ｃｙ≦２００（Ｃｙ＝０を除く）であることを特徴とする炭化珪素質複合体である。」（段落【００１２】）
「更に，本発明は，多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が２５０μｍ以下の反りを有し，複合体の表裏両面が平均厚さ１０～１５０μｍのアルミニウムを主成分とする金属層で覆われており，しかも表裏の金属層の平均厚みの差が１４０μｍ以下であることを特徴とする炭化珪素質複合体である。」（段落【００１３】）「また，本発明は，板状複合体が複合体部分（Ａ）と複合体の少なくとも片面に設けられたアルミニウムを主成分とする金属層（Ｂ）とからなり，複合体部分（Ａ）の厚さの平均値（ＴＡ；μｍ）と金属層（Ｂ）の両面の厚さの平均値との合計（ＴＢ；μｍ）の比（ＴＡ／ＴＢ）が５～３０であることを特徴とする炭化珪素質複合体である。」（段落【００１４】）「更に，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０～２５０μｍであり，しかも前記金属層（Ｂ）の表面側の厚さの平均値（ＴＢ１；μｍ）と裏面側の厚さの平均値（ＴＢ２；μｍ）との差の絶対値（｜ＴＢ１－ＴＢ２｜）と，複合体の最大長（Ｌ；ｃｍ）との積が５００以上２５００以下であることを特徴とする炭化珪素質複合体である。」（段落【００１５】）
「更にまた，本発明は，多孔質炭化珪素成形体の少なくとも一主面に段差を設けることを特徴とする炭化珪素質複合体である。」（段落【００１６】）
「加えて，本発明は，枠内に２つの多孔質炭化珪素成形体を積層して配置した後，前記枠に鉄板を配置しボルト，ナットで固定してブロックとし，前記ブロックにアルミニウムを主成分とする金属を含浸することで得られる板状複合体であって，板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し，当該炭化珪素質複合体が，多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる２つの板状複合体（Ｃ，Ｄ）と，アルミニウムを主成分とする金属層（Ｅ）とがＥＣＥＤＥの構造で積層してなる複合体であって，板状複合体（Ｃ），（Ｄ）の炭素含有量の差が０．５～２．５重量％であり，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対する反り量が５０～２５０μｍであることを特徴とする炭化珪素質複合体である。」（段落【００１７】）「また，本発明は，炭化珪素質複合体を温度３５０℃以上で応力を加えて塑性変形させることにより，反り付けを行うことを特徴とする炭化珪素質複合体の製造方法である。」（段落【００１８】）
「更に，本発明は，室温（２５℃）から１５０℃に加熱した際の平均熱膨張係数が９×１０-6／Ｋ以下であり，室温（２５℃）の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とする炭化珪素質複合体である。」（段落【００１９】）


「更にまた，本発明は，板状複合体に半導体搭載用セラミックス基板を接合してなることを特徴とする放熱部品である。」（段落【００２０】）「加えて，本発明は，セラミックス基板が窒化アルミニウム及び／又は窒化珪素であることを特徴とす放熱部品である。」（段落【００２１】）「更に，本発明は，セラミックス基板を接合していない面を，放熱グリースを介して，平面板装着する際に，締め付けトルクが２Ｎ以上の条件において，前記面の９０％以上が密着することを特徴とする前記の放熱部品である。」（段落【００２２】）
オ発明の実施の形態
(ア)板状複合体の材質
「金属－セラミックス複合体の熱膨張率は，通常，強化材であるセラミックスと基材である金属の熱膨張率とその配合比で決まる。セラミックスの熱膨張率は金属の熱膨張率に比べかなり小さく，複合体の熱膨張率を下げるには，セラミックスの比率を増やすことが効果がある。一方，金属－セラミックス複合体の熱伝導率も，基本的には，強化材であるセラミックスと基材である金属の熱伝導率とその配合比で決まるが，熱伝導率の場合，強化材と基材との界面の結合状態が大きく寄与する。セラミックスと金属では，一般に金属の方が熱伝導率が高いが，炭化珪素（ＳｉＣ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），窒化硼素（ＢＮ）等は，金属と同等以上（３００Ｗ／ｍＫ以上）の理論熱伝導率を有し，熱伝導率向上の点からは，強化材として非常に有望である。しかし，実際に複合体を製造する場合，ＡｌＮやＢＮは高価であり，得られる複合体も高価になってしまう。また，ＡｌＮやＢＮは，大気雰囲気中で酸化され易く，複合体とした場合，強化材であるセラミックスと基材である金属との間に熱伝導率が極めて低いガラス相を形成し易く，その結果，得られる複合体の熱伝導率が低下してしまう。」（段落【００２３】）「本発明者らは，強化材について種々検討した結果，炭化珪素を主成分とするセラミックスが，高熱伝導率と低熱膨張率を兼ね備えた金属－セラミックス複合体を製造するのに適していることを見いだした。」
（段落【００２４】）
「一方，このような複合体を製造する場合，強化材と金属との濡れ性が緻密な複合体を得るためには重要である。含浸する金属の融点が高いと，含浸時の温度が高くなり，セラミックスが酸化されたり，セラミックスと金属が反応して特性的に好ましくない化合物を形成することがある。更に，基材である金属の融点が高いと，含浸温度が高くなることにより，型材等の材質が限定されてしまうと共に，鋳造コスト自体も増加し，得られる複合体が高価になってしまう。」（段落【００２５】）「本発明者らは，基材である金属について種々検討した結果，アルミニウムを主成分とする合金を用いることにより，良好な複合体を製造できることを見いだした。すなわち，本発明の複合体は，炭化珪素粉末又は炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなるものである。」（段落【００２６】）
「金属－セラミックス複合体の熱膨張率，熱伝導率等の特性は，強化材であるセラミックスと基材である金属の特性とその配合比で決まる。本発明の複合体中の炭化珪素の含有量は，５０～８０体積％であることが好ましく，更に好ましくは６０～７０体積％である。炭化珪素の含有量が５０体積％未満では，複合体の熱膨張率が高くなり，本発明が目的とする信頼性の高い放熱部品が得られなくなる。また，炭化珪素の含有量を高くすることは，複合体の高熱伝導率，低熱膨張率といった点では有効であるが，８０体積％を越えて充填する場合，非常に高い成形圧力を必要とする等の問題があり，得られる金属ーセラミックス複合体のコストが極端に高くなってしまう。」（段落【００２７】）「一方，本発明の炭化珪素質複合体中の金属は，アルミニウムを主成分とする合金であり，好ましくはシリコンを２０重量％以下，マグネシウムを５重量％以下含有する。合金中のアルミニウム，シリコン，マグネシウム以外の金属成分に関しては，極端に合金の特性が変化しない範囲であれば銅等も含有することができる。合金中のアルミニウム以外の成分を調整することにより，合金自体の熱伝導率や熱膨張率を変えることができ，得られる複合体の熱膨張率や熱伝導率も調整できる。また，アルミニウム金属にシリコンやマグネシウムが合金化することにより合金の融点低下や高温での溶融金属の粘性低下があり，高温鋳造法等で緻密な複合体が得やすくなる。更に，アルミニウム金属を合金化することにより，金属自体の硬度増加があり，その結果，得られる複合体の強度等の機械的特性が向上する。」（段落【００２８】）
(イ)板状複合体の構造
「また本発明は，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が２５０μｍ以下の反りを有することを本質的とする。複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が２５０μｍを超えると，本発明の複合体を放熱部品として用いる場合，回路基板等との接合不良が発生してしまうという問題や，放熱フィン等にネジ止めする際に，過大な曲げ応力が加わり，複合体が破損してしまうという問題が発生する。一方，この様な複合体からなる放熱部品を組み込んだパワーモジュール等の部品は，放熱フィン等にネジ止めされて用いられる。その場合，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面に応力が働くべく，接合面が凸型になっていることが，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面より好ましい。」（段落【００２９】）
「本発明の第１の発明は，板状複合体の主面内に他の放熱部品にネジ止め固定できように，４個以上の穴部を有していることである。前記穴の形状については，放熱部品等の大きさにより適宜選択すれば良いが，一般的にはＭ６～Ｍ１０のネジが貫通できるサイズであれば良い。穴部の個数については，放熱板の大きさに応じて４個以上の多数個を設けることができるが，３個以下のときには放熱板の全面を他の放熱部品に必ずしも密着させることができない。」（段落【００３０】）「本発明においては，穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃx；μｍ）と前記Ｘ方向に垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃy；μｍ）とについて，５０≦Ｃx≦２５０であり，しかも－５０≦Ｃy≦２００であることが本質的である。一般にここで，前記穴間方向（Ｘ方向）とは，図９（ａ）～（ｄ）に例示した，放熱板表面の一方向を示し，Ｙ方向は，前記表面内のＸ方向と垂直な方向を示している。」（段落【００３１】）


「本発明者らは，従来技術における前記課題の解決を図り，いろいろ実験的に検討した結果，反り量（Ｃx；μｍ，並びにＣy；μｍ）が前記特定の範囲にあるときに，複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができるという知見を得て，本発明に至ったものである。本発明の複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定する場合，一般には，放熱板と放熱部品との間に放熱グリス等を介して固定される。このため，Ｙ方向の反り量（Ｃy）に関しては，その絶対値が放熱グリス厚より小さいことが好ましい。また，締め付け時の放熱板の変形を考慮した場合，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。前記の反り量が前記特定範囲を満足できないときには，必ずしも密着性良く放熱板を他の放熱部品にネジ止め固定することができないことがある。」（段落【００３２】）
「また，本発明の第２の発明は，板状複合体（Ａ）の両面にアルミニウムを主成分とする合金層（Ｂ）が接合してなる板状の複合体である。表面部がアルミニウムを主成分とする合金層で覆われていることにより，表面部を加工する際には，この金属部分の加工ですみ，加工時の負荷を大幅に抑えることができる。表面部に金属－セラミックス複合体があると，その部分のみが硬く，加工が不均一になったり，ダイヤモンド等の高価な加工治具を用いる必要があるためである。また，表面部が金属層であることにより，メッキ処理を行う場合の均一性が向上する。上記理由から，金属層の平均厚さは１０μｍ以上が選択される。」（段落【００３３】）
「一方，前記金属層は，アルミニウムを主成分とする金属からなるので，金属－セラミックス複合体部分に比べ，熱膨張係数が大きい。従って，金属層の厚さが増加すると複合体全体の熱膨張係数が大きくなってしまうので，金属層の平均厚さは１５０μｍ以下に選択される。」（段落【００３４】）
「また，表裏の金属層の平均厚さに差があると，金属層と金属－セラミックス複合体の熱膨張係数の違いに起因して，複合体自体の表裏面の熱膨張差が発生し，その結果，複合体に反りが発生する。この様な，反りは，これが制御されていない場合には，放熱部品等として複合体を用いるときに，回路基板等との接合不良の原因となる。この反り量と表裏の金属層の厚み差には，密接な関係があり，厚み差が１４０μｍを超えると，複合体の反り量が大きくなり過ぎて，放熱部品等として用いるに適当でなくなる。また，板状複合体の主面内に他の放熱部品にネジ止め固定できように，穴部を有している場合，その穴間距離が１０ｃｍ以下の小型形状では，密着性良く放熱板を他の放熱部品にネジ止め固定するためには，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が１００μｍ以下であることが好ましい。」（段落【００３５】）
「更に，本発明の第４の発明は，板状複合体（Ａ）の厚さの平均値（ＴＡ）と，表裏の合金層の厚さの平均値の合計（ＴＢ）との比（ＴＡ／ＴＢ）が５～３０である複合体である。ＴＡ／ＴＢが５未満では，表面の該合金層の厚さが厚くなり過ぎて，熱膨張率や熱伝導率等の特性が低下してしまう。一方，ＴＡ／ＴＢが３０を超えると，表面の合金層が薄くなり過ぎ，表面部を機械加工等を行なう場合に，部分的に板状複合体が露出し，加工治具を破損するといった問題や，メッキ特性が低下するといった問題が発生する。また，表面の合金層の厚さを調整して，複合体の形状，具体的には反り量を調整する際にもある程度の合金層厚さが必要となるため，ＴＡ／ＴＢは３０以下である必要がある。」（段落【００３６】）
「また，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０～２５０μｍであり，合金層（Ｂ）の表面側の厚さの平均値（ＴＢ１；μｍ）と裏面側の厚さの平均値（ＴＢ２；μｍ）の差と複合体の最大長（Ｌ；ｃｍ）とが５００＜（ＴＢ１－ＴＢ２）×Ｌ＜２５００である。複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が２５０μｍを超えると，本発明の複合体を放熱部品として用いる場合，回路基板等との接合不良が発生してしまうという問題や，放熱フィン等にネジ止めする際に，過大な曲げ応力が加わり，複合体が破損してしまうという問題が発生し易い。一方，この様な複合体からなる放熱部品を組み込んだパワーモジュール等の部品は，放熱フィン等にネジ止めされて用いられる。その場合，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面に応力が働くべく，接合面が凸型になっていることが，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面より好ましい。このため，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ未満では，放熱部品等として用いる場合の反り量が不足し，放熱特性に問題が生じることがある。」（段落【００３７】）「このような構造の複合体においては，合金層と板状複合体（金属－セラミックス複合体）の熱膨張係数の違いから，表裏の合金層の厚さ差があると，複合体自体の表裏の熱膨張差が発生し，その結果，複合体に反りが発生する。この様な反りは，表裏の合金層の厚み差と板状複合体のサイズに密接な関係があり，表裏の合金層の厚み差が大きくなると，また，板状複合体のサイズが大きくなると大きくなる。（ＴＢ１－ＴＢ２）×Ｌが２５００を超えると，複合体の反り量が大きくなり過ぎて，また，（ＴＢ１－ＴＢ２）×Ｌが５００未満では，複合体の反り量が小さくなり過ぎて，放熱部品として用いる場合，上述した様な問題があり好ましくない。」（段落【００３８】）


