したがって，審決の上記判断は，ＬＥＤリフレクタの素材に求められる特性と照明用反射板の素材に求められる特性の違いを無視した，誤ったものである。ウ(ｱ)審決は，相違点１について，「引用発明１に係るポリアミド組成物の物性である耐ハンダ性に着目し，この物性が必要とされる「ＬＥＤのリフレクタ」用の素材として，このポリアミド組成物を用いることも，当業者が容易になし得ることである」（審決１０頁２７行～２９行）と判断したが，誤りである。(ｲ)審決の上記判断は，引用発明１組成物が，吸湿時の耐熱性である耐ハンダ性の改善を目的とするものであり，刊行物３からＬＥＤリフレクタ用の素材として耐ハンダ性が要求されると理解できることに基づくものである。しかしながら，刊行物３は，本願発明１とは樹脂が異なるもので，青色ＬＥＤが発する短波長の光に長期間曝されることを要因とした変色による光反射率の低下という問題点の解決に資する技術的事項は記載されていない。したがって，ＬＥＤリフレクタ用素材に求められる諸特性の中の耐ハンダ性という一部の特性を満たしているというだけで，引用発明１組成物をＬＥＤリフレクタ用素材として用いることが当業者にとって容易であるとした審決の判断は，誤りである。
(2)本願発明１と引用発明１との相違点２についての判断の誤り（取消事由２）ア(ｱ)審決は，本願発明１と引用発明１との相違点２について，特開平９－１２８５３号公報（甲６）及び特開平５－３２０５１９号公報（甲７）に基づいて，「引用発明１に係るポリアミド組成物において，酸化チタンを用いるにあたり，平均粒径が０．１～０．５μｍの酸化チタンを選択することは，当業者が容易に想到しうるものである」（審決１１頁２８行～３０行）と判断したが，誤りである。(ｲ)甲６には，「液晶表示盤やＬＥＤ表示盤等の反射板に利用される」（【０００２】），甲７には，「液晶表示盤の反射板やＬＥＤの表示盤等の部品の成形に応用」（【０００２】）との記載があるのみで，いずれにもＬＥＤのリフレクタ成形に用いられることの説明はない。甲６の「液晶表示盤やＬＥＤ表示盤等の反射板」や甲７の「液晶表示盤の反射板やＬＥＤの表示盤等」は，いずれもＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたＬＥＤリフレクタとは異なる部品であるから，審決の上記判断は，根拠を欠くものであって，誤りである。
被告は，特開平４－３２９６８０号公報（乙１）の【図７】，【図８】及びその説明を挙げて，一般的なＬＥＤ発光素子の構造の説明をする。しかしながら，乙１には，表面実装対応の発光装置の提供を目的として掲げられる（【００１８】）とともに，封止樹脂としてエポキシ樹脂に換えて高耐熱性の熱可塑性ポリイミドを用いることによって，表面実装温度２５０℃に対応可能であることが記載されているから，乙１の【図７】，【図８】及びその説明は，ＳＭＴプロセスに耐える耐熱性を備えた樹脂組成物を用いて反射板を形成することを前提としているといえ，甲６，７に記載されたポリカーボネート組成物がＬＥＤリフレクタの成形に用いられることを示したものではない。
イ(ｱ)審決は，相違点２について，刊行物３，特開２００１－８１３１６号公報（以下「刊行物４」という。甲４），特開平６－１５７９０２号公報（以下「刊行物５」という。甲５）に基づいて，「引用発明１に係るポリアミド組成物における酸化チタンの配合量を，ポリアミド樹脂１００重量部に対して１５～７０重量部の範囲に設定することは，当業者が容易に想到しうるものである」（審決１１頁１９行～２１行）と判断したが，誤りである。
(ｲ)刊行物４，５は，いずれも，ＬＥＤリフレクタ成形用組成物に関する技術的事項を開示するものではない。すなわち，刊行物４の照明器具用部品及び刊行物５のハウジング等は，ＳＭＴにおける耐ハンダ性を有しない樹脂（例えば，ナイロン６６）を用いて製造される部品であって，ＬＥＤリフレクタとは異なる。よって，刊行物４，５における酸化チタンの配合量に関する記載は，参酌するに足りるものではない。また，本願発明１の配合量は，本願発明１に特有の課題の解決を可能とする条件であるから，課題の異なる刊行物３で採用する酸化チタンの配合量から，当業者が容易に想到し得るとすることはできない。
本願発明１における粒径及び配合量は，両者一体となって本願発明１に特有な課題の解決を可能としているものであるのに対して，審決は，これら両条件を分離して，それぞれの容易想到性を判断しているだけで，両者の組合せについての容易想到性を検討しなかった結果，誤った結論に至ったものである。
(3)本願発明１の効果の看過（取消事由３）
ア審決は，本願発明１の効果について，「酸化チタンを配合することにより，白色度及び表面反射率が向上するという効果は，当業者が容易に予測しうる程度のものであるといえる」（審決１２頁５行～７行），「酸化チタンを加熱処理及び紫外線照射による色調変化を低減させることを目的として配合することは，当業者にとり周知であるといえるので，加熱処理及び紫外線照射によって生じる色調変化を低減させる効果についても，当業者が容易に予測しうる程度のものである」（審決１２頁１４行～１７行），「酸化チタンの平均粒径が「０．１～０．５μｍ」の範囲であり，酸化チタンの配合量がポリアミド１００重量部に対して「１５～７０重量部」の範囲であることに，臨界的意義があるということもできない」（審決１２頁２４行～２７行）と判断したが，誤りである。
イ本願発明１は，これまで知られていた耐ハンダ性ＬＥＤ用リフレクタ（刊行物３）で用いられているＰＡ４６と酸化チタンを含有した樹脂組成物（比較例２）及び耐熱性に優れることが知られているＰＡ６Ｔと酸化チタンを含有する樹脂組成物（比較例３）と比較して，紫外線照射による変色による反射率の低下が顕著に小さいという効果を有することが，本願明細書【表１】に示されている。これによれば，配合する樹脂の種類が異なれば，同じ量的条件で酸化チタンを配合しても，紫外線照射による変色を低減し，反射率の低下を抑制する効果に大きな差異が生じることが明らかである。


この点に関して，審決は，刊行物４，５を引用して当業者が予想し得た効果にすぎない旨説示するが，ＬＥＤリフレクタ成形用に求められる耐熱性を満たす樹脂組成物の中から引用発明１組成物を選択することにより奏される効果を無視しており，失当である。
また，審決は，本願発明１の酸化チタンの粒径及び配合量の組合せに臨界的意義が認められない旨説示するが，引用発明１組成物をＬＥＤリフレクタ成形用樹脂組成物に用いることが本願優先日前に知られていなかったのであるから，臨界的意義は求められるべきでない。
(4)本願発明１と先願発明Ａとの相違点の判断の誤り（取消事由４）ア審決は，本願発明１と先願発明Ａとの相違点Ａについて，「先願発明Ａにおいて，酸化チタンの配合量をポリアミド樹脂１００重量部に対して１５～７０重量部の範囲とすることは，当業者にとり周知の技術を付加した程度のことにすぎない」，「先願発明Ａにおいて，平均粒径が０．１～０．５μｍの酸化チタンを用いることについては，当業者にとり周知の技術を付加した程度のことにすぎない。」（審決１８頁５行～８行，同１７行～１９行）と判断したが，誤りである。イ甲６，７に基づいて，ＬＥＤ等のリフレクタ成形用の樹脂組成物に配合するチタンとして，平均粒径が０．１～０．５μｍの範囲内のものを用いるのが当業者に周知であると認定することが失当である点については，取消事由２で主張したとおりである。
また，審決は，甲６の「一般的に顔料用酸化チタンの粒子径は，０．１～０．４μｍである」との記載を根拠として，「本願発明１に係る平均粒径を有する酸化チタンは，顔料用酸化チタンとして通常用いる範囲である」と認定し，「先願発明において，平均粒径が０．１～０．５μｍを用いることについては，当業者にとり周知の技術を付加した程度である」と判断した。
しかしながら，顔料ないし充填剤として用いる酸化チタンについては，甲１１～１５の記載からも把握されるとおり，各種平均粒径を有するものをそれぞれの目的に合わせて採用することが本願優先日前に普通に行われているので，甲６のみに基づく審決の上記認定及び判断は誤りである。
ウ刊行物３～５に基づいて，酸化チタンの配合量を，ポリアミド樹脂１００重量部に対して１５～７０重量部の範囲に設定することは当業者が容易に想到し得るものであると判断することが失当である点については，取消事由２で主張したとおりである。
エ本願発明１の平均粒径と配合量の組合せは，本願発明１の課題，すなわち，リフレクタ部分に耐熱性プラスチックを用いる場合に変色による光反射率の低下が問題となるという課題の解決を可能とする条件である。それに対して，先願明細書Ａには，本願発明１における上記課題の解決を可能とする構成を備えた発明は記載されていない。
２被告の反論
(1)本願発明１と引用発明１との相違点１についての判断の誤り（取消事由１）
に対し
ア原告主張の第１要求特性については，原告のいう「ハンダ付けの温度に耐えられる」とは，「ハンダリフロー工程の温度に耐えられる」の趣旨と解されるが，ＬＥＤリフレクタには，ハンダリフロー工程を経ないで製造されるものが存在し，第２の要求特性についても，青色以外の色のＬＥＤが存在するところ，本願発明１の樹脂組成物は，その特許請求の範囲に記載された事項によって特定されるとおりのものであって，ハンダリフロー工程を経て製造されるＬＥＤリフレクタや，青色ＬＥＤ用のＬＥＤリフレクタの成形用に限定されてはいない。また，そのように限定して解すべきであるとするに足りる具体的な根拠も，本願明細書には記載されていない。
したがって，原告の主張は，その前提において誤っており，失当である。イ原告は，本願発明１は，ＬＥＤリフレクタ，すなわち，ＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたリフレクタの成形に用いられるポリアミド組成物であって，表面実装技術（ＳＭＴ）に対応した耐ハンダ性，及び青色ＬＥＤのような短波長の光に対する耐光性という特性が要求されるものである旨主張するが，本願発明１は，ハンダフロー工程を経て製造されるＳＭＴ型ＬＥＤリフレクタ用，かつ，青色ＬＥＤリフレクタ用とは限定されていない。ＬＥＤリフレクタには，ハンダフロー工程を経ないで製造されるものもあるし，ＬＥＤには青色以外のものもある。刊行物２に，酸化チタンを配合した合成樹脂を，ＬＥＤ用の反射板，照明用反射板のような反射板用素材として用いることが記載されている以上，引用発明１組成物をＬＥＤ用の反射板として用いることは当業者が容易になし得ることである。ウ原告は，刊行物３には，青色ＬＥＤが発する短波長の光に長期間曝されることを要因とした変色による光反射率の低下という問題点の解決に資する技術的事項は記載されていない旨主張するが，刊行物３の技術分野は発光ダイオード用リフレクタであるから，光を反射するための部品として耐光性が考慮されていることは自明である。しかも，刊行物４のとおり，紫外線照射による変色を低減させることを目的として酸化チタンを配合することは，当業者に周知である。引用発明１組成物は，基板への電子部品の実装でリフローハンダ耐熱性に優れた材料が要求されるようになったことを前提として，耐ハンダ性に優れたものであるから，刊行物３に，ＬＥＤリフレクタには耐ハンダ性が必要である旨が記載されている以上，原告が主張する青色ＬＥＤについての記載はなくとも，引用発明１組成物をＬＥＤリフレクタ用にすることは当業者が容易になし得ることである。(2)本願発明１と引用発明１との相違点２についての判断の誤り（取消事由２）
に対し


ア原告は，甲６，７のいずれにも，酸化チタン配合樹脂組成物をＬＥＤリフレクタ成形に用いられることの説明はない旨主張するが，誤りである。一般的なＬＥＤ発光素子の構造は，例えば，乙１の【図７】，【図８】に示されたような構造であり，反射板については「光反射率のよい熱可塑性樹脂（例えば，チタンホワイトなどの白色無機質フィラーを混入し白色に着色した液晶ポリマーやポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂）で，ＬＥＤランプの底面および側面部分を囲むように反射板１０を成形し，反射効果を持たせて光の高出力化を図った例である」（【００５６】）と説明されている。
一方，甲６には「芳香族ポリカーボネート樹脂は機械的特性，寸法安定性，耐熱性等に優れているので液晶表示盤やＬＥＤの表示盤等の反射板用途に適している。芳香族ポリカーボネート樹脂に反射性能を付与する方法として，酸化チタンを配合して白度を向上させ，光遮蔽性を付与して反射率を上げる方法が検討されている」（【０００２】）と，甲７には「ポリカーボネート樹脂を液晶表示盤の反射板やＬＥＤの表示板等の部品の成形に応用する場合，得られる成形品は，明るさを保持するために高反射率でなければならない。ポリカーボネート樹脂を用いて反射率の高い成形品を得るには，光を吸収しにくい白色顔料を配合することが好ましい」（【０００２】）と記載されているのであるから，甲６，７には，ＬＥＤのリフレクタ成形に用いられることの説明がされていると解するほかない。そして，酸化チタンの粒径について，甲６の【０００９】には，０．１～０．４μｍ，甲７の【００２９】には０．２１μｍと記載されていることからして，審決の「ＬＥＤ等のリフレクタ成形用の樹脂組成物に配合する酸化チタンとして，平均粒径が０．１～０．５μｍの範囲内のものを用いることについては，……ＬＥＤ等の反射板の技術分野において，本願優先日前に，一般的に行われていた事項である」（１１頁２２行～２７行）との認定に誤りはない。
イ原告は，刊行物４，５は，ＬＥＤリフレクタ成形用組成物に関する技術的事項を開示するものではない旨主張するが，刊行物４は，「照明器具等の部品」（【０００１】），刊行物５は「ランプソケット，ランプインナーハウジング，リフレクター等」（【０００３】）であって，いずれも光を受ける部材である点で，本願発明１のＬＥＤリフレクタと密接に関連する。
また，原告は，刊行物３は，本願発明１と解決すべき課題も用いる樹脂も異なる旨主張するが，刊行物３の技術分野は「発光ダイオード用リフレクター」であって，本願発明１の「ＬＥＤリフレクタ」と差異がない。そして，刊行物３には樹脂６０～９５重量部に対して５～４０重量％，刊行物４には樹脂１００重量部に対して１～３０重量％，刊行物５には樹脂１００重量部に対して１～１００重量部，酸化チタンを配合することが記載されているとともに，配合量が少なすぎれば反射率などの光学的性質が不十分となる旨，及び，配合量が多すぎれば強度などの機械的性質が低下する旨が記載されているから，それらの配合量を考慮しつつ，「反射率などの光学的性質」及び「強度などの機械的性質」を最適化することにより，本願発明１における酸化チタンの配合量としてポリアミド樹脂１００重量部に対して１５～７０重量部を設定することは，当業者が容易に想到し得るものである。ウ本願発明１における酸化チタンの粒径及び配合量は，いずれもごくありふれた程度のものであって，しかも，明細書をみても両者が有機的な結び付きのあるものとは解し得ないから，両者が一体となって効果を奏しているわけではない。(3)本願発明１の効果の看過（取消事由３）に対し原告は，審決は，引用発明１組成物を選択することにより奏される効果を無視しており失当である旨主張する。
しかしながら，刊行物１に，「本発明のポリアミド組成物から得られる成型品は，……ランプリフレクタ等の反射鏡……などの種々の用途に用いることができる」（【００２６】）と記載されているところ，「ランプリフレクタ等の反射鏡」は，常時光が当たる条件下で用いられることから，実用上，紫外線照射下における「変色による反射率の低下」が小さいことが前提となっている。また，刊行物４の「添加量が１重量部未満では，高温雰囲気かつ紫外線照射下のより厳しい環境下における変色防止効果が不十分であり」（【０００９】）の記載からみて，紫外線照射による変色を低減させることを目的として酸化チタンを配合することは，当業者に周知であるといえるから，酸化チタンの配合により紫外線照射による変色を低減し，反射率の低下を抑制する効果は，当業者が予測し得ることである。しかも，本願明細書【表１】では，紫外線照射による色調変化が，実施例１では２．１であるのに対して，従来技術である比較例３は３．１であって，両者の違いはほとんどなく，程度の差にすぎないから，本願発明１の効果が格別顕著なものとはいえない。(4)本願発明１と先願発明Ａとの相違点の判断の誤り（取消事由４）に対しア取消事由２に対して上記(2)アで述べたのと同様の理由により，審決の「先願発明Ａにおいて，平均粒径が０．１～０．５μｍの酸化チタンを用いることについては，当業者にとり周知の技術を付加した程度のことにすぎない」（１８頁１７行～１９行）との判断に誤りはない。また，審決の「本願発明１に係る平均粒径を有する酸化チタンは，顔料用酸化チタンとして通常用いる範囲である」（同頁１６行～１７行）との認定は，甲６のみを根拠とするものではない。審決は，甲６，７の酸化チタンの粒径に関する記載をも併せて認定の根拠としている。原告は，目的に合わせて各種平均粒径の酸化チタンを採用することが本願優先日前普通に行われていたことの根拠として甲１１～１５を示すが，それらは，いずれも先願発明Ａとは技術分野を大きく異にしているから，ＬＥＤ等のリフレクタ成形用樹脂組成物に配合する酸化チタンの粒径についての審決の認定判断に影響を及ぼすものではない。
イ取消事由２に対して上記(2)イで述べたように，刊行物４，５の技術分野は，光を受ける部材である点で，先願発明Ａの「発光ダイオード反射板」と密接に関連する。また，刊行物３の技術分野も「発光ダイオード用リフレクター」である点で，先願発明Ａと差異がないし，刊行物３で用いたＰＡ４６とＰＡ９Ｔは，先願発明Ａの樹脂とポリアミドである点で相違はなく，ただ，それを構成するジアミンの炭素鎖の鎖長が異なるだけである。


そして，刊行物３には樹脂６０～９５重量部に対して５～４０重量％，刊行物４には樹脂１００重量部に対して１～３０重量％，刊行物５には樹脂１００重量部に対して１～１００重量部，酸化チタンを配合することが記載されているとともに，配合量が少なすぎれば反射率などの光学的性質が不十分となる旨，及び，配合量が多すぎれば強度などの機械的性質が低下する旨が記載されているから，当業者であれば，それら周知技術を考慮して，「ＬＥＤ等のリフレクタ成形用の樹脂組成物に配合する酸化チタンの配合量を，ポリアミド１００重量部に対して１５～７０重量部の範囲とすることについては，当業者にとり周知である」（審決１８頁３行～５行）とした審決の認定判断に誤りはない。
第４当裁判所の判断
１取消事由１（本願発明１と引用発明１との相違点１についての判断の誤り）
について
(1)ア原告は，本願発明１は，ＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたリフレクタ（ＬＥＤリフレクタ）の成形に用いられるポリアミド組成物に関するものであり，ＳＭＴに対応した耐ハンダ性，及び青色ＬＥＤのような短波長の光に対する耐光性という２つの特性が要求されるものである旨主張する。原告は，上記主張の根拠について，本願明細書の「ＬＥＤにおいてもＳＭＴに耐える耐熱性が要求されることに加えて，リフレクタ部分に耐熱性プラスチックを用いる場合には，実際の使用環境下において，変色による光反射率の低下が問題となること」（【０００４】）との記載，「本件発明の目的が，ＳＭＴプロセスに耐える耐熱性を有し，優れた表面反射率を有する成形品を与えるポリアミド組成物を提供することにあること」（【０００６】）の記載，及び，実施例において紫外線照射後の色調変化評価を行っていることから，本願発明１の課題が，ＳＭＴに対応した耐ハンダ性及び青色ＬＥＤのような短波長の光に対する耐光性という２つの要求特性を同時に満たす材料の開発にあることが容易に理解できる旨主張する。
イしかしながら，本願発明１に係る特許請求の範囲の記載は，前記第２の２記載のとおりであり，本願発明１のポリアミド組成物について，「……ＬＥＤのリフレクタ成型用ポリアミド組成物」と特定するものである。そして，ＬＥＤリフレクタは，ＬＥＤの発光を前面に反射し，輝度を向上させる部品一般のことをいい，ＬＥＤには，短波長の青色以外に，赤色や緑色のような長波長のものもあるが，本願明細書には，「ＬＥＤリフレクタ」の技術用語について，青色ＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたもの，すなわちＳＭＴ型青色ＬＥＤリフレクタのみに限定解釈する旨の定義等はないし，そのように限定解釈すべき事情も見いだせない。したがって，本願発明１の課題が，ＳＭＴに対応した耐ハンダ性及び青色ＬＥＤのような短波長の光に対する耐光性という２つの要求特性を同時に満たす材料の開発にあるとしても，本願発明１自体を，青色ＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたリフレクタ成形用ポリアミド組成物と限定解釈することはできない。すなわち，ＬＥＤリフレクタという技術用語は，それが通常有する意味のとおり，ＬＥＤの発光を前面に反射し，輝度を向上させる部品一般を意味し，対象とするＬＥＤの色（波長）等に限定のないものと解釈すべきで，本願発明１は，そのような部品の成形用ポリアミド組成物である。
(2)ア審決は，引用発明１組成物が，ランプリフレクタ等の反射鏡の用途に用いられるものであり，刊行物２（甲２）に，無機充填剤，特に酸化チタンを配合した合成樹脂を，ＬＥＤ用の反射板，照明用反射板のような反射板用素材として用いることが記載されていることを根拠に，相違点１について，「引用発明１に係るポリアミド組成物の用途をランプリフレクタ等の反射鏡からＬＥＤのリフレクタとすることは，その発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者……が容易になし得ることである」（審決１０頁１８行～２１行）と判断したものであるところ，原告は，本願発明１は，ＬＥＤリフレクタ，すなわち，ＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたリフレクタの成形に用いられるポリアミド組成物であって，ＳＭＴに対応した耐ハンダ性，及び青色ＬＥＤのような短波長の光に対する耐光性という特性が要求されるものであるから，刊行物１（甲１）及び刊行物２の照明用反射板に求められる程度の耐熱特性で足りるものではない旨主張する。イしかしながら，上記(1)イのとおり，本願発明１組成物の用途であるＬＥＤリフレクタは，青色ＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたリフレクタと限定解釈することはできず，刊行物２に記載されたＬＥＤ反射板と同じものを意味する。そして，刊行物１には，「本発明の目的は，吸湿時の耐熱性，寸法安定性，表面平滑性に優れ，表面外観が美麗である成型品を与えるポリアミド組成物およびそれからなる成型品を提供することにある」（【０００５】）との記載があり，刊行物２には，「反射板用素材として無機充填剤，特に酸化チタンを配合した合成樹脂が広く使用されている。／しかしながら，近年目覚ましい発展を遂げつつあるＬＥＤ用の反射板のような合成樹脂から成形された反射板にダイオードを挿入し熱硬化型エポキシ樹脂で固める製造工程を要する場合や，照明用反射板のように常時高温下にさらされる場合には光反射率や遮光性のごとき光学的特性以外に耐熱性を必要とし，また複雑精緻な形状でかつ美麗な外観を要求されるために秀れた成形性が必要である」（１頁左下欄最下行～右下欄１０行。「／」は改行を示す。以下同様）として，反射用素材として酸化チタン配合合成樹脂が広く使用されているが，特にＬＥＤ用反射板には光学的特性以外に耐熱性や美麗な外観が要求されることが記載されているから，吸湿時の耐熱性に優れ，表面外観が美麗な酸化チタン配合合成樹脂である（刊行物１の上記【０００５】）引用発明１組成物の用途として，刊行物１に記載された「ランプリフレクタ等の反射鏡」からＬＥＤリフレクタを想起することは，当業者が容易になし得ることと認められる。
したがって，審決の上記判断に誤りはない。


(3)ア審決は，引用発明１組成物が，吸湿時の耐熱性である耐ハンダ性の改善を目的とするものであり，刊行物３からＬＥＤリフレクタ用の素材として耐ハンダ性が要求されると理解できることを根拠に，相違点１について，「引用発明１に係るポリアミド組成物の物性である「耐ハンダ性」に着目し，この物性が必要とされる「ＬＥＤのリフレクタ」用の素材として，このポリアミド組成物を用いることも，当業者が容易になし得ることである」（審決１０頁２７行～２９行）と判断したものであるところ，原告は，刊行物３は，本願発明１とは樹脂が異なるもので，青色ＬＥＤが発する短波長の光に長期間曝されることを要因とした変色による光反射率の低下という問題点の解決に資する技術的事項は記載されていないから，ＬＥＤリフレクタ用素材に求められる諸特性の中の耐ハンダ性という一部の特性を満たしているというだけで，引用発明１組成物をＬＥＤリフレクタ用素材として用いることが当業者にとって容易であるとすることはできないと主張する。イしかしながら，上記(1)イのとおり，本願発明１組成物の用途であるＬＥＤリフレクタは青色ＬＥＤ用とは限られないから，刊行物３に青色ＬＥＤの短波長の光に関連する課題を解決するための技術的事項が記載されているか否かは，本願発明１の容易想到性の判断に影響を与えない。また，刊行物１には，引用発明１組成物が耐ハンダ性という特性を有することのみならず，用途としてランプリフレクタ等の反射鏡が記載されているのであるから，審決の上記判断が耐ハンダ性という特性のみに基づいたものということはできない。
刊行物３の，「この表面実装技術ではハンダ付けされるＬＥＤリフレクターやコネクター等の電子部品はハンダをリフローさせる熱に直接さらされる」（１頁右下欄１２行～１５行）との記載，及び「新しい素材からなる耐ハンダ性に優れたＬＥＤリフレクターの出現が望まれていた。また，自動車分野においても特にエンジンルーム内あるいはそれに近接する部位では使用時の温度環境が厳しく，耐熱性に優れるＬＥＤリフレクターへの要求が著しく増大している」（２頁左上欄６行～１２行）との記載から，本願出願前に，ＬＥＤリフレクタ成形用素材に，耐ハンダ性，耐熱性といった特性が求められていたことが認められるから，ランプリフレクタ等の反射鏡に，特性として耐ハンダ性が明示された引用発明１組成物をＬＥＤリフレクタ用の素材として用いることは，当業者であれば容易になし得たことである。したがって，審決の上記判断に誤りはない。
(4)以上のとおり，取消事由１は理由がない。
２取消事由２（本願発明１と引用発明１との相違点２についての判断の誤り）
について
(1)ア原告は，甲６，７はいずれもＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたＬＥＤリフレクタとは異なる部品に関する文献であるから，審決が，甲６，７に基づいて，「引用発明１に係るポリアミド組成物において，酸化チタンを用いるにあたり，平均粒径が０．１～０．５μｍの酸化チタンを選択することは，当業者が容易に想到しうるものである」（審決１１頁２８行～３０行）と判断したことは，誤りであると主張する。
イしかしながら，上記１(1)イのとおり，本願発明１組成物の用途であるＬＥＤリフレクタをＬＥＤ単体を構成するハウジングを兼ねたＬＥＤリフレクタと限定して解釈することはできず，甲６の「ＬＥＤ表示盤等の反射板」や甲７の「ＬＥＤの表示盤等」は，いずれも「ＬＥＤリフレクタ」に含まれるものである。そして，樹脂組成物に配合する酸化チタンの粒径について，甲６には，「一般的に顔料用酸化チタンの粒子径は，０．１～０．４μｍであるが，粒子径０．１μｍ未満のものでも構わない」（【０００９】）と記載され，甲７では，実施例において粒径０．２１μｍのものを用いており（【００２９】），いずれも本願発明１と同程度のものである。したがって，審決の上記判断に誤りはない。
(2)ア原告は，審決が，ＬＥＤリフレクタ成形用樹脂に酸化チタンを配合する割合として樹脂１００重量部に対して１５～７０重量部の範囲を設定することが容易であるとの判断の根拠として挙げた刊行物４，５は，ＬＥＤリフレクタ成形用組成物に関する技術ではなく，耐ハンダ性を有しない樹脂を用いて製造される部品を開示するものであること，及び，刊行物３は本願発明１と課題が異なるから，審決の判断が誤りである旨主張する。
しかしながら，上記１(1)イのとおり，本願発明１の用途であるＬＥＤリフレクタは，ハンダ工程に供されるものとは限らないのであるから，耐ハンダ性を有しない樹脂を用いる技術を本願発明１の容易想到性を判断する先行技術として使用できないとの主張は失当である。
イ(ｱ)刊行物４（甲４）には，以下の記載がある。「【請求項１】ポリアミド１００重量部に対して難燃剤を１～１００重量部を含有させる難燃性ポリアミド樹脂組成物であって，さらに，無機顔料を１～３０重量部，燐化合物を燐元素として０．０００５～０．２重量部含有することを特徴とするポリアミド樹脂組成物。
【請求項２】無機顔料が二酸化チタンであることを特徴とする請求項１記載のポリアミド樹脂組成物。」（【特許請求の範囲】）
「本発明のポリアミド樹脂組成物を構成する無機顔料としては，二酸化チタン，カーボンブラック，酸化鉄，群青等が使用できる。これらは，単独で用いても良く，また併用して用いても良い。特に，照明器具等の白色系の樹脂部品用途に最も好ましいのは，二酸化チタンである。本発明に使用される二酸化チタンは，特に粒径の限定はなく，また結晶形態として，ルチル型でもアナターゼ型でもどちらのものでも良い。また，Ｍｎ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｓｉ等の化合物が酸化チタン表面にコーティングされていても差し支えない。これらの無機充填剤は，ポリアミド樹脂１００重量部に対し１～３０重量部添加される。添加量が１重量部未満では，高温雰囲気かつ紫外線照射下のより厳しい環境下における変色防止効果が不十分であり，また３０重量部より多いと機械的物性に低下をきたす懸念がある。」（【０００９】）(ｲ)刊行物５（甲５）には，以下の記載がある。


