しかし，対応する被告の主張は，折りシワがプレス前の状態に戻ろうとする力ｆと，プレス成形による圧縮変形でそれを阻止する力Ｆとの「Ｆ＞ｆ」の関係を前提とするが，当該関係をどのように達成するのか明らかではない。また，本件明細書においてＦとｆの関係が全く規定されていない以上，「ｆ≦Ｆ」という関係も当然に想定すべきであるが，被告の主張はこの関係を無視するものであって不当である。「Ｆ＞ｆ」の関係を達成するために，プレス力（Ｐ）又はプレス圧力（Ｃ）を制御することは，当業者が普通に行うことであり，プレス力又はプレス圧力を制御することは従来から実施され新規性，進歩性はない。
(4)以上から，本件明細書の発明の詳細な説明には，発明の課題が解決できることを当業者が認識できるような記載がなく，かつ，出願時の技術常識からも，発明の課題を解決できることが推認可能とはいえない。
このため本件発明は，発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えることとなり，本件特許に係る出願は，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たさない。
３取消事由３（サポート要件に係る判断の誤り）
審決は，請求項及び発明の詳細な説明に記載された「シワ」に関連する用語が不統一であり，その結果，両者の対応関係が不明であり，特許法３６条６項１号の規定に違反するとの原告の主張につき，「シワ」に関する用語の不統一は，特許法３６条６項１号違反の問題を惹き起すものとはいえないとした。しかし，本件明細書には「シワ」に関する複数の用語が用いられている（「折りシワ」，「複数のシワ」，「前記シワ」，「折りシワ１３５」，「シワ」，「発生シワ」，「寄りシワ」，「折りシワ部」）。これらの「シワ」が同じものを指すのか，それとも異なるものを指すのかが，前後の記載及び出願時の技術常識を考慮してもなお，不明である。
「折りシワ」と「寄りシワ」では，その言葉の意味からシワの発生原因・工程や発生したシワの状態が異なることが明らかである。
請求項１における「折りシワ」は，本件発明の作用効果である保形性の向上に直結する重要な構成要件であるところ（【００３１】），審決が述べる「用語の一定の統一性」という程度では不十分である。
以上より，請求項及び発明の詳細な説明に記載された用語が不統一であり，その結果，これらの対応関係が不明瞭であるといえる。したがって，本件特許に係る出願は，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たさないものである。
４取消事由４（発明未完成）
本件明細書の記載からは，「圧縮面積が大きくな」ることと，「容器の保形性が向上する」こととの技術的関連性が不明である。
このため，「フランジ部の内，曲線部に対応し，折りシワが生じる曲線対応部分の幅は，直線部に対応する直線対応部分の幅より大きくした」との構成によって，紙容器の保形性を向上させる目的とする技術効果を挙げることができるかについては，疑念を抱かざるを得ない。
発明が目的とする技術効果を挙げることができることを立証できない場合には，本件発明は，未完成であり，特許法２９条１項柱書きに該当し特許を受けることができない。
第４被告の反論
１取消事由１（進歩性に関する認定判断の誤り）に対して(1)本件発明１と甲１発明との相違点の認定の誤りに対して
ア相違点２の認定について
原告は，「甲１発明の物品には，本件発明と同様に，「曲線部」が存在することは明らかである。」と主張する。
この点，本件発明の紙容器はフランジ部の外周縁に縁巻部を備えるものであるところ，外縁の全てを直線部で構成すると縁巻部の形成が困難となるため，外縁は直線部と曲線部とが交互に連続した形状となるように構成している。すなわち，本件発明における「曲線部」は，フランジ部の外周縁の全周への縁巻部形成のために必須の構成であって，単なる曲線状の部分ではないといえる。一方，甲１発明の物品は縁巻部を有するものではないため，原告が本件発明の「曲線部」に相当する旨の主張をする甲１発明のアール部分は，本件発明の「曲線部」のような必然性を持つものではない。よって，甲１発明のアール部分は本件の「曲線部」に相当せず，甲１発明は本件発明の「曲線部」を有するか明らかでないといえる。原告は，「甲１発明の折りシワは本件発明１と同様に意図的に設けられたものである。」と主張する。
しかし，甲１発明の鍔部６に生じる「シワ８」については，甲１の【００１３】に「プレス成型時に生じるシワ８をスリット９で重複させることによって吸収させるのが好ましい。」とあるように，発生を防止することの教示がある。この記載からすると，甲１発明のシワ８は，本件発明１の折りシワのように意図的に設けられたものとはいえない。
したがって，相違点２についての審決の認定に誤りはない。
イ相違点３の認定について
原告は，「甲１中の「緩衝材」という記載は，「紙容器」と置き換えることができるものである。従って，甲１発明は，「紙容器」に係る発明であることは明らかである。」と主張する。
緩衝材の態様の一つとして容器や充填材があるといえるかもしれないが，このことは容器や充填材が緩衝材の態様の一つであるというにすぎず，緩衝材は容器でも充填材でもあるというものではない。なぜなら，緩衝材は期待される緩衝効果に最適な態様（形態）に形成されるのが一般的と考えられるところ，容器にも充填材にもなるような共通の形態のものは成立し得ないと考えられるからである。充填材として用いられているものをあえて容器と認定することも，同様に無理がある。したがって，相違点３についての審決の認定に誤りはない。
ウ相違点５の認定について
原告は，「甲１発明における「シワ」も意図的に行ったプレス加工によって生じるものであり，本件発明１における「折りシワ」と何ら変わることはない。」と主張する。


甲１発明の鍔部６に生じる「シワ８」について，甲１では，【０００８】に「シワが生じる場合がある」という記載及び【００１３】に「シワ８が生じることがある」という記載はあるものの，「必ずシワが生じる」旨の記載はない。すると，甲１の記載からは「シワが生じない場合がある」ということも自然に読み取れるといえるが，仮に甲１発明においてシワを意図的に設けるとの思想があるとすればこのような記載にはならない。また，「プレス加工を意図的に行えばそれによって生じたシワは意図的なものである」という主張にも無理がある。さらに，原告は，甲１発明の構成の一つとして「シワ（８）が生じる曲線対応部分」を挙げ，一致点として「折りシワが生じる曲線対応部分」を挙げるが，甲１発明の「シワ８」の発生箇所及びその対策が施されている部分は直線対応部分が主となっている。すると，甲１発明の「シワ８」は本件発明１の「折りシワ」が生じる部分とは異なる部分に発生しているため，本件発明１の「折りシワ」とは異なるものといえる。
したがって，相違点５についての審決の認定に誤りはない。
エ本件発明１と甲１発明の相違点について
以上の理由により，本件発明１と甲１発明との相違点として相違点１～５を挙げた審決に誤りはない。
(2)本件発明１の進歩性判断の誤りに対して
ア相違点１の容易想到性について
原告は，「本件発明１のような一枚の板紙原紙からプレス成形のみによって形成されたものとすることは容易想到」と主張するが，甲１の【０００６】には「膨出部を，接着剤によって形状保持させることを目的とする」との記載があり，甲１発明は接着剤のない構成を想定するものではない。甲１発明は，請求項１の記載のとおり複数の板紙原紙を前提にするものであるところ，甲１発明から一枚の板紙原紙よりなる紙容器に想到する理由もない。
よって，相違点１の容易想到性についての原告の主張は失当といえ，審決に誤りはない。
イ相違点４の容易想到性について
原告の相違点４の容易想到性についての主張は，甲１発明を紙容器とすることを前提としている。しかし，甲１発明は紙容器とはいえない。よって，相違点４の容易想到性についての原告の主張は理由がなく，審決に誤りはない。
(3)本件発明３，４の進歩性について
本件発明３，４は，本件発明１に従属するものであり，本件発明１に無効理由がないことは上記のとおりであるから，本件発明３，４についても特許法２９条２項の規定により無効とすることはできないとした審決に誤りはない。２取消事由２（サポート要件に係る判断の誤り）に対して
(1)第１の理由に対して
外縁が直線部と曲線部とが相互に連続した形状となる紙容器において，曲線対応部分はプレス時に周方向に圧縮されるため，プレス前後の形状変化が大きくプレス前の状態に戻ろうとする力が大きく働く。一方，直線対応部分はプレス時に周方向に圧縮されないため，プレス前の状態に戻ろうとする力が曲線対応部分における戻ろうとする力に比べて小さく働く。すると，紙容器において，戻ろうとする力が大きく働く部分と小さく働く部分とが並存するため保形性が低下しやすくなる。このような紙容器の保形性の低下の問題は，特に示すまでもなく当業者であれば理解できるものであって，出願時点の技術常識として明らかなものである。よって，第１の理由についての原告の主張は失当である。
(2)第２の理由に対して
原告は，「被告の主張は，「Ｆ＞ｆ」の関係を前提とするが，当該関係をどのように達成するのか明らかではない」と主張する。
しかし，板紙原紙をプレス成形したものが紙容器として成立しているということは，その紙容器においてＦ＞ｆが当然に成立しているといえる。なぜなら，Ｆ＞ｆを満たさないものは紙容器としての形状が保てず，そもそも紙容器と呼ぶに足りないものとなるからである。
そして，圧縮部分の全範囲においてＦ＞ｆが成立している状態において，単位面積当たりの保形性に寄与する力Ｇは，Ｇ＝Ｆ－ｆとなるところ，曲線対応部分の保形性に働く力Ｓは単位面積をＡとすると，Ｓ＝Ｇ×Ａとなる。すなわち，圧縮面積Ａが大きくなれば，保形性に働く力Ｓが大きくなるのだが，このことは本件明細書の記載から当業者であれば十分認識できる。
よって，第２の理由についての原告の主張は理由がなく，取消事由２についての審決に誤りはない。
３取消事由３（サポート要件に係る判断の誤り）に対して原告は，請求項及び発明の詳細な説明に記載された「シワ」に関連する用語が不統一であり，その結果，両者の対応関係が不明であると主張する。しかし，原告指摘の用語は，本件発明の把握に直接影響しない用語であるか，それぞれの対応関係を不明瞭にするほどのものではないから，取消事由３についての審決に誤りはない。
４取消事由４（発明未完成）に対して
原告は，「圧縮面積が大きくな」ることと，「容器の保形性が向上する」こととの技術的関連性が不明であると主張するが，両者の技術的関連性は，上記２(2)に記載した理由より明らかである。
また，原告は，「Ｆ＞ｆ」の関係が成立すれば，「フランジ部の内，曲線部に対応し，折りシワが生じる曲線対応部分の幅は，直線部に対応する直線対応部分の幅より大きくした」との構成の有無にかかわらず，目的とする技術効果は達成されると主張するが，本件発明の目的及び効果は，本件明細書の【００３１】に記載のように，「曲線対応部分の幅が直線対応部分の幅と同じものに比べて」「容器の保形性が向上する。」というものであって，単に紙容器としての形状を維持する保形性を備えることを目的及び効果とするものではない。
曲線対応部分の幅を直線対応部分の幅より大きくするという本件発明の構成によって，「曲線対応部分の幅が直線対応部分の幅と同じものに比べて」「容器の保形性が向上する。」という本件発明の目的及び効果が達成されるといえる。したがって，本件発明が未完成であるとする原告の主張は失当であり，取消事由４についての審決に誤りはない。
第５当裁判所の判断
１取消事由１（進歩性に関する認定判断の誤り）について
(1)本件発明について
本件発明の構成は，本件明細書（甲１０）の特許請求の範囲に記載のとおりである。


