発揮しないのでは，意味がない。また，本件明細書には，発明の課題として，「優れた血圧降下作用を有する液体調味料を製造すること」又は「血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合の風味変化を改善し，風味の一体感付与を図り，メニューによる風味の振れが少なくて継続的な摂取が容易な，血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料の簡便な製造方法を提供すること」（【０００７】）が明記されているから，本件発明１ないし８の課題は，ここに記載のとおりに認定されるべきであり，本件発明９の課題も，当該液体調味料を提供することと認定されるべきである。
したがって，サポート要件の判断に当たって，本件発明１ないし８の製造方法によって得られた液体調味料（本件発明９）が血圧降下作用を有するか否かが検討されなければならないが，本件審決は，本件発明の課題の認定を誤ったため，以下のとおり，当該検討をしないという重大な瑕疵を有している。ＡＣＥ阻害ペプチド及び血圧降下作用についてア本件審決は，血圧降下作用を有する物質としてＡＣＥ阻害ペプチドを選択した本件発明１について，実施例等における実証がされていないとしながらも，本件明細書【０００５】が引用する乙１ないし３及び甲１７を根拠に，サポート要件を満たすものとする。
イしかしながら，本件明細書には，乳由来，穀物由来及び魚肉由来の様々なＡＣＥ阻害ペプチドが例示されており，分子量についても２００ないし１万の範囲が例示されており（【００２７】【００３０】），ペプチドの由来及び種類が異なれば，風味も呈味性も異なり，混合後に加熱したからといって一様に風味が改善されるとはいえないばかりか，官能評価の結果も，添加量によって大きく左右される。しかるに，甲１７には，大豆ペプチド（２重量％）及びカツオペプチド（１重量％）の２例の実験データが記載されているにとどまる。そして，甲１７の実験データにおける上記添加量は，本件明細書に記載のＡＣＥ阻害ペプチドの好ましい配合量の数値範囲（０．５～２０％。【００３０】）のうち，下限値付近の配合量を採用したも

のであるが，上限値付近の風味についての官能評価の結果は，不明であり，実施例がない状態では，当業者であっても検証ができない。しかも，甲１７には，ＡＣＥ阻害ペプチドを含有する液体調味料が血圧降下作用を有することを示すデータが一切記載されていないなど様々な問題点がある（なお，本件明細書に記載の事項について求められる実験データは，甲１７のように新たに作成されたものではなく，出願当初の実験データであるべきである。）。
ウまた，乙１及び３は，コーヒー豆抽出物が血圧降下作用を示すことを記載した文献であり，これをもって本件発明１のＡＣＥ阻害ペプチドを含有する液体調味料がこれらと同様に血圧降下作用を有することを立証するものではない。乙２の実施例３にはＡＣＥ阻害ペプチド及び塩化カリウムを含有する減塩醤油が記載されているものの，当該減塩醤油中のＡＣＥ阻害活性を測定しただけで，実際に血圧降下作用を試験したデータの記載はないし，塩化カリウムを含有する減塩醤油は，血圧降下作用を有することが知られている（甲１【００２９】【００３０】）から，仮にデータがあったとしても，それがＡＣＥ阻害ペプチドによるものとはいえない。なお，ＡＣＥ阻害ペプチド自体が血圧降下作用を有することが周知であるとしても，本件発明における「液体調味料」とは，醤油又は醤油を含む液体調味料等であるところ（本件明細書【００１１】），被告が指摘する証拠には液体調味料が存在しない。むしろ，血圧を上昇させる要因となる高濃度の食塩を含有する醤油に血圧降下作用を有するとされるＡＣＥ阻害ペプチドを添加しても血圧降下作用が認められるか否かは，本件優先日当時の技術者には不明であって，被告は，本件発明により得られる液体調味料についても血圧降下作用が認められることを合理的に説明する責任を負っている。
エむしろ，本件発明の前記イに記載の課題に照らすと，本件明細書には，血圧降下作用に関する実施例の記載が必要であるというべきである。ことに，甲２９によれば，ＡＣＥ阻害活性と血圧降下作用は，イコールではない場合が多く，ＡＣＥ阻害活性を示すからといって必ずしも血圧降下作用を示すとは限らないから，本

件明細書のサポート要件の充足性を判断するに当たっては，実際にＡＣＥ阻害ペプチドを配合した液体調味料（本件発明９）を用いて血圧降下作用の評価試験を行わなければならないというべきである。しかるに，本件明細書には，そのような実施例の記載がないばかりか，乙１ないし３及び甲１７は，前記のとおりＡＣＥ阻害ペプチドを配合した液体調味料が血圧降下作用を有する実験データを示していないから，乙１ないし３及び甲１７をもって本件明細書がサポート要件に適合すると判断した本件審決の判断には，誤りがあり，本件明細書は，サポート要件に適合しないことが明らかである。
上限値及び下限値について
ア本件審決は，本件発明１の血圧降下作用を有する物質の配合量について，当該物質を混合した「液体調味料」との配合をもって，本件優先日前の技術常識に照らせば，当業者がおおよそ把握できるものであるから，本件明細書における発明の詳細な説明に開示された内容を，配合量を規定しない本件発明１の「液体調味料の製造方法」の範囲まで，拡張ないし一般化できるものであるとする。イしかしながら，本件発明の課題は，前記イに記載のとおりであるから，本件発明は，苦味又は異味を有する血圧降下作用を有する物質を添加したことによる「風味変化の改善」と「血圧降下作用を発揮する」という相反する課題を同時に解決しようとするものである。そして，この相反する課題を解決するためには，適切な配合量の範囲が明確に存在するのであって，本件明細書にも，「ポリフェノール量が０．１％以下では，十分な血圧降下作用が得られない。また，５％以上のポリフェノールの配合は，異味が強すぎて好ましくない。」（【００２６】）との記載があるように，コーヒー豆抽出物中に含まれるポリフェノール量が０．１％以下又は５％以上の場合には，課題を解決することができない旨が明示されている。したがって，コーヒー豆抽出物及びＡＣＥ阻害ペプチドの配合量が限定されていない本件発明は，発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えているため，サポート要件に違反することが明らかである。

〔被告の主張〕
本件発明の課題について


本件審決は，本件発明の課題について，液体調味料の継続的な摂取を容易にして血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮すること，すなわち血圧降下作用が有利に働く程度に血圧降下作用を有する物質を配合すると，風味に変化が生じ，継続して摂取し難くなるとの問題点の解決を図ったものであって，風味変化を改善することによって，当該問題点が解決されることを意図したものといえると認定している。
このように，本件審決は，血圧降下作用についても課題として認定しており，その認定に誤りはない。
ＡＣＥ阻害ペプチド及び血圧降下作用についてア乙２は，塩化カリウムがともに存在している同じ条件でペプチドの有無によりＡＣＥ阻害活性の有無を確認したものであり，そこには，ペプチドの持つ生理活性機能には血圧降下作用，肝機能改善作用等が知られており，特にアンジオテンシン変換酵素阻害作用による血圧降下作用が注目されており，この作用を有するペプチドを配合した商品が特定保健用食品として許可されていることが記載されている（【０００２】【０００３】）。また，前記のとおり，ＡＣＥ阻害ペプチドが血圧降下作用を有することは，本件優先日前に周知の事項である。イ本件明細書には，本件発明に用いられる血圧降下作用を有する物質としてＡＣＥ阻害ペプチドが好ましいこと（【００１３】），好ましいＡＣＥ阻害ペプチドの種類（【００２７】），本件発明に用いられるＡＣＥ阻害ペプチドの血圧降下作用が期待できるＡＣＥ阻害活性の強さの具体的な濃度の数値（【００２８】），本件発明に配合できるペプチドの市販品（【００２９】），ＡＣＥ阻害活性の測定方法及びキットのほか，ＡＣＥ阻害ペプチドの配合量について，「血圧降下作用及び風味の点から液体調味料中０．５～２０％，更に１～１０％，特に２～５％が好ましい。」との具体的な数値（【００３０】）が，それぞれ記載されており，特にこの「風味の点から」との

記載は，「風味が良好である点から」との趣旨であるから，ＡＣＥ阻害ペプチドを配合した場合に風味変化が改善されることを確認した結果，好ましいＡＣＥ阻害ペプチドの配合量について特定して記載したものである。そして，甲１５にもジペプチドのＡＣＥ阻害と苦味には相関があることが記載されているとおり，ＡＣＥ阻害ペプチドに苦味等があることは，本件優先日前に周知の事項であるし，甲１７は，ペプチドを添加して加熱処理した液体調味料の風味が改善されたことを示しているから，本件明細書の記載（【００３０】）を裏付けるものである。なお，甲１７は，本件明細書に記載された技術的内容を確認したものであるにすぎない。
ウ甲２９（乙２２）は，ペプチドが消化管酵素の影響を受ける可能性を指摘しつつ，低分子ペプチドがその影響を受けにくく，血圧降下作用を示すことを記述しているばかりか，前記のとおり，ＡＣＥ阻害ペプチドが血圧降下作用を有することは，本件優先日前に周知の事項である。
エサポート要件は，特許出願時の当業者の技術常識を参酌した上で，実施例を含む明細書の発明の詳細な説明の記載内容から，特許請求の範囲に記載された発明特定事項がサポートされていれば足りる。本件発明についても，多数の実施例が示されることが好ましいとはいえるが，発明の範囲全体にわたる実施例が必ず要求されるわけではなく，したがって，発明の本質を覆す事実があればともかく，実施例の数が少ないこと自体が常に問題となるものではない。問題は，本件発明が，発明の詳細な説明の記載又は示唆から，当業者が出願時の技術常識に照らして読み取れるか否かであり，本件明細書の発明の詳細な説明には，当該技術常識に照らして，本件発明の課題及びＡＣＥ阻害ペプチドの血圧降下作用が記載されているといえる。
上限値及び下限値について
本件発明１の血圧降下作用を有する物質の配合量については，血圧降下作用を有する物質を混合した「液体調味料」との記載をもって，本件優先日前の技術常識に照らせば，当業者がおおよそ把握できるものであり，そうすると，本件明細書にお

ける発明の詳細な説明に開示された内容を，配合量を規定しない本件発明１の「液体調味料の製造方法」の範囲まで拡張ないし一般化できるものである。
第４当裁判所の判断
１本件発明について
本件明細書の記載について
本件発明の特許請求の範囲の記載は，前記第２の２に記載のとおりであるところ，本件明細書の発明の詳細な説明には，本件発明について，おおむね次のような記載がある。
ア本発明は，血圧降下作用を有する物質を混合した液体調味料の製造方法に関する（【０００１】）。
イ昨今，食品中に含まれる種々の成分の生理作用に関心が高まっているが（【０００２】），生理活性機能を有する素材の一つとして，血圧降下作用を有する物質がある。なかでも食品中に含まれ安全性の高い物質として，ペプチド，γ－アミノ酪酸，クロロゲン酸，コーヒー豆抽出物等があり，これらを含有する高血圧に有効な食品が提案されている（乙１～３）。特に，γ－アミノ酪酸は，食品中に含まれており，血圧降下作用，精神安定作用，抗更年期障害作用等が知られている（乙４～６，１５～１７）。このように有用なγ－アミノ酪酸について，食品中の含有量を高める技術が公知である（乙７～１３）（【０００３】）。ところが，調味料にγ－アミノ酪酸を添加すると，当該物質特有の後味や，エグ味が生じて風味の一体感が損なわれるという問題があるため，アミノ酸や核酸を配合することで，味質を改善する方法が開示されている（乙１４）（【０００４】）。しかし，液体調味料に血圧降下作用を有する物質を多量に配合すると，血圧降下作用には有利に働くものの，風味に変化が生じ，継続摂取し難くなる場合がある。特に，日常摂取する液体調味料においては，風味の変化が摂取に影響を及ぼすことから，メニューによって風味変化が生じることは，継続的な摂取への影響が懸念される。例えば，上記従来技術においてアミノ酸や核酸を配合することで味質を改善しようとしても，旨味が付与されて風味

のバランスが崩れてしまうほか，コストが増加する等の新たな問題点も生じる（【０００６】）。


ウ本発明の目的は，日常的に摂取する商品である醤油又は醤油を含む液体調味料において，血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合の風味変化を改善し，風味の一体感付与を図り，メニューによる風味の振れが少なくて継続的な摂取が容易な，血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料の簡単な製造方法を提供することにある（【０００７】）。エ本発明の発明者は，配合又は製造目的物である液体調味料の製造工程において，加熱処理を行う前に血圧降下作用を有する物質を混合し，次いで加熱処理を行うこと，又は血圧降下作用を有する物質を混合しながら加熱処理することにより，血圧降下作用を有する物質を配合しても当該物質由来の風味が生じず，メニューによる風味の振れが少なくて，継続的摂取が容易となり，優れた血圧降下作用を有する液体調味料が得られることを見いだした（【０００８】）。すなわち，本発明は，（Ａ）生醤油を含む調味料と血圧降下作用を有する物質とを混合する工程及び（Ｂ）生醤油を含む調味料を加熱処理する工程，を行うことを含む液体調味料の製造方法を提供するものである（【０００９】）。
本発明によれば，血圧降下作用を有する物質を含有させたものであるにもかかわらず，当該物質由来の風味が生じず，メニューによる風味の振れが少なくて，継続的に摂取することが容易となり，血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料を得ることができる（【００１０】）。オ本発明における液体調味料は，醤油を含む液体調味料をいい（【００１１】），本発明においては，生醤油を含む調味料と血圧降下作用を有する物質を混合することが必要である。生醤油とは，醤油の製造工程において，製造原料の仕込み，醗酵・熟成を行った後，圧搾して絞り出した液体部分をいい，製造工程で植え付けた麹菌により作られた酵素や，原料由来又は空気中からの各種の菌が存在するが，原料の成分を備えている段階のものである（【００１２】）。

本発明における血圧降下作用を有する物質とは，ポリフェノール類，アンジオテンシン変換阻害活性を有するペプチド（ＡＣＥ阻害ペプチド），交感神経抑制物質，食酢，ニコチアナミン，核酸誘導体，醤油粕，スフィンゴ脂質等をいい，これらから選択される１種又は２種以上であることが好ましい（【００１３】）。より好ましいポリフェノール類としては，クロロゲン酸類が挙げられ，クロロゲン酸類は，市販され，安定かつ持続的な血圧降下作用を有することから特に好ましい（【００１４】）。クロロゲン酸類を含有する天然物抽出物としては，例えば，コーヒー豆その他があるが，含有量の点からコーヒー豆が好ましく（【００１７】），クロロゲン酸類をコーヒー豆から抽出する方法としては，熱水又は水溶性有機溶媒により抽出することが好ましく，コーヒー豆は，生又は軽く焙煎したものであることがクロロゲン酸類の含有量が高い点からは好ましく，特に生コーヒー豆抽出物が好ましい。そのような生コーヒー豆抽出物は，複数の会社から市販されている（【００１８】）。本発明の液体調味料へのポリフェノール類の液体調味料に対する配合量は，血圧降下作用及び風味の点から０．１～５質量％（以下「％」で示す。），さらに０．２～３％，特に０．２５～２％が好ましい。ポリフェノール量が０．１％以下では，十分な血圧降下作用が得られず，また，５％以上のポリフェノールの配合は，異味が強すぎて好ましくない（【００２６】）。
ＡＣＥ阻害ペプチドとしては，食品原料由来であるものが使用できる。特に乳由来のペプチド，穀物由来のペプチド及び魚肉由来のペプチドが好ましい。ここで，穀物由来のペプチドとしては，穀物（特にとうもろこし）由来の分子量２００～４０００のペプチドが好ましい。さらにまた，（特に）とうもろこし蛋白，大豆蛋白，小麦蛋白等を（アルカリ性）プロテアーゼで処理して得られる分子量２００～４０００のペプチドが好ましい。魚肉由来のペプチドとしては，魚肉由来の分子量２００～１万のペプチド，さらにサバ，（特に）カツオ，マグロ，サンマ等の魚肉をプロテアーゼ処理して得られる分子量２００～１万のペプチドが好ましい（【００２７】）。アンジオテンシン変換酵素阻害活性の強さは，アンジオテンシン変換酵素の活性を

５０％阻害する濃度（ＩＣ５０）で示される。本発明に用いられるＡＣＥ阻害ペプチドのＩＣ５０は，５０～１０００μｇ／ｍＬ程度であれば減塩醤油系において，血圧降下作用が期待でき（【００２８】），本発明に配合できるペプチドにはとうもろこし由来，小麦由来，大豆由来及びカツオ由来等の複数の市販品がある（【００２９】）。ＡＣＥ阻害ペプチドの配合量は，血圧降下作用及び風味の点から液体調味料中０．５～２０％，更に１～１０％，特に２～５％が好ましい（【００３０】）。交感神経抑制物質としては，γ－アミノ酪酸，タウリン及びこれらの塩等が挙げられる。γ－アミノ酪酸とは，４－アミノ酪酸（Ｃ４Ｈ９ＮＯ２）のことであり，甲殻類の神経筋接合部，哺乳動物の脳などに多く存在するアミノ酸の一種である（【００３１】）。
カ本発明において，（Ａ）生醤油を含む調味液と血圧降下作用を有する物質とを混合する工程は，製造原料の仕込み，醗酵・熟成，圧搾後に得られた生醤油を含む調味液に対し，血圧降下作用を有する物質を所定量添加し，混合する工程をいう。混合する際に攪拌を行うのが好ましく，生醤油を含む調味液を攪拌しながら血圧降下作用を有する物質を添加してもよいし，生醤油を含む調味液に血圧降下作用を有する物質を添加した後で攪拌してもよい。通常，添加剤を配合した醤油製品の製造方法においては，添加剤の添加，混合は，製造工程の最終段階である充填前に行われるが，本発明においては，血圧降下作用を有する物質を，生醤油を含む調味液に対して添加，混合することが必要である（【００３５】）。本発明において，（Ｂ）生醤油を含む調味液を加熱処理する工程とは，生醤油を含む調味液を特定の条件で加熱する工程のことをいう。工程（Ｂ）は，工程（Ａ）の次に行うことが望ましい。また，製造工程の簡便性の点から，工程（Ａ）と工程（Ｂ）を並行して行ってもよい。すなわち，生醤油を含む調味液と血圧降下作用を有する物質とを添加，混合しながら加熱処理を行って液体調味料を製造してもよく，加熱処理工程を開始した後に，生醤油をいまだ含む段階で血圧降下作用を有する物質とを添加，混合してもよい。工程（Ａ）の次に工程（Ｂ）を行っても，工程（Ａ）と


工程（Ｂ）を並行して行っても，血圧降下作用を有する物質を含有させたものであるにもかかわらず，当該物質由来の風味が生じず，メニューによる風味の振れが少なくなる効果が得られる。加熱処理時の加熱温度は，調味液や血圧降下作用を有する物質の種類や量によって異なるが，６０℃以上であることが，血圧降下作用を有する物質を混合しても，当該物質由来の風味が生じず，メニューによる風味の振れが抑制されて風味良好であることから好ましい。加熱温度は，更に６０～１３０℃，特に７０～１２０℃，ことさら７５～９５℃であることが，風味，安定性，色等の点から好ましい（【００３６】）。
本発明において，加熱処理は，液体調味料の品温で規定してもよい。加熱処理時に，品温（サンプルの中心温度）が６０℃以上となるように加熱するのが好ましく，更に７０～１３０℃，特に８０～９８℃，ことさら８５～９５℃となるように加熱するのが，風味，安定性，色等の点から好ましい。品温６０℃の場合，６０℃に達した時点（６０℃達温）から１０時間以下の加熱処理が好ましく，更に６０℃達温時より２０分～５時間，特に３０分～２時間，ことさら４０分～１．５時間の加熱処理が，風味，安定性，色等の点から好ましい。品温８０℃の場合，８０℃に達した時点（８０℃達温）から３時間以下の加熱処理が好ましく，更に８０℃達温時より５分～２時間，特に１０分～１．５時間，ことさら２０分～１時間の加熱処理が，風味，安定性，色等の点から好ましい。品温８５℃の場合，８５℃に達した時点（８５℃達温）から１時間以下の加熱処理が好ましく，更に８５℃達温時より３分～５０分，特に５分～４０分，ことさら１０分～３０分の加熱処理が，風味，安定性，色等の点から好ましい。品温９０℃の場合，９０℃に達した時点（９０℃達温）から５０分以下の加熱処理が好ましく，更に９０℃達温時より３０秒～４０分，特に２分～３０分，ことさら５分～２０分の加熱処理が，風味，安定性，色等の点から好ましい（【００３８】）。
キ実施例
ア生醤油にコーヒー豆抽出物を１．２％添加した液体調味料１の７ｍｌをガ

ラス製スクリュービンに入れて閉栓し，４０℃，６０℃又は８０℃のウォーターバスに浸漬し，それぞれ３０分，６０分又は１２０分加熱してから流水で冷却して製造した試験品１～９及び加熱処理しない対照品ａ（【００６５】）を用いてホウレン草のおひたしを作製して風味評価を行ったところ，風味バランスについて，対照品ａを使用したものは，「やや風味バランスに欠け，あまり好ましくない」という評価を得た一方，試験品を使用したものは，４０℃で加熱した試験品７～９が対照品ａと同じ評価であったほかは，いずれも「非常に風味バランスがよく，好ましい」か，あるいは「風味バランスがよく，やや好ましい」という評価を得たほか，コーヒー豆抽出物由来の風味の評価基準について，いずれも「コーヒー豆抽出物由来の風味を全く感じない」か，当該風味が対照品に比べて「かなり低減している」又は「やや低減している」との結果を得た。また，上記試験品１～９及び対照品ａを用いて金目鯛の煮付けを作製して風味評価を行ったところ，いずれも風味バランスについて「非常に風味バランスがよく，好ましい」との評価を得たほか，コーヒー豆抽出物由来の風味の評価基準について，いずれも「コーヒー豆抽出物由来の風味を全く感じない」との評価を得た。このように，対照品ａには調理品による風味の振れが明らかに存在し，良好ではなかった。なお，８０℃で１２０分の加熱処理を施しても，有効成分であるクロロゲン酸の含有量は，低下しなかった（【００６４】～【００７０】【００７３】【００７５】【００７６】【表１】）。イ生醤油６０質量部に浄水３９．５質量部及び４－アミノ酪酸０．５質量部添加，混合して溶解した液体調味料２の７ｍｌをガラス製スクリュービンに入れて閉栓し，４０℃，６０℃又は８０℃のウォーターバスに浸漬し，それぞれ３０分，６０分又は１２０分加熱してから流水で冷却して製造した試験品１０～１８及び加熱処理しない対照品ｂ（【００６５】）について官能評価を行ったところ，風味バランスについて，対照品ｂは，「風味バランスに欠け，あまり好ましくない」という評価を得た一方，試験品は，いずれも「非常に風味バランスがよく，好ましい」，「風味バランスがよく，やや好ましい」あるいは「やや風味バランスに欠け，あまり好

ましくない」という評価を得たが，特に６０℃で１２０分加熱処理したもの及び８０℃で３０分又は６０分加熱処理したものは，いずれも「非常に風味バランスがよく，好ましい」という評価であった。また，γ－アミノ酪酸由来の風味の評価基準については，６０℃で１２０分加熱処理したもの及び８０℃で加熱処理したものは，いずれも「γ－アミノ酪酸由来のエグ味，後味を全く感じない」という評価を受けたほか，６０℃で３０分又は６０分加熱処理したものは，当該エグ味が対照品ｂに比べ「かなり低減している」又は「やや低減している」との評価を受けた。このように，対照品ｂは，γ－アミノ酪酸由来の後味が強く，風味バランスもよくなかった（【００６４】【００６５】【００７０】～【００７２】【００７７】【００７８】【表２】）。
ウ生醤油３６質量部に，浄水２３．２８質量部，４－アミノ酪酸を０．２４質量部及び塩化カリウム０．４８質量部を添加した後，攪拌して溶解し，５０ｍＬ容のガラス製サンプル瓶に入れて閉栓し，ウォーターバス（８０℃）に浸漬して６０分間加熱し，流水で冷却することで容器詰め液体調味料Ｐを製造した。これを開栓して風味評価を行ったところ，γ－アミノ酪酸由来のエグ味，後味がほとんど感じられず，カリウムの異味が抑制され，しかも風味の一体感が付与され，風味良好であった（【００７４】）。
本件発明の課題について


ア以上の本件明細書の発明の詳細な説明の記載によれば，本件発明の解決すべき課題は，前記イに記載のとおり，醤油を含む液体調味料（【００１１】）に，ＡＣＥ阻害ペプチド又はクロロゲン酸類を有効成分とするコーヒー豆抽出物等の血圧降下作用を有する物質（【００１３】【００１４】【００１７】）を多量に配合すると，血圧降下には有利に働くものの，風味に変化が生じ，その結果，液体調味料の継続摂取が困難になる（【０００３】【０００６】）というものであると認められる。そして，液体調味料の継続摂取が困難となる原因は，血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合の風味変化であるから，本件発明の解決すべき課題は，

より具体的には，血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合の風味変化の改善であるといえる。
イこの点について，原告は，血圧降下作用を高いレベルで発揮する液体調味料の簡便な製造方法を提供することも本件発明の課題であると主張する。そこで検討すると，本件明細書の発明の詳細な説明には，前記ウ及びエに記載のとおり，本件発明の目的ないし効果として，血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料の簡単な製造方法を提供することないしこのような液体調味料を得ることも挙げられている（【０００７】【００１０】）ほか，本件発明が優れた血圧降下作用を有する液体調味料が得られることを見いだしたとの記載（【０００８】）がある。
しかしながら，本件明細書の発明の詳細な説明は，前記イに記載のとおり，血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合の風味の変化及びその結果として生じる液体調味料の継続摂取が困難となることを本件発明の課題として具体的に特定している（【０００３】【０００６】）にとどまり，それ以上に血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料の簡単な製造方法の提供等をその課題としては特定しておらず，むしろ，この点については，本件発明が当該課題を解決して血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合の風味変化を改善した結果，メニューによる風味の振れが少なくなったため，液体調味料の継続摂取が容易となったことによりもたらされる本件発明の作用効果として言及していることが明らかである（【０００７】【０００８】【００１０】）。よって，原告の上記主張は，採用することができない。
本件発明の技術的思想について
以上によれば，本件発明は，醤油を含む液体調味料（【００１１】）に，ＡＣＥ阻害ペプチド又はクロロゲン酸類を有効成分とするコーヒー豆抽出物等の血圧降下作用を有する物質（【００１３】【００１４】【００１７】）を多量に配合すると，血圧降下には有利に働くものの，風味に変化が生じ，その結果，液体調味料の継続摂取