「【請求項１】（Ａ）銅系の熱安定剤を含有するポリアミド樹脂１００重量部と（Ｂ）酸化チタン（ＴｉＯ2）１～１００重量部および（Ｃ）無機フィラー０～２５０重量部からなるポリアミド樹脂組成物。
【請求項２】初期の明度が３５以上であり，１８０℃空気中で７２ｈｒ加熱放置後の明度との差が，１５以内であることを特徴とする請求項１記載のポリアミド樹脂組成物。」（【特許請求の範囲】）一般に充填物で強化したポリアミド樹脂組成物は，高い剛性を持ち，寸法安定性に優れているため，自動車部品等のハウジングへ利用されている。さらに銅系の熱安定剤を添加したポリアミド樹脂組成物は，耐熱性，特に熱エージング性における機械的物性の保持力に優れているため，ランプソケット，ランプインナーハウジング，リフレクター等の高熱部で装着されるハウジングへ利用されている。一般に，ポリアミド樹脂組成物は，熱酸化劣化による変色が大きく，その改善が望まれている。」（【０００３】）
「また，本発明の樹脂組成物において用いる酸化チタンは，９０％以上の純度を有するものでなければならない。これはルチル型，アナターゼ型，またブルカイト型のものでよく，好ましくは，ルチル型のものがよい。平均粒径，すなわち，粉体５０重量％の上方および下方粒径（ｄ50）が０．１～１．０μm，ことに０．１～０．３μmであるものが好ましい。この酸化チタンの化学式は，一般にＴｉＯ2である。本発明の樹脂組成物において，上記ポリアミド樹脂に対しての酸化チタンの配合割合は，ポリアミド樹脂１００重量部と酸化チタン１～１００重量部，好ましくは，ポリアミド樹脂１００重量部と酸化チタン２～５０重量部との範囲で選定する。酸化チタンの配合量が，１重量部より少ないと，熱変色性の抑制効果が不十分であり，また，酸化チタンの配合量が１００重量部より多いと，得られるポリアミド樹脂組成物の強度が極端に低下する傾向にある。」（【００１６】～【００１７】）(ｳ)上記刊行物４の記載によれば，刊行物４に記載された組成物は，ポリアミド樹脂１００重量部に対して無機充填剤を１重量部以上添加することで，高温雰囲気かつ紫外線照射下での変色防止効果を得て，機械的物性と両立するために，その上限を３０重量部としたポリアミド樹脂組成物であって，無機充填剤として二酸化チタンを用いる場合には，特に照明器具等の白色系の樹脂部品用途に適したものである。これは，照明器具等という用途のみならず，高温雰囲気かつ紫外線照射下での変色防止効果と機械的物性という特性からしても，ＬＥＤリフレクタ成形用樹脂組成物に極めて近い技術分野に属するものといえる。
また，上記刊行物５の記載によれば，刊行物５には，充填物で強化したポリアミド樹脂組成物に熱安定剤を添加したものは，剛性が高く，寸法安定性に優れた上で，熱安定性も有するため，ランプソケット，ランプインナーハウジング，リフレクター等の高熱部で使用されてきたが，熱酸化劣化による変色を低減するために，銅系の熱安定剤を添加するとともに，樹脂１００重量部に対して酸化チタンを１重量部以上配合すること，強度の観点からその上限を１００重量部とすることが記載されていることが認められ，これも，リフレクターという用途のみならず，寸法安定性，熱安定性，熱による変色の防止効果という特性からして，ＬＥＤリフレクタ成形用樹脂組成物に極めて近い技術分野に属するものである。さらに，刊行物３は，上記１(3)イのとおり「発光ダイオード用リフレクター」であるから，本願発明１と用途が同じであり，「ナイロン４６６０～９５重量％と酸化チタン５～４０重量％」（特許請求の範囲）（判決注：樹脂（ナイロン）１００重量部に対して換算すると，酸化チタンの割合は約５～約６７重量部となる。）とすることで，満足な反射率と成形性，機械的強度を両立したものである。このように，刊行物３～５は，いずれも本願発明１のＬＥＤリフレクタ成形用樹脂組成物と重複するか，極めて近い技術分野に属するものであって，酸化チタンの配合量が少なすぎると満足な反射率や変色抑制効果といった光学的特性が得られず，多すぎると成形性や強度等の機械的物性が劣るという技術事項を開示しており，当該技術事項が当業者に広く認識されていたものであるといえるから，当業者であれば，引用発明１組成物についても，その技術事項の観点から酸化チタンの配合量の適正範囲を決定することは，容易である。そして，樹脂１００重量部に対して１５～７０重量部という範囲は，刊行物３～５に開示された範囲とほぼ重複するものである。
ウしたがって，審決の「引用発明１に係るポリアミド組成物における酸化チタンの配合量を，ポリアミド樹脂１００重量部に対して１５～７０重量部の範囲に設定することは，当業者が容易に想到しうるものである」（１１頁１９行～２１行）とした判断に，誤りはない。
(3)原告は，本願発明１は，酸化チタンの粒径と配合量が一体となって課題を解決したものであるのに，審決は両者の組合せについての容易想到性を検討せず，誤った結論に至った旨主張する。
しかしながら，本願明細書には，「酸化チタンの平均粒径と使用量を上記の範囲内とすることにより，白色度が高く，表面反射率の高い成形品を与えるポリアミド組成物を得ることができる」（【００２３】）という一般的記載があるだけで，酸化チタンの粒径と配合量を変えた比較例など，粒径と配合量の両者が一体となって効果を発揮することを示す具体的根拠は見いだせず，原告の主張を採用することはできない。
(4)以上のとおり，取消事由２は理由がない。


平成２７年１０月２２日判決言渡同日原本交付    裁判所書記官平成２６年（ワ）第６３７２号不正競争行為差止等請求事件
口頭弁論終結日平成２７年８月２０日
判決
当事者の表示        別紙当事者目録記載のとおり
主文
原告の請求をいずれも棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実及   び理由
第１請求
１被告らは，別紙営業秘密目録に記載された情報を使用して，業務請負を目的とした基本契約，業務請負契約，労働者派遣を行うことを目的とした基本契約又は労働者派遣契約等を締結し又は締結を勧誘する行為その他これらに付随する営業行為を行ってはならない。
２被告らは，別紙営業秘密目録記載の情報が記載又は記録された一切の資料及びこれに基づいて作成された一切の資料を廃棄せよ。３被告らは，原告の業務請負契約又は労働者派遣契約の取引先に対し，「原告の従業員が大量に一斉退職するので業務の継続ができなくなる」と告知してはならない。
４被告Ａ（以下「被告Ａ」という。）は，原告に対し，１０００万円及びこれに対する訴状送達の日の翌日（平成２６年４月１２日）から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
５被告らは，原告に対し，連帯して，３５２５万５０００円うち２５０８万円に対する訴状送達の日の翌日（被告セントラルソフト株式会社（以下「被告会社」という。）につき平成２６年４月１０日，被告Ａにつき同月１２日）から，うち５００万円に対する同年６月１３日付け訴えの変更申立書送達の日の翌日（同月２１日）から，うち５１７万５０００円に対する平成２７年４月１０日付け訴えの変更申立書送達の翌日（同月１７日）から各支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要
被告Ａは，原告の取締役であったが，退任後，被告会社に就職した。被告Ａは，退任に際し，別紙営業秘密目録記載の名刺帳３冊（以下「本件名刺帳」と総称する。）を原告のオフィスから持ち出した（以下，これを「本件持ち出し行為」という。）。また，被告Ａの退任後，原告の従業員５名が原告を退職し，被告会社に就職した（以下，これを「本件転職」という。）。
本件持ち出し行為につき，本件名刺帳に収納された
名刺に記載された情報は原告の営業秘密であり，被告Ａがこれを不正に取得して被告会社における営業活動に使用したことが被告Ａにつき不正競争防止法（平成２７年法律第５４号による改正前のもの。以下「不競法」という。）２条１項４号所定の不正競争（以下，同項各号所定の行為を「４号の不正競争」などという。）に，被告会社につき５号の不正競争に当たり，又は被告Ａによる不法行為が成立すると主張して，①被告らに対し，上記情報の使用の差止め（不競法３条１項）及びこれが記載された資料等の廃棄（同条２項）を，②被告Ａに対し，主位的に不競法４条に基づき，予備的に民法７０９条に基づき，損害賠償金１０００万円及び遅延損害金の支払を，本件転職につき，被告Ａが原告の従業員を引き抜いたことが不法行為に当たり，被告会社は使用者責任を負うと主張して，被告らに対し，損害賠償
被告Ａが被告会
社に就職した後に原告の顧客に対して虚偽の事実を告知したこと（以下，原告の主張する告知行為を「本件告知行為」という。）が被告らによる１４号の不正競争又は不法行為に当たると主張して，被告らに対し，①不競法３条１項に基づき，上記事実の告知の差止めを，②主位的に不競法４条に基づき，予備的に民法７０９条（被告会社につき民法７１５条１項）に基づき，
さらに，被告らに
対し，上記各不正競争及び不法行為に係る弁護士費用３００万円及び遅延損害金の連帯支払を求めた事案である。
１前提事実（争いのない事実並びに後掲の各証拠及び弁論の全趣旨により容易に認定することができる事実。なお，書証の枝番の記載は省略する。以下同じ。）
当事者
ア原告は，電子計算機及びその周辺機器の据付工事，保守及び修理，ソフトウェアの開発，設計，製作及び保守並びにそれらに関する労働者派遣事業等を目的とする株式会社である。
イ被告会社は，電子計算機に関する各種システム調査，研究，開発，販売及び保守，一般労働者派遣業等を目的とする株式会社である。ウ被告Ａは，昭和６３年７月に原告に入社し，平成１４年６月に原告の取締役に選任され，その後常務取締役，常務執行役員となり，平成２４年４月１２日に常務取締役・事業戦略本部長となったが（執行役員は同月１１日限り退任），同年６月１６日に取締役を退任した。被告Ａは，同年８月１日，被告会社に就職した。
本件名刺帳及びその持ち出し（本件持ち出し行為）
ア本件名刺帳は，被告Ａが原告の従業員又は取締役としての在職又は在任中に営業活動等を通じて受け取った他社の従業員等の名刺を，会社名ア行～サ行及びタ行～ワ行並びに大手取引先３社の３冊に分けて，会社名の五十音順又は会社ごとに分類して収納したものである。本件名刺帳は，被告Ａの在任中，その秘書業務を担当していた原告従業員の袖机の引き出し（キャビネット）に保管されていた。（甲１６，１８～２０）イ被告Ａは，取締役退任の翌日である平成２４年６月１７日（日曜日）の早朝に原告のオフィスに赴き，上記引き出しから本件名刺帳を取り出して持ち帰ったが，同月２８日頃，原告からの問合せを機に，これを原告に返還した。（甲１３，１５）
原告従業員の退職及び被告会社への就職（本件転職）
原告は，日本ヒューレット・パッカード株式会社（以下「日本ＨＰ」という。）から「ロイター業務」と呼ばれる業務を請け負っていた。Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ及びＦ（以下，これら５名を「Ｂら５名」という。）は，いずれも原告の従業員としてロイター業務に従事していたところ，Ｂ以外の４名は平成２５年１月３１日に，Ｂは同年２月２８日に原告をそれぞれ退職し，各退職の翌日に被告会社に就職した。
被告会社における被告Ａの営業活動
被告Ａは，平成２４年１１月２０日頃，ロイター業務を担当していた日本ＨＰの従業員Ｇ（以下「Ｇ」という。）と面談し，原告の従業員の退職に関する話をした。
２争点
本件持ち出し行為について


ア本件名刺帳の営業秘密該当性
イ本件持ち出し行為に係る不法行為の成否
ウ損害の有無及び額
本件転職について
ア本件転職に係る不法行為の成否
イ損害の有無及び額
本件告知行為について
ア虚偽の事実の告知の有無
イ本件告知行為に係る不法行為の成否
ウ損害の有無及び額
弁護士費用請求の当否
３争点に関する当事者の主張
本件持ち出し行為について
（原告の主張）
本件名刺帳は合計２６３９枚の名刺を収納したものであり，これに記載された情報は，以下のとおり，不競法２条６項所定の営業秘密に該当する。
ａ秘密管理性
原告は，オフィスの出入口に生体認証システムを採用していた。本件名刺帳を収納していた引き出しは，そのオフィス部分にあり，原告の担当秘書専用で，同人以外がアクセスすることはなかった。名刺帳の表示とその外形があれば，誰の目にも秘密情報であることは明らかであり，多数の名刺が収納された名刺帳が秘密として管理されなければならないことは，通常の社会人であれば常識である。
ｂ有用性
本件名刺帳に収納されていたのは原告の取引先，取引見込み顧客等の名刺であり，会社名，所属，氏名，住所，電話番号等が記載されている。また，会社名の五十音順に（大手３社分は別途整理），見開き２頁で２０枚整列して収納されており，そのまま顧客名簿として使用可能である。そして，これらの情報を使用して，現在の顧客に対して業務の連絡を取ったり，取引見込み顧客に対して営業活動を行ったりすることができるから，本件名刺帳には有用性がある。
ｃ非公知性
本件名刺帳に収納された名刺は，営業上の必要の範囲において使用することを前提に提供するもので，それ以外の目的で使用されること，一般に公表されることは予定されていない。さらに，上記のとおり整列して本件名刺帳に収納された２６３９枚の名刺全体としてみれば，公然と知られていない情報である。
被告Ａは，平成２４年６月１６日に取締役を退任し，原告のオフィスに立ち入る権限を失った。また，原告は，同月１８日に生体認証システムから被告Ａの情報を抹消する予定であった。ところが，被告Ａは，その抹消前の日曜日の早朝にオフィスに侵入し，本件名刺帳を窃取した。そして，被告Ａは，被告会社入社後の同年１１月２０日頃，本件名刺帳の情報を利用して，日本ＨＰを訪れてＧに対する営業行為を行った。被告Ａの行為は，営業秘密を不正に取得し，使用したものであって，４号の不正競争に該当する。
被告会社は，原告の営業秘密が不正に取得されたことを知り，又は重大な過失により知らないで被告Ａから当該情報を取得し，被告Ａを介してこれを使用したから，５号の不正競争が成立する。よって，原告は，被告らに対し，不競法３条１項に基づき本件名刺帳に記載された情報の使用の差止めを，同条２項に基づきこれが記載された資料等の廃棄を求める。
（被告らの主張）
本件名刺帳は，以下のとおり，秘密管理性，有用性及び非公知性を欠くから，営業秘密に該当しない。
ａ社屋出入口に生体認証システム等を導入して従業員以外の者が社内に入れないようにすることは一般的であるから，原告が同システムを導入していたことは本件名刺帳を秘密として管理していたことを裏付ける事情とならない。また，本件名刺帳が保管されていた引き出しは施錠されておらず，原告の従業員であれば誰でも取り出すことができた。さらに，本件名刺帳に秘密であることを示す表示はなく，原告においては，名刺帳等を秘密として管理するようにとの指示も注意喚起もされていなかった。
ｂ本件名刺帳に収納された名刺は被告Ａが自らの業務の過程で収集したものであり，原告はその存在すら認識していなかった。原告は現在の顧客の連絡先は当然把握していたし，見込み客に対して営業活動を行うために本件名刺帳を活用することもなかった。ｃ本件名刺帳に収納された名刺にはごく一般的な事項が記載されているにすぎず，どのような人物でも名刺交換等によって取得することができる。
被告Ａが早朝にオフィスに行ったのは，前日の株主総会において意に沿わない退任をさせられた気まずさから，なるべく他の従業員に会わない時間帯を選んだためである。退職後の従業員等が会社からの貸与物を返却したり私物を回収したりするために会社を訪れるのは当然に予定された行為であり，このような合理的な理由があればオフィスへの立入りも許される。また，被告Ａは，コピーを取ることなく本件名刺帳を原告に返却しており，本件名刺帳の情報を使用したこともない。
したがって，本件持ち出し行為について４号又は５号の不正競争は成立しない。
（原告の主張）
本件名刺帳に収納された名刺は，被告Ａが原告の取締役の地位にある期間中，職務執行の過程で，原告の取締役としての名刺と交換に収集されたものであるから，その所有権は原告に属する。また，本件名刺帳は，原告のオフィス内に保管されていたから，原告に占有がある。本件持ち出し行為は不法行為に該当する。
（被告Ａの主張）
本件名刺帳に収納された名刺は被告Ａが独自の判断で収集し，保管したものであり，原告から指示を受けたりしていない。また，原告は本件名刺帳の存在を把握しておらず，原告の就業規則上，従業員等が集めた名刺の所有権が原告に帰属するとの定めもない。本件名刺帳に収納された名刺は被告Ａの所有物であり，本件持ち出し行為は窃取に当たらない。ウ
（原告の主張）
本件名刺帳の価値は，以下のとおり，１０２５万４９７０円を下らない。
・２６３９枚÷３枚（１回の面談で取得する平均枚数）×２時間（１回の名刺交換に要する時間）＝１７５９時間（２６３９枚の名刺入手に要する時間）
・１００万円（被告Ａの在任中の平均月収）÷１７１.５時間（１か月の所定労働時間）＝５８３０円
・５８３０円×１７５９時間＝１０２５万４９７０円
よって，原告は，被告Ａに対し，上記のうち１０００万円及びこれに対する不正競争又は不法行為の後である訴状送達の日の翌日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める。
（被告Ａの主張）
争う。
本件転職について
（原告の主張）


被告Ａは，ロイター業務に従事していた原告の従業員に対し，被告会社の通常の採用手続によることなく，被告会社の会社説明会を開催し，自ら採用面接を行う，Ｂを介して勧誘するなどしてＢら５名を引き抜き，被告会社に入社させた。被告Ａによる引き抜き行為は，原告に対する害意をもって，競業避止義務に反して行われ，社会的相当性の範囲を逸脱したものであるから，不法行為に該当する。被告Ａによる引き抜き行為は被告会社の業務に関するものであるので，被告会社はこれにつき使用者責任を負う。
（被告らの主張）
Ｂら５名は，いずれも原告における待遇に不満を持っており，各自の意思で原告を辞め，被告会社に就職したものである。被告Ａは，Ｂから転職について相談を受け，他にも転職を希望する原告従業員がいたことから会社説明会を開催したのであり，Ｂら５名に対する引き抜き行為をしていない。
（原告の主張）
被告Ａの引き抜き行為により，原告はＢら５名が転職しなかった場合に得られた利益相当額の損害を被った。その額は，１人につき月３４万５０００円（ロイター業務担当従業員１人当たりの１か月の平均売上金７５万円×原告の利益率４６％）であるので，平成２５年２月～平成２６年２月分が２２０８万円（Ｂ以外の４名につき各１３か月，Ｂにつき１２か月の合計６４か月分），同年３月～５月分が５１７万５０００円（Ｂら５名につき合計１５か月分）となる。
よって，原告は，被告らに対し，上記の合計２７２５万５０００円及びこれに対する不法行為の後である訴状送達の日の翌日（平成２６年２月分まで）又は平成２７年４月１０日付け訴えの変更申立書送達の翌日（同年３月分以降）から各支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の連帯支払を求める。
なお，上記主張が認められないとしても，原告の損害額は，少なくとも以下のとおり１８８４万８７６８円となる。
・４７７１万８４４５円（平成２４年４月～平成２５年１月にロイター業務で得た原告の利益）÷２０名（ロイター業務担当者）÷１０か月＝２３万８５９２円（１人１か月当たりの逸失利益）・２３万８５９２円×（６４か月＋１５か月）＝１８８４万８７６８円
（被告らの主張）
争う。
本件告知行為について
（原告の主張）
被告Ａは，平成２４年１１月２０日頃，日本ＨＰの購買担当のＧに対し，「１２月賞与支給後に，原告のロイター業務担当の従業員が大量に一斉退職するので業務の継続ができなくなる」旨の事実を，具体的な原告従業員の氏名を挙げて告知した。しかし，一斉退職及び業務の継続不可能という事実はいずれも存在しないから，被告Ａが告知した事実は虚偽であって，原告の営業上の信用を害するものである。したがって，被告Ａによる本件告知行為は１４号の不正競争に該当する。
本件告知行為は被告会社が被告Ａにさせたものということができるから，被告会社についても１４号の不正競争が成立する。よって，原告は，被告らに対し，不競法３条１項に基づき，上記虚偽の事実を告知することの差止めを求める。
（被告らの主張）
被告Ａは，日本ＨＰのＧに対して，原告のロイター業務担当の従業員が退職する可能性がある旨の話はしたが，原告の業務の継続ができなくなるなどといった発言はしていない。
（原告の主張）
被告Ａは，原告の執行役員であったから，執行役員規程に基づき，競業行為を行ってはならない義務を負う。上記アの虚偽事実の告知は競業避止義務に違反し，不法行為に該当する。また，被告会社はこれにつき使用者責任を負う。
（被告らの主張）
争う。
（原告の主張）
原告は本件告知行為によって営業上の信用を害された。その損害額は５００万円を下回らない。
よって，原告は，被告らに対し，５００万円及びこれに対する不正競争又は不法行為の後である平成２６年６月１３日付け訴えの変更申立書送達の日の翌日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の連帯支払を求める。
（被告らの主張）
争う。
（原告の主張）
原告は本件訴訟の遂行を弁護士に依頼した。その弁護士費用の額は３００万円を下回らない。
よって，原告は，被告らに対し，３００万円及びこれに対する不正競争又は不法行為の後である訴状送達の日の翌日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の連帯支払を求める。
（被告らの主張）
争う。
第３当裁判所の判断
１前記前提事実に加え，証拠（甲１，２，１０，１６，１８～２１，２６，乙６，証人Ｉ，被告Ａ本人）及び弁論の全趣旨によれば，以下の事実が認められる。
ア原告は資本金約８億円の株式会社であり，従業員数は４００～４５０名程度である。原告のオフィスのあるビルへの入館にはカードキーが必要であり，さらに，オフィス部分の入口には生体認証システムが設けられ，入室が制限されていたものの，オフィス内に従業員が立ち入れない箇所は特段定められていなかった。本件名刺帳は被告Ａの秘書業務を担当する従業員の袖机の引き出しに保管されていたが，この引き出しは施錠されていなかった。
イ本件名刺帳は市販の名刺ホルダーを使用したものであり，表紙及び背表紙に「名刺帳」と記載され，背表紙に別紙営業秘密目録添付の各別紙のとおり会社名の頭文字等が明記されていたが，「秘」の文字その他秘密情報であることを示す表示は付されていなかった。
ウ原告は，従業員又は取締役が業務上入手した名刺の管理や処分につき，就業規則等に定めを置いておらず，従業員らに対しこの点に関する指示をすることもなかった。被告Ａは，取引先等から受領した名刺を上記秘書業務を担当する従業員に管理させており，同従業員は，被告Ａの指示に従い，被告Ａから手渡された名刺を会社名で分類して本件名刺帳に収納していた。本件名刺帳に収納されていたのは被告Ａが入手した名刺のみであり，原告の顧客リストは別途作成されていた。
エ原告は，従業員又は取締役が退職又は退任する際，業務上入手した名刺を残置するよう指示したことはなく，その処分は当該従業員等に任せていた。被告Ａの取締役退任に当たっても，本件名刺帳を持ち出さないよう求めることはなかった。


技術上又は営業上の情報が不競法上の営業秘密として保護されるためには，当該情報が秘密として管理され，事業活動に有用であって，かつ，公然と知られていないことを要する（不競法２条６項）。原告は，本件名刺帳に収納された名刺に記載された情報が原告の営業秘密に当たる旨主張するが，名刺は他人に対して氏名，会社名，所属部署，連絡先等を知らせることを目的として交付されるものであるから，その性質上，これに記載された情報が非公知であると認めることはできない。なお，守秘義務を負うべき状況下で特定の者に対して名刺を手交するような場合には，その記載内容が非公知性を有することもあり得ようが，本件においてそのような事情は見当たらない。
また，本件名刺帳に収納された２６３９枚の名刺を集合体としてみた場合には非公知性を認める余地があるとしても，本件名刺帳は，上記認定事実によれば，被告Ａが入手した名刺を会社別に分類して収納したにとどまるのであって，当該会社と原告の間の取引の有無による区別もなく，取引内容ないし今後の取引見込み等に関する記載もなく，また，古い名刺も含まれ，情報の更新もされていないものと解される（甲１６参照）。これに加え，原告においては顧客リストが本件名刺帳とは別途作成されていたというのであるから，原告がその事業活動に有用な顧客に関する営業上の情報として管理していたのは上記顧客リストであったというべきである。そうすると，名刺帳について顧客名簿に類するような有用性を認め得る場合があるとしても，本件名刺帳については，有用性があると認めることはできない。
さらに，上記認定事実によれば，原告においては，従業員又は取締役が業務上入手した名刺の管理や処分につき就業規則等に定めを置いておらず，従業員等に対しこの点に関する指示をすることもなかったというのであるから，上記顧客リストの記載とは別に従業員等が所持する名刺については，その処分を従業員等に委ねていたと認めるのが相当である。本件名刺帳は，上記認定の収納及び管理の状況に照らせば，被告Ａが原告から処分を委ねられた名刺を単に自己の営業活動等のために整理していたにすぎないものというべきであり，原告が管理していたとみることはできない。また，原告による管理を認め得るとしても，本件名刺帳が保管された引き出しは施錠されておらず，秘密とする旨の表示もなかったというのであるから，秘密管理性を認めることは困難である。
以上によれば，本件名刺帳を営業秘密ということはできないから，４号又は５号の不正競争をいう原告の主張は失当と解すべきである。２原告は，本件持ち出し行為につき，不正競争の成立が認められないとしても，不法行為に当たる旨主張する。
含め退職又は退任する従業員及び取締役に対し，業務上受領した名刺の管理や処分について特段の指示をしていなかったというのであり，被告Ａは，本件名刺帳につき原告が何ら関心を払っていなかったので，取締役退任に際し自らが収集した名刺を持ち帰ったとみることができる。また，前記前提事実ており，本件持ち出し行為により原告に何らかの損害が生じたとうかがわせる証拠はない。本件における以上の事情の下では，本件持ち出し行為が不法行為に当たることはないと解すべきである。
３前記前提事実に加え，証拠（甲１０，２９，３４，乙１～６，証人Ｉ，同Ｊ，同Ｂ，被告Ａ本人）及び弁論の全趣旨によれば，以下の事実が認められる。
ア原告の従業員数は４００～４５０名程度であるが，離職率が高く，平成２４年には年初従業員４４８名のうち８０名が，平成２５年には同４０６名のうち５７名が退職した。原告の経営陣の中には，勤続年数が１５年以上の従業員に対してハローワークに行くよう指示するなど，従業員が漫然と長期間勤続することに否定的な考え方があった。Ｂら５名は，原告における従業員の処遇に不満を抱き，将来に不安を感じており，機会があれば転職したいと考えていた。
イ原告は，日本ＨＰからロイター業務を請け負っており，平成２４年４月頃には２０名前後の人員をこれに充てていた。なお，ロイター業務とは，日本ＨＰがロイター社から受託した金融機関向けトレーディングシステムの配信システムの設置，保守等の業務をいう。Ｂら５名はいずれもロイター業務の担当であり，Ｂは，平成２２年７月以降，ロイター業務の責任者を務めていた。
ウ日本ＨＰは，平成２４年７月頃，原告に対し，ロイター社からの受託業務の減少に伴い，原告に委託しているロイター業務を縮小すると申し入れた。Ｂは，この頃，その話を聞き，ロイター業務に従事する人員が削減されるものと考え，これを機に転職することを決意した。そして，かつての上司であり，原告を退任して間もない被告Ａに転職について相談したところ，被告Ａ（当時は被告会社への就職前であった。）は慎重に考えるようにと助言した。
エＢは，その後も被告Ａに数回転職の相談をし，その中で，被告Ａが就職した被告会社を転職先の一つと考えるようになった。Ｂは，また，ロイター業務を担当する原告の従業員らに，ロイター業務が縮小されること及び自分が転職を考えていることを告げた。上記従業員らの中には，自らも転職を希望しているとして，Ｂにその旨を話すものがいた。Ｂは，被告Ａに対し，自らの転職先候補の一つとして被告会社を挙げるとともに，自分以外にも転職希望者がいるので，被告会社の会社説明会を開いてほしいと希望した。被告Ａは，被告会社のネットワーク３部の部長職にあり，従業員の採用を決定する立場になかったが，人事関係の担当者と協議をして会社説明会を開催することとし，その日時等をＢに伝えた。オ同年１１月頃，被告会社において会社説明会が開催され，Ｂら５名を含む１０名弱の原告従業員が参加した。被告会社側の出席者は被告Ａ及びその上司らであり，被告会社の概要や業務内容等の説明がされた。その後，会社説明会参加者のうち就職を希望する者に対する個別の面接が行われ，被告Ａもこれに携わった。
カＢら５名のうちＢ以外は平成２５年１月末に，Ｂは同年２月末に原告を退職し，被告会社に就職した。原告においてはロイター業務の縮小に伴い担当者を削減することが予定されており，Ｂら５名の退職により業務に支障が生じることはなかった。原告は，平成２６年５月末頃，ロイター業務を終了した。他方，Ｂら５名は，被告会社においてロイター社の業務を担当していない。