本件明細書の発明の詳細な説明の記載によれば，本件発明は，紙容器，特に外周部に縁巻が形成された紙容器に関するものである（【０００１】）。従来の縁巻成形された紙製の角型容器は，底面部と底面部の四辺から所定の角度で立脚する周壁部と，周壁部と周壁部とが接続される周壁コーナ部と，周壁部及び周壁コーナ部の上端部に水平方向に形成されるフランジ部と，フランジ部の外縁に形成される縁巻とから構成されており（【０００２】），特に，周壁コーナ部は，板紙原紙の周壁コーナ部に放射状の線条が設けられ，プレス加工によって線条の凹み部が圧縮されるように絞り込み成形されており，その結果として線条の凸部を中心とした折りシワが形成されているが（【０００３】，【００１３】～【００１５】），紙容器は，板紙原紙をプレス加工して寄りシワを発生させながら絞り込み成形されるものであるから，経時によるシワの戻りや，板紙原紙そのものの復帰力が容器の形状変化となって現れるとともに（【００１８】），板紙原紙は主としてパルプの繊維（セルロース）の絡み合いにより形成されており，合成樹脂やアルミニウム箔等の非吸湿性の素材と異なり雰囲気中の湿度，水分及び温度の影響を受けて絡み合いが弱くなり，また，繊維の膨潤や絡まりの戻りによる強度の低下，紙の延びに起因して成形時の形状を保ち難いため，前記要因との相乗効果で容器自体の保形性が低下し，成形時の寸法を長期間保持することが困難となりやすいという課題があった（【００１９】）。本件発明は，成形後において保形性の高い紙容器を提供することを目的とするものであって（【００２３】），フランジ部の曲線対応部分の幅はフランジ部の直線対応部分の幅より大きくされているので，曲線対応部分の幅が直線対応部分の幅と同じのものに比べて，曲線対応部分に設けた折りシワの各々は長く形成され，その状態で圧縮されることになるため，圧縮面積が大きくなり容器の保形性が向上するという効果を奏するものである（【００３１】）。
(2)甲１発明について
甲１の記載事項及び図面からみて，甲１発明は，複数の板紙を接着剤で介在させることによって形成された積層体をプレス加工した緩衝材及びその製造方法に関するものである（【０００１】）。従来から，食品，食器，電気製品など各種家庭用品等の収納物を梱包又は包装する場合において，該収納物を保護又は固定することを目的として種々の容器，包装材あるいは充填材などの緩衝材が用いられていたが（【０００２】），従来の緩衝材には種々の問題があり，例えば，発泡プラスチックなどのプラスチック成型品は，使用後の処理の点で大きな社会問題となっており，また，段ボール材を組み立てて形成された緩衝材は，収納物の形状に合わせて形成するのが困難であるとともに，組立てに手間を要する欠点があった（【０００３】）。甲１発明は，上記課題を解決するために，接着剤を介在させることによって複数の板紙が重ね合わせられた積層材であって，該積層材にプレス成型を施すことによって膨出部を形成したもので（【０００４】），該膨出部を緩衝部として機能させたものであることから，接着剤を介在した各板紙の層状滑りが生じやすくなり，深絞りも容易に行うことができるという効果を奏するものである（【００１５】）。以上によれば，甲１には，審決が認定したとおりの甲１発明が記載されていると認められる。
(3)相違点２の認定について
原告は，審決が認定した相違点２について，甲１の図１及び４に示されるように，甲１発明の鍔部６は，４辺からなる隣り合う直線部が，直線ではない曲がった線，すなわち，曲線部により接続され，隅丸状になっているから，甲１発明の物品には，本件発明と同様に，曲線部が存在することは明らかであり，また，甲１発明の折りシワは本件発明１と同様に意図的に設けられたものであるから，相違点２は相違点ではない旨を主張する。
しかし，曲線部についてみると，甲１には，鍔部６が，４辺からなる隣り合う直線部が曲線部により接続されているとの記載はない。甲１の図１及び４からは，緩衝材（物品）の外縁が四角形状であるとは認識できるが，四角形の辺である直線部が曲線部により接続されているとは認識できない。すなわち，四角形状の角部（隅部）は，やや丸味を帯びているが，曲線部と把握できるほどの曲線状の領域が設けられているわけではなく，これらの角部（隅部）は，安全又は製造上の必要性から角取（隅取）したと推測されるものであって，曲線部を形成していると認識できるものではない。しかも，甲１発明の緩衝材（物品）は，角部に曲線部を有することが必然であると解することもできない（本件発明１における曲線部は，フランジ部の外周縁の全周への縁巻部形成のために必須の構成であると解されるが，甲１発明の緩衝材（物品）は縁巻部を有する必然性がない。）。また，折りシワについてみると，甲１の，「積層材をプレス成型して膨出部を形成した段階では、該膨出部の基部の鍔状部分にシワが生じる場合がある。」（【０００８】），及び「緩衝材１の鍔部６周辺には，図４（ａ）のようにシワ８が生じることがあるため，同図（ｂ）に示すように積層材４の周辺部にスリット９を設け，プレス成型時に生じるシワ８を該スリット９で重複させることによって吸収させるのが好ましい。」（【００１３】）との記載によれば，甲１発明のシワ８は，「生じる場合がある」だけであって必ず発生するものではなく，「吸収させるのが好ましい」ものであって，発生を防止することの教示があるから，意図的に設けられたものとは到底いえず，この点において，本件発明１の折りシワとは相違する。よって，審決の相違点２の認定に誤りはない。
(4)相違点３の認定について