「更に，本発明は，多孔質炭化珪素成形体の少なくとも一主面に段差を設けることを特徴とするものである。前述した様に，この様な構造の複合体においては，表裏の合金層の厚み差により複合体に反りが発生する。段差の形状に関しては，溝等の側面と連結した構造や，窪み等の側面と連結していない構造があり，これらの組み合わせも可能である。段差部の深さに関しては，段差部の面積により異なる。段差部の面積が大きい場合，段差部の平均深さは浅く，段差部の面積が小さい場合，段差部の平均深さは深くする必要がある。このため，所望の表裏の合金層の平均厚み差を付ける為に必要な表裏の段差部の体積差がある。表裏の段差部の体積差については，複合体の体積の３～１５％であることが好ましい。３％未満では，表裏の合金層の厚み差が少なく，所望の反り量を得ることができない。また，１５％を超えると，表裏の合金層の厚み差が大きくなり，複合体の反り量が大きくなり過ぎて，放熱部品等として用いる場合に回路基板等との接合不良等が起こり好ましくない。また，段差部の面積に関しては，主面の２０～８０％であることが好ましい。２０％未満では，段差部の平均深さを極端に深くする必要があり，複合体の強度等の面より好ましくない。一方，８０％を超えると，複合体表面の合金層の厚みむらが大きくなり好ましくない。この段差部は，多孔質炭化珪素成形体の一主面のみに設けても，両面に設けても，表裏の段差部に体積差があれば問題はない。」（段落【００３９】）「加えて，本発明は，枠内に２つの多孔質炭化珪素成形体を積層して配置した後，前記枠に鉄板を配置しボルト，ナットで固定してブロックとし，前記ブロックにアルミニウムを主成分とする金属を含浸することで得られる板状複合体であって，板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し，当該炭化珪素質複合体が，多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる２つの板状複合体（Ｃ，Ｄ）と，アルミニウムを主成分とする金属層（Ｅ）がＥＣＥＤＥの構造で積層してなる複合体であって，板状複合体（Ｃ），（Ｄ）の炭素含有量の差が０．５～２．５重量％である。複合体を５層構造にすることにより，板状複合体（Ｃ，Ｄ）の組成を調整することができ，その結果，複合体に反りを付加することができる。具体的には，板状複合体（Ｃ，Ｄ）の炭化珪素含有量に相当する炭素含有量の差を０．５～２．５重量％とする。複合体中の炭化珪素含有量が増加するに従い，その熱膨張率は小さくなり，板状複合体Ｃと板状複合体Ｄの炭素含有量の差が熱膨張差となり，反りが発生する。炭素含有量の差が０．５重量％未満では，板状複合体Ａと板状複合体Ｂの熱膨張差が小さすぎて，十分な反り量が得られない。また，炭素含有量の差が２．５重量％を超えると，板状複合体Ｃと板状複合体Ｄの熱膨張差が大きくなりすぎて，放熱部品等として用いるのに適さなくなる。」（段落【００４０】）
「複合体の反り量としては，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対する反り量が５０～２５０μｍであることが好ましい。複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が２５０μｍを超えると，本発明の複合体を放熱部品として用いる場合，回路基板等との接合不良が発生してしまうという問題や，放熱フィン等にネジ止めする際に，過大な曲げ応力が加わり，複合体が破損してしまうという問題が発生する。一方，この様な複合体からなる放熱部品を組み込んだパワーモジュール等の部品は，放熱フィン等にネジ止めされて用いられる。その場合，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面に応力が働くべく，接合面が凸型になっていることが，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面より好ましい。このため，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ未満では，放熱部品等として用いる場合の反り量が不足し，本発明の目的を達成できないことがある。」（段落【００４１】）
「また本発明は，前記の板状の複合体を３５０℃以上の温度で主面と垂直な応力を加えて塑性変形させることにより，反り付けを行うことを特徴とする炭化珪素質複合体の製造方法である。前記操作により，前記所望の反り量を有する板状の複合体を容易に得ることができる。この場合，予め所望の形状の内面を有する型に，複合体を押しつける方法が，再現性高く好ましい。尚，３５０℃未満の温度では，複合体中のアルミニウムを主成分とする金属が，実質的に塑性変形しないので，発明の目的を達しがたい。前記温度の上限については，６００℃を越えるとアルミニウム合金の一部が液相を形成し，流動を生じることがあるが，流動を生じる温度まで加熱すると，その冷却時に凝固に伴う変形が生じることがあり好ましくない。」（段落【００４２】）
「更に，本発明の複合体の室温（２５℃）の熱伝導率は１５０Ｗ／ｍＫ以上である。熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ未満では，放熱部品等として用いる場合に十分な放熱特性が得られず，その用途が限定されてしまうという問題がある。」（段落【００４３】）
「また，本発明の複合体は，室温（２５℃）から１５０℃に加熱した際の平均熱膨張係数が９×１０-6／Ｋ以下である。室温（２５℃）から１５０℃に加熱した際の平均熱膨張係数が９×１０-6／Ｋを越えると，パワーモジュール等の放熱部品として用いる場合に，セラミックス基板との熱膨張係数の差が大きくなり過ぎて，加熱接合時や熱サイクル不可等により，セラミックス基板にクラックや割れ等が生じることがあり，信頼性が要求される放熱部品として用いる場合の用途が限定されてしまうという問題がある。」（段落【００４４】）
「また，本発明の複合体は，密度が３ｇ／ｃｍ3程度と銅等の金属に比べ軽く，放熱部品等として用いる場合，部品の軽量化に有効である。一方，本発明の複合体は，曲げ強度が３００ＭＰａ以上と高く，放熱部品等として用いるに十分な機械的特性を有している。」（段落【００４５】）


「更にまた，本発明は，上述した複合体を用いることを特徴とする放熱部品である。本発明の放熱部品は，熱伝導特性に優れ且つ十分な機械的特性を有しており，ヒートシンク等として用いるに好適である。また，本発明の放熱部品は，密度が３ｇ／ｃｍ3程度と軽量であり，移動用機器に用いる放熱部品として好適である。本発明の放熱部品は，熱伝導特性に優れ，平均熱膨張率が９×１０-6／Ｋ以下と低いためヒートシンク等の放熱部品として用いる場合，従来の銅等を用いた場合に比べ，放熱部品と接合されるセラミックス基板との熱膨張差が小さく，基板上の半導体素子の作動時に発生する熱サイクル等によるセラミックス基板のクラックや割れ等を抑えることができる。このことにより，高い信頼性が要求される電機自動車等の移動用機器に用いる放熱部品として好適である。」（段落【００４６】）
「また，半導体素子の集積化や大型化に伴い，これを搭載するセラミックス基板には，高い放熱特性が要求されている。窒化アルミニウム及び窒化珪素基板は，絶縁特性に優れ，放熱特性に優れており，本発明の放熱部品と接合して用いることにより，熱サイクル等の付加によるクラックや割れ等の極めて少ない高信頼性を得ることができる。」（段落【００４７】）
「また，本発明の放熱板は，セラミックス基板を接合していない面を，放熱グリースを介して，平面板装着する際に，締め付けトルクが２Ｎ以上の条件において，前記面の９０％以上が密着する特徴を有し，セラミックス基板上の半導体素子の作動時に発生する熱を速やかに放散することができ，高信頼性のモジュールを形成できる利点がある。」（段落【００４８】）
(ウ)板状複合体の製造方法
「本発明の複合材の製造方法は，炭化珪素粉末に結合剤としてシリカゾル及び／又はアルミナゾル等を所定量添加混合し，所望の形状に成形する。成形方法は，乾式プレス成形，湿式プレス成形，押し出し成形，鋳込み成形等を用いることができ，必要に応じて保形用バインダーを添加してもよい。また，炭化珪素粉末に関しては，１種類の粉末を用いても良いが，複数の粉末を適宜粒度配合して高密度の成形体を容易に得ることができるので一層好ましい。次に，得られた成形体を，大気中又は窒素等の不活性ガス雰囲気中，温度７００～１６００℃で仮焼して炭化珪素質多孔体を製造する。一方，炭化珪素粉末に結合材としてシリコン粉末を添加混合して，同様の方法で製造することもできる。更に，炭化珪素質多孔体の製造方法に関しては，炭化珪素粉末やシリコン粉末と炭素粉末の混合粉末を，不活性ガス雰囲気中，温度１６００～２２００℃で焼成して製造することもできる。」（段落【００４９】）「得られた炭化珪素質多孔体は，所定形状に加工した後，熱衝撃による割れ等を防止するため予め加熱し，融点以上の温度に加熱したアルミニウムを主成分とする溶融金属を高圧で含浸させて複合体とする。複合体の表面の金属層の厚み調整は，炭化珪素質多孔体を加工する際に，表面部に溝等を付加することにより，含浸して得られる複合体の表面の合金層の厚さを調整することができる。また，Ａｌ合金の薄板を炭化珪素質多孔体の表面に積層して含浸することによっても調整できる。この場合，多孔体のみならず炭化珪素粉末を用いることもできる。更に，複合体の表面の金属層を機械加工することによっても複合体の表面の金属層の厚みを調整することができる。更に，金型等を利用し，該金型の空隙寸法よりも若干小さな寸法のプリフォームを前記空隙内に配置し，該金型内の前記空隙内に溶融金属を注入する方法によっても作製することができる。金属成分の含浸方法に関しては，特に限定はなく，高圧鋳造法，ダイカスト法等が利用できる。」（段落【００５０】）
(エ)実施例
「［実施例１～１０，比較例１］炭化珪素粉末Ａ（大平洋ランダム社製：ＮＧ－２２０，平均粒径：６０μｍ），炭化珪素粉末Ｂ（屋久島電工社製：ＧＣ－１０００Ｆ，平均粒径：１０μｍ）及びシリカゾル（日産化学社製：スノーテックス）を表１に示す組成で配合し，攪拌混合機で３０分間混合した後，１００ｍｍ×１００ｍｍ×５ｍｍの形状に１０ＭＰａの圧力で成形した。」（段落【００５２】）
「得られた成形体は，大気中，温度８５０℃で２時間加熱して，炭化珪素質多孔体とした。得られた炭化珪素質多孔体は，２０ｍｍφ×５ｍｍの形状に加工して，その寸法と質量より相対密度（嵩密度）を算出した。得られた結果を表１に示す。」（段落【００５３】）
【表１】（段落【００５４】）
「次に，得られた炭化珪素質多孔体をダイヤモンド加工治具で表１に示す厚さに加工し，各試料１０枚を離型剤を塗布した図１の型枠（材質：炭素鋼）にセットした後，各試料間を離型剤を塗布した０．７ｍｍ厚の鉄板で区切り，両端に１２ｍｍ厚の鉄板を配した後，１０ｍｍφのボルト，ナットで固定して，一つのブロックを形成した。」（段落【００５５】）
「次に，前記ブロックを電気炉で，温度７００℃に予備加熱し，予め加熱しておいた内寸２５０ｍｍφ×３００ｍｍの空隙を有するプレス型内に載置した後，温度８５０℃に加熱してある，表１に示すアルミニウム金属の溶湯を流し込み，１００ＭＰａの圧力で１０分間プレスして，炭化珪素質多孔体にアルミニウム金属を含浸させた。得られた複合体を含む金属塊は，室温まで冷却したのち，湿式バンドソーにて切断して型枠を取り出し，更に型枠内から炭化珪素質複合体を離型した。得られた複合体は，ダイヤモンド加工治具を用いて，熱膨張率測定用試験体（３×４×１０ｍｍ），室温の熱伝導率測定用試験体（１０ｍｍφ×３ｍｍ），３点曲げ強さ評価用試験体（３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ）に研削加工した。また，３点曲げ強さ評価用試験体の一部を用い，その断面を顕微鏡で観察し，複合体の表裏の金属層の厚みを９箇所について測定し，平均厚みを算出した。得られた結果を表２に示す。」（段落【００５６】）
【表２】（段落【００５７】）


「次に，それぞれの試験体を用いて，熱膨張計により室温から２５０℃の熱膨張率，レーザーフラッシュ法による室温の熱伝導率及び曲げ試験機による３点曲げ強さを測定した。また，３次元変位計により複合体の主面の長さ１０ｃｍに対する反り量を測定した。更に，熱伝導率測定用試験体の寸法と重量より，複合体の密度を算出した。得られた結果を表３に示す。」（段落【００５８】）
【表３】（段落【００５９】
「上記実施例１～１０，比較例１で得られた複合体の外周寸法はいずれも１０２×１０２ｍｍであり，試料間の寸法バラツキは０．１ｍｍ以下であった。また，複合体の厚みは，各試料とも３．０２ｍｍであり，比較例１以外の試料に関しては，面内の厚みバラツキも０．０５ｍｍ以下であった。」（段落【００６０】）
「［実施例１１］実施例２の型枠の代わり窒化珪素製の型枠を用い，成形体の一部に１０ｍｍφの穴を４カ所設けた。その他は，実施例２と同じ操作で複合体を作製し，得られた複合体の特性評価を行った。含浸後の型枠と複合体の離型は非常に良く，型枠の変形等は認められなかった。複合体の密度は２．９８ｇ／ｃｍ3であり，表裏の金属層の平均厚さは共に３０μｍであった。また，熱伝導率は２１０Ｗ／ｍＫ，熱膨張係数は７．１×１０-6／Ｋ，曲げ強さは４００ＭＰａ，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対する反り量は４０μmであった。複合体の寸法は，１０１×１０１ｍｍ×３．０１ｍｍであり，試料間のバラツキは非常に小さかった。また，成形体に設けた穴部は全て，金属層で満たされており，ハイス鋼のドリルで容易に穴加工を行うことができた。」（段落【００６１】）
「［実施例１２～１７，比較例２］炭化珪素粉末Ａ（大平洋ランダム社製：ＮＧ－２２０，平均粒径：６０μｍ），炭化珪素粉末Ｂ（屋久島電工社製：ＧＣ－１０００Ｆ，平均粒径：１０μｍ）及びシリカゾル（日産化学社製：スノーテックス）を表４の組成で配合し，攪拌混合機で３０分間混合した後，１８０ｍｍ×１２０ｍｍ×５ｍｍの形状に１０ＭＰａの面圧で成形した。得られた成形体は，大気中，温度８５０℃で２時間加熱して，炭化珪素質多孔体を作製した。得られた炭化珪素質多孔体は，２０ｍｍφ×５ｍｍの形状に加工して，その寸法と質量より相対密度を算出した。得られた結果を表４に示す。」（段落【００６２】）
【表４】（段落【００６３】）
「次に，得られた炭化珪素質多孔体をダイヤモンド加工治具を用いて表５に示す厚さの平板に加工し，離型剤を塗布した鉄製の厚さ３ｍｍの枠内にプリフォームを表５に示すアルミニウム板と共にセットし，両端に１２ｍｍ厚の鉄板を配した後１０ｍｍφのボルト，ナットで固定してブロックを形成した。次に，このブロックを電気炉で，温度７００℃に予備加熱し，予め加熱しておいた２５０ｍｍφ×３００ｍｍＨのプレス型に載置した後，温度８５０℃に加熱した表１に示す合金の溶湯を流し込み，１００ＭＰａの圧力で１０分間プレスして，炭化珪素質多孔体に合金を含浸させた。得られた炭化珪素質複合体を含む合金塊は，室温まで冷却したのち，ダイヤモンド加工治具で炭化珪素質複合体を削り出した。得られた炭化珪素質複合体は，ダイヤモンド加工治具を用いて，熱膨張率測定用試験体（３×４×１０ｍｍ），室温の熱伝導率測定用試験体（１０ｍｍφ×３ｍｍ），３点曲げ強度評価用試験体（３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ）に研削加工した。また，３点曲げ強度評価用試験体の一部を用い，その断面を顕微鏡で観察し，複合体の表裏の合金層の厚さを９カ所測定し，平均値を算出した。」（段落【００６４】）
【表５】（段落【００６５】）
「次に，それぞれの試験体を用いて，熱膨張計により室温から２５０℃の平均熱膨張係数，レーザーフラッシュ法による室温の熱伝導率及び曲げ試験機による３点曲げ強度を測定した。更に，熱伝導率測定用試験体の寸法と重量より，複合体の密度を算出した。得られた結果を表６に示す。また，複合体の表面をロール研摩機で磨き複合体表面の変質層を除去した後，３次元変位計により，複合体の主面の反り量を測定した。得られた結果を表６に示す。」（段落【００６６】）
【表６】（段落【００６７】）
「［実施例１８～２２］実施例１２の炭化珪素多孔体をダイヤモンド工具を用いて２．９５ｍｍ厚に加工した後，更に表面部を図２に示す形状で，表７の深さ及び面積となるように加工を施した。得られた加工体を，実施例１２と同様の含浸条件で含浸して複合体を作製した。得られた複合体は，実施例１２と同様の方法で評価を行なった。その結果を表８に示す。」（段落【００６８】）
【表７】（段落【００６９】）
【表８】（段落【００７０】）