が困難になる（【０００３】【０００６】）という課題（より具体的には，血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合に，風味変化を改善するという課題）を解決するため，液体調味料の加熱処理を行う前に血圧降下作用を有する物質であるＡＣＥ阻害ペプチド（本件発明１～５，９）又はコーヒー豆抽出物（本件発明１～９）を混合し，次いで加熱処理を行うか，あるいはこれらの物質を混合しながら液体調味料を加熱処理するなどの手段を採用することで（【０００８】【０００９】【００３５】【００３６】【００３８】），これにより，血圧降下作用を有する物質を日常的に摂取する食品である液体調味料に配合した場合の風味変化を改善し，風味の一体感付与を図り，メニューによる風味の振れが少なくて継続的な摂取が容易な，血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料（本件発明９）及びその簡単な製造方法（本件発明１～８）を実現するという作用効果を有するものである（【０００７】～【００１０】）といえる。
２取消事由１（訂正要件の認定の誤り）について
訂正要件について
法１３４条の２第１項ただし書は，訂正を特許請求の範囲の減縮等についてのみ認めているほか，同条５項が準用する法１２６条３項は，訂正について，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしなければならないとしているところ，ここに明細書又は図面に記載した事項とは，当業者によって，明細書又は図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項であり，訂正が，このようにして導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであるときは，当該訂正は，明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものということができると解すべきである。
本件訂正の適否について
これを本件訂正についてみると，本件訂正は，本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１（２箇所）及び２（３箇所）において「血圧降下作用を有する物質」と記載されていたものを，いずれも「コーヒー豆抽出物，及びアンジオテンシン変換阻害

活性を有するペプチドから選ばれる少なくとも１種の血圧降下作用を有する物質」とする訂正を含むものであって，当該訂正は，本件訂正前における発明の「血圧降下作用を有する物質」を上記のようにコーヒー豆抽出物，ＡＣＥ阻害ペプチド又はこれらの混合物に減縮して特定するものである。
また，本件明細書は，前記１オに記載のとおり，本件特許に係る発明における血圧降下作用を有する物質として，ポリフェノール類及びアンジオテンシン変換阻害活性を有するペプチド（ＡＣＥ阻害ペプチド）等から選択される１種又は２種以上であることが好ましい（【００１３】）としているほか，より好ましいポリフェノール類の例として，クロロゲン酸類を含有するコーヒー豆抽出物についても記載している（【００１４】【００１７】【００１８】）。さらに，本件明細書は，本件特許に係る発明に配合できるペプチドにはとうもろこし由来，小麦由来，大豆由来及びカツオ由来等の複数の市販品がある（【００２９】）としているほか，現に，本件明細書で引用されているものを含む本件出願日前に公開された複数の文献には，ＡＣＥ阻害ペプチドが血圧降下作用を有する物質である旨の記載がある（乙２，６，１８～２１，２３～２９）以上，ＡＣＥ阻害ペプチドが血圧降下作用を有する物質であることは，本件出願日当時の当業者の技術常識であったものと認められる。したがって，本件訂正による特許請求の範囲の請求項１及び２に係る訂正は，いずれも，当業者によって，明細書又は図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであるといえるから，明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものといえる。
原告の主張について


原告は，本件明細書にはＡＣＥ阻害ペプチドを用いる場合の実施例がない以上，当業者であっても技術的事項を導き出すことができないから，本件訂正による特許請求の範囲の請求項１及び２に係る訂正が新規事項の追加に該当し，本件発明と類似する出願の審査においても同様の判断が示されていると主張する。しかしながら，前記に説示のとおり，ＡＣＥ阻害ペプチドは，本件明細書に血

圧降下作用を有する物質として記載されており，かつ，このことは，本件出願日当時の当業者の技術常識であったものと認められるから，本件訂正による特許請求の範囲の請求項１及び２に係る訂正のうちＡＣＥ阻害ペプチドに係る部分は，いずれも，当業者によって，明細書又は図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであるといえるのであって，訂正の要件との関係では，ＡＣＥ阻害ペプチドの実施例がないからといって，明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてするものでなくなるというものではない。また，本件における訂正の適否は，本件発明及び本件明細書の記載に基づいてすれば足り，他の特許出願における拒絶理由通知書の有無等が本件における判断を左右するものでないことは，明らかである。よって，原告の上記主張は，採用することができない。
小括
以上のとおり，本件訂正による特許請求の範囲の請求項１及び２に係る訂正は，法１３４条の２第１項ただし書及び同条５項において準用する法１２６条３項，４項の規定に適合するものであり，これと同旨の本件審決の判断に誤りはない。３取消事由２（実施可能要件に係る認定判断の誤り）について
実施可能要件について
特許法３６条４項１号は，発明の詳細な説明の記載は「その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に，記載したもの」でなければならないと規定している。特許制度は，発明を公開する代償として，一定期間発明者に当該発明の実施につき独占的な権利を付与するものであるから，明細書には，当該発明の技術的内容を一般に開示する内容を記載しなければならない。特許法３６条４項１号が上記のとおり規定する趣旨は，明細書の発明の詳細な説明に，当業者が容易にその実施をすることができる程度に発明の構成等が記載されていない場合には，発明が公開されていないことに帰し，発明者に対して特許法の規定する独占的権利を付与する前提

を欠くことになるからであると解される。
そして，方法の発明における発明の実施とは，その方法の使用をする行為をいうから（特許法２条３項２号），方法の発明については，明細書にその発明の使用を可能とする具体的な記載が必要であるが，そのような記載がなくても明細書及び図面の記載並びに出願当時の技術常識に基づき当業者がその方法を使用することができるのであれば，上記の実施可能要件を満たすということができる。また，物の発明における発明の実施とは，その物の生産，使用等をする行為をいうから（同項１号），物の発明については，明細書にその物を製造する方法についての具体的な記載が必要であるが，そのような記載がなくても明細書及び図面の記載並びに出願当時の技術常識に基づき当業者がその物を製造することができるのであれば，上記の実施可能要件を満たすということができる。
本件発明の実施可能要件の適否について
本件発明１ないし８は，いずれも方法の発明であるが，その特許請求の範囲の記載にある「生醤油」（【００１２】），「コーヒー豆抽出物」（【００１８】），「アンジオテンシン阻害活性を有するペプチド」（ＡＣＥ阻害ペプチド。【００２７】【００２９】）及び「液体調味料」（【００１１】）については，いずれも本件明細書に具体的にその意義，製造方法又は入手方法が記載されている。また，本件発明１ないし８の方法は，上記「生醤油」を含む調味料と，「コーヒー豆抽出物」及び「アンジオテンシン阻害活性を有するペプチド」（ＡＣＥ阻害ペプチド）から選ばれる少なくとも１種の原材料（本件発明１～５）あるいは専ら「コーヒー豆抽出物」（本件発明６～８）を混合し，特定の温度（及び時間）で加熱処理し，あるいは混合しながら同様に加熱処理し，更にその後に充填工程を行うというものであるが，これらの具体的手法は，液体調味料の加熱処理方法（【００６５】）や，加熱処理が充填工程の前に行われること（【００３５】）を含めて，いずれも本件明細書（【００３５】【００３６】【００３８】）に記載されている。
したがって，本件明細書の発明の詳細な説明には，これに接した当業者が本件発

明１ないし８の使用を可能とする具体的な記載があるといえる。また，本件発明９は，本件発明１ないし８のいずれかの方法により製造した液体調味料という物の発明であるが，以上のとおり，本件明細書の発明の詳細な説明には，これに接した当業者が本件発明１ないし８の使用を可能とする具体的な記載がある以上，当業者は，本件発明９を製造することができるものといえる。
原告の主張について
原告は，本件発明はＡＣＥ阻害ペプチドの由来や配合量等によって液体調味料の風味に大きな変化をもたらす可能性があり，かつ，血圧降下作用を示すとは限らないばかりか，風味変化と血圧降下作用を有する物質の配合量とが相反関係にある以上，ＡＣＥ阻害ペプチドを使用する場合についての実施例が発明の詳細な説明に記載されていない限り，実施可能要件を満たさないと主張する。しかしながら，本件明細書に本件発明１ないし８の使用を可能とする具体的な記載があり，かつ，当業者が本件発明９を製造することができる以上，本件発明は，実施可能であるということができるのであって，原告の上記主張は，サポート要件に関するものとして考慮する余地はあるものの，実施可能要件との関係では，その根拠を欠くものというべきである。
よって，原告の上記主張は，採用することができない。
小括
以上のとおり，本件発明は，特許法３６条４項１号の実施可能要件に適合するものであって，これと同旨の本件審決の判断に誤りはない。４取消事由３（サポート要件に係る認定判断の誤り）について
サポート要件について
特許法３６条６項１号には，特許請求の範囲の記載は，「特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したもの」でなければならない旨が規定されている。特許制度は，発明を公開させることを前提に，当該発明に特許を付与して，一定期間その発明を業として独占的，排他的に実施することを保障し，もって，発明を


奨励し，産業の発達に寄与することを趣旨とするものである。そして，ある発明について特許を受けようとする者が願書に添付すべき明細書は，本来，当該発明の技術内容を一般に開示するとともに，特許権として成立した後にその効力の及ぶ範囲（特許発明の技術的範囲）を明らかにするという役割を有するものであるから，特許請求の範囲に発明として記載して特許を受けるためには，明細書の発明の詳細な説明に，当該発明の課題が解決できることを当業者において認識できるように記載しなければならないというべきである。特許法３６条６項１号の規定する明細書のサポート要件が，特許請求の範囲の記載を上記規定のように限定したのは，発明の詳細な説明に記載していない発明を特許請求の範囲に記載すると，公開されていない発明について独占的，排他的な権利が発生することになり，一般公衆からその自由利用の利益を奪い，ひいては産業の発達を阻害するおそれを生じ，上記の特許制度の趣旨に反することになるからである。
そして，特許請求の範囲の記載が，明細書のサポート要件に適合するか否かは，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し，特許請求の範囲に記載された発明が，発明の詳細な説明に記載された発明で，発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものであるか否か，あるいは，その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲内のものであるか否かを検討して判断すべきものである。
本件発明のサポート要件の適否について
ア本件発明の特許請求の範囲の記載は，前記第２の２に記載のとおりである。他方，本件明細書の発明の詳細な説明には，前記１オに記載のとおり，血圧降下作用を有する物質として，ポリフェノール類，ＡＣＥ阻害ペプチド等が列記されている（【００１３】）ところ，ポリフェノール類の一種であるクロロゲン酸類を含有するコーヒー豆抽出物の入手方法等についても記載がある（【００１４】【００１７】【００１８】）ほか，ＡＣＥ阻害ペプチドの具体例や入手方法等についても具体

的な記載がある（【００２７】～【００３０】）。そして，本件明細書の発明の詳細な説明には，前記１カに記載のとおり，液体調味料の加熱処理を行う前にこれらの血圧降下作用を有する物質を液体調味料に混合し，次いで加熱処理を行うか，あるいはこれらの物質を混合しながら液体調味料を加熱処理するなどの方法について，加熱処理の際の温度等を含めて具体的に記載しており（【００３５】【００３６】【００３８】），これらは，いずれも本件発明１ないし８の特許請求の範囲の記載に対応するものであるといえるほか，これらの方法により本件発明９の液体調味料の製造が可能であることは，前記３に説示のとおりである。したがって，本件発明は，本件明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるということができる。
イ本件発明は，前記１に説示のとおり，醤油を含む液体調味料に，ＡＣＥ阻害ペプチド又はクロロゲン酸類を有効成分とするコーヒー豆抽出物等の血圧降下作用を有する物質を多量に配合すると，血圧降下には有利に働くものの，風味に変化が生じ，その結果，液体調味料の継続摂取が困難になるという課題（より具体的には，血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合に，風味変化を改善するという課題）を解決するため，液体調味料の加熱処理を行う前に血圧降下作用を有する物質であるＡＣＥ阻害ペプチド（本件発明１～５，９）又はコーヒー豆抽出物（本件発明１～９）を混合し，次いで加熱処理を行うか，あるいはこれらの物質を混合しながら液体調味料を加熱処理するなどの手段を採用することで，これにより，血圧降下作用を有する物質を日常的に摂取する食品である液体調味料に配合した場合の風味変化を改善し，風味の一体感付与を図り，メニューによる風味の振れが少なくて継続的な摂取が容易な，血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料（本件発明９）及びその簡単な製造方法（本件発明１～８）を実現するという作用効果を有するものである。
したがって，本件発明においては，血圧降下作用を有する物質が混合され，上記のように加熱処理された液体調味料の風味変化が改善されるのであれば，その課題

が解決されたものとみて差し支えないといえる。
ウそこで，本件明細書について，その発明の詳細な説明の記載により当業者が本件発明の課題を上記のとおり解決できると認識できるものであるか否かを検討すると，そこには，前記１キアに記載のとおり，前記イに記載の物質のうちコーヒー豆抽出物を本件発明における血圧降下作用を有する物質として液体調味料に混合して加熱処理した場合（本件発明１～９）に，液体調味料の風味変化を改善し，もって本件発明の課題を解決できることが実施例をもって記載されている（【００６４】～【００７０】【００７３】【００７５】【００７６】【表１】）から，この場合に本件発明の課題を解決することができることが示されているといえる。なお，血圧降下作用を有する物質としてコーヒー豆抽出物を使用した場合の本件発明１ないし９は，上記課題を解決するものであり，かつ，当該課題を解決する手段である混合及び加熱処理の工程もごく簡単なものである以上，その帰結として，風味の一体感付与を図り，メニューによる風味の振れが少なくて継続的な摂取が容易な液体調味料（本件発明９）及びその簡単な製造方法（本件発明１～８）を実現するという作用効果についても，本件明細書の発明の詳細な説明には開示があるということができる。
また，本件明細書の発明の詳細な説明には，血圧降下作用を有する物質がコーヒー豆抽出物である場合の本件発明１ないし８の方法により製造された液体調味料（本件発明９）が血圧降下作用を有するか否かについての具体的な記載が見当たらない。しかしながら，甲９（乙３）は，「高血圧症予防・改善・治療剤」という発明の公開特許公報（特開２００２－８７９７７号公報。平成１４年３月２７日公開）であるところ，そこには，１２週齢の雄性自然発症高血圧ラットについて胃にコーヒー豆抽出物を投与した試験群は，対照群と比較して有意に血圧が降下したことが示されており（【００２１】～【００２６】），また，甲１０は，「コーヒー抽出液の精製方法」という発明の公開特許公報（特開２００４－８１０５３号。平成１６年３月１８日公開）であるところ，そこには，甲９（乙３）を従来技術として引用し


つつ，特にコーヒー生豆中に含まれる成分が高血圧の予防・改善・治療剤として応用されている旨が記載されている（【０００２】）。このように，コーヒー豆抽出物が血圧降下作用を有することは，本件優先日当時に当業者に周知の事項であったものと認められるほか，本件明細書には，前記１キアに記載のとおり，コーヒー豆抽出物の有効成分であるクロロゲン酸類の液体調味料における含有量が加熱処理によっても変化しないことが記載されている（【００７６】）ことを併せ考えると，コーヒー豆抽出物を液体調味料と混合して加熱処理をした場合に，コーヒー豆抽出物の有効成分であるクロロゲン酸類は，その活性を失わず，加熱処理後も血圧降下作用を示すものと認められる。
したがって，本件明細書の発明の詳細な説明には，加熱処理等にもかかわらずコーヒー豆抽出物が血圧降下作用の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料（本件発明９）及びその製造方法（本件発明１～８）を実現するという作用効果について開示があるということができるから，仮に，風味の一体感付与を図り，メニューによる風味の振れが少なくて継続的な摂取が容易な，血圧降下作用等の薬理作用を高いレベルで発揮する液体調味料及びその簡単な製造方法を実現することが本件発明の解決すべき課題であるとしても，血圧降下作用を有する物質としてコーヒー豆抽出物を使用した場合の本件発明１ないし９（特に，血圧降下作用を有する物質として専らコーヒー豆抽出物を使用する本件発明６ないし８）については，本件明細書の発明の詳細な説明に当該課題を解決することができることが示されているといえる。
エ他方，本件明細書の発明の詳細な説明には，前記イに記載の物質のうちＡＣＥ阻害ペプチドを本件発明における血圧降下作用を有する物質として液体調味料に混合して加熱処理した場合の実施例の記載がない。
また，本件明細書の発明の詳細な説明には，前記１オに記載のとおり，血圧降下作用を有する物質として，ポリフェノール類，ＡＣＥ阻害ペプチド，交感神経抑制物質，食酢，ニコチアナミン，核酸誘導体，醤油粕，スフィンゴ脂質等が列記さ

れており（【００１３】），コーヒー豆抽出物がポリフェノール類の一種であるクロロゲン酸類を含有しており（【００１４】【００１７】），γ－アミノ酪酸が交感神経抑制物質の一種であること（【００３１】）のほか，前記１キアないしウに記載のとおり，コーヒー豆抽出物（【００６４】～【００７０】【００７３】【００７５】【００７６】【表１】）又はγ－アミノ酪酸（【００６４】【００６５】【００７０】～【００７２】【００７４】【００７７】【００７８】【表２】）を本件発明における血圧降下作用を有する物質として液体調味料に混合して加熱処理した場合にも，液体調味料の風味変化を改善し，本件発明の解決すべき課題を解決できることが実施例をもって記載されている。
しかるところ，本件明細書の発明の詳細な説明に列記された上記血圧降下作用を有する物質の間には，その化学構造に何らかの共通性を見いだすことができず，その風味にも共通性が見当たらないばかりか，発明の詳細な説明において実施例について記載のあるクロロゲン酸類及びγ－アミノ酪酸は，いずれもＡＣＥ阻害ペプチドと共通する化学構造を有するものではなく，また，ＡＣＥ阻害ペプチドと共通する風味を有するものでもないことに加え，上記血圧降下作用を有する物質の風味とその血圧降下作用に関連性がないこともまた，技術常識に照らして明らかである。以上によれば，本件明細書の発明の詳細な説明に，コーヒー豆抽出物及びγ－アミノ酪酸を本件発明における血圧降下作用を有する物質として液体調味料に混合して加熱処理した場合の実施例があり，それにより液体調味料の風味変化を改善し，本件発明の解決すべき課題を解決できることが示されているとしても，これらは，ＡＣＥ阻害ペプチドを本件発明における血圧降下作用を有する物質として液体調味料に混合し加熱処理した場合に，液体調味料の風味変化の改善という本件発明の解決すべき課題を解決できることを示したことにはならない。その他，本件明細書の発明の詳細な説明には，ＡＣＥ阻害ペプチドを本件発明における血圧降下作用を有する物質として液体調味料に混同して加熱処理をした場合に，上記課題が解決されたことを示す記載はない以上，本件明細書の発明の詳細な

説明に接した当業者は，血圧降下作用を有する物質としてＡＣＥ阻害ペプチドを使用した場合を包含する本件発明１ないし５及び９が，液体調味料の風味変化の改善という課題を解決できると認識することができるとはいえず，また，当業者が本件出願時の技術常識に照らして本件発明の課題を解決できると認識できることを認めるに足りる証拠もない。
原告の主張について
原告は，本件発明が血圧降下作用を有する物質の混合による風味変化の改善と，血圧降下作用の発揮という相反する課題を同時に解決しようとするものであることから，コーヒー豆抽出物についての適切な配合量の上限値及び下限値が存在するはずであるところ，このような配合量の限定がない本件発明は発明の課題が解決できることを当業者が認識できないものであって，サポート要件に違反すると主張する。しかしながら，本件発明の課題は，前記１アに説示のとおり，具体的には，血圧降下作用を有する物質を液体調味料に配合した場合に，風味変化を改善するというものであり，液体調味料に配合するコーヒー豆抽出物の量については，本件明細書の発明の詳細な説明に接した当業者であれば，配合するコーヒー豆抽出物の量が少なければ血圧降下作用が限定される一方，その量が多ければ風味変化の改善が限定されることを理解することができるから，風味変化の改善等を図るためにその配合量を調整することが容易に可能である。したがって，本件発明（特に本件発明６～８）の特許請求の範囲の記載に配合量の上限値及び下限値の記載がないからといって，本件明細書の発明の詳細な説明に接した当業者が，本件発明６ないし８がその解決すべき課題を解決できるものと認識できないとみることはできない。よって，原告の上記主張は，採用できない。
被告の主張について
ア被告は，本件発明１ないし５及び９がサポート要件を満たす根拠として，本件明細書には好ましいＡＣＥ阻害ペプチドの種類（【００２７】），血圧降下作用が期待できるＡＣＥ阻害活性の具体的な濃度の数値（【００２８】），ＡＣＥ阻害ペプチド


主              文
被告人を懲役１３年に処する。
未決勾留日数中８１０日をその刑に算入する。
名古屋地方検察庁で保管中の包丁１本（平成２９年領第１１８１号符号７）を没収する。
訴訟費用は被告人の負担とする。
理              由
（罪となるべき事実）
被告人は，中学受験を控えた長男に対して，日頃から受験指導の際に刃物を示すなどしていたところ，同人の態度等にいら立ちを募らせた挙げ句，平成２８年８月２１日午前９時５０分頃，名古屋市a区   b町c   丁目d番地の被告人方において，長男であるＡ（当時１２歳）に対し，殺意をもって，その胸部を包丁（刃体の長さ約１８．５センチメートル。平成２９年領第１１８１号符号７）で１回突き刺し，よって，同日午前１１時３５分頃，同市e区   f町g   番地Ｂ病院において，同人を胸部刺切創による右心房刺通により失血死させて殺害したものである。
（争点に対する判断）
１争点
弁護人は，①被告人は被害者を突き刺しておらず，被告人が持っていた包丁が何らかの原因で被害者の胸部に刺さってしまったものであり，殺意はなく傷害致死罪が成立するにとどまる，②本件犯行当時，被告人は，自閉スペクトラム症に基づく特定不能の解離症のため責任能力が著しく低下しており，心神耗弱であった旨主張する。当裁判所が殺意及び完全責任能力を認めた理由は，以下のとおりである。
２行為態様及び殺意の有無について
⑴被害者の胸部刺切創について
ア証拠によれば，被害者の胸部右側に，右心房前壁を刺通する深さ約９センチメートルの刺切創があること，同刺切創の刺入口及び傷の内部は，乱れがなく整った形状であること，同刺切創は被告人が本件犯行直前に手に持っていた鋭利な包丁によって生じたことが認められる。
イなお，同刺切創につき，被害者の遺体を解剖したＣ医師は，胸骨右縁に長さ約０．９センチメートルの切痕が形成されていることから，凶器を刺入したときに強い力が加わっていたと考えられる旨供述する。Ｃ医師は，司法解剖に関して十分な専門的知識と経験を有し，解剖の際に直接切痕の断面部分を視認した上で，解剖写真上の白色部分は骨で赤色部分が骨髄である旨明確に供述しており，その説明内容は合理的で説得的なものである。
これに対し，Ｄ医師は，胸骨ではなく肋軟骨が切り込まれているにとどまる旨供述する。Ｄ医師も司法解剖の専門的知識・経験を有する者であるが，同人の供述は，Ｃ医師による解剖写真の一部を撮影趣旨とは異なる趣旨で取り上げて論難したり，解剖写真上は判然としない被害者の胸骨及び肋軟骨の位置や幅を一義的に特定して論じたりするもので，説明内容の前提の正確性や判断の合理性に疑問がある。そうすると，Ｄ医師の指摘を検討してみても，Ｃ医師の上記説明に不合理な点はなく，同人の供述によれば，被害者の胸骨右縁は約０．９センチメートル切り込まれており，刺入時に強い力が加わっていたと認められる。ウ以上の事実からすると，本件犯行直前に被告人が手に持っていた鋭利な包丁が，被害者の胸部右側に胸骨を切り込むほどの強い力で，右心房に至る約９センチメートルの深さにまで一気に刺入されたと認められる。そして，被害者の胸部刺切創の刺入口及び内部が整った形状であることから，被害者は動いていない状態で刺突されたものと認められる。
⑵本件犯行に至る経緯について
ア本件犯行前日までの経緯
証拠によれば，以下の事実が認められる。
被告人は，被害者の中学受験のため，仕事から帰宅後に勉強を教える際に声を荒げたり，たたいたりすることがあったが，被害者が小学校５年生の冬頃から，勉強を教えるに当たって被害者が反抗的な態度を見せたときに，被害者にカッターナイフを向けて威圧するようになった。その後，カッターナイフを被害者が怖がらなくなったと考え，被害者が小学校６年生の平成２８年夏にはペティナイフを購入して被害者に見せつけたり，机や教科書に刃を立てたりするようになり，さらに，同年８月には，本件犯行に用いた鋭利な包丁を購入して被害者に示すようになり，同月１３日頃には，被害者の右前額部付近に包丁の刃を当て，被害者が動いて頭髪が一部そぎ落とされたこともあった。
被告人は，同月１９日の夜から本件犯行の前日である同月２０日の昼頃まで，被害者を車に乗せて連れ出し，車内で勉強態度などについて説教をするとともに，包丁を被害者に当て，足に浅い切り傷を負わせた。
イ本件犯行当日の経緯
被告人の供述によれば，本件犯行当日の経緯は次のようなものである。本件犯行当日の朝，被告人は，被害者が約束した時刻に起床せず，その後も朝食に時間をかけており，度々せかせても状況が変わらないことなどから被害者が反抗的な態度を見せ始めたと考えていら立ち，自室から包丁を持ち出した。被害者が部屋の隅に逃げ込むと，被告人は包丁で床をたたいて被害者を近くに呼び寄せた上，昨日の車中での話を忘れたのかなどと説教をした。さらに念押ししようと，被害者の背中に左腕を回して同人の左肩辺りをつかみ，右手に持った包丁を被害者の目の前にかざしたところ，被害者が泣き出した。その泣き声に被告人はいら立ちを募らせて，被害者の口を左手で塞いだ。その後，被害者に呼ばれて近づいたところ，その胸に穴が開いていた。
本件犯行は，被告人方で被告人と被害者が二人きりの状況で発生したものであり，被害者は死亡しているため，本件犯行の直前直後の経緯に関する証拠は被告人の供述しかない。被告人は，被害者に包丁が刺入した場面の記憶がない旨述べで，以下，本件犯行当日の経緯については，上記被告人供述を前提に検討することとする。
⑶本件犯行後の被告人の言動について
証拠によれば，被告人は，被害者を抱えて最寄りの病院に搬送し，応対した准看護師や臨場した警察官に対し，自分が刺した，捕まえてほしいなどと発言したことが認められる。
⑷検討