原告は，審決が認定した相違点３について，甲１に記載される「緩衝材」は，「紙容器」を含むものであり，甲１中の「緩衝材」という記載は，「紙容器」と置き換えることができるから，甲１発明は，「紙容器」に係る発明であり，また，図２における緩衝材１が容器ではない充填材であるとしても，これは図１の緩衝材の一実施例にすぎず，このことをもって甲１発明が容器，紙容器ではないことを示す根拠とはならないから，相違点３は相違点ではない旨を主張する。しかし，甲１の，「本発明は、複数の板紙を接着剤を介在させることによって形成された積層体をプレス加工した緩衝材及びその製造方法に関するものである。」（【０００１】），及び「食品、食器、電気製品など各種家庭用品等の収納物を梱包若しくは包装する場合において、該収納物を保護若しくは固定することを目的として種々の容器、包装材或いは充填材などの緩衝材が用いられている。」（【０００２】）との記載によれば，甲１発明は，緩衝材に関する発明であって，容器や充填材は緩衝材の態様の一つにすぎない。
また，甲１の図１及び２に係る緩衝材の実施例は，その使用例からみて充填材として用いられているといえるところ，容器として用いられている実施例は記載されていない。しかも，緩衝材が，常に容器又は充填材となり得るものでないことは明らかである。
したがって，甲１発明を「緩衝材」であると認定することは，合理的であり，これを「容器」と認定することはできない。
よって，審決の相違点３の認定に誤りはない。
(5)相違点５の認定の誤り
原告は，審決が認定した相違点５について，本件発明１における「折りシワ」の発生原因はプレス加工であるところ，プレス加工を意図的に行えばそれによって生じたシワは意図的なものであるはずであり，この点において甲１発明における「シワ」も意図的に行ったプレス加工によって生じるものであり，本件発明１における「折りシワ」と何ら変わることはないから，相違点５は相違点ではない旨を主張する。
しかし，上記(3)で判示したとおり，甲１発明のシワ８は，必ず発生するものではなく，その発生を防止することの教示もあるから，本件発明１の折りシワのように意図的，積極的に設けられたものとはいえない。製造のためのプレス加工が意図的であるからといって，その結果生じた「シワ」までが意図的と認定できるものでないことは明らかである。
さらに，甲１の図４を参照すると，甲１発明におけるシワ８は，その発生箇所及びその対策（スリット９）が施されている部分が主に直線対応部分であって，本件発明１の「折りシワ」が生じる曲線対応部分とは場所が異なるものといえる。よって，審決の相違点５の認定に誤りはない。
(6)本件発明１と甲１発明との相違点について
原告は，相違点２，３，５は，相違点ではなく一致点であるから，本件発明１と甲１発明とは，審決における相違点１及び４でのみ相違する旨を主張する。しかし，上記(3)～(5)のとおり，相違点２，３，５に係る審決の認定に誤りはないから，原告の主張は理由がない。
(7)相違点１の判断について
ア甲１には，「物の発明にあっては，接着剤を介在させることによって複数の板紙が重ね合わせられた積層材であって，該積層材にプレス成型を施すことによって膨出部を形成したことにある。」（【０００４】），「本発明では積層材をプレス加工することによって形成された膨出部を，接着剤によって形状保持させることを目的とする」（【０００６】），及び「該酢酸ビニル接着材３が固化しない内にプレス装置Ｐで膨出部５を形成し，該接着材３を固化させることによって該膨出部５を形状保持させて緩衝材１が完成する。」（【００１３】）と記載されている。これによれば，甲１発明は，複数の板紙を接着剤により積層させることを前提にしており，接着剤のない構成を想定するものではないから，甲１発明において，複数の板紙を一枚の板紙とし，接着剤の介在を省くことの動機付けがあるとはいえず，甲１発明から一枚の板紙原紙よりなる紙容器を想到することは困難である。よって，甲１発明において，一枚の板紙（板紙原紙）からプレス成形のみによって形成されたものとすること，すなわち，本件発明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得るとはいえず，審決の相違点１に係る容易想到性判断に誤りはない。
イ原告は，「一枚の板紙原紙」からプレス成形のみによって形成された紙容器は，本件特許出願前における周知技術であり，また，甲１において，板紙原紙が１枚であれば接着剤を省略して本件発明１のような一枚の板紙原紙からプレス成形のみによって形成されたものとすることは，想到容易である旨を主張する。しかし，甲１発明は，複数の板紙を前提にしており，接着剤のない構成を想定するものではないことは上記のとおりであるから，甲１発明において，複数の板紙を一枚の板紙とし，接着剤の介在を省くことの動機付けがあるとはいえない。また，紙容器を一枚の板紙原紙からプレス成形のみによって形成することが本件特許出願前において周知の技術であるとしても（甲４，５），緩衝材である甲１発明に対しこのような周知技術を適用する動機付けないし技術課題が認められないから，甲１発明から一枚の板紙原紙よりなる紙容器を想到することは困難であり，原告の主張は採用できない。
(8)相違点４の判断について
上記(4)で判示したとおり，甲１発明は「紙容器」ではなく「緩衝材」であるから，フランジ部等の外周縁に縁巻を形成する動機がない。よって，甲１発明において，鍔部６（フランジ部）の外周縁に形成された縁巻部を備えること，すなわち，本件発明１の相違点４に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得るとはいえない。
原告は，紙容器のフランジ部の外周縁に形成された縁巻部は周知技術であり，また，甲１発明は紙容器に係る発明であるから，甲１発明に係る紙容器のフランジ部に，周知技術である縁巻を設けることは，紙容器に係る当業者にとって想到容易である旨を主張するが，原告の主張は甲１発明が紙容器であることを前提とするものであり，上記したように甲１発明は緩衝材であって紙容器とはいえないから，原告の主張は採用できない。
よって，審決の相違点４に係る容易想到性判断に誤りはない。
(9)本件発明１の進歩性
以上によれば，本件発明１は，甲１発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
(10)本件発明３及び４の進歩性について
本件発明３及び４は，本件発明１の発明特定事項をすべて含むものであるから，本件発明１と同様の理由により，当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
(11)小括


以上のとおり，本件発明の進歩性に関する審決の認定判断に誤りはなく，原告主張の取消事由１には理由がない。
２取消事由２（サポート要件に係る判断の誤り）について原告は，本件発明の実施形態である第４の実施の形態（段落【００４２】，【００４３】及び図４，５）には，発明の課題が解決できることを当業者が認識できるような記載がなく，かつ，出願時の技術常識からも発明の課題を解決できることが推認可能とはいえず，また，直線対応部分と曲線対応部分とを有するフランジ部のうち，曲線対応部分の幅を直線対応部分の幅よりも大きくすることにより，なぜ保形性が高められるのかが不明であり，さらに，圧縮面積が大きくなることと、容器の保形性が向上することとの技術的関連性が不明であるから，本件発明１～４は，発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えることとなるので，サポート要件を満たさない旨を主張する。
しかし，本件発明の発明特定事項である「前記フランジ部の内，前記曲線部に対応し，折りシワが生じる曲線対応部分の幅は，前記直線部に対応する直線対応部分の幅より大きい」は，発明の詳細な説明に記載されている具体的な構成である「縁巻１２７の曲線部分に対応する曲線対応部分１２６ｂの幅Ｗ２は，縁巻１２７の直線部分に対応する直線対応部分１２６ａの幅Ｗ１に比べて，大きく設定されている」（段落【００４２】）との技術事項をそのまま特定したものであり，また，「成形後において保形性の高い紙容器を提供する」（段落【００２３】）との発明の目的（課題），及び「紙容器としての保形性を向上させる。」（段落【００４３】）との具体的構成の作用効果とも整合するものであるから，本件発明が発明の詳細な説明に記載された範囲を超えているとはいえない。
また，段落【００４３】の「図から明らかなようにポイントＰ１～Ｐ２におけるフランジ部の曲線対応部分１２６ｂに形成された線条１１７ｃの長さは，破線でフランジ部の境界が示された従来の紙容器の線条の長さに比べて長い。従って，線条１１７ｃや折りシワ１３５の圧縮面積が大きくなって線条１１７ｃや折りシワ１３５の成形後の経時変化による戻りがより小さくなり，紙容器としての保形性を向上させる。」との記載からは，「線条１１７ｃ」と「折りシワ１３５」は紙容器としての保形性に寄与するものであって，その長さが相対的に長くなれば，紙容器としての保形性が高められるものと解釈できるから，特許請求の範囲に記載の「折りシワが生じる曲線対応部分の幅は，前記直線部に対応する直線対応部分の幅より大きい」ものにすれば，紙容器としての保形性の向上という課題を解決できると当業者は認識できるといえる。
よって，本件発明は，発明の詳細な説明に記載されたものであるから，サポート要件を満たしており，原告主張の取消事由２は理由がない。３取消事由３（サポート要件に係る判断の誤り）について原告は，本件明細書の請求項及び発明の詳細な説明に記載された「シワ」に関連する用語が不統一であり，その結果，両者の対応関係が不明であり，特許法３６条６項１号の規定に違反すると主張する。
しかし，本件明細書に記載された「シワ」に関する用語は，いずれも「シワ」という表現において共通しており，用語が不統一とまでは認められない。また，本件明細書の記載全体からみて，請求項１における「折りシワ」は，段落【００１５】及び図１２に示される外面側の「折りシワ１３５」に対応し，さらに，請求項１を引用する請求項３に記載の「複数のシワ」及び請求項１を間接的に引用する請求項４に記載の「前記シワ」は，請求項１に記載の「折りシワ」に対応すると考えるのが合理的であり，その対応関係が不明とは認められない。「折りシワ１３５」（【００１５】等）と「寄りシワ」（【００１８】）とは，シワの状態が異なるものといえるが，それらの用語はいずれも従来技術に関する記載であって本件発明の把握に影響しない。
よって，本件発明において，請求項に記載の用語と発明の詳細な説明に記載された用語との対応関係が不明瞭であるとはいえず，原告主張の取消事由３は理由がない。
４取消事由４（発明の成立性についての誤り）
原告は，本件明細書の記載からは，「圧縮面積が大きくな」ることと，「容器の保形性が向上する」こととの技術的関連性が不明であると主張する。しかし，前記２のとおり，曲線対応部分の幅を直線対応部分の幅より大きくして折りシワを長くし，圧縮面積を増やすと，戻ることを阻止する力も大きくなり，紙容器の保形性がより高まるものと認められ，このことは，本件明細書の記載から当業者であれば十分認識できるといえる。すなわち，曲線対応部分の幅を直線対応部分の幅より大きくするという構成によって「曲線対応部分の幅が直線対応部分の幅と同じものに比べて」「容器の保形性が向上する。」という本件特許の目的及び効果が達成されるといえる。
よって，本件発明が目的とする技術効果を上げることができるものであることは明らかであり，本件発明が未完成であるとはいえない。以上のとおり，原告主張の取消事由４は理由がない。
第６結論
以上によれば，原告主張の取消事由はいずれも理由がない。よって，原告の請求を棄却することとし，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
清      水              節
裁判官
池      下              朗
裁判官
新      谷      貴      昭