平成２３年８月４日判決言渡同日原本領収    裁判所書記官平成２０年(行ウ)第１号不支給処分取消請求事件
口頭弁論終結日平成２３年３月３１日
判              決
主              文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及   び理由
第１請求
大垣労働基準監督署長が平成１７年８月１６日付けで原告に対してした労働者災害補償保険法に基づく障害補償給付の支給に関する処分を取り消す。
第２事案の概要
本件は，原告が，勤務中の交通事故（以下「本件事故」という。）により高次脳機能障害を負ったとして，大垣労働基準監督署長（以下「処分行政庁」という。）に対し，障害補償給付の支給を請求をしたところ，処分行政庁が，本件交通事故による受傷と高次脳機能障害との間には相当因果関係が認められないとしてこれを支給しない旨の決定（以下「本件処分」という。）をしたため，被告に対し，本件処分の取消しを求めた事案である。
１前提事実（争いのない事実又は後掲証拠及び弁論の全趣旨により容易に認められる事実）
（１）本件事故の発生（甲２１，３１，３２，３３の１・２，乙１０，２５）ア発生日時    平成５年８月２５日午後４時５０分頃イ発生場所    岐阜県本巣市ａ本巣市役所南西交差点ウ事故態様    信号機のない交差点において，原告の運転する車両が交差点に進入したところ，優先道路である交差道路を左方から時速約５０キロメートルで走行してきた第三者の乗用車の前部と原告運転車両の前部が衝突した。原告車は反転し，ガードレールに激突した。本件事故により，両車両とも全損状態となった。
（２）原告の本件事故当時の状況
原告は，大学卒業後，Ａ株式会社に入社し，平成５年８月当時２３歳であった。原告は，本件事故当時，営業部門に配属されており，本件事故は集金業務による外回りの仕事中であった。（甲６，１６，原告本人）
（３）本件事故後の原告の入通院経過等
ア原告は，本件事故直後，救急車でＢ病院へ搬送され，午後５時１０分ころ，同病院に到着した。同病院では，「頭部外傷Ⅱ型，頚椎捻挫」と診断されたが，頭部ないし頚部のレントゲン検査の結果，異常所見なく経過観察とされた。また，同日，頭部ＣＴ検査が実施された。原告は，同日午後６時ころ帰宅した。（乙１，９，１０，１１，甲３２，３６）イ原告は，平成５年８月２７日，Ｂ病院で再受診した。（乙１１，甲３６）
ウ原告は，同年１２月２１日，Ｃ病院で受診した。同病院において，頭部ＣＴ検査及び頭部ＭＲＩ検査等が実施され，原告は，脳梗塞と診断された。
（甲２０，２４）
エ原告は，更なる検査等の必要性から，Ｃ病院の紹介で，平成６年１月２１日，Ｄ病院で受診し，脳波及びＭＲ血管撮影検査が実施された。原告は，脳挫傷と診断され，同病名で約６か月の通院治療を要するとされた。（甲１６，２１，２５）
オ原告は，同年３月，勤務先に辞表を提出したが慰留され，同年４月に培土生産工場に配置換えとなった。（甲１６）
カ原告は，平成８年３月２５日，Ｅ病院精神神経科で受診し，同日から同年６月１４日まで入院した。原告は，同病院で精神分裂病（現在では「統合失調症」とされている。）と診断された。（乙２４）キ原告は，同年８月，勤務先から自主退職を勧められ，同年９月３０日，勤務先を退職した。（甲１６，原告本人）
ク原告は，Ｅ病院を退院した後も，同病院で通院療養を継続していたが，平成１３年４月４日から同年６月１日まで同病院に入院し，さらに，同月２６日から同月２８日まで同病院に入院した。（乙２４，３１）ケ原告は，同年１０月２０日，外傷によりＦ病院へ救急搬送されＩＣＵに入院となった。そして，同月２５日に同病院の外科から精神神経外科へ転科し，統合失調症と診断され，同年１１月３０日まで入院療養し，退院後も，同病院で，引き続き月１，２回の通院療養を継続した。（乙２５，甲５の１）
コ原告は，平成１７年７月２５日，Ｆ病院の紹介で，Ｇ病院脳神経外科で受診した。ＭＲＩ検査，ＥＣＤ－ＳＰＥＣＴ検査（以下「ＳＰＥＣＴ」という。），ＦＤＧ－ＰＥＴ検査（以下「ＰＥＴ」という。）等の結果，同病院のＨ医師は，同年１０月４日，原告につき，脳挫傷，びまん性軸索損傷による高次脳機能障害と診断した。（甲１，５の１）
（４）本件処分等
ア原告は，平成１６年１０月８日付けで，処分行政庁に対し，記銘力低下，集中力低下，易疲労感，言語障害等の高次脳機能障害の諸症状は，本件事故の際の受傷に原因があるとして，障害補償給付の請求をした（乙１）。イ処分行政庁は，平成１７年８月１６日付けで，原告に対し，「脳における病変は先天性と示唆され，少なくとも当時の外傷によるものではないと判断できる事から，本件交通事故による受傷と高次脳機能障害との間には相当因果関係が認められない」として，不支給を決定した（本件処分）。
（甲２）
ウ原告は，本件処分を不服として，同年１０月６日，岐阜労働者災害補償保険審査官に対し審査請求をしたが，同審査官は，同年１２月２２日付けで，同審査請求を棄却する旨の決定をした。（乙２）
エさらに原告は，平成１８年２月１７日，労働保険審査会に対し，再審査請求をしたが，同審査会は，同１９年１１月１６日付けで，同再審査請求を棄却する旨の決定をし，同決定は，同月１８日，原告に送達された。（乙３，弁論の全趣旨）
オ原告は，同２０年５月１日，本訴を提起した。
２争点
原告は，本件事故により高次脳機能障害を負ったか。
３争点に関する当事者の主張
（原告の主張）
原告は，本件事故に基因して外傷性のびまん性軸索損傷を受け，その結果，現在，高次脳機能障害の症状が存在する。その根拠は，以下のとおりである。
（１）事故態様ないし事故直後の意識障害等


本件事故においては，両車両ともに大破し，衝突形態，両車の速度，両車の破損状況等からすれば，原告の身体に対し強い衝撃が加わったことは合理的に推認して差し支えないものである。
原告は，少なくとも事故直後から搬送先のＢ病院到着まで意識がなかった（甲６，３１，乙１，９）。原告は，同病院での記憶ないし帰宅後の記憶についても，病院と自宅に会社の上司がいたといった程度のごく一部の断片的な記憶はあるが，それ以外の具体的な記憶はない（甲６，１６，原告本人）。Ｂ病院のカルテ（乙１１，甲３６）には意識障害についての記載がないが，提出された同カルテには検査記録等が綴られておらず，全体の一部にすぎない可能性がある。障害補償給付支給請求書添付の診断書（乙１）には，「受傷当時意識はなかった。」と記載されているところ，同診断書を作成したＩ医師は，原告を診察していないことからすれば，当時の原告の意識障害の状況を示す資料が別に存在する可能性が考えられ，乙１１は，被告側にとって有利なものだけが編綴され作成されたものである疑いがある。
（２）事故後の原告の症状
原告は，受傷直後から右頭痛，頚部痛を訴え，左下肢筋力低下が見られる（乙１１，甲３６）。特に，「右」頭痛は，原告の右の頭部に衝撃が加わったことを示唆する重要な意味のある症状であり，「左」下肢筋力低下は，右錐体路障害の存在可能性と合致するところ，錐体路障害をもたらす原因の一つとして，びまん性軸索損傷が考えられる。
そして，原告は，本件事故の約１週間後の９月初頃に後頭部に痛みを感じるようになり（原告本人，甲２０），このころより，イライラし汗をかきやすくなった（甲２０）。さらに頭と首の痛みが２週間ほど続き，それらが一層大きくなったため，原告は，９月２２日に各務原市でマッサージを受けたが，このような痛みは事故前にはなかった（原告本人）。原告は，平成５年１０月頃になると，言葉が出にくくなったり，記憶力が落ちてきた。かかる症状も，事故前には全くなかった（原告本人）。原告は，この頃になると，事故前では２０～３０分で書き上げていた日報に１時間程度かかるようになったり，客と話をしていても話が続かなくなったり，誰と話しているのかも分からなくなることがあり，人と話すことに怖さを覚えるようになった。原告は，同年１０月２７日には，Ｊセンター所長に面会して，アドバイスを受ける等した（原告本人）。
原告は，更に記銘力が低下し，また，会話速度低下が進んだため，同年１２月２１日にＣ病院を受診した。同病院カルテには，本件事故以降，記銘力障害，計算力障害等がある旨記載され，左側頭葉に低吸収域が見られること，短期言語治療のための処方箋が出されていること，両鼻下側の視野欠損が記載されている（甲２０）。
原告は，同６年１月，Ｄ病院を受診した。原告は，同病院において，受傷１週間程度から頭がボーッとすること，後頭部がドーンとすることを訴え，その後も症状が改善せず，集中力がなくなること等を訴えた。同病院のカルテには深部反射が右より左の方が亢進していること，神経心理学的障害の認められることが記載され，漢字を忘れっぽい，言葉が出にくい，失行症，今までできた動作の手順ができない等の訴えが記載されている。反射については，深部腱反射である下顎，上腕二頭，上腕三頭，膝，アキレスにおいて左右ともに亢進しているとの検査結果が見られ，病的反射としてのワルテンベルグ，ホフマンも見られた。また，「記銘力の軽度の障害を認めます。」との記載もされている（甲２５）。
原告は，平成６年３月，事故前の能力との落差を感じ，勤務先会社に辞表を出したが慰留され，同年４月に培土生産工場に配置換えとなった。その後も勤務し続けたものの，勤務先の周囲の目にも原告の症状の変化が知られることとなった。原告は，平成８年３月からＥ病院に入院した。原告は，同年８月には，勤務先会社から自主退職を勧められ，同年９月同会社を退職した。その後も症状は好転することなく，また，職に就くこともなく，現在に至っている（甲１６，原告本人）。
原告の周囲の人間が，事故前と事故後とで原告の変化を次のように感じている。本件事故前から原告のことを知る会社の先輩が，原告の話す速度が本件事故後極端に遅くなったこと，理解や記憶力の低下があったことを感じ（甲４２），原告の従兄弟が，本件事故後には話がなめらかにできなかったり途中で途切れたりする，行動についてもゆっくりになったと感じ（甲４０），知人の母親が，自分の息子と元気に遊んでいた原告が，人と会うのが苦手になったと感じている（甲４１）。
以上，本件事故後の経緯をまとめると，原告は本件事故１週間後の９月初旬頃から後頭部に痛みや頭重感を感じるようになり，これは，高次脳機能障害の症状としての頭痛・倦怠感や，衝動性，易怒性に合致するものである。そして，原告は，同年１０月頃からは，それまでに全く感じたことのなかった集中力低下，記銘力障害，記憶力低下，会話能力低下等の高次脳機能障害を呈するようになり，このような症状が現在まで続いている。かかる時系列からすれば，本件事故が契機となって，高次脳機能障害が出現したと考えることが相当である。
また，病的反射，深部腱反射の亢進等の症状から疑われる錐体路障害も，外傷性のびまん性軸索損傷を原因とするものと認めて矛盾はない。被告は，本件事故後１か月強を経てから原告が記銘力障害等を訴えるようになったことについて，びまん性軸索損傷による高次脳機能障害の発生機序と矛盾する旨主張するが，障害を受けた軸索は，損傷部位より始まり，徐々に軸索の遠位側に向かって順行性に変性が生じる（ワーラー変性という。）ことが多いから，症状が遅発性に現れたとしても，びまん性軸索損傷による高次脳機能障害であることと矛盾しない（甲５２，証人Ｈ）。
（３）画像診断
原告には，受傷直後から外傷による脳挫傷が存すると診断されている（平成６年２月２８日付けＤ病院カルテ。甲２１，２５）。被告は，本件事故当日のＣＴ検査で異常所見が認められなかったことが，原告が本件事故によりびまん性軸索損傷を負ったことと矛盾する旨主張するが，局在性脳損傷のないびまん性軸索損傷のみの場合，外傷直後のＣＴ及びＭＲＩ画像では一見正常のこともあり，精度の高いＭＲＩ画像で観察すると，脳内（皮質下白質，脳梁，上位脳幹背外側部，小脳）に散在性の点状出血を認めることが多いとされている（乙８）。


従来型ＭＲＩ画像では，受傷初期に，画像上，軸索損傷の存在を示すスコアの変化が発現することはなくとも，６か月経過後に，そのスコアの変化が見られる例があるという報告がある（甲２２）。本件では，平成５年８月２５日に原告が搬送されたＢ病院では，ＭＲＩすら撮影されていない。さらに，平成６年２月２８日時点でのＤ病院での画像においても，ＦＡ（異方性比率），ＭＤ（平均拡散性）等，軸索損傷の存在を示すスコア的変化の検証がなされていない。従来型画像にすぎないＣＴ画像において，急性期に何らかの変化が見られなくとも，６か月経過後に明白な画像上の変化（上記ＦＡ，ＭＤのスコア的変化）が見られる可能性は十分にありうる。また，Ｈ医師の意見書によれば，Ｋ医師が認めた脳萎縮と同一部位若しくはその極めて近傍に，本件交通事故によって損傷が起こり，病変が拡大，進展し現在に至ったことは十分考えられる（甲２９）。
平成２１年６月１日に原告を診断したＤ病院精神神経科Ｌ医師によれば，Ｄ病院のＣＴ結果における「左側頭－頭頂部（角回付近）に異常陰影」との所見は，記銘力障害，失語，文章の理解及び組み立ての乱れといった各症状と整合する。その根拠は，左角回に損傷を受けた右利きの患者は，言語理解は正常に見えるにも拘わらず，隠喩の二重性を理解できなかった等という報告があることである（甲２７）。
Ｇ病院において，Ｈ医師は，画像所見の結果，「１．ＭＲＩにおける軽度～中等度の「びまん性脳萎縮」の存在（同年齢の健常人との比較において），２．ＦＤＧ－ＰＥＴにおける両側前頭前野内側面及び帯状回の局所糖代謝低下，３．ＥＣＤ－ＳＰＥＣＴにおける両側前頭前野内側面及び帯状回の局所脳血流低下，４．MRdiffusiontensor   imageでみられる脳梁膨大部後半におけるtractの減少」より，原告がびまん性軸索損傷である旨診断している。このうち，ＰＥＴ画像における両側前頭前野内側面及び帯状回の局所脳代謝低下ないしＳＰＥＣＴ画像における両側前頭前野内側面及び帯状回の局所脳血流低下は，びまん性軸索損傷患者にみられる典型的な代謝低下画像（内側前頭前野，内側前頭脳底領域，帯状回，視床における代謝低下が認められ，かつ，帯状回は「Ｃ」の字型に代謝低下が見られるもの）である。これに対し，うつ病の場合には，両側前頭前野から前部帯状回のみならず，左前頭側頭と頭頂円蓋部にかけて広範囲に血流低下が散在するほか，アルツハイマー型認知症，レビー小体型認知症，パーキンソン病等の心因性の病名でも，画像上，脳の広い範囲に血流低下が見られる（甲５２，証人Ｈ）。（４）原告の神経症状等及び他の疾患の可能性についてアＬ医師によれば，Ｃ病院及びＤ病院のカルテから読み取ることのできる本件事故後の原告に生じていた記銘力障害，失語，病的反射，失行，両鼻下側の視野損失の症状は，ＩＣＤ－１０やＤＳＭ－Ⅳ－ＴＲなどの全世界的に用いられている国際的診断基準だけでなく，いかなる従来診断的においても統合失調症の症状として理解することはできない（甲１９，２７）。ちなみに，記銘力障害と統合失調症の基準の一つである思考途絶・言語新作（思考の流れに途絶や挿入があり，その結果，まとまりのない，あるいは関連性を欠いた話し方をしたり，言語新作がみられたりするもの）とはまったく異なるものである。被告は，両鼻側下部半盲について脳における異常との関連づけがなく確定的な診断がされていないと主張するが，些細な障害がＣＴで見られないことはまれではなく，検査上異常がないことから正常であると短絡的に結論できない（甲２７）。
Ｈ医師も，脳神経外科の立場から，平成６年１月当時のＤ病院のカルテに記載されている反射結果は，深部腱反射（正常でも見られるが亢進又は消失している場合は異常，あるいは左右差がある場合もどちらかが異常なもの。）である下顎，上腕二頭，上腕三頭，膝，アキレスは，左右ともに亢進しているので，両側性に錐体路のどこかで器質的障害が存在していることを示しており，病的反射（正常では出現せず，出現すれば異常なもの。）は左のワルテンベルグ，ホフマンがみられ，かつ左が右に比べてより亢進していることから，右側錐体路障害がより強いことが窺われると述べており，結局，これらは統合失調症では説明できないと意見書において述べる（甲２９）。
仮に，本件事故前に何らかの脳萎縮が生じており，それが何らかの精神性障害に発展し得るものであったとしても，同事故後に原告に生じていた神経症状が，交通事故による外傷によって生じたものであると合理的に説明できる以上，因果関係は肯定される。
イまた，被告は，本件事故後の原告の症状が，慢性外傷後頭痛や外傷後神経症によるものである可能性を主張するが，Ｈ医師によれば，平成１７年の時点で，原告が頭痛等を訴えておらず，それが，頭痛や頭重感が消失していたからだとするならば，記銘力障害や計算能力・作業能力低下等が頭痛や頭重感に伴う症状であったとすればそれらの症状も消えているはずである。さらに，平成１７年時点で外傷後神経症の症状としてのめまい，耳鳴り，眼精疲労，易怒，いらいらなどの訴えはなかった。さらに，外傷後神経症では，言語性記憶力の低下や，病的反射，深部腱反射の亢進等を説明できない（甲２９）。
（被告の主張）
原告は，本件事故に基因してびまん性軸索損傷を受傷したとは認められないから，原告の諸症状は本件事故に基因するとはいえない。その根拠は，以下のとおりである。
（１）事故直後の意識障害等
原告は，示談書（甲３３の２）に双方の車両が全損と記載されていることを根拠とし，本件事故によって原告に強い衝撃が加わったと主張するが，同示談書の記載内容からは，双方の車両が修理して再利用するのではなく全損処理をしたことのみが分かるのであって，原告が受けた衝撃の程度は分からない。むしろ，本件事故の相手方が受傷していないこと（甲３１）に照らすと，原告のみが本件事故によって身体に強い衝撃を受けたことは推認しえない。


びまん性軸索損傷を受傷したといえるためには，６時間以上の意識障害があることが目安とされているが（びまん性脳損傷についてのゼネレリの分類，乙１９，４１），Ｂ病院の救急カルテには，本件事故直後において，原告に意識障害が見られた旨を窺わせる記述はなく，また，事故後搬送先病院到着まで約２０分間意識消失があったとしても，せいぜい脳振盪程度のものとの評価が当たるに過ぎず，損傷の程度が永続的な高次脳機能障害が残るに足りるだけの強度を有していないことは明白である。
よって，本件事故によって，原告に，永続的な高次脳機能障害を残存させるだけの意識障害が生じたといえないことからすれば，本件事故後に原告に生じた症状が本件事故による外傷によって生じたものであるとは合理的に説明できない。
被告は，原告に全く軸索損傷がなかったと断言しているものではないが，意識障害の程度と脳外傷による高次脳機能障害は強く関連しており，「脳振盪後症候群でも近時記憶の低下といらいら感，めまい・ふらつき感を感じるが可逆的である」（乙４０）とされているように，脳振盪のごとく，軽度の意識障害については，軽い軸索損傷があっても，高次脳機能障害など生じることはなく，予後は良好であり，何ら後遺症が残らないと考えることが合理的である。
（２）高次脳機能障害の発症時期，機序等
原告は，本件事故後約１か月強である平成５年１０月頃から記銘力低下等の症状が出始めたと主張しているが，本件事故当時，原告の直接の上司であったＭ及び同６年７月に原告について配置換えが実施されたことにより原告の上司となったＮは，いずれも，原告は事故前と変わりない状態で普通に仕事をしていたと述べている（乙１６，１７）。営業を担当していた原告にかかる症状が出現していたとすれば，就労を続けることは困難であったといわざるを得ないところ，直ぐに職場に復帰し，その後も会社においてトラブルが起こった事実がないことはもちろん，一緒に仕事をしていた同僚や上司が異変に気づくこともなく，休職するまで約２年以上にわたり就労を続けていたのであるから，本件事故後相当期間は，高次脳機能障害を発症していなかったというべきである。
原告は，本件事故の１か月強経過後から記銘力低下，会話能力減少，日常における意欲減退等の症状が出現し，事故後から継続したものであると言うよりも次第に悪化したという趣旨を述べ（原告本人），従兄弟の供述（甲４０）などからもこれが窺われるところ，これは，受傷の瞬間に軸索の断裂が生じるため受傷直後に症状が最も強いとされる高次脳機能障害の発生機序に明らかに反する。また，脳外傷による高次脳機能障害は，急性期には重篤な症状が発現していても，時間の経過とともに軽減傾向を示す場合がほとんどであるし，脳外傷による症状が，軽症例でありながら数年間持続するということは考えにくい（乙１８，２１，４０）。
なお，ワーラー変性が起きて，神経細胞が消滅するまでに一定の時間がかかるということは，びまん性軸索損傷が発症した場合，受傷直後の頭部ＣＴ等の画像所見では何ら異常が見られなかったものが慢性期の頭部ＣＴ等の画像所見では脳萎縮等の脳の器質的変化として現れるという神経細胞の形態変化の遅れを意味するに過ぎず，ワーラー変性が受傷直後も神経伝達機能が残存し，それが断絶するまでにも一定の期間がかかるということの医学的根拠になるものではない。したがって，このことを，受傷後１か月後に高次脳機能障害の症状が出ていたとしてもこれが頭部外傷によるびまん性軸索損傷によるものであることが否定されないことの根拠とする原告の主張は誤りである。
さらに，本件においては，平成６年にＤ病院への通院を終了した後，Ｅ病院へ受診した同８年３月までの間の原告の症状の経過を裏付ける客観的資料は存在しない。
（３）画像所見


本件事故当日にＢ病院において撮影された頭部ＣＴ検査の結果等を踏まえ，同病院脳神経外科のＫ医師は，原告に本件事故を原因とする脳外傷その他異常所見は存在しないと診断し（乙１１，甲３６），その４か月後に受診したＣ病院及びＤ病院の頭部ＣＴ及びＭＲＩ所見においても，原告には，Ｂ病院での受診結果と同様，両側側頭頭頂葉に異常があるとして脳の病変が指摘されたものの（乙１２及び１３），Ｂ病院での所見と比較検討しても，「びまん性軸索損傷」の病態の進行を示すとされる時間経過による脳萎縮の進行や脳室の拡大といった器質的変化は認められない（乙１８）。本件事故直後にＫ医師によって指摘された脳病変は，本件事故前から存在するものであり（本件事故により脳外傷を受傷したとすれば，それが受傷直後に「脳萎縮」の所見として現れることはないため。），これは，平成５年１２月２１日の頭部ＣＴ，平成６年１月７日，同１８日の頭部ＭＲＩの画像を見た岐阜労働局地方労災医員であるＯ医師によれば，両画像において認められた両側の側頭頭頂葉の異常（萎縮あるいは脳挫傷）と，同一のものと考えられる（平成５年８月２５日にいったん見られた脳萎縮が消失するとする医学的知見はなく，これらが部位をほぼ同一にするため。）から，同ＣＴないしＭＲＩの上記画像所見は，本件事故による病状の原因となる異常所見と位置づけることはできない（乙１８，３７）。すなわち，Ｄ病院における脳挫傷の診断は，同病院のカルテの現病歴に「brain（脳）ＣＴなどn.p（異常なし）」と記載されていることからも明らかなとおり，本件事故直後に同一箇所で認められた脳萎縮の存在を看過した誤った診断である。Ｋ医師が認めた脳萎縮と同一部位若しくはその極めて近傍に，本件事故により損傷が起こり，病変が拡大，進展し現在に至ったことは十分考えられるとする原告の主張は，もともと異常があった部位にだけ損傷が生じるような脳の受傷メカニズムは考えにくく，外傷による皮質損傷で，それが原因となって病変が拡大，進展するほどのものであれば，受傷後のＣＴで容易にわかるはずであるところ，Ｋ医師のＣＴ所見においては外傷による所見がないことを明記しているのであるから，合理的な説明でないことが明らかである。さらに，Ｇ病院におけるＭＲＩで指摘された局所性及びびまん性の「脳萎縮」も，ＫＣＴ意見書の異常所見と同一であると認められ，トラクトグラフィーで指摘された軸索の減少部位は，前記の局所性「脳萎縮」と一致するところ，これは，同萎縮の存在のために神経繊維が減少しているのであって，びまん性軸索損傷が存在することを示すとはいえない。加えて，ＰＥＴ・ＳＰＥＣＴによる前頭前野内側面及び帯状回の血流ないし代謝局所低下所見は，抗精神病薬や，統合失調症，うつ病など様々な病態によっても生じるから，Ｇ病院におけるこれらの画像所見は，いずれも本件事故によるびまん性軸索損傷の存在を裏付けるものではない。
また，原告が本件事故による症状として主張するＣ病院カルテに記載されている両鼻側下部半盲（Ｃ病院における所見）は，視神経交叉部あるいは視覚領域中心部の異常により生じるものであるから，確定診断のためにはそのような脳における異常との関連づけが必要となるが，Ｃ病院のＣＴでの「左側頭葉にＬＤＡ，梗塞像」，Ｄ病院のＣＴでの「左側頭－頭頂部（角回付近）異常陰影」との所見とは部位が一致しない。
（４）統合失調症の可能性及び神経症状等について
岐阜労働局地方労災医員であるＰ医師によれば，本件事故後の原告の症状は，次のとおり，神経障害としての統合失調症に伴う認知障害（＝高次脳機能障害）であると考えられるとしている（乙２３，３６）。ア原告は，統合失調症に罹患しており，原告の統合失調症症状は，緩徐な経過を取りながら，平成５年１０月中旬頃には顕在化していた。イ原告は，平成１３年３月の専門学校卒業と同４月の就職という出来事を契機として，病状の増悪を来たし，同年４月４日から同年６月１日までＥ病院へ入院，さらに，同年１０月２０日から同年１１月３０日までＦ病院へ入院しているが，これらは統合失調症の脆弱性仮説と，ストレス耐性閾値の低下を来すというストレス仮説で説明できる。
ウ認知機能障害（＝高次脳機能障害）は統合失調症患者の８５～９０％に認められ，発病前の前駆期ですでに出現している。それ故，認知機能障害は統合失調症の結果ではなく，その背景となる特性を反映し，発症に至る脆弱性を示していると考えられる。認知機能障害は，外傷性，器質性の変化によってのみ生じるものではない。
エＢ病院のＣＴ所見の「左右のシルビウス裂～中心溝近傍の脳萎縮，左に強し」は，統合失調症の患者に見られるＣＴ所見と同一である可能性が高い（乙３０）。
オ統合失調症患者においては全脳体積の極軽度の減少，脳室の拡大等が見られる。Ｄ病院及びＧ病院のＭＲＩで指摘された「年齢相当以上の脳萎縮」は，統合失調症のＭＲＩ所見と矛盾するものではない。カＧ病院のＰＥＴ・ＳＰＥＣＴ所見の「両側前頭前野内側面及び帯状回の局所糖代謝低下・局所脳血流低下」は，統合失調症患者の画像所見を示唆するということができる（乙３０，３８，３９）。