「［実施例２３］実施例１２，１３の炭化珪素多孔体をダイヤモンド工具を用いて１．９ｍｍ厚に加工した後，離型剤を塗布した鉄製の厚さ４ｍｍの枠内に実施例１２と１３のプリフォームをセットし，両端に１２ｍｍ厚の鉄板を配した後１０ｍｍφのボルト，ナットで固定してブロックを形成した。次に，このブロックを，実施例１２と同様の含浸条件で含浸して複合体を作製した。得られた複合体は，ダイヤモンドカッターで切断し，その切断面を実態顕微鏡で観察した結果，合金層－複合体層－合金層－複合体層－合金層からなる５層構造となっていた。次に，実施例１２と同様の方法で評価を行なった。得られた複合体の密度は２．９８ｇ／ｃｍ3であり，熱伝導率は２００Ｗ／ｍＫ，熱膨張係数は７．３×１０-6／Ｋ，曲げ強さは４１０ＭＰａ，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対する反り量は１５０μmであった。」（段落【００７１】）「〔実施例２４～２６，２８，３０，３１，参考例２７，２９，比較例３～６〕炭化珪素粉末Ｃ（大平洋ランダム社製「ＮＧ－１５０」平均粒径：１００μｍ），炭化珪素粉末Ｂ（屋久島電工社製「ＧＣ－１０００Ｆ」平均粒径：１０μｍ）及びシリカゾル（日産化学社製「スノーテックス」）を６０：４０：３の重量比率で配合し，攪拌混合機で３０分間混合した後，１０５ｍｍ×１５５ｍｍ×６ｍｍの形状に１０ＭＰａの面圧で成形した。その後，前記の成形体を，大気中，９００℃で２時間加熱して，炭化珪素質多孔体を作製した。得られた炭化珪素質多孔体は，２０ｍｍφ×５ｍｍの形状に加工して，その寸法と質量より相対密度を算出した結果，６６％であった。」（段落【００７２】）「次に，得られた炭化珪素質多孔体をダイヤモンド加工治具を用いて厚さ５ｍｍに加工し，電気炉で，温度７００℃に予備加熱し，予め加熱しておいた内径２５０ｍｍ×高さ３００ｍｍのプレス型内に載置した後，温度８５０℃に加熱したアルミニウム合金（ＡＤＣ－１２）の溶湯を流し込み，１００ＭＰａの圧力で１０分間プレスして，炭化珪素質多孔体に合金を含浸させた。炭化珪素質複合体を含む合金塊を室温まで冷却した後，ダイヤモンド加工治具を用いて炭化珪素質複合体を削り出した。得られら炭化珪素質複合体は，１００×１５０ｍｍ（コーナー部：Ｒ３）の形状に外周加工，並びに６箇所に７ｍｍφの穴加工を施した（図９（ｂ）参照）のち，更に，３次元ミルで面加工して，所定の形状，厚さ，反り量を有するいろいろな複合体を作製した。」（段落【００７３】）
「前記のいろいろな炭化珪素質複合体について，マイクロメーターで厚さ，３次元変位計により反り量を測定し，所望の寸法に加工されていることを確認した。得られた結果を表９に示す。」（段落【００７４】）
【表９】（段落【００７５】）
「また，前記操作で得たいろいろの複合体について，片面側にシリコングリス（信越化学工業社製）を厚さ５０μmとなるように秤量して塗布したのち，厚さ３０ｍｍのアクリル板に６Ｍのネジを用いて３Ｎの締め付けトルクで取り付けた。１分間放置後，ネジ止めをはずし，シリコングリス塗布面の密着率（面積比率）を測定した。その結果を表９に示す。」（段落【００７６】）
「〔実施例３２～３４〕参考例２９で作製した炭化珪素質複合体を，図１０に示すＳＵＳ－３０４製の治具にセットし，Ｍ１０のネジで各種変位量を負荷した後，温度５００℃の電気炉で３０分間加熱したのち，室温まで冷却して負荷を解放した。得られた複合体の反り量を表１０に示す。次に，得られた複合体を実施例２４と同様の方法で評価した結果を表１０に示す。」（段落【００７７】）
【表１０】（段落【００７８】）
「〔実施例３５，３６，比較例７〕実施例２４で作製した，炭化珪素質複合体に無電解Ｎｉメッキ処理を行い，複合体表面に１０μｍ厚のメッキ層を形成した。メッキ処理した複合体表面に１００μｍ厚の半田ペーストをスクリーン印刷し，実施例３５ではその上に市販の窒化アルミニウム基板を，実施例３６では市販の窒化珪素基板を搭載し，温度３００℃のリフロー炉で５分間加熱処理してセラミックス基板を接合させた。尚，比較例７は，銅板を用いて実施例３５と同様の手法で，メッキ処理後，窒化アルミニウム基板を接合した。」（段落【００７９】）「次に，これらのセラミックス基板を接合した複合体を用いて，－４０℃～１５０℃の温度幅で３０００回のヒートサイクル試験を行った。実施例３５及び実施例３６は，ヒートサイクル試験後もセラミックス基板の回路間のクラックの発生や回路の剥離は認められなかった。一方，比較例７に関しては，ヒートサイクル３０回でセラミックス基板の回路間にクラックが発生した。」（段落【００８０】）
カ発明の効果
「本発明の複合体は，炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなることから，複合体の加工コストが低減でき，熱伝導率が高く，平均熱膨張係数がセラミックス基板に近くかつ軽量であるという特徴を有し，半導体搭載用セラミックス基板と接合して用いる放熱部品として，信頼性に優れかつ電機自動車等の移動機器等に好適な放熱部品を安価に提供することができる。加えて，本発明の複合体は，特定量の反りを有していて，例えば，放熱板として用いた場合に，セラミックス基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができ，放熱性が安定した，従って高信頼性のモジュールを形成することができるという効果があり，産業上極めて有用である。」（段落【００８１】）(2)前記(1)の記載によれば，本件訂正発明の構成及びその特徴は以下のとおりであると認められる。


ア本件訂正発明は，セラミックス基板などの半導体部品のヒートシンクなどの放熱部材として好適な高熱伝導性の炭化珪素質複合材料とその製造方法及びそれを用いた放熱部品に関する（段落【０００１】）。この分野では，半導体素子から発生した熱エネルギーをいかに効率よく外部に放散させるかが重要な課題となっている（段落【０００２】）。従来，このヒートシンク材料としては，主に銅（Ｃｕ）を用いていたが，銅は，室温付近の熱伝導率が高いものの，熱膨張係数が大きく，半導体素子セラミックス基板とヒートシンクの熱膨張差に起因して，加熱接合時や熱サイクルの付加等によりセラミックス基板にクラックや割れ等が生じることがある（段落【０００３】）。そこで，近年，金属－セラミックス複合体が注目されており，炭化珪素－アルミニウム合金の複合体が主に研究されている（段落【０００５】）。
従来のセラミックス基板とヒートシンクの接合構造を有する放熱部品においては，接合構造の簡略化を図り，かつ信頼性や放熱性の向上を図ることが課題であり（段落【０００６】），上記の課題を解決するため，金属－セラミックス複合体が検討されているが，熱膨張率がセラミックス基板に近く，高い熱伝導率を有する金属－セラミックス複合体を安価に提供できる技術の開発が課題となっている（段落【０００７】）。さらに，この様な複合体は，放熱部品として用いる場合，回路基板と半田付けして用いられるため，複合体の反り量が大きすぎると半田付けが難しくなるため，この様な複合体を放熱部品として用いる場合，所定量以下の反り量に制御する必要がある一方，この様な放熱部品を組み込んだパワーモジュール等の部品は，一般に放熱フィン等にネジ止めされて用いられることから，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面に応力が働くべく，接合面が凸型になっていることが，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面より好ましい。しかし，従来の金属－セラミックス複合体では，任意に反り等の形状を付加しようとする場合，後加工により調整するしか方法がなかったため，加工費用が高く，部品自体が非常に高価になってしまうという課題があった（段落【０００８】）。
イ本件訂正発明は，上記アの事情に鑑み，高熱伝導性を有すると共に，比重が小さく，かつ，熱膨張係数がセラミックス基板に近い，反りを有していて放熱部品等に密着性良く接合される複合体及びこれを用いた放熱部品を安価に提供することを目的とするものであり（段落【０００９】），上記目的を達成するため，複合体の組成及びその構造を調整することにより，熱膨張係数等の特性及び複合体の形状を制御できることを見いだし，前記第２の３記載のとおり，請求項１ないし１１記載の各構成を採用したものである（段落【００１０】）。
ウ本件訂正発明の複合体は，炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなることから，複合体の加工コストが低減でき，熱伝導率が高く，平均熱膨張係数がセラミックス基板に近くかつ軽量であるという特徴を有し，半導体搭載用セラミックス基板と接合して用いる放熱部品として，信頼性に優れかつ電気自動車等の移動機器等に好適な放熱部品を安価に提供することができる。
加えて，本件訂正発明の複合体は，特定量の反りを有していて，例えば，放熱板として用いた場合に，セラミックス基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができ，放熱性が安定した，従って高信頼性のモジュールを形成することができるという効果がある（段落【００８１】）。
３取消事由２（記載要件に係る判断の誤り）について(1)「反り量」の定義（いずれの面についての物理量か）についてア原告は，本件訂正発明は，凸面側を測定しても凹面側を測定しても「反り量」が同一になる場合を除いて，「反り量」がいずれの面における物理量であるか不明確であり，かつ，本件明細書は，当業者が本件訂正発明を実施することができる程度に記載されたものではなく，仮に，本件訂正発明の請求項に記載された「反り量」が凸面側の反りの程度のみを示しているとすれば，そのような発明は本件明細書の発明の詳細な説明には記載されていないから，サポート要件違反である旨主張するので，以下において検討する。
イ(ア)本件訂正発明に係る請求項（請求項１ないし１１）の記載は，前記第２の３記載のとおりであり，板状複合体のいずれの面についての「反り量」を規定するものか明示する記載はない。
しかしながら，本件訂正発明の特許請求の範囲には，「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し，」との記載（請求項１ないし５，７ないし１１）又は「枠内に２つの多孔質炭化珪素成形体を積層して配置した後，前記枠に鉄板を配置しボルト，ナットで固定してブロックとし，前記ブロックにアルミニウムを主成分とする金属を含浸することで得られる板状複合体であって，板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し，」との記載（請求項６）があり，これらの記載によれば本件訂正発明に係る請求項には，本件訂正発明の板状複合体が凸面を有するものであることが規定されていることが明らかである。これに対し，特許請求の範囲の記載（請求項１ないし１１）には，本件訂正発明の板状複合体が「凹面」を有するものであること（「凸面」の反対側の面が「凹面」であること）を規定する記載は存しない。(イ)そこで，本件明細書の記載を参酌すると，本件明細書には，「複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が２５０μｍを超えると，本発明の複合体を放熱部品として用いる場合，回路基板等との接合不良が発生してしまうという問題や，放熱フィン等にネジ止めする際に，過大な曲げ応力が加わり，複合体が破損してしまうという問題が発生する。一方，この様な複合体からなる放熱部品を組み込んだパワーモジュール等の部品は，放熱フィン等にネジ止めされて用いられる。その場合，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面に応力が働くべく，接合面が凸型になっていることが，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面より好ましい。このため，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が５０μｍ未満では，放熱部品等として用いる場合の反り量が不足し，放熱特性に問題が生じることがある。」などの記載（段落【００２９】，【００３７】，【００４１】等）がある。


上記記載からは，本件訂正発明の板状複合体を放熱板として用いた場合に，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの接合面が，応力が働くべく凸型になっていると，ネジ止め後の締め付け力が大きく，セラミックス基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができるので，放熱の面で好ましいとされていることが理解され，凸面の反り量が問題とされていることが分かる。
(ウ)本件明細書の段落【０００８】には，「この様な複合体は，放熱部品として用いる場合，回路基板と半田付けして用いられるため，複合体の反り量が大きすぎると半田付けが難しくなる。このため，この様な複合体を放熱部品として用いる場合，所定量以下の反り量に制御する必要がある。」との記載が存するが，このような問題は，板状複合体を放熱部品として用いる場合に，パワーモジュール等の部品と放熱フィンの凸型の接合面の反対側，すなわち，板状複合体が回路基板と接合する面が凹面となる場合に生じる問題であると理解される。ところで，本件明細書の段落【００７３】に記載のように，本件訂正発明の板状複合体は「三次元ミルで面加工」すること，すなわち，凸面のみを加工することも可能であるところ，前記(ア)記載のとおり，特許請求の範囲の記載（請求項１ないし１１）には，本件訂正発明の板状複合体が「凹面」を有するものであることを規定する記載は存しないから，本件訂正発明は，凸型の接合面の反対側の面が凹面ではない板状複合体を含むものであると認められる。
そうすると，本件訂正発明に係る請求項（請求項１ないし１１）に記載された「反り量」は，回路基板と半田付けする際に懸念される凹面の「反り量」を規定したものではなく，ネジ止め後の締め付け力が大きく放熱の面で好ましい凸面の反り量を規定したものであると自然に理解されるといえる。
(2)「反り量」の定義（穴間方向の意義）についてア原告は，本件訂正発明１の請求項に記載された「穴間方向」の意義は不明確である旨主張するので，以下において検討する。
イ(ア)本件訂正発明１に係る請求項（請求項１）の記載は，前記第２の３記載のとおり，「多孔質炭化珪素成形体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，板状複合体の面内に他の放熱部品に当該板状複合体の凸面を向けてネジ止めするための４個以上の穴部を有し，穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が，｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜，５０≦Ｃｘ≦２５０，且つ－５０≦Ｃｙ≦２００である（Ｃｙ＝０を除く）ことを特徴とする炭化珪素質複合体。」というものである。
ここで，本件訂正発明１の炭化珪素質複合体は，反り量について，「穴間方向（Ｘ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ；μｍ）と，それに垂直な方向（Ｙ方向）の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ；μｍ）の関係が，｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜，５０≦Ｃｘ≦２５０，且つ－５０≦Ｃｙ≦２００である（Ｃｙ＝０を除く）こと」を発明特定事項とするものであるが，「穴間方向（Ｘ方向）」とはどのような方向を意味するのかについては，特許請求の範囲（請求項１）の記載からは，一義的に明らかであるとはいえない。
(イ)そこで，本件明細書の記載を参酌すると，本件明細書には，「穴間方向（Ｘ方向）」又は「穴間」につき，「一般にここで，前記穴間方向（Ｘ方向）とは，図９（ａ）～（ｄ）に例示した，放熱板表面の一方向を示し，Ｙ方向は，前記表面内のＸ方向と垂直な方向を示している。」（段落【００３１】）との記載がある。
上記記載から，「穴間方向（Ｘ方向）」には，図９に例示されたＸ方向が含まれることは理解できるが，「穴間方向（Ｘ方向）」は「放熱板表面の一方向を示」すとしか記載されていないから，図９に例示されたＸ方向以外にどのような方向が含まれるのか判然としない。また，図９に例示されたＸ方向については，穴と穴とを結ぶ直線とＸ方向を示す直線が明らかにずれているもの（図９の左から２番目の図）があるが，このような場合に穴間方向とＸ方向がどのような関係にあるのかについては，これを明らかにする記載も見当たらない。(ウ)ところで，本件訂正発明１は，「穴間方向」であるＸ方向の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ）と，Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向における長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ）の数値範囲をそれぞれ定め，さらに，Ｃｘの絶対値とＣｙの絶対値の関係を，｜Ｃｘ｜≧｜Ｃｙ｜と定めたものである。