平成２８年１０月１２日判決言渡同日原本領収    裁判所書記官平成２７年（行ケ）第１０１７８号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２８年９月１４日
判     決
原        告     株式会社半導体エネルギー研究所同訴訟代理人弁護士    古    城    春    実
牧    野    知    彦
堀    籠    佳    則
加    治    梓    子
伊    藤        真
平    井    佑    希
丸    田    憲    和
同訴訟代理人弁理士    加    茂    裕    邦被        告     国立研究開発法人科学技術振興機構同訴訟代理人弁護士    高    橋    雄一    郎同訴訟復代理人弁護士    鈴    木    佑一    郎同訴訟代理人弁理士    望    月    尚    子同訴訟復代理人弁理士    西        義    之
主     文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が無効２０１４－８００１３９号事件について平成２７年７月２８日にした審決を取り消す。
第２事案の概要
１特許庁における手続の経緯等
(1)被告は，平成２２年３月２４日，発明の名称を「アモルファス酸化物薄膜」とする特許出願（特願２０１０－６８７０８号。優先権主張：平成１６年３月１２日，同年１１月１０日。日本国。）をし，平成２２年８月２０日，設定の登録（特許第４５６８８２８号）を受けた（請求項の数６。以下，この特許を「本件特許」という。）。本件出願は，平成１７年２月２８日に出願した特願２００６－５１０９０７号の分割出願である（甲２３）。
(2)原告は，平成２６年８月２８日，本件特許の請求項１ないし６に係る発明について特許無効審判を請求し，無効２０１４－８００１３９号事件として係属した。(3)特許庁は，平成２７年７月２８日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との別紙審決書（写し）記載の審決（以下「本件審決」という。）をし，その謄本は，同年８月６日，原告に送達された。
(4)原告は，平成２７年９月７日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起した。
２特許請求の範囲の記載
特許請求の範囲の請求項１ないし６の記載は，次のとおりである（甲２３）。以下，本件特許に係る発明を，請求項の番号に従って「本件発明１」などといい，本件発明１ないし６を併せて，「本件各発明」という。また，その明細書（甲２３）を，図面を含めて「本件明細書」という。
【請求項１】スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。【請求項２】チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，請求項１に記載の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。【請求項３】スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１－ｘＭｇxＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ
濃度が１０
１６／ｃｍ３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。
【請求項４】チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，請求項３に記載の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。【請求項５】ゲート絶縁膜として，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，又はＨｆＯ２のうちの１種，またはそれらの化合物を少なくとも２種以上含む混晶化合物を用いたことを特徴とする請求項２又は４記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】基板として，ガラス基板，プラスチック基板またはプラスチックフィルムを用いたことを特徴とする請求項２又は４記載の薄膜トランジスタ。
３本件審決の理由の要旨


(1)本件審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりである。要するに，①ⅰ）本件発明１は，下記アの引用例１に記載された発明（以下「引用発明１」という。）及び下記エないしサの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅱ）本件発明２は，引用発明１及び下記エないしサの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅲ）本件発明３は，引用発明１及び下記エないしシの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅳ）本件発明４は，引用発明１及び下記エないしシの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅴ）本件発明５及び６は，引用発明１並びに下記イ及びエないしシの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件各発明は，特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものではなく，②ⅰ）本件発明１は，下記イの引用例２に記載された発明（以下「引用発明２」という。）並びに下記ア，エないしサ及びスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅱ）本件発明２は，引用発明２並びに下記ア，エないしサ及びスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅲ）本件発明３は，引用発明２並びに下記ア及びエないしスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅳ）本件発明４は，引用発明２並びに下記ア及びエないしスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅴ）本件発明５及び６は，引用発明２並びに下記ア及びエないしスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件各発明は，特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものではなく，③本件発明１，２，５及び６に係る本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，特許法３６条４項１号に規定する要件（いわゆる実施可能要件）を満たさないものであるということはできない，などというものである。
ア引用例１：特開平５－２５１７０５号公報（甲１）イ引用例２：国際公開第０３／０９８６９９号（甲２）ウ引用例３：特表平１１－５０５３７７号公報（甲３）エ引用例４：特開２０００－４４２３６号公報（甲４）オ引用例５：特開２００２－２８９８５９号公報（甲５）カ引用例６：日本学術振興会    透明酸化物光・電子材料第１６６委員会「透明導電膜の技術」第１版第２刷（平成１２年４月２５日）７８～８１頁，１４８～１
５５頁（甲６）
キ引用例７：Ｍ．ＯＲＩＴＡ    外「Ａｍｏｒｐｈｏｕｓｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ    ｏｘｉｄｅＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：ａＺｎ４ｓ    ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ」ＰＨＩＬＯＳＯＰＨＩＣＡＬＭＡＧＡＺＩＮＥＢ，ＶＯＬ．８１，   Ｎｏ．５（２００１）５０１～５１５頁（甲７）ク引用例８：「２０００年（平成１２年）春季    第４７回応用物理学関係連合講演会講演予稿集」第２分冊５７７頁「２８ａ－ＺＢ－１」（甲８）ケ引用例９：Ｓａｔｏｒｕ    Ｎａｒｕｓｈｉｍａ外「Ａ    ｐ－ＴｙｐｅＡｍｏｒｐｈｏｕｓＯｘｉｄｅ    Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒａｎｄ    ＲｏｏｍＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎ    ｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＯｘｉｄｅｐ－ｎ    ＨｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎＤｉｏｄｅｓ」Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１５，Ｎｏ．１７（２００３Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ    ３）１４０９～１
４１３頁（甲９）


コ引用例１０：Ｋｅｎｊｉ    Ｎｏｍｕｒａ外「Ｔｈｉｎ－Ｆｉｌｍ    ＴｒａｎｓｉｓｔｏｒＦａｂｒｉｃａｔｅｄ    ｉｎＳｉｎｇｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔ    ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ」Ｓｃｉｅｎｃｅ３００，１２６９（２００３）１２６９～１２７２頁   （甲１０）サ引用例１１：国際公開第０３／０４０４４１号（甲１１）シ引用例１２：特開平８－２４５２２０号公報（甲１２）ス引用例１３：特開昭６３－２３９１１７号公報（甲１３）
(2)本件発明１及び３と引用発明１との対比
本件審決が認定した引用発明１，本件発明１及び本件発明３と引用発明１との一致点及び相違点は，以下のとおりである。なお，「／」は，原文の改行部分を示す（以下同じ。）。
ア引用発明１
ゲ－ト電極とゲート絶縁膜とソ－ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタの前記半導体層において，／Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した，半導体層。
イ本件発明１と引用発明１との一致点及び相違点
(ア)一致点
スパッタ法の気相成膜法で成膜され，Ｉｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜であって，電子キャリヤ濃度が低い透明酸化物薄膜。
(イ)相違点１－１
透明酸化物薄膜が，本件発明１では，「「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成」される酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」であり，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性である」「半絶縁性アモルファス」」酸化物薄膜であるのに対して，引用発明１では，「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ    Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ」た半導体層である点。
ウ本件発明３と引用発明１との一致点及び相違点
(ア)一致点
スパッタ法の気相成膜法で成膜され，Ｉｎ及びＯの元素を含む酸化物薄膜であって，電子キャリヤ濃度が低い透明酸化物薄膜。
(イ)相違点１－２
透明酸化物薄膜が，本件発明３では，「「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成」される酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」であり，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性である」「半絶縁性アモルファス」」酸化物薄膜であるのに対して，引用発明１では，「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ    Ｏｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ」た半導体層である点。
(3)本件発明１及び３と引用発明２との対比
本件審決が認定した引用発明２，本件発明１及び本件発明３と引用発明２との一致点及び相違点は，以下のとおりである。
ア引用発明２


半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムが積層されていることを特徴とする半導体装置の，前記半導体層であって，／前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛であり，／前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）はＰＬＤ法により堆積され，／堆積条件は，ＫｒＦエキシマレーザを使用し，レーザパワー密度は１．０Ｊ／ｃｍ２，レーザパルス繰り返し周波数は１０Ｈｚ，堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５～１００ｎｍ程度である，／半導体層。
イ本件発明１と引用発明２との一致点及び相違点
(ア)一致点
パルスレーザー蒸着法の気相成膜法で成膜された，Ｚｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜。
(イ)相違点２－１
「Ｚｎ及びＯを含む酸化物薄膜」が，本件発明１では，「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」である薄膜であるのに対して，引用発明２では，「ＺｎＯ」の半導体層である点。
(ウ)相違点２－２
透明酸化物薄膜が，本件発明１では，「アモルファス」酸化物薄膜であって，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性」であるものであるのに対して，引用発明２の，「前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）はＰＬＤ法により堆積され，堆積条件は，ＫｒＦエキシマレーザを使用し，レーザパワー密度は１．０Ｊ／ｃｍ２，レーザパルス繰り返し周波数は１０Ｈｚ，堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５～１００ｎｍ程度である」薄膜が，アモルファスであるか否かが明示されておらず，また，不純物イオンの添加の有無，及び，電子移動度及び電子キャリヤ濃度が不明である点。
ウ本件発明３と引用発明２との一致点及び相違点
(ア)一致点
パルスレーザー蒸着法の気相成膜法で成膜された，Ｚｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜。
(イ)相違点２－３
「Ｚｎ及びＯを含む酸化物薄膜」が，本件発明３では，「結晶化したときの組成が，ＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」である薄膜であるのに対して，引用発明２では，「ＺｎＯ」の酸化物である点。
(ウ)相違点２－４
透明酸化物薄膜が，本件発明３では，「アモルファス」酸化物薄膜であって，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性」であるのに対して，引用発明２の，「前記酸化亜鉛（ＺｎＯ）はＰＬＤ法により堆積され，堆積条件は，ＫｒＦエキシマレーザを使用し，レーザパワー密度は１．０Ｊ／ｃｍ２，レーザパルス繰り返し周波数は１０Ｈｚ，堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５～１００ｎｍ程度である」薄膜が，アモルファスであるか否かが明示されておらず，また，不純物イオンの添加の有無，及び，電子移動度及び電子キャリヤ濃度が不明である点。
４取消事由
(1)本件各発明の要旨認定の誤り（取消事由１）(2)本件発明１の引用発明１に基づく容易想到性判断の誤り（取消事由２）
ア引用発明１の認定の誤り（取消事由２－１）
イ一致点及び相違点の認定の誤り（取消事由２－２）ウ相違点の容易想到性判断の誤り（取消事由２－３）(3)本件発明１の引用発明２に基づく容易想到性判断の誤り（取消事由３）(4)本件発明１の実施可能要件の判断の誤り（取消事由４）(5)本件発明２ないし６の容易想到性並びに本件発明２，５及び６の実施可能要
件の判断の誤り（取消事由５）
第３当事者の主張
１取消事由１（本件各発明の要旨認定の誤り）について
〔原告の主張〕
本件各発明に係る特許請求の範囲は，「スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され」といった文言や「不純物イオンを添加することなしに」といった文言を含むから，プロダクトバイプロセスクレーム（以下「ＰＢＰクレーム」という。）に該当するものであるところ，物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合であっても，その発明の要旨は，当該製造方法により製造された物と構造，特性等が同一である物として認定される。
しかるに，本件審決は，引用発明１及び２と対比するに当たり，製造方法部分を含めて本件各発明の要旨を認定し，相違点の判断において，「不純物イオンを添加することなしに」といった点を挙げている。
上記のような認定は発明の要旨認定の手法を誤ったものであるから，本件審決は取り消されるべきである。
〔被告の主張〕
(1)原告の主張は，その主張に係る発明の要旨認定の誤りが本件審決の結論に影響を及ぼすものであることについて，何ら主張するものではないから，失当である。(2)本件各発明に係る特許請求の範囲に含まれる「不純物イオンを添加することなしに」との記載は，製造方法を特定するものではなく，不純物イオン（ドーパント）から成るドナーによって放出されるキャリヤではなく，酸素の欠損によるドナーによって放出されるキャリヤによって，所定の電子移動度と電子キャリヤ濃度が実現されるという物質そのものを特定する記載であるから，ＰＢＰクレームを構成するものではない。