原告が神経症状であると主張する症状は，記銘力障害，失語，病的反射，失行であるところ，原告が根拠とするＤ病院カルテには，医師により「失語（－），失認（－），失行（－）」と記載されており，Ｓ．Ｔ（言語療法士）によるリハビリステーション経過報告書でも失語症ではなく記銘力低下の影響かと考えられる旨記載されており，原告に失語，失行の症状は認められず，記銘力障害は神経症状としても精神症状としても出現するものである。また，原告が主張するように，病的反射が統合失調症では説明がつかないとしても，外傷前からあったものであるのか不明であり，もしそうであるとすれば，Ｋ医師のＣＴ所見で指摘されている脳萎縮との関係が考えられ，さらに，反射の亢進は，運動繊維の中でどこかに障害があるということを示しているだけで，高次脳機能障害と直接の関係があるわけではないから，これらが本件事故による症状とまでは認められず，原告が本件事故によって高次脳機能障害を発症したことの根拠とはならない。
（５）他の疾患の可能性
Ｏ医師によれば，原告の訴える症状の原因として，慢性外傷後頭痛や外傷後神経症が原因である可能性が考えられる（乙１８）。
第３当裁判所の判断
１前掲前提事実に掲記の証拠及び弁論の全趣旨を総合すると，以下の事実が認められる。
（１）本件事故前の原告の状況（甲８，１３ないし１６，３８ないし４２，原告本人）
ア原告は，中・高生時代から成績は中の上で，高校時代は生徒会役員を務めていた。
イ原告は，高校卒業後，Ｑ大学獣医畜産学部畜産土木工学科に進学して畜産利水開発学研究室に所属し，牛ふんスラリーという液体を発酵させて肥料にする過程を観察・実験し卒業論文を書き，４年間で単位を取得して平成４年３月に同大学を卒業した。なお，原告は，大学では，テニスサークルに所属していた。
ウ原告は，Ａ株式会社に自然科学系の部署であるバイオ事業部門があったことから，大学卒業後の平成４年４月，同社に就職し，新事業本部で培土生産業務に従事した。同業務には，顧客の要望に応じた培土を調合し生産するなどの仕事が含まれ，原告は，園芸用や水稲用の培土を作っていた。原告は，平成５年７月の全社大会において社長から銀賞の表彰を受けるなど成績を評価された。会社の同僚は，原告が同大会の口頭発表においてメモを見ることなく細部まで時間通りに発表したことに感心した。エ原告は，本件事故の前である平成５年７月（原告の陳述書・甲１６では同年８月），営業職に異動した。その後，岐阜県近辺の顧客を訪問し，培養土に関する注文や相談を受け，集金を担当し，また，上司とともに新規取引先を回るなどの仕事もしていた。
（２）本件事故の状況
ア本件事故は，前掲前提事実のとおり，信号機のない交差点で，原告の運転する車両が交差点に進入したところ，優先道路である交差道路を左方から時速約５０キロメートルで走行してきた訴外第三者の乗用車との間で，その車両の前部同士が衝突し，原告車は反転してガードレールに激突し，両車両とも全損状態となったというものである。原告は，後のＤ病院での受診の際，前頭部にこぶを負ったと述べている（甲２１）。イしかし，両車両の損傷状況を示す客観的な証拠はなく，事故態様の詳細についても不明であるため，本件事故で原告の身体のどこにどの程度の衝撃を受けたかについても明らかでない。
（３）本件事故当日の受診等（甲６，１６，２０，２１，３６，乙９，１０，１１，１６，原告本人）
ア原告は，本件事故直後である午後４時５０分頃，救急搬送され，平成５年８月２５日午後５時１０分にＢ病院に到着した。
イ原告は，同病院で，頭部及び頚部レントゲン検査，頭部ＣＴ検査の施行を受け，「頭部外傷Ⅱ型，頚椎捻挫」と診断されたが，各レントゲン検査の結果は異常なしとされ，経過観察とされた。
ウ同日施行された頭部ＣＴの所見用紙（ただし，読影日は同月２７日）には，Ｋ医師により，所見欄に「左右のシルビウス裂～中心溝近傍の脳萎縮あり。脳梗塞あるいは古い脳挫傷か？左に強し。」との記載が，コメント欄に「モヤモヤ病ＡＶＭ（動静脈奇形）等。念のため，一度造影ＣＴを。少なくとも今回の外傷による異常ではないですし，外傷による他の異常は，ありません。」との記載がされている（以上の所見欄及びコメント欄の記載内容を，以下「Ｋ所見」という。）。ただし，同ＣＴ画像自体は残存しておらず，Ｋ医師による上記所見用紙の概念図への書込みが残存するのみである。
エ原告本人は，現在の記憶として，本件事故後救急搬送され，Ｂ病院に到着し，検査等を受けたことを記憶していない。しかし，本件事故当日の同病院のカルテの「既往症・原因・主要症状・経過等」の欄には，原告に意識障害があったことを示す記述はない。また，後のＤ病院での受診の際には，原告は，事故の際の記憶はないが，搬送先のＢ病院では意識もあり歩行もできたと述べた。
オ原告の直接の上司であったＭは，原告の救急搬送の連絡を受け，本件事故現場を経由して同病院へ赴き，約１時間待機した後，診察室から出てきた原告を迎えたが，その際，原告の意識はしっかりしていたと感じた。原告本人は，現在の記憶として，病院の待合室で，上司が座っていたことをぼんやりと記憶している。原告は，午後６時半頃，同病院からＭとともに帰宅したが，原告本人の現在の記憶としては，その際の記憶はない。しかし，Ｍは，帰宅する際の道中も原告の意識はしっかりしていた旨述べている。原告本人の現在の記憶として，帰宅後，親から休むように言われすぐ横になったことや，Ｍと父と座っていたこと等を断片的に記憶しているのみで，本件事故の翌日の行動については，会社に出勤したか否かも含めて記憶がない。
（４）本件事故の翌々日の再受診（乙１１，甲３６）
ア原告は，本件事故の翌々日である平成５年８月２７日，Ｂ病院で再受診した。原告は，同受診の際，頚部痛，右頭痛を訴え，また，左のスリッパが脱げやすいと左下肢の筋力低下を訴えた。しかし，吐き気はなく，指しびれもなかった。同日のカルテには，他に，「スパーリングテスト（－），処方アドフィード３袋」と記載されている。


イ原告は，現在の記憶として，同日同病院で再受診した際，検査の結果異常なしと言われたことは記憶しているが，同日の受診を，本件事故翌日のことと記憶しており，受診の結果，異常なしと言われたため，その日は出勤したと記憶している（甲６，１６）。
（５）Ｃ病院で受診するまで（甲６，８，１６，２０，２４，３８，原告本人）ア原告は，現在の記憶として，本件事故後，初めのうちは問題なく過ごせていたと記憶している。
イ原告は，本件事故から１週間くらい後である平成５年９月初旬頃から，後頭部がどんとする痛みから，首にかけて硬くなって動かせなくなり，イライラが生じ，汗をかきやすくなった。
ウ原告は，その後も後頭部の痛みと首が動かせない状態が２週間ほど続いたため，同年９月２２日及び２３日，あんまマッサージ指圧師を訪ねてマッサージを受け，その後も２～３回マッサージを受けに行った。その頃，原告は，後頭部の手のひらの大きさの範囲くらいが痛み，痛むと１分半くらい続くことがあった。
エ原告は，同年１０月頃になり，言葉がうまくしゃべれなくなったり，記憶力が落ちる等の症状を父親に訴えるようになった。そのころから，原告は，会社では受けた電話での注文を書こうとしても忘れてしまったり，営業先で客と話をする際，前日に観た野球の試合の点数を忘れていたりしたため，電話を取ったり人と話をしたりするのが怖く感じるようになった。その頃，原告は，様々な資材を混ぜて園芸用の土を生産する仕事で，最後に山土を混ぜる必要があったにもかかわらず，それを混ぜない形の配合表で発注し納品してしまうというミスをしたことがあった。また，原告は，それまでは２０～３０分で書いていた日報に１時間程度かかるようになったなど，あまりに物忘れがひどいと感じた。もっとも，原告は，同月１６日，フォークリフトの取扱い試験には合格した。
オ原告は，ミスを恐れて精神的に不安定となり，同年１０月２７日，Ｊセンターの所長と面会し指導を仰いだ。原告は，仕事を休んで休養を取るようにとのアドバイスを受けたが，仕事を休むことでさらに記銘力が低下することが怖かったことから，仕事を続けた。
他方で，原告は，本件事故後も，テニスや合気道といった趣味を続けていた。
カしかし，その後，原告は，さらに記銘力が低下し，覚えていられることが少なくなったと感じ，会話のスピード自体も次第に遅くなり，次第に言葉がスムーズに出てこないようになったため，Ｃ病院で受診することとした。
キなお，Ｍは，原告が，平成６年７月頃生産部に異動するまでの間は，少なくとも普通に営業部で仕事に従事していたと供述する（乙１６）。また，同社の生産部の原告の上司であったＮ氏は，平成６年７月以降も原告は普通に仕事に従事したが，平成８年３月頃から，不気味な笑いを浮かべるなど行動がおかしくなったと供述する（乙１７）。
しかし，同社で原告の１年先輩のＲ氏は，本件事故後，原告の話すスピードが極端に遅くなり，冗談も少なくなり，仕事上の指示にも自信がなさそうで，何かを安心して任せられる状態ではなかった旨供述し（甲４２），原告の従兄弟であるＳ氏は，本件事故後，原告の様子は本件事故を境にして明らかに違っており，話が滑らかにできなかったり，話が途中で途切れたりすることがあり，行動もゆっくりになっており，このようなことは事故後の年月が経つにつれて顕著になっていると感じると供述する（甲４０）。
（６）Ｃ病院における受診等（甲１６，２０，２４）
ア原告は，平成５年１２月２１日からＣ病院神経内科に受診し，主訴として，「くびの鈍痛，会話が遅くなった，しゃべるのがおっくう，汗をかきやすい，ものがみにくい」と訴えた。また，「本件事故の１週間後よりくびのどーんとした感じが続いている。その他，イライラ，汗をかきやすくなっている。」，「本件事故以後，物をみるのに集中できない」，「本件事故以後，記銘力低下，集中力低下を自覚。」，「左腕外（･･記載内容が不明であり中略‥）が右腕より鈍い」などと訴えた。
イ同日，同病院神経内科医師は，眼科医師に対し視野検査等を依頼し（依頼書には「ＣＴ上，左側頭葉にＬＤＡ（低吸収域）を認めます。」と記載されている。），これに対する回答として，眼科医師は，「ゴールドマン視野検査は別紙の如く両鼻下側にdefect（欠損）あるようです。定期的に視野検査させていただければ幸いです。」等と報告した。ウまた，同日，同病院神経内科医師は，「短期言語治療処方箋」で，リハビリテーション科言語室に対し，ウェリスラー成人知能検査等による言語機能の評価を依頼し，同日から平成６年１月１８日までの間に同検査が実施され，その結果として，言語性評価点合計５２点，動作性評価点合計４６点，全検査評価点合計９８点との記載，同評価欄には「言語性・動作性ＩＱに差はなく，全体的にみて知能レベルは“平均”でした。下位検査の分析を行ったところ，記銘力，注意力，集中力に関する項目で特に成績低下を認めました。」との記載がある。
エまた，同日（平成５年１２月２１日），同病院において，原告の頭部ＣＴ検査が施行された。原告は，同日付で，「脳梗塞」と診断され，同疾病のため，通院の上検査治療のため，１ヶ月間の通院を要するとされた。オ原告は，同６年１月７日，同病院神経内科で再受診し，本件事故以後，「物をやるのに集中できない，物が覚えられない」と訴えた。同日付同科のカルテ「総括」欄には，「頚部ジャクソン徴候，記銘力低下，両鼻側半盲」と記載されており，また，「反射」の欄には左半身の反射の異常が見られることが記録されている。
カ原告は，同日，同病院において，言語訓練士の指導を受けた。同日付け「リハビリテーション経過報告書」には，「語想起能力は保たれていますが，長い文章での説明では，やや文の組み立てが乱れます。また口頭命令に従うといった複雑な文の理解に軽度の障害がみられました。それらの症状は，失語症ではなく，記銘力低下の影響下と考えられます。」と記載されている。また，原告に対し，同日，頭部ＭＲＩ検査が実施された。キ同病院の同年１月１７日付カルテには，原告の訴えについて，「不変」と記載されている。
（７）Ｄ病院における受診等（甲１６，２１，２５）


ア原告は，平成６年１月２１日，更なる検査の必要性から，Ｃ病院の紹介で，Ｄ病院で受診し，主訴として，記銘力障害（電話番号がすぐにでも覚わらない，約束を忘れてしまっている。）を訴えた。また，「本件事故後１週間ほどしてから頭がボーッとする。後頭部がドーンとする。症状はなかなか改善せず，集中力がなくなる。」と訴えた。同日付カルテによれば，原告には四肢筋力低下が見られたが，シビレ，歩行障害，めまい，ふらつきは見られなかった。
イ同日付けカルテには，「総括」の欄には，「１）頚部前屈時痛，２）深部反射亢進Ｒｔ（右）＞Ｌｔ（左），３）神経心理学的障害」，「１    全身所見」の欄には，「alexia（失読症）（－），agraphia（失書症）（－），漢字を忘れっぽい，言葉が出にくい，apraxia（失行症）今までできた動作の手順ができない」，「４脳神経」の欄には，「舌下    舌萎縮（－），細かい動きはできないという」と記載されている。
また，「１０反射」として，「「下顎    Ｎ（正常）」，「上腕二頭右（＋）＜左（＋）」，「上腕三頭右（＋）＜左（＋）」，「橈骨    右（＋）＜左（＋）」，「ワルテンベルグ右（－）左（＋）」，「ホフマン右（－）左（＋）」，「膝    右（＋）左（＋＋）」，「アキレス右（＋）左（＋＋）」，「膝間代右（－）左（－）」，「足間代    右（－），左（－）」，「バビンスキー右（－），左（－）」，「チャドック    右（－），左（－）」，「ロッソリモ右（－），左（－）」」等と記載されており，さらに，「１３失語（－），失認（－），失行（－）」と記載されている。
ウまた，同日付け臨床診断として，ＭＲＩ画像上，左側頭頭頂部病変（角回）と診断されている。同病院のカルテの同日付経過治療欄には，「＜脳ＣＴ＞１２／２１’９３県病院両側シルヴィウス裂描出    年齢の割に脳室拡大（軽度左右対称）lt   angulargylus（左角回）付近に境界不鮮明ＬＤＡ（低吸収域）」とのコメント付きのスケッチが記載されている。また，＜脳ＭＲＩ＞と題するスケッチにおいては，脳溝を含む部分に「Ｔ２強調像にて高信号」などと指摘されている。さらに，原告に対する頚部ＭＲＩ画像上には，異常は認められなかった。
エ同カルテの同月２４日付けの脳外科宛の「依頼箋」には，「脳ＣＴでＬＤＡ（低吸収域）あり。脳溝の拡大かと思われましたが，ＭＲＩ冠状断像では明らかに同部の皮質に異常像を認めます。」等と記載されている。また，原告に対し，同日，ＭＲ血管撮影検査が施行された。オ同カルテの同月２８日付経過治療欄には，「主訴的訴え」として「症状は徐々に改善してきている。たくさんのことを同時に注意できる。まだメモしないと覚われない（記銘力障害）」と，「客観的情報」として「脳外の脳動脈撮影（両側），腫瘍，動静脈奇形は否定される。脳梗塞は否定できないが年齢的に言っても外傷による脳挫傷と考える。」等と，「評価」として「右錐体路徴候が明らかになってきている。」と，「計画」として「脳挫傷として経過観察」等と記載されている。
原告は，同日付で，同病院において「脳挫傷（左頭頂葉）疑」と診断された。同日付け診断書には，「今後６か月間の通院治療を要する。軽度の記銘力障害及び右上肢巧緻運動障害を認めるが，通常の業務への就労には支障はないと考えられる。ただし，高度の判断力を要する仕事に従事する際には配慮が必要と思われます。」と記載されている。（８）会社退職からＧ病院受診に至るまで（甲６，１６，３８，乙２４，原告本人）
ア原告は，本件事故前との落差から自信を喪失したため，平成６年３月，会社に辞表を提出した。しかし，「君一人いなくても大丈夫だから，リハビリのつもりできたらいいよ。」などと言われて慰留された。もっとも，原告は，同年７月（原告の陳述書・甲１６では同年４月），営業の仕事を外され，入社当時と同じ培土生産の工場勤務に配置換えとなった。イ原告は，平成８年頃，すでに会社に症状を隠せなくなっており，徐々に疲れやすくなり記憶力もさらに低下してきた。症状が進むにつれ，部署の異動があり，新しい仕事を覚えられない等から，周囲の目が気になるようになり，朝は緊張して出勤する決心がつかない日もあった。ウ原告は，平成８年３月２５日，Ｅ病院を受診し，原告の母Ｔは，原告が，２か月前くらいから，「自分の中で色々指図したり，命令してくれる「あなた」，「あんた」という人がいる」と訴えるようになり，「それに自分で答える様になった。」と訴えた。原告は，受診の際，「命ずる声は男の人」，「人間を作る元の人が来てるから仕方ない，自分だけでなく，周りの人までそうなっている，世の中破滅しようとしていた」などと述べた。
原告は，同病院において「Ｓ（統合失調症）」と診断され，同日から約３か月間，同病院に入院した。原告は，同入院期間は，投薬と規律ある生活で，よく眠れるようになった。
エ原告は，同病院を退院した後，会社を休職したが，同年８月１５日，会社から自主退職を勧められ，会社を退職した。以後，原告は，依然として疲れやすいままで職に就くことはできなかった。
オ原告は，介護士になることを志し，平成１１年に専門学校に入学し，２年後の平成１３年３月に同校を卒業して介護福祉士及びレクリエーションインストラクターの資格を取得した。専門学校に入学した後も，記憶障害・言語障害があり疲れやすく集中できなかったが，午前１０時から午後３時までの授業を終え，家に帰るとすぐ布団に入った。母親が病院へ薬を取りに行くなどしていた。
原告は，専門学校卒業後は福祉施設に就職が内定していたものの，事前研修が終わった後，同施設の人に辞めることを勧められ，同施設に就職することを断念した。
カ原告は，Ｅ病院退院後も，同病院へ通院していたが，同１３年４月４日から同年６月１日まで，同病院に入院し，また，同月２６日から同月２８日まで，同病院に入院した。（乙２４，３１）


キ原告は，平成１３年１０月２０日，自ら腹部，左胸部を果物ナイフ，包丁等で刺し，Ｆ病院へ救急搬送されＩＣＵ入院となった。そして，原告は，同月２５日，Ｆ病院の外科から精神神経外科へ転科し，統合失調症と診断され，同年１１月３０日まで入院療養し，退院後も，同病院へ，引き続き月１，２回の通院療養を継続した。（乙２５，甲５の１）（９）Ｇ病院における受診，治療経過等（甲１，４，５の１，２９）ア原告は，平成１７年７月２５日，Ｆ病院の紹介で，Ｇ病院脳神経外科に受診し，記銘力障害や計算能力，作業能力低下等の症状を訴えた。イ原告は，同病院において，同年８月８日，ＭＲＩ検査，ＥＣＤ－ＳＰＥＣＴ検査及びＷＡＩＳ－Ｒ等の各種精神心理学検査を，同月２６日，ＦＤＧ－ＰＥＴ検査及び各種神経心理学検査を受けた。
ウ同病院で施行された神経心理学検査の結果，ＷＡＩＳ－Ｒ全検査ＩＱが８５点（言語性ＩＱ８８，動作性ＩＱ８４）で，全体的な能力がやや低下しているとされているほか，記憶能力，特に言語性の記憶能力の低下が顕著であり，論理的な記憶などができていない，一度に記憶できる量が少なく，保持することも困難になっている，情報処理速度が遅く，遂行能力が低下していると考えられ，同時に要求されることが増えると混乱し処理速度が更に落ちる等と診断されている。
エ同病院のＨ医師は，画像所見の結果，「１．ＭＲＩにおける軽度～中等度の「びまん性脳萎縮」の存在（同年齢の健常人との比較において），２．ＦＤＧ－ＰＥＴにおける両側前頭前野内側面及び帯状回の局所糖代謝低下，３．ＥＣＤ－ＳＰＥＣＴにおける両側前頭前野内側面及び帯状回の局所脳血流低下，４．MRdiffusiontensor   imageでみられる脳梁膨大部後半におけるtractの減少」より，原告にびまん性軸索損傷があると診断している。そして，頭部外傷が本件事故以外になかったとすると，現在出現している高次脳機能障害（神経症状）は，本件事故による頭部外傷に起因するものと判断せざるを得ないとしている。
（１０）現在の原告の生活状況
ア原告は，平成１５年から現在に至るまで，月曜から金曜まで「Ｕ」という作業所に通い，紙箱の組立て，箱のシール貼り，ガムなどのパック詰め，手提げ袋の持ち手付けなどの簡単な作業を行っているが，疲れやすく翌日に疲労が残るため，終了時間まで作業することができない。イ甲１６の陳述書作成時である平成２１年当時，原告は，疲れやすく，集中力に欠ける状況が続いており，一度に複数のことを指示されると判断ができない，記憶力が低下している，会話がスムーズにできない，無理をした翌日は疲れが残るという症状がある。
（甲６，１６，３８，原告本人）
２高次脳機能障害及びびまん性軸索損傷に関する医学的知見についてこのことについて，掲記の証拠によれば，次のとおりと認められる。
（１）びまん性軸索損傷とは
びまん性軸索損傷とは，脳全体に回転角加速度衝撃が加わった場合に，脳内に剪断力が働き，大脳表面と大脳辺縁系及び脳幹部を結ぶ神経軸索が広い範囲に切断されるか損傷されるかして，広範な神経連絡機能の断絶を生じることとなる病態をいう（乙１９，２６，３５，４１，甲５２）。
（２）高次脳機能障害とは
高次脳機能障害とは，麻痺・感覚障害・失調など要素的な身体症状によるものではない言語・認知・行為・記憶・その他さまざまな知的能力及びそれらの維持に必要な背景の障害と定義される（乙５）。高次脳機能障害は，脳の局所性損傷でも，びまん性損傷でも生じる（乙８）。
（３）脳損傷による高次脳機能障害の病像
「自賠責保険における高次脳機能障害認定システム検討委員会」が作成した平成１９年２月２日付けの「自賠責保険における高次脳機能障害認定システムの充実について」（報告書）と題する書面（甲１７。以下「自賠責報告書」という。）によると，自賠責保険（共済）における「脳外傷による高次脳機能障害」とは，脳外傷後の急性期に始まり多少軽減しながら慢性期へと続く，以下の①ないし⑤の特徴的な臨床像を指すとされている。弁論の全趣旨によれば，これは，「自賠責保険（共済）における」との限定が付されているが，脳外傷による高次脳機能障害に関して，現在における一般的な医学的知見を総合したものと解される。
①典型的な症状－多彩な認知障害，行動障害及び人格変化認知障害とは，記憶・記銘力障害，注意・集中力障害，遂行機能障害などで，具体的には，新しいことを覚えられない，気が散りやすい，行動を計画して実行することができない，などである。行動障害とは，周囲の状況に合わせた適切な行動ができない，複数のことを同時に処理できない，職場や社会のマナーやルールを守れない，話が回りくどく要点を相手に伝えることができない，行動を抑制できない，危険を予測・察知して回避的行動をすることができない，などである。人格変化とは，受傷前には見られなかったような，自発性低下，衝動性，易怒性，幼稚性，自己中心性，病的嫉妬・ねたみ，強いこだわりなどの出現である。
なお，これらの症状は，軽重があるものの併存することが多い。
②発症の原因及び症状の併発
上記①の認知障害，行動障害，人格変化は，主として脳外傷によるびまん性脳損傷を原因として発症するが，局在性脳損傷（脳挫傷，頭蓋内血腫など）とのかかわりも否定できない。実際のケースでは，両者が併存することがしばしば見られる。また，びまん性脳損傷の場合，上記①の症状だけでなく，小脳失調症，痙性片麻痺あるいは四肢麻痺の併発も多い。これらの神経症状によって起立や歩行の障害がある事案においては，脳外傷による高次脳機能障害の存在を疑うべきである。
③時間的経過
脳外傷による高次脳機能障害は，急性期には重篤な症状が発現していても，時間の経過とともに軽減傾向を示す場合がほとんどである。これは，外傷後の意識障害の回復経過とも似ている。したがって，後遺症の判定は，急性期の神経学的検査結果に基づくべきではない。経時的に検査を行って回復の推移を確認すべきである。しかし，症例によっては，回復が少ないまま重度な障害が持続する場合もある。
④社会生活適応能力の低下