ア前記⑴のような胸部刺切創から見た刺入の態様を前提とすると，被告人が気付かないうちに包丁が偶然被害者に刺さった可能性や，被害者が自分で胸部を刺突した可能性は考え難い（被告人も，当時右手で包丁を持ち，左手で被害者をしっかり押さえており，被害者が自ら包丁に刺さるような行動に及ぶはずがない旨供述している。）。そして，前記⑴の胸部刺切創から認められる刺入態様に，前記⑵の本件犯行に至る経緯を併せ見れば，被告人が，本件犯行当日の朝，被害者の態度にいら立ちを募らせていった挙げ句に激高し，被告人が被害者の胸部を突き刺したことが合理的に推認される。前記⑶の本件犯行直後の被告人の発言は，胸部刺切創が被告人の刺突行為によるものであることと整合している（なお，被告人は，搬送先の医師やその後の警察官に対する発言では，包丁が刺さった，被害者が向かってきて当たった旨述べてはいるが，これらは自己弁護による後退とみることができる。）。以上によれば，被告人が被害者の胸部を突き刺したと認められる。そうすると，被告人は，殺傷能力の高い鋭利な包丁を人体の枢要部に刺すという人を死亡させる危険性の高い行為に及んでおり，後述のとおり，本件犯行に精神障害の影響はなく，他に被告人が当該行為の危険性について認識を欠くような事情はうかがえない。
イこれに対し弁護人は，被告人が被害者に対して激高したことをうかがわせる事情はなく，被害者に愛情を持っていた被告人が被害者を殺害する動機はなかった旨主張する。しかし，前記⑵のような経緯に鑑みれば，被告人が本件犯行当日の朝，被害者の態度にいら立ちを募らせていったことは明らかであり，被告人が被害者に愛情を持っていたことと，いら立ちの末に激高して突発的に刺突したことは十分に両立する状況にあったというべきである。弁護人の上記主張は採用できない。ウしたがって，被告人には殺意があったと認められる。
３責任能力について
⑴被告人の精神鑑定をしたＥ医師は，本件犯行当時，被告人が精神障害にり患していた事実はない旨供述する。その根拠として，被告人に精神科治療歴はなく，生活歴から明らかな精神障害にり患していた事実もなく，転職を複数回しているものの，継続的に就業しており，転職理由は了解可能なものであること，鑑定時にも思考障害や妄想，幻覚などの精神病症状や，臨床的に明らかな抑うつ気分や睡眠障害も認められなかったこと，本件犯行は，被告人が従前からの刃物を使用した指導をエスカレートさせたものとして了解可能であることを挙げ，被告人に本件犯行時の記憶がない点については，被害者に致命傷を負わせた自らの行為から強いストレス負荷を受け，自己防衛のために解離性健忘が生じた旨説明している。
Ｅ医師は，精神科医としての十分な知識，経験を有し，約２か月間の鑑定期間中に被告人及び関係者と面接を行い，捜査記録や各種検査結果を参照した上で，上記供述をしており，前記２⑵記載の犯行に至る経緯に鑑みて，上記説明は合理的なものである。
⑵他方，Ｆ医師は，被告人が自閉スペクトラム症にり患しており，本件犯行時に特定不能の解離性障害を発症し，被告人の人格によるコントロールが困難になっていた可能性がある旨供述する。
しかし，Ｆ医師が自閉スペクトラム症の根拠として挙げる事由は，精神障害のない者にも見受けられるものが多く，解離性障害の根拠とされる時間感覚や視覚体験の歪みなども病的なものとはいえず，診断根拠に合理性が乏しい。また，Ｆ医師は，被告人が解離状態となっていた時期や程度は不明であると述べており，解離性障害が本件犯行にどのような影響を与えたかについての合理的な説明はなされていない。そうすると，Ｆ医師の供述は，たやすく信用することができず，他に責任能力の著しい低下を疑わせるような事情も見当たらない。
⑶したがって，被告人につき，本件犯行当時，精神障害にり患していた事実は認められず，完全責任能力があったものと認められる。
（法令の適用）
１罰    条        刑法１９９条
２刑種の選択           有期懲役刑を選択
３未決勾留日数の算入       刑法２１条
４没収    刑法１９条１項２号，２項本文
５訴訟費用の負担    刑事訴訟法１８１条１項本文
（量刑の理由）
本件は，被告人が，当時１２歳の長男を刺殺したというものであり，保護者である父親によって命を奪われた被害者の驚き，苦痛，かけがえのない一人息子を突然奪われた被害者の母親の悲しみ，嘆きは察するに余りある。育ち盛りの被害者の死亡という結果は重大であって，被害者の母親が被告人に対する厳罰を求めるのも当然である。犯行の動機，経緯を見ても，被告人は，中学受験の指導の名の下，被害者の気持ちを顧みることなく，自らの指導・指示に従うよう，暴力的な言動から刃物へ，ナイフから包丁へ，やがては包丁を被害者の身体に当てるなど，独善的な行為をエスカレートさせていった挙げ句，本件犯行当日，被害者の態度にいら立ちを募らせた末に激高し，衝動的に犯行に及んだものと認められる。被害者に落ち度はなく，かかる身勝手な動機，経緯は厳しい非難に値する。積極的に被害者を殺害しようとしたのでない突発的な犯行で，あえて被害者の胸部を狙ったわけでもなく，刺突行為は１回にとどまるが，身体の枢要部に鋭利な包丁を強い力で深く突き刺している点で，犯行態様は危険である。
以上によると，本件は，子に対する殺人の事案としては非常に重い事案というべきであり，親族間での刃物を使用した殺人事案の量刑傾向も参照しつつ，上記の事情のほか，被告人が犯行直後に被害者を病院へ運び込んだこと，さしたる前科がないこと，後悔や反省の弁を述べていること等も考慮して，被告人を主文の刑に処することとした。
（求刑懲役１６年，主文掲記の没収）
令和元年７月１９日
名古屋地方裁判所刑事第２部
裁判長裁判官    齋藤    千恵
裁判官    近藤    和久
裁判官    鈴木    真理子


平成２８年１０月１４日判決言渡同日原本交付    裁判所書記官平成２５年(ﾜ)第７４７８号特許権侵害差止等請求事件
口頭弁論終結日平成２８年８月１７日
判              決
別紙当事者目録記載のとおり
主              文
１被告Ｅ＆Ｅ    Ｊａｐａｎ株式会社は，原告に対し，３８万円及びこれに対する平成２５年４月２４日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
２被告株式会社立花エレテックは，原告に対し，２０万３０００円及びこれに対する平成２５年４月２４日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
３原告のその余の請求をいずれも棄却する。
４訴訟費用は，原告に生じた費用の６分の１と被告Ｅ＆Ｅ    Ｊａｐａｎ株式会社に生じた費用の３分の１を被告Ｅ＆ＥＪａｐａｎ株式会社の負担とし，原告に生じた費用の６分の１と被告株式会社立花エレテックに生じた費用の３分の１を被告株式会社立花エレテックの負担とし，その余を原告の負担とする。
５この判決は，第１項及び第２項に限り，仮に執行することができる。
事実及   び理由
第１請求の趣旨
１被告Ｅ＆Ｅ    Ｊａｐａｎ株式会社は，原告に対し，１２４万円及びこれに対する平成２５年４月２４日（訴状送達の日の翌日）から支払済みまで年５分の割合による金員（ただし，第２項の金員の限度で被告株式会社立花エレテックと連帯して）を支払え。
２被告株式会社立花エレテックは，原告に対し，被告Ｅ＆Ｅ    Ｊａｐａｎ株式会社と連帯して，１０６万円及びこれに対する平成２５年４月２４日（訴状送達の日の翌日）から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。３訴訟費用は被告らの負担とする。
４仮執行宣言
第２事案の概要
本件は，発明の名称を「窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法」とする特許権（特許第２７８０６１８号）を有していた原告が，被告Ｅ＆ＥＪａｐａｎ株式会社（以下「被告Ｅ＆Ｅ」という。）が輸入して被告株式会社立花エレテック（以下「被告立花」という。）に販売し，被告立花においてこれを第三者に販売等した別紙物件目録記載の青色ＬＥＤは，上記特許権の特許請求の範囲請求項１記載の発明の技術的範囲に属する製造方法により製造されたものであると主張し，民法７０９条に基づく損害賠償として，被告Ｅ＆Ｅに対しては１２４万円（ただし，１０６万円の範囲で被告立花と連帯して），被告立花に対しては被告Ｅ＆Ｅと連帯して１０６万円，及びこれらに対する不法行為後の日（訴状送達の日の翌日）である平成２５年４月２４日から各支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求めた事案である。
１前提事実（当事者間に争いがない事実又は文中掲記した証拠及び弁論の全趣旨により容易に認定できる事実）
(1)当事者
ア原告は，半導体及び関連材料，部品，応用製品の製造，販売並びに研究開発などを業とする株式会社である。
イ被告Ｅ＆Ｅは，電子部品の輸出入及び販売等を業とする株式会社である。ウ被告立花は，各種電気機械器具，照明機械器具，電子応用機械器具等の製造・販売，半導体素子等の輸出入及び販売等を業とする株式会社である。
(2)原告の有していた特許権
原告は次の特許権を有していた（以下「本件特許権」といい，その特許請求の範囲請求項１記載の発明を「本件発明」と，本件特許に係る明細書及び図面を「本件明細書等」という。本件特許の特許公報を末尾に添付する。）。〔甲１，２〕
登録番号      第２７８０６１８号
発明の名称     窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法出願日         平成５年１１月６日（特願平５－３００９４０号）公開日         平成７年５月１９日（特開平７－１３１０６９号）
登録日         平成１０年５月１５日
存続期間満了日平成２５年１１月６日
(3)本件発明の内容
本件発明に係る特許請求の範囲の記載は末尾添付の特許公報該当欄記載のとおりである。
(4)構成要件の分説
本件発明を構成要件に分説すると，以下のとおりである（以下「構成要件Ａ」などと表記する。）。
Ａサファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，Ｂ前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，Ｃ前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第
二の割り溝を形成する工程と，
Ｄ前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とするＥ窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
(5)本件特許の出願経過等


ア原告は，平成５年１１月６日，本件特許出願をした。〔乙８〕特許庁審査官は，平成９年８月５日付けで拒絶理由通知をした。原告は，平成９年１０月２０日付けで本件特許出願につき手続補正（以下「本件補正」という。）をするとともに，同日，特願平９－３０６３９４号（以下「別件分割出願」という。）を分割出願した。本件補正において，原告は，特許請求の範囲請求項１の記載につき，「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と，前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリリム系（窒化ガリウム系の誤記であることにつき当事者間に争いがない。以下「窒化ガリウム」と表記する。）化合物半導体チップの製造方法。」（下線が補正箇所）とする補正を行った。〔乙７〕
平成１０年４月３日，本件特許につき特許査定がされた。イ別件分割出願については，平成１０年１２月１１日に，特許第２８６１９９１号として設定登録がされ，平成１１年２月２４日に特許公報が発行されたが，同年８月２４日付けで異議申立て（平成１１年異議第７３２２１号）がされたため，原告は，平成１２年１月１７日に訂正請求を行い，同年４月３０日付けで訂正請求書の補正を行い，同日，意見書（乙１５）も提出したが，同年６月１６日付け異議決定により，特許が取り消された。〔乙１０〕
(6)無効審判請求の経緯及び原告による訂正請求
ア台湾法人である訴外エヴァーライト    エレクトロニクスカンパニーリミテッド（以下「エヴァーライト」という。）は，平成２５年６月２８日，本件特許の特許請求の範囲請求項１ないし４の発明につき，無効審判請求（無効２０１３－８００１１４号事件）をした。〔甲８〕原告は，同年９月２０日，そのうちの請求項１（本件発明）につき，訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）をした。〔甲９〕イ特許庁は，平成２６年９月１９日，本件訂正請求の一部の訂正事項は本件特許の明細書に記載した事項の範囲内の訂正とは認められず，これを含む本件訂正請求は特許法１３４条の２第９項で準用する同法１２６条５項の規定に適合しないとして訂正を認めないとした上で，審判の請求は成り立たないとの審決をした。〔甲２１〕
これに対しては，エヴァーライトが，知財高裁に対し，審決取消訴訟（知財高裁平成２７年（行ケ）第１００１５号事件）を提起した。〔弁
論の全趣旨〕
知財高裁は，平成２８年３月１０日，上記事件につき，エヴァーライトの請求を棄却する判決をした。〔甲２６〕
ウ原告は，本件において，本件訂正請求に基づく訂正の再抗弁を主張していたが，平成２７年４月２１日の弁論準備手続期日において，当該訂正の再抗弁の主張を撤回した。
(7)被告らの行為
ア被告Ｅ＆Ｅは，別紙物件目録記載１のＬＥＤ（以下「イ号ＬＥＤ」という。）及び同目録記載２のＬＥＤ（以下「ロ号ＬＥＤ」といい，イ号ＬＥＤと併せて「被告ＬＥＤ」という。）を販売したことがある。なお，被告ＬＥＤは被告Ｅ＆Ｅが株式を保有するエヴァーライトが製造した製品である。
被告ＬＥＤはいずれも青色発光するＬＥＤであり，窒化ガリウム系半導体チップを搭載している（以下，イ号ＬＥＤに搭載されたチップを「イ号チップ」と，ロ号ＬＥＤに搭載されたチップを「ロ号チップ」と，これらを併せて「被告チップ」という。）。〔弁論の全趣旨〕イ被告立花は，平成２４年９月，株式会社イガラシ（以下「イガラシ」という。）からＬＥＤの購入に関する問い合わせを受け，同社との打ち合わせを経て，平成２５年１月，被告Ｅ＆Ｅからイ号ＬＥＤ１０００個及びロ号ＬＥＤ５００個の譲渡を受けた上で，それらをイガラシに対して合計３万円（各単価２０円）で売却した。〔丙４の１の１ないし４の８の２，
８〕
(8)被告チップの製造方法と本件発明の構成要件との関係
ア構成要件充足性
被告チップの製造方法（以下「被告方法」といい，このうちイ号チップの製造方法を「イ号方法」，ロ号チップの製造方法を「ロ号方法」という。）は，本件発明の構成要件Ａ及びＥを充足する。
イ被告方法におけるＬＭＡ法の使用（構成要件Ｃ及びＤ関係）本件発明のようなウエハーのサファイア基盤側の加工方法には，（物理的）スクライブ，レーザースクライブ等の方法があり，このうち，レーザースクライブには，ＬＭＡ法（融解改質法。LaserMeltingAlteration法。甲２０の１３７～１３８頁）とアブレーション加工がある。被告方法では，上記のうちＬＭＡ法が使用されている。
(9)別件訴訟について
ア原告は，当裁判所に対し，被告らが原告の有する特許第３９７２９４３号（以下「別件特許権１」という。）及び特許第３７８６１１４号を侵害していると主張して，特許権侵害差止等請求事件（当庁平成２６年（ワ）第８９０５号。以下「別件訴訟」という。）を提起した。原告は，別件訴訟において，被告らが本件のイ号ＬＥＤを譲渡等する行為が上記各特許権を侵害する行為であると主張していた。


イ同裁判所は，平成２８年６月１５日，被告らが本件のイ号ＬＥＤを譲渡等する行為は別件特許権１を侵害する行為であると認め，被告Ｅ＆Ｅに対しては２５万５０００円（逸失利益１０万５０００円及び弁護士費用１５万円），被告立花に対しては１５万２０００円（逸失利益２０００円及び弁護士費用１５万円）の支払を命じる一部認容判決を言い渡したところ，被告らは，その後，上記認容額に遅延損害金を付した金額を原告に支払った。〔乙７４ないし７６，丙１０，１１〕
(10)本件特許の出願日前の先行文献の存在
本件特許の出願日（平成５年１１月６日）の前には，以下の先行文献が存在する。
ア特開平５－１２９６５８号公報（乙２。発明の名称   窒化ガリウム系化合物半導体発光素子，出願人豊田合成株式会社他１名，出願日平成３年１０月３０日。以下「乙２公報」という。）
イ実開平４－５０６４号（実開平５－５９８６１号）のＣＤ－ＲＯＭ（乙３。考案の名称窒化ガリウム系化合物半導体素子，出願人原告，出願日平成４年１月１３日。以下「乙３公報」という。）
ウ特開平５－１６６９２３号公報（乙６。発明の名称   窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法，出願人原告，出願日平成３年１２月１２日。以下「乙６公報」という。）
２争点
(1)被告方法は本件発明の技術的範囲に属するか
ア構成要件Ｂの充足性
(ｱ)「エッチングにより」の充足性
(ｲ)「第一の割り溝･･･と共に･･電極が形成できる平面を形成する」の充足性(ｳ)「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」の充足性
イ構成要件Ｃ及びＤ「第二の割り溝」の充足性
(2)構成要件Ｃ及びＤ「第二の割り溝」についての均等侵害の成否(3)本件特許が特許無効審判により無効にされるべきものかア乙２公報に基づく新規性ないし進歩性欠如の有無
イ乙３公報に基づく進歩性欠如の有無
ウ本件補正における新規事項追加の有無
エ乙６公報及び乙３公報に基づく進歩性欠如の有無
(4)損害発生の有無及びその額
(5)弁済の抗弁の成否
第３争点に関する当事者の主張
１争点(1)ア(ｱ)（構成要件Ｂの「エッチングにより」の充足性）について
〔原告の主張〕
(1)イ号方法は，サファイア基板上に窒化ガリウム系半導体を積層したウエハーを，下記の模式図のように，その半導体層側から半導体層の一部をエッチングで除去することにより，所定の形状のｎ型半導体層（水色部分）を露出させる方法である。この露出面は，縦ストライプ部Ａ１（約２１μm幅：約９μm＋約１２μm），横ストライプ部Ａ２（約３２μm幅：約１７μm＋約１５μm）とｎ電極を形成する電極形成部Ａ３が設けられるように形成される。ロ号方法は，ストライプ部の幅が，縦ストライプ部Ａ１では約５１μm幅（約２４μm＋約２７μm）であり，横ストライプ部Ａ２では約５１μm幅（約２８μm＋約２３μm）であるほかは，イ号方法と同じである。n型半導体層の露出面形成後にウエハーを半導体層側から見た一部平面図したがって，被告方法においては，ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側に縦ストライプ部Ａ１，横ストライプ部Ａ２及び電極形成部Ａ３を含め，ｎ型半導体が露出した部分をエッチングにより形成しているから，構成要件Ｂを充足する。
(2)被告らの主張に対する反論
被告らは，被告方法がエッチングを採用していない旨主張する。被告チップのようなＬＥＤチップを作成するに当たっては，特定領域の半導体層の膜厚を部分的に薄くしたｎ電極形成面を形成するため，①特定領域以外の領域のみ成長を続けさせて，特定領域の膜厚を薄くする「選択成長」という方法か，②特定領域の半導体層を除去する「エッチング」という方法のいずれかが用いられるが，実務的には，エッチングの方が工程数は少ないこと，選択成長では結晶の面方位を考慮してマスクパターンを作成する必要があること，選択成長ではウエハーの在庫の自由度が下がることから，エッチングの方が選択成長よりも有利である。このため，ＬＥＤチップ量産時のｎ電極面形成工程において，通常，選択成長が採用され
縦ストライプ部A1
電極形成部A3
CC
横ストライプ部A2
ることはない。
また，被告チップは，エッチングに特有の形状を有している。すなわち，被告チップの上面は，ｐｎ段差部の一部が丸みを帯びた滑らかな曲線形状となっているが（甲１７の５頁図３），選択成長では直線状になるのであって，曲線形状になることはない。また，ｐｎ段差部近傍の断面は，ｐｎ段差部が湾曲した傾斜面となっているが（甲１７の６頁図５），選択成長では直線形状となるのであって，湾曲した傾斜面になることはない。さらに，ｐ電極形成面の凹凸は先鋭な形状であるのに対し，ｎ電極形成面の凹凸はエッチングにより削られたと考えられる丸みを帯びた形状である。したがって，被告チップのｎ電極形成面はエッチングにより形成されたものである。
〔被告らの主張〕
原告は，本件方法においてエッチングを用いたことの合理的な立証を行っていない。
原告も，半導体層の形成方法として，エッチングと選択成長があることを認めているところ，実務的にはたとえ通常は採用されない方法であるとしても，特許権侵害を回避するために，不利な工程である選択成長を採用する可能性は当然にあり得る。
また，原告は，被告チップがエッチングに特徴的な形状をしていると主張するが，そのような形状は，選択成長により「第一の割り溝」を形成し，その後，ｎ電極形成面を形成するに当たってエッチングをしたことによって形成された可能性もある。その場合，選択成長により形成された「第一の割り溝」部分が，ｎ電極形成面を形成するエッチングにより一定程度削られることは当然に起こりうることであって，被告チップのチップ外周部の割り溝がエッチング特有の形状を有していても，「第一の割り溝」部分がエッチングにより形成されたとはいえない。


したがって，この点に関する原告の主張は失当である。２争点(1)ア(ｲ)（構成要件Ｂの「第一の割り溝･･･と共に･･電極が形成できる平面を形成する」の充足性）について
〔原告の主張〕
(1)被告方法は，ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側に縦ストライプ部Ａ１，横ストライプ部Ａ２及び電極形成部Ａ３を含むｎ型半導体が露出した部分をエッチングにより形成しているから，構成要件Ｂを充足する。
(2)被告らの主張に対する反論
被告らは，別件分割出願に係る特許異議事件において提出された意見書（乙１５）の記載を引用し，ｎ電極形成工程と割り溝形成工程とは別工程となるのが技術常識であったから，被告方法においても，両工程が別工程であった可能性があると主張する。
しかし，上記意見書（乙１５）の記載は，エッチングにより割り溝の形成とｎ電極領域の形成とを一つの工程で実施することを提案する前の事情を説明するものにすぎず，本件発明が公開され，エッチングにより割り溝の形成とｎ電極領域の形成とを一つの工程で実施する技術が公知となった以上，それ以前の技術に関する乙１５の記載は，被告らの主張を裏付けるものとはなり得ない。
〔被告らの主張〕
前記争点(1)ア(ｱ)〔被告らの主張〕において主張したように，被告方法の工程としては，まず，選択成長により「第一の割り溝」が形成され，その後，ｎ電極形成面を形成するに当たってエッチングしている可能性がある。その場合，被告方法は，構成要件Ｂの第一の割り溝とｎ電極領域の形成工程を「共に」に行っていることにはならない。
また，割り溝の形成工程と電極形成領域の形成工程とは，別個に行うのが技術常識であった。この点に関しては，原告が別件分割出願に係る特許異議事件において提出した意見書（乙１５）においても，一般にウエハーの切断とｎ電極領域の形成とは別工程で行われる旨が述べられていることからも明らかである。
３争点(1)ア(ｳ)（構成要件Ｂの「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」の充足性）について
〔原告の主張〕
(1)構成要件Ｂの「第一の割り溝の一部に」とは，「第一の割り溝の（全部ではなく）一部の領域に」電極が形成できる平面を形成することを意味するものである。
そして，被告方法は，線状に形成された縦ストライプ部Ａ１及び横ストライプ部Ａ２の一部領域に，略円弧状の電極形成部Ａ３を形成しているから，「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」ものといえ，構成要件Ｂを充足する。
(2)被告の主張に対する反論
被告らは，線状にエッチングされた部分の内側に完全に取り込まれるような位置に電極形成平面が形成される場合でなければ構成要件Ｂを充足しない旨主張する。
しかし，本件明細書等における唯一の実施例である段落【００１６】及び【図４】のように，線状にエッチングされた部分に対し「水平方向にみて別の平面」として電極形成平面を形成する場合が含まれるように解釈されるべきであるし，また，「一部に」との語の通常の用法からみて上記位置関係が含まれないとする合理的理由はない。被告の主張では，段落【００１６】及び【図４】に記載された位置関係が含まれなくなるので，誤りである。
〔被告らの主張〕
構成要件Ｂにおいては，「線状」に形成された「第一の割り溝」の「一部」に電極が形成できる平面を形成することが要求されている。しかるに，原告の主張する被告方法において，線状に形成された縦ストライプ部Ａ１及び横ストライプ部Ａ２には電極が形成できる平面は形成されていない。この点に関して原告は，被告方法における電極形成部Ａ３も「第一の割り溝」に含まれると主張する。
しかし，「第一の割り溝」はチップの形状を決定するものであるから，電極形成部Ａ３のような半弧状部分を含まない形状である。仮に，原告が主張するように，「第一の割り溝」に半弧状部分を含むとすると，「第二の割り溝」は「第一の割り溝の線と合致する位置で」形成されなければならない以上，「第二の割り溝」も半弧状部分が含まれるように形成されなければならないが，原告の主張する被告方法の「断面Ｖ字状変質部Ｂ１及びＢ２」には半弧状部分は形成されておらず，これを充足しないことになる。したがって，被告方法は構成要件Ｂを充足しない。
４争点(1)イ（構成要件Ｃ及びＤの「第二の割り溝」の充足性）について
〔原告の主張〕
(1)構成要件Ｃの充足性
被告方法は，ウエハーのサファイア基板側に，レーザースクライブによって，縦及び横に線状に延びた断面Ｖ字形状の変質部分(以下「断面Ｖ字状変質部」という。)Ｂ１及びＢ２を形成する。この形成箇所は，半導体層側に形成された縦ストライプ部Ａ１及び横ストライプ部Ａ２の位置にほぼ対応している。また，断面Ｖ字状変質部Ｂ１及びＢ２の線幅は，縦及び横ストライプ部Ａ１及びＡ２よりも細い。
断面Ｖ字状変質部形成後にウエハーを半
導体層側から見た一部平面図断面Ｖ字状変質部形成後
のウエハーのD－D断面図
（電極省略）
ところで，被告方法では，レーザースクライブ（ＬＭＡ法）により切り込みを形成している。レーザースクライブは，ダイヤモンド針等によるスクライブとは異なり，サファイア基板に物理的に傷を入れるわけではない。しかしながら，レーザー光の照射によって，もともとサファイア基板を構成していた単結晶サファイアが変質し，多結晶化した変質部がＶ字状に形成される（甲２０の図３及び図４（１３８頁））。すなわち，その変質部においては，もともと存在した単結晶サファイアは存在しなくなったのであるから，単結晶サファイアで構成されるサファイア基板に，単結晶サファイアの存在しない部分，すなわち「溝」が形成されたといえる。
したがって，被告方法は構成要件Ｃを充足する。
(2)構成要件Ｄの充足性
被告方法は，ウエハーに外力を加えて，半導体層側に形成されたストライプ部とサファイア基板側に形成された切り込み（変質部）に沿って割ること
横ストラ
イプ部A2
横変質部
B2
上端から
の距離
EE
DD
縦変質部B1
横変質部B2
によって，青色ＬＥＤチップに分割，個片化する工程を有するから，構成要件Ｄを充足する。
〔被告らの主張〕