そして，本件明細書の段落【００３２】に，「本発明者らは，従来技術における前記課題の解決を図り，いろいろ実験的に検討した結果，反り量（Ｃx；μｍ，並びにＣy；μｍ）が前記特定の範囲にあるときに，複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができるという知見を得て，本発明に至ったものである。本発明の複合体から成る放熱板を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定する場合，一般には，放熱板と放熱部品との間に放熱グリス等を介して固定される。このため，Ｙ方向の反り量（Ｃy）に関しては，その絶対値が放熱グリス厚より小さいことが好ましい。また，締め付け時の放熱板の変形を考慮した場合，Ｙ方向の反り量（Ｃｙ）はＸ方向の反り量（Ｃｘ）より小さい方が好ましい。前記の反り量が前記特定範囲を満足できないときには，必ずしも密着性良く放熱板を他の放熱部品にネジ止め固定することができないことがある。」と記載され，段落【００３５】に「また，板状複合体の主面内に他の放熱部品にネジ止め固定できように，穴部を有している場合，その穴間距離が１０ｃｍ以下の小型形状では，密着性良く放熱板を他の放熱部品にネジ止め固定するためには，複合体の主面の長さ１０ｃｍに対しての反り量が１００μｍ以下であることが好ましい。」と記載されているように，反り量を規定する上記条件は，本件訂正発明１に係る板状複合体を他の放熱部品に密着性良くネジ止め固定するための条件であると認められる。
ここで，本件訂正発明の複合体は，特定量の反りを有していて，例えば，放熱板として用いた場合に，セラミックス基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができ，放熱性が安定した，高信頼性のモジュールを形成することができるという効果を奏するものであるところ（段落【００８１】），板状複合体（放熱板）を放熱部品に密着性よくネジ止め固定できる長さ１０ｃｍに対する反り量であるＣｘ及びＣｙについて異なる数値範囲が規定されている本件訂正発明１において，本件明細書の段落【００３５】の記載から，本件訂正発明における好ましい長さ１０ｃｍに対する反り量は穴間距離の影響を受けるものと解され，Ｘ方向（ひいては，Ｙ方向）が，放熱板表面の一方向であればどの方向であっても他の放熱部品と密着性良くネジ止め固定できるとは考えられないことからすると，本件訂正発明１が上記作用効果を奏するためには，「穴間方向（Ｘ方向）」は，板状複合体のネジ穴または外形との関係でどの方向を示すものであるかが定義されていることを要するものというべきである。
(エ)しかるに，前記(ア)及び(イ)のとおり，特許請求の範囲（請求項１）にも，また，本件明細書にも，「穴間方向（Ｘ方向）」について，板状複合体のネジ穴または外形との関係でどのような方向をいうものかが明確に記載されていないことから，「穴間方向」であるＸ方向の長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｘ）と，Ｘ方向と直交する方向であるＹ方向における長さ１０ｃｍに対する反り量（Ｃｙ）の数値範囲をそれぞれ定め，さらに，Ｃｘの絶対値とＣｙの絶対値の関係を定めた本件訂正発明１の技術的意義を理解できないものにしているといわざるを得ない。
ウ小括
以上によれば，本件訂正発明１に係る特許請求の範囲（請求項１）の記載は，明確性を欠き，特許法３６条６項２号の規定する要件に違反するものであるといわざるを得ない。
したがって，本件訂正発明１及び本件訂正発明１の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１に係る特許は，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから，特許法１２３条１項４号により無効にされるべきものである。そこで，以下においては，本件訂正発明２ないし６について検討する。
(3)「反り量」の範囲について
ア原告は，放熱部品は半田付けの際に変形するものであるにもかかわらず，本件明細書では，その影響を全く考慮することなく，反り量の範囲を決定しているため，当業者であっても，本件訂正発明を課題が解決されるものとして認識し得ないからサポート要件を満たさず，また，課題を解決しうる実施品を製造・使用することもできないから，実施可能要件も満たさない旨主張するので，以下において検討する。
イ本件明細書の記載
本件訂正発明は，本件明細書によれば，前記第２(2)記載のとおり，セラミックス基板などの半導体部品のヒートシンクなどの放熱部材として好適な高熱伝導性の炭化珪素質複合材料とその製造方法及びそれを用いた放熱部品に関するものであるが，複合体を放熱部品として用いる場合，回路基板と半田付けして用いられるものであること及び放熱部品を組み込んだパワーモジュール等の部品は，一般に放熱フィン等にネジ止めされて用いられるものであること（段落【０００８】）を前提として，本件訂正発明の複合体は，半導体搭載用セラミックス基板と接合して用いる放熱部品として，信頼性に優れかつ電気自動車等の移動機器等に好適な放熱部品を安価に提供することができ，加えて，例えば，放熱板として用いた場合に，セラミックス基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定することができ，放熱性が安定した，従って高信頼性のモジュールを形成することができるという効果を奏するものである（段落【００８１】）といえる。
これに対し，特許請求の範囲（請求項１ないし１１）で規定する「反り量」に関し，本件明細書に開示された実施例（段落【００７２】ないし【００７８】）は，「前記操作で得たいろいろの複合体について，片面側にシリコングリス（信越化学工業社製）を厚さ５０μmとなるように秤量して塗布したのち，厚さ３０ｍｍのアクリル板に６Ｍのネジを用いて３Ｎの締め付けトルクで取り付けた。１分間放置後，ネジ止めをはずし，シリコングリス塗布面の密着率（面積比率）を測定した。」（段落【００７６】）というものであり，かかる密着率の測定方法は，放熱部品をセラミックス基板に半田付けした後の密着率を測定したものではない。
ウＡｌＳｉＣ複合体に関する各文献の記載
(ア)刊行物１（甲１）
「その材質については，得られる金属－セラミックス複合体の熱伝導率の低下を少なく，かつ熱膨張係数をアルミナ，窒化アルミニウム，窒化珪素等のセラミック基板に近づけるということから，高熱伝導でありかつ低熱膨張の炭化珪素，窒化アルミニウム，窒化珪素及びアルミナ等が好適である。・・・」（段落【００１９】）


「本発明に用いる金属については，本発明の目的を達成し得れば，どのようなものであっても構わないが，高熱伝導性，軽量性を達成する目的から，アルミニウム，マグネシウム等の軽合金又はそれらの合金が好ましい。・・・」（段落【００２０】）
「上記のセラミックスと金属の組み合わせに関して，金属としてアルミニウムあるいはアルミニウム系合金，セラミックスとして炭化珪素を用いたアルミニウム－炭化珪素複合体は，軽量，高熱伝導，セラミック基板との熱膨張の適合性の点で特に優れた組合せである。本発明者らは，このアルミニウム－炭化珪素複合体について，いろいろ検討した結果，炭化珪素含有量には本発明の目的を達するのに好適な範囲が存在することを見出し，本発明に至ったものである。即ち，アルミニウム－炭化珪素複合体中の炭化珪素含有量が５０体積％以下では熱膨張係数が高くなり，セラミック基板との熱膨張差に起因する前記問題が生じ易くなる。また，セラミックスは高温での熱伝導率が下がるため，８０体積％以上では，使用時の温度上昇による熱伝導率の低下が著しくなるという問題が顕著になってくる。従って，アルミニウム－炭化珪素複合体中の炭化珪素含有量は５０～８０体積％，すなわち，複合体化前の多孔質炭化珪素構造体の気孔率は５０～２０体積％が好適である。」（段落【００２１】）
(イ)刊行物４（甲４）
「・・・金属－セラミックス複合体が検討されているが，セラミックス基板に近い熱膨張率を得ようとすると，熱膨張率の低い強化材であるセラミックスの比率を上げる必要がある。・・・熱膨張率がセラミックス基板に近く，高い熱伝導率を有する金属－セラミックス複合体を安価に提供できる技術の開発が課題となっている。」（段落【０００９】）「本発明は，・・・，高熱伝導性を有すると共に，比重が小さく，且つ熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく，加えて加熱された際にも反りがない，寸法安定性に優れた高熱伝導性複合体とそれを用いて放熱部品を安価に提供することを目的とするものである。」（段落【００１２】）
「本発明者らは，上記目的を達成するため鋭意研究した結果，複合体中の炭化珪素量を厳密に制御することにより，複合体の反りを防止できることを見出し，本発明を完成するに至ったのである。」（段落【００１３】）
(ウ)刊行物７（甲７）
「ＡｌＳｉＣの独特な材料特性は，高熱伝導率とＩＣデバイスに一致する熱膨張係数（ＣＴＥ）を含み，最大の熱拡散のための直接接続を可能にする。」（１頁「Ａｂｓｔｒａｃｔ」の２行ないし４行。訳文は，被告提出の平成２６年１０月１７日付け準備書面(2)による。）
(エ)刊行物８（甲８）
「ベースプレート
銅は，高熱伝導性，運搬管理の容易性，電気めっき性及び価格の妥当性に関する優位性においてよく知られており，そのため，ベースプレート材として使用されることが多い。欠点としては，300℃を超えると生じる機械的性質の不可逆変化と，セラミック基板との熱膨張率（CTE）の不一致が挙げられる。
したがって，基板とベースプレートとの間のはんだ付けは故障原因となる。これらの材料はCTEが異なるため，熱歪みが起こり，はんだに機械的な歪みが生じる。重負荷サイクルを繰り返すと，はんだ割れが生じ，その結果，チップとベースプレート間の熱インピーダンスが増加する。・・・セラミックとのＣＴＥのずれが小さい比較的硬い材料であれば，上記の問題をいずれも解消できる。・・・金属マトリックス複合体（ＭＭＣ）の材料であるＡｌ／ＳｉＣは，高度な剛性と，ＡｌＮセラミックに近いＣＴＥ（７．３ｐｐｍ／Ｋ）を持ち合わせている。」（添付の訳文の２頁ないし３頁）
(オ)乙８（「Ｔｈｅｒｍａｌ    Ｄｅｓｉｇｎａｎｄ    Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓｏｆ    ＩＧＢＴＰｏｗｅｒ    ｍｏｄｕｌｅｓ：Ｔｒａｎｓｉｅｎｔａｎｄ    ＳｔｅａｄｙＳｔａｔｅ」／１９９９年１０月）
「ＤＢＣ－ベースプレート積層における熱残留応力は，また，バイメタル効果の原因となり，モジュールの反りや湾曲を引き起こす。銅の熱膨張係数がＤＢＣの熱膨張係数よりも大きいため，その変形は，実際上，凹状である。これは，パッケージ化されたモジュールとヒートシンクの間において，不均一なギャップを生じさせ，熱グリースを使用した後においてであっても，このインターフェースにおける熱抵抗を増加させる。予め機械加工された凸状のベースプレートは，このパッケージ化に誘発された反りを相殺するために使用可能であるが，制御が困難であるし，このインターフェースにおける大きな熱抵抗は依然としてモジュールの熱性能に影響する。」（乙８の２頁右欄）
「半田疲労とベースプレートの反りに対処するために，一方法として，ベースプレートの材料として，銅をＡｌ／ＳｉＣ金属マトリクス複合材料に置き換えることがある。これは，極度の剛性とＤＢＣに近い熱膨張係数を提供するが，熱伝導率が多少低下し，モジュールの費用が高くなるという犠牲によって達成されるものである。」（乙８の２頁右欄）(カ)乙１の１（特開平１０－２３７５７９号公報）発明の名称を「低熱膨張・高熱伝導熱放散材料とその製造方法」とする発明につき，以下の記載がある。
「【請求項２】ＳｉＣ粉末，Ａｌ粉末，およびＳｉ粉末の混合粉末の焼結体である，熱膨張係数５～１０×１０-６／Ｋ，熱伝導率１００Ｗ／ｍＫ以上の低熱膨張・高熱伝導熱放散材料。」