上記①の症状が後遺した場合，社会生活への適応能力が様々に低下することが問題である。これを社会的行動障害と呼ぶこともある。軽症で，忘れっぽい程度の障害であれば日常生活への影響は少ない。しかし，重症では就労や就学が困難になったり，介護を要する場合もある。
⑤見過ごされやすい障害
脳外傷による高次脳機能障害は，種々の理由で見落とされやすい。例えば，急性期の合併外傷のために診療医が高次脳機能障害の存在に気づかなかったり，家族・介護者は患者が救命されて意識が回復した事実によって他の症状もいずれ回復すると考えていたり，被害者本人の場合は自己洞察力低下のため症状の存在を否定している場合などがあり得る。
（４）高次脳機能障害の診断基準
自賠責報告書によれば，脳外傷による高次脳機能障害の診断基準に関して，次のとおり指摘されおり，これも現在における一般的な医学的知見を総合したものと解される。
①総論
脳外傷による高次脳機能障害の症状を医学的に判断するためには，意識障害の有無とその程度・長さの把握と，画像資料上で外傷後ほぼ３か月以内に完成するびまん性脳室拡大・脳萎縮の所見が重要なポイントとなる。また，その障害の実相を把握するためには，診療医所見は無論，家族・介護者等から得られる被害者の日常生活の情報が有効である。
②意識障害の有無とその程度
脳外傷による高次脳機能障害は，意識消失を伴うような頭部外傷後に起こりやすいことが大きな特徴である。一次性のびまん性脳損傷（びまん性軸索損傷）の場合，外傷直後からの意識障害を大きな特徴とするのに対し，二次性脳損傷では，頭蓋内血腫や脳腫脹が増悪して途中から意識障害が深まるという特徴がある。また，脳外傷直後の意識障害がおよそ６時間以上継続するケースでは，永続的な高次脳機能障害が残ることが多い。意識障害の程度・期間の重要性を良く認識した上で，十分な調査が必要となる。高次脳機能障害が問題となる事案の抽出条件として，以下のいずれかが挙げられる（ただし，必要条件ではない。）。
ⅰ半昏睡ないし昏睡で，開眼・応答しない状態（ジャパン・コーマ・スケール（以下「ＪＣＳ」という。）で３桁，グラスゴー・コーマ・スケール（以下「ＧＣＳ」という。）で８点以下）が少なくとも６時間以上続くこと。
ⅱ健忘症あるいは軽度意識障害（ＪＣＳで１ないし２桁，ＧＣＳで１３ないし１４点）が少なくとも１週間以上続くこと。
③画像所見
びまん性軸索損傷の場合，受傷直後の画像では正常に見えることもあるが，脳内（皮質下白質，脳梁，基底核部，脳幹など）に点状出血を生じていることが多く，脳室内出血やくも膜下出血を伴いやすい。受傷数日後には，しばしば硬膜下ないしくも膜下に脳脊髄液貯留を生じ，その後代わって，脳室拡大や脳溝拡大などの脳萎縮が目立ってくる。およそ３か月程度で外傷後脳室拡大は固定し，以後はあまり変化しない。これらを踏まえ，認定には経時的な画像資料を通して脳室拡大・脳萎縮等の有無を確認することが必要である。
また，局在性脳損傷（脳挫傷，頭蓋内血腫等）が画像で目立つ場合でも，脳室拡大・脳萎縮の有無や程度を把握することが重要である。頭部画像上，初診時の脳外傷が明らかで，少なくとも３か月以内に脳室拡大又は脳萎縮が確認されることが，高次脳機能障害が問題となる事案としての抽出条件の一つとされる（ただし，必要条件ではない。）。
④他の疾患との識別
頭部外傷を契機として具体的な症状が発現し，次第に軽減しながらその症状が残存したケースで，びまん性軸索損傷とその特徴的な所見が認められる場合には，脳外傷による高次脳機能障害と事故との因果関係が認められる。
一方，頭部への打撲などがあっても，それが脳への損傷を示唆するものではなく，その後通常の生活に戻り，外傷から数か月以上を経て高次脳機能障害を思わせる症状が発現し，次第に増悪するなどしたケースにおいては，外傷とは無関係に内因性の疾病が発症した可能性が高いものといえる。画像検査を行って，外傷後の慢性硬膜下血腫の生成や脳室拡大の伸展などの器質的病変が認められなければ，この可能性はさらに支持されるものと考えられる。この可能性の中には非器質性精神障害も含まれる。
⑤脳震盪との関係
脳振盪症候群，ＭＴＢＩ（MildTraumaticBrain   Injury）の評価については，現在の画像検査において外傷所見が見出せず，また，意識障害の存在も確認できない場合であっても，外傷による障害があるものが相当数存在するので，脳外傷による高次脳機能障害と認定すべきだとする問題提起があるが，現在臨床において一般的に実施されているＣＴ，ＭＲＩ等の検査において外傷の存在を裏付ける異常所見がなく，かつ，相当程度の意識障害の存在も確認できない事例について，脳外傷による高次脳機能障害と認定の存在を確認する信頼性のある手法があると結論するには至らなかった。従って，当面，従前のような画像検査の所見や意識障害の状態に着目して外傷による高次脳機能障害の有無を判定する手法を継続すべきである。しかしながら，上記結論は，あくまでも現在の医療水準の到達点を前提とするものであって，現在の画像診断技術で異常が発見できない場合に外傷による脳損傷が存在しないと断定するものではなく，この点については，今後の画像診断技術などの向上・進歩に応じて，従前の画像診断による手法に拘泥することなく，適切に対応すべきである。
３本件事故と原告の症状との因果関係について
前記の医学的知見及び後記摘示の医学的知見に照らして，前記認定事実（及び証拠状況）から本件事故と原告の症状との因果関係について，特にびまん性軸索損傷の存否の判断を中心として，次に検討する。
（１）受傷後の意識レベルについて
ア本件事故直後の原告の意識レベルについて


前示のとおり，原告は，本件事故から約２０分後に救急車で到着したＢ病院の救急外来で，「頭部外傷Ⅱ型，頚椎捻挫」と診断されたのであるが，頭部外傷Ⅱ型とは脳震盪を意味すること（弁論の全趣旨），脳震盪を診断した医師としては，脳損傷の有無を判断するため，意識障害の有無について着目すべきであり，意識障害が認められたなら，それが軽度のものであっても重要な事実としてこれをカルテに記載すると考えられるところ，本件事故当日のカルテには意識障害の有無に関する記載はないこと，原告は，後に受診したＤ病院で，（Ｂ病院では）意識もあり歩行もできた旨述べたこと，本件事故から１時間半くらいが経過したころ，診察室から出てきた原告を迎え，車で原告の自宅に送り届けた上司のＭは，その際の印象として，原告はしっかりしていたと述べていること，他方，原告は，Ｄ病院では，本件事故時の記憶はない旨述べたこと，原告本人は，現在の記憶として，本件事故発生からＢ病院到着までの間は記憶がない旨述べていること，以上によれば，原告は，脳震盪により病院に搬送されるまでの間，軽度の意識障害や逆行性健忘が生じていた可能性があると考えられるが，本件事故により原告に半昏睡以上の意識障害が生じていたと認めることはできない。
なお，原告は，Ｂ病院のカルテには検査記録等が綴られていないこと，「受傷当時意識はなかった」旨の記載がある同病院の平成１６年９月６日付け診断書（乙１）を作成したＩ医師は，当時原告を診察した医師ではないが，このような場合，医師は，カルテの記載など当時の資料に基づき診断書を作成すべきであること，以上によれば，当時の原告の意識障害を示す資料が別に存在する可能性がある旨主張するが，受傷ないし診療当時の意識の有無は，カルテ本体に記載するのが通例であり，検査記録等に証拠が残存するような事柄とは考えにくいこと，本件事故当日のカルテの記載は，前後に継続する部分が存在したり別に検査記録等が存在したりすることを窺わせるような内容ではないこと（なお，レントゲン画像やＣＴ画像については，別保管とされることが多いため，カルテが残存しながらこれらが残存しないことは不自然とはいえない。），診療から年月を経て診療をした医師ではない医師が残存するカルテに基づき当時の病状に関して診断書を作成するに当たっては，診断書作成時における患者の供述を参考資料とすることがないとはいえないこと，したがって，「受傷当時意識はなかった」との上記診断書の記載は，当該診断書作成時における原告の記憶を反映したものである可能性があること，以上によれば，当時の原告の意識障害を示す資料が別に存在する可能性があるとする上記原告の主張をもって，原告に半昏睡以上の意識障害があったとは認められないとする前示の判断が左右されるということはできない。
また，原告の父の陳述書（乙９）にある「事故直後から病院まで本人意識なし」との記載については，その内容が原告の父が直接知っているはずのない事柄であること，また，前示の証拠状況とも齟齬があるというべきであることからすると，これも，その作成当時における原告の記憶を反映したものである可能性があるというべきであるから，採用することはできない。
イ本件事故後１週間程度の間の意識レベルについて前記認定事実によれば，原告は，本件事故当日には，医師の診察を受けたほか，Ｍや家族と接触し，遅くとも翌々日以降には，勤務先会社の者やその営業先の者とも接触したと考えられるところ，診察した医師が原告の意識レベルについて疑問を抱いたとする証拠はなく，むしろ，異常なしとの判断を原告に対し示したこと，Ｂ病院に搬送されて以降，自覚的にも他覚的にも原告の意識レベルが低下していたことを窺わせるエピソードは見当たらないこと，以上によれば，本件事故後１週間程度の間に原告に軽度の意識障害が生じていたと認めることもできない。
なお，原告本人は，本件事故後の行動についての記憶が断片的である旨述べるが，本件事故後の行動について問い質され，記憶を喚起したのがＣ病院受診時であったとすれば，その時点で本件事故から約４か月が経過していたのであるから，記憶が断片的であるとしても特に不自然ということはできない。
ところで，原告は，脳外傷による意識レベルの低下は見落とされやすい旨主張するが，本件事故当日及び翌々日の診療で，担当医師は，脳のレントゲン・ＣＴ撮影を指示し，その結果を検討するなど，原告の脳損傷の有無について注意していたと考えられるから，その際，原告の意識レベルの低下を見落としたとは考えにくく，意識レベルの低下を認めていたならカルテに記載したはずであること，また，翌々日以降，原告が意識レベルが低下した状態で普通に営業職に従事することができたとは考えにくいところ，従事に支障を生じたことを窺わせるエピソードがあったとは認められず，仮にそのようなエピソードがあれば，本件事故との関連性が問題とされたはずであることからすると，上記原告の主張をもって原告に意識障害が生じていた可能性を認めることはできない。
ウ以上のとおり，本件事故後の原告には，Ｂ病院に搬送されるまでの間，脳震盪による軽度の意識障害又は逆行性健忘が生じていた可能性が認められるが，現在の一般的な医学的知見としてびまん性軸索損傷による高次脳機能障害の発症を問題とすべき６時間以上の昏睡若しくは半昏睡又は１週間以上の意識レベルの低下が生じていたとする事実があると認めることはできない。
（２）ＣＴ，ＭＲＩ画像等の所見について
ア医学的知見について
前示のとおり，びまん性軸索損傷を診断する上の重要ポイントとして，画像所見として，急性期における何らかの異常所見又は慢性期にかけての局所的な脳萎縮，特に脳室拡大の進行，急性期は脳内の点状出血，脳室内出血，くも膜下出血であり，慢性期は事故後の画像と比較して限局性又はびまん性の脳萎縮又は脳室拡大が指摘されている。
もっとも，びまん性軸索損傷の急性期について，自賠責報告書には，脳内に出血が認められる場合が多いとされているが，純粋なびまん性軸索損傷では，受傷当日の頭蓋内は全く正常であるとか，何ら異常を認めないこともあるとする文献（乙４０，甲４６），外傷直後のＣＴ及びＭＲＩでは一見正常のこともあるが，精度の高いＭＲＩで観察すると，脳内に散在性の点状出血を認めることが多いとする文献（乙８）がある。また，慢性期（受傷後３か月以上）には，ＣＴ及びＭＲＩ画像上，脳の表面の脳溝が拡大し，脳萎縮による見かけ上の脳室の拡大が生じ，第３脳室及び第４脳室を含む全脳室の拡大が生じるとされている。
イ本件事故当日のＣＴ画像について


以上を前提として，本件について見れば，仮に本件事故によりびまん性軸索損傷が生じていたとした場合に急性期というべき本件事故当日にＢ病院で撮影されたＣＴ画像は残存していないが，翌々日に当該画像を読影したＫ医師の所見（Ｋ所見）が残存しており，これによれば，当該画像上は，本件事故の外傷による異常はないとされているところ，前示のとおり，びまん性軸索損傷の有無は，受傷直後のＣＴ画像からは判断できない場合があるとされているのであるから，このことのみをもっては，原告にびまん性軸索損傷が生じていたとも生じていなかったとも判断することはできないというべきである（ただし，Ｈ医師は，Ｋ所見が指摘する脳萎縮の場所と同じ場所に損傷が生じた可能性を指摘しているが，この指摘についての判断は，後記のとおりである。）。
ウ脳室拡大の有無について
仮に本件事故によりびまん性軸索損傷が生じていたとした場合に慢性期と言うべき時期における脳画像として，前示のとおり，本件事故の約４か月後である平成５年１２月２１日にＣ病院で施行された脳ＣＴの画像が存在し，これについて，Ｄ病院の平成６年１月２１日付けカルテには，「年齢の割に脳室拡大（軽度，左右対称）」が認められる旨の記載があるところ，Ｋ所見には，脳室拡大に関する所見の記載がないことから（甲２５，３６，乙１１），本件事故後に脳室拡大が生じた可能性があるのではないかとの疑いが問題となる。
しかし，平成６年１月のＭＲＩ画像を確認したＯ医師は，同画像での脳室の大きさは，２４歳という年齢からすれば僅かに拡大していると判断しても，正常範囲内と判断してもどちらでも良い所見であり，少なくとも明らかな脳室拡大の所見はない旨述べており（乙１８），この判断の信用性を左右する証拠はない。
また，脳室拡大の有無ないし程度は，同じ基準で急性期と慢性期の画像を比較することが大切であり，脳室の大きさは個人差が大きいために，年齢別の正常例と比較することは不適当であることや，１回だけの画像では確定できないことが指摘されている（乙８，２１，４０）。以上によれば，上記Ｄ病院のカルテに脳室拡大に関する所見の記載があることとＫ所見に脳室拡大に関する記載がないこととをもって本件事故後に原告の脳室に拡大が生じたと認めることはできない。
エびまん性脳萎縮の有無等について
Ｈ医師は，平成１７年８月８日のＧ病院での原告の脳のＭＲＩ画像（甲１０の２）について，軽度ないし中等度のびまん性脳萎縮が認められる旨，また，本件事故当日のＣＴ画像でＫ医師が認めた左右のシルビウス裂～中心溝近傍の脳萎縮と同一部位又はその極めて近傍に，本件事故によって損傷が起こり，病変が拡大，進展し現在に至ったことは十分考えられる旨述べている（甲２９，証人Ｈ）。
しかし，Ｏ医師は，上記ＭＲＩ画像に認められる脳萎縮は，Ｋ所見の「左右のシルビウス裂～中心溝近傍の脳萎縮あり」と異なるものとは認められず，びまん性脳萎縮と言えるようなものではない旨，Ｋ所見にいう脳萎縮と同一の部位に本件事故による脳萎縮がさらに生じたとする可能性は確率的に低いと考えるべきであるし，また，本件事故によって当該部位（皮質）に損傷が生じたとすれば，局在性脳損傷として本件事故直後のＣＴ画像上も出血等を認めることができた可能性が高い旨述べており（乙１８，証人Ｏ），この供述の信用性を妨げる証拠はないから，上記Ｈ医師の見解を直ちに採用することはできない。
なお，Ｐ医師は，統合失調症患者のＣＴ画像に脳室拡大やシルビウス裂の開大が認められたとする報告例が多数存在し，本件事故当日のＣＴ画像に関する「左右のシルビウス裂～中心溝近傍の脳萎縮あり」とのＫ所見も，これらの報告例が示す所見と同一である可能性が高い旨述べている（乙２３）。確かに，乙３０（２３９頁ないし２４３頁）には，脳室拡大（特に側脳室の拡大）の所見は，統合失調症患者の７割超において認められたとする報告例，その６割弱に認められたとする報告例，同所見は初回エピソード患者にも認められること，また，統合失調症患者にシルビウス裂の開大が認められる場合があることなどの記載があり，上記Ｐ医師の見解を裏付けている。そして，上記Ｋ所見にいう脳萎縮は，Ｃ病院やＤ病院のカルテ（甲２４，２５）に示された判断とも併せ見れば，脳挫傷，脳梗塞又は脳動静脈奇形などを原因とするとの疑いを生じさせるものであったことが窺われるが，原告本人は，脳挫傷や脳梗塞の既往はない旨述べており，能動静脈奇形は，Ｄ病院のＭＲ血管撮影の結果により否定されている。しかしながら，上記Ｋ所見にいう脳萎縮については，統合失調症患者に認められる所見と同一と認めるに足りる具体的証拠はないというべきであり，統合失調症との関連性は１つの可能性として有力であるとしても，Ｏ医師が述べるように（乙１８），その原因は不明というべきものと考える。
オまとめ
以上のとおりであるから，本件事故直後のＣＴ画像には，びまん性脳萎縮など本件事故による脳損傷を示す所見はないというべきであり，また，同ＣＴ画像に関するＫ所見と本件事故から４か月後のＣＴ・ＭＲＩ画像とを対比した場合に，びまん性脳萎縮に特徴的というべき慢性期における脳萎縮（脳室拡大）が生じていると認めるに足りる証拠はないというべきである。
カトラクトグラフィーについて
なお，Ｈ医師は，ＭＲdiffusiontensor   imageで原告の脳梁膨大部後半のトラクトの減少が認められることをびまん性軸索損傷を診断する根拠の１つであるとしている（甲４）。
しかし，Ｏ医師は，「シルビウス裂～中心溝近傍」に脳萎縮が存在すれば，脳梁後半部は当然に神経繊維が減少している部位であり，Ｋ所見の指摘する脳萎縮が本件事故以前からあったのであれば，「脳梁後半部における神経繊維の減少」は，本件事故によるびまん性軸索損傷を示すものではない旨述べており（乙１８），この供述の信用性を妨げる証拠はないから，上記Ｈ医師の判断を採用することはできない。
（３）原告の症状について
弁論の全趣旨によれば，原告に生じている記銘力障害その他の症状は高次脳機能障害の症状として矛盾はないものと認められるが，被告は，これらが統合失調症など他の疾患によるものである旨主張するので以下に検討する。
アＬ医師の指摘について


精神科医であるＬ医師は，Ｃ病院及びＤ病院の各カルテにより本件事故後の原告に生じていたと認められる記銘力障害，失語，病的反射，失行及び両鼻下側の視野損失の症状は，統合失調症の症状として理解することは不可能であり，Ｄ病院のＣＴ結果所見における「左側頭－頭頂部（角回付近）に異常陰影」との所見は，記銘力障害，失語，文章の理解及び組立ての乱れといった各症状と整合すると述べている（甲１９，２７）。しかし，Ｄ病院のＣＴ結果所見の「左側頭－頭頂部（角回付近）に異常陰影」との所見は，前示のとおり，Ｋ所見の「シルビウス裂～中心溝近傍に脳萎縮」との所見と同一である可能性が高いことからすれば，原告の上記諸症状は本件事故と因果関係を有しないこととなる。けれども，原告は，これらの諸症状が本件事故後に生じた旨も主張するので，これらの諸症状について次に個別に検討することとする。
イ記銘力障害について
上記のとおり，Ｌ医師は，記銘力障害が統合失調症の症状であることを否定するのであるが，乙３０には，統合失調症の初期症状に関する研究として５つの研究が紹介されているところ，「中井（1974）」を除く４つ研究において，多様な初期症状が指摘されている中で，次のとおり，原告が訴える記銘力低下によく類似すると考えられる症例のあることが指摘されている。
①Clerambault（1920）   は，「思考消失と忘却」として，「考えていることが突然消え，忘れさせられ，止められる」と表現される現象を指摘している。
②Mcghie   &Chapman（1961）は，「話し言葉の知覚（即時理解の障害，即時記憶の障害）」として，「・・・今しがた聞いたばかりのことも忘れてしまいます。」という症例を指摘している。
③Huberら（1966）   は，「超短期記憶の即時保持の障害」として「誰かに何か言われると，すぐにそれを実行するか書き留めるかしなければ，それを覚えていられません。私はたしかにそれを聞いたのに，それは消えてしまうんです。」と陳述する症例を指摘している。④中安（1990）は，３０種からなる「初期分裂病症状一覧」を作成しており，その中の１つとして「即時記憶の障害」（直前に自分でしようと思ったことや他人から聞いたこと，あるいは読んだことが全く思い出せなくなるという体験）のある症例を指摘し，１０２例の症例中３５．３％に当該症状の出現があったとしている。
以上のような統合失調症の初期症状に関する研究結果が存在すること，原告は，平成８年３月に統合失調症の診断を受けていること，また，統合失調症は発症と緩解を繰り返す例が少なくないこと（乙２７の８５頁ないし９０頁）等からすると，原告が訴える記銘力低下の症状は，統合失調症の初期症状であるとしても不自然ではないというべきである（本件事故と統合失調症との関連性の存否については後述する。）。
ウ失語，失行について
原告に失語及び失行の症状があったのか否かについては，前示のとおりＣ病院及びＤ病院の各カルテの記載に矛盾があるかのようでもあるが，Ｄ病院での最後の受診日（平成６年２月２８日）と同日付の診断書では，「軽度の記銘力障害及び右上肢巧緻運動障害」のみが症状として記載され，失語又は失行についての記載はないこと，Ｃ病院の言語訓練士の報告書には，「文の組立てが乱れる」とか「口頭命令に従うといった複雑な文の理解に軽度の障害が見られる」といった症状は，「失語症ではなく，記銘力低下の影響と考える」旨の記載があること，原告本人の現在の症状に関する訴えも，記銘力障害のために言葉が出ないとか，記銘力障害のために仕事の手順が分からなくなるという趣旨と解されること，以上によれば，失語及び失行が記銘力障害とは別の独立の症状として存在した（又は存在する）と認めることはできない。
エ錐体路障害について
Ｈ医師は，脳神経外科の立場から，Ｄ病院のカルテに記載されている深部腱反射である下顎，上腕二頭，上腕三頭，膝，アキレスは，左右ともに亢進しているので，両側性に錐体路のどこかで器質的障害（画像上捉えられなくても良い。すなわち，精神的な障害ではないという意味。）が存在していることを示しており，更に，病的反射は左のワルテンベルグ，ホフマンがみられ，かつ左が右に比べてより亢進していることから，右側（右大脳半球運動野起始という意味）錐体路障害がより強いことが疑われると述べており，これらは統合失調症では説明できず，また，言語性記憶力の低下や病的反射，深部腱反射の亢進は，外傷後神経症では説明できないと述べる（甲２９）。
Ｏ医師も，深部腱反射や病的反射は正常でも亢進したり出現することがあり，腱反射が亢進し病的反射が出るからといって即座に錐体路障害があるとまではいえないが，左右差があるときには明らかな異常であり，その点から本症例は右錐体路障害の存在が疑われるとしている（乙３７）。以上のとおりであるから，原告には，右錐体路障害があると認めるのが相当である。そして，一般に，錐体路障害が生じる原因としては，血管障害，腫瘍，変性，外傷，脱髄疾患などがあり，びまん性軸索損傷によっても生じるとされているところ（甲３０，乙１８，証人Ｈ，同Ｏ），原告については，血管障害や腫瘍の存在は，Ｄ病院のＭＲ血管撮影の結果により否定されており，また，本件事故以前の原告に右錐体路障害を示す症状が存在したことを窺わせる証拠はない。さらに，本件事故の翌々日のカルテには，「左下肢の筋力低下，スリッパがぬげ易い」との原告の訴えに関する記載が，また，Ｃ病院のカルテには，「左腕の何か（判読不能）が右腕より鈍い」との原告の訴えがあったことを窺わせる記載があり，これらの症状は，右錐体路障害との関連性が考えられるべきものである。なお，Ｇ病院のトラクトグラフィーで錐体路の異常は指摘されていないなど，原告の脳画像上，錐体路障害の原因を説明し得る所見があるとする証拠はないが，Ｈ医師によれば，必ずしも形態的に神経の断絶が認められない場合でも，神経所見としての反射の亢進はあり得るとしている（証人Ｈ）。
以上を総合すると，原告に認められる右錐体路障害は，これのみを見る限り，本件事故によるびまん性軸索損傷の発生を疑わせるものというべきである。


しかし，Ｏ医師によれば，錐体路障害は，軽いものであれば自覚症状をほとんど伴わない旨述べていること（証人Ｏ），本件事故の翌々日に診察した医師は，原告から「左下肢筋力低下，スリッパがぬげ易い」との訴えをカルテに記載しながら，異常なしと診断したこと，また，この左下肢の症状については，その後受診した他の医療機関で同様の訴えがあったとは認められないこと，原告から左腕に関する訴えのあった上記Ｃ病院での診察から約１か月後の平成６年１月２４日ころ，Ｄ病院第１内科医師は，右錐体路徴候の存在を認めつつ，運動障害などを認めない旨の判断を示していること（甲２５），この左腕に関する症状についても，その前後に受診した他の医療機関で同様の訴えがあったとは認められないこと，さらに，平成６年２月２８日付け診断書（甲２５）では，「右上肢巧緻運動障害」が指摘されていること（この診断書の記載の根拠となるカルテの記載は判然としない。右錐体路障害による障害は，左半身に出るものとされている。），以上の事実を総合すると，原告の右錐体路障害は，比較的軽度のものであり，また，上記の左下肢や左腕の症状も，特に問題とすべき程度ではなかったものと推測されるから，いずれについても本件事故前から存在したものである可能性（あるいは，左下肢や左腕の症状については，これらの訴えがあった当時の一時的なものであった可能性）があるというべきであり，さらに，左下肢や左腕の症状と右錐体路徴候との関連性について検討された経過も窺われないから，これらの症状がびまん性軸索損傷と関連性を有するものであるか否かについては，判断するに足りる証拠がないといわざるを得ない。
オ視野欠損について
前示のとおり，平成５年１２月２１日にＣ病院神経内科を受診した原告は，「本件事故後，物をみるのに集中できない」と訴えたため，同科医師が同病院眼科に依頼してゴールドマン視野検査を受けさせた結果，眼科医から「両鼻下側にdefectあるようです。定期的に視野検査させていただければ幸いです。」との回答を得たことが認められる。しかし，その後，原告が同様の症状を訴えたり，再度の視野検査が行われたなどの経過は窺われない。また，上記原告の訴える症状が上記視野欠損と関連性があることを検討するに足りる証拠はなく，さらに，Ｐ医師によれば，両鼻下部の視野欠損は，「視神経交叉部あるいは視覚領野中心部の異常により生じる」とされているが（乙３６の９頁），原告のこれらの部位に異常が存するか否かに関して検討がされた経過も窺われず，びまん性軸索損傷の発生との関連性を判断する証拠も提出されていない。
カまとめ
以上のとおり，原告の記銘力障害は，統合失調症の初期症状と見て不自然ではなく，また，原告に失語，失行に類する症状があるとしても，それらは記銘力障害によるものであると考えられ，独立の症状と見るべき根拠に乏しいというべきである。他方，左下肢の筋力低下，左腕に関する何らかの症状，視野欠損及び右錐体路障害を示す検査結果は，それのみを見る限り，本件事故によってびまん性軸索損傷が生じた疑いを抱かせるというべきであるが，左下肢・左腕の症状及び視野欠損は，特に問題とすべき程度のものではなかったようであり，その原因は究明されておらず，それらがびまん性軸索損傷の発生と関連するとの証拠もなく，右錐体路障害とともに，本件事故以前から存在したなどの可能性も否定できないというべきである。
（４）原告の症状が次第に軽減する経過を辿っていないことについてアＨ医師は，軸索のどこかに損傷を受けると，その損傷は軸索全体に徐々に広がり，数週間経つと，軸索で繋がれる両方の細胞まで死んでしまうことが言われているので，その完全に死んでしまうまでは，多少なりとも神経伝達はあると考えられるから，症状が直ちに現れず，事故からしばらく経過して症状が現れる場合もあると考えられる旨述べる（甲５２，証人Ｈ）が，乙４３（７頁～９頁），乙４５（１２７７・１２７８頁），乙４７（１９２・１９３頁）を総合すると，びまん性軸索損傷では，軸索が受傷による外力で直接に断裂するのではなく，損傷を受けた神経線維に，普通は侵入できないカルシウムが入り込み，これが細胞骨格を破壊するカルパインを活性化することで軸索の破壊が進行すること，この現象は，人では数時間かけて進行すること，その間は，軸索は，神経伝達を失わない可能性があることが示唆されているが，受傷後数時間を経た後も神経伝達があった軸索が，その後に神経伝達を失うことがあるとする知見を示す証拠はなく，受傷後数週間して神経伝達を失うことがあるとする見解は，受傷後の症状は次第に軽減することをびまん性軸索損傷に特徴的とする自賠責報告書その他の文献の記載から推測される一般的知見とも整合せず，これを採用することはできない。
イまた，原告は，自己洞察力の低下により，事故後の症状に気付きにくかった可能性について主張し，また，Ｈ医師は，高次脳機能障害が軽度の場合，精神的ストレスが加わって症状が助長される可能性は否定できないから，徐々に症状が進行するという経過を辿ったとしても，外傷によるびまん性軸索損傷による高次脳機能障害であることと矛盾しない旨述べている（証人Ｈ）。なお，平成６年１月１７日付けＣ病院カルテには，当時の原告の訴えとして「不変」と（甲２０，２４），同年２月２８日付けＤ病院カルテには，当時の原告の訴えとして「症状は徐々に改善してきている。たくさんのことを同時に注意できる。」などと記載されており（甲２１，２５），原告の症状が，必ずしも悪化の一途を辿ったのではなく，改善傾向を示したようでもあることが認められる。