本件明細書等の記載からすると，本件発明でいう「第二の割り溝」は，サファイア基板を「削り取る」ことにより形成されたものでなければならない。また，「溝」という用語の一般的な意味としても，物理的に「掘られている」ことが前提となっている。
これに対し，ＬＭＡ法の場合，サファイア基板にレーザーを照射しても，照射された部分は，単に融解改質によって変質領域となるにすぎず，「消失」することはない。このように，サファイア基板を「削り取る」ことや「掘る」ことをしていない以上，「第二の割り溝」は形成されていない。また，原告提出の証拠によっても，被告ＬＥＤのサファイア基板につき，切り込み（変質部）が存在するように見えない。
したがって，被告方法は，構成要件Ｃ及びＤを充足しない。５争点(2)（構成要件Ｃ及びＤ「第二の割り溝」についての均等侵害の成否）
について
〔原告の主張〕
(1)仮に，被告方法が「第二の割り溝」の構成を備えていると認められないとしても，被告方法は，ウエハーのサファイア基板側に，縦及び横の「線状の変質部」を形成する。そして，以下のとおり，この「線状の変質部」は，本件発明の「第二の割り溝」と均等なものとして，その技術的範囲に属する。
(2)第１要件（非本質的部分）
ア本件発明の窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法では，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーにおいて，半導体層側から第一の割り溝を形成し，サファイア基板側からスクライバーなどによって第二の割り溝を形成し，第一の割り溝と第二の割り溝に沿ってウエハーを割ることでチップ分離を行うが，その重要な特徴は，第一の割り溝を電極形成平面と同時にエッチングによって形成し，第一の割り溝の線幅Ｗ１を第二の割り溝の線幅Ｗ２よりも大きくしておく点にある。すなわち，本件発明の本質的部分は，半導体層側に第一の割り溝を電極形成平面と同時にエッチングにより形成する点と，半導体層側に形成される第一の割り溝の線幅を，サファイア基板側に形成される第二の割り溝の線幅よりも大きくしておくという線幅の点にあるといえる。これに対し，被告方法は，サファイア基板側に形成される第二の割り溝につき，ダイヤモンドスクライバー等による物理的スクライブに代えてレーザー光の照射によるレーザースクライブを行うに当たり，物理的スクライブにおいて形成される「割り溝」が，レーザースクライブにおいて形成される「線状の変質部」に置換されたというだけにすぎないから，上記本質的部分に何ら変更を加えるものでない。
したがって，被告方法は第１要件を充足する。
イ被告らの主張に対する反論
被告らは，本件発明の課題はレーザースクライブには存在しない旨主張する。
しかし，本件発明の具体的な課題は，サファイアを基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し，切断面が斜めに曲がり，ｐ－ｎ接合界面まで切断されてチップ不良が出るという点を解決することにあるところ（本件明細書等の段落【００１０】，【００１２】参照），当該課題は，ダイヤモンドスクライバー等による物理的スクライブであれ，ＬＭＡ法のレーザースクライブであれ，スクライビングにおけるブレーキング工程においては等しく生じるものである。また，ＬＭＡ法のレーザースクライブの場合であっても，切断面が斜めに曲がる危険性はある。したがって，被告らの上記主張は失当である。
(3)第２要件（置換可能性）
物理的スクライブに代えてレーザースクライブを行うに当たり，本件発明の「割り溝」との構成を「線状の変質部」に置換したとしても，レーザースクライブにおける「線状の変質部」が，スクライビングにおけるブレーキングの起点として機能することは，物理的スクライブにおける「割り溝」の場合と全く異ならないから，「サファイアを基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し，切断面のクラック，チッピングの発生を防止し，歩留良く，所望の形状，サイズを得るチップの製造方法を提供すること」（本件明細書等の段落【０００６】）等という，本件発明の目的及び作用効果は達成される。
したがって，被告方法は第２要件を充足する。
(4)第３要件（置換容易性）
レーザースクライブが，従来の物理的スクライブの置換技術として発展してきたことに照らせば，被告チップが製造された当時，物理的スクライブに代えてレーザースクライブを行い，それに伴い，本件発明の「割り溝」を「線状の変質部」に置換することは，当業者にとって容易に想到し得ることであった。
したがって，被告方法は第３要件を充足する。
(5)第４要件（被告方法の公知技術との同一性または容易推考性）及び第５要
件（意識的除外等の特段の事情）
被告方法の構成が，本件特許出願時において当業者が公知技術から容易に想到し得るものであったはずはない。また，出願手続において，本件発明の第二の「割り溝」を，「線状の変質部」に置換した技術を意識的に除外したなどの事情も存在しない。
したがって，被告方法は第４及び第５要件を充足する。
〔被告らの主張〕
以下のとおり，原告の均等の主張は成り立たない。
(1)第１要件（非本質的部分）
ア本件発明における課題は，「切断面にクラックやチッピングが多数発生し，しかもサファイア基板上の窒化物半導体層に加わるダメージも極めて大きい」ということ，及び，「クラックやチッピングはなお残っており，またスクライブの際に窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が傷む」ということであるが，このような課題が生じるのは，従来技術のダイサーでのダイシング及びスクライバーによるスクライビングが「接触型」というものであったことに起因する。このような課題を解決するための本件発明においては，クラックやチッピングを生じ得る「第二の割り溝」が形成されることも本質的なものであるといえる。
これに対し，レーザースクライビングは，「非接触」であるため，「クラックやチッピング」は生ぜず，「窒化物半導体の結晶性を傷め」ることもない。
イまた，本件発明では，ウエハーをチップにブレーキング（分割）する際，「斜めになって割れ」てしまうという課題があるのに対し，ＬＭＡ法のレーザースクライビングでは，ほぼ垂直に分割されることから，このような課題は存在しない。
ウ以上のとおり，ＬＭＡ法によるレーザースクライビングでは，本件発明の課題が存在しないのであるから，本件発明の本質的部分を用いていない。そうすると，本件発明と被告方法とは本質的部分において異なるから，被告方法は第１要件を充足しない。
(2)第２要件（置換可能性）


上記(1)で主張したとおり，ＬＭＡ法のレーザースクライビングでは，本件発明の課題が存在しないから，「サファイアを基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し，切断面のクラック，チッピングの発生を防止し，歩留良く，所望の形状，サイズを得るチップの製造方法を提供することにある。」という，本件発明の作用効果は存在しない。したがって，被告方法は第２要件を充足しない。
(3)第３要件（置換容易性）
原告の引用する「ＬＥＤ革新のための最新技術と展望」と題する文献（甲２０）の「１－１スクライビングのレーザー応用化」において，レーザースクライブについて「まだ，『高生産性』と『光量損失無し』を同時に提供できる技術の確立には至っていない」（１３３～１３４頁）と記載されていることなどからすると，被告チップの製造時に物理的スクライブをレーザースクライブに「置換することが容易」であったとはいえない。したがって，被告方法は第３要件を充足しない。
６争点(3)ア（乙２公報に基づく新規性ないし進歩性欠如）について
〔被告らの主張〕
(1)乙２公報に基づく新規性欠如
ア本件特許出願日（平成５年１１月６日）前の平成５年５月２５日に頒布された乙２公報に開示された発明（以下「乙２発明」という。）と本件発明とを対比すると，次の点で一致する。
（一致点）
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状に形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極
が形成できる平面を形成する工程と，
前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第
二の割り溝を形成する工程と，
前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーを
チップ状に分離する工程とを具備する
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。イ本件発明と乙２発明とでは，本件発明においては，第一の割り溝をエッチングにより形成するのに対し，乙２発明においては，第一の割り溝に相当する切れ込みをダイシングにより形成する点で，一応相違する可能性がある。
しかし，乙２公報においては，ダイシングにより形成する上記切れ込みに第２の電極８のＡ１層８ａが形成されている。この点，乙２公報においては，他の実施例において，ｎ層４に接続する第２の電極８のＡｌ層８ａを形成するための「凹部２１」について，反応性イオンエッチングにより形成している。そうすると，乙２発明において，第２の電極８のＡｌ層８ａが形成される「切り込み」を，ダイシングにより形成するのではなく，反応性イオンエッチングにより形成することも，乙２公報に記載されているに等しいといえる。
したがって，上記の相違する可能性がある点については，相違点ではなく，実質的には乙２公報に記載されている事項であるから，本件発明と乙２発明とは同一である。
ウそうすると，本件発明は，乙２公報に記載の発明と同一であるから，特許法２９条１項３号の規定により特許を受けることができず，同法１２３条１項２号の規定により無効にされるべきである。
(2)乙２公報に基づく進歩性欠如
ア仮に，上記(1)イの点が相違点であるとしても，乙２公報においては，他の実施例として，ｎ層４に接続する第２の電極８のＡｌ層８ａを形成するための「凹部２１」を，反応性イオンエッチングにより形成しているから，乙２発明において，第２の電極８のＡｌ層８ａが形成される「切り込み」を，ダイシングにより形成するのではなく，反応性イオンエッチングにより形成することは，当業者にとって極めて容易である。イまた，仮に，本件発明の構成要件Ｄにおける「分離」と，乙２発明における「ダイシング」による「切断」とが相違点であるとしても，本件特許出願当時，半導体素子において，基板側に細い溝を形成してチップを分離するということは，特開昭６２－１０５４４６号公報（乙４。以下「乙４公報」という。），特開昭５３－１１５１９１号公報（乙５。以下「乙５公報」という。）に記載されるように周知技術であるから，乙２発明において，サファイア基板側に細い溝を形成して，チップを分離することは極めて容易である。
ウしたがって，本件発明は，乙２発明及び周知技術等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができず，同法１２３条１項２号の規定により無効にされるべきである。
〔原告の主張〕
(1)本件発明の構成要件Ｂ，Ｃ及びＤに関し，乙２発明との相違点は以下のとおりであり，被告らの主張する相違点は誤っている。
（相違点１）（構成要件Ｂ関係）
本件発明では，第一の割り溝をエッチングにより線状に形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる「平面」を形成するのに対し，乙２発明では，第一の割り溝をダイシングにより線状に形成し，半導体層の側面をそこに電極が形成できるように露出させる点
（相違点２）（構成要件Ｃ，Ｄ関係）
本件発明では，ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成し，前記第一の割り溝および第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離するのに対し，乙２発明では，第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝よりも幅の狭いダイ
シングブレードによって切断する点
(2)上記相違点１に関して，被告らは，乙２公報の図１２（ｂ）におけるダイシングによる切り込みと，エッチングによる凹部２１のいずれにも電極８が形成されていることを理由に，図１２（ｂ）の切り込みをエッチングで形成することが開示されているに等しいと主張する。しかしながら，凹部２１は電極の形成のみを目的とし，深さもわずかであるのに対し，図１２（ｂ）における切り込みはチップを切断する工程の一部であり，深さも深いから，乙２公報に，切り込みをエッチングにより形成することが記載されているとはいえない。また，乙２公報のダイシングによる切り込みをエッチングにより形成したとしても，半導体層の側面が露出するだけで電極が形成できる「平面」は形成されない。
したがって，相違点１は，乙２発明の凹部２１の記載に基づき当業者が容易に想到しえないものである。


上記相違点２について，被告らは相違点ではない旨主張するが，乙２公報にはサファイア基板側からダイサーによるカットをすることは開示されていない。それを措いても，乙２公報の段落【００３５】の記載からすると，ダイサーによる２回目のカットによって，１回目のダイシングにより切り込みが形成された部分（電極を含む）を一段階で切断している。２回目のカットにより図１３（ｄ）に示す状態を得ることは技術的に不可能であるし，仮に得られるとしても，切り込みが形成された部分ではウエハーが完全に分離されてしまうので「割り溝」とは呼べない。
また，被告らは，基板側に細い溝を形成してチップを分離することは乙４ないし６の各公報に照らして周知技術であるから，乙２発明においてサファイア基板側に細い溝を形成してチップを分離することは極めて容易であると主張する。
しかし，乙２公報に記載されたダイシングブレードで切断するのは，ハーフダイスによる切り込み部に形成された電極８と残存しているサファイア基板１の両方である。ダイサーはブレードで削るため，金属である電極８を切断することができるが，乙４ないし６の文献で開示されるスクライバーでは，展延性のある金属を割ることができない。したがって，乙２発明におけるダイシングブレードによる切断をスクライバーによる分離に置換することには阻害要因があり，相違点２は当業者にとって容易想到とはいえない。(3)以上のとおり，本件特許には，乙２文献に基づく新規性欠如及び進歩性欠如の無効理由は存しない。
７争点(3)イ（乙３公報に基づく進歩性欠如）について
〔被告らの主張〕
(1)本件特許出願日（平成５年１１月６日）前の平成５年８月６日に頒布された乙３公報に開示された発明（以下「乙３発明」という。）と，本件発明とを対比すると以下の相違点において相違し，その余については一致する。
（相違点）
本件発明では，第二の割り溝をウエハーのサファイア基板側から形成する工程を具備するのに対し，乙３発明では，かかる工程があるか
不明である点
(2)上記相違点に関しては，本件特許出願時において，基板上に半導体を形成したウエハーについて，ウエハー側から幅広の溝を形成し，基板側から細い幅の切れ込みを形成して，チップをカットすることは，乙４公報及び乙５公報に開示されるように周知慣用技術であった。
そして，窒化ガリウム系化合物半導体発光素子においても，乙６公報に開示されるように，ウエハーの基板側からスクライブすることは行われていた。そうすると，エッチング部に沿ってウエハーをチップ状にカットする工程を有する乙３発明において，ウエハーの半導体層側に形成された溝に一致させるように，基板側に細い溝を形成してチップを分離するという乙４公報及び乙５公報に開示された周知技術を適用し，サファイア基板側に溝を形成して，チップを分離することは極めて容易である。
したがって，本件発明は，乙３発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができず，同法１２３条１項２号の規定により無効にされるべきである。
(3)原告の主張に対する反論
ア原告は，乙３公報につき，ｎ電極を形成するエッチングの際に，ペレットチェックのためにｐ型層を島状にエッチングしておくことは開示されているが，それ以外のｐ層のエッチングは開示されていないと主張する。しかし，乙３公報には，ｐ型層３上にＳｉＯ２膜を形成しパターニングしたうえで，ｐ型層３をドライエッチングすることが記載されている。そして，乙３公報の【図９】の状態のウエハーをダイシングにより分離して【図２】及び【図１】の状態の発光素子とするためには，ダイシング（フルカット）するのであれば，エッチングされた部分を通るようにダイシングする必要がある。したがって，ウエハーから青色発光素子を得る工程が記載された乙３公報に接した当業者は，当然【図９】において，エッチングされた部分を通るようにダイシングすると理解する。したがって，原告の上記主張は失当である。
イまた，原告は，乙３発明に乙６公報に開示された技術を組み合わせても，エッチングによって半導体層側に形成した第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも基盤側に形成した第二の割り溝の線幅Ｗ２を細くすることは導かれないと主張する。
しかし，乙３発明に乙６公報に開示された技術を組み合わせた場合，スクライブの幅が非常に細くなることは自明である。これに加えて，乙３発明のエッチング部分の幅とスクライブの幅との関係については，特開昭５８－６０５５８号公報（乙２２。以下「乙２２公報」という。），特開平２－１４４９３２号公報（乙２３。以下「乙２３公報」という。），特開昭６２－１４４４１号公報（乙２４。以下「乙２４公報」という。）等に，十分な広さをもってスクライブライン（乙３発明のエッチング部分に相当する）を形成することが開示されているように，分割時のダメージが及ばないようスクライブラインにある程度の幅を持たせることも当然のことであるから，スクライブの幅の方がエッチング部分の幅よりも狭いことは明らかである。
したがって，原告の上記主張も失当である。
〔原告の主張〕
(1)乙３公報には，ｎ電極を形成するエッチングの際に，ペレットチェックのためにｐ型層を島状にエッチングしておくことと，ペレットチェック後にウエハーをダイシングによって切断してチップ化することが開示されるにすぎず，ダイシング部分の詳細やチップ化工程について教示するものではない。乙３公報の図１の線状部分はｐ型層をエッチングしたものであるが，ｐ型層をエッチングした線状部分をダイシングソーでカットしていることの開示はない。仮に，【図１】，【図２】の外周線がダイサーによるダイシングの境界線と解したとしても，境界線の外側にあるダイシング部分のダイシング前の構造がどうなっているのかは不明であり，ダイシングされる部分がエッチングされている必然性はない。【図９】も，せいぜい周期的に配列されたチップをダイサーで分離するという抽象的な方法を当業者に理解させる程度のものであり，ダイシング部分の詳細を示すものではない。そうすると，被告らの主張とは異なり，乙３発明と本件発明との相違点は次のとおりとなる。
（相違点１）（構成要件Ｂ関係）
本件発明が，ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成するのに対して，乙３発明では，ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側からｐ型層を所望のチップ形状にエッチングしたに過ぎず，ウエハーを切断する部分にエッチングによる「第一の割り溝」を形成することが開示されていない点。
（相違点２）（構成要件Ｃ・Ｄ関係）


本件発明では，ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成し，前記第一の割り溝および第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離するのに対し，乙３発明では，ダイシングソーでウエハーをチップ状に切断する点。
(2)容易想到性
ア本件発明は，相違点１及び２が密接に関連することにより低コストで歩留りよくチップ化できるという効果を奏するものであるから，それら相互の関係を考慮して容易想到性の判断をする必要がある。そして，乙４公報及び乙５公報はＧａＡｓ系やＧａＰ系ウエハーのチップ化に関する技術を開示するものであるところ，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーでは，サファイアが極めて硬い物質であり，へき開性を有しないため，ＧａＡｓ系やＧａＰ系ウエハーにおけるダイシングやスクライブの技術を適用することはできなかったのであるから，そもそも乙４公報及び乙５公報で開示された技術を，乙３発明に組み合わせる動機がない。仮に組み合わせても，乙４公報及び乙５公報で開示されるように，半導体層側からダイシングによるハーフダイスを行い，基板側からスクライブを行うことになるので，半導体層からの割り溝をエッチングにより形成することという相違点１に係る構成は導かれない。また，乙４公報及び乙５公報は，半導体層側にダイシングにより形成した割り溝の線幅Ｗ１が，基板側からスクライバーで形成した割り溝の線幅Ｗ２よりも太いことは開示する。しかし，それは，通常，ダイサーの刃幅がスクライバーの線幅よりも太いことによる必然的な結果を図に示したにすぎず，幅を任意に制御できるエッチングによって割り溝を形成する場合に，その幅をどのように設定するかは何ら教示していない。
したがって，乙３発明に乙４公報及び乙５公報で開示される技術を組み合わせたとしても，上記相違点１及び２は容易に想到しえない。イまた，乙６公報はスクライブによる割り溝を開示するのみであるので，これを乙３発明と組み合わせても，半導体層側からの割り溝を「エッチング」により形成すること（相違点１）が導かれない。乙６公報にはウエハーの基板側からスクライブする方法が開示されているが，半導体層からのスクライブや半導体層及び基板側の双方からのスクライブが好ましい例とされているので，不利な基板側からのスクライブを選択する動機はない。仮に選択したとしても，乙３公報においてウエハー切断部分のｐ型層がエッチングされているか不明であるから，やはり，上記の構成は導かれない。また，乙６公報には，第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも第二の割り溝の線幅Ｗ２が細いことの開示（相違点２）もない。被告は，乙３公報の【図１】，【図２】においてｐ型層の周囲にｎ型層が線状に露出している以上，エッチングによる溝（第一の割り溝）の幅Ｗ１よりも，ダイシングによってカットする際に形成される溝（第二の割り溝）Ｗ２の幅が必然的に狭くなる旨主張するが，ｐ型層の面積を無駄なく確保する（すなわち，発光に寄与しないエッチング領域を広くしない）という乙３公報の教示に従うと，乙３発明に乙６公報で開示されたスクライブを組み合わせた場合には，エッチング領域を狭く（細く）するはずであるから，被告らの上記主張は成り立たない。
ウさらに，被告は，相違点２について，乙３公報の「ダイシングソーでカット」という記載に接した当業者は，ダイシングソーでハーフカットして外力で割ることも当然のこととして理解する旨主張する。しかし，この点に関しては，ブレーキング工程の記載がない以上，フルカットによる切断と理解すべきである。また，乙３公報にはサファイア基板側からハーフカットを形成することの記載もない。さらに，乙３公報には，第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも細い第二の割り溝の線幅Ｗ２が記載されていない以上，相違点２は乙３発明と本件発明との相違点である。(3)以上のとおり，本件特許には，乙３公報に基づく進歩性欠如の無効理由は存しない。
８争点(3)ウ（本件補正における新規事項追加の有無）について
〔被告らの主張〕
(1)原告が，平成９年１０月２０日付け手続補正書（乙７）において，第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると「共に」（①），第一の割り溝の「一部」（②）に電極が形成できる平面を形成する工程とした補正は，新規事項の追加に当たる。
(2)すなわち，まず，上記①（以下「新規事項①」という。）について，本件特許出願時における明細書（乙８。以下「当初明細書」という。）には，線状の第一の割り溝を形成するという工程の後に，「さらに」（段落【００１６】），ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状とすることが記載されているにすぎず，「共に」の記載はない。線状部分と半弧状の切り欠き部分を別個に形成するのが技術常識である（乙１５〔別件分割出願に係る特許の異議事件における原告の意見書〕）から，原告の主張は失当である。(3)また，上記②（以下「新規事項②」という。）について，当初明細書（乙８）には，第一の割り溝ではない，ｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することが記載されているにすぎず（段落【００１６】），電極が形成できる平面が「第一の割り溝の一部」に形成される点の記載はない。
このように，本件特許の請求項１に記載されている事項は，平成９年１０月２０日付手続補正書（乙７）により新たに加えられた新規事項であるため，本件特許出願は特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないものであり，特許法１２３条１項１号の規定により無効にされるべきである。
〔原告の主張〕
(1)被告らの主張する新規事項①について
当初明細書の【図４】，段落【０００８】，【００１２】及び【００１６】の記載を参酌すれば，半弧状の切り欠き部分を，エッチングされる幅Ｗ１の線状部分とは別の工程で取り除くと当業者が理解することはおよそあり得ない。段落【００１６】は，割り溝の形状を示すと同時にチップの形状も示していると記載するように，割り溝の形状と半弧状の切り欠き部分を別個に，記載の順序に形成することを説明するものではない，このように，同段落の「さらに」は，単なる付加を意味し，別工程を意味するものではない。
(2)被告らの主張する新規事項②について


「第一の割り溝の一部に」の意義は，「第一の割り溝の（全部ではなく）一部の領域に」電極が形成できる平面を形成するということである。したがって，当初明細書の段落【００１６】及び【図４】に記載されているように，線状の第一の割り溝とは別の平面として電極形成平面を形成することも「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」ことに該当する。(3)以上のとおり，上記の事項はいずれも当初明細書に記載された事項であり，新たな技術事項を導入するものではないから，新規事項の追加に関する被告らの主張は失当である。
９争点(3)エ（乙６公報及び乙３公報に基づく進歩性欠如）について
〔被告らの主張〕
(1)本件特許の出願日より前の平成５年７月２日に頒布された乙６公報に開示された発明（以下「乙６発明」という。）と本件発明とを対比すると，以下の相違点１及び２において相違し，その余については一致する。
（相違点１）
本件発明では，第一の割り溝をエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程であるのに対し，乙６発明では，第一の割り溝に相当する切れ込みをスクライブにより形成しており，また，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を
形成するか否かが不明である点
（相違点２）
本件発明では，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成しているが，乙６発明においては，線幅
の大小関係が明らかではない点
(2)容易想到性
ア相違点１について
第一の割り溝をエッチングにより形成することは特開昭６２－２７２５８３公報（乙１１。以下「乙１１公報」という。）及び乙３公報に記載されるように周知である。また，乙６公報のようなサファイア基板を用いたＧａＮ系ＬＥＤについて，ｎ側の電極形成面をエッチングで形成することも特開平３－２１８６２５号公報（乙１２。以下「乙１２公報」という。）及び乙１３の文献に記載されるように周知である。そうすると，乙６発明において，第一の割り溝とｎ側の電極形成面を同時にエッチングで行っている乙３公報を適用することは容易想到である。
イ相違点２について
乙６発明に，乙３公報記載のエッチングにより第一の割り溝を形成するとともにｎ電極面を形成するという技術を適用すれば，乙３公報の【図９】，【図１】，【図２】から，エッチングで形成した第１の割り溝よりも第２の割り溝の方が細いことになる。加えて，ウエハーの素子構造側の割り溝よりもウエハー側の割り溝の線幅を細くしたものは，乙４公報及び乙５公報に記載されているように周知である。
(3)原告の主張に対する反論
この点に関して原告は，乙６発明に乙３公報で開示された技術を適用した場合において，スクライブライン（本件発明のエッチングによる第一の割り溝に相当する。）をスクライブの幅よりも広く設定する動機がない旨主張するが，争点(3)イについて主張したとおり，スクライブラインを十分な広さをもって形成することは乙２２ないし２４の各公報に記載されるように技術常識であるから，エッチングによる溝幅をスクライブの溝幅よりも広くする動機があることは明らかである。
また，原告は，乙６公報において同一のスクライバーが使用されているので，線幅も同一であると主張する。
しかし，サファイア基板とＧａＮ層ではその硬度が異なるため，同一のスクライバーを用いたとしても，スクライブ溝の線幅が同一となるとは限らない。
(4)以上のとおり，本件発明は，乙６発明，乙３発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができず，特許法１２３条１項２号の規定により無効にされるべきである。
〔原告の主張〕
(1)乙６公報では，ＧａＮ層側とサファイア基盤側の両方にスクライブラインを形成して，ウエハーをチップ状に分離する方法が記載されているが，両側で同一のスクライバーを用いているので，線幅は同一と理解される。また，乙６公報には，エッチングにより半導体層側に電極形成平面を形成する点の開示はない。
したがって，本件発明と乙６発明との相違点は次のとおりとなる。
（相違点１）
本件発明が，第一の割り溝をエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成するのに対して，乙６発明では，第一の割り溝をスクライバーにより形成しており，それと共に電極が形成できる平面を形成することが開示されていない点
（相違点２）
本件発明が，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成するのに対し，乙６発明では，第一の割
り溝の線幅と第二の割り溝の線幅とが同一である点
(2)容易想到性について
争点(3)イで主張したのと同様に，相違点１及び２については，互いに関連して低コストかつ歩留りのよいチップ化が可能となるので，それらの関係を考慮して判断する必要がある。そして，乙３公報には，ｎ電極を形成するエッチングの際に，ペレットチェックのためにｐ型層を島状にエッチングしておくことと，ペレットチェック後にウエハーをダイシングによって切断してチップ化することが開示されているにすぎず，エッチングにより半導体層側に第一の割り溝を形成することや第一の割り溝の線幅については何ら教示がない。
したがって，乙６発明に乙３公報で開示された技術を適用したとしても，相違点１の構成を導くことはできない。
また，乙６発明に乙１１公報で開示された技術を適用しても，乙６公報に開示された溝の形成方法がスクライバーからエッチングに変わるだけであり，第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも第二の割り溝の線幅Ｗ２の方が細いという関係を導くことはできない。
この点に関して被告は，乙６発明に乙３公報記載の技術を適用すれば，Ｗ１よりもＷ２が細くなることが明らかである旨主張する。しかし，乙３公報のエッチング溝の線幅はダイシングのカット幅よりも大きくするため幅が設定されているから，ダイシングに代えて乙６公報のスクライブを採用した場合にまでその線幅が維持される必然性はなく，よって，Ｗ１よりもＷ２が細くなることを導くためには積極的な動機が必要である。被告は，乙４公報及び乙５公報にＷ１よりもＷ２が細くなることが開示されている旨主張するが，ダイサーの刃幅がスクライバーによる割り溝の線幅より太いことに伴う必然的な結果にすぎず，幅を任意に制御できるエッチングによって割り溝を形成する場合の幅をどうするかについて何ら教示しない。