「・・・放熱設計を簡略化し，信頼性の高いものとするためには，ヒートシンク材料の熱膨張係数をできる限り基板材料などのパッケージ材料のそれに近づけることが望ましい。」（段落【０００３】）「より具体的には，本発明の目的は，特にアルミナ系パッケージ材料に対応した低熱膨張率(５～10×10-6/K)を有し，かつ   Fe，Ni等の金属材料を超える高熱伝導率(≧100W/mK)を具備した熱放散材料およびその製造方法を提供することである。」（段落【０００８】）(キ)乙９の３（特開２００３－３１７３２号公報）「・・・第２先行技術として特公平７－２６１７４号公報には，サイリスタチップをアルミナ基板に搭載したアッセンブリを，Ａｌ又はＡｌ合金にＳｉＣセラミックス粉末を分散させた複合材（以下，Al/SiC複合材と言う）からなる支持部材に搭載した半導体モジュール装置が開示されている。本先行技術において，アルミナ基板(7.5ppm/℃)はこれと熱膨張率が略近似したAl/SiC複合材支持部材(6.7～14ppm/℃)に搭載されているため，これら部材間の接続部は優れた信頼性を有し，放熱性劣化の防止に有効に作用する。」（段落【０００８】）
「(1)熱応力，歪，絶縁板の破損
銅張りAlN基板と銅支持部材の熱膨張率が互いに異なるため，これらの一体化物には残留熱応力ないし熱歪が発生する。銅張りAlN基板や銅支持部材は一体化の際に，はんだ材の融点以上に加熱した後室温まで冷却する熱処理工程を経る。この場合，各部材ははんだ材の凝固点で互いに固定されたまま各部材固有の熱膨張率に従って収縮し，接着部に熱応力ないし熱歪が残留するとともに変形を生ずる。」（段落【００１５】）
「第２先行技術における支持部材は複合材であって，SiCセラミックス粉末からなる多孔質プリフォームにAlを主成分とする溶融金属を含浸させることにより，Alマトリックス金属中にSiC   粉末を分散させたものである(以下Al/SiCと言う)。この部材の熱膨張率は   SiC粉末の添加量によって制御されるため，上記(1)や(2)の問題はクリヤすることが可能である。」（段落【００１９】）
エ前記ウの各文献の記載によれば，本件特許の出願当時，ＡｌＳｉＣ複合体に関し，①熱膨張係数をセラミックス基板に近づけ，かつ，高熱伝導性，軽量性を達成するという点で優れた組み合わせの材料であること，②高熱伝導性を有するとともに，比重が小さく，かつ，熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく，加熱された際にも反りがない，寸法安定性の優れた複合体を得るため，ＡｌＳｉＣ複合体の炭化珪素含有量を制御し得ること，③放熱部品（ベースプレート）材として用いる場合，ＡｌＳｉＣ複合体は高度な剛性と，ＡｌＮセラミックに近い熱膨張係数を持ち合わせ，基板と半田付けされた際に，基板との熱膨張係数が異なるため，熱歪みが起こるなどの問題が解消できることが，当業者に周知の技術常識であったものと認められる。
そうすると，本件明細書における実施例は放熱部品をセラミックス基板に半田付けした後の密着率を測定したものではないが，ＡｌＳｉＣ複合体は，熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく，加熱された際にも反りがなく，寸法安定性の優れた複合体を得るために，その炭化珪素含有量を制御し得るものであり，これを放熱部品（ベースプレート）材として用いる場合，高度な剛性と，ＡｌＮセラミックに近い熱膨張係数を持ち合わせ，基板と半田付けされた際に，基板との熱膨張係数が異なるために熱歪みが起こるなどの問題を解消できることは技術常識であるから，セラミックス基板に半田付けしたことによる板状複合体の変形を考慮せずとも，本件訂正発明の板状複合体が特定量の反りを有することにより，これを放熱部品として用いた場合に，セラミックス基板を放熱フィン等の放熱部品に密着性良くネジ止め固定するという課題を解決し得るものであることを認識し得るということができる。
したがって，本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，特許法３６条６項１号に規定する要件（サポート要件）及び改正前特許法３６条４項に規定する要件（実施可能要件）を満たすものであると認められる。
(4)小括
以上のとおり，本件訂正発明１及び本件訂正発明１の発明特定事項を有する本件訂正発明７ないし１１に係る特許は，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであって，特許法１２３条１項４号により無効にされるべきものであるから，取消事由２に係る原告の主張は，その余の点について判断するまでもなく，本件訂正発明１及び本件訂正発明７ないし１１に係る部分については理由がある。これに対し，取消事由２に係る原告の主張のうち，本件訂正発明２ないし６に係る部分については理由がない。
そこで，さらに，本件訂正発明２ないし６について，取消事由３ないし５を順に検討する。
４取消事由３（刊行物１（甲１）に基づく進歩性判断の誤り）について(1)原告は，本件訂正発明２ないし６は，いずれも甲１発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，進歩性を欠く旨主張するので，以下において検討する。
(2)甲１発明について
ア甲１発明が，前記第２の４(2)アに記載のとおりであることについては，当事者間に争いがない。
刊行物１（甲１）には，甲１発明について，概略，次のような記載がある。
(ア)発明の属する技術分野
「本発明は，金属或いは合金とセラミックスとからなる複合体（以下，「金属－セラミックス複合体」又は単に「複合体」という）と，それを用いたＩＣパッケージや多層配線基板等の半導体装置のヒートシンクに関する。」（段落【０００１】）
(イ)従来技術
「半導体分野において，ＬＳＩの高集積化，高速化のために発熱が増加する傾向にあり，ヒートシンクとして銅等を裏面（回路，半導体搭載面と反対側の面）に設けた，アルミナ，窒化アルミニウム，窒化珪素等のセラミックス基板が用いられている。一般に，半導体素子は熱に弱く，発熱による温度上昇は，半導体回路の誤動作を発生させたり半導体回路の破壊の原因となる。そのため，発生した熱を逃がすためのヒ－トシンクが備えられたパッケージが使用されるのが一般的である。近年，パワートランジスタ等の分野では大電流化に伴い発熱量がいっそう大きくなり，その熱を逃がすヒートシンクに対する要求特性も厳しいものとなってきている。」（段落【０００２】）


「ヒートシンクに使用される材料には，先ず高熱伝導性であることが要求される。又，セラミックス基板とヒートシンクの熱膨張差に起因して，加熱接合時や使用時のヒートサイクルによりはんだ部分でのクラック（以下，「はんだクラック」という）やセラミック基板の割れ等が発生することがあるため，熱膨張係数が金属と比べて低く，セラミック基板として使用されるアルミナ，窒化アルミニウム，窒化珪素等に近いことが要求される。更に，軽量化の要求も強い。これらの要求を満たすヒートシンク用材料として，近年，金属－セラミックス複合体が注目されている（特開昭６４－８３６３４号公報，特開平９－２０９０５８号公報）。」（段落【０００３】）
「金属－セラミックス複合体は，セラミック粉，セラミック繊維を成形し，必要な場合にはさらにこれを焼成して作製した多孔質セラミックス構造体を用い，これを所望の型内の空間に配置し，この空間に溶融金属を流し込むことによって，前記多孔質セラミックス構造体に前記金属を含浸し，これを冷却することにより作製する。溶融金属を含浸する方法としては，粉末冶金法に基づく方法，例えば，ダイキャスト法（特表平５－５０８３５０号公報）や溶湯鍛造法（まてりあ，第３６巻，第１号，１９９７，４０－４６ページ）等の圧力鋳造による方法，自発浸透による方法（特開平２－１９７３６８号公報）等の各種の方法が知られている。」（段落【０００４】）
(ウ)発明が解決しようとする課題
「また，金属－セラミックス複合体をヒートシンクとして使用する場合，その片面はセラミック基板とはんだ付けされ，他の片面は金属性の放熱フィンとネジ止めがされるのが一般的である。この場合，金属－セラミックス複合体は金属と比較してヤング率が大きいため，ＩＣ等に実使用下で発熱により温度が上がると，はんだとの間でひずみが生じ，はんだクラックが発生することがある。また熱膨張差により放熱フィンとの間の密着性が悪くなり，放熱特性が低下するという問題もある。」
（段落【０００６】）
「更に，金属－セラミックス複合体は金属と比較して固く，加工が難しいため，形状対応性が悪いという問題がある。」（段落【０００７】）
「本発明者らは上記課題を解決するために鋭意検討を行なった結果，金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより，メッキ性が良く，塑性ひずみによるはんだクラックの発生や放熱フィンとの密着性の低下が無い，かつ加工性にも優れた金属－セラミックス複合体が得られることを見いだし，本発明を完成するにいたった。」（段落【０００８】）
(エ)問題を解決するための手段
「即ち，本発明は，多孔質セラミックス構造体に金属を含浸してなる複合体であって，該複合体表面全体に前記金属の層を設けてなることを特徴とする複合体であり，好ましくは，前記多孔質セラミックス構造体が炭化珪素，窒化アルミニウム，窒化珪素，アルミナ又はシリカからなる群より選ばれる１種以上からなることを特徴とする複合体である。」
（段落【０００９】）
「本発明は，金属がアルミニウム又はマグネシウムのいずれかを主成分とすることを特徴とする前記の複合体であり，更に好ましくは，前記多孔質セラミックスが空隙率２０～５０％の炭化珪素からなり，前記金属がアルミニウムを主成分とすることを特徴とする前記の複合体である。」（段落【００１０】）
(オ)発明の実施の形態
「本発明は，多孔質セラミックス構造体に金属を含浸してなる複合体であって，該複合体表面全体に前記金属の層を設けてなることを特徴とする複合体である。この構造を採用するとき，金属－セラミックス複合体中の金属と表面の金属の層が同一であり，連続的につながっているので，金属－セラミックス複合体と金属層とが形成する界面での金属層の剥離等が起こるのを防止できる効果がある。」（段落【００１２】）「また，表面が低ヤング率の金属層で覆われているため，該金属－セラミックス複合体が，例えばセラミックス基板や放熱フィンとはんだで接合され，ヒートシンクとして用いられた場合に，はんだとの間のひずみが小さくなることから，はんだクラックが発生しにくくなるという効果が得られる。また，放熱フィンとの密着性の低下も少なく，放熱特性が長期に渡り安定して得ることができる。」（段落【００１３】）「更に，本発明の金属－セラミックス複合体は，上記構造を採用することにより，表面に金属層を有しない従来公知の金属－セラミックス複合体と比較して，加工性に富んでいる。例えば，平面研削によりヒートシンクの面加工をする場合には，本発明の金属－セラミックス複合体では，所定寸法より小さめの多孔質セラミックス構造体を用い，金属の層を厚めに設けることで，金属層のみを平面研削するだけで所望寸法の金属－セラミックス複合体を得ることができる。従来のダイヤモンド工具等を必要とするセラミック部分の研削が不必要となる。」（段落【００１４】）
「同様に，金属－セラミックス複合体に穴明け加工をする場合には，予め所望寸法よりも大きな穴を有する多孔質セラミックス構造体を用いて，金属の層を厚めに設けることで，従来公知の金属加工法を適用するのみで所望寸法の金属－セラミックス複合体を得ることができる。」
（段落【００１５】）
「その材質については，得られる金属－セラミックス複合体の熱伝導率の低下を少なく，かつ熱膨張係数をアルミナ，窒化アルミニウム，窒化珪素等のセラミック基板に近づけるということから，高熱伝導でありかつ低熱膨張の炭化珪素，窒化アルミニウム，窒化珪素及びアルミナ等が好適である。又，シリカは，熱伝導率は前記セラミックスよりも小さいが，熱膨張係数が小さいため少ない添加量で金属－シリカ複合体の熱膨張係数をセラミック基板の熱膨張係数に近づけることができるため，複合体としたときの熱伝導率の低下が少なく，前記セラミックスを使用したときと同様の効果を得ることができ，やはり，好ましい。このうち，炭化珪素は粉体自体の熱伝導率がアルミニウムよりも高く，炭化珪素を使用して得られる金属－セラミックス複合体の熱伝導率は金属単味の熱伝導率よりも高くなることから特に好ましい。」（段落【００１９】）「本発明に用いる金属については，本発明の目的を達成し得れば，どのようなものであっても構わないが，高熱伝導性，軽量性を達成する目的から，アルミニウム，マグネシウム等の軽合金又はそれらの合金が好ましい。前記合金についても格別の制限はなく，汎用のアルミニウム合金やマグネシウム合金を用いることができる。アルミニウム合金の場合には，鋳造のしやすさ，高熱伝導性の発現の点から，Ｓｉ含有量が４～１０％のＡＣ２Ａ，ＡＣ２Ｂ，ＡＣ４Ａ，ＡＣ４Ｂ，ＡＣ４Ｃ，ＡＣ８Ｂ，ＡＣ４Ｄ，ＡＣ８Ｃ，ＡＤＣ１０，ＡＤＣ１２等のアルミニウム合金が特に好ましい。」（段落【００２０】）


「上記のセラミックスと金属の組み合わせに関して，金属としてアルミニウムあるいはアルミニウム系合金，セラミックスとして炭化珪素を用いたアルミニウム－炭化珪素複合体は，軽量，高熱伝導，セラミック基板との熱膨張の適合性の点で特に優れた組合せである。本発明者らは，このアルミニウム－炭化珪素複合体について，いろいろ検討した結果，炭化珪素含有量には本発明の目的を達するのに好適な範囲が存在することを見出し，本発明に至ったものである。即ち，アルミニウム－炭化珪素複合体中の炭化珪素含有量が５０体積％以下では熱膨張係数が高くなり，セラミック基板との熱膨張差に起因する前記問題が生じ易くなる。また，セラミックスは高温での熱伝導率が下がるため，８０体積％以上では，使用時の温度上昇による熱伝導率の低下が著しくなるという問題が顕著になってくる。従って，アルミニウム－炭化珪素複合体中の炭化珪素含有量は５０～８０体積％，すなわち，複合体化前の多孔質炭化珪素構造体の気孔率は５０～２０体積％が好適である。」（段落【００２１】）
「本発明の金属－セラミックス複合体を得る方法については，従来公知のいろいろな含浸方法を適用することができるが，複合体表面に金属層を形成させる必要から，圧力鋳造による方法が望ましい。すなわち，ダイキャスト法による場合には，金型のキャビティをプリフォームよりも表面層の分だけ大きめに作ることにより，表面に金属層を持った複合体を容易に作製することができる。又，溶湯鍛造による場合には，鍛造後に金属－セラミックス複合体を，表面に金属層が残るように切り出すことで容易に作製することができる。」（段落【００２２】）「この場合，下地となる複合体表面に存在する金属層の厚さについて，０.５μｍから５００μｍであることが望ましい。０.５μｍ以下であると部分的にメッキの不均一が生じることがあるし，５００μｍを超えるとヒートサイクルによりはんだクラックが生じ易くなるからである。」
（段落【００２４】）
(カ)実施例
「〔実施例１～５〕表１に示す厚さ３ｍｍの金属－セラミックス複合体を作製し，その熱伝導率，熱膨張係数を測定した。その結果，表１に示すとおりに，表面金属層の有無にかかわらず，高熱伝導で，熱膨張係数がセラミック基板に近い金属－セラミックス複合体が得られることを確認した。」（段落【００２６】）
【表１】（段落【００２７】）
「〔実施例１２，比較例６〕表５に示す，縦１００ｍｍ，横４０ｍｍ，厚さ３ｍｍの金属－セラミックス複合体を作製し，それに縦横が同じ大きさで，厚さ２０ｍｍのＡｌ板を４隅でネジ止めし，１２５℃の温度に加熱した。その結果，表面に金属層を設けた金属－セラミックス複合体とＡｌ板の間には隙間は認められなかったが，表面に金属層の無い通常の金属－セラミックス複合体には隙間が生じていた。」（段落【００３４】）
【表５】（段落【００３５】）
(キ)発明の効果
「金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより，メッキ性が良く，塑性ひずみによるはんだクラックの発生や放熱フィンとの密着性の低下が無く，かつ加工性にも優れた金属－セラミックス複合体が得られ，特に電子部品の放熱部品として，セラミックス回路基板のヒートシンク材料として好適である。」（段落【００３６】）イ前記アの記載によれば，甲１発明の概要は以下のとおりであると認められる。
(ア)甲１発明は，金属－セラミックス複合体と，それを用いたＩＣパッケージや多層配線基板等の半導体装置のヒートシンクに関する発明である。
ヒートシンクに使用される材料には，高熱伝導性であることのほか，セラミックス基板とヒートシンクの熱膨張差に起因して加熱接合時や使用時のヒートサイクルにより半田部分でのクラックやセラミックス基板の割れ等が発生することがあるため，熱膨張係数が金属と比べて低く，セラミックス基板として使用される材料に近いことが要求される。上記要求を満たすヒートシンク用材料として，近年，金属－セラミックス複合体が注目されているが，金属－セラミックス複合体は金属と比較してヤング率が大きいため，実使用下で発熱により温度が上がると，半田との間でひずみが生じ，半田クラックが発生することがあるという問題，熱膨張差により放熱フィンとの間の密着性が悪くなり，放熱特性が低下するという問題，金属－セラミックス複合体は金属と比較して固く，加工が難しいため，形状対応性が悪いという問題があった。(イ)甲１発明は，上記(ア)記載の課題の解決を目的として，金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより，メッキ性が良く，塑性ひずみによる半田クラックの発生や放熱フィンとの密着性の低下がない，かつ加工性にも優れた金属－セラミックス複合体が得られることを見いだし，課題解決手段として，甲１発明の構成を採用した。(ウ)甲１発明によれば，金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより，メッキ性が良く，塑性ひずみによる半田クラックの発生や放熱フィンとの密着性の低下が無く，かつ加工性にも優れた金属－セラミックス複合体が得られ，特に電子部品の放熱部品として，セラミックス回路基板のヒートシンク材料として好適である。ウまた，前記アの記載によれば，刊行物１（甲１）には，金属－セラミックス複合体のヒートシンクには，熱膨張差により放熱フィンとの間の密着性が悪くなり，放熱特性が低下するという問題があることが開示されていると認められるが，これらの問題を金属－セラミックス複合体の表面に当該金属の層を設けることにより解決することが開示されており，金属－セラミックス複合体に凸面を設けることについては何ら開示がない。(3)各刊行物の記載及び開示（下記記載中に引用する図面については，別紙２の刊行物図面目録を参照。）。
ア刊行物２（甲２）
(ア)刊行物２（甲２）には，概略，次のような記載がある。
ａ産業上の利用分野
「本発明は，ろう層を介して互いに結合された，熱膨張係数の異なる少なくとも２枚の板からなる基板を変形する方法に関する。」（段落【０００１】）
ｂ従来の技術
「半導体モジュールを，特にパワーエレクトロニクス分野で使用した際に生じる熱による破壊から保護するには，モジュールを冷却体と良好に熱伝導可能に接触させることが必要である。このためにはモジュールの銅支持板は平坦な冷却体に対して凸状に湾曲した面を，有利には球面として有していなければならず，これによりモジュールを当該冷却体上に側方でねじ締めした際，モジュールは機械的応力下に冷却体に押し付けられる。支持板の相応する形を得るには大きな問題が存在する。」（段落【０００３】）