しかし，原告は，本件事故後の救急搬送及び翌々日の通院により医師の診察を受けて異常なしとの診断を受け，本件事故当日に病院から帰る際にはＭと接触したほか，帰宅して以降は，家族と接触する機会があったと考えられ，また，遅くとも本件事故の翌々日以降には，勤務先会社での同僚・上司との接触，さらには取引先の人との接触の機会があったと考えられるのに，本件事故から１週間くらいが経過して，頭痛，イライラし汗をかきやすいなどの症状が現れるまで，原告に高次脳機能障害というべき症状が生じていたとするエピソードは窺われないのである。そして，原告は，本件事故から１か月以上が経過して記銘力障害を自覚し，その後，Ｃ病院で受診した平成５年１２月２１日ころまでは，その症状は増悪していったと認識しており，会社勤務を休まず続けていた原告が記銘力障害を自覚するまでの間に，周囲の者が何らかの異変に気付いたとするエピソードも特に窺われず，原告の父も，原告との会話がスムーズにできなくなったなどの異変を感じたのは平成５年１０月ころとしているのである。自己洞察力の低下や精神的ストレスの影響により，高次脳機能障害を自覚したのが受傷からある程度の日数を経た後となることがあり得るとしても，以上の経過は，そのような説明によって理解することは困難というべきであり，前示のようなびまん性軸索損傷による高次脳機能障害の一般的な経過とは著しく異なるものというべきである。
なお，本件事故後，原告の言動態度に変化があったとする周囲の人の陳述書（甲４０ないし４２）については，その変化があったとする時期が，本件事故直後のことであるのか，原告が述べると同様の時期（平成５年１０月ころ）のことであるのか判然とせず，また，これらの陳述書の作成時期が本件事故から相当に年月を経過した後であることからすると，これらの陳述書の記載をもって上記判断を左右するものとは認められない。
（５）ＰＥＴ，ＳＰＥＣＴ画像について
平成１７年８月に原告に施行されたＰＥＴの画像には，両側前頭前野内側面及び帯状回に局所的な糖代謝低下が認められ，また，同月に原告に施行されたＳＰＥＣＴの画像には，両側前頭前野内側面及び帯状回に局所脳血流低下が認められる（甲４，５の１，４３，４４，証人Ｈ，同Ｏ）。そして，外傷性高次脳機能障害では，ＳＰＥＣＴやＰＥＴによる血流量低下や代謝低下の画像所見があるとされており（甲９の５５頁），また，Ｈ医師は，特にＰＥＴ画像の所見について，「外傷性びまん性軸索損傷患者に典型的な糖代謝低下画像所見として，内側前頭前野，内側前頭脳底領域，帯状回及び視床において著しい糖代謝低下が認められるとする文献（甲５２の添付２－１。JOURNALOFNEUROLOGY,NEUROSURGERY   ANDPSYCHIATRY,July,2006,Vol77,p856-862）が存在する。甲４３（原告のＰＥＴ画像）の上から２段目一番右の画像のように，赤くぽつんと狭い範囲で重症に糖の代謝が落ちているのが見られたり，その上の画像のように，帯状回にＣの字型に代謝低下が見られるのは，うつ病や抗精神病薬によってではあり得ず，びまん性軸索損傷に典型的な所見である。」旨述べている（甲５２，証人Ｈ）。上記Ｈ医師が引用する文献の８５９頁の上段Ａの画像は，外傷性びまん性脳損傷による高次脳機能障害のある２２名の患者のＰＥＴ画像を統計的パラメトリックマッピングしたものとされているが，これと，原告のＰＥＴ画像（甲４３）のL-medial及びR-medialとを比較対照すると，確かに，内側前頭前野及び帯状回の糖代謝低下において，類似を指摘することができる。しかし，原告のＰＥＴ画像では，内側前頭脳底領域及び視床に相当する部位に糖代謝低下があるとは認められず，また，Ｋ所見が指摘する脳萎縮の部位と思われる部位に著しい低下が，前頭前野外側部にも軽度の糖代謝低下のある部位が認められ，全体としては，必ずしも上記文献の画像に類似していると認めることはできない。
また，前示のとおり，自賠責報告書によれば，「ＰＥＴによる脳機能検査所見を因果関係の有無や障害程度判断の根拠とすることには，検査手法としてなお一層の確立を待つことが穏当」とされており，乙２１（１０３頁）にも，「ＰＥＴはあくまで機能画像であり，脳の器質的な損傷があってもなくても，機能障害が出たときには所見として出る可能性がある。最近の精神科のＰＥＴ画像の報告でも，機能障害において，次々に異常所見が報告されている。ＣＴあるいはＭＲＩ上異常なし，脳損傷に伴う身体所見なしで患者の訴えのみがあるとする。その時に，ＰＥＴで脳代謝の低下が出たときに，脳外傷が原因と判断していることは明らかな行き過ぎのように思われる。」との記載があり，以上によれば，ＰＥＴ画像によりびまん性軸索損傷の存否を判断する手法は，一般的な医学的知見として，確立していないことが窺われる。
さらに，乙３０（２６９頁）によれば，抗精神病薬治療に伴う脳血流・代謝の変化として，「皮質領域では，帯状回前部・背外側前頭前野（ＤＬＰＦＣ）の血流・糖代謝が低下することが報告されている」とされ，また，「抗精神病薬によるこれらの皮質領域の変化は断薬後も比較的長期にわたって認められ」るとされているところ，原告は，ＰＥＴ検査が行われた平成１７年当時，Ｆ病院精神神経科で通院精神療法を受けていたと認められること（乙３３）からすれば，上記原告のＰＥＴ画像に関する所見は，抗精神病薬の影響によるものである可能性を否定できないというべきであり，Ｏ医師も，うつ傾向にある人や投薬の影響を受けている人の場合に類似の画像になるとして，これがびまん性軸索損傷に典型的な所見というには無理があるとの判断を示している（証人Ｏ）。
以上によれば，原告の脳のＰＥＴ・ＳＰＥＣＴ画像の所見は，びまん性軸索損傷に典型的なものと認めるに足りず，これらの所見をもってびまん性軸索損傷の存在を推定することはできないというべきである。
（６）症状が本件事故後に発現したことについて


原告は，本件事故から１週間ないし１か月以上後から高次脳機能障害というべき諸症状が発現し，それ以前にはこのような諸症状はなかったから，当該諸症状は，本件事故との関連性が推定され，本件事故によるびまん性軸索損傷の発生を窺わせる旨主張する。
しかし，原告の症状のうち，右錐体路障害及びこれとの関連性が問題となる症状以外のものについては，前示のとおり統合失調症の初期症状とみることも可能なものであること，原告は，平成８年３月に統合失調症の診断を受けているところ，統合失調症は，かつては素質を主因として明らかな外的誘因なしに発病するものと解されてきたが，近年では，その素質として，先天的な脆弱性（発病しやすさ）のほか，後天的な脆弱性（獲得脆弱性）が寄与する可能性も指摘されており，また，何らかのライフイベント（復職，昇進，家族構成員の変化等）による精神的負荷（ストレス）が発病因子（又は再発因子）となることも指摘されていること（乙３０の１１７頁ないし１２５頁），統合失調症は，発症と寛解を繰り返す例が少なくないこと（乙２７の８５頁ないし９０頁）などを総合勘案すると，原告にはこのような脆弱性が素質として存在し，本件事故後，本件事故ないし本件事故による身体症状が精神的負荷となり，又は本件事故前の営業職への異動が精神的負荷となり（原告本人は，当該異動による精神的負荷はなかった旨述べる一方，本件事故の原因について，「営業も日が浅かったので，ふだん以上にちょっと負担が掛かっていたかな。」と，当該異動による精神的負荷があったと解し得る趣旨も述べている。），あるいは，これらの精神的負荷が相まって，原告に統合失調症の初期症状を生じさせたとも考えられ，Ｐ医師も，原告の諸症状について検討した結果として，平成５年１０月には原告の統合失調症が顕在化していたとの判断を示している（乙２３）。ただし，Ｐ医師は，営業部門への転属や本件事故は，疾病経過中の一つの出来事に過ぎない旨述べているが（前同証拠），前示のような原告の諸症状の発現経過からすると，本件事故や異動による精神的負荷が発病因子となった可能性は十分考えられるというべきである。もっとも，統合失調症発症における素質（脆弱性）とライフイベントのもたらす精神的負荷とのそれぞれの役割の軽重については，それぞれの程度の強弱ないし大小に関連するとの仮説があること（乙３０の１１８頁の図５）が認められるものの，それぞれの程度の強弱・大小を測定・判断することは，著しく困難であると考えられ，本件において，本件事故と原告の統合失調症発症との関連性の有無・程度について判断することは，困難というほかない。
以上によれば，本件事故後に原告に高次脳機能障害の諸症状が発現したからといって，それが直ちにびまん性軸索損傷によるものであることを窺わせるということはできないし，それが本件事故との関連性を推定させるということもできない。
なお，Ｏ医師は，本件事故から１週間ないし１か月以上後から原告に生じた諸症状（右錐体路障害等を除く。）について，筋収縮性頭痛，慢性外傷後頭痛又は外傷後神経症の可能性を指摘し（乙１８），また，交通事故後の高次脳機能障害の症例中には，脳損傷によらないものが相当数混在していることを指摘しており（証人Ｏ），これらの指摘は，乙２１（８２頁）に，外傷後神経症の症状として，頭痛や頭重のほか，記銘力低下，易疲労性，めまい，耳鳴り，倦怠，眼精疲労，易怒，集中力低下，いらいら，攻撃的性格その他の不定愁訴があるため，脳外傷による高次脳機能障害との鑑別が重要である旨の記載があることからも裏付けられると解されるが，平成５年１０月ころに原告に生じた記銘力低下は，その訴えの内容から見て極めて深刻な程度のものであったと考えられ，外傷後神経症によるものとして説明可能な程度のものであるのか明らかとは言い難く，他方，前示のような統合失調症の初期症状の例によく符合するというべきであることからすると，これは，統合失調症の初期症状である可能性が比較的高いのではないかと考える。
（７）まとめ
以上のとおり，①本件事故直後，原告には，脳震盪による軽度の意識障害又は逆行性健忘が生じていた可能性が認められるものの，現在の一般的な医学的知見としてびまん性軸索損傷に随伴すると考えられている６時間以上の昏睡若しくは半昏睡又は１週間以上の意識レベルの低下が生じたとする事実は認められないこと，②原告の脳のＣＴ画像及びＭＲＩ画像で認められる左右両側のシルビウス裂～中心溝にかけての脳萎縮は，本件事故前から存在したものと同一である可能性が高く，軽度の脳室拡大も，本件事故前から存在したものである可能性があるため，これらが本件事故によるびまん性軸索損傷の慢性期として生じた所見であるとは認められないこと，③原告の，本件事故後まもなく生じ，今日に至る高次脳機能障害というべき諸症状は，その症状自体としては，びまん性軸索損傷によるものとしても矛盾はないが，他方，統合失調症その他の疾患によるものである可能性を否定することはできず，本件事故との関連性の有無又は程度を判断することは困難であること，④原告に生じた諸症状は，本件事故後，直ちに生じたものとは認められず，１週間後くらいから頭痛等が生じ，１か月以上経過してから記銘力障害の症状が現れ，次第に記銘力障害の症状は増強する経過を辿ったかのようであって，びまん性軸索損傷に通例とされる受傷直後から症状がありその後次第に軽減するという経過を辿ったものとは認められないこと，⑤原告の脳の帯状回及び両側前頭前野内側面における糖代謝・血流の低下というＰＥＴ・ＳＰＥＣＴ画像の所見も，抗精神病薬の影響による可能性があるなど，びまん性軸索損傷によるものと認めるに足りる証拠はないこと，以上のことが認められ，これらを総合すれば，本件事故により原告にびまん性軸索損傷が生じたとは認めることができない。


主              文
被告人を懲役８年に処する。
未決勾留日数中３１０日をその刑に算入する。
理              由
（罪となるべき事実）
被告人は
第１（平成２５年２月２７日付け起訴状記載の公訴事実。①事件）Ｘらと共謀の上，平成２３年９月２５日午後９時３０分頃，岐阜県高山市〔以下省略〕所在の株式会社a工務店資材置場において，同社代表取締役Ａが管理す
る敷鉄板１０枚（時価合計８０万円相当）を窃取し
第２（平成２４年１１月１５日付け起訴状記載の公訴事実。②事件）Ｙと共謀の上，金品窃取の目的で，平成２４年４月５日，群馬県高崎市〔以下省略〕のＢ方にリビング南側掃き出し窓から侵入し，その頃，同所において，同人ほか１名所有の現金約１０００円及びボストンバッグ等３点（時価合計８３万円相当）を窃取し
第３（平成２４年１０月９日付け起訴状記載の公訴事実。③事件）Ｙと共謀の上，金品窃取の目的で，平成２４年４月５日，群馬県藤岡市〔以下省略〕のＣ方に台所南側掃き出し窓から侵入し，その頃，同所において，同人所
有の財布等７点（時価１万円相当）を窃取し
第４（平成２４年８月１５日付け起訴状記載の公訴事実。④事件）Ｙと共謀の上，金品窃取の目的で，平成２４年５月８日，長野県塩尻市〔以下省略〕Ｄ方に寝室南側掃き出し窓から侵入し，その頃，同所において，同人所有のポータブルゲーム機１台（時価１万円相当）を窃取し第５（平成２５年４月２６日付け起訴状記載の公訴事実。⑤事件）金品窃取の目的で，平成２４年６月２９日，岐阜県瑞浪市〔以下省略〕のe方に，その北側腰高窓の施錠を外して侵入し，その頃，同所において，Ｅ所有の現金約１２００円及び指輪等５点（時価合計３３８６円相当）を窃取し第６（第６回公判期日における訴因変更後の平成２５年３月２６日付け起訴状記載の公訴事実（予備的訴因⑴）。⑥事件）
金品窃取の目的で，平成２４年７月３日午後１０時頃，岐阜県瑞浪市〔以下省略〕所在のＦ方に無施錠の玄関から侵入し，同所において金品を物色中，ベッドで就寝していた同人（当時７１歳）に発見され，「あんた誰。」などと声を掛けられるとともに，肩に手を掛けられたことから，とっさに，逮捕を免れる目的で，同人に対し，その手を振り払った上，布団をかぶせて馬乗りになって，同人の顔面を複数回殴り付け，さらに，ベッドから下りた同人に布団をかぶせた上，その身体を多数回足で踏み付けるなどの暴行を加えて，同人を気絶させ，それに乗じて，同人所有の現金４０００円及びビール共通券１０枚（販売価格合計７６６０円）を強取し，その際，上記暴行により，同人に全治約２３日間を要する外傷性脳出血並びに左上腕，左前腕，右前腕，左下腿，顔面及び左側頭部打撲の傷害を
負わせ
たものである。
（判示第６の事実についての補足説明―主位的訴因を認定せず，予備的訴因⑴を認定した理由）
１暴行の目的について
関係各証拠によれば，判示第６記載のとおりの一連の暴行を被告人が被害者に対して加えたことが認められる。被告人は，これらの暴行について，被害者から突然肩に手を掛けられたことなどから驚き，被害者の手を振り払おうととっさに自らの手を後ろに払ったもので，これ以降においても金品を奪うつもりで暴行を加えたことはない旨供述する。
そこで，上記暴行の意図，目的について検討すると，関係各証拠によれば，被告人は，被害者の手を振り払って以降，被害者に対し強度の暴行を加えているばかりか，被害者が抵抗しなくなることを確認するや，容易に逃げられる状況であったにもかかわらず，逃げることなく，すぐに物色行為を行い，現金等を持ち去っているものと認められる。これらの事情によれば，上記一連の暴行の途中で，逮捕を免れる目的に加えて，金品を強奪する目的が生じたとの疑いも否定し得ない。
しかしながら，被告人が被害者に対する暴行に及んだのは，それまでは侵入盗等しか犯したことがなかった被告人が，その場にいないと思っていた被害者から突然肩に手を掛けられたことなどに驚いてとっさに加えたものであり，その時点において，被告人には金品を奪う目的はなかったと認められる。また，一連の暴行は，執ようかつ危険な態様によるものではあるものの，被害者の必死の抵抗にあったことに応じて行った面がある上，全体としても一，二分という比較的短時間の連続的なものであり，被告人はその間，被害者に金品を求める発言もしていない。加えて，被告人は，この一連の暴行により被害者が抵抗するのをやめたことを認識しながら，多少の物色行為等をしたのみで早々に退散している。これらの事情を総合すると，上記一連の暴行の時点において，金品を奪うつもりではなかったとする被告人の供述はあながち不合理とはいえず，その信用性を排斥することはできない。したがって，被告人が判示第６の一連の暴行を被害者に加えた際，被告人に金品を強奪する目的があったと認めるには合理的疑いが残り，専ら逮捕を免れる目的で上記暴行を加えたと認めるのが相当である。２現金等の持ち去り行為についていかなる犯罪が成立するかについて上記一連の暴行と，その後現金等を持ち去った行為は，時間的・場所的に連続している上，被告人の当初の金品窃取の目的をも踏まえて，被害者宅における一連の行動を総合的に観察すれば，被告人は，被害者に気づかれたことから物色行為を一時中断したものの，上記暴行を加えた結果，被害者が気絶したことから，これを認識し，かつ，これを利用して，上記物色行為を再開したと評価することができる。再開された物色行為は，上記暴行後に生じた新たな犯意に基づくものではなく，暴行前の物色行為と実質的には一体をなすものとみるべきである。そうすると，現金等を持ち去った行為について，（事後）強盗致傷罪から独立して窃盗罪が成立するとみることは相当ではなく，全体として（事後）強盗致傷罪一罪が成立するというべきである。
３結論
以上によれば，被告人には，全体として事後強盗致傷罪一罪が成立するとの予備的訴因を認定するのが相当である。
（法令の適用）
１罰       条
〔判示１ないし５の各事実について省略〕
⑷判示第６の事実について
住居侵入の点       刑法１３０条前段
強盗致傷の点       刑法２４０条前段
〔以下省略〕
（量刑の理由）
１本件事案全体の概要とそれに関する事情


平成２６年３月２６日判決言渡
平成２５年（行ケ）第１００７１号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２６年３月１２日
判            決
原            告        エヴァーライトエレクトロニクス
カンパニーリミテッド
訴訟代理人弁護士        黒      田      健      二
吉      村              誠
被            告        日亜化   学工業   株式会   社訴訟代理人弁護士        宮      原      正      志訴訟復代理人弁護士        松      本      優      子訴訟代理人弁理士        鮫      島              睦
言      上      惠      一
山      尾      憲      人
田      村              啓
玄      番      佐奈    恵
主            文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
この判決に対する上告及び上告受理申立てのための付加期間を３０日と定める。
事実及   び理由
第１原告の求めた判決
特許庁が無効２０１１－８００２０６号事件について平成２４年１１月６日にした審決を取り消す。
第２事案の概要
本件は，特許無効審判請求不成立審決の取消訴訟である。争点は，①引用発明認定の誤りの有無，②相違点認定の誤りの有無,及び③相違点判断の誤りの有無である。
１特許庁における手続の経緯
(1)本件特許
被告は，名称を「半導体発光素子」とする発明についての本件特許（特許第４０５５５０３号）の特許権者である。
本件特許は，平成１３年７月２４日に出願した特願２００１－２２３１１４号（第１優先権基礎出願）及び平成１４年２月１９日に出願した特願２００２－４１７３７号（第２優先権基礎出願）を基礎とする優先権を主張して，平成１４年７月２３日に出願した特願２００２－２１３４９０号に係るものであり，平成１９年１２月２１日に設定登録（登録時の請求項の数７，平成２４年５月１１日付け手続補正書により補正された平成２４年１月４日付け訂正請求書による訂正後は４。）された。
（甲２１，２２）
(2)無効審判請求
原告は，平成２３年１０月１２日付けで本件特許の無効審判請求をしたが（無効２０１１－８００２０６号），被告は，平成２４年１月４日付けで訂正請求をし（平成２４年５月１１日付け手続補正書で補正），特許庁は，平成２４年１１月６日，「訂正を認める。本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，その謄本は，同月１５日，原告に送達された。
２本件発明の要旨
上記平成２４年１月４日付け訂正請求書（同年５月１１日付け手続補正書で補正）による訂正後（この訂正後の明細書及び図面を「本件訂正明細書等」という。）の本件特許の請求項１～４の発明（以下，番号順に「本件発明１」などのようにいう。）に係る特許請求の範囲の記載（本件発明１については分説後のものであり，それぞれ「構成要件Ａ」などのようにいう。）は，次のとおりである。（甲２１）
「【請求項１】
【Ａ】基板上に，基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と，前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成されたオーミック電極とを積層し，前記ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体
発光ダイオードにおいて，
【Ｂ】上記基板はＣ面（０００１）サファイア基板であり，上記基板の表面部分には上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部が，λ／４（λは上記半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔，１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており，【Ｃ】その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり，上記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに上記凸部平面形状の構成辺が上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に直交するように形成され，【Ｄ】上記凸部の側面が傾斜しており，その側面のテーパ角が１２０°より大き
く，１４０°以下であり，
【Ｅ】前記基板表面の凸部は，凸部上面，凸部の形成されていない平坦面，及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められた【Ｆ】ことを特徴とする半導体発光ダイオード。
【請求項２】
上記オーミック電極が，上記半導体層の最上層のほぼ全面を覆うことを特徴とする請求項１記載の半導体発光ダイオード。
【請求項３】
上記オーミック電極が，透光性であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項４】
上記半導体中における発光波長をλ，上記半導体の屈折率をｎとしたとき，上記凸部の大きさが，少なくともλ／４ｎ以上，２０μｍ以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光ダイオード。」
後記記述の参考として，甲２２の図３，図７及び図９を掲記する。【図３】                        【図９】
【図７】
３審決の理由の要点
(1)優先権について
本件発明１～本件発明４は，いずれも構成要件Ｃ～Ｅを構成として含むが，第１優先権基礎出願又は第２優先権基礎出願のいずれの出願に係る願書に最初に添付した明細書及び図面にも，当該構成が記載されておらず，かつ，当該構成が自明な事項であると認めることもできない。
したがって，第１優先権基礎出願及び第２優先権基礎出願には，優先権主張の効果は認められない。
(2)無効理由１（特開２００１－１６０５３９号公報に記載の発明との同一性又は同発明からの容易想到性）について
ア引用発明の認定
特開２００１－１６０５３９号公報（甲１公報）には，次の発明（甲１発明）が記載されている。


「サファイア基板から順に，ＡｌＧａＮバッファ層２，第１ＧａＮ層４，第２ＧａＮ層５，ｎ－ＧａＮコンタクト層１０４，ｎ－ＧａＮ第１クラッド層１０７，ＭＱＷ発光層１０８，ｐ－ＧａＮ第１クラッド層１０９，ｐ－ＧａＮコンタクト層１１２を順に形成し，最上層にｐ電極１１４を形成した半導体レーザ素子であって，Ｃ面を基板表面とするサファイア基板の所定領域には，凹部の幅ｗは，数μｍ～数十μｍとするのが好ましく，凸部の幅ｂは数百ｎｍ～数十μｍとするのが好ましい，六角形，三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された凹凸パターンが
形成されており，
（０００１）面を基板表面とするサファイア基板に六角形または三角形の凹凸パターンを形成する場合，各辺が［１－１０   ０］方向または［１１－２   ０］方向と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成するこ
とが好ましく，
サファイア基板のＣ面に対する凹部側面の角度は，特に限定されるものではなく，例えば，凹部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直であり，サファイア基板の凸部上面，凹部底面および凹部側面に，アンドープのＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させ，続いて，ＡｌＧａＮバッファ層１２上に，アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層１３を成長させ，ＧａＮ層１３の凹部が徐々に埋められていき，ＧａＮ層１３が横方向に成長して，平坦化するまでＧａＮ層１３を成長させる窒化物系半導体の形成方法を用いた半導体レーザ素子。」
イ相違点認定
本件発明１と甲１発明とを対比すると，次の点が相違する。【相違点１】①本件発明１は，半導体発光ダイオードであるのに対して，②甲１発明は，半導体レーザ素子である点。
【相違点２】①本件発明１の「電極」は，[1]オーミック電極であって，[2]ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにしたものであるのに対して，②甲１発明の「ｐ電極１１４」は，[1]オーミック電極であるのか明らかではなく，また，[2]ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すようにしたものであるのか明らかではない点。【相違点３】①本件発明１の「凸部」は，[1]基板の表面部分にありＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部であって，[2]λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔，１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されているのに対して，②甲１発明の「凹凸パターン」は，[1]ＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又は回折させるものであるのか明らかではなく，また，[2]λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかではない点。
【相違点４】①本件発明１の「（平面形状が大略三角形又は六角形である）凸部」は，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されているのに対して，②甲１発明の「（六角形，三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された）凹凸パターンは，（０００１）面を基板表面とするサファイア基板に六角形又は三角形の凹凸パターンを形成する場合，各辺が［１－１０   ０］方向又は［１１－２   ０］方向と等価な方向に一致するように六角形又は三角形の凹凸パターンを形成することが好ましいものであるが，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されているか明らかではない点。
【相違点５】①本件発明１の「凸部」は，側面が傾斜しており，その側面のテーパ角が１２０°より大きく，１４０°以下であるのに対して，②甲１発明の「凹凸パターン」は，サファイア基板のＣ面に対する凹（凸）部側面の角度は，特に限定されるものではなく，例えば，凹（凸）部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直であって，側面のテーパ角が１２０°より大きく，１４０°以下であるか明らかではない点。
なお，上記記述の参考として，甲１の図４～６，１１，１２を掲記する。ウ相違点判断（審決では相違点１についてのみ判断されている。）相違点１について検討すると，甲１発明の構成を前提として，甲１発明の半導体レーザ素子を半導体発光ダイオードに変更することについて，当業者が容易に想到できたものであるとする根拠を見いだすことはできない。したがって，本件発明が甲１発明と同一であるということはできず，また，本件発明１が，甲１発明に基づいて当業者が容易に想到できたということもできない。(3)無効理由２（特開２００２－１６４２９６号公報に記載の発明並びに甲１発明及び周知技術等からの容易想到性）について
ア引用発明の認定
特開２００２－１６４２９６号公報（甲８公報）には，次の発明（甲８発明）が記載されている。