また，被告らは，スクライブラインを十分な広さをもって形成することは技術常識である（乙２２ないし２４の各公報）から，エッチングによる溝幅をスクライブの溝幅よりも広くする動機付けがあることは明らかである旨主張する。
しかし，乙２２ないし２４の各公報は，分割手段が直接当たる領域にチップの動作領域が存在しないようにする技術であり，本件発明のように，スクライバー等が基板裏面から当たる場合に，それと逆側の半導体層において広い線幅の割り溝を形成する技術とは異なる。
(3)以上のとおり，本件特許には，乙６文献及び乙３公報に基づく進歩性欠如の無効理由は存しない。
１０争点(4)（損害発生の有無及びその額）について
〔原告の主張〕
(1)特許法１０２条２項の損害について
ア本件特許の登録日である平成１０年５月１５日から現在までの被告Ｅ＆Ｅによる被告ＬＥＤの売上げの合計は，１８０万円を下らない。原告は，特許法１０２条２項に基づき，被告らがその侵害行為により利益を受けているときは，その利益の額について自己が受けた損害の額として賠償を請求することができるところ，本件について被告Ｅ＆Ｅが受けている利益は被告ＬＥＤの販売額の１０％に当たる１８万円を下らず，原告は，被告Ｅ＆Ｅに対し，特許権侵害の不法行為に基づく同額の損害賠償請求権を有する。
イ本件特許の登録日である平成１０年５月１５日から現在までの被告立花による被告ＬＥＤの売上げの合計は６０万円を下らず，本件について被告立花が受けている利益は，販売額の１０％に当たる６万円を下らない。したがって，原告は，被告立花に対し，同額の損害賠償請求権を有する。そして，被告立花は被告Ｅ＆Ｅから被告ＬＥＤを仕入れてこれを販売しているから，被告立花による被告ＬＥＤの販売によって原告が被った損害については，被告Ｅ＆Ｅは被告立花と連帯してこれを賠償する責任を負う。
ウなお，被告立花は，被告立花のイガラシに対するイ号ＬＥＤの販売について，原告がイガラシを介して購入したと主張するが，憶測にすぎない。また，侵害行為によって直ちに逸失利益が発生して損害が確定するので，被告立花がイ号ＬＥＤを回収するなどしても，発生した損害が消滅することはない。
(2)弁護士費用について
被告らの侵害行為によって原告は本件訴訟を提起することを余儀なくされたところ，本件訴訟はもっぱら被告らの責めにより審理が遅延し，これにより原告の弁護士費用が嵩んだことは明らかであり，被告らの負担すべき原告の弁護士費用は１００万円が相当である。
〔被告Ｅ＆Ｅの主張〕
(1)否認ないし争う。
ただし，被告Ｅ＆Ｅが被告ＬＥＤを販売等したことによって得た利益の額が１８万円であることは争わない。
(2)原告は訴訟の遅延によって弁護士費用が嵩んだ旨主張するが，訴訟の遅延は，原告の主張立証が不十分であることのほか，均等侵害の主張も提訴後１年以上経過した後であるなど，もっぱら原告の責任によるものであるから，原告の主張は失当である。
〔被告立花の主張〕
(1)損害については否認する。
被告立花は，平成２４年９月に，イガラシからイ号ＬＥＤ１０００個の発注を受け，その後，同社に対してこれを納品した。そうしたところ，同社は，被告立花から購入した上記イ号ＬＥＤ１０００個全部を原告に交付しているし，原告は，購入に関する被告立花とイガラシとの間のメールや納品書等も有している。このような事実からすると，イガラシが上記イ号ＬＥＤ１０００個を購入した動機は，原告が訴訟提起するための証拠集めであったといえる。
また，被告立花は，原告により本件特許権に係る権利侵害の警告がなされたことから，紛争を早期に解決するために，イガラシから１０３個のイ号ＬＥＤを回収した。回収できなかったイ号ＬＥＤについても，原告が保有しているか，分析のために消費した。
原告による損害賠償請求が認められるためには，被告立花の行為により原告に現実に損害が生じたこと，すなわち，特許権者の売上減少による逸失利益の発生が必要である。ところが，上記のとおり，被告立花によるイ号ＬＥＤの販売は，原告自身がイガラシを介して発注したことに基づくものであり，それらは被告立花が回収したか，原告が保有又は消費しており，第三者に販売されたものはない。
(2)したがって，原告には，売上減少による逸失利益たる損害は発生していない。
なお，被告立花が上記回収等を行わなかったとした場合，被告立花の受けた利益が販売額の１０％であることは争わない。
(3)原告は訴訟の遅延によって弁護士費用が嵩んだ旨主張するが，審理の遅延については，原告による訂正の対抗主張や均等侵害の主張の追加が大きく寄与しており，被告立花に責任はない。
１１争点(5)（弁済の抗弁の成否）について
〔被告らの主張〕
別件訴訟は，本件訴訟とは請求の基礎となる特許権は異なるが，侵害物件（イ号物件）は本件訴訟のイ号ＬＥＤである。
被告らは，別件訴訟において，特許法１０２条２項に関して，原告がイ号物件（本件のイ号ＬＥＤ）について原告の保有する９件の特許権を侵害すると主張していることなどを根拠として，推定される損害額のうち９５％相当額については推定が覆滅されるべきである旨主張した。しかしながら，別件判決では，被告らの上記主張は否定されており，本件発明を含む他の特許権の寄与は否定されたといえる。
そうしたところ，被告Ｅ＆Ｅは，平成２８年６月２１日，原告に対し，別件判決に基づく損害賠償金元金２５万５０００円に平成２６年４月２３日から年５％の金利２万７５９０円を付した合計２８万２５９０円を支払った。また，被告立花も，平成２８年６月２１日，原告に対し，別件判決に基づく損害賠償金元金１５万２０００円に平成２６年４月２３日から年５％の金利を付した合計１６万８４６６円を支払った。
以上のとおり，被告らは，別件訴訟に関し，本件訴訟のイ号ＬＥＤについての損害賠償債務を弁済しており，この損害賠償債務については本件特許権侵害に基づく損害賠償義務も評価されていることから，その弁済の範囲で本件の損害賠償債務も消滅した。
〔原告の主張〕
否認ないし争う。
第４当裁判所の判断


１本件発明の意義
(1)本件発明の内容
本件発明の特許請求の範囲の記載は，別添特許公報のとおりであるところ，本件明細書等には，以下の記載がある（【図２】及び【図３】については，別添特許公報を参照。なお，原文に   付された下線についてはこれを除いた。）。
ア発明の詳細な説明
・「【産業上の利用分野】
本発明は，青色，緑色あるいは赤色発光ダイオード，レーザーダイオード等の発光デバイスに使用される窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法に係り，特に，サファイア基板上に一般式ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X＜１，０≦Y＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体（以下，窒化物半導体と記載する。）が積層された窒化物半導体ウエハーをチップ状に切断する方法に関する。」（段落【０００１】）
・「【従来の技術】
一般に発光ダイオード，レーザダイオード等の発光デバイスにはステム上に発光源である半導体チップが設けられている。半導体チップを構成する材料として，例えば赤色，橙色，黄色，緑色ダイオードの場合ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＧａＰ等が知られており，また青色ダイオードであればＺｎＳｅ，ＩｎＡｌＧａＮ，ＳｉＣ等が知られている。」（段落【０００２】）
・「従来，半導体材料が積層されたウエハーから，発光デバイス用のチップに切り出す装置には一般にダイサー，またはスクライバーが使用されている。ダイサーとは一般にダイシングソーとも呼ばれ，刃先をダイヤモンドとするブレードの回転運動により，ウエハーを直接フルカットするか，または刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後（ハーフカット），外力によってウエハーを割る装置である。一方，スクライバーとは同じく先端をダイヤモンドとする針の往復直線運動によりウエハーに極めて細いスクライブライン（罫書線）を例えば碁盤目状に引いた後，外力によってウエハーを割る装置である。」（段落【０００３】）・「例えばＧａＰ，ＧａＡｓ等のせん亜鉛構造の結晶はへき開性が＜１１０＞方向にあるため，この性質を利用してスクライバーでこの方向にスクライブラインを入れることにより簡単にチップ状に破断できる。」
（段落【０００４】）
・「しかしながら，一般に窒化物半導体はサファイア基板の上に積層されるため，そのウエハーは六方晶系というサファイア結晶の性質上へき開性を有しておらず，スクライバーで切断することは困難であった。一方，ダイサーで切断する場合においても，窒化物半導体ウエハーは，前記したようにサファイアの上に窒化物半導体を積層したいわゆるヘテロエピタキシャル構造であり格子定数不整が大きく，また熱膨張率も異なるため，窒化物半導体がサファイア基板から剥がれやすいという問題があった。さらにサファイア，窒化物半導体両方ともモース硬度がほぼ９と非常に硬い物質であるため，切断面にクラック，チッピングが発生しやすくなり正確に切断することができなかった。」（段落【０００５】）
・「【発明が解決しようとする課題】
窒化物半導体の結晶性を傷めずに，ウエハーを正確にチップ状に分離することができれば，チップ形状を小さくでき，一枚のウエハーから多くのチップが得られるので生産性を向上させることができる。従って，本発明はこのような事情を鑑みてなされたもので，その目的とするところは，サファイアを基板とする窒化物半導体ウエハーをチップ状に分離するに際し，切断面のクラック，チッピングの発生を防止し，歩留良く，所望の形状，サイズを得るチップの製造方法を提供することにある。」
（段落【０００６】）
・「【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体チップの製造方法は，サファイア基板上に窒化物半導体を積層したウエハーから窒化物半導体チップを製造する方法を改良したものである。本発明の製造方法は，ウエハーの窒化物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程と，前記第一の割り溝，および前記第二の割り溝に沿って前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする。」（段落【０００７】）
・「本発明の製造方法において，第一の割り溝を形成するには，最も好ましくはウエットエッチング，ドライエッチング等のエッチングを用いる。なぜならエッチングが最も窒化物半導体表面，側面を傷めにくいからである。ドライエッチングであれば，例えば反応性イオンエッチング，イオンミリング，集束ビームエッチング，ＥＣＲエッチング等の手法を用いることができ，ウエットエッチングであれば，例えば硫酸とリン酸の混酸を用いることができる。但し，エッチングを行う前に，窒化物半導体表面に，所望のチップ形状となるように，所定の形状のマスクを形成することは言うまでもない。」（段落【０００８】）


・「次に，第二の割り溝をサファイア基板側に形成するには，エッチング，ダイシング，スクライブ等の手法を用いることができる。第二の割り溝はサファイア基板側に形成し，直接窒化物半導体層にダイサー，スクライバー等の刃先が触れることはないので，この工程では第二の割り溝を形成する手法は特に問わないが，その中でも特に好ましくはスクライブを用いる。なぜなら，スクライブは第二の割り溝の線幅を，第一の割り溝の線幅よりも狭くしやすく，また，エッチングに比べて迅速に割り溝を形成できる。さらに，ダイシングに比べて，ウエハー切断時にサファイア基板を削り取る面積が少なくて済むので，単一ウエハーから多くのチップが得られるという利点がある。」（段落【０００９】）・「また，第二の割り溝を形成する前に，サファイア基板側を研磨して薄くすることが好ましい。研磨後のサファイア基板の厚さは２００μｍ以下，さらに好ましくは１５０μｍ以下に調整することが望ましい。なぜなら，窒化物半導体ウエハーは，サファイア基板の厚さが通常３００～８００μｍ，その上に積層された窒化物半導体の厚さが多くとも数十μｍあり，そのほとんどがサファイア基板の厚さで占められている。しかも，前記したように窒化物半導体は格子定数，および熱膨張率の異なる材料の上に積層されているため，非常に切断しにくい性質を有している。サファイア基板の厚さが厚すぎると，後に第二の割り溝を形成してウエハーを分離する際，第一の割り溝と，第二の割り溝とを合致させた位置で割りにくくなる傾向にある。つまり，図１のａの破線に示すように，第一の割り溝線の中央線と，第二の割り溝線の中央線が一致した位置でウエハーをチップ状に分離できることが最も好ましいのであるが，ウエハーの厚みが厚すぎると，その位置が，同じく図１のｃの破線に示すように斜めになって割れ，ｐ－ｎ接合界面まで切断されて，目的としない形状でチップ化されやすい傾向にある。従って，サファイア基板を前記範囲内に研磨して薄くすることにより，前記割り溝の合致位置，つまり目的とするチップ形状で，ウエハーをさらに分離しやすくすることができる。基板の厚さの下限値は特に問わないが，あまり薄くすると研磨中にウエハー自体が割れ易くなるため，実用的な値としては５０μｍ以上が好ましい。」（段落【００１０】）
・「また基板を研磨して薄くする他に，図２に示すように，第二の割り溝２２をエッチング，ダイシング等の手法によって，サファイア基板１に深く形成することにより，部分的にサファイア基板１の厚さを薄くして，第一の割り溝１１との切断距離を短くしてもよい。」（段落【００１１】）
・「【作用】
本発明の製造方法の作用を図面を元に説明する。図１ないし図４は本発明の製造方法の一工程を説明する図である。図１はサファイア基板１の上にｎ型窒化物半導体層２（ｎ型層）と，ｐ型窒化物半導体層３（ｐ型層）とを積層したウエハーの模式断面図である。それらの窒化物半導体層側には所定のチップ形状になるように，第一の割り溝１１を線状に形成しており，さらに第一の割り溝１１の線幅より狭い線幅の第二の割り溝２２を，第一の割り溝１１の線の中央線と一致する位置で形成した状態を示している。但し，この図では，第一の割り溝はｐ型層３をエッチングして，ｎ型層２を露出するように形成しており，第二の割り溝はスクライブで形成している。図１に示すように，ウエハーは第一の割り溝１１と第二の割り溝２２の中央線が一致した点，つまり破線ａで示す位置でまっすぐに切断できることが最も好ましいが，仮に破線ｂで示すように切断線が曲がっても，第一の割り溝１１の線幅Ｗ１を，第二の割り溝２２の線幅Ｗ２よりも広く形成してあるため，切断位置がｐ－ｎ接合界面にまで及ばず，チップ不良がでることがない。」（段落【００１２】）
・「図２は第二の割り溝２２をエッチング，またはダイシングにより形成し，サファイア基板１をハーフカットした状態を示している。この図では第二の割り溝２２の深さを深くして，第一の割り溝との切断距離を短くすることにより，第一の割り溝の中央線と，第二の割り溝の中央線とが一致した位置でまっすぐに割ることができる。」（段落【００１３】）・「図３は第一の割り溝１１のエッチング深さを深くした状態を示しているが，この図も図２と同じく第一の割り溝１１と，第二の割り溝２２との切断距離を短くすることにより，割り溝が一致した位置でまっすぐに切断することができる。このように割り溝を深く形成してチップを分離する際には，割り溝１１の底部と，割り溝２２との底部との距離を２００μｍ以下として，サファイア基板１の厚さを薄くすることが好ましく，サファイア基板１の厚さを部分的に薄くすることにより，両割り溝が合致した位置でまっすぐ切断できる。なお，割り溝２２を深く形成するのは，サファイア基板を研磨した後（２００μｍ以上の厚さで研磨する場合）でも，研磨する前でもかまわないが，スクライブによってその深さを深くするのは困難である。」（段落【００１４】）
・「このように図２，図３では第一の割り溝１１の深さ，第二の割り溝２２の深さを深くすることにより，切断距離を短くしてまっすぐに割れるようにしているが，前述のようにサファイア基板１を研磨して，２００μｍ以下の厚さとすれば，図１のように第二の割り溝２２をスクライブで形成しただけでも，ほぼまっすぐに割ることができる。なお基板を研磨して２００μｍ以下に調整すれば，第二の割り溝の深さを深くする必要がないことはいうまでもない。」（段落【００１５】）・「図４は，図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であり，第一の割り溝１１の形状を示していると同時に，チップ形状も示している。この図では，ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして，第一の割り溝１１を形成し，さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており，この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができる。」（段落【００１６】）
・「このように，本発明の方法では，第一の割り溝１１の線幅Ｗ１を，第二の割り溝２２の線幅Ｗ２よりも広くしているので，仮に切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることがなく，一枚のウエハーから多数のチップを得ることができる。そして，さらに好ましくウエハーのサファイア基板を研磨するか，または第二の割り溝の深さを深くすることにより，所望とする切断位置で正確に分離することができる。」（段落【００１７】）
イ図面


(2)以上によれば，本件発明は，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体（以下「窒化物半導体」ということがある。）が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法に関する発明であって（段落【０００１】），従来技術では，半導体材料が積層されたウエハーからチップを切り出すには，ダイサーを使用して，ブレードの回転運動によりウエハーを直接フルカットするか，ハーフカットした上で外力によってウエハーを割り，あるいは，スクライバーを使用して，対象のへき開性を利用してスクライブラインを引いた後，外力によりウエハーを割る方法が用いられていたが（段落【０００３】，【０００４】），窒化物半導体はへき開性を有しないサファイア基板の上に積層されるため，スクライバーで切断するのが困難であり，また，ダイサーで切断する場合でも，窒化物半導体がサファイア基板からはがれやすく，サファイア基盤が硬いためクラック等が発生しやすいために正確に切断できないという課題があったことから（段落【０００５】），本件発明においては，ウエハーの半導体層から第一の割り溝を線幅Ｗ１として（これとともに，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面をも）エッチングにより形成する工程と，サファイア基盤側に第一の割り溝の線と合致する位置に第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも狭い線幅Ｗ２の第二の割り溝を形成する工程と，それらの割り溝に沿ってウエハーを分離する工程を具備することにより（段落【０００７】），クラック等の発生を防止するとともに，ウエハーをまっすぐに割ることが可能となるか，切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることがなく，一枚のウエハーから多数のチップを得ることができるという効果を奏する発明であると認められる（段落【０００６】，【００１２】ないし【００１７】）。
２被告チップについて
証拠（甲６，７，１７，１８〔枝番省略〕）及び弁論の全趣旨によれば，被告チップについて次のとおり認められる。
(1)イ号チップの形状等（甲６，１７，１８）
ア半導体層側
イ号チップは，模式図である下記図１（１）－１ないし３のとおり，白色のサファイア基板上に水色及びピンク色の窒化ガリウム系半導体層が積層されている（ただし，白色のサファイア基板において「切り欠き」と記載されている部分については，「切り欠き」ではなく，後記イのとおりＬＭＡ法のレーザースクライブによる変質部分が残存し   たもの   である。）。
半導体層は，図に水色で示したｎ型層とその上に位置するピンク色で示したｐ型層の２段になっており，ｎ型層の一部（上にｐ型層の存在しない部分）が露出している。そして，ｎ型層の露出面の一部には青色で示したｎ電極が，ｐ型層の上には赤色で示したｐ電極がそれぞれ形成されている。半導体層を平面視すると，ｎ型層の露出面は，周囲（四方）の略直線状の部分（以下「直線部分」ということがある。）と，ｎ電極が形成される平面部分（以下「ｎ電極形成面」ということがある。）から成っており，直線部分とｎ電極形成面のｎ型層としての厚さ（高さ）は，ほぼ同一である。
ｎ型層の露出面のうち直線部分の幅は，チップの左端が約９μｍ，右端が約１２μｍ，上端が約１７μｍ，下端が約１５μｍとなっている。ｐ型層は，長方形の隅を半弧状に切り欠いた形状であり，長方形の角に相当する部分，半弧状に切り欠いた部分の端と長方形の辺との接点に相当する部分のいずれも，直線状ではなく，丸みを帯びた形状をしている。また，ｐ型層とｎ型層との間には段差（以下「ｐｎ段差部」という。）があるが，このｐｎ段差部も，直線状ではなく，湾曲した傾斜面となっている。
イサファイア基板側
サファイア基板の半導体層とは反対側の底面部分には，半導体層のｎ型層の露出面のうち直線部分に対応する位置に，ＬＭＡ法のレーザースクライブによる断面Ｖ字形状の変質部分(断面Ｖ字状変質部)が残存しており，その幅は約５ないし８μｍである。
そして，証拠（甲２０）によれば，ＬＭＡ法でサファイア基盤を加工した場合，溶融領域が発生し急激な冷却で多結晶化し，この多結晶領域は多数のブロックに分かれるが，加工領域中央に実質の幅が極端に狭い境界が発生し，この表面に垂直な境界線の先端に応力集中するので割れやすくなることが認められる。
ウウエハーとチップの関係
上記のイ号チップの形状等に照らすと，イ号チップは，下記の模式図のようなウエハーを形成した上で，これを割ることにより得られたものと認められる。
断面Ｖ字状変質部形成後にウエハーを半
導体層側から見た一部平面図断面Ｖ字状変質部形成後
のウエハーのD－D断面図
（電極省略）
(2)ロ号チップの形状等（甲７，１７，１８）
ロ号チップの形状等も，上記(1)のイ号チップと同様であるが，ｎ型層の露出面の直線部分の幅が異なっており，チップの左端が約２４μｍ，右端が約２７μｍ，上端が約２８μｍ，下端が約２３μｍとなっている。３争点(1)ア(ｱ)（構成要件Ｂの「エッチングにより」の充足性）について(1)被告チップがエッチングと選択成長のいずれにより第一の割り溝に相当するｎ型層露出面を形成したかが争われているところ，証拠（甲１７）及び弁論の全趣旨によれば，半導体層の一部の厚さを他の部分よりも薄くする場合には，エッチングを採用すると，薄くなった部分と厚い部分との境界が丸みを帯びるのに対し，選択成長を採用すると，境界は直線状の形状となること，同様に，エッチングを採用すると，ｐｎ段差部が湾曲した形状となるのに対し，選択成長を採用すると，ｐｎ段差部の斜面はＧａＮ結晶の特定の面に対応するため，特定の傾斜角を有する直線形状となることが認められる。
横ストラ
イプ部A2
横変質部
B2
上端から
の距離
EE
DD
縦変質部B1
横変質部B2
これを被告チップについてみるに，上記２(1)アで認定したとおり，被告チップは，ｐ型層の角に相当する部分や，ｐ型層とｎ型層との段差部分がいずれも丸みを帯びている。
したがって，被告チップのｎ型層露出部分は，エッチングの方法により形成されたと認めるのが相当である。
(2)被告らの主張に対する判断


この点に関して被告らは，被告チップの丸みを帯びた形状について，まず「第一の割り溝」を選択成長で形成し，その後に，ｎ電極形成面をエッチングで形成したことによって形成された可能性があると主張する。しかしながら，上記２で認定したとおり，被告チップのｎ型層の露出面は，直線部分とｎ電極形成面とで，その厚さ（高さ）がほぼ同一である。そうすると，被告らの主張する方法を採用した場合，選択成長により形成された直線部分の厚さと，これとは別にエッチングにより形成するｎ電極形成面の厚さを揃えるための調整を要することになるが，技術常識に照らし，そのような調整が行われるとは考え難いから，被告チップが被告らの主張する方法で製造されたとは認められない。
したがって，被告らの上記主張は採用することができない。(3)以上のとおり，被告方法は，構成要件Ｂの「エッチングにより」を充足する。
４争点(1)ア(ｲ)（構成要件Ｂの「第一の割り溝･･･と共に･･･電極が形成できる平面を形成する」の充足性）について
(1)被告チップのｎ型層の露出面は，直線部分とｎ電極形成面とで，その厚さ（高さ）がほぼ同じであるという上記２の認定事実に照らすと，直線部分とｎ電極形成面は，エッチングにより同時に形成されたものと認めるのが相当である。
(2)被告らの主張に対する判断
この点に関して被告らは，争点(1)ア(ｱ)と同様に，「第一の割り溝」を選択成長で形成し，その後に，ｎ電極形成面をエッチングで形成した可能性があるから，構成要件Ｂの「共に」を充足しない旨主張するが，前記３(2)で説示したのと同様の理由から，被告らの上記主張は採用することができない。また，被告らは，割り溝の形成工程と電極形成領域の形成工程とは別個に行うことが技術常識であると主張し，別件分割出願に係る異議事件において原告が特許庁に提出した意見書（乙１５）にも同趣旨の記載があるとする。しかしながら，上記意見書（乙１５）の記載によれば，当該意見書においては，一般的な半導体素子の製造方法では割り溝の形成工程と電極形成領域の形成工程とは別工程である旨が記載されているものの，親出願である本件特許出願においてはｎ電極の形成工程とウエハー切断のための第一の割り溝の形成工程とを一体化することが可能となる旨説明されていることが認められる。そうすると，そのような本件発明の開示後についてまで，割り溝の形成工程と電極形成領域の形成工程とが別工程で行われることが技術常識であると認めることはできず，被告らの上記主張も採用することができない。(3)以上のとおり，被告方法は，構成要件Ｂの「第一の割り溝･･･と共に･･･一部に電極が形成できる平面を形成する」を充足する。
５争点(1)ア(ｳ)（構成要件Ｂの「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」の充足性）について
(1)構成要件Ｂにおける「一部に」の意義
構成要件Ｂには，「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」との記載がある。本件発明に係る特許請求の範囲の記載によれば，構成要件Ｂでは，「第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に」，「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」ところ，構成要件Ｃに「第一の割り溝の線」という記載があることを併せ考慮すると，第一の割り溝には，少なくとも「線」の部分と「電極が形成できる平面」の部分が存するのであって，「線状」に形成される第一の割り溝にはそれらの部分が含まれるものと解される。また，「電極が形成できる平面」に関しては，上記のとおり，「第一の割り溝の一部に」としか特定されておらず，「線」の部分の一部である（線の部分に内包される）という限定はされていないのであって，第一の割り溝全体のうちの一部に形成されていれば足りると解される。このことは，本件明細書等においても，「電極が形成できる平面」につき，段落【００１６】において，【図４】における半弧状の切り欠き部分にｎ層の電極を形成することができる旨の記載しかなく，【図４】には，Ｗ１の幅の「線」の部分とこれに隣接する半弧状の切り欠き部分が一体として記載されていることにも合致する。
したがって，構成要件Ｂの「電極が形成できる平面」は，第一の割り溝の全体のうちの一部に形成されていれば足りるのであって，「線」の部分に内包される必要はないと解するのが相当である。
(2)充足性
これを被告チップについてみるに，争点(1)ア(ｱ)及び(ｲ)において判示したとおり，被告方法では，被告チップの直線部分とｎ電極形成面とをエッチングにより同時に形成しているものと認められるところ，直線部分とｎ電極形成面とは区分されていない形状であるから，それらの全体が構成要件Ｂの「第一の割り溝」に，その一部であるｎ電極形成面が構成要件Ｂの「電極が形成できる平面」に該当するものと認められる。
したがって，被告チップのｎ電極形成面は，「第一の割り溝」の「一部」にエッチングにより形成されたものであると認めることができる。
(3)被告らの主張に対する判断
この点に関して被告らは，「第一の割り溝」はチップ形状を決定するものであるから，半弧状であるｎ電極形成面を含まない，これを含むとすると対応する第二の割り溝に半弧状部分が形成されていないなどと主張する。しかし，本件発明の実施例である本件明細書等の段落【００１６】及び【図４】の記載に照らすと，チップ形状を示し，かつ，第二の割り溝と対応するのは，第一の割り溝のうち「線」の部分であることは，当業者であれば容易に理解できるといえるのであり，仮に被告の主張通りであるとすると，上記実施例が本件発明の技術的範囲に含まれないことになり，妥当でない。したがって，被告らの上記主張は採用することができない。(4)以上のとおり，被告方法は，構成要件Ｂの「第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する」を充足する。
６争点(1)イ（構成要件Ｃ及びＤの「第二の割り溝」の充足性）について
(1)「第二の割り溝」の意義
「第二の割り溝」における「溝」の意義について検討するに，本件発明に係る特許請求の範囲の記載には，「第二の割り溝」における「溝」の形状を示す記載はなく，本件明細書等においても，「溝」の形状に関する定義はない。乙２６（大辞林第２版）によれば，一般に，「溝」とは細長く掘ったものや細長い窪みを指すことが認められ，また，本件明細書等においても，エッチング，ダイシング又はスクライブ等の手法を用いることができるとされ（段落【０００９】），【図１】ないし【図３】においても，第二の割り溝２２として，窪みの形状が記載されている。