また，「スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され」という製造方法による限定が存在するが，原告の主張する取消事由とは無関係である。
２取消事由２（本件発明１の引用発明１に基づく容易想到性判断の誤り）につ
いて
〔原告の主張〕
(1)取消事由２－１（引用発明１の認定の誤り）
ア引用発明１の認定
(ア)本件審決における認定の誤り
本件審決は，前記第２の３(2)アのとおり，引用例１に記載された発明として，ＩＴＯに限定された発明を認定した。
しかし，引用例１の【００１９】では，ＩＴＯを一例として，酸化物一般について「膜中の酸素量を変化させることにより膜の導電率を変化させることができる」とし，その原因が「化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）によりキャリアが発生していること」にあることが説明され，さらに，【００１６】や図２において，このための具体的な方法として，スパッタリングにおける酸素濃度を調整する手法が開示されている。また，請求項１及び【００２１】には，引用例１における「透明」の意味として，バンドギャップエネルギーが大きいこと（望ましくは３ｅＶ以上）も開示されている。そして，引用例１ではＩＴＯを例に説明しているが，請求項１及び２が組成を限定していないことからも明らかなとおり，引用例１に記載された発明は，ＩＴＯに限定されるものではなく，また，引用例１には，請求項１及び２をＩＴＯ以外の酸化物に適用することの妨げとなるような記載も存在しない。したがって，引用例１には，ＩＴＯに限られない酸化物薄膜に関するより上位の発明が記載されている。
(イ)認定されるべき引用発明１の内容
以上によれば，引用発明１は，以下のとおり認定されるべきである。「気相成膜法であるスパッタ法で成膜され，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｏの元素から構成される大きなバンドギャップエネルギー（望ましくは３ｅＶ以上）を有する透明酸化物薄膜であって，電子キャリヤ濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下であることを特徴とする，ＩＴＯなどの透明半導体酸化物薄膜。」（以下「原告主張の引用発明１」という。）
イ判断の遺脱
原告は，審判請求の段階から，引用例１には，ＩＴＯに限られない酸化物薄膜に関する原告主張の引用発明１が記載されている旨主張していたから，仮にこれが記載されていないというのであれば，本件審決においてこれを否定する理由を示す必要がある。
しかし，本件審決は，引用例１に開示された実施例のみに基づきＩＴＯに限定された発明を認定しながら，このような限定された発明のみが記載されているとする根拠を何ら示していない。そして，本件審決はＩＴＯに限定された発明を認定したことにより，容易想到性の判断において，ＩＴＯという特定組成の酸化物薄膜を「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜」に代える動機付けを求めることになっている。したがって，本件審決には判断遺脱の違法がある。
(2)取消事由２－２（一致点及び相違点の認定の誤り）本件審決における引用発明１の認定は誤りであるから，これを前提とする一致点及び相違点の認定も誤りである。
そして，原告主張の引用発明１を前提とすれば，本件発明１との一致点及び相違点は，以下のとおり認定されるべきである。
ア一致点
気相成膜法のスパッタ法で成膜され，金属酸化物を有する透明酸化物薄膜であって，半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性酸化物薄膜。
イ相違点
(ア)本件発明１では「不純物イオンを添加することなしに」とされているのに対し，引用発明１ではこの点が明記されていない点。（以下「相違点Ａ」という。）
(イ)本件発明１は，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）であり，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下であるのに対し，引用発明１は，ＩＴＯなどの透明半導体酸化物薄膜であって，該酸化物の結晶化したときの組成が不明であり，電子移動度が不明であり，電子キャリヤ濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下である点。（以下「相違点Ｂ」という。）
(3)取消事由２－３（相違点の容易想到性判断の誤り）
ア相違点Ａ及びＢの容易想到性
以下のとおり，原告主張の引用発明１において，相違点Ａ及びＢに係る本件発明１の構成は，当業者が容易に想到することができたことである。
(ア)相違点Ａの容易想到性
半導体の分野において不純物イオンを添加するのは，キャリヤを増やすためであって，「電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下」とするために，不純物イオンを意図的に薄膜に添加することは通常の技術ではない。
引用例１には，不純物イオンを薄膜に添加したとの記載は存在せず，むしろ，酸素量を調整することで導電率を制御する（電気抵抗を高める）ことが記載されている（【００１９】）。
したがって，引用発明１においても，不純物イオンを薄膜に添加していないとみるべきであるし，少なくとも，添加しないことは容易であるから，相違点Ａは，実質的な相違点とはいえないか，少なくとも，容易に想到できる。
(イ)相違点Ｂの容易想到性
本件発明１には「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）であり」とある（以下，「式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」を「本件組成」といい，アモルファスであることをいう場合には，「アモルファス本件組成」という。）。
ここで，本件明細書の【００２５】には「スパッタリング法やパルスレーザー蒸着法により成膜を行う際のターゲット材料（例えば多結晶体）の組成比を，上記ｍ＜６を満たすようにすれば，所望のアモルファス酸化物が得られる。」とあることから，上記構成要件との関係では，結晶性のターゲット材料を用いて成膜したアモルファス層が容易といえるか否かを検討すれば足りる。
ａアモルファス本件組成は周知であること