「基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって，前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ，前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであり，上記基板の結晶成長面の凸部が，平行なストライプ形状からなる凸部であり，上記半導体結晶がＩｎＧａＡｌＮであって，かつ上記基板に凹凸加工したストライプの長手方向が上記ＩｎＧａＡｌＮ結晶の（１－１０   ０）面もしくは（１１－２０）面と平行であり，その精度が１°以内であり，上記基板に凹凸加工した凸部の幅Ａと，これに隣接する凹部の幅Ｂとの合計Ａ＋Ｂが２０μm以内とされ，前記凹部の深さｈをＡ，Ｂのいずれか長い方の幅の２０％
以上とした半導体基材を用い，
基板としては，サファイア（Ｃ面）を用い，
上記半導体結晶が，上記基板上に成長される半導体層としてＡｌＸＧａ1-Ｘ-ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ+ｙ≦１）であり，ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層，ＩｎＧａＮ発光層，ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し，その後，電極形成を行い，上記基板に凹凸加工したストライプは，上記基板上に幅：２μｍ，周期：４μｍ，ストライプ方位：ストライプ延伸方向が上記基板の＜１－１０   ０＞方向で２μｍの深さまで断面方形型にエッチングして凹凸を施し，効果が出る凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することができ，凹凸面の形成の態様としては，島状の点在型の凸部などが例示でき，上記基板に凹凸加工した凸部の立上り斜面と基板平面が成す角度は，６０°以上とすることが好ましく，可及的に直角に近いこ
とが特に望ましく，
上記基板上を断面方形型にエッチングした後，ＧａＮ低温バッファー層を成長し，ｎ型ＧａＮ層を成長し，凸部，凹部両方での成長が観察され，凹凸部を覆い，平坦になったＧａＮ膜が得られたＬＥＤ素子。」
イ相違点認定
本件発明１と甲８発明とを対比すると，次の点が相違する。【相違点６】①本件発明１の「電極」は，[1]オーミック電極であって，[2]ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにしたものであるのに対して，②甲８発明の「電極」は，[1]オーミック電極であるのか明らかではなく，また，[2]ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を電極側又は基板側から取り出すようにしたものであるのか明らかではない点。
【相違点７】①本件発明１の「凸部」は，[1]基板の表面部分にありＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部であって，[2]λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔，１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されているのに対して，②甲８発明の「凹凸部」は，[1]ＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又は回折させるものであるのか明らかではなく，また，[2]λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかではない点。
【相違点８】①本件発明１の「凸部」は，[1]その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であり，[2]ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，上記凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されているのに対して，②甲８発明の「凹凸部」は，[1]基板上に幅を２μｍ，周期を４μｍ，ストライプ方位をストライプ延伸方向が基板の＜１－１０   ０＞方向とし，２μｍの深さまで断面方形型にエッチングして凹凸を施し，効果が出る凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することができ，凹凸面の形成の態様としては，島状の点在型の凸部，ストライプ型の凸条からなる凸部，格子状の凸部，これらを形成する線が曲線である凸部などが例示できるものであるが，その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形であるか明らかではなく，また，[2]ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されているか明らかではない点。【相違点９】①本件発明１の「凸部」は，側面が傾斜しており，その側面のテーパ角が１２０°より大きく，１４０°以下であるのに対して，②甲８発明の「凹凸部」は，基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面が成す角度は，６０°以上とすることが好ましく，可及的に直角に近いことが特に望ましいものであって，側面のテーパ角が１２０°より大きく，１４０°以下であるか明らかではない点。なお，上記記述の参考として，甲８の図１を掲記する。ウ相違点判断（審決では相違点７及び９についてのみ判断されている。）①相違点７について検討すると，甲８発明の「凸部」は，基板表面近傍に基板からの転位の伝播がない低転位密度領域を形成することを目的とするものと認められ，光を散乱又は回折させるものであるとは想定し難く，そのような構成とすることが当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠を見いだすことができない。


②相違点９について検討すると，甲８発明の「凸部」は，ファセット形成及びその後の平坦化が実質的に阻害されないように，基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面がなす角度は，６０°以上（本件発明１の表現に即していえば１２０°以下である。）とすることが好ましく，可及的に直角に近いことが特に望ましいとしたものと認められ，かかる角度について，１２０°より大きく，１４０°以下とする理由は見当たらず，そのような構成とすることが当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠を見いだすことができない。③したがって，本件発明１が，甲８発明，甲１発明及び周知慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
(4)まとめ
本件発明１についての特許は，特許法２９条２項の規定に違反してなされたものということはできず，同法１２３条１項２号に該当しない。また，本件発明２～本件発明４は，本件発明１の特定事項をすべて備え，更に他の特定事項を付加したものであるから，本件発明２～本件発明４についての特許は，特許法２９条２項の規定に違反してなされたものということはできず，同法１２３条１項２号に該当しない。
第３原告主張の審決取消事由
１取消事由１（甲１発明の認定誤り）
(1)発光ダイオードの点について（相違点１関係）①審決は，甲１発明を半導体レーザ素子であると認定し，発光ダイオードであるとは認定しなかったが，甲１公報には発光ダイオードの発明の開示があることは明らかである。
すなわち，甲１発明の製造方法は，発光ダイオードを含む半導体素子の問題点を解決するための発明であって，ＧａＮ系半導体素子におけるサファイア基板とＧａＮ系半導体の格子定数の差に起因する転位（格子欠陥）という課題（【０００３】）を解決するために，サファイア基板に凹凸パターンを設ける発明であり，半導体レーザ素子のみを念頭においた発明ではない。そして，甲１公報には，「【０２３５】上記においては，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子について説明したが，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法は，半導体レーザ素子以外の半導体素子，例えば発光ダイオード等の半導体発素子（判決注「発光素子」の誤り。以下同じ。），フォトダイオード等の受光素子，トランジスタ等の電子素子の製造に適用することも可能である。」と発光ダイオードが明示されている。
②（被告の反論に対して）甲１公報で第２の発明として開示されている発明（甲１第２発明）は，Ｃ面を基板表面とするサファイア基板を用いているから（【０１１７】），甲１第２発明を適用する発光ダイオード（【０２３５】）においても，サファイア基板を用いるものであることは明らかである。また，本件特許出願当時，ｐｎ接合型の発光ダイオードが当然に用いられていた以上，甲１第２発明を適用した発光ダイオードがＭＩＳ型であるなどと考える当業者はいない。さらに，本件特許出願当時，発光ダイオードといえば，面発光型が通常であった以上，甲１公報の「発光ダイオード」という記載に接した当業者が，当該発光ダイオードを端面発光型などと考える合理的理由もない。
③したがって，   審決の上記認定は，誤りである。(2)オーミック電極の点について（相違点２関係）審決は，甲１発明には，ｐ電極１１４がオーミック電極であることは開示されていない，と認定した。
しかしながら，次のとおり，ＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成することは周知慣用技術であったから，甲１公報に接した当業者は，甲１発明の発光ダイオードはオーミック電極を備えていると当然に考えるのであり，甲１発明のｐ電極１１４がオーミック電極であるとの構成は，甲１公報に記載されているに等しい事項である。
①本件特許出願時，ほとんどすべてのＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成する構成が採用されていた。②ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成し，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出す構成は，特開２０００－１１４５９５号公報（甲２９。【０００３】～【０００５】【００２８】参照。），特開平６－３３８６３２号公報（甲３０。【０００２】【０００３】【００１１】【００１２】【００１５】参照。），特開平７－１０６６３３号公報（甲３１。【０００３】【０００４】【００１０】【００１９】参照。）など極めて多数の文献で開示されている。したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(3)光の取り出しの点（相違点２関係）
審決は，甲１発明には，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すようにしたことは開示されていない，と認定した。しかしながら，次のとおり，ＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにすることは周知慣用技術であったから，甲１公報に接した当業者は，甲１発明が，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すようにしたと当然に考えるのであり，甲１発明が，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すとの構成は，甲１公報に記載されているに等しい事項である。
①本件特許出願時，ほとんどすべてのＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出す構成が採用されていた。
②ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出す構成は，前記(2)②のとおり，極めて多数の文献で開示されている。③発光に寄与する活性層の厚さが極めて薄いため，発光ダイオードは平面方向ではほぼ全面が発光するが，端面（横面）では発光面をほとんど確保できず，光を多く取り出すためには，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにすることが周知慣用技術であった。したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(4)光の散乱又は回折の点（相違点３関係）


審決は，甲１発明の凹凸パターンは，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又は回折させるものであるのか明らかではない，と認定した。①しかしながら，発光ダイオードの光は，半導体層（発光層）から全方位に向かって放射されるため，その光は基板に設けた凹凸パターンにも到達する。そして，半導体層とサファイア基板とでは屈折率が異なるから，基板表面に凹凸を設けた場合であれば，基板に到達した光が散乱又は回折することは自明である。このことは，特開平１１－２７４５６８号（甲５。図２参照。），国際公開０１/４７０３９号公報（甲７。ＦＩＧ.１３(b)参照。）から見ても明らかである。したがって，発光ダイオードとした甲１発明の凹凸パターンが，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又は回折させることは，甲１公報に記載されているに等しい事項である。
②甲５，甲７及び特開２００１－７３９３号公報（甲１３）には，サファイア基板の規則的な粗面化技術が開示されており，国際公開０１/４１２２５号公報（甲４２の１）の【図７】にも規則的な粗面化技術が開示されている。したがって，サファイア基板の表面を規則的にパターニングして光の取り出し効率を上げることは，周知技術である。
③（被告の反論に対し）転位低減技術と多重反射抑制技術とは，密接に関連しており，転位低減のために基板に凹凸を設け，その結果として，光の導波方向を変えているものである。このように，転位低減のために基板に凹凸を設ければ，必然的に光の導波方向が変わるのであるから，転位低減技術は，多重反射抑制技術と一体的に理解されるべきものである。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(5)繰り返しパターンの点（相違点３関係）
審決は，甲１発明の凹凸パターンは，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかではない，と認定した。
しかしながら，一方で，審決は，甲１発明の凹凸のパターンにつき，「甲１発明の凸部のピッチである凹部の幅ｗは，数μｍ～数十μｍであるから，１０μｍ以下のピッチ（凹部の幅ｗ）を含む」と認定している（２９頁３１～３２行目）。そして，甲１発明の発光層はＩｎＧａＮであり，ＩｎＧａＮのバンド間発光波長はＩｎの組成を変えることにより３６４ｎｍ～６３６ｎｍまで変化することは自明なことであるから（甲３８応用物理第６５巻７号，１９９６年７月「ＧａＮ系発光素子の現状と将来」６８０頁右欄１９～２１行目），甲１発明のＩｎＧａＮ発光層の発光波長は，０.３６４～０.６３６μｍであり，そこから，甲１発明のλ/４は，０.０９１～０.１５９μｍと計算できる。そうであれば，甲１発明の凸部のピッチである凹部の幅ｗが数μｍ～数十μｍであり，甲１発明のλ/４は０.０９１～０.１５９μｍであるから，甲１発明の凹凸パターンがλ/４以上の間隔で繰り返しパターンに形成されていることは明らかであり，このことは甲１公報に開示されている。したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(6)凸部の配置の点（相違点４関係）
審決は，甲１発明の「（六角形，三角形等の形状を有する複数の凸部が分散配置された）凹凸パターン」は，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されているか明らかではない，と認定した。しかしながら，甲１公報には，「【０１４９】なお，図６(b)に示すような六角形の凹凸パターンを有する基板３１を作製する場合，あるいは三角形の凹凸パターンを有する基板を作製する場合において，六角形または三角形の各辺を形成する方向は，基板のいかなる結晶方位と一致してもよい。【０１５０】なお，（０００   １）面を基板表面とするサファイア基板またはＳｉＣ基板に六角形または三角形の凹凸パターンを形成する場合，各辺が［１－１０   ０］方向または［１１－２   ０］方向と等価な方向に一致するように六角形または三角形の凹凸パターンを形成することが好ましい。」と記載されている。一方，サファイア基板上にＧａＮ系半導体層を成長させた場合，ＧａＮ系半導体層のＡ軸がサファイア基板のＡ軸に対して３０度ずれることは，特開２０００－２１６４９７号公報（甲２。【０００８】，【００５９】～【００６７】参照。），特開平１１－４０８４９号公報（甲３。【００３３】参照），特開平１０－２７０８０１号公報（甲４。【００３６】参照）に記載があるとおり，技術常識である。したがって，サファイア基板の［１１－２   ０］方向と等価な方向とは，その上のＧａＮ系半導体層のＭ軸と等価な方向となる。また，ＧａＮ系半導体層のＭ軸と等価な方向とは，サファイア基板上にＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交する方向のことである。
したがって，甲１発明の凹凸パターンを，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交する平面形状を有する凸部として形成することは，甲１公報に開示されている。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。


２取消事由２（甲１発明に係る相違点認定の誤り）審決は，前記第２，３(2)イのとおりに相違点１～相違点５を認定したが，上記１に記載のとおり，①甲１公報には発光ダイオードと記載されているから，相違点１はなく，②発光ダイオードである甲１発明において，ｐ電極１１４をオーミック電極とし，また，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すことは，甲１発明に実質的に開示されているから，相違点２は実質的には相違点ではなく，③発光ダイオードである甲１発明において，凹凸パターンはＭＱＷ発光層１０８で発生した光を散乱又は回折させるものであることは明らかであり，また，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されていることも明らかであるから，相違点３はなく，④甲１発明では，凹凸パターンが，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されていることも明らかであるから，相違点４はない。
したがって，審決の相違点認定には，誤りがある。
３取消事由３（甲１発明に係る相違点判断の誤り）
(1)相違点１について
①審決は，[1]甲１第２発明の半導体層の構成（甲１第２発明構成）に，[2]甲１第２発明構成を前提とする半導体レーザ素子の構成（甲１第４発明構成）を適用した半導体レーザ素子，又は，上記[1]及び[2]との構成からなる半導体レーザ素子として，甲１発明を認定した。
一方，審決は，甲１公報の「【０２３５】上記においては，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子について説明したが，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法は，半導体レーザ素子以外の半導体素子，例えば発光ダイオード等の半導体発素子，フォトダイオード等の受光素子，トランジスタ等の電子素子の製造に適用することも可能である。」との記載について，「第１～第３発明」に係る窒化物系半導体を発光ダイオードに適用できるということを示すだけであって，「第１～第３の発明」に含まれる甲１第２発明構成を半導体素子に適用した半導体レーザ素子（甲１第４発明構成）を発光ダイオードに変更できることを示すものではないと判断した（３２頁２３～３３頁１４行目）。しかしながら，甲１第４発明構成は，ごくごく基本的な窒化ガリウム系化合物半導体発光素子（半導体レーザ及び発光ダイオード）の層構成と変わりがないものであり（特開平１０－２７０８０１号公報〔甲４〕の図１３，甲１４のＦｉｇ.１.，甲１５のＦｉｇ.1.参照），甲１発明の特徴部分は，甲１第２発明構成部分である。そうであれば，甲１第２発明構成を用いた甲１第４発明構成の半導体レーザ素子のほかに，甲１公報の段落【０２３５】の記載に基づき，甲１第２発明構成を発光ダイオードに適用して甲１第２発明構成を用いた発光ダイオードとすることは容易である。
②（被告の主張に対する反論）甲１公報には，甲１第２発明として，サファイア基板のＣ面を凹凸パターンを設けて窒化物系半導体を形成することが明示されており（【０１１６】～【０１２９】），凹凸パターンについては，円形，六角形，三角形等の形状としてもよいことが記載され（【０１４０】），その一例として，具体的に六角形の凹凸パターンとすることの詳細な説明がされ（【０１４１】～【０１５０】），その中において，六角形の凹凸パターンの方位についても，本件発明の構成に係る方位が記載されている（【０１５０】）。よって，甲１第２発明における六角形の凸部を発光ダイオードに適用できることは明らかである。
③したがって，審決の相違点１に係る判断には，誤りがある。
(2)相違点５について
①本件発明１の凸部のテーパ角は，１２０°超１４０°以下であるが，甲１発明の凹凸パターンの側面の角度は，特に限定されるものではないから（甲１公報【０１１９】），９０°以上１８０°未満ということになり，本件発明１の凸部側面のテーパ角を含んでいるから，本件発明１の凸部側面のテーパ角である１２０°超１４０°以下とすることは，当業者が適宜行う設計事項である。②（被告の反論に対し）甲１公報には，「【０１２１】…サファイア基板１１の凸部上面，凹部底面および凹部側面に，アンドープのＡｌＧａＮからなる膜厚約１５ｎｍのＡｌＧａＮバッファ層１２を成長させる。この場合，ＡｌＧａＮバッファ層１２は，サファイア基板１１の凸部上面，凹部底面および凹部側面において，図中の矢印Ｙの方向（ｃ軸方向）および矢印Ｘの方向（横方向）に成長する。…【０１２２】…成長初期のＧａＮ層１３は，ＡｌＧａＮバッファ層１２の凸部上面，凹部底面および凹部側面において，図中の矢印Ｙの方向（ｃ軸方向）に成長し，その後矢印Ｘの方向（横方向）にも成長する。」と記載されているとおり，凹部の側面でも結晶は成長する。また，甲８公報の【図６】や特開２００１－５７３４１号公報（甲４４）の【図６】に示されているとおり，基板上に形成された凸部の側面が傾斜していても，当該側面から半導体層が成長し，側面は半導体層に覆われる。③したがって，本件発明１の凸部側面のテーパ角は，甲１発明のそれに含まれるか，又は少なくとも容易想到である。
４取消事由４（甲８発明の認定誤り）
(1)オーミック電極の点（相違点６関係）
審決は，甲８発明には，その電極がオーミック電極であることが開示されていない，と認定した。
しかしながら，前記１(2)のとおり，ＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成することは当然のことであり，甲８発明のＬＥＤ素子が，ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成していることは，甲８公報に記載されているに等しい事項である。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(2)光の取り出しの点（相違点６関係）


審決は，甲８発明には，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を電極側又は基板側から取り出すようにしたものであることは開示されていない，と認定した。しかしながら，前記１(3)のとおり，ＧａＮ系発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにすることは技術常識であるから，甲８発明のＬＥＤ素子が，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにしたものであることは，甲８公報に記載されているに等しい事項である。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(3)光の散乱又は回折の点（相違点７関係）
審決は，甲８発明の凹凸部は，ＭＱＷ発光層１０８（ＩｎＧａＮ発光層）で発生した光を散乱又は回折させるものではない，と認定した。しかしながら，前記１(4)のとおり，発光ダイオードの光は，半導体層（発光層）から全方位に向かって放射されるため，光は基板に設けた凹凸部にも到達する。そして，半導体層とサファイア基板とでは屈折率が異なるから，基板表面に凹凸を設けた場合であれば，基板に到達した光が散乱又は回折することは自明である。また，甲８公報の【００５１】【表２】には，凹凸部を設けることにより発光出力が増大していることが示されている。
そうすると，甲８発明の凹凸部が，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を散乱又は回折させることは，甲８公報に記載されているに等しい事項である。したがって，審決の上記認定は，誤りである。
(4)繰り返しパターンの点（相違点７関係）
審決は，甲８発明の凹凸部は，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかではない，と認定した。しかしながら，甲８発明のＩｎＧａＮ発光層の発光波長λは３７０ｎｍであるから（【００５０】），λ/４は０.０９２５μｍとなる。一方，甲８発明の凹凸部は，幅２μｍ，周期４μｍの断面方形型の凹凸であるから，凸部がλ/４以上の間隔で繰り返しパターンに形成されていることは明らかである。
そうすると，甲８発明の凹凸部が，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されていることは，甲８公報に開示されている。
したがって，審決の上記認定は，誤りである。
５取消事由５（甲８発明に係る相違点認定の誤り）審決は，前記第２，３(3)イのとおりに相違点６～相違点９を認定したが，上記４に記載のとおり，①甲８発明のＬＥＤ素子が，ＧａＮ系半導体層の最上層にオーミック電極を形成し，ＧａＮ系半導体層で発生した光をオーミック電極側又は基板側から取り出すようにした発光ダイオードであることは，甲８公報に記載されているに等しい事項といえるから，相違点６は実質的には相違点ではなく，②甲８発明の凹凸部は，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を散乱又は回折させ，また，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されていることも明らかであるから，相違点７はない。
したがって，審決の相違点認定には，誤りがある。
６取消事由６（甲８発明に係る相違点判断の誤り）
(1)相違点７の判断について
審決は，甲８発明の凸部を，ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部とすることは当業者にとって容易に想到できたとすることはできない，とした。
しかしながら，前記４(3)に記載のとおり，甲８発明の凹凸部が，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を散乱又は回折させることは，甲８公報に記載されているに等しい事項である。
したがって，相違点７に係る審決の判断には，誤りがある。
(2)相違点９の判断について
①審決は，甲８発明における凸部は，「『ファセット形成並びにその後の平坦化が実質的に阻害されない』ように，『基板に凹凸加工した凸部１１の立上り斜面と基板平面が成す角度は，６０°以上（本件訂正発明１の表現に即していえば１２０°以下である。）とすることが好ましく，可及的に直角に近いことが特に望まし』いとしたものと認められ，かかる角度について，『側面が傾斜しており，その側面のテーパ角が１２０°より大きく，１４０°以下』とする理由は見当たらないし，かかる構成とすることが，当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る根拠は，本件各証拠を通じてみても見いだすことができない。」と判断した（４３頁１０～１７行目）。
しかしながら，甲８公報には，「【請求項１】基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって，前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ，前記半導体結晶は凹部及び／または凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであることを特徴とする半導体基材。」「【請求項７】上記基板に凹凸加工した凸部の立上り斜面と基板平面とが成す角度が６０°以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体基材。」と記載され，甲８公報の請求項７に係る発明は，請求項１に係る発明から凸部の立ち上がり角に限定を加えたものである。甲８公報にも，「６０°以上とすることが好ましく」と記載されているにすぎない（【００３２】）。そうすると，甲８公報には，凸部の立ち上がり斜面と基板平面とがなす角度を６０°以上とする請求項７に係る発明と，凸部の立ち上がり斜面と基板平面とがなす角度が６０°未満（本件発明１の表現に即していえば，凸部側面のテーパ角が１２０°超）のものを含む請求項１に係る発明が開示されていることになる。しかも，甲８公報の【００５１】【表２】では，甲８発明の実施例サンプルの発光出力が増大していることから，甲８発明の凸部により光取り出し効率が上がったと考えられ，本件発明１と甲８発明とは課題も共通するといえる。
したがって，甲８発明の凸部側面のテーパ角を１２０°超１４０°以下とすることは，容易に想到できる。


②（被告の反論に対して）甲８公報の段落【００３２】に記載されたのは，凸部１１の立ち上がり斜面と基板平面とがなす角度であり，これは，甲８の【図６】のとおり，垂直に近い（９０°に近い）角度とはなっているが，本件発明１の凸部側面のテーパ角に相応する凸部上面と凸部側面とがなす角度は，甲８公報の【図６】に基づき測定すれば，おおむね１３０°である。
③したがって，相違点９に係る審決の判断には，誤りがある。
第４被告の反論
１取消事由１（甲１発明の認定誤り）に対して
(1)発光ダイオードの点について（相違点１関係）甲１公報の段落【０２３５】は，単に甲１第２発明の製造方法が発光ダイオードにも適用できるとしているだけであり，ここから発光ダイオードである甲１発明を認定しようにも，その発光ダイオードには基板があるのか否か，その基板として何を用いるのか（【０１３１】参照），オーミック電極のないＭＩＳ型なのか否か，面発光型なのか端面発光型なのかなど，その具体的構造は甲１公報には開示されていない。
したがって，審決が，甲１発明を発光ダイオードと認定した上で本件発明１と対比しなかったことは，誤りではない。
(2)オーミック電極の点について（相違点２関係）審決が，甲１発明のｐ電極１１４がオーミック電極であるのか明らかではないとしたのは，甲１公報にはｐ電極１１４がオーミック電極であると明示的に記載されていないという程度の意味に解される。
(3)光の取り出しの点について（相違点２関係）
①審決が認定した甲１発明は，半導体レーザー素子であり，光は端面から取り出すことが一般であるから，審決が，甲１発明について，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すようにしたものであるのか明らかではない，としたことには，誤りはない。②仮に甲１公報に発光ダイオードが開示されているとしても，次のとおり，審決が，甲１発明について，ＭＱＷ発光層１０８で発生した光をｐ電極１１４側又はサファイア基板側から取り出すようにしたものであるのか明らかではないとしたことに，誤りはない。
[1]発光ダイオードには，端面から光を取り出す端面発光ダイオードもあるから（甲１８の１～１０参照），光の取り出し方向が，いずれかに限定されるものではない。そして，発光領域が広いからといって，端面発光型よりも面発光型の発光ダイオードの方が有利であるとは限らないし，発光ダイオードの優劣は，発光領域の面積のみで決まるものでもない。
[2]甲１発明は，基板上に凹凸を形成することで転位を所定の領域に集中させる技術を開示するものであり，その転位集中領域と半導体レーザの発光部の空間的な位置関係が重要な教示となっている（【００６６】【０１３０】【０１４６】【０２２３】参照）。これらは，発光部がストライプ状の特定領域に限定された半導体レーザでこそ意味のある教示であるところ，このような半導体レーザに構造が類似しているのは，面発光ダイオードではなく，端面発光ダイオードである。そうすると，甲１公報に接した当業者は，「発光ダイオード」という教示からは，むしろ端面発光ダイオードを想起する。
③したがって，審決の甲１発明の認定には，誤りはない。
(4)光の散乱又は回折の点（相違点３関係）
①審決が認定した甲１発明は，半導体レーザー素子であるところ，半導体レーザにおいては，通常，その発光部はリッジ下にあるストライプ状の領域に限定され，そのレーザ出力は，半導体層の端面から取り出される。したがって，少なくとも，レーザ出力として取り出される光が基板上の凹凸パターンに照射されることはないし，逆に，レーザ出力として取り出される光が散乱又は回折してしまうと，指向性及び収束性の高い光(可視光とは限らない)を発生させるという半導体レーザ素子の目的又は思想に反することになる。
したがって，少なくとも，ＧａＮ系半導体層で発生した光の主要な部分が到達する位置に凹凸部がなければ，ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させるのに適切な凹凸部といえない。
②甲５（【００１８】～【００２０】），甲７（１６頁３～５行目）及び甲１３（【００２４】）は，ＧａＮ系半導体のエピタキシャル成長の妨げにならないように，サファイア基板の表面を光の波長オーダでランダムに粗面化することを開示しているだけであり，本件特許出願当時において，サファイア基板の表面を規則的にパターニングして光を散乱又は回折させるというサファイア基板の表面加工による多重反射抑制技術は，周知ではなかった。
③サファイア基板の表面を光の波長オーダで荒らして粗面化する多重反射抑制技術と，平滑なサファイア基板の表面に数μｍ～数１０μｍの大きさのストライプ状などの立体構造を形成する転位低減技術とは，解決すべき課題も解決手段も大きく異なり，両者は一体的に理解すべきものではない。
④したがって，審決の甲１発明の認定には，誤りはない。
(5)繰り返しパターンの点（相違点３関係）
審決が，甲１発明の凸部を，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかでない，としたのは，甲１発明の凸部がＧａＮ系半導体の発光を散乱又は回折するのか否か明らかではないとした以上，同凸部がＧａＮ系半導体の発光波長λを基準とした散乱又は回折の要件であるλ/４以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているものに該当するのかも明らかではなくなる，という程度の意味に解される。
(6)凸部の配置の点（相違点４関係）
本件発明１は，凸部側面が平面視でＧａＮの成長安定面に平行であると，凸部側面が埋まりにくく，散乱又は回折を阻害する空洞が発生しやすい一方，凸部側面がＧａＮの成長安定面に交差していると，凸部の周囲を平坦に埋めて空洞発生を抑制できることを見いだしたものである（本件明細書等【００３８】【００３９】）。一方，甲１発明は，六角形又は三角形の凸部各辺を形成する方向は，基板のいかなる方位でも良く，甲１公報には，全く同等の好ましい例として，凸部各辺を基板の［１－１００］方向又は［１   １－２０］方向にすることを挙げている（甲１公報【０１４９】【０１５０】）。