そうすると，第二の割り溝における「溝」とは，周囲よりも窪んでいる細長い形状の部分を指すものと認めるのが相当である。
(2)充足性
これを被告方法についてみるに，被告方法が，サファイア基板側の加工方法として，ＬＭＡ法のレーザースクライブを採用していることは，当事者間に争いがない。
そして，原告の主張によっても，サファイア基板に対してＬＭＡ法のレーザースクライブが行われると，元々存在していた単結晶サファイアが変質し，多結晶化した断面Ｖ字形状変質部，すなわち，多結晶化した物質が存在しており，周囲よりも窪んだ状態にはなっていないのであるから，そのような部分が本件発明における第二の割り「溝」に該当すると認めることはできない。
(3)原告の主張に対する判断
この点に関して原告は，単結晶サファイアが存在しない部分が「溝」に該当する旨主張するが，本件特許の特許請求の範囲の記載においても，本件明細書等においても，「第二の割り溝」について，単結晶サファイアが存在しない部分を指すことを示す記載はないし，たとえ構造が異なるものであってもそこに物質が存在する以上，その部分を窪んだ部分と認めることはできないというべきである。
したがって，原告の上記主張は採用することができない。(4)以上のとおり，被告方法は，構成要件Ｃ及びＤの「第二の割り溝」を充足しない。
７争点(2)（構成要件Ｃ及びＤ「第二の割り溝」についての均等侵害の成否）
について
(1)特許請求の範囲に記載された構成中に他人が製造等する製品又は用いる方法(以下「対象製品等」という。)と異なる部分が存する場合であっても，①その部分が特許発明の本質的部分ではなく(以下「第１要件」という。)，②その部分を対象製品等におけるものと置き換えても，特許発明の目的を達することができ，同一の作用効果を奏するものであって(以下「第２要件」という。)，③そのように置き換えることに，特許発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（当業者）が，対象製品等の製造等の時点において容易に想到することができたものであり(以下「第３要件」という。)，④対象製品等が，特許発明の特許出願時における公知技術と同一又は当業者がこれから上記出願時に容易に推考できたものではなく(以下「第４要件」という。)，かつ，⑤対象製品等が特許発明の特許出願手続において特許請求の範囲から意識的に除外されたものに当たるなどの特段の事情もないとき(以下「第５要件」という。)は，対象製品等は，特許請求の範囲に記載された構成と均等なものとして，特許発明の技術的範囲に属するものと解するのが相当である（最高裁平成６年（オ）第１０８３号平成１０年２月２４日第三小法廷判決・民集５２巻１号１１３頁参照）。
(2)上記のとおり，被告方法は，本件発明の構成要件Ａ，Ｅに加えて，構成要件Ｂも充足するが，「第二の割り溝」ではなく，その位置にＬＭＡ法のレーザースクライブによる変質部を形成している点で，本件発明の構成要件Ｃ及びＤと相違する。そこで，以下，ＬＭＡ法のレーザースクライブにより変質部を形成する被告方法が，本件発明の「第二の割り溝」を用いる場合と均等なものといえるかについて検討する。
(3)第１要件について
ア特許発明における本質的部分とは，当該特許発明の特許請求の範囲の記載のうち，従来技術に見られない特有の技術的思想を構成する特徴的部分であると解すべきである。
そして，上記本質的部分は，特許請求の範囲及び明細書の記載に基づいて，特許発明の課題及び解決手段とその効果を把握した上で，特許発明の特許請求の範囲の記載のうち，従来技術に見られない特有の技術的思想を構成する特徴的部分が何であるかを確定することによって認定されるべきである。すなわち，特許発明の実質的価値は，その技術分野における従来技術と比較した貢献の程度に応じて定められることからすれば，特許発明の本質的部分は，特許請求の範囲及び明細書の記載，特に明細書記載の従来技術との比較から認定されるべきである。ただし，明細書に従来技術が解決できなかった課題として記載されているところが，出願時の従来技術に照らして客観的に見て不十分な場合には，明細書に記載されていない従来技術も参酌して，当該特許発明の従来技術に見られない特有の技術的思想を構成する特徴的部分が認定されるべきである。そのような場合には，特許発明の本質的部分は，特許請求の範囲及び明細書の記載のみから認定される場合に比べ，より特許請求の範囲の記載に近接したものとなり，均等が認められる範囲がより狭いものとなると解される。
また，第１要件の判断，すなわち対象製品等との相違部分が非本質的部分であるかどうかを判断する際には，上記のとおり確定される特許発明の本質的部分を対象製品等が共通に備えているかどうかを判断し，これを備えていると認められる場合には，相違部分は本質的部分ではないと判断すべきであり，対象製品等に，従来技術に見られない特有の技術的思想を構成する特徴的部分以外で相違する部分があるとしても，そのことは第１要件の充足を否定する理由とはならないと解すべきである（知的財産高等裁判所平成２８年３月２５日（平成２７年(ネ)第１００１４号）特別部判決参照）。


イ本件特許請求の範囲は前記第２，１(4)のとおりであり，本件明細書等の記載は前記１(1)のとおりであるところ，本件発明は，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断するに当たり（段落【０００１】），ウェハーを切断する従来技術としては，一般に，刃先をダイヤモンドとするブレードの回転運動により，ウエハーを直接フルカットするか，または刃先巾よりも広い巾の溝を切り込んだ後（ハーフカット），外力によってウエハーを割る装置であるダイサー，又は，同じく先端をダイヤモンドとする針の往復直線運動によりウエハーに極めて細いスクライブライン（罫書線）を例えば碁盤目状に引いた後，外力によってウエハーを割る装置であるスクライバーが使用されていたところ（段落【０００３】），サファイア基板は硬く，へき開性を有しないため，従来技術のスクライバーを用いる方法では切断するのが困難であり，ダイサーを用いる方法でもクラック等が発生しやすく，正確に切断できないという課題があったことから（段落【０００５】），本件発明においては，ウエハーの半導体層から線幅Ｗ１の第一の割り溝をエッチングにより形成すること，サファイア基板側に第二の割り溝を形成すること，第二の割り溝について第一の割り溝の線と合致する位置とすること，第二の割り溝の線幅Ｗ２を第一の割り溝の線幅Ｗ１よりも狭くすること，それらの割り溝に沿ってウエハーを分離するという工程を採用することで（段落【０００７】），クラック等の発生を防止するとともに，ウエハーをまっすぐに割ることが可能となるか，切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることがないので，一枚のウエハーから多数のチップを得ることができるという効果を奏するようにしたものである（段落【０００６】，【００１２】ないし【００１７】）。また，本件明細書等には，「第二の割り溝」を形成する方法について，手法は特に問わないとしており，エッチング，ダイシング，スクライブ等の手法を用いることが可能であるとされ，このうち，線幅を狭くすることが可能であるなどの理由から，スクライブが特に好ましいとするにとどまっており（段落【０００９】），「第二の割り溝」に関して，その形成の方法は特に限定されていない。
そして，本件においては，本件明細書等に従来技術が解決できなかった課題として記載されているところが，出願時の従来技術に照らして客観的に見て不十分であるという事情は認められない。
以上のような，本件特許の特許請求の範囲及び明細書の記載，特に明細書記載の従来技術との比較から導かれる本件発明の課題，解決方法，その効果に照らすと，本件発明の従来技術に見られない特有の技術的思想を構成する特徴的部分は，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断するに当たり，半導体層側にエッチングにより第一の割り溝，すなわち，切断に資する線状の部分を形成し，サファイア基板側にも何らかの方法により第二の割り溝，すなわち，切断に資する線状の部分を形成するとともに，それらの位置関係を一致させ，サファイア基板側の線幅を狭くした点にあると認めるのが相当であり，サファイア基板側に形成される第二の割り溝，すなわち，切断に資する線状の部分が，空洞として溝になっているかどうか，また，線状の部分の形成方法としていかなる方法を採用するかは上記特徴的部分に当たらないというべきである。
ウ被告方法は，前記２で認定したように，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断するに当たり，半導体層側にエッチングにより切断に資する線状の部分を形成し，サファイア基板側にもＬＭＡ法のレーザースクライブによって切断に資する線状の変質部を形成するとともに，それらの位置関係を一致させ，サファイア基板側の線幅を狭くしているのである。
そして，前記２(1)イで説示したとおり，ＬＭＡ法でサファイア基板を加工した場合，溶融領域が発生し急激な冷却で多結晶化し，この多結晶領域は多数のブロックに分かれるが，加工領域中央に実質の幅が極端に狭い境界が発生し，この表面に垂直な境界線の先端に応力集中するので割れやすくなることが認められる。
そうすると，被告方法は本件発明の従来技術に見られない特有の技術的思想を構成する特徴的部分を共通に備えているものと認められる。したがって，本件発明と被告方法との相違部分は本質的部分ではないというべきである。
エ被告らの主張に対する判断
この点に関して被告らは，ＬＭＡ法のレーザースクライブについて，対象と「非接触」であるため，クラック等が発生せず，かつ，ほぼ垂直に分割されることから，本件発明の課題自体が存在しないことになり，そのような方法を用いたとしても，本件発明の本質的部分に当たらない旨主張する。
そして，乙１４（再公表特許第２００６／０６２０１７号。以下「乙１４文献」という。）の段落【００３９】には，【図９】，【図１０】に関して，ＬＭＡ法により形成された変質領域に隣接する正常領域のブレイク面が略垂直である旨の記載がある。
しかしながら，他方で，乙１４文献の段落【００４３】等には，同じ【図９】，【図１０】に関して，デフォーカス値によっては，正常領域のブレイク面の垂直方向につき多少の傾斜や段差が存在する旨の記載もあるのであって，ＬＭＡ法のレーザースクライブであるからといって，切断面が斜めになることで不良品が生じるという本件発明の課題が発生しないと認めることはできない。
したがって，被告らの上記主張は採用することができない。オ以上のとおりで，被告方法は，均等の第１要件を充足すると認められる。
(4)第２要件について
ア前記(3)で検討したところによれば，本件発明は，半導体層側にエッチングにより第一の割り溝を形成し，サファイア基盤側にも第二の割り溝，すなわち，切断に資する線状の部分を形成するとともに，それらの位置関係を一致させ，サファイア基盤側の線幅を狭くすることで，切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることがないなどといった作用効果を奏するものと認められる。
イこれに対し，被告方法は，本件発明の第二の割り溝を，ＬＭＡ法のレーザースクライブにより形成された線状の変質部に置換したにすぎず，前記２(1)イで説示したとおり，線状の変質部の存在が切断に資することに変わりなく，また，第一の割り溝と位置関係が一致し，第一の割り溝の線幅より狭いという構成によって，切断線が斜めとなってウエハーが切断された場合でも，ｐ－ｎ接合界面まで切断面が入らずチップ不良が出ることがないという作用効果を奏するものと認められ，本件発明と同一の作用効果を奏するものである。


ウこの点に関して被告らは，被告方法について，ＬＭＡ法のレーザースクライブを用いると本件発明の課題が生じないと主張するが，上記(3)で説示したとおり，当該主張は採用することができない。
エしたがって，被告方法は，均等の第２要件を充足すると認められる。
(5)第３要件について
ア前記(3)で判示したとおり，本件発明においては，第二の割り溝の形成方法は特に限定されていないものの，スクライブが好ましいとされていた。これに対し，証拠（甲１９，２０，乙１４）によれば，ＬＭＡ法のレーザースクライブは，従来技術であるダイヤモンドの針を使用して溝を形成する物理的なスクライブや，レーザーを使用して溝を形成するアブレーション法のレーザースクライブに対する新たな技術として開発された技術であると認められる。
このように，本件発明における第二の割り溝の形成方法として，溝を形成する従来のスクライブが好ましい方法として記載されており，ＬＭＡ法のレーザースクライブが，従来技術である溝を形成するスクライブの置換技術である以上，スクライブ等の方法による第二の割り溝の形成を，ＬＭＡ法のレーザースクライブによる線状の変質部の形成に置換することは容易であったと認められる。
イこの点に関して被告らは，ＬＭＡ法のレーザースクライブについて，高生産性と光量損失なしという要請の双方を同時に提供できる技術の確立に至っていなかったこと（甲２０）から，置換は容易ではなかったと主張する。
しかしながら，被告らの主張によっても，高生産性と光量損失なしという要請の双方が同時に提供できないというにすぎず，溝を形成するスクライブの置換技術として開発済みであったことに変わりはないから，置換が容易であるとする上記アの判断を左右するものではない。ウしたがって，被告方法は，均等の第３要件を充足すると認められる。
(6)第４要件及び第５要件について
均等の法理の適用が除外されるべき場合である第４要件及び第５要件については，対象製品等について均等の法理の適用を否定する者が主張立証責任を負うと解するのが相当であるところ，本件において，被告らは，第４要件及び第５要件について何ら主張していない。
したがって，被告方法は第４要件及び第５要件を充足すると認められる。(7)以上のとおり，被告方法の「線状の変質部」は，構成要件Ｃ及びＤの「第二の割り溝」と均等なものとして，その技術的範囲に属する。８争点(3)ア（乙２公報に基づく新規性ないし進歩性欠如）について
(1)乙２公報の内容
乙２公報には，次の記載がある。
ア発明の詳細な説明
・「【産業上の利用分野】本発明は青色や短波長領域発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関する。」（段落【０００１】）・「【実施例】以下，本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。図１は，本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を適用した発光ダイオードの構成を示す断面図である。発光ダイオード１０はサファイア基板１を有しており，そのサファイア基板１上には500ÅのＡｌＮのバッファ層   ２が形   成され   ている   。その   バッフ   ァ層２   の上に   は，膜厚約2.5μmのｎ型ＧaＮから成るｎ層４が形成されている。さらに，ｎ層４の上に膜厚約0.2μmの半絶縁性ＧaＮ   から成るｉ層５が形成されている。そしてｉ層５の表面からｉ層５を貫通しｎ層４に達する凹部２１が形成されている。この凹部２１を覆うようにｎ層４に接続する金属製のｎ層４のための第２の電極８が形成されている。この第２の電極８と離間してｉ層５上に錫添加酸化インジウム（以下ＩＴＯと略す）から成る透明導電膜のｉ層５のための第１の電極７が形成されている。第１の電極７の隅の一部分には取出電極９が形成されている。その取出電極９はＮi層９ｂとＡu層９ｃとの２層で構成されている。又，第２の電極８はｎ層４に接合するＡl層８ａとＮi層８ｂとＡu   層８ｃとの３層で構成されている。この構造の発光ダイオード１０のサファイア基板１の裏面にはＡlの反射膜１３が蒸着されている。」（段落【００１７】）・「次に，図６に示すように，フォトレジスト１２およびＳiＯ2層１１をマスクとして，真空度0.04Torr，高周波電力0.44W/cm2,CCl2F2   ガスを10ml/分の割合で供給し，反応性イオンエッチングによりｉ層５を貫通しｎ層４に達する凹部２１を形成した。また，エッチング後，続いてArでドランエッチングした。そして，フォトレジスト１２およびＳiＯ2層１１をフッ酸で除去した。」（段落【００２３】）・「次に，試料の上全面全体に，イオンプレーティングにより透明導電膜のＩＴＯ層を約1000Åの厚さに形成した。そして，そのＩＴＯ層の上にフォトレジストを塗布した。フォトリソグラフにより，第１の電極７の形成部分のフォトレジストが残るように，フォトレジストを所定形状にパターン形成した。」（段落【００２４】）


・「次に，残ったフォトレジストをマスクとして下層のＩＴＯ層の露出部をエッチングした。そして，フォトレジストを除去した。これにより，図７に示すようにエッチングで残ったＩＴＯ層から成る第１の電極７が形成された。次に，試料の上全面全体に蒸着によりＡl層を約2000Åの厚さに形成した。そのＡl層の上にフォトレジストを塗布して，フォトリソグラフにより，そのフォトレジストが，第２の電極８の形成部分が残るように，所定形状にパターン形成した。次に，そのフォトレジストをマスクとして下層のＡl層の露出部をエッチングし，フォトレジストを除去した。これにより，図８に示すように，ｎ層４に接続する第２の電極８のＡl層８ａが形成された。」（段落【００２５】）・「このような発光ダイオード１０ｂは，図１２，図１３に示す工程で製造することができる。図１２の(a)に示すように，サファイヤ基板１上に，上述した製造方法により，順次，ＡlＮから成るバッファ層２，高キャリヤ濃度ｎ+層３，低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，ｉ層５を製造した。次に，図１２の(b)に示すように，図１２の(a)の多層構造のウェーハに対して太い刃物（例えば，250μm厚）を用いたダイシングによりｉ層５から低キャリヤ濃度ｎ層４ａ，高キャリヤ濃度ｎ+層３，バッファ層２，サファイヤ基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れた。」（段落【００３３】）
・「次に，図７及び図８に示したのと同じ工程により，ＩＴＯから成る第１の電極７と，第２の電極８のＡl層８ａを，図１３の(c)に示すように形成した。さらに，図９に示す工程により，取出電極９のＮi層９ｂ，Ａu層９ｃ及び第２の電極８のＮi層８ｂ，Ａu   層８ｃを形成した。」
（段落【００３４】）
・「次に，図１３(d)に示すように，細い刃物（例えば，150μm   厚）を用いたダイシングにより，格子状に第２の電極８が形成されてた切り込みが入れられている部分において，サファイヤ基板１を格子状に切断した。このようにして，図１１に示す構造の発光ダイオード１０ｂを製造することができる。」（段落【００３５】）
イ図面
【図６】                  【図８】
【図１３（ｄ）】
(2)上記(1)の記載によれば，乙２公報には，「サファイア基板１上に窒化ガリウム系化合物半導体（ｎ層４，ｉ層５）を積層した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関して（段落【００１７】），太い刃物（例えば，250μm厚）を用いたダイシングにより，窒化ガリウム系化合物半導体層側からサファイヤ基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れ（段落【００３３】），そこに第２の電極８を形成し（段落【００３４】），その次に，細い刃物（例えば，150μm厚）を用いたダイシングにより，格子状に第２の電極８が形成された切り込みが入れられている部分において，サファイヤ基板１を格子状に切断する発光ダイオードの製造方法（段落【００３５】）」という乙２発明が開示されているものと認められる。
(3)乙２文献に基づく新規性欠如の有無について
ア本件発明と乙２発明との対比
上記(1)及び(2)によれば，本件発明と乙２発明とは次の点で相違していると認められる。
（相違点１）
本件発明では，第一の割り溝をエッチングにより線状に形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる「平面」を形成するのに対し，乙２発明では，第一の割り溝をダイシングにより線状に形成し，半導体層の
側面をそこに電極が形成できるように露出させる点
（相違点２）
本件発明では，ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成し，前記第一の割り溝および第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離するのに対し，乙２発明では，第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝よりも幅の狭いダイシングブ
レードによって切断する点
イ相違点１について
この点に関して被告らは，乙２公報には他の実施例として，第２の電極８を形成するための「凹部２１」を反応性イオンエッチングにより形成することが開示されているので，上記(2)の記載における「切り込み」をエッチングにより形成することも開示があると主張する。しかし，上記(1)の記載によれば，乙２公報において，太い刃物を用いたダイシングにより形成される「切り込み」は，単に第２の電極８を形成する目的で形成されるのではなく，ウエハーからチップを分割するために，サファイア基板の上面一部にまで達するように，所謂ハーフカットとして形成されるものである。これに対し，乙２公報の別の実施例（段落【００２３】ないし【００２５】，【図６】，【図８】）においては，第２の電極８を形成するために，ｎ層４（半導体層の一部）に達する凹部２１をエッチングにより形成することが開示されるにとどまるのであって，この凹部２１はウエハーからチップを分離するためのものではない。
したがって，乙２公報において，太い刃物を用いたダイシングにより形成される「切り込み」につき，これをエッチングにより形成するという技術的事項が開示されているとは認められない。
ウ相違点２について
また，上記(1)によれば，細い刃物（例えば，150μm厚）を用いたダイシング（段落【００３５】）は，図１３(ｄ)にかかわらず一段階でなされるものであって，それによってサファイア基板を切断するためのものと認められるから，サファイア基板側に本件発明にいう「第二の割り溝」が形成されることにもならない。
エ以上のとおり，本件発明が乙２発明に基づき新規性を欠く旨の被告らの主張は理由がない。
(4)乙２文献に基づく進歩性欠如の有無について


ア被告らは，相違点１に関し，上記(3)イで主張したのと同様に，乙２公報には他の実施例として，第２の電極８を形成するための「凹部２１」を反応性イオンエッチングにより形成することが開示されているので，当業者にとって，上記相違点は容易に想到し得ると主張する。しかし，上記(3)イで説示したとおり，乙２公報において半導体層からダイシングにより形成される「切り込み」は，ウエハーからチップを分割するための所謂ハーフカットとして行われるのに対し，別の実施例におけるエッチングにより形成される凹部２１は，第２の電極８を形成するためのものであって，そこからチップを分離するためのものではなく，その形成の目的等が異なるから，上記「切り込み」の形成方法としてエッチングを適用する示唆も動機付けもなく，上記相違点が容易に想到し得るとはいえない。
イまた，被告らは，相違点２に関し，本件発明の構成要件Ｄにおける「分離」と，乙２発明における「ダイシング」による「切断」とが相違点であるとしても，基板側に細い溝を形成してチップを分離することは，乙４公報や乙５公報に記載されるように周知技術であったから，上記相違点についても容易想到である旨主張する。
しかし，上記(1)で認定したとおり，乙２発明では，細い刃を用いたダイシングによって，第２の電極８が形成された部分を切断しており，第２の電極８に支障を生じさせない切断方法を採用する必要があると解されるところ，被告らが主張する基板側に細い溝を形成してチップを分離する技術的事項を適用した場合，細い溝を形成した上での「分離」の際に，第２の電極８に支障が生じる可能性も否定できないから，乙２発明に被告らが主張する周知技術を適用することが容易であるとは認められない。(5)以上のとおりで，その余の点について判断するまでもなく，争点(3)アに関する被告らの主張は理由がない。
９争点(3)イ（乙３公報に基づく進歩性欠如）について
(1)乙３公報の内容
乙３公報には，次の記載がある。
ア考案の詳細な説明
・「本考案の一実施例を示す窒化ガリウム系化合物半導体素子の平面図を図１に表す。この窒化ガリウム系化合物半導体素子はサファイア基板１上にｎ型層２，およびｐ型層４（判決注：ｐ型層３の誤記と思われる。）を順に積層した後，エッチングによりｐ型層３の一部を取り除き，ｎ型層２を露出させ，ｎ型層２の上部とｐ型層３の上部とに電極を蒸着により設けたものである。しかもｐ型層３を円弧状にエッチングすることにより，ｐ型層の面積を無駄なく確保しており，さらにｐ型層３の表面にｐ型層３と電気的に接触した線状電極６を設けることにより，電流がｐ型層に均一に広がる様になっている。」（段落【００１０】）・「【実施例】以下，一実施例に基づき，図面を参照しながら本考案を詳説する。サファイア基板１上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）－アンモニアを用いＭＯＣＶＤ法により，厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層２，および厚さ０．５μｍのｐ型ＧａＮ層３を順に積層した。その断面図を図４に示す。」（段落【００１５】）
・「パターニングの施されたＳｉＯ2層が現れたウエハーのｐ型層３をドライエッチングした。その断面図を図８に示す。」（段落【００１９】）・「残留するＳｉＯ2層を，前述のフッ酸溶液に浸漬することによって除去した後，蒸着およびリフトオフ法により，図９に示すように，ｐ型電極５（線状電極６）とｎ型電極４を付け，ペレットチェックをウエハー状態で行った後，ダイシングソーでカットして本考案の青色発光素子を得た。なお，ｐ型電極５および線状電極６はフォトレジストをｐ型層上に形成した後，蒸着によって同時に形成した。」（段落【００２０】）
イ図面
(2)上記(1)によれば，乙３公報には，「サファイア基盤１上に窒化ガリウム系化合物半導体（ｎ型層２，ｐ型層３）を積層した窒化ガリウム系化合物半導体素子に関して（段落【００１０】），ｐ型層３側からエッチングにより，チップの周囲に相当する線状部分とｎ型電極を形成することのできる円弧状の平面部分を形成し（段落【００１０】，【００１９】，【００２０】，【図１】，【図９】），エッチングされた線状部分の最も外側をダイシングソーでカットして青色発光素子を得る方法（段落【００２０】，【図１】，【図９】）」という乙３発明が開示されているものと認められる。
(3)乙６公報の内容
乙６公報の発明の詳細な説明には，次の記載がある。
ア特許請求の範囲
・「サファイア基板上に一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表されるＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に切断する方法において，前記サファイア基板の厚さを１００～２５０μｍとし，さらに，前記ウエハーの基板側，もしくは窒化ガリウム系化合物半導体層側，またはその両側をスクライブして切断することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーの切断方法。」
（【請求項１】）
イ発明の詳細な説明
・「【実施例】以下本発明の切断方法を実施例で詳説する。［実施例１］①厚さ３５０μｍ，大きさ２インチφのサファイア基板上に，ｎ型ＧａＮ層とｐ型ＧａＮを合わせて５μｍの厚みで成長させた発光ダイオード用のＧａＮウエハーの基板を，研磨器により研磨して１２０μｍとする。さらに，基板側に粘着テープを貼付し，スクライバーのテーブル上に張り付け，真空チャックで固定する。テーブルはｘ軸（左右），ｙ軸（前後）に動き，１８０度水平に回転可能な構造となっている。
②次に，スクライバーのダイヤモンド刃でＧａＮ層をスクライブすることにより，テーブルに張り付けたＧａＮウエハーのＧａＮ層に３５０μｍピッチのスクライブラインを引く。ダイヤモンド刃が設けられたバーはｚ軸（上下），ｙ軸（前後）方向に移動可能な構造となっている。ダイヤモンド刃の刃先への加重は１００ｇとし，スクライブラインの深さを深くするため，同一のラインを５回スクライブすることにより，２０μｍの深さにする。