引用例４及び引用例７ないし９には，アモルファス本件組成が記載されているから，アモルファス本件組成自体は周知である。
ｂアモルファス本件組成を適用する動機付け
⒜原告主張の引用発明１は，半導体層としてアモルファスシリコンよりバンドギャップの大きい透明材質の半導体を使うことで光に影響されず，更に開口率を増大させることができる薄膜トランジスタを提供することを目的とする発明であり（【０００７】），バンドギャップとしては３ｅＶ以上が望ましいとされている（【００２１】）。
ここで，バンドギャップエネルギーの大きさは，薄膜がどの程度の波長の光を透過できるかに影響するところ，本件組成のバンドギャップエネルギーは３ｅＶ前後であり，良好な透明性を示すことが知られていた（引用例７，９）。また，甲２５には，原告主張の引用発明１が例示するＩＴＯの基礎吸収端波長が４５０ｎｍであり，可視領域の短波長側領域での透明性が乏しいのに対し，本件組成は，それよりも短波長側に基礎吸収端波長があり，４００ｎｍでの透過率がＩＴＯの２倍以上も高く，しかも，電気伝導率がＩＴＯと同等か，それ以上であることが開示されている。したがって，透明膜として本件組成が，ＩＴＯよりも優れていることが知られていた。
⒝さらに，原告主張の引用発明１の課題からすれば，吸収端のみならず可視光領域全体における透過率が高いことが望ましいことは明らかであるところ，引用例８には，アモルファス本件組成の４００～８００ｎｍの平均透過率が８０％程度であることが記載され，また，甲２９には，本件組成の可視光領域における透過率が原告主張の引用発明１の例示するＩＴＯのそれよりも全体的に高いことが記載されている。
⒞ところで，本件明細書では，電子移動度が０．０１～１ｃｍ２／（Ｖ・秒）程度でＴＦＴとして使用できるとされている（【００３７】，【００３８】）。仮に当該記載に従うとすれば，アモルファス本件組成の電子移動度は，１０ｃｍ２／（Ｖ・秒）以上であるから（引用例４，７，９），これをＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に使用した場合に良好な特性が得られることは明らかである。さらに，引用例１に記載されている酸化物では，酸素量を調整することで電子キャリヤ濃度を下げることができることは周知であり，また，アモルファス酸化物材料をトランジスタの活性層に用いること（甲３０），アモルファス酸化物材料であるアモルファス本件組成で電子キャリヤ濃度の低い薄膜も知られていた（甲９）。
したがって，アモルファス本件組成をトランジスタの活性層に使用する動機付けがある。
⒟他方，アモルファス材料は，一般に，結晶系と比較して，低温プロセスで製品を製造できるなどの利点があるため，産業上の利用可能性を考慮すれば，結晶性のものよりも有利であるといえ，少なくとも，アモルファス本件組成が周知であるときに，これを使用することを阻害する理由はない。
⒠以上のとおり，原告主張の引用発明１の課題，アモルファスの利点などからして，原告主張の引用発明１の酸化物薄膜としてアモルファス本件組成を選択する強い動機付けがある一方で，その適用を阻害する理由はない。したがって，原告主張の引用発明１にアモルファス本件組成を適用することは容易である。
ｃ電子キャリヤ濃度
アモルファス本件組成の薄膜の電子キャリヤ濃度として，４．２×１０１６ｃｍ－３が知られていた（引用例９）。そして，当該アモルファス膜は，多結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の円盤状ターゲットを用いＡｒ（アルゴン）中で成膜されたものであるから，酸素ガスを含まない中で成膜されたものである。
原告主張の引用発明１は，ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に用いる酸化物薄膜を製造するに際し，酸素濃度を調整することでＩＴＯのような導電膜であっても電子キャリヤ濃度を下げることでトランジスタ用の薄膜にできることを開示する発明であり，かつ，酸化物では酸素濃度を調整することで電子キャリヤ濃度を調整できることが周知であり，さらに，トランジスタ（とりわけノーマリーオフ型のトランジスタ）においては薄膜の抵抗率が高いこと，すなわち，電子キャリヤ濃度が低いことが望ましいことも周知の事実である（引用例１０，１１）。したがって，原告主張の引用発明１の酸化物薄膜として，アモルファス本件組成を採用するに際し，引用例９に記載の条件に加えて酸素濃度を高くすることで，電
子キャリヤ濃度を１×１０１６ｃｍ
－３以下にすることは容易である。
ｄ電子移動度
本件発明１には，「電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超」との規定があるが，電子キャリヤ濃度が１×１０１６ｃｍ－３以下であれば，抵抗が十分に高くなるので，電子移動度の値は電流の流れやすさにほとんど影響を与えないから，電子キャリヤ濃度が１×１０１６ｃｍ－３以下の薄膜における電子移動度を特定することに特段の技術的意義は認められない。したがって，本件発明１における電子移動度の値は，単なる設計的事項というべきであるから，この点は容易に想到できる。
ｅアモルファス本件組成の製法
酸化物の製造において，高周波スパッタ法は，ごく一般的な方法である上，アモルファス本件組成について，引用例９では，室温での酸化物の多結晶膜をターゲットとした高周波スパッタ法を採用している。そうすると，周知のアモルファス本件組成を採用するに当たり，高周波スパッタ法を採用することは容易である。したがって，製法の点は容易に想到できる。また，そうである以上，「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」とすることも容易に想到できる。
ｆ以上要するに，アモルファス本件組成は周知の物質であり，また，キャリヤ濃度が十分に低く（４．２×１０１６ｃｍ－３），移動度が高い（２１ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１）アモルファス本件組成自体が公知であり（引用例９），さらに，酸化物半導体では酸素欠損量を調整することでキャリヤ濃度の調整ができること及びキャリヤ濃度の増加に伴い移動度が増加する傾向にあることも公知ないしは周知であるときに，本件組成の物性（キャリヤ濃度と移動度）を規定するだけの「透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜」なる発明に進歩性が認められる余地はない。したがって，相違点Ｂは，容易に想到できる。
(ウ)小括
以上のとおり，本件発明１は，原告主張の引用発明１に周知のアモルファス本件組成を適用することで当業者が容易に想到することができたものである。


イ相違点１－１の容易想到性判断の誤り
仮に，本件審決における引用発明の認定に誤りがないとしても，相違点１－１に係る容易想到性判断は，前記アと同様に，誤りである。
〔被告の主張〕
(1)取消事由２－１（引用発明１の認定の誤り）
ア引用発明１の認定
引用例１には「電子キャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下である」透明酸化物薄膜は一貫してＩＴＯしか記載されておらず（【００１３】～【００１８】，【００２２】），原告が主張するような，ＩＴＯ以外の他の酸化物を活性層として用いた「電子キャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下である」透明酸化物薄膜は，記載されていない。
引用例１の【００１９】は，ＩＴＯのようにＩｎ２Ｏ３結晶中の微量の酸素欠陥とＩｎ－Ｏ結晶格子にＳｎが置換して生じる電子がキャリアとなって導電性が発現するような酸化物について膜中の酸素量を変化させることによって導電率を調整することが可能であることを述べているにすぎず，上記記載から，実施例１の「キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ」た「ＩＴＯ」が，突如として「他の酸化物」に変身するはずがない。引用文献に記載された技術内容を抽象化したり，一般化したり，上位概念化したりすることは許されないから，引用例１において，ＩＴＯをＩＴＯに限られない酸化物薄膜へと抽象化，一般化及び上位概念化することはできない。以上によれば，本件審決における引用発明１の認定に誤りはない。
イ判断の遺脱がないこと
引用例１には，前記アのとおり，原告の主張する「電子キャリア濃度が１０１８個
・ｃｍ
－３以下」であるＩＴＯ以外の酸化物に係る記載は全くない。本件審決は，原告の主張する「ＩＴＯなどの酸化物」を，引用例１の記載に即して「ＩＴＯ」に限定して引用発明１を認定したものであり，原告の主張を一部排斥して適正な認定を行ったにすぎない。そして，引用発明１を認定した理由は，本件審決に詳細に示されている。
したがって，本件審決に判断の遺脱はない。
(2)取消事由２－２（一致点及び相違点の認定の誤り）本件審決における引用発明１の認定に誤りはないから，原告主張の引用発明１を前提とする一致点及び相違点の認定の誤りに係る主張は，失当である。(3)取消事由２－３（相違点の容易想到性判断の誤り）
ア相違点Ａ及びＢの容易想到性
仮に原告主張の引用発明１を前提に，本件発明１との相違点が，相違点Ａ及びＢのとおり認定されるとしても，以下のとおり，本件発明１は，原告主張の引用発明１に基づき当業者が容易に想到することができたものではない。
(ア)相違点Ａの容易想到性
引用例１の酸化物はＩＴＯである。ＩＴＯはＳｎ（スズ）をドープしたＩｎ２Ｏ３（酸化インジウム）である。Ｓｎ４＋はＩｎ３＋サイトを置き換えて電子を放出するドナー不純物である。
したがって，引用例１には不純物イオンが添加された薄膜が示されている。
(イ)相違点Ｂの容易想到性
原告の主張は，多数の文献に依拠しつつ，多段階の論理操作をしなければ本件発明１に想到することができないというものであるから，容易想到性に関する論理付けとして，失当であるというほかない。また，原告の主張は，本件特許の出願日前には公開されていない本件明細書の記載（【００３７】，【００３８】）に基づき進歩性を論じている点でも失当である。加えて，原告の主張は，アモルファス本件組成を選択できたことが暗黙の前提になっており，そのような前提をとった上で，アモルファス本件組成を選択することの許容性を論じるものにすぎない。どうやって酸化物の中からアモルファス本件組成を選択するかが問題であるのに，それを選択することがあたかも当然の前提となっているのであり，「後知恵」以外の何物でもない。
ａアモルファス本件組成について
アモルファス本件組成は，専ら「透明導電膜」の用途として周知だったのであり，本件発明１のようにＴＦＴの活性層に用いることが可能なキャリヤ濃度及び移動度を調整したものとして周知だったわけではない。
ｂアモルファス本件組成を選択する動機付けについて⒜本件組成が，透明膜の透明性という点で，ＩＴＯよりも優れているとしても，透明膜を選択する際には透明性だけが考慮の対象になるわけではなく，導電性その他の各種の電気的特性も考慮されるべきであるから，透明膜として本件組成がＩＴＯより優れているとの点は，本件組成を選び出す理由になっていない。また，甲３０には，本件組成とは全く異なる材料でＴＴＦＴ（ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＴｈｉｎ－Ｆｉｌｍ    Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）を作製した例が記載されているにすぎない。さらに，アモルファス材料は，一般に，結晶系と比較して低温プロセスで製品を製造できるなどの利点があるというのは，本件組成を選ぶ理由にはならない。
⒝引用例１のＩＴＯに代えて別の酸化物を試す必要性などないので，他の酸化物を適宜試すこと自体に困難性があるし，電気的特性予測方法が知られていない以上，多数の酸化物から本件組成を選択することにも困難性がある。さらに，結晶ではなく，シリコンの例でいえば特性が格段に劣ることが予想されるアモルファスを選択することにも困難性がある。
⒞以上のとおり，アモルファス本件組成を選択すること自体に困難性がある。
ｃ電子キャリヤ濃度について
「電子キャリヤ濃度を１×１０１６ｃｍ－３以下にすること」については，「引用例９に記載の条件に加えて酸素濃度を高くする」という「容易の容易」と言える２段階の操作（引用例１に引用例９を組み合わせるという操作に加えて，さらに，製造工程中の酸素濃度を調整することによって電子キャリヤ濃度を低く調整するという操作）が要求されている。
このような２段階の操作を要する構成が，容易に想到することができたものであるはずがない。
ｄ電子移動度について