「銅とＡｌ2Ｏ3の熱膨張係数は著しく異なることから，各板をろう付けする際に必然的に生じる熱が，Ａｌ2Ｏ3セラミック及び銅支持板を異なって著しく膨張させる（バイメタル効果）。その結果この構造体が冷却した後もはや意図した平行な銅支持板ではなく，セラミック板の状態に対して凸状に湾曲した銅支持板が存在することになる。この事実は，冷却体への支持板の良好な接触がこの構造体の側面でのみはなお確保されるが，中央部ではまったく接触しないか又は不良な状態で接触するにすぎず，従って熱の放出にはほとんど役に立たないことを意味する。」（段落【０００４】）
「凸状に湾曲した，できる限り球面に等しい板構造体を得るには，十分に小さいセラミック板を，凸状に予め変形処理した銅支持板上に軟ろう結合により設け，その結果構造体の冷却後に所望の板構造体を少なくとも近似して生ぜしめることができる。」（段落【０００５】）
ｃ発明が解決しようとする課題
「本発明は，簡単かつ経済的にろう処理によって変形した基板を規定の予め与えられた形にすることのできる方法，及びこの方法を実施するための装置を提供することを課題とする。」（段落【０００７】）
ｄ課題を解決するための手段
「この課題は本発明によれば，基板をプレス皿内で，基板の少なくともプレス皿の表面に隣接する板がプレス皿の予め与えられた形に合わされまたこれにより永久変形が得られるような温度及び圧力にさらすことによって解決される。」（段落【０００８】）
「この方法及び方法を実施する装置を用いて，ろう層によって結合された，熱膨張係数の異なる板を，これらが予め与えられた構造体の形に最適に適合され得るように変形することができる。特にＡｌ2Ｏ3からなるセラミック板と軟ろう層により結合された銅からなる支持板を，例えば冷却体に対して凸状の予め与えられた形にすることができる。」（段落【０００９】）
「特に，その製造に関しても特に，銅支持板の形を凸状に湾曲した球面として構成することが好ましい。Ａｌ2Ｏ3セラミック，ろう層及び支持板からなる構造体を後に，すなわちろう付け終了後に本発明により所望の形に変形し得ることは特に有利である。Ａｌ2Ｏ3と銅の膨張係数が異なることから最初の冷却工程後に生じる機械的応力が，本発明による新たな加熱によって著しく減少し，その結果これに伴う材料のひずみが低下する限り，本方法は有利に作用する。」（段落【００１０】）
ｅ実施例
「図５には，構造体が常法で大表面の軟ろう結合材３を冷却した後にどのような状態で存在するかが示されている。大表面の軟ろう結合材３，セラミック板４及び銅板２がその製造前に平行して配列されている場合には，銅（αＣｕ＝１７５×１０-6）及びＡｌ2Ｏ3（αＡｌ2Ｏ3＝６６×１０
-6）がその熱膨張係数α   を著しく異にすることによって必然的に，銅支持板２は構造体の冷却後，セラミック板４に対して凹状に変形する。銅板２のこの凹状又はくぼみの発生は，平坦な冷却体８に対する銅板２の良好な熱結合がもはや確保され得ないことを意味する。これに対しろう結合材３の冷却後僅かに凸状に構成された支持板形状は理想的である。それというのも次に支持板２の外面を冷却体８と結合した場合，例えばねじ締め９した場合，特に密の機械的結合，従って相応して良好な熱結合が得られるからである。」（段落
【００１４】）
「冷却状態でこの僅かに凸状化した支持板形状を得るには，ろう付け前にあっては比較的強く凸状に変形されている支持板２を使用することが提案され，その結果ろう層３を冷却した後銅板２の所望の残留凸面状が存在することになる。この方法は十分に小さいセラミック板４に対してのみ適しており，それは，一層大きなセラミック板４をろう付けする場合，支持板２の凸状の予備変形が大表面のろう層３の冷却後における支持板２の凹状変形を阻止するには不十分であることを実験結果が示しているからである。この場合にも図５に示した不所望の構造体が生じる。更に，小型にしたセラミック板４をろう付けするこの方法は，付加的に相互配線をする必要があることから費用が嵩む。」（段落【００１５】）
「図１～図３により本発明の詳しい実施例を説明する。図１は本発明による装置を示すものである。加熱可能の皿１４は凸状に前変形された塊状の板からなり，その下面全体にわたって大きい面積で加熱ら線１６が施されている。ケーシングの取り付け及び充填まですでに完全に仕上げられ，基板２，３，４を有する使用可能状態の半導体モジュール１は皿１４内に配置されている。この場合明確に示すために皿１４及び加圧装置１０のプレート１１の湾曲は著しく誇張して示されている。」（段落【００１６】）
「市販のモジュール１の基板２，３，４の銅板２は，銅板２の４つのすべての側面がろう付けされたセラミック板４を越えて突出しており，従って銅板２を冷却体８とねじ締め９するためのモジュール１の横側面でも，また長手側面１５でも突出しているように大きい点に注意すべきである。」（段落【００１７】）
「銅板２のこの狭い突出長手縁１５は変形加圧装置１０に対する作用面を構成する。固有の加圧装置１０は，皿１４に合わせて凸状に構成された下縁１２を有する２つの平行に配置されたプレート１１からなり，プレートの厚さは銅板２の突出する長手縁１５の幅に等しく，またその間隔は，これが半導体モジュール１のセラミック板４に接して滑走し，銅板２の前記長手縁１５上に載るように選定されている。」（段落【００１８】）
「結合されたプレート１１は垂直方向に移動可能に配置されていることから，上方から結合プレート１１に作用する力１３はプレート１１を介して銅支持板２の突出長手縁１５に伝達される。」（段落【００１９】）
「図３は本発明による方法を使用した後，半導体モジュール１を室温に冷却した後の半導体モジュール１の基板２，３，４を示すものである。基板２，３，４の変形は部分的に戻され，従って全体的には所望の残留凸面状が残り，永続的に固定される。」（段落【００２１】）


「具体的な実施例では，寸法９４mm×３４mm×３mm（長さ×幅×厚さ）の変形すべき銅支持板２及びろう箔３によりろう付けされた寸法６１mm×２９mm×０６３５mmのＡｌ2Ｏ3   セラミック板４を有する市販のパワー半導体モジュール１を使用した。銅板２とＡｌ2Ｏ3セラミック板４との間の厚さ約０２mmの軟ろう層３は，融点１８３℃の組成ＰｂＳｎＡｇ４０／５９／１の合金に相当する。この場合ろう３を可塑性にするため１３０℃～１５０℃の加熱温度が使用される。実験では特に１５０℃で加工した。同時に銅板２の長手側面１５にかけられた圧力を５秒間維持し，その際銅板２は９００μm（加圧方向に対して垂直に測定した）押し曲げられた。加圧装置１０，１４から取り出し，モジュール１を室温に冷却した際，変形は１００μmに戻り，その結果銅支持板２の所望の残留凸面状は永続的に固定される。銅板２を大きい面積の平坦な冷却体８と側方でねじ締め９した際，僅かな機械的応力下に，半導体モジュール１は冷却体８に理想的に熱結合を生じ，従って総体的に最良の熱供給の可能性が保証される。」（段落【００２２】）
(イ)前記(ア)の記載によれば，刊行物２（甲２）には，①半導体モジュールを冷却体と良好に熱伝導可能に接触させるためには，モジュールの「銅支持板」は平坦な冷却体に対して凸状に湾曲した面を，有利には，球面として有していなければならず，これにより，モジュールを冷却体上に側方でネジ締めした際，モジュールが機械的応力下に冷却体に押し付けられ，良好な結合が得られること，②「銅支持板」とセラミックス基板をろう付けすると，銅とセラミックス基板との熱膨張係数が著しく異なることから，この構造体が冷却された後は，銅支持板は，平行ではなく，セラミックス基板に対して凹状に変形すること，③銅支持板及びろう箔によりろう付けされたセラミックス板を有するパワー半導体モジュールを使用した実施例において，これを１５０℃で加工し，同時に銅支持板にかけられた圧力を５秒間維持した後，加圧装置から取り出して，モジュールを室温に冷却した際，銅支持板の凸状の変形が１００μmであったことが開示されていると認められる。
(ウ)原告は，刊行物２（甲２）には，放熱部品の材質にかかわらず，放熱部品を放熱フィン側に凸状にすることが好ましいという技術及び所望の範囲に反り量を規定するという技術が開示されている旨主張する。しかしながら，刊行物２（甲２）に開示されたヒートシンクは，「銅支持板」であって，ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクではなく，また，モジュールの支持板が「凸状に湾曲した面」，「有利には，球面」であることやモジュールを加圧装置から取り出して冷却した際の「銅支持板」の凸状の変形が１００μｍであったという実施例が１例記載されているのみであって，反り量を所定の数値範囲に規定することについては開示がなく，まして，ヒートシンクにＡｌＳｉＣ複合体を用いた場合の反り量の程度について開示するものではない。
イ刊行物３（甲３）
(ア)刊行物３（甲３）には，概略，次のような記載がある。
ａ特許請求の範囲
「【請求項１】金属の底板（１）の上面に配設された電気的に絶縁性で熱伝導性の基板（６）と，この基板（６）の上面に配設された半導体チップ（８，９）とを備え，前記底板（１）の下面（２）が凸面状に形成されている半導体モジュールにおいて，底板（１）の上面（５）が平坦状であることを特徴とする半導体モジュール。」「【請求項２】底板（１）の下面（２）が縦及び横方向に凸面状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体モジュール。」
「【請求項３】底板（１）の下面（２）が球面の形状を持っていることを特徴とする請求項２記載の半導体モジュール。」
ｂ産業上の利用分野
「この発明は，金属の底板の上面に配設された電気的に絶縁性で熱伝導性の基板と，この基板の上面に配設された半導体チップとを備え，前記底板の下面が凸面状に形成されている半導体モジュールに関する。」（段落【０００１】）
ｃ従来の技術
「この種の半導体モジュールは，例えばドイツ連邦共和国特許出願公開第３９４０９３３号公報において公知である。底板を凸面状に形成するのは，半導体モジュールの使用中においても底板と冷却体との間の熱接触を良好にするためである。冷却体に対して凸面状に形成された底板はその両端で冷却体にねじ止めされる。これにより底板はその全面にわたって冷却体に接触する。凸面状形成の大きさは，使用中に底板がその中央部に脹らみを生じない程度に選ばれている。」（段落【０００２】）
「上記の公報に記載された半導体モジュールにおいては底板はその全面にわたって同一の厚さである。従って冷却体に対して底板の下面を凸面状に変形すると上面においては凹面形状となる。基板と底板との結合もまた半導体チップと基板との結合も多くの場合軟ろう付けにより行われるから，ろうが流動状態にあると流れ出す傾向がある。従って，簡単なろう型では基板並びに半導体チップの簡単な取りつけが不可能である。簡単な取りつけは，底板の凸面度が大きければ大きい程そして底板に取りつけられる部品が多ければ多い程それだけ困難になる。」（段落【０００３】）
ｄ発明が解決しようとする課題
「この発明の課題は，上述の種類の半導体モジュールを，簡単なろう型にて簡単に取りつけが可能で，しかしながら底板と冷却体との間の良好な熱接触が保障されるように構成することにある。」（段落【０００４】）
ｅ課題を解決するための手段
「この課題は，底板の上面が平坦状であることによって解決される。」（段落【０００５】）
ｆ実施例
「この発明を図面に示した実施例を参照して以下に詳細に説明する。なお，図面においては底板の下面における凸面状の湾曲もまた取りつけられる部品の厚さもわかりよくするため誇張して示されている。」
（段落【０００７】）