甲１公報が挙げた後者の［１１－２   ０］方向は，本件発明1が特定する方位に相当するものではあるが，前者の［１－１０   ０］方向は，本件発明1において空洞発生が起きやすいとされた方位に相当する。本件発明１は，光の散乱又は回折を阻害する空洞発生を抑制する重要な技術的意義があるとして，凸部各辺を後者の［１１－２０］方向にすることに限定したのであるから，本件発明１とは課題の異なる甲１発明に本件発明１の凸部各辺の方位を含めて並列的に例示されているからといって，甲１発明が本件発明１と同一の特定事項を開示したものとはいえない。したがって，審決が，ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成されているか明らかではない，と認定したことは，誤りではない。
２取消事由２（甲１発明に係る相違点認定の誤り）に対して上記１のとおり，審決の甲１発明認定に誤りはないから，その相違点認定にも誤りはない。
３取消事由３（甲１発明に係る相違点判断の誤り）に対して
(1)相違点１の判断について
甲１公報には，種々の窒化物系半導体の形成方法が開示されており，甲１第２発明についても，凸部を形成するか凹部を形成するか，凸部又は凹部の形状をストライプ，円形，三角形，六角形のいずれにするか，凸部又は凹部の寸法をどうするか，凸部又は凹部の各辺の方位をどうするか，凸部又は凹部の側面の傾斜角をどうするか，といった点について多数の選択枝がある。これら種々の条件を，すべてそのまま発光ダイオードに適用できるわけではない。
また，甲１第２発明に係る窒化物系半導体形成方法を発光ダイオードへ適用しようとすれば，発光面において暗線となる転移集中部分の密度を減らそうとするから，転移集中部分の密度が高くなるような凸部形状である三角形又は六角形を選択したりする動機付けはないし，あるいは，凸部間のピッチを１０μｍ以下という極めて小さな値を選択したりする動機付けもない。逆に，凸部の形状・ピッチについてそのような選択をした場合には，甲１第２発明に係る窒化物系半導体素形成方法を発光ダイオードに適用する阻害要因となる。
したがって，凸部が１０μｍ以下のピッチで繰り返しパターンに形成されており，その凸部の平面形状が大略三角形又は六角形である半導体発光素子，との構成を前提として，甲１発明の半導体レーザ素子を半導体発光ダイオードに変更することは当業者が容易に想到できたものではない，とした審決の判断には，誤りはない。
(2)相違点５について
①本件発明１の課題は，サファイア基板上にＧａＮ系半導体層を形成した面発光ダイオードにおいて，サファイア基板に凸部を形成して光の多重反射を抑制しようとしても，凸部がＧａＮ系半導体層の成長に影響するために，発光ダイオードとしての出力が十分に向上しないという点にある。この知見は，本件発明１により新たに見いだされたものであるから，本件発明１の凸部側面のテーパ角を１２０°超１４０°以下と数値限定したことの効果の異質性又は予測不可能性等を考慮するまでもなく，この構成に想到することは容易とはいえない。②ＧａＮは，サファイア基板のＣ面（０   ００１），Ａ面などの特定の結晶面以外の面ではエピタキシャル成長をしないか又は成長しにくいため，傾斜した凸部側面を平坦に埋めるためには，Ｃ面である凸部上面と同凸部間の平坦面とからそれぞれ成長したＧａＮ同士が，凸部側面付近で速やかに接合される必要がある。このため凸部側面が大きなテーパ角を持つように傾斜していると，凸部上面と凸部間の平坦面との間の距離が大きくなり，凸部側面付近が平坦に埋まり難くなり（本件明細書等【００３８】～【００４１】【００５０】，甲８公報【００３２】参照。），凸部の周囲に空洞が発生しやすくなり，そして，その空洞が，凸部による散乱又は回折を妨げる（本件明細書【００１４】【００１５】）。本件発明１は，凸部の各辺の方位がＧａＮの成長安定面と一致していると，ＧａＮ系半導体層と凸部側面の間に空洞が発生しやすく，凸部の各辺の方位が成長安定面と交差していると，凸部側面付近の空洞発生が抑制されることに着目し，凸部の各辺の位をその構成にある所定の方位とした上で，さらに，凸部側面のテーパ角を１２０°超１４０°以下に制御することにより，ＧａＮ系半導体層によって凸部を平坦に埋めつつ，効率の良い散乱又は回折を可能としたものである（本件明細書等【００３８】～【００４１】【００５０】【図１０】）。本件発明１において，凸部側面のテーパ角を１２０°超１４０°以下とすることの効果は，本件特許出願時の技術水準に基づいても，甲１発明からは予測不能である。③甲１発明の目的は，選択成長マスクを用いることなく転位の低減を図ることにあり（【００１８】），甲１発明においてサファイア基板に凹凸パターンを設ける目的は，それと同様の凹凸パターンを窒化物半導体に再現することにより，サファイア基板に平行な横方向に結晶を成長させることにある。しかるところ，半導体結晶は，基本的に成長させる面に対して垂直に成長するから，凹部側面から窒化物半導体をサファイア基板に平行な横方向に成長させるには，凹部側面をサファイア基板に垂直にすることが必要となる。したがって，甲１発明は，基板に形成される凹凸パターンの凹部側面が垂直である場合が基本となり，甲１公報において凹部側面を垂直に限定しなかったのは，サファイア基板の加工上の制約等にかんがみて，凹部側面が垂直から多少外れる場合も許容されるという程度のためにすぎない。したがって，本件発明１は，公知発明とは異なる目的又は効果を有する数値範囲を限定した発明であって，容易想到ではない。
４取消事由４（甲８発明の認定誤り）に対して
(1)オーミック電極の点（相違点６関係）
審決が，甲８発明の電極がオーミック電極であるのか明らかではないとしたのは，甲８公報には電極がオーミック電極であるとは明示的に記載されていない，という程度の意味に解される。
(2)光の取り出しの点（相違点７関係）


甲８発明は，半導体基材及びその作製方法に関するものであり（【０００１】），その開示の大部分は，サファイア基板上にＧａＮ層を成長した半導体基材についてのものであって（【００１０】～【００４９】），発光ダイオードに関する具体的な記載としては，実施例４において紫外ＬＥＤチップを作製したことが開示されているにすぎない。また，この紫外ＬＥＤチップの構造については，「【００５０】[実施例４]実施例１で得られた膜に連続してｎ型ＡｌＧａＮクラッド層，ＩｎＧａＮ発光層，ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し，発光波長３７０ｎｍの紫外ＬＥＤウエハーを作製した。その後，電極形成，素子分離を行い，ＬＥＤ素子とした。」と記載されるのみであり，この記載からは，光の取り出し方向が，端面であるのか又はオーミック電極側若しくは基板側であるのかは，特定できない。したがって，審決が，甲８発明が，ＩｎＧａＮ発光層で発生した光を電極側又は基板側から取り出すようにしたものであるのか明らかではない，としたことには，誤りはない。
(3)光の散乱又は回折の点（相違点７関係）
甲８発明は，端面発光ダイオードをも含むものであるところ，端面発光ダイオードにおいては，その発光部はリッジ下にあるストライプ状の領域に限定され，その発光出力は，半導体層の端面から取り出される。したがって，端面発光ダイオードの場合，少なくとも，発光出力として取り出される光が基板上の凹凸部に照射されることはないし，逆に，発光出力として取り出される光が散乱又は回折してしまうと，指向性及び収束性の高い光(可視光とは限らない)を発生させるという端面発光ダイオード素子の目的又は思想に反することになる。
なお，甲８公報の【００５１】【表２】は，凸部が適切に光を散乱又は回折させるものであることにより光取り出し効率が上がったことを示すものではなく，従来のＥＬＯ技術に比して結晶転位が減少するという甲８発明の目的又は作用効果によって，発光出力が向上したことを示すものである。
したがって，審決が，甲８公報に記載された凹凸部は，少なくとも散乱又は回折のために適切な形状のものであるかどうか明らかではないとしたことには，誤りはない。
(4)繰り返しパターンの点（相違点７関係）
審決が，甲８発明の凹凸部がλ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているのか明らかでないとしたのは，甲８発明の凹凸部が，ＧａＮ系半導体の発光を散乱又は回折するのか否かが明らかでないとした以上，同凹凸部がＧａＮ系半導体の発光波長λを基準とした散乱又は回折の要件であるλ/４以上の間隔で繰り返しパターンに形成されているものに該当するかも明らかではなくなる，という程度の意味に解される。５取消事由５（甲８発明に係る相違点認定の誤り）に対して上記４のとおり，審決の甲８発明認定に誤りはないから，その相違点認定にも誤りはない。
６取消事由６（甲８発明に係る相違点判断の誤り）に対して
(1)相違点７の判断について
本件発明１の相違点７に係る構成は，凸部の繰り返しパターンが，基板に届いた光を散乱又は回折させるのに適したものであることを要求する趣旨，すなわち，その凸部の位置が適切であるとともに，構成要件Ｂに規定する間隔及びピッチ，構成要件Ｃで規定する形状及び方位，並びに構成要件Ｄに規定する側面テーパ角をすべて満たすことを要件とするものである。本件発明１は，これら構成を組み合わせ，その相互作用によって，サファイア基板を用いたＧａＮ系半導体発光ダイオードにおいて，ＧａＮ系半導体の結晶品質を維持しながら，多重反射を有効に抑制できるという従来はなし得なかった実用的な技術を初めて実現したものである。かかる技術的意義を甲８発明から容易に想到しえないことは，甲８公報に，凸部の形状を三角形又は六角形とすること，その凸部の各辺を本件発明１に特定する所定の方位とすることが記載されていないこと（相違点８），凸部の繰り返しパターンの間隔をλ/４以上とすることが記載されていないこと（相違点７），及び側面テーパ角を１２０°超１４０°以下とすることが記載されていないこと（相違点９），並びに甲８発明の目的に照らせば明らかである。
したがって，相違点７に係る審決の判断に，誤りはない。
(2)相違点９の判断について
①相違点９に係る本件発明１の凸部側面のテーパ角は，これによってＧａＮ系半導体層へのピット発生を抑制しながら，光の散乱又は回折の効率を高めて発光ダイオードの出力を高めるという，甲８公報には記載も示唆もない課題に基いてなされたものである（本件明細書等【００２５】【００５０】【図１０】参照）。かえって，甲８公報には，凸部側面の立ち上がり角が６０°よりも小さい場合（本件発明１の表現に即していえば，凸部側面のテーパ角が１２０°超）には，ファセット成長後の平坦化が良好に行えないという問題が生じ，これを６０°以上（本件発明１の表現に即していえば，凸部側面のテーパ角が１２０°以下），とりわけ直角に近い角度にすると，かかる弊害が起きないと記載されている（【００３２】）。甲８公報の請求項１に係るの発明も，凸部の立ち上がり角が６０°未満であることを積極的に許容するものではない。
したがって，甲８公報には，本件発明１の凸部側面のテーパ角を１２０°超にするのとは正反対の教示が明示されており，相違点９の構成に至ることは容易想到ではない。
なお，甲８公報の【００５１】【表２】は，従来のＥＬＯ技術に比して結晶転位が減少するという甲８発明の目的又は作用効果によって発光出力が向上したことを示すものであって，凸部における光の散乱又は回折により光取り出し効率が上がったことを示すものではない。
②甲８公報の段落【００３２】は，凸部側面全体と基板平面との間の角度を記載しているのであって，側面の一部（例えば，立ち上がり部分のみ）が基板平面となす角度を記載しているのではないから，甲８公報が，凸部側面の立ち上がり部分のみが基板平面と６０°以上の角度をなしていれば，他の部分の傾斜角が６０°未満であってよいということを開示しているものではない。
第５当裁判所の判断
１認定事実
(1)本件発明１
本件明細書等によれば，本件発明１の特徴は，次のとおりのものと認められる。
（甲２１，２２）


本件発明１は，窒化物系化合物半導体発光素子において，半導体に欠陥が発生しない凹凸を基板に設け，半導体層での光の導波方向を変えて，外部量子効率を上げるようにした素子に関するものである（【０００１】）。従来の構造の発光ダイオードでは，基板の平坦性を鏡面レベルに加工しているので，基板上の半導体層，発光領域及び電極は相互に平行な積層構造をなし，しかも屈折率の大きな半導体層を，屈折率の小さな基板と透光性電極によって挟む構造によって光の導波路が形成されるので（【０００３】），臨界角よりも大きな角度で基板又は電極との界面に入射した光は，全反射を繰り返して導波路内を伝播し，その間に吸収されるため，発光の一部は減衰して有効に外部に取り出すことができず，外部量子効率が低下してしまった（【０００４】）。
これに対し，基板の表面に凹部又は凸部を形成して発光領域で発生した光を散乱させることによって外部量子効率を向上させるようにした方法が提案されているが（【０００７】），これらの発光ダイオードでは，凹部又は凸部の形状や大きさを制御せずに粗面化を行った場合，成長したＧａＮの結晶性が低下してしまうため，かえってＧａＮ半導体層における発光効率が下がってしまっていた（【０００８】）。そこで，本件発明１は，外部量子効率を安定的に確保できるようにした半導体発光素子を提供することを目的とし（【０００９】），①基板上に，基板とは材質の異なる複数のＧａＮ系半導体層と，前記ＧａＮ系半導体層の最上層に形成されたオーミック電極とを積層し，前記ＧａＮ系半導体層で発生した光を前記オーミック電極側又は基板側から取り出すようにした半導体発光ダイオードにおいて（【００１０】），②基板はＣ面（０００   １）サファイア基板であり（【００２１】【００３０】），上記基板の表面部分には，上記ＧａＮ系半導体層で発生した光を散乱又は回折させる凸部を，十分に光を散乱又は回折させるために，λ/４（λは半導体発光ダイオードの発光波長）以上の間隔とし（【００２３】），ＧａＮ層のピット発生の防止及び光の散乱又は回折の確率を高め，これにより出力を一層向させるために，１０μｍ以下（【００２４】）のピッチで繰り返しパターンに形成し（【００１９】），③平坦で結晶性に優れたＧａＮ系半導体を成長させるために，その凸部の平面形状を大略三角形又は六角形で，上記ＧａＮ系半導体層のＡ軸を構成辺とする正六角形を想定したときに，上記凸部平面形状の構成辺が，上記Ａ軸を構成辺とする正六角形の中心と頂点を結ぶ線分に，直交するように形成し（【００１８】【００３１】【００３９】），④散乱又は回折による出力向上の観点から，上記凸部側面を傾斜させるとともに，その側面のテーパ角を１２０°より大きくし（【００２５】【００５０】【００８１】），一方，凸部側面のテーパ角が余りに大き過ぎるとかえって光の散乱又は回折の効率が低下するほか，半導体層にピットが発生しやすくなるために，これを１４０°以下とし（【００２５】【００５０】），⑤前記基板表面の凸部は，凸部上面，凸部の形成されていない平坦面，及び凸部側面が連続したＧａＮ系半導体層によって埋められるようにし，もって，凹凸による光の散乱・回折効果により，基板上方又は下方への光束が多くなり，発光素子の発光面を正面から観察したときの輝度を高めることができ，また，半導体層中を横方向に伝播する光を減らし，伝播中の吸収ロスを低減して発光の総量を高めることができ（【００１３】），しかも，基板表面部分に凹部又は凸部を形成しても，半導体層には凹凸による結晶欠陥がほとんど成長しないため，高い外部量子効率を安定的に確保できるという効果を奏する（【００１４】），というものである。
(2)甲１発明


甲１公報によれば，甲１発明の特徴は，次のとおりのものと認められる。甲１発明は，窒化物系半導体素子に関するものである（【０００１】）。従来，サファイア等からなる基板上にＧａＮ系半導体層をエピタキシャル成長させているが（【０００２】），サファイア等の基板とＧａＮとでは格子定数が異なるため，サファイア等の基板上に成長させたＧａＮ系半導体層は，基板から上下方向に延びる転位（格子欠陥）が存在しており，半導体素子の素子特性の劣化及び信頼性の低下を招いていた（【０００３】）。このようなＧａＮ系半導体層における転位を低減する方法である選択横方向成長は（【０００４】），再成長ＧａＮ層の選択横方向成長を行うことにより，再成長ＧａＮ層において転位の低減を図ることを可能としていたが（【００１２】），この方法では，選択成長マスクとＧａＮとの熱膨張係数の違いから，再成長ＧａＮ層においてクラックが発生しやすくなるなどし，このようなクラックの発生は，半導体素子において，素子特性の劣化及び信頼性の低下を招くとともに，歩留りの低下を招いていたほか（【００１４】【００１６】），窒化物系半導体においては更なる格子欠陥の低減を図ることも望まれた（【００１７】）。そこで，甲１発明は，選択成長マスクを用いることなく，より転位の低減が図られ，かつ，クラックの発生が防止された半導体素子を提供することを目的とし（【０００１９】），①Ｃ面を基板表面とするサファイア基板の所定領域に，凹部の幅ｗを好ましくは数μｍ～数十μｍと，凸部の幅を好ましくは数百ｎｍ～数十μｍと，形状を六角形，三角形等とした複数の凹部又は凸部が分散配置された凹凸パターンを形成し（【０１１７】【０１１８】【０１４０】），②（０００   １）面を基板表面とするサファイア基板に六角形又は三角形の凹凸パターンを形成する場合には，好ましくは各辺を［１－１０   ０］方向又は［１１－２   ０］方向と等価な方向に一致するように六角形又は三角形の凹凸パターンを形成し（【０１５０】），③サファイア基板のＣ面に対する凹部側面の角度は，特に限定されるものではなく，例えば，凹部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直であり（【０１１９】），その上で，④サファイア基板の凸部上面，凹部底面及び凹部側面に，アンドープのＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮバッファ層を成長させ（【０１２１】），続いて，ＡｌＧａＮバッファ層上に，アンドープのＧａＮからなるＧａＮ層を成長させることによって（【０１２２】），ＧａＮ層の凹部が徐々に埋められていき，ＧａＮ層が横方向に成長して（【０１２３】），平坦化するまでＧａＮ層を成長させる（【０１２５】）という窒化物系半導体の形成方法により，サファイア基板付近で発生したＣ軸方向に伝播した転位が一様に低減され（【０１２４】），良好な結晶性を有するＧａＮ層を形成することができるという効果を奏する（【０１２６】），というものである。そして，この窒化物系半導体の形成方法を用いて，ＡｌＧａＮバッファ層，第１ＧａＮ層，第２ＧａＮ層，ｎ－ＧａＮコンタクト層，ｎ－ＧａＮ第１クラッド層，ＭＱＷ発光層，ｐ－ＧａＮ第１クラッド層，ｐ－ＧａＮコンタクト層を順に形成し，最上層にｐ電極を形成した半導体レーザ素子は（【０１９１】【０１９４】【０１９５】【０１９８】【０１９９】【０２１５】【図１１】），良好な素子特性を有するとともに高い信頼性を有するという効果を奏する（【０２００】【０２０８】【０２１６】），というものである。
(3)甲８発明


甲８公報によれば，甲８発明の特徴は，次のとおりのものと認められる。甲８発明は，半導体基材に関し，特に転位欠陥が生じやすい半導体材料を用いる場合に有用な構造に関するものである（【０００１】）。従来，ＧａＮ系材料を結晶成長する場合，ＧａＮ系材料は格子整合する基板がないために，サファイアなどの格子整合しない基板を用いていたが，近年実現されている高輝度の発光ダイオード，半導体レーザーなどは，特性向上を図るために更なる転位密度の低減が望まれた（【０００２】）。この転位密度低減を図る方法として前記基板上に部分的なマスクを設けて選択成長する方法が提案されているが（【０００３】），この方法によれば，ラテラル成長方向にＣ軸が微小量ながら傾斜して結晶品質が低下するという新たな問題が有ることが判明した（【０００４】）。また，マスク層材料として汎用されているものはＳｉＯ２などであるが，その上に結晶成長層が積重されると，Ｓｉ成分がこの結晶成長層中に移行するというオートドーピング汚染の問題があることも判明するなど（【０００５】），種々の問題が判明した。そこで，甲８発明は，マスク層を用いることに起因するなどの種々の問題を回避することを目的とし（【０００９】），①基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって，前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ，前記半導体結晶は凹部又は凸部からファセット構造を形成しながら成長されたものであり（【請求項１】【００１０】），②上記基板の結晶成長面の凸部が，平行なストライプ形状からなる凸部であり（【請求項３】），③上記半導体結晶がＩｎＧａＡｌＮであって（【請求項４】），上記基板に凹凸加工したストライプの長手方向が上記ＩｎＧａＡｌＮ結晶の（１－１   ００）面又は（１１   －２０）面と平行であり，その精度が１°以内であり（【請求項５】），④上記基板に凹凸加工した凸部の幅Ａと，これに隣接する凹部の幅Ｂとの合計Ａ＋Ｂが２０μｍ以内とされ，前記凹部の深さｈをＡ，Ｂのいずれか長い方の幅の２０％以上とする（【請求項６】）ものであって，バッファ層等すら形成していない状態の基板に対して凹凸面を設けることで，結晶成長当初からファセット面が形成可能な素地面をあらかじめ提供し（【００１６】），基板からＣ軸方向に伸びる転位線がファセット面で横方向に曲げられ，上方に伝播しなくなることで，成長面の表面近傍は基板からの転位の伝播がないために低転位密度領域となるようにしたものであり（【００１７】），これにより，甲８発明の半導体基材は，マスク層を形成することに起因する問題点などを回避できるという効果を奏するものである（【００５８】）。
そして，甲８発明の半導体基材を用いて，⑤基板としては，サファイア（Ｃ面）を用い（【００１９】），⑥半導体結晶が，上記基板上に成長される半導体層としてＡＸＧａ１－Ｘ－ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）であり（【００２０】），⑥ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層，ＩｎＧａＮ発光層，ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層，ｐ型ＧａＮコンタクト層を順に形成し，その後，電極形成を行い（【００５０】），⑦上記基板に凹凸加工したストライプは，幅を２μｍ，周期を４μｍ，ストライプ方位をストライプ延伸方向が上記基板の＜１－１０   ０＞方向であって，２μｍの深さまで断面方形型にエッチングして凹凸を施したものであるほか（【００４１】），効果が出る凹凸形状であれば特に制限はなく各種の形状を採用することもでき，凹凸面の形成の態様としては，島状の点在型の凸部，ストライプ型の凸条からなる凸部などが例示でき（【００２３】），上記基板に凹凸加工した凸部の立ち上がり斜面と基板平面が成す角度は，６０°以上とすることが好ましく，可及的に直角に近いことが特に望ましいものであって（【００３２】），⑧上記基板を断面方形型にエッチングした後，ＧａＮ低温バッファー層を成長し，ｎ型ＧａＮ層を成長し，凸部，凹部両方での成長が観察され（【００４１】），凹凸部を覆い平坦になったＧａＮ膜が得られたる（【００４２】）ＬＥＤ素子（【００５０】）とすることができ，このＬＥＤ素子は，従来例に比べ出力が高く，リーク電流の少ないという効果を奏する（【００５２】），というものである。
２取消事由１（甲１発明認定の誤り）について
(1)発光ダイオードの点
ア検討
上記１(2)に認定のとおり，甲１発明は，窒化物系半導体素子に関するものであって，選択成長マスクを用いることなく，より転位の低減が図られ，かつ，クラックの発生が防止された半導体素子を提供することを目的とし，その構成から，転位の低減により良好な結晶性を有するＧａＮ層を形成することができるという効果を奏するものである。その上で，この窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子は，良好な素子特性を有するとともに高い信頼性を有するという効果を奏するとしている。
甲１公報は，その窒化物系半導体の形成方法を開示した後，「【０１９１】続いて，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素子について説明する。なお，この場合においては，半導体素子の例として半導体レーザ素子について説明する。」として，第４から第６の発明に係る半導体レーザー素子について開示をし（【０１９２】～【０２３４】），その上で「【０２３５】上記においては，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子について説明したが，第１～第３の発明に係る窒化物系半導体の形成方法は，半導体レーザ素子以外の半導体素子，例えば発光ダイオード等の半導体発素子，フォトダイオード等の受光素子，トランジスタ等の電子素子の製造に適用することも可能である。」と開示している。


以上から，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素子は，ＧａＮ層の表面においては転位が低減され良好な結晶性が実現されているのであるから，半導体素子の具体的な構成に関係なく，良好な素子特性を有するとともに高い信頼性を有するという効果を奏するといえ，半導体レーザ素子もまた，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素子の一例にすぎないものといえる。
そうすると，段落【０２３５】に例示された発光ダイオードは，同段落限りでは具体的な構成が記載されたものではないものの，当業者は，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて発光ダイオードを製造すれば，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子と同様に，良好な素子特性を有するとともに高い信頼性を有するという効果を奏するものが得られると理解するといえ，そうであれば，甲１公報には，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体素子として発光ダイオードも開示されていると認めるのが相当である。
よって，甲１発明を半導体レーザ素子と認定し，本件発明１と甲１発明との対比において，本件発明１は，「半導体発光ダイオード」であるのに対して，甲１発明は，「半導体レーザ素子」である点を相違点１とした審決の認定は，本件発明１と対比すべき発明を甲１公報から抽出するに当たり，本件発明１により類似する発明が認識できたにもかかわらず，これを認定しなかった点において，当を得たものとはいえないというべきである。
したがって，審決の甲１発明の認定には誤りがある。
イ被告の主張に対して
被告は，甲１公報から引用発明となり得る「発光ダイオード」が認定できるためには，その発光ダイオードの具体的構造が開示されていなければならない旨の主張をする。
しかしながら，甲１公報には，甲１発明に係る窒化物系半導体の形成方法が記載されているのであるから，甲１公報の段落【０２３５】に例示された発光ダイオードは，それを用いて製造した半導体素子にほかならず，進歩性判断のための本件発明１との対比において，甲１公報に記載されていない発光ダイオードの更なる具体的な構成が問題となるのであれば，それを相違点として認定すれば足りることであって，甲１公報に発光ダイオードの更なる具体的な構成が記載されていないからといって，甲１公報に，本件発明１との対比可能な程度の発光ダイオードが記載されていないと認定することはできない。
したがって，被告の上記主張は，採用することができない。
(2)小括
よって，相違点１に係る取消事由１には，理由がある。ただし，当該取消事由のみでは審判を取り消すことはできず，更に甲１発明から本件発明１を容易に想到できるか否かの検討を進めることとする。
３取消事由３（甲１発明に係る相違点判断の誤り）について
(1)相違点５について
原告は，甲１発明の認定誤り（取消事由１）を前提として，同発明に係る相違点１～相違点４の認定の誤り（取消事由２）を主張する。しかしながら，審決は，本件発明１と甲１発明との相違点として，相違点１～相違点４以外に，前記第２，３(2)イの【相違点５】（凸部側面のテーパ角）を認定しているところ，甲１発明の認定がどのようなものであっても相違点５が存することは，当事者間に争いがない。したがって，相違点５に係る判断についての審決の判断に誤りがなければ，審決の結論は左右されないことになるから，以下，この点を検討する。
ア本件発明１の凸部側面のテーパ角の技術的意義
前記１(1)の認定及び本件明細書等の記載（【００２５】【００４７】～【００５１】【００８１】【図７】～【図１０】）によれば，本件発明１の凸部の側面のテーパ角は，サファイア基板上に形成したＧａＮ系半導体発光ダイオードにおいて，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上させることを考慮して，１２０°超１４０°以下にしたものと理解される。
イ甲１発明における凸部側面角の技術的意義
甲１公報には，「【０１１９】サファイア基板のＣ面に対する凹部側面の角度は，特に限定されるものではなく，例えば，本例においては凹部側面がサファイア基板のＣ面に対してほぼ垂直である。」との記載があるから，甲１発明の凸部側面角が例示されている垂直又は垂直に近いものに限定されているとはいえず，その範囲から，相違点５に係る構成を排除していると解することはできない。しかしながら，甲１発明は，前記１(2)に認定のとおりのものであって，本件発明１のように，半導体層の結晶性を維持しつつ光の散乱又は回折による出力を向上させることを目的とするものではないから，そのような観点から凸部側面角が決定されたものではない。
そうすると，甲１発明において，凸部側面角を相違点５に係る構成に特定することは開示されておらず，また，当該構成を採用することの示唆ないし動機付けを認めることはできない。そこで，当業者が，他の公知文献又は周知技術に基づいてこれを採用することが容易であるか否かを，以下検討することとする。
ウ甲５公報
(ｱ)記載事項
特開平１１－２７４５６８号公報（甲５）には，次の記載がある。「【００１６】次に，ＧａＮベースのＬＥＤ１１０の断面図である図２を参照する。…粗面仕上げによって，界面に当たる光を散乱させ，その結果，ＧａＮ／電極／空気，または，エポキシ界面の臨界角より小さい角度で，光の一部が反射するようにする特徴１１８及び１１９が形成される。上部表面の臨界角内に含まれる円錐内に散乱する光は，１１１で示すように，上部表面を通ってＬＥＤから脱出する。浅い角度で散乱する光１１７は，ＧａＮ層の上部表面から反射されて，もう一度基板表面に当たる。この光の一部は，１１２で示すように，ＬＥＤの上部表面からの脱出を可能にする角度で散乱することになる。浅すぎる角度で散乱する光は，もう一度上部表面で跳ね返り，該プロセスが繰り返される。【００１７】サファイア表面の散乱を生じる特徴は，陥凹部１１９または突出部１１８であり，ＬＥＤによって生じる光のＧａＮにおける波長より大きいか，あるいは，ほぼその程度であることが望ましい。特徴が光の波長よりあまりにも小さいと光は有効に散乱しない。特徴がＧａＮ層の厚さに対し相対的に大きくなると，粗面仕上げによって，ＧａＮの上部表面に欠陥を生じる可能性がある。これらの制限内において，ＬＥＤ表面の特徴を変更しなくても，粗面仕上げによって，光の結合効率が大幅に向上する。」