電子移動度が０．１ｃｍ２／（Ｖ・秒）程度であれば，アモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴと同等以上の性能を有する（本件明細書【００３７】）のであるから，数値限定として意味がある。
したがって，電子移動度の値は，単なる設計的事項などではない。
ｅ小括
以上のとおり，相違点Ｂは，容易に想到することができたものではない。イ相違点１－１の容易想到性判断に係る主張について本件審決が認定した相違点１－１について，その容易想到性判断が誤りである旨の原告の主張は，民事訴訟法１５７条によって却下されるべきである。３取消事由３（本件発明１の引用発明２に基づく容易想到性判断の誤り）につ
いて
〔原告の主張〕
(1)相違点２－１の容易想到性
ア引用例２には，結晶粒界による散乱を考慮してチャネルをアモルファスにしてもよいことが記載されているところ，引用例２で用いられているＺｎＯは通常の方法ではアモルファスにすることが困難なことが知られている（引用例７，本件明細書【０００４】）。
そして，アモルファス本件組成は周知であり，半導体層として有用な特性が知られていたことに加え，引用例７にはＺｎＯに代えてアモルファス本件組成を使用することが記載されているから，引用発明２において，アモルファス本件組成を採用することには，強い動機付けがある。
なお，本件審決は価格差を問題とするが，アモルファス本件組成を採用することが容易であるか否かを，必ずしも量産と結び付けて考える必要はないから，価格差が大きな関心事になるわけではない。また，引用例２では半導体層として結晶のものも含まれているところ，アモルファスにすれば，結晶と比較して製造コストを下げることは可能である。したがって，価格差を重視するのは，誤りである。イ半導体装置の技術分野において，半導体装置を構成する部材に含まれる元素が属する族の違いによって，半導体装置の電気的特性が異なる場合があることは，当業者において周知の事項である。しかし，他方で，半導体装置を構成する部材に含まれる元素が属する族の違いによって，半導体装置の電気的特性が異ならない場合が多いことも事実であるから，結局，本件発明１の優先日当時の技術水準として，当業者がアモルファス状の酸化アルミニウムに接してＩＧＺＯ系を成膜した場合に問題が生じると理解するかどうかによって，族の違いが阻害事由になるか否かが決まるというべきである。
そして，酸化アルミニウムは絶縁膜としては周知の材質である上，引用例７の図４にはアモルファスの酸化アルミニウムの上にアモルファス本件組成が成膜され，引用例１１にはＩＧＺＯ系を用いたトランジスタの「ゲート絶縁膜３には，Ａｌ２Ｏ３が最も適している。」，「トップゲート型ＭＩＳＦＥＴ素子を作製した。ソースとドレイン電極及びゲート絶縁膜にはＡｕ及び，アモルファスＡｌ２Ｏ３をそれぞれ用いた。」と記載されているように，実際にアモルファス状の酸化アルミニウムに接してＩＧＺＯ系が成膜されていることからして，本件発明１の優先日当時の技術水準として，当業者がアモルファス状の酸化アルミニウムに接してＩＧＺＯ系を成膜した場合に問題が生じると理解することはないということができる。したがって，族の違いは，阻害事由とはならない。
ウ以上によれば，相違点２－１は容易に想到できる。
(2)相違点２－２の容易想到性
アノーマリーオフ型のトランジスタに用いる薄膜として電子キャリヤ濃度が低いことがよいことは周知であるところ，これは，ノーマリーオフ型のトランジスタの性質の問題であって，そこで用いる半導体層が結晶であるかアモルファスであるかによって影響を受けない。そして，引用例１０には，キャリヤ濃度が１０１３ｃｍ－３と見積もられる単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜が開示されているのであるから，このキャリヤ濃度をアモルファス本件組成に適用することは，当業者において容易に想到することができたことである。
また，本件発明１における電子移動度の規定に特別な技術的意義はなく，単なる設計的事項である。
イ以上によれば，相違点２－２は容易に想到できる。
〔被告の主張〕
(1)相違点２－１の容易想到性
アアモルファス本件組成は，導電膜としての用途で研究が進められていたのであって，薄膜トランジスタの活性層の用途で検討されていたわけではない。つまり，導電膜用途のアモルファス本件組成は知られていたが，本件発明１のような電気的特性を有する薄膜としては知られていなかった。
したがって，当業者が，引用例２のＺｎＯ，ＭｇＺｎＯ及びＣｄＺｎＯを，理由も必要もなく，アモルファス本件組成に置き代えると考えることはない。そして，引用例７は，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜の電気的特性を考察した論文であって，引用発明２のＺｎとＯを含む薄膜に代えてアモルファス本件組成を使用することについては，何らの記載も示唆もない。
以上によれば，相違点２－１は，阻害事由の有無に言及するまでもなく，容易に想到することができたものではない。
イ原告の主張について
引用発明２のＺｎＯを置き換えて，アモルファス酸化物半導体であるＩｎＧａＺｎＯ４を用いた場合には，ＩｎＧａＺｎＯ４とアモルファス状の酸化アルミニウムとの間に形成される界面の欠陥準位の状態には，ＩｎＧａＺｎＯ４に含まれるⅠⅠⅠ族元素である「Ｉｎ」及び「Ｇａ」の影響が出るであろうと，当業者であれば予測する。このことは，異なった組成の材料を積層させたときの界面の電気的特性を予測することができない以上，当然のことである。
引用例７は界面の電気的特性を測定しているわけではないし，そもそも薄膜トランジスタを作製していない。また，引用例１１は，単結晶のＩＧＺＯについて記載しているにすぎない。そもそも，引用例１１という，わずか１件の文献が存在することから，直ちに，アモルファス状の酸化アルミニウムに接してＩＧＺＯ系を成膜した場合に問題がないというような技術常識が生じることはない。
(2)相違点２－２の容易想到性


ノーマリーオフ型のトランジスタに用いる薄膜として電子キャリヤ濃度が低いことがよいことは周知である旨の原告の主張は，本件組成のアモルファス薄膜をノーマリーオフ型のトランジスタに適用できたことが前提となっている。しかし，アモルファス本件組成を用いた薄膜トランジスタに関する報告は，本件特許の優先日以前は存在しないから，原告の上記主張は，その前提において誤りである。また，どのような材料で，どこまで電子キャリヤ濃度の低いものを実現できるかは，予測不可能である。
さらに，電子移動度が０．１ｃｍ２／（Ｖ・秒）以上であれば，アモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴと同等以上の性能を有する（本件特許明細書【００３７】）のであるから，電子移動度の規定は，数値限定として意味がある。以上によれば，相違点２－２は，容易に想到することができたものではない。４取消事由４（本件発明１の実施可能要件の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)本件明細書の成膜条件は導電性膜を開示する引用例４の製造方法に含まれる
こと
ア引用例４の【００３０】には，「圧力（酸素分圧）を１×１０－２［Ｐａ］～１０［Ｐａ］の範囲とすることで，非晶質の酸化物膜を形成することができる。」と明記されている。そして，本件明細書の実施例の範囲は，全てこの範囲に含まれる。また，本件明細書の実施例３には，スパッタ法の例が記載されており，酸素分圧の範囲は「３×１０－２Ｐａ以上，５×１０－１Ｐａ以下」（【００６５】，【００６６】）であるから，引用例４に記載された望ましい圧力の範囲である０．０１～１（Ｐａ）に含まれている。
以上のとおり，本件発明１は，「半絶縁性である」薄膜を成膜することを特徴とするものであるが，本件明細書の発明の詳細な説明に記載された成膜条件は，導電性膜を開示する引用例４の製造方法に含まれるのであるから，本件明細書の開示が引用例４の内容と矛盾していることは明らかである。
イしたがって，本件組成を含めた酸化物一般について，酸素量を調整することで電子キャリヤ濃度を調整する手法が周知であることを前提とするのであればともかく，これを前提としない場合には，当業者であっても，導電膜を成膜する条件で行われている本件明細書の記載において，電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性膜が成膜されることを理解することはできないというべきである。(2)スパッタ法で作製した薄膜に係るデータが示されていないことア本件明細書には，スパッタ法で作製した薄膜のキャリヤ濃度に係る実験データが示されていない。したがって，本件発明１におけるスパッタ法では「電子キャ
リヤ濃度が１０
１６／ｃｍ３以下となる大きさに酸素分圧の大きさを制御すること」が実現できるかは明らかではない。
本件明細書の実施例３に記載されたスパッタ法の酸素分圧は，「３×１０－２Ｐａ以上，５×１０－１Ｐａ以下」，すなわち，０．０３～０．５（Ｐａ）であるから，引用例４に記載された望ましい圧力の範囲０．０１～１（Ｐａ）に完全に含まれており，範囲もほとんど同じである。
以上のとおり，本件明細書のスパッタ法による唯一の実施例が引用例４の望ましい範囲に完全に含まれており，範囲もほとんど同じである以上，少なくとも，スパッタ法については，記載不備の違法があることが明らかである。
イ被告の主張（審理範囲）について
被告は，本件明細書にスパッタ法で成膜された薄膜の電子キャリヤ濃度に係る実験データが示されていない点は，本件審判手続において，無効理由として主張されていなかった事項であるから，取消事由として不適法である旨主張する。しかし，原告は，審判請求書において，パルスレーザー蒸着法及びスパッタ法のいずれにおいても本件明細書の開示には問題があることを主張していた。原告の前記アの主張は，本件審決が上記主張に対し，パルスレーザー蒸着法に関する明細書の開示を根拠に記載不備はないとしたことを前提に，少なくとも，スパッタ法については記載不備である旨主張するものであるから，不適法ではない。
〔被告の主張〕
(1)引用例４の記載と本件明細書の記載との関係ア引用例４における酸素分圧は，「スパッタリング法及びレーザーアブレーション法においても，基板温度を室温から３００℃の範囲とし，かつ圧力（酸素分圧）を１×１０－２［Ｐａ］～１０［Ｐａ］の範囲とすることで，非晶質の酸化物膜を形成することができる。基板温度は，好ましくは０～１５０℃の範囲であり，かつ圧力は，好ましくは０．０１［Ｐａ］～１［Ｐａ］の範囲である。」（【００３０】）とあるように，望ましい範囲は，０．０１［Ｐａ］～１［Ｐａ］の範囲である。引用例４に記載された全ての実施例（実施例１～４）において，酸素分圧は，０．０１［Ｐａ］～１［Ｐａ］の範囲である。
これに対し，本件明細書は，実施例１では酸素分圧が６．５（Ｐａ）（【００４２】），実施例２では４．５（Ｐａ）超（【００５３】），実施例５では酸素分圧は５（Ｐａ）（【００７５】）である。
以上のように，引用例４の酸素分圧は小さく，本件明細書の実施例では酸素分圧は大きい。引用例４で導電膜が得られ，本件発明１で半絶縁性が得られるという点で全く矛盾はない。
イ原告の主張について
原告は，本件明細書の実施例３の酸素分圧の範囲が「３×１０－２Ｐａ以上，５×１０－１Ｐａ以下」であるから，引用例４の記載と本件明細書の記載との間に矛盾がある旨主張する。
しかし，引用例４の全ての実施例では，酸素分圧は０．０１［Ｐａ］～１［Ｐａ］であるところ，これはパルスレーザーアブレーション法（パルスレーザー堆積法）による酸素分圧である。これに対して本件明細書の実施例３はアルゴンガスを用いた高周波スパッタ法による成膜である。本件明細書から容易に理解できるとおり，パルスレーザー堆積法よりも，高周波スパッタ法による場合のほうが，所望の特性を得るためには酸素分圧を低く設定すべきである。酸素分圧等の設定値が製膜装置によって異なるのは当然であるところ，引用例４の実施例には，スパッタ法による成膜例が存在しないので，本件明細書の実施例３と比較すべき対象が存在しない。
したがって，本件明細書と引用例４の記載は矛盾しない。
(2)スパッタ法について