「図１において底板は１で示されている。この底板１は一般に熱良伝導性物質，例えば銅からなる。底板１は，冷却体１２に対して凸面状の下面２と，平坦状の上面５とを有している。上面５には熱良伝導性で電気絶縁性の基板６が設けられている。この基板６は，通常，酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）或いは窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなり，ろう付け可能な導電路を備えている。基板６は底板１の上面５に軟ろう層７により接合されている。基板６の上面には軟ろう層１０，１１を介して半導体チップ８，９が固定されている。これらの半導体チップは導電路を介して互いにまた容器端子に接続される。半導体チップ８，９の上面は，通常，ボンディングにより互いにおよび上記の導電路に接続されている。」（段落【０００８】）
「モジュールは接続リード，容器及び容器内充填物を備えてから，底板１の両端３，４でねじにより冷却体１２にねじ止めされる。その際底板１は変形して，その下面２が平坦状に冷却体１２に接する。一方底板１の上面５は凸面状に変形する。ろう付けされた部材間に生ずる機械的応力はろう層７，１０及び１１により吸収される。」（段落【００１０】）
「底板１の長さがその幅よりかなり大きい場合には，底板１の下面２の凸面形成は縦方向だけで充分である。底板１の横方向寸法がかなり大きく，例えば縦方向寸法と同程度の大きさである場合には，底板１の下面２の凸面形成は両方向に行うことが推奨される。この場合下面２は例えば球面の形とされる。」（段落【００１１】）「実際の実施例においては底板１の長さは１３７ｍｍ，横幅は１２７ｍｍである。その厚さは外周で５ｍｍ，中央部の最大厚みは５．４乃至５．５ｍｍである。このようなモジュールは例えば６本のねじにより冷却体１２に固定される。」（段落【００１２】）(イ)前記(ア)の記載によれば，刊行物３（甲３）には，①半導体モジュールの使用中においても「金属の底板」と冷却体との間の熱接触を良好にするため，底板を凸面状に形成すること，②「金属の底板」は「例えば銅」からなること，③底板の長さがその幅よりかなり大きい場合には，底板の下面の凸面形成は縦方向だけで充分であるが，底板の横方向寸法がかなり大きく，例えば縦方向寸法と同程度の大きさである場合には，底板の下面の凸面形成は両方向に行うことが推奨され，この場合，下面は例えば球面の形とされること，④実際の実施例においては，底板の長さは１３７ｍｍ，横幅は１２７ｍｍ，厚さは外周で５ｍｍ，中央部の最大厚みは５．４ないし５．５ｍｍであったことが開示されていると認められる。
(ウ)原告は，刊行物３（甲３）には，材料を問わず，ヒートシンクを放熱フィン側に凸形状にすることが好ましいという技術及び所定の大きさに反り量を制御するという技術が開示されている旨主張する。しかしながら，刊行物３（甲３）に開示されたヒートシンクは，「金属の底板」で「例えば銅」からなるものであって，ＡｌＳｉＣ複合体のヒートシンクではなく，また，凸面形成の方向についての開示があるのみで，反り量を所定の数値範囲に規定することについては開示がなく，ヒートシンクにＡｌＳｉＣ複合体を用いた場合の反り量の程度について開示するものではない。
ウ刊行物４（甲４）
(ア)刊行物４（甲４）には，概略，次のような記載がある。
ａ特許請求の範囲
「【請求項１】炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，相対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下であることを特徴とする板状複合体。」「【請求項２】室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して，５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の板状複合体。」
ｂ発明の属する技術分野
「本発明は，熱伝導特性に優れ，かつ軽量であり，セラミックス基板やＩＣパッケージなどの半導体部品のヒートシンクなどの放熱部品として好適な高熱伝導性複合材料に関する。」（段落【０００１】）
ｃ発明が解決しようとする課題
「更に，上記の課題を解決するため，金属－セラミックス複合体が検討されているが，セラミックス基板に近い熱膨張率を得ようとすると，熱膨張率の低い強化材であるセラミックスの比率を上げる必要がある。しかし，セラミックス成分の比率を上げるには，高い成形圧でプリフォームを成形する必要があり，コストアップに繋がると共に，その後の金属或いは合金の十分な含浸が難しくなるという問題がある。このため，熱膨張率がセラミックス基板に近く，高い熱伝導率を有する金属－セラミックス複合体を安価に提供できる技術の開発が課題となっている。」（段落【０００９】）
「一方，上述した複合体をヒートシンク等の放熱部品として用いる場合，回路基板や放熱フィン等と接合して用いるため，その接合部分の平滑度，言い換えると複合体の反りが非常に重要である。例えば，ヒートシンクに適用させる場合，セラミックス基板等の回路基板と半田等により接合するため，ヒートシンクに反りがあると接合界面の厚さが不均一になり，使用時に接合部（半田部分）より剥離等が起こるといった問題や，回路基板に不均一な応力が発生し，回路基板におけるセラミックス等の絶縁層の破壊といった問題が発生する。また，室温で反りが小さく，回路基板との接合が可能な材料であっても，使用下で加熱されて反りを発生する材料の場合には，やはり，接合部からの剥離や回路基板の破壊等の問題がある。」（段落【００１０】）「更に，セラミックス回路基板等は，ヒートシンク等の放熱部品を介して，通常放熱フィン等に接合して用いるが，その場合，ヒートシンクに反りがあると放熱フィン等との接合が不十分となり，半導体素子等から発生した熱を十分に放熱することができず，部品の故障原因となる。」（段落【００１１】）
「本発明は，上記の事情に鑑みなされたものであって，高熱伝導性を有すると共に，比重が小さく，且つ熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく，加えて加熱された際にも反りがない，寸法安定性に優れた高熱伝導性複合体とそれを用いて放熱部品を安価に提供することを目的とするものである。」（段落【００１２】）
ｄ課題を解決するための手段
「本発明者らは，上記目的を達成するため鋭意研究した結果，複合体中の炭化珪素量を厳密に制御することにより，複合体の反りを防止できることを見出し，本発明を完成するに至ったのである。」（段落【００１３】）


「即ち，本発明は，炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体であって，相対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下であることを特徴とする板状複合体である。」
（段落【００１４】）
「また，本発明は，室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して，５μｍ以下であることを特徴とする前記の板状複合体である。」（段落【００１５】）
ｅ発明の実施の形態
「本発明者らは，基材である金属について種々検討した結果，アルミニウムを主成分とする合金を用いることにより，良好な複合体を製造できることを見いだした。すなわち，本発明の複合体は，炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなるものである。」（段落【００２１】）
「本発明の複合体は，板状であり，しかも相対する主面の炭化珪素量の差が３重量％以下，好ましくは，１重量％以下である。複合体の熱膨張率は，炭化珪素と金属或いは合金の熱膨張率とその含有量により強く支配されているが，このため，前記炭化珪素量の差が３重量％を越えると，複合体の相対する主面の熱膨張率の差が大きくなり，複合体に反りが発生し，ヒートシンク等の放熱部品として用いる場合に，回路基板や放熱フィン等と十分に接合することができなくなってしまうという問題がある。また，板の厚さとしては，例えばヒートシンクに用いる場合に２～１０ｍｍである。」（段落【００２４】）「本発明の炭化珪素質複合体は，室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して，５μｍ以下，好ましくは２μｍ以下である。一般に，ヒートシンク等の放熱部品は，回路基板や放熱フィン等と接合して用いられるため，室温においては，顕著な反りがないものを用いる。しかし，加熱時に反りが発生すると前述したような回路基板の剥離や絶縁層の破壊といった問題が発生する。」（段落【００２５】）
「室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１ｍｍに対して，５μｍを越えると，回路基板や放熱フィン等と接合する際には，室温では接合状態が均一であっても，実使用下においては，熱サイクル等が付加された場合，回路基板の破壊や放熱特性の低下による半導体素子の故障を引き起こす。」
（段落【００２６】）
「本発明の複合体は，熱伝導率が１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり，室温の熱膨張率が１×１０-5Ｋ-1以下であることが好ましい。」（段落【００２８】）
「本発明の複合体は，熱伝導特性に優れ，十分な機械的特性を有し，しかもセラミックス基板と同程度に小さな熱膨張率を有しており，セラミックス回路基板用などのヒートシンクを初めとする放熱部品に用いて好適である。また，本発明の複合体は，密度が３ｇ／ｃｍ3程度と軽量であり，移動用機器に用いる放熱部品として好適である。」（段落【００３０】）
「本発明の複合体は，熱伝導特性に優れ，熱膨張率が１×１０-5Ｋ-1以下と低いので，ヒートシンク等の放熱部品として用いるとき，従来の銅等を用いた場合に比べてセラミックス基板との熱膨張率差が小さくなり，セラミックス基板がその上に搭載される半導体素子の作動時に発生する熱サイクル等によりクラックや割れ等を発生する現象を防止できるので，高い信頼性が要求される電気，自動車等の移動用機器に用いる放熱部品として好適である。そして，本発明の複合体を用いてなる放熱部品は，温度変化があっても反りが非常に少ないので，回路基板や放熱フィンと十分に接合することができ，高い放熱特性を安定して有することができるという効果を有する。」（段落【００３１】）
ｆ実施例
「［実施例１～６］炭化珪素粉末ａ（太平洋ランダム社製：ＮＧ－２２０，平均粒径：６０μｍ），炭化珪素粉末ｂ（屋久島電工社製：ＧＣ－５００Ｆ，平均粒径：３０μｍ）及びシリカゾル（日産化学社製：スノーテックス）を表１の組成で配合し，攪拌混合機で３０分間混合した後，１２０ｍｍ×１２０ｍｍ×５ｍｍの形状に１０ＭＰａの圧力でプレスし成形体とした。得られた成形体は，大気雰囲気中，温度１０００℃で２時間加熱して，炭化珪素質多孔体を作製した。得られた炭化珪素質多孔体は，その寸法と質量より相対密度を算出した。得られた結果を表１に示す。」（段落【００３６】）
「次に，炭化珪素質多孔体を電気炉で，温度８００℃に予備加熱し，予め加熱しておいた内径２００ｍｍのプレス型内に載置した後，温度８５０℃に加熱した表１に示す金属の溶湯を鋳込み，１００ＭＰａの圧力で２分間プレスして，炭化珪素質多孔体に合金を含浸させた。得られた複合体を含む合金塊は，室温まで冷却したのち，ダイヤモンド加工治具で複合体を削り出した。得られた複合体は，ダイヤモンド加工治具を用いて，熱膨張率測定用試験体Ａ（３ｍｍφ×１０ｍｍ），試験体Ｂ（１．５ｍｍφ×１０ｍｍ），室温の熱伝導率測定用試験体（１０ｍｍφ×３ｍｍ），３点曲げ強さ評価用試験体（３ｍｍ×４ｍｍ×４０ｍｍ），反り測定用試験体（１００ｍｍ×５０ｍｍ×３ｍｍ）に研削加工した。また，得られた複合体の相対する主面の上面より試験体Ｃ（２０ｍｍφ×０．４ｍｍ），下面より試験体Ｄ（２０ｍｍφ×０．４ｍｍ）をそれぞれ研削加工して作製した。」（段落【００３８】）
「次に，それぞれの試験体を用いて，押し棒式熱膨張計（セイコー電子社製；ＴＭＡ３００）により室温（２５℃）から２５０℃の熱膨張率，レーザーフラッシュ法による室温の熱伝導率（真空理工社製；ＴＣ－７０００）及び曲げ試験機（島津製作所社製；オートグラフ）による三点曲げ強さを測定した。得られた結果を表２に示す。更に，試験体Ｃ，Ｄを乳鉢で粉砕し，炭素分析計で炭素量を測定し，この炭素量から炭化珪素量を算出した。尚，反り量に関しては，試験体を電気炉中に設置し，温度２５℃から３００℃に加熱し，マクロメーターでその際の寸法変化を測定し，反り量を算出した。得られた結果を表２に示す。」（段落【００３９】）


【表２】（段落【００４０】）
ｇ発明の効果
「本発明の複合体は，強化材である炭化珪素質多孔体の含有量及びその分布状態を調整され，その結果，熱伝導率が高く，熱膨張率がセラミックス基板と同程度に小さく，しかも，温度変化を受けても反りが非常に小さいという特徴を有するので，半導体搭載用セラミックス基板と接合して用いるヒートシンクを初めとする放熱部品に好適である。更に，本発明の放熱部品は，前記特徴に加え，高強度で，しかも軽量であることから，電気，自動車等の移動機器等に好適な放熱部品として好適である。」（段落【００４９】）
(イ)前記(ア)の記載によれば，刊行物４（甲４）には，①炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなる板状複合体のヒートシンク，②ヒートシンク等の放熱部品は，回路基板や放熱フィン等と接合して用いられるため，室温においては，顕著な反りがないものを用いるが，加熱時に反りが発生すると，回路基板の剥離や絶縁層の破壊といった問題が発生すること，③室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の反り量が，当該反りが最大となる方向の長さ１㎜に対して，５μｍを超えると，回路基板や放熱フィン等と接合する際には，室温では接合状態が均一であっても，実使用下においては，熱サイクル等が付加された場合，回路基板の破壊や放熱特性の低下による故障などの問題が生じること，が開示されているものと認められる。
(ウ)原告は，刊行物４（甲４）に記載された上記反り量は，３００℃におけるものではなく，３００℃に加熱した後に，室温に冷却された後のものである旨主張する。
しかしながら，刊行物４（甲４）の記載，すなわち，特許請求の範囲請求項２，段落【００２５】，【００２６】及び【００３９】等の記載からは，刊行物４に開示された反り量は，室温（２５℃）から３００℃に加熱した際の，すなわち３００℃における反り量であると理解でき，他にこれが室温におけるものであることを認めるに足りる証拠はない。したがって，刊行物４は，室温におけるＡｌＳｉＣ複合体の反り量の数値範囲を規定するものではなく，むしろ「室温においては顕著な反りがないものを用いる」と記載されているように，室温におけるＡｌＳｉＣ複合体の反り量を規定することについて開示するものでもない。
エ刊行物５（甲５）
(ア)刊行物５（甲５）には，概略，次のような記載がある。
ａ特許請求の範囲
「【請求項１】セラミック基板(13)と，前記セラミック基板(13)の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板(11,12,31,32,51,52)と，ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され前記第１又は第２アルミニウム板(11,12,31,32,51,52)の表面に積層接着されたヒートシンク(14)とを備えたヒートシンク付セラミック回路基板。」
「【請求項２】セラミック基板(13)がＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4又はＡｌ2Ｏ3により形成された請求項１記載のヒートシンク付セラミック回路基板。」
ｂ発明の属する技術分野
「本発明は，パワーモジュール用基板等の半導体装置のセラミック回路基板に関する。更に詳しくは半導体チップ等の発熱体から発生する熱を放散させるヒートシンクを有するセラミック回路基板に関するものである。」（段落【０００１】）
ｃ発明が解決しようとする課題
「しかし，上記従来のセラミック回路基板は，半導体チップ等の発熱及び非発熱により基板温度が高温と低温との間で繰返し変化すると，セラミック基板と第１及び第２銅板との熱膨張係数が異なり，かつ第１及び第２銅板の変形抵抗が比較的大きいため，セラミック基板にクラックが生じる恐れがあった。本発明の目的は，熱サイクル寿命が長いヒートシンク付セラミック回路基板を提供することにある。」（段落【０００３】）
ｄ課題を解決するための手段
「請求項１に係る発明は，図１に示すように，セラミック基板１３と，セラミック基板１３の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と，ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成され第１又は第２アルミニウム板１１，１２の表面に積層接着されたヒートシンク１４とを備えたヒートシンク付セラミック回路基板である。この請求項１に係る回路基板では，第１及び第２アルミニウム板１１，１２が従来の銅板と比べて変形抵抗が小さいので，回路基板１０に熱サイクルを付加してもセラミック基板１３にクラックが発生することがない。またヒートシンク１４として熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので，放熱特性が向上する。」（段落【０００４】）
「請求項２に係る発明は，請求項１に係る発明であって，更に図１に示すように，セラミック基板１３がＡｌＮ，Ｓｉ3Ｎ4又はＡｌ2Ｏ3により形成されたことを特徴等する。この請求項２に係る回路基板では，セラミック基板１３としてＡｌＮを用いると熱伝導率及び耐熱性が向上し，Ｓｉ3Ｎ4を用いると強度及び耐熱性が向上し，Ａｌ2Ｏ3を用いると耐熱性が向上する。」（段落【０００５】）
ｅ実施例