③スクライブラインを引いた後，テーブルを９０度回転させ，②と同様にして３５０μｍピッチで，先ほど引いたスクライブラインと直行するラインを２０μｍの深さで引く。
④碁盤目状にスクライブラインを引いたＧａＮウエハーをテーブルから剥し取り，サファイア基板側からローラーにより圧力を加えて，押し割ることにより３５０μｍ角のＧａＮチップを得た。このようにして得られた３５０μｍ角のＧａＮチップより外形不良によるものを取り除いたところ，歩留は９５％以上であった。」（段落【００１４】）・「［実施例２］①実施例１に同じ。
②実施例１と同様にしてＧａＮ層から１５０μｍピッチのスクライブラインを入れる。但しスクライブ回数は２回とし，深さは８μｍとする。③実施例１と同様にテーブルを回転させ，スクライブ回数２回で，直行するスクライブラインを引く。
以上のようにしてＧａＮ層にスクライブラインを引き終えた後，サファイア基板に貼付した粘着テープを溶剤により取り去った後，再びスクライブラインの入ったＧａＮ層に粘着テープを貼付し，同様にスクライバーのテーブル１１に設置する。この際スクライバーの刃先の軌跡が先ほど引いたＧａＮ層のスクライブラインと一致するように刃先を一致させる。後は②～③の工程と同様にして，基板側にも碁盤目状のスクライブラインを引く。
④実施例１と同様にしてＧａＮウエハーを１５０μｍ角のチップに切断したところ，同じく歩留は９５％以上であった。」（段落【００１５】）
(4)本件発明と乙３発明との対比
前記(1)及び(2)によると，本件発明と乙３発明とは，次の（一致点）で一致し，（相違点）において相違するものと認められる。
（一致点）
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を所望のチップ形状で線状にエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成する工程と，前記第一の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程
とを具備することを特徴とする
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法である点
（相違点）
本件発明では，「前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位置で，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成する工程」を有し，第一の割り溝及び第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程を具備するのに対し，乙３発明では，それらの工程があるか不明である点
(5)容易想到性について
上記相違点について検討する。
ア被告らは，半導体層側に幅広の溝を形成し，基板側に細い溝を形成してチップを分離することは，乙４公報や乙５公報に記載されるように周知技術であったと主張する。
乙４公報や乙５公報の記載によれば，これら各公報には，従来のＳｉ，ＧａＡｓ，ＧａＡｓＰ，ＧａＰ，ＧａＡｌＡｓ等の半導体基板上に形成された半導体素子について，Ｐ層側からダイシングによりハーフダイスを行い，基板の裏面からダイシングラインと一致するようにスクライブを行い，その上でウエハーを割ってチップを分離する技術的事項が開示されていることが認められる。
しかし，上記の技術的事項については，本件発明や乙３発明のようなサファイア基板上に半導体層を積層した窒化ガリウム系化合物半導体ウエハーではなく，本件明細書等（段落【０００３】，【０００４】）にも記載される従来技術，すなわち，硬いサファイア基盤を用いないＧａＡｓ等の半導体結晶素子に関するものである。
したがって，上記の技術的事項を基板等の性質の異なる乙３発明に適用することが容易であるとはいえない。
イまた，被告らは，窒化ガリウム系化合物半導体について，サファイア基板側をスクライブして切断する技術的事項は，乙６公報に開示されていたと主張する。
確かに，前記(3)で認定したところによれば，乙６公報には，サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーに関して，サファイア基板側，半導体層側，あるいはその双方からスクライブして切断するという技術的事項が開示されている。
しかし，乙３発明のｐ型層３側にエッチングで形成される線状部分については，乙３公報の図に線状（【図１】の平面図）又は溝状（【図９】等の断面図）の記載があるのみであって，その線幅については何ら記載がなく，また，乙３公報に，線状部分に関する記載ではないものの，エッチングの範囲に関連して「ｐ型層３を最大限確保する」ことを推奨する記載があることに照らすと（段落【００１３】），当業者としては，線状部分の線幅もできる限り少なくするよう理解するものと認められる。そうすると，乙３発明に乙６公報で開示されたサファイア基板側からスクライブしてウエハーからチップを切断する方法を適用したとしても，半導体層側からエッチングにより形成される線状部分の線幅（Ｗ１）とサファイア基板側からスクライブにより形成される線幅（Ｗ２）との関係は明らかでないというべきであり，上記の相違点のうち，「第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝」の構成には至らないというべきである。
ウさらに，被告らは，乙２２ないし２４の各公報に，十分な広さをもってスクライブライン（乙３発明のエッチング部分に相当する）を形成することが開示されているように，分割時のダメージが及ばないようスクライブラインにある程度の幅を持たせることも当然のことであるから，スクライブの幅の方がエッチング部分の幅よりも狭いことは明らかである旨主張する。


しかし，乙２２ないし２４の各公報の記載によれば，これら各公報には，ウエハーからチップを分割するに際し，分割手段（スクライバーやダイサー）が直接当たる領域について，加工のずれに対応し，あるいは加工の影響が半導体素子の作動領域に及ばないようにするために，分割するための領域（チップ間の間隙でもあり，スクライブラインなどと呼ばれる。）としてスクライブやダイシングの幅よりも広い領域（スクライブラインの幅）を確保しておく必要があるという技術的事項が開示されているにとどまるものと認められる。このように，これらの各公報においては，スクライバー等の分割手段が直接当たる側に相応の幅を確保するための技術的事項が開示されるにとどまり，分割手段がウエハーの基板側に当たる場合に，逆の半導体側により広い線幅の溝を形成する技術的事項を開示するものではないから，これを乙６発明に適用したとしても，半導体層側のエッチング部分の線幅よりサファイア基板側のスクライブによる線幅が細くなるという構成は導かれない。
なお，乙２４公報の記載によれば，同公報には，ウエハーの分割に際し，主表面側に幅Ｗ１の溝を，裏面側に幅Ｗ２の溝をそれぞれ形成し，Ｗ２をＷ１よりも大きく設定するという技術的事項が開示されていると認められる。このように，裏面側の溝幅Ｗ２の方がＷ１よりも大きく設定される以上，これを乙６発明に適用したとしても，裏面に相当するサファイア基板側の溝幅の方が，主表面に相当する半導体層側のエッチング部分の線幅よりも大きくなってしまい，相違点２に係る本件発明の構成には至らない。エ以上のとおり，本件発明は，乙３発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
(6)以上のとおりで，争点(3)イに関する被告らの主張は理由がない。１０争点(3)ウ（本件補正における新規事項追加の有無）について(1)被告らは，原告が本件補正において，本件発明の構成要件Ｂに関して，第一の割り溝をエッチングにより形成するのと「共に」電極が形成できる平面を形成するという内容の補正（新規事項①）と，第一の割り溝の「一部に」電極が形成できる平面を形成するという内容の補正（新規事項②）を行ったことは，当初明細書に記載のない新規事項の追加に当たると主張するので，以下，検討する。
(2)本件特許に係る当初明細書の内容
当初明細書（乙８）には，電極が形成できる平面に関して，次の記載がある。
ア発明の詳細な説明
・「図４は，図１に示すウエハーを窒化物半導体層側からみた平面図であり，第一の割り溝１１の形状を示していると同時に，チップ形状も示している。この図では，ｐ型層３を予めｎ層の電極が形成できる線幅でエッチングして，第一の割り溝１１を形成し，さらにｐ型層３の隅部を半弧状に切り欠いた形状としており，この切り欠いた部分にｎ層の電極を形成することができる。」（段落【００１６】）
・「【発明の効果】
（略）また図１に示すように第一の割り溝を形成すれば，第一の割り溝の表面に電極を形成することもできる。」（段落【００２７】）
イ図面
(3)上記(2)で認定した当初明細書の段落【００１６】では，【図４】は【図１】の平面図であり，第一の割り溝１１の形状を示すとされており，その【図４】において「半弧状に切り欠いた」部分も含めた一体的な形状でｎ型層２の露出部分が記載されていることに照らすと，段落【００１６】及び【図４】には，第一の割り溝１１に「半弧状に切り欠いた」部分が含まれ得ること，また，「半弧状に切り欠いた」部分を含めてエッチングにより一体として形成することが記載されているものと認められる。(4)この点に関して被告らは，当初明細書の段落【００１６】において，「さらに」という文言が使用されていることから，その前に記載された「第一の割り溝１１」の形成と，その後に記載された「半弧状に切り欠いた」部分とは，別個に，先後関係をもって形成されるものであり，かつ，「半弧状に切り欠いた」部分は「第一の割り溝１１」の一部ではない旨主張する。しかし，段落【００１６】の記載と【図４】の記載を総合して斟酌すれば，段落【００１６】の「さらに」は，「第一の割り溝１１」に関する付加的な説明を意味するものと解されるのであって，先後関係を示すものとは解されないから，被告らの上記主張を採用することはできない。(5)以上のとおり，被告らの主張する新規事項①及び②はいずれも新規事項の追加には当たらず，争点(3)ウに関する被告らの主張は理由がない。１１争点(3)エ（乙６公報及び乙３公報に基づく進歩性欠如）について
(1)本件発明と乙６発明との対比
前記９(3)で認定した乙６公報の記載によれば，同公報には，「サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーを切断する方法であって，前記ウエハーの半導体層側から線状にスクライブし，また，サファイア基板側からも半導体層側のスクライブラインと一致するようにスクライブし，それらのスクライブラインに沿ってチップに切断する製造方法」である乙６発明が開示されていると認められる。
(2)そうすると，本件発明と乙６発明とは，次の（一致点）で一致し，（相違点１）及び（相違点２）において相違することになる。
（一致点）
サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体を積層したウエハーから窒化ガリウム系化合物半導体チップを製造する方法において，前記ウエハーの窒化ガリウム系化合物半導体層側から第一の割り溝を
所望のチップ形状で線状に形成する工程と，
前記ウエハーのサファイア基板側から第一の割り溝の線と合致する位
置で，第二の割り溝を形成する工程と，
前記第一の割り溝および前記第二の割り溝に沿って，前記ウエハーをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法である点
（相違点１）
本件発明が，第一の割り溝をエッチングにより形成すると共に，第一の割り溝の一部に電極が形成できる平面を形成するのに対して，乙６発明では，第一の割り溝をスクライバーにより形成しており，それと共に電極が形成できる平面を形成することが開示されていない点
（相違点２）
本件発明が，第一の割り溝の線幅（Ｗ１）よりも細い線幅（Ｗ２）を有する第二の割り溝を形成するのに対し，乙６発明では，そうであるの
か不明である点
(3)容易想到性について


被告らは，相違点２に関して，乙３公報の【図９】，【図１】，【図２】の記載からすると，乙６発明に乙３発明を適用すれば，第一の割り溝の線幅よりも第二の割り溝の線幅の方が細くなる旨主張する。しかし，上記９で説示したとおり，乙３公報の図面にはエッチングにより形成される線状部分の線幅については何ら記載がなく，段落【００１３】の記載から，当業者としては，線状部分の線幅もできる限り少なくするよう理解するものと認められることに照らすと，半導体層側からエッチングによりチップの周囲に相当する線状部分とｎ型電極を形成することのできる円弧状の平面部分を形成する乙３発明を適用したとしても，半導体層側のエッチング部分の線幅よりもサファイア基板側のスクライブの線幅が細くなるという構成は当然には導かれないというべきである。
また，被告らは，乙３発明のエッチング部分に相当するスクライブラインを十分な広さをもって形成することは，乙２２ないし２４の各公報に記載されるように周知技術であると主張する。
しかし，前記９で説示したとおり，乙２２ないし２４の各公報に開示された技術的事項によっても，半導体層側のエッチング部分の線幅よりサファイア基板側のスクライブの線幅が細くなるという相違点２に係る本件発明の構成には至らない。
(4)以上のとおり，その余の相違点について判断するまでもなく，争点(3)エに関する被告らの主張は理由がない。
１２争点(4)（損害発生の有無及びその額）について(1)被告Ｅ＆Ｅの販売等に係る特許法１０２条２項の損害額特許法１０２条２項の適用に関して，本件特許の登録日である平成１０年５月１５日から現在までの間に，被告Ｅ＆Ｅが被告ＬＥＤの販売等により得た利益が１８万円であることは，原告と被告Ｅ＆Ｅとの間において争いがない。
したがって，被告Ｅ＆Ｅによる被告ＬＥＤの販売等に係る特許法１０２条２項の損害額は１８万円と認められる。
(2)被告立花の販売等に係る特許法１０２条２項の損害額ア被告立花が，平成２５年１月，イガラシに対して，イ号ＬＥＤを１０００個，ロ号ＬＥＤを５００個，いずれも単価２０円（合計３万円）で販売したことは前提第２，１(7)イのとおりである。また，当該売上げに係る被告立花の限界利益率が１０％であることは，当事者間に争いがない。この点に関して原告は，本件特許の登録日である平成１０年５月１５日から現在までの間における被告立花による被告ＬＥＤの売上が合計６０万円を下らない旨主張する。
しかし，本件全証拠を精査しても，被告立花が，上記の合計３万円を超えて被告ＬＥＤを販売した事実を認めるに足りる証拠はない。したがって，被告立花の販売等に係る特許法１０２条２項の損害額は３０００円（３万円×０．１＝３０００円）と認めるのが相当である。
イ被告立花の主張に対する判断
この点に関して被告立花は，上記アにおけるイ号ＬＥＤ１０００個の販売について，原告が証拠収集のためにイガラシを介して発注したことに基づくものであり，販売されたイ号ＬＥＤについても，被告立花が回収したか，原告が保有又は消費しており，第三者に販売されたものはないので，原告には売上減少による逸失利益たる損害は発生していないと主張する。確かに，証拠（甲６の１，丙４の４，４の６，４の８の１，７の１ないし７の９の２）によれば，原告がイ号ＬＥＤの構成を分析するために用いた試料が１０００個入りの袋に入っており，被告立花がイガラシに販売したイ号ＬＥＤの個数と一致すること，また，被告立花とイガラシとの間でイ号ＬＥＤの販売に関して交わされた電子メール，発注書，納品書等を原告が入手しており，これを別件訴訟に証拠として提出したことは認められる。
しかし，イ号ＬＥＤの市場における販売数量や流通経路は明らかではなく，上記の事実のみから直ちに，原告がイガラシを介してイ号ＬＥＤを購入したとまで認めることはできず，その一部を原告が消費又は保有していると認めることもできない。また，証拠（丙８）によれば，被告立花がイガラシからイ号ＬＥＤ１０３個の返品を受けた事実は認められるが，販売後の事情にすぎず，これにより既に発生した損害に消長を来すものと解することはできない。
したがって，被告立花の上記主張は採用することができない。
ウ原告の主張に対する判断
原告は，被告立花の販売等に係る損害について，被告Ｅ＆Ｅも連帯して支払う義務がある（共同不法行為を主張するものと解される。）旨主張する。
しかし，原告の主張は，被告立花が被告ＬＥＤを被告Ｅ＆Ｅから仕入れて販売したというにとどまり，被告らの共謀や客観的共同関連性についての主張はなく，また，これを認めるに足りる証拠もない。したがって，被告立花の販売等に係る損害について被告Ｅ＆Ｅが連帯責任を負う旨の原告の主張は理由がない。
エ以上のとおり，被告立花の販売等に係る特許法１０２条２項の損害として，被告立花は，原告に対し，３０００円の損害賠償義務を負うというべきである。
(3)弁護士・弁理士費用
本件事案の内容，審理経過など，本件に表れた事情を総合すると，侵害行為と相当因果関係のある弁護士・弁理士費用は，被告らそれぞれに対し各２０万円と認めるのが相当である。
(4)合計
以上のとおり，上記(1)ないし(3)の合計額は，被告Ｅ＆Ｅにつき３８万円，被告立花につき２０万３０００円となる。
１３争点(5)（弁済の抗弁）について


主          文
１本件訴えのうち，公職選挙法の違憲確認を求める部分及び次回の衆議院議員の総選挙において投票することができる地位にあることの確認を求める部分を却下する。
２原告のその余の請求を棄却する。
３訴訟費用は原告の負担とする。
事実及   び理由
第１請求
１公職選挙法（昭和２５年法律第１００号）は，禁錮以上の刑に処せられてその執行を終わるまでの者に選挙権及び被選挙権の行使を認めていない点において違憲であることを確認する。
２原告が次回の衆議院議員の総選挙において投票することができる地位にあることを確認する。
３被告は，原告に対し，１００万円及びこれに対する平成２２年７月１２日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要
１事案の骨子
本件は，原告が，公職選挙法１１条１項２号が憲法に違反していることの確認及び原告が次回の衆議院議員の総選挙において選挙権を有していることの確認を求めるとともに，選挙権を違法に否定されたことにより精神的苦痛を受けたとして，国家賠償法１条１項に基づき，損害賠償を請求した事案である。２前提となる事実（当事者間に争いのない事実及び証拠等により容易に認められる事実。以下，書証番号は特に断らない限り枝番号を含む。）(1)原告は，大阪市Ａ区の選挙人名簿に登録されている者である（甲１）。(2)原告は，公職選挙法１１条１項２号に該当するとして，平成２２年７月１１日に実施された参議院議員通常選挙において，選挙権を有しないものとされた（甲１）。
(3)上記当時，原告は，懲役刑の執行を受けていたところ，平成２２年１１月２５日，仮釈放により刑務所を出所し，平成２３年１月２９日にその刑の執行を受け終わった（弁論の全趣旨）。
第３争点
１本案前の争点
(1)法令の違憲確認の訴えの適法性（請求１項関係，争点①）(2)選挙権確認の利益の有無（請求２項関係，争点②）
２本案の争点
(1)公職選挙法１１条１項２号の合憲性並びに同号の立法行為及び廃止立法
不作為の国家賠償法上の違法性（争点③）
(2)原告の損害額（請求３項関係，争点④）
第４争点に関する当事者の主張
１争点①（法令の違憲確認の訴えの適法性）について
（被告の主張）
原告は，その主張によれば，既に懲役刑の執行を受け終わっているというのであるから，公職選挙法１１条１項２号に該当しないにもかかわらず，その違憲確認を求めているところ，これは具体的紛争を離れて抽象的，一般的に公職選挙法の違憲性に関する判断を求める訴えにほかならないから，法律上の争訟に該当せず，不適法である。
（原告の主張）
公職選挙法１１条１項２号が，禁錮以上の刑に処せられその執行を終わるまでの者である原告に対し，選挙権及び被選挙権又はこれらの行使を認めない点で違憲であり，これは法律上の紛争である。そして，その違憲を確認することが紛争を直接かつ抜本的な解決のため適切かつ必要であるから，違憲確認請求が認められるべきである。
２争点②（選挙権確認の利益の有無）について
（被告の主張）
原告は，次回の衆議院議員の総選挙において投票することができる地位にあることの確認を求めているところ，今後原告が公職選挙法１１条１項各号の要件に該当することなく，選挙権を行使できるかは現段階で確定できないが，被告としても，原告が現在公職選挙法１１条１項２号に該当しない以上，原告が投票し得る地位にあることを殊更否定するものではない。そうすると，この点に関し原告の権利又は法的地位に現に不安，危険が存在するとはいえず，即時確定の現実的利益があるとはいえない。よって，地位確認請求に係る訴えは，確認の利益がない。
（原告の主張）
公職選挙法１１条１項２号について所要の改正がなされなければ，原告は，今後直近になされる衆議院議員総選挙において投票をすることができず，選挙権を侵害されることになる。そのような事態を防止するために，選挙権を有することの確認をあらかじめ求める必要がある。
３争点③（公職選挙法１１条１項２号の合憲性並びに同号の立法行為及び廃止立法不作為の国家賠償法上の違法性）について
（原告の主張）
(1)憲法は，国民主権の原理に基づき，両議院の議員の選挙において投票をすることによって国の政治に参加することができる権利を国民に対して固有の権利として保障しており，その趣旨を確たるものとするため，国民に対して投票をする機会を平等に保障しているものと解するのが相当である。憲法の以上の趣旨に鑑みれば，自ら選挙の公正を害する行為をした者等の選挙権について一定の制限をすることは別として，国民の選挙権又はその行使を制限することは原則として許されず，国民の選挙権又はその行使を制限するためには，そのような制限をすることがやむを得ないと認められる事由がなければならないというべきである。そしてそのような制限をすることなしには選挙の公正を確保しつつ選挙権の行使を認めることが事実上不能ないし著しく困難であると認められる場合でない限り，上記のやむを得ない事由があるとはいえず，このような事由なしに国民の選挙権の行使を制限することは，憲法１５条１項及び３項，４３条１項並びに４４条ただし書に違反するといわざるを得ない（最大判平成１７年９月１４日民集５９巻７号２０８７頁。以下「平成１７年最判」という。）。
禁錮以上の刑を執行されている者について，選挙権について「制限をすることなしには選挙の公正を確保しつつ選挙権の行使を認めることが事実上不能ないし著しく困難であると認められる場合」に該当するとは到底いえない。
したがって，禁錮以上の刑に処せられその執行を終わるまでの者について，選挙権の行使を制限する公職選挙法１１条１項２号は，憲法１５条１項及び３項，４３条１項並びに４４条ただし書に違反するものである。(2)ま   た，公   職選挙   法１１   条１項   ２号は，   受刑者   という社   会的身   分に基   づき，選挙権という政治的関係において差別するものであるから，憲法１４条１項にも違反する。
(3)   市民的   及び政   治的権   利に関   する国   際規約   （以下   「自由   権規約   」という。）は，国内法的効力を有しているところ，２５条において，いかなる差別もなく，かつ不合理な制限なしに，普通かつ平等の選挙権に基づき投票する権利及び選挙される権利を保障している。


そして，近年，受刑者に対して選挙権を否定する規定を違法，無効とする諸外国の判断が相次いでおり，また，自由権規約委員会は，判決によって自由を奪われた者の選挙権及び被選挙権を制約する規定が自由権規約２５条に違反するとの見解を示している。
したがって，受刑者に対し，合理的理由なくしてその選挙権を否定する公職選挙法１１条１項２号は，自由権規約２５条にも違反している。(4)被告は，平成１７年最判の判示する厳格な違憲審査基準は本件には適用されないと主張する。しかし，平成１７年最判のいう「自ら選挙の公正を害する行為をした者」とは，選挙犯罪により禁錮以上の刑に処せられた者を指すと解されるところ，これらの者のうち，選挙権を否定する者の範囲及び制限期間をどのように定めるかについては，一定の立法裁量が認められる余地があることから，厳格な審査基準で判断することは相当ではないとしたものと思われるのであり，そのような事情のない受刑者一般に対する選挙権の制限については，平成１７年最判の示した厳格な基準によって審査をすべきである。
(5)被告の主張は，選挙権の本質に関する二元説に依拠し，選挙権の公務的性格を強調して選挙人資格の立法裁量を幅広く容認するものであり，判例，学説上も見られない国家主義的発想であり，憲法の趣旨に反するものといわざるを得ない。
被告は，禁錮以上の刑に処せられた者が一般社会とは厳に隔離されるべき者であるとか，重大な犯罪行為を行った者であるなどと主張するが，刑事施設は，受刑者の人権を尊重しつつ，これらの者の状況に応じた適切な処遇を行うことを目的とする施設であり，およそ全ての受刑者が重大な犯罪行為を行ったものと評価できるものでもなく，被告の主張は失当である。また，被告は，禁錮以上の刑に処せられた者について，民主的意思形成に参加する能動的市民としての資格・適正が疑われるとか，著しく遵法精神に欠け，公正な選挙権の行使を期待できないなどと主張するけれども，禁錮以上の刑に処せられた者について一律に遵法精神に欠けると断定することはできないし，公正な選挙権の行使を期待できないなどということは到底出来ない。受刑者の処遇は，改善更生の意欲喚起及び社会生活に適応する能力の育成を図ることを旨として行うものであって，そのためには，社会の様々な状況に注意を向けさせ，選挙権を行使させることがむしろ必要であって，選挙権を否定する理由とはなり得ないというべきである。
(6)そして，立法の内容又は立法不作為が国民に憲法上保障されている権利を違法に侵害するものであることが明白な場合や，国民に憲法上保障されている権利行使の機会を確保するために所要の立法措置をとることが必要不可欠であり，それが明白であるにもかかわらず，国会が正当な理由なくこれを怠る場合などには，国会議員の立法行為又は立法不作為は，国家賠償法１条１項の適用上，違法の評価を受けるべきものである。被告は，最一小判昭和６０年１１月２１日民集３９巻７号１５１２頁（以下「昭和６０年最判」という。）を引用するが，同判決は平成１７年最判によって実質的に修正されたと見得るのであり，被告の主張は誤りである。
上記のとおり，公職選挙法１１条１項２号が憲法上保障されている選挙権を違法に侵害するものであることは明白である。そして，法改正が必要不可欠であり，それが明白であるにもかかわらず，国会が公職選挙法制定以来今日まで，また前記平成１７年最判からも５年以上の長期にわたって放置し，監獄法改正による受刑者の位置づけの変化，日本国憲法の改正手続に関する法律が投票権者から受刑者を排除する規定を置いていないこと，世界的に受刑者に選挙権を認める流れが生じてきたこと等にもかかわらず，法改正を怠ってきたのであるから，国会議員の立法不作為は，国家賠償法１条１項の適用上違法の評価を受けるものというべきである。
（被告の主張）
(1)原告は，平成１７年最判の射程が本件に及ぶと主張するけれども，同最判も「自ら選挙の公正を害する行為をした者等の選挙権について一定の制限をすること」は別としており，本件とは全く事案が異なるから，同最判の示した厳格な違憲審査基準は，公職選挙法１１条１項各号による選挙権の制限には適用されないというべきである。
(2)選挙権は，人権の一つとされるに至った参政権の行使という意味において権利であることに疑いはないが，公務員という国家の機関を選定する権利であり，純粋な個人権とは違った側面をもっているので，そこに公務としての性格が付加されていると解するのが相当である。このような選挙権の性格からすれば，その保障も絶対的なものではなく，憲法が定める基本原則を確保するために必要不可欠な場合には，これに制約を加え，あるいは一定の場合にこれを奪うことも憲法の許容するところというべきである。そして，憲法は，両議院の議員及びその選挙人の資格も法律で定めると規定している（４４条）ことに鑑みると，選挙人の資格の具体的な決定は国会の裁量に委ねられており，選挙人の資格をいかに制限するかは立法政策によるものである。
したがって，国会が具体的に定めたところがその裁量権の行使として合理性を是認し得るものである限り，それによって一定の者の選挙権を奪うこととなっても，憲法違反の問題は生じないというべきである。(3)禁錮以上の刑に処せられた者は，確定判決の効力によって拘禁されているものであり，一般社会とは厳に隔離されるべき者として拘禁されているのであるから，その拘禁目的及び性質に照らし合理的な限度で基本的人権に対する制限を加えることが許されると解される。
そして，選挙権の制限に合理性が認められるのは，選挙の公正さが阻害される相当の蓋然性が認められる場合であると解されるところ，およそ犯罪を行い禁錮以上の刑に処せられた者は違法性の極めて高い反社会的行為を行った者であり，著しく遵法精神に欠け，公正な選挙権の行使を期待できないと認められるのであるから，刑の執行が終わり，あるいは執行を受けることがなくなるまで，その選挙権の行使を制限することには合理的な理由が認められるというべきである。


このように，禁錮以上の刑に処せられその執行が終わるまでの者は，民主的意思形成に参加する能動的市民としての資格・適正が疑われる者であるから，その者の選挙権の行使を制限することには合理的な理由がある。公職選挙法１１条１項２号の合憲性は，学説もほぼ一致して認めるところである。(4)原告は，公職選挙法１１条１項２号が自由権規約２５条に違反すると主張するけれども，自由権規約２５条は，合理的な理由に基づく制限を許容していると解されるのであり，公職選挙法１１条１項２号は，上記のとおり，合理的理由に基づく制限であるから，同規約に違反するものではない。また，公職選挙法１１条１項２号は，有罪判決を受けた者の中でも，死刑確定者，懲役刑及び禁錮刑の受刑者について，刑に処せられその執行を終わるまでの期間に限って選挙権及び被選挙権を有しないものとしたものであって，刑の内容及び量刑に応じたものとなっており，規制内容は合理的である。(5)よって，公職選挙法１１条１項２号は合理的な理由に基づいて選挙権に関する制限を規定したものであり合憲であるから，原告との関係で，選挙権の制限に係る国会議員の立法行為又は立法不作為が国家賠償法１条１項の適用上，違法の評価を受けることはないというべきである。(6)国会議員の立法行為又は立法不作為が国家賠償法１条１項の適用上違法の評価を受けるのは，立法の内容が憲法の一義的な文言に違反しているにもかかわらず国会があえて当該立法を行うような容易に想定し難い例外的な場合に限られるというべきである（昭和６０年最判）。
原告の主張する監獄法の改正は，その改正点が受刑者に選挙権を認めることに直ちに結びつくものではないから，禁錮以上の刑に処せられその執行を終わるまでの者に選挙権を認めるべき契機となるものであったとはいえない。また，外国の選挙制度が我が国の選挙制度に当然に当てはまるものでないことは明らかであるから，仮に世界的に受刑者に選挙権を認める流れなどが生じてきたとしても，そのことをもって禁錮以上の刑に処せられその執行を終わるまでの者に選挙権を認めるべき契機となるものであったとはいえない。原告の主張する事情から，立法不作為が違法となるような例外的な場合に当たるということはできない。
また，禁錮以上の刑に処せられその執行を終わるまでの者に選挙権を認める旨の法律案が国会で審議されたことは一度もない上，在外選挙制度と比べて立法を求める世論等の動きは明らかに乏しいのであるから，かかる観点からも，本件は平成１７年最判とは事案を異にするというべきである。
４争点④（原告の損害額）について
（原告の主張）
原告は，平成２２年７月１１日に行われた参議院議員選挙において投票することができなかった。原告は，国民の基本的権利であり，一定の年齢に達した国民の全てに平等に与えられるべき選挙権の行使が認められなかったことにより精神的苦痛を受けたものであり，これに対する慰謝料は１００万円を下回るものではない。
（被告の主張）
否認ないし争う。
第５当裁判所の判断
１争点①（法令の違憲確認の訴えの適法性）について前記前提事実のとおり，原告は，懲役刑に処せられていたが，平成２３年１月２９日にその刑の執行を終了した。
そうすると，公職選挙法１１条１項２号が違憲であることの確認を求める訴えは，原告が同号に該当する者ではない以上，当事者間に具体的な法律関係についての紛争はなく，抽象的に法令の違憲確認を求めているものといわざるを得ない。そのような訴えは法律上の争訟に該当せず，かかる訴えを許容する法律の定めもない。
したがって，公職選挙法の違憲確認を求める訴えは，不適法である。
２争点②（選挙権確認の利益の有無）について
原告が次回衆議院議員総選挙において選挙権を有していることの確認を求める訴えは，公法上の権利関係に関する確認の訴えと解されるところ，上記のとおり，原告は，既に懲役刑の執行を受け終わっており，被告も，原告が現時点で公職選挙法１１条１項２号に該当しないことは特段争っていない。そうすると，原告が次回衆議院議員総選挙において選挙権を有しているか否かについて，原告の地位に現に不安が生じているとは認められず，当該権利関係について即時確定の必要があるとはいえない。
したがって，原告が次回衆議院議員総選挙において選挙権を有していることの確認を求める訴えは，確認の利益を欠き，不適法である。３争点③（公職選挙法１１条１項２号の合憲性並びに同号の立法行為及び廃止立法不作為の国家賠償法上の違法性）について
(1)合憲性の判断枠組みについて
ア憲法は，国民主権の原理を人類普遍の原理とし（前文），公務員の選定罷免権を国民固有の権利と定め（１５条１項），公務員の選挙について成年者による普通選挙を保障する（同条３項）。そして，国会の両議院は，全国民を代表する選挙された議員で組織するものとされている（４３条１項）。
また，両議院の選挙人の資格は法律で定めるものとされ，人種，信条，性別，社会的身分，門地，教育，財産又は収入によって差別することが禁止されている（４４条）。
イ上記の憲法の定めによれば，両議院の議員の選挙人の資格をどのように定めるかについては法律事項とされているものの，少なくとも，成年に達した国民であれば原則として選挙権を有するものと定めなければならないことは明らかである。
他方，選挙は，基本的人権である選挙権としての性質のほか，公務としての性質をも有しており，憲法が，選挙人の資格を法律の定めに委ねていることからすれば，選挙人の資格（欠格条項）を定めること自体が憲法上一切禁止されているものとは解されない。公務員の選挙においては，その公正を確保する必要があり，憲法が成年者による選挙と定めているのは，その意思表明能力を問題にする趣旨であると解されることからして，公正な方法で政治的な意思を表明し得る能力及び適性を有していることが，選挙人の資格を認める前提となるものと解される。
そうであれば，選挙の公正の確保や意思表明能力の観点など憲法上考慮することができる正当な目的に照らし，公正妥当な選挙制度を確立するため，合理的な範囲で選挙人の資格（欠格条項）を定めることは，憲法上許容されているものと解するのが相当である。そして，上記のような欠格条項の定めは，これに該当する者にとっては選挙権の制限に当たるところ，このような制限は，合理的理由に基づくもので，憲法１４条１項，１５条１項及び３項，４３条１項並びに４４条ただし書に違反しないというべきである。


ウさらに，選挙権は，選挙の際に多数の有権者によって同時に行使されるものであり，選挙後は速やかにその効力を確定させて法律関係の安定を図る必要性もあることなどからすると，個別の国民について，それぞれの個別的な事情を考慮して選挙権の有無を判定するような制度とすることは困難である。そのような選挙権の性質に照らせば，選挙権の欠格条項の定めについては，画一的にその該当性について判断することができる基準とせざるを得ない。
そうだとすれば，選挙権の欠格条項を定めるに当たっては，憲法の定めに照らして自ずと限度があるものの，一定の範囲で国会の裁量が認められるというべきである。したがって，国会の定めるところが合理性を欠き，その裁量権の範囲を逸脱又は濫用するものと認められる場合に，当該立法が選挙権を侵害するものとして違憲となるものと解するのが相当である。エ以上に対し，原告は，平成１７年最判を根拠に，選挙権の制限は，制限をすることがやむを得ないと認められる事由がなければならないというべきであり，制限をすることなしには選挙の公正を確保しつつ選挙権の行使を認めることが事実上不能ないし著しく困難であると認められる場合でない限り，違憲と解すべきであると主張する。
しかしながら，平成１７年最判は，日本国内に住所を有していないことを理由に選挙権を行使することができないとされたことの憲法適合性が問題となった事案であり，選挙権の欠格事由の定めの憲法適合性が問題となる本件とは事案を異にするというべきである。また，平成１７年最判は，「自ら選挙の公正を害する行為をした者等の選挙権について一定の制限をすることは別」としていることからすると，欠格条項として禁錮以上の刑に処せられた者の選挙権を制限することについて，厳格な基準によって判断しなければならない趣旨であるとは解されないのであり，原告の主張は採用することができない。
オまた，原告は，公職選挙法１１条１項２号が，自由権規約２５条に違反すると主張する。しかし，自由権規約２５条は，その文言からして，合理的理由のある選挙権の制限まで禁止するものとは解されない。したがって，選挙権の欠格事由を定める法律の規定に合理性が認められる限り，自由権規約２５条に違反しないものというべきであって，憲法の定めるところ以上に選挙権に対する制限を禁止する趣旨ではないものと解するのが相当である。
(2)公職選挙法１１条１項２号の憲法適合性についてア被告は，公職選挙法１１条１項２号に定める者に対して選挙権を否定する根拠として，これらの者が一般社会とは厳に隔離されるべき者として拘禁されているのであるから，その拘禁目的及び性質に照らし合理的な限度で基本的人権に対する制限を加えることが許されると解されること，およそ犯罪を行い禁錮以上の刑に処せられた者は違法性の極めて高い反社会的行為を行った者であり，著しく遵法精神に欠け，公正な選挙権の行使を期待できないと認められるのであるから，刑の執行が終わり，あるいは執行を受けることがなくなるまで，その選挙権の行使を制限することには合理的な理由が認められるなどと主張する。
イこの点，禁錮以上の刑に処せられた者は，執行猶予が付されることなく，あるいはこれが取り消されて受刑している者であることを意味するから，このような者は，重大な犯罪を行った者であるか，又は違法行為を繰り返した者であるといえるから，法秩序に対する違反の程度が著しいということができる。もっとも，禁錮以上の刑に処せられた者の中には，過失犯によって受刑するに至った者も含まれるなど，受刑の原因となった犯罪行為は，選挙権の行使と無関係なものが大半であると考えられることなどからすると，これらの者について，当然に公正な選挙権の行使を期待できないとは認められないし，選挙権を行使した場合に，選挙の公正が直ちに害されるとも認められない。
したがって，被告の主張のうち，禁錮以上の刑に処せられた者について，著しく遵法精神に欠け当然に公正な選挙権の行使を期待できないとする部分については，採用することができない。
ウ(ｱ)他方，禁錮以上の刑に処せられた者は，その効果として，一般社会から隔離された刑事施設において処遇を受けることとなるのであるから，その刑の性質に照らし，受刑中の社会参加が一定の範囲で禁止，制限されることはやむを得ないことといえ，このような刑罰の存在は，憲法上も予定しているものと解される。
このような刑罰の効果及び性質の観点からすれば，選挙権の重要性を考慮しても，一定の刑罰を受けた者に対し，法秩序に対する違反が著しいことを理由に，政治的意思を表明する資格がない，すなわち選挙権を認めるにはふさわしくないとして，禁止すべき社会参加の範囲に選挙権の行使を含めることは，一定の正当性が認められるというべきである。(ｲ)さらに，禁錮以上の刑に処せられた者は，一定期間，社会から隔離された刑事施設において処遇を受けることから，適正な選挙権行使の基礎，前提ともいうべき社会や政治情勢等に関する情報の入手が制限され，社会の構成員としての各種の社会参加活動が禁止されることになり，選挙権を適正に行使できる環境が実質的に保障できないおそれがあるといわざるを得ない。
このように，禁錮以上の刑に処せられた者に選挙権を認める場合，公正妥当な選挙制度を確立する観点から一定の問題が生じ得るといえ，かかる点も，欠格事由を定めるに当たって考慮できる事項というべきである。
(ｳ)以上の点を考慮すれば，一定の刑に処せられたことを選挙権の欠格条項として定めることは，それが合理的な範囲内にとどまる限り，憲法上許容されるものと解するのが相当である。
エそして，公職選挙法１１条１項２号によって選挙権を否定されるのは，禁錮以上の刑に処せられた者であるところ，前記のとおり，これらの者は，法秩序に対する違反の程度が著しいということができるから，選挙権の行使を制限する範囲として不当に広汎であるとはいえない。また，選挙権が否定される期間は，その刑の執行を受け終わるまでの期間であり，刑罰の軽重に対応した期間が定められているものといえる。これに加え，前記のとおり，選挙権の欠格事由を定めるに際しては，画一的な基準とする必要性があることをも考慮すれば，禁錮以上の刑に処せられた者全てについて受刑期間中の選挙権を否定することが，上記の観点から定める欠格事由の範囲及び欠格期間として，合理的な範囲を逸脱したものとは認められない。
オこれに対し，原告は，受刑者の処遇が改善更生の意欲喚起や社会生活に適応する能力の育成を図ることを旨として行うものであることから，むしろ受刑者に選挙権を認める必要があると主張するけれども，かかる主張について憲法上の根拠は見いだし難いから，選挙権の欠格事由の定め方に関する国会の裁量権を限定する理由とはならないものというべきである。(3)したがって，公職選挙法１１条１項２号は憲法に違反するとはいえず，その立法行為及び改正をしなかったことが，国会の裁量権を逸脱又は濫用するものであったとは認められないから，その余の点について判断するまでもなく，原告の損害賠償請求は理由がない。
４結論
以上のとおりであるから，本件訴えのうち公職選挙法の違憲確認を求める部分及び原告が選挙権を有していることの確認を求める部分については，いずれも不適法であるから却下することとし，原告のその余の請求は理由がないからこれを棄却することとして，主文のとおり判決する。
大阪地方裁判所第２民事部


主            文
１本件控訴を棄却する。
２控訴費用は，控訴人の負担とする。
事実及   び理由
第１控訴の趣旨
１原判決を取り消す。
２白河税務署長が，控訴人に対し，平成１９年６月２９日付けでした，平成１８年分の所得税に係る更正処分のうち課税総所得金額１億７０５４万４０００円，納付すべき税額６２４０万８６００円を超える部分及び過少申告加算税の賦課決定処分（ただし，いずれも，平成１９年１０月２６日付けでされた異議決定及び平成２０年１０月３０日付けでされた裁決により一部取り消された後のもの）を取り消す。
３訴訟費用は，第１，２審とも，被控訴人の負担とする。
第２事案の概要
１本件の事案の概要，前提事実，所得税額等に関する当事者の主張，争点，争点に関する当事者の主張の要旨は，下記２に付加，訂正し，同３に控訴人の当審における主張を加えるほかは，原判決の「事実及び理由」欄の「第２事案の概要」（原判決２頁１４行目から同１０頁１４行目まで）に記載のとおりであるから，これを引用する。
２原判決９頁１行目の「明らかである。」の次に「すなわち，①Ａ株式会社（以下「Ａ」という。）は，本件組合契約の業務執行組合員ではなく，また，Ｂが投資会社の育成等に関する事項を第三者に委任することは禁止されている（本件組合契約９条(3)）から，Ａが業務執行組合員であるＢから新規事業の提案等を行う行為について委任されたことはなく，ＡがＣに対してした投資案件の紹介等の行為は，株主として自社のために行ったものであって，本件組合のためにしたものではない。②本件組合がＣに対して新規事業の提案等を行うことは本件新株予約権の権利行使の条件とされていない。」を加え，同９頁３行目末尾に改行して「ウ所得税法３４条１項の「労務その他の役務又は資産の譲渡の対価としての性質を有しないもの」という文言は，対価の対象を「報酬」としての性質（報酬性）に基づくものに限定する趣旨であるから，報酬性が認められないものを対価に当たると解することは課税要件明確主義（憲法８４条）に反する。」を加える。
３控訴人の当審における主張
(1)民法上の任意組合から組合員が得た所得についての所得税法上の所得区分は，組合とは別に，組合員の段階で独立に判定されるべきであるから，控訴人の役務提供の有無にかかわらず，対価としての性質があると認めることはできない。
(2)控訴人は，Ｃ株式１９０万株のうち１４５万株については平成１８年中に株券を受領しておらず，Ｃの第１３１期ないし第１３３期（平成１７年４月１日ないし平成２０年３月３１日まで）の有価証券報告書には控訴人が１４５万株の株主として記載されていないから，平成１８年分の所得税法３６条の「収入」として上記１４５万株について課税することは許されない。
(3)本件組合を通じてＣ株式を取得した法人組合員については，新株予約権を付与した時点で課税しているのに，自然人の組合員については権利行使時における証券取引所の終値（控訴人の場合は１株当たり１９５円）で課税することは，租税平等主義（憲法１４条１項，８４条）に反する。
第３当裁判所の判断
１当裁判所も，控訴人の請求はいずれも理由がないと判断する。その理由は，下記２に付加，訂正し，同３に当裁判所の判断を補足するほかは，原判決の「事実及び理由」欄の「第３当裁判所の判断」１項ないし３項（原判決１０頁１６行目から同２４頁１６行目まで）に記載のとおりであるから，これを引用する。
２原判決１１頁１９行及び２０行目の「根拠はないから，」を「根拠はなく，上記イのように解することが課税要件明確主義に反するということはできないから，」と改め，同２０行目の「原告の主張」を「控訴人の主張（池本征男の意見（甲１１７の１）を含む。）」と改め，同１３頁２１行目の「その後，」を「また，」と改め，同行及び同２２行目の「平成１８年６月２０日付け覚書（以下「本件覚書」という。）を作成し，」を「平成１７年６月２９日，」と改め，同１４頁６行目の「確認している。」を「合意し，その後，平成１８年６月２０日付け覚書（以下「本件覚書」という。）において上記合意を確認した。」と改め，同１７頁９行目の「別であり，」の次に「Ａは，本件組合契約の業務執行組合員ではなく，業務執行組合員であるＢから委任されていないから，Ａの行為は本件組合のためのものではなく，また，」を加え，同１８頁１行目の「前記各陳述書」から同３行目の「左右するものではない。」までを「前記各陳述書及び電話聴取書は，乙２０ないし２３に照らし，いずれもたやすく採用することができない。そして，上記認定の事実によれば，ＡがＣに対して新規事業の提案等をしたことは，非業務執行組合員であるＡが業務執行組合員であるＢのために活動し，Ｂがこれを黙示に承認したものであると評価できること（なお，本件組合契約９条(3)は，非業務執行組   合員に   対する   委任又   は準委   任を禁   止した   趣旨で   あると   は解さ   れない。），前記１(1)イのとおり，所得税法３４条１項の「労務その他役務の対価」には，給付が抽象的又は一般的な役務行為に密接に関連してされる場合を含むと解されるところ，Ａの上記行為は本件組合の労務その他役務であると認めることができるから，Ａが本件組合の業務執行権を有していないことは，上記認定を左右しない。」と改める。
３当裁判所の判断の補足


主文
被告人を懲役１年及び罰金１０００万円に処する。
未決勾留日数中８０日をその懲役刑に算入する。
その罰金を完納することができないときは，金２万円を１日に換算した期間被告人を労役場に留置する。
横浜海上保安部で保管中の漁船１隻（横浜地方検察庁平成２７年庁外領第３９号符号１）及び漁具４４式（同領号符号２及び１９）を没収する。
理由
【罪となるべき事実】
被告人は，中華人民共和国に国籍を有する外国人で，同国船籍漁船「Ａ」（推定総トン数約４６トン）の船長であるが，同漁船の船員であるＢと共謀の上，法定の除外事由がないのに，平成２６年１２月２１日午前零時４６分頃，東京都八丈支庁ａ島西端から真方位３４０度，距離３．２海里（領海線の約９．１海里内側）付近の本邦の水域内において，同漁船及びさんご漁具を使用して漁業を行った。
【証拠の標目】
（省略）
【法令の適用】
被告人の判示所為は刑法６０条，外国人漁業の規制に関する法律８条の２，３条１号に該当するところ，情状により所定刑中懲役刑及び罰金刑を選択し，その所定刑期及び金額の範囲内で被告人を主文掲記の懲役刑及び罰金刑に処し，刑法２１条を適用して未決勾留日数中主文掲記の日数をその懲役刑に算入し，その罰金を完納することができないときは，同法１８条により金２万円を１日に換算した期間被告人を労役場に留置し，主文掲記の漁船１隻及び漁具４４式は，外国人漁業の規制に関する法律８条の２の場合において，犯人が所有する船舶及び漁具であるから，同法９条の２本文を適用してこれらをいずれも没収し，訴訟費用は，刑訴法１８１条１項ただし書を適用して被告人に負担させないこととする。
【量刑の理由】
１本件で被告人が採補しようとしたいわゆる宝石さんごは，わが国が誇る希少な水産資源であるが，生育速度が極めて遅いことから，わが国領海内におけるさんご漁については，持続的な採補を可能にするため，都道府県の漁業調整規則や漁業従事者の自主ルールにより，その規模，期間，方法等につき厳格な規制が行われてきた。しかるに，中華人民共和国（以下「中国」という。）に国籍を有する外国人である被告人は，判示漁船（以下「本件漁船」という。）の船長として，中国国内の港を出港してａ島付近に至り，その周辺海域において，上記規制を完全に無視した方法でさんごの密漁を行ったものであり，本件犯行は，わが国領海内の漁業の正常な秩序を著しく害する悪質な行為といえる。
２本件犯行に至る経緯をみると，被告人は，日本の領海でさんご漁をすることを想定しながら，借金や共犯者からの出資により調達した多額の資金を元手に中国国内で本件漁船を購入し，さんご漁用に本件漁船を改造し，さんご漁の漁具を購入し，船員らを集めるなど必要な準備を整えた上，平成２６年１０月頃，中国浙江省の港を出港し，小笠原諸島周辺海域において，さんご漁を行った。さらに，被告人は，中国国内に戻った後，再び船員らを集め，同年１２月５日頃，浙江省の港を出港し，ａ島周辺海域において，本件犯行に及んでいる。
この点，被告人は，２回目の航海は，当初中国の近海で漁をするつもりだったが，他の漁船から無線で誘われてａ島付近に向かったと供述するところ，２か月分以上の燃料を積んでいたことなどに照らし，その信用性には疑問の余地があるが，仮に被告人の言い分を前提としても，上記の経緯自体から，さんご密漁により多額の経済的利益を得ようとする強い意思を見て取ることができる。３しかも，被告人は，前回の航海の際に海上保安庁の巡視船から退去警告を受け，さんご密漁が日本の法律に違反することを十分認識したはずであるのに，今回の航海の際，同月１８日及び１９日に退去警告を受け，さらに，同月２０日から２１日にかけては，約７時間４９分にわたって退去警告を受け続けながら，船員らに指示して巡視船の面前でさんご漁具を５回程度海底に投下し，さんご漁を断行している。被告人にはさんご密漁へ向けた強い意志と，わが国の法秩序を軽視する姿勢が顕著に認められるというべきである。被告人が，本件犯行後に巡視船からの停船命令を無視して約８時間３０分にわたり逃走を続けていること（被告人は，停船命令に気付かず，逃げるつもりはなかったと供述するが，およそ信用できない。）も，わが国の法秩序軽視の姿勢を端的に示している。
既に見た利欲性の強さや，被告人の法秩序軽視の姿勢が目に余ることも踏まえれば，本件については，行為責任の見地から厳しい非難が妥当するといわざるを得ない。
４加えて，わが国領海における外国漁船による違法操業は，わが国漁業従事者による水産資源管理の取組や円滑な漁場利用に対する大きな障害となっており，とりわけ，近時，中国漁船による大量越境操業が重大な社会問題となっていることは周知の事実である。そうすると，本件については，犯罪の抑止及び予防の見地からも厳しい態度で臨むことが要請される。このような観点は，外国人漁業の規制に関する法律が一部改正され（平成２６年１２月７日施行），本邦水域における外国人による漁業等の禁止に係る違反に関する罰金額の上限が４００万円から３０００万円に引き上げられたことに現れており，その立法者意思は，本件における懲役刑も含めた量刑判断に当たり，十分に尊重される必要がある。５他方，巡視船によって被告人が現行犯逮捕され，漁船，漁具及びさんご（被告人は，そのほとんどがわが国領海内で採れたものではないと主張している。）が押収されており，被告人が本件犯行により利益を得たとは認められないこと，被告人が起訴事実を認め，反省と後悔の言葉を述べていること，被告人にはわが国における前科前歴がなく，中国国内に扶養すべき家族がいることなどは，被告人のために酌むべき事情といえる。
６しかしながら，被告人の行為責任を基礎とし，犯罪の抑止及び予防の必要性並びに法改正の趣旨も併せて考えると，当裁判所としては，法改正前の同種事案の量刑傾向を踏まえても，本件については，懲役実刑をもって臨むこととなるのはやむを得ないとの判断に至った。そして，被告人に有利不利一切の事情を総合考慮すると，被告人を懲役１年及び罰金１０００万円に処するのが相当である（なお，検察官は罰金の仮納付を求めるが，懲役刑の執行を猶予しないことを前提とすれば，判決確定前に被告人が退去強制により帰国する現実的な可能性は低く，仮納付の必要性は認められない。）。
(［求刑］懲役１年６月及び罰金１５００万円，主文同旨の没収)
平成２７年５月２７日
横浜地方裁判所第１刑事部
裁判長裁判官      足立   勉
裁判官      二
裁判官      金﨑哲平