「次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。＜実施例１＞図１に示すように，縦，横及び厚さがそれぞれ６０ｍｍ，４０ｍｍ及び０．６３５ｍｍのＡｌＮにより形成されたセラミック基板１３と，縦，横及び厚さがそれぞれ６０ｍｍ，４０ｍｍ及び０．４ｍｍのＡｌ合金により形成された第１及び第２アルミニウム板１１，１２と，縦，横及び厚さがそれぞれ８０ｍｍ，６０ｍｍ及び２．０ｍｍのＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンク１４と，縦，横及び厚さがそれぞれ６０ｍｍ，４０ｍｍ及び０．０３ｍｍのＡｌ－Ｓｉ系ろう材（図示せず）とを用意した。第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌ純度はともに９９．９９重量％であり，ヒートシンク１４中のＡｌ合金は８８重量％Ａｌ－１２重量％Ｓｉ合金であり，Ａｌ－Ｓｉ系ろう材はＡｌ－７．５重量％Ｓｉ合金であった。またヒートシンク１４中のＡｌ合金の溶解温度範囲は５６０～６００℃であった。」（段落【００１６】）
「先ず第１アルミニウム板１１の上にＡｌ－Ｓｉ系ろう材，セラミック基板１３，Ａｌ－Ｓｉ系ろう材及び第２アルミニウム板１２を重ねた状態で，これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え，真空中で６３０℃に加熱することにより，セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した。積層接着後，第２アルミニウム板１２をエッチング法により所定のパターンの回路とした。次にヒートシンク１４の上に第１アルミニウム板１１を下側にしたセラミック板１３とを重ね，これらに荷重２ｋｇｆ／ｃｍ2を加え，真空中で５８０℃に加熱してヒートシンク１４を第１アルミニウム板１１に積層接着し，ヒートシンク付セラミック回路基板１０を得た。」（段落【００１７】）
「＜比較例１＞図４に示すように，実施例１のセラミック基板と同形同大にかつ同一材料により形成されたセラミック基板３と，実施例１の第１及び第２アルミニウム板と同形同大の第１及び第２銅板１，２と，実施例１のヒートシンクと同形同大にかつＣｕにより形成されたヒートシンク４と，縦，横及び厚さがそれぞれ５０ｍｍ，３０ｍｍ及び０．１ｍｍのはんだ６とを用意した。先ず第１銅板１の上にセラミック基板３及び第２銅板２を重ねた状態で，これらに荷重０．５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え，Ｎ2雰囲気中で１０６３℃に加熱するＤＢＣ法により，第１及び第２銅板１，２をセラミック基板３に積層接着した。第２銅板２をエッチンクにより所定のパターンの回路とした。次にヒートシンク４の上にはんだ６と第１銅板１を下側にしたセラミック基板３とを重ねた状態で，Ｎ2ガス及びＨ2ガスの混合ガス雰囲気中で２５０℃に加熱してヒートシンク４を第１銅板１に積層接着し，このヒートシンク付セラミック回路基板５を比較例１とした。」（段落【００１８】）
「＜比較例２＞図５に示すように，ヒートシンク７をＡｌＳｉＣ系複合材料により形成し，ヒートシンク７をはんだ６を介して第１銅板１に積層接着する前にヒートシンク７の接着面にＮｉめっきを施したことを除いて，比較例１と同様に構成し，このヒートシンク付セラミック回路基板９を比較例２とした。」（段落【００１９】）「＜比較試験及び評価＞実施例１，比較例１及び比較例２の回路基板の反り，熱抵抗及びセラミックスクラックをそれぞれ測定した。
①反りの測定
実施例１，比較例１及び比較例２のヒートシンクの下面の反りを３次元測定器でそれぞれ測定した。このときの測定長さは５０ｍｍであった。
・・・」（段落【００２０】）
「・・・実施例１及び比較例２ではヒートシンクの反りが３０μｍと同一であったのに対し，比較例１ではヒートシンクの反りが実施例１及び比較例２の１．５倍と大きくなっていた。・・・」（段落【００２３】）
ｆ発明の効果
「以上述べたように，本発明によれば，セラミック基板の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介して第１及び第２アルミニウム板をそれぞれ積層接着し，ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板の表面に積層接着したので，この回路基板に熱サイクルを付加しても，従来の銅板と比べて変形抵抗の小さい第１及び第２アルミニウム板がセラミック基板及びアルミニウム板の熱膨張係数の差による歪みを弾性変形して吸収する。この結果，セラミック基板にクラックが発生することはない。またヒートシンクとして熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので，放熱特性が向上する。・・・」（段落【００２４】）
(イ)前記(ア)の記載によれば，刊行物５（甲５）には，①ヒートシンクとしてＡｌＳｉＣ系複合材料を用いた，ヒートシンク付セラミック回路基板，②ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成したヒートシンクを積層した実施例１及び比較例２のヒートシンク付セラミック回路基板では，ヒートシンクの下面の反りが，３０μ㎜（測定長５０㎜）であったことが開示されているものと認められる。
(ウ)原告は，甲５には，ＡｌＳｉＣ複合体製のヒートシンクが開示されており，ＡｌＳｉＣ複合体製のヒートシンクが反りを有する場合があること及びその反りを適当なものに制御する技術開発が行われていたことも記載されている旨主張する。


しかしながら，刊行物５（甲５）は，「・・・回路基板では，第１及び第２アルミニウム板１１，１２が従来の銅板と比べて変形抵抗が小さいので，回路基板１０に熱サイクルを付加してもセラミック基板１３にクラックが発生することはない。またヒートシンク１４として熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので，放熱特性が向上する。」（段落【０００４】），「セラミック基板の両面にＡｌ－Ｓｉ系ろう材を介して第１及び第２アルミニウム板をそれぞれ積層接着し，ＡｌＳｉＣ系複合材料により形成されたヒートシンクを第１又は第２アルミニウム板の表面に積層接着したので，この回路基板に熱サイクルを付加しても，従来の銅板と比べて変形抵抗の小さい第１及び第２アルミニウム板がセラミック基板及びアルミニウム板の熱膨張係数の差による歪みを弾性変形して吸収する。この結果，セラミック基板にクラックが発生することはない。またヒートシンクとして熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので，放熱特性が向上する。」（段落【００２４】）とあるように，第１及び第２アルミニウム板を設けたので，セラミックス基板にクラックが発生することがなく，また，ヒートシンクに熱伝導率の高いＡｌＳｉＣ系複合材料を用いたので，放熱特性が向上するとの開示にとどまり，ＡｌＳｉＣ系複合材料からなるヒートシンクに積極的に凸状の反りを与えることが開示されているものではない。
オ刊行物６（甲６）
(ア)刊行物６（甲６）には，概略，次のような記載がある。
ａ特許請求の範囲
「【請求項１】放熱板と，この放熱板の外周部に設けられた取着部と，半導体素子を搭載して前記放熱板の中間部に固着された基板と，この基板を包囲するよう前記放熱板の外周に沿うと共に前記取着部と前記中間部との間に立設されたケースと，このケース内に前記基板を封止するよう設けられた合成樹脂製の封止部材とを備える半導体装置において，前記放熱板が，前記基板を固着した中間部と前記ケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有することを特徴とする半導体装置。」
ｂ従来の技術
「このように放熱板６が反ったままの半導体装置を組込み機器の取付け板の平坦面にねじ止めし固定すると，反った放熱板６には強制的に平坦化する方向に力が加わる。また，同時にケース９内の放熱板６上面に固着され同様に反った絶縁基板１，さらに絶縁基板１上面に搭載された半導体素子４にも平坦化する方向に力が加わり，これにより絶縁基板１や半導体素子４がひび割れしたり，破断したり等してしまう虞がある。」（段落【０００９】）
ｃ作用
「上記のように構成された半導体装置は，固着された基板をケースを立設して包囲し封止部材で封止しするようにした放熱板が，基板を固着した中間部とケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有しているので，封止を行った際に封止部材の固化にともなう熱収縮で放熱板に反りが生じるが，反りは変形緩衝部によって放熱板の外周部のみが変形して発生し，基板を固着した中間部は変形しない。このため中間部に固着した基板及びこれに搭載した半導体素子は変形せず，製品の歩留が向上し，また機器に組み込みを行う際に反っている外周部には強制的な力が作用するものの中間部には力が作用せず，基板及び半導体素子にひび割れ等の発生がなく，確実に所定の性能が得られ，経時的な性能も良好なものとなる。」（段落【００１３】）
ｄ実施例
「そして絶縁基板２１は，Ｎｉめっきが施された銅製の方形状の放熱板２６の片面に半田付けによって固着されている。なお，２７は固着の際の半田層である。」（段落【００１７】）
「図５及び図６において，４１は窒化アルミニウム等で形成された比較的薄いセラミック製の絶縁基板で，その両面に薄い銅膜４２，４３が形成されている。この絶縁基板４１には，その片面側の銅膜４２の表面に複数の半導体素子２４が搭載されており，さらに片面側の銅膜４２の表面には中央部にターミナル２５の片端が固着されている。また絶縁基板４１は，Ｎｉめっきが施された銅製の長方形状の放熱板４４の片面に半田付けによって固着されている。」（段落【００２８】）
「次に，第３の実施例であるモジュール化した半導体装置を図７及び図８により説明する。図７は断面図であり，図８は放熱板の斜視図である。」（段落【００３７】）
「図７及び図８において，５１は窒化アルミニウム等で形成された比較的薄いセラミック製の絶縁基板で，その両面に薄い銅膜５２，５３が形成されている。この絶縁基板５１には，その片面側の銅膜５２の表面に複数の半導体素子２４が搭載されており，さらに片面側の銅膜５２の表面には中央部にターミナル２５の片端が固着されている。また絶縁基板５１は，Ｎｉめっきが施された銅製の矩形状の放熱板５４の片面に半田付けによって固着されている。」（段落【００３８】）
「この絶縁基板５１が固着された放熱板５４は，その片面の各辺に沿った外周部に段差５５を形成することで変形緩衝部を構成する薄肉部５６が設けられており，薄肉部５６はその厚さが中間部に比べて薄いものとなっている。さらに放熱板５４の薄肉部５６の４隅部には，取着部を構成するねじ止め用の取付け孔２９が形成されている。」
（段落【００３９】）
「この固化処理によって封止部材６０は熱収縮し，封止部材６０が固着したケース５７の開口端部には内方に向かう力が作用する。この力により放熱板５４は，その外周部に設けられた段差５５より外方の変形緩衝部を構成している薄肉部５６が変形して反りが生じる。」
（段落【００４３】）
「この放熱板５４の反りは，段差５５より外方側の取付け孔２９が形成された外周部が反ることによって生じたもので，絶縁基板５１が固着された段差５５よりも内方側の放熱板５４の中間部が反るまでに至っていない。すなわち，放熱板５４の中間部は平坦なままであり，このため中間部に固着された絶縁基板５１やこれに搭載されている半導体素子２４は反ることなく平坦なままとなっている。」（段落【００４４】）


「そして，このような半導体装置を図示しない組込み機器の取付け板の平坦面に固定する場合，放熱板５４の外周部に形成された取付け孔２９を使いねじ止めにより行われる。この放熱板５４の取り付けの際に，取付け板へねじを螺着していくことにより取付け孔２９が形成された外周部は反りを修正し取付け板に密着するよう強制的に平坦化される。」（段落【００４５】）
「これに対し放熱板５４の中間部は，その他面側が平坦であるためそのまま取付け板の平坦面に密着し，強制的な形状修正が行われない。それ故，中間部に固着された絶縁基板５１や半導体素子２４にも形状修正を行うための強制的な力が加わることがない。従って，本実施例においても第１の実施例と同様の作用，効果が得られる。」（段落【００４６】）
ｅ発明の効果
「以上の説明から明らかなように本発明は，固着された基板をケースを立設して包囲し封止部材で封止しするようにした放熱板が，基板を固着した中間部とケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有する構成としたことにより，製品の歩留が向上し，機器に組み込みを行った際においても所定の性能が得られ，経時的な性能も良好なものとなる等の効果を奏する。」（段落【００４７】）
(イ)前記(ア)の記載によれば，刊行物６（甲６）には，①放熱板が，基板が固着されたその中間部と，外周部と中間部との間にケースを立設した部分との間に「変形緩衝部」を有する半導体装置，②放熱板が銅製である実施例が開示されているものと認められる。
しかしながら，刊行物６は，ＡｌＳｉＣ複合体からなる放熱板について記載したものではない上，「半導体装置は，固着された基板をケースを立設して包囲し封止部材で封止しするようにした放熱板が，基板を固着した中間部とケースを立設した部分との間に変形緩衝部を有しているので，封止を行った際に封止部材の固化にともなう熱収縮で放熱板に反りが生じるが，反りは変形緩衝部によって放熱板の外周部のみが変形して発生し，基板を固着した中間部は変形しない。」（段落【００１３】），「この放熱板５４の取り付けの際に，取付け板へねじを螺着していくことにより取付け孔２９が形成された外周部は反りを修正し取付け板に密着するよう強制的に平坦化される。」（段落【００４５】）などと記載されているように，封止部材の固化に伴う熱収縮で生じた放熱板の反りは，変形緩衝部があることにより，外周部のみの変形で止まり，基板を固着した中間部の変形は生じないという作用効果を奏することを開示するものであって，放熱板に積極的に反りを与えることが開示されているとは認められない。
カ刊行物７（甲７）
(ア)刊行物７（甲７）には，次のような記載がある（訳文は甲７添付の抄訳による。）。
「ＡｌＳｉＣ材料の固有の特性は，それを構成する材料成分の特性の組み合わせに由来するものであり，ＡｌＳｉＣの特性は，当該構成成分の比率を変えることによって調整される。IＣＣＴＥに適するＡｌＳｉＣ複合体は，５０－６８体積％のＳｉＣ粒子を有する。表１は，ＳｉやGＧａＡｓ及び従来のパッケージング材料に対するＡｌＳｉＣの物性を比較したものである。」（２頁右欄５～１３行。）
（３頁の表１）
表１：既存のパッケージング，基板及びＩＣ材料と比較したＡｌＳｉＣ
材料の特性
(イ)前記(ア)記載のとおり，刊行物７（甲７）には，「既存のパッケージング，基板及びＩＣ材料と比較したＡｌＳｉＣ材料の特性」が記載されているのみであり，放熱板とそれに反りを与えることに関する記載は存しない。
キ刊行物８（甲８）
(ア)刊行物８（甲８）には，次のような記載がある（訳文は甲８添付の訳文による。）。
「ベースプレート
銅は，高熱伝導性，運搬管理の容易性，電気めっき性及び価格の妥当性に関する優位性においてよく知られており，そのため，ベースプレート材として使用されることが多い。欠点としては，300℃を超えると生じる機械的性質の不可逆変化と，セラミック基板との熱膨張率（CTE）の不一致が挙げられる。
したがって，基板とベースプレートとの間のはんだ付けは故障原因となる。これらの材料はCTEが異なるため，熱歪みが起こり，はんだに機械的な歪みが生じる。重負荷サイクルを繰り返すと，はんだ割れが生じ，その結果，チップとベースプレート間の熱インピーダンスが増加する。ある適切な形状によりはんだ付けされたシステム金属とセラミックのバイメタル効果を軽減しようとする努力がなされてきた。図2の右側に示す機械加工による凸状（bow）形状は，明らかにベースプレートとヒートシンクとの間の熱伝導性を向上させる。
セラミックとのＣＴＥのずれが小さい比較的硬い材料であれば，上記の問題をいずれも解消できる。・・・金属マトリックス複合体（ＭＭＣ）の材料であるＡｌ／ＳｉＣは，高度な剛性と，ＡｌＮセラミックに近いＣＴＥ（７．３ｐｐｍ／Ｋ）を持ち合わせている。」（２頁左欄。訳文は甲８添付の訳文による。）
(イ)前記(ア)の記載によれば，刊行物８（甲８）には，①ベースプレート材として使用されることが多い銅は，セラミックス基板との熱膨張率の不一致という欠点を有し，銅製のベースプレートとセラミックス基板とを半田付けすると，両材料の熱膨張率が異なるため熱歪みが起こるなどの問題が生じること，②このようなシステム金属とセラミックスのバイメタル効果を軽減するためには，ベースプレートに機械加工による凸状を付与することが有効であること，③上記①の問題は，セラミックスの熱膨張率のずれが小さい比較的硬い材料をベースプレート材として用いれば解消できるところ，Ａｌ／ＳｉＣは，高度な剛性とセラミックスに近い熱膨張率を持ち合わせていることが開示されているものと認められる。