ア本件明細書には，スパッタ法で成膜された薄膜の電子キャリヤ濃度に係る実験データが示されていない。しかし，この点は，本件審判手続において，無効理由として主張されていなかった事項であるから，取消事由として主張することはできない。
イ上記の点を措いても，スパッタ法に関しては，酸素分圧の範囲はＰＬＤ法と異なるものの，本件明細書の実施例３に記載がある（【００５８】～【００６５】）。そして，成膜方法によって薄膜の組成自体が変わるわけではないから，ＰＬＤ法による薄膜の電子キャリヤ濃度に係る実験データが示されている以上，同じ真空成膜法であるスパッタ法で成膜された薄膜においても同様の結果が得られているであろうことは当業者ならば当然に認識可能である。
したがって，スパッタ法で成膜された薄膜に関して実施可能要件が欠如するということはない。
５取消事由５（本件発明２ないし６の容易想到性並びに本件発明２，５及び６の実施可能要件の判断の誤り）について
〔原告の主張〕
本件発明３は，本件発明１の組成のＺｎの一部がＭｇに置換されたものであり，本件発明２及び４ないし６は，本件発明１及び３に限定を加えたものであって，本件発明１についての取消事由の内容は，本件発明２ないし６にも妥当する。そして，本件発明１の引用発明１に基づく容易想到性，引用発明２に基づく容易想到性及び実施可能要件の判断は，前記２ないし４の〔原告の主張〕のとおり，いずれも誤りであるから，同様に，本件発明２ないし６の引用発明１に基づく容易想到性，引用発明２に基づく容易想到性並びに本件発明２，５及び６の実施可能要件の判断も，いずれも誤りである。
〔被告の主張〕
本件発明１の引用発明１に基づく容易想到性，引用発明２に基づく容易想到性及び実施可能要件の判断には，前記２ないし４の〔被告の主張〕のとおり，誤りはないから，同様に，本件発明２ないし６の引用発明１に基づく容易想到性，引用発明２に基づく容易想到性並びに本件発明２，５及び６の実施可能要件の判断に，誤りはない。
第４当裁判所の判断
１本件各発明について
(1)本件明細書等の記載
本件各発明に係る特許請求の範囲（請求項１～６）は，前記第２の２記載のとおりであるところ，本件明細書（甲２３）の発明の詳細な説明には，おおむね，次の記載がある（下記記載中に引用する図１，２及び５については，別紙本件明細書図面目録を参照。）。
ア技術分野
【０００１】本発明は，アモルファス酸化物薄膜及び薄膜トランジスタに関する。
イ背景技術
【０００２】薄膜トランジスタ（ＴｈｉｎＦｉｌｍ    Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ,ＴＦＴ）は，ゲート端子，ソース端子，及び，ドレイン端子を備えた３端子素子であり，基板上に成膜した半導体薄膜を，電子又はホールが移動するチャネル層として用い，ゲート端子に電圧を印加して，チャネル層に流れる電流を制御し，ソース端子とドレイン端子間の電流をスイッチングする機能を有するアクティブ素子である。ＴＦＴとして，現在，最も広く使われているのは多結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜をチャネル層材料としたＭｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄ    ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ(ＭＩＳ－ＦＥＴ)素子である。
【０００３】また，最近では，ＺｎＯを用いた透明伝導性酸化物多結晶薄膜をチャネル層に用いたＴＦＴの開発が活発に行われている…。上記薄膜は，低温で成膜でき，かつ可視光に透明であるため，プラスチック板やフィルムなどの基板上にフレキシブルな透明ＴＦＴを形成することが可能である。【０００４】しかし，従来のＺｎＯは室温で安定なアモルファス相を形成することができず，殆どのＺｎＯは多結晶相を呈するために，多結晶粒子界面の散乱により，電子移動度を大きくすることができない。さらに，ＺｎＯは，酸素欠陥が入りやすく，キャリア電子が多数発生し，電気伝導度を小さくすることが難しい。このために，トランジスタのオン・オフ比を大きくすることも難しい。【０００５】また，特許文献２（判決注・引用例４）には，アモルファス酸化物として，ＺｎｘＭｙＩｎｚＯ（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）（式中，ＭはＡｌ及びＧａのうち少なくとも一つの元素であり，比率ｘ／ｙが０．２～１２の範囲であり，比率ｚ／ｙが０．４～１．４の範囲にある。）で表される非晶質酸化物が記載されている。しかし，ここで得られている非晶質酸化物膜の電子キャリア濃度は，１０１８／ｃｍ３以上であり，単なる透明電極として用いるには充分であるもののＴＦＴのチャネル層には適用し難いものであった。なぜなら，上記非晶質酸化物膜をチャネル層としたＴＦＴでは，オン・オフ比が充分にとれず，ノーマリーオフ型のＴＦＴにはふさわしくないことが判明したからである。
ウ発明が解決しようとする課題
【０００７】そこで，本発明は，電子キャリア濃度が低い，アモルファス酸化物薄膜を提供すること，更には当該アモルファス酸化物薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタを提供することを目的としている。
エ課題を解決するための手段
【０００８】本発明は，（１）スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜，である。


【０００９】このアモルファス酸化物薄膜は，電子キャリア濃度が増加すると共に，電子移動度が増加する特徴を有する。また，縮退伝導を示す特徴を有する。なお，ここでの縮退伝導とは，電気抵抗の温度依存性における熱活性化エネルギーが，３０ｍｅＶ以下の状態をいう。
【００１５】本発明の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜は，電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に添加せず，酸素ガスを含む雰囲気中で成膜することにより製造される。
【００１６】本発明によれば，電子キャリア濃度が低い，アモルファス酸化物が提供できるとともに，それをチャネル層に用いた薄膜トランジスタの提供が可能となる。
オ実施例
(ア)実施例１（ＰＬＤ法によるアモルファスＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ薄膜の作製）
【００３９】図７に示すようなＰＬＤ成膜装置を用いて，成膜を行った。同図において，７０１はＲＰ（ロータリーポンプ），７０２はＴＭＰ（ターボ分子ポンプ），７０３は準備室，７０４はＲＨＥＥＤ用電子銃，７０５は基板を回転，上下移動するための基板保持手段，７０６はレーザー入射窓，７０７は基板，７０８はターゲット，７０９はラジカル源，７１０はガス導入口，７１１はターゲットを回転，上下移動するためのターゲット保持手段，７１２はバイパスライン，７１３はメインライン，７１４はＴＭＰ（ターボ分子ポンプ），７１５はＲＰ（ロータリーポンプ），７１６はチタンゲッターポンプ，７１７はシャッターである。また，図中７１８はＩＧ（イオン真空計），７１９はＰＧ（ピラニ真空計），７２０はＢＧ（バラトロン真空計），７２１は成長室（チャンバー）である。【００４０】ＫｒＦエキシマレーザーを用いたパルスレーザー蒸着法により，ＳｉＯ２ガラス基板（コーニング社製１７３７）上にＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系アモルファス酸化物半導体薄膜を堆積させた。堆積前の処理として，基板の超音波による脱脂洗浄を，アセトン,エタノール,超純水を用いて，各５分間行った後，空気中１００℃で乾燥させた。
【００４１】前記多結晶ターゲットには，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４焼結体ターゲット（サイズ２０ｍｍΦ５ｍｍｔ）を用いた。これは，出発原料として，Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ（各４Ｎ試薬）を湿式混合した後(溶媒：エタノール)，仮焼（１０００℃：２ｈ），乾式粉砕，本焼結（１５５０℃：２ｈ）)を経て得られるものである。こうして作製したターゲットの電気伝導度は，９０(Ｓ／ｃｍ)であった。【００４２】成長室の到達真空を２×１０－６（Ｐａ）にして，成長中の酸素分圧を６．５（Ｐａ）に制御して成膜を行った。チャンバー７２１内酸素分圧は６．５Ｐａ，基板温度は２５℃である。なお，ターゲット７０８と被成膜基板７０７間の距離は，３０（ｍｍ）であり，入射窓７１６から入射されるＫｒＦエキシマレーザーのパワーは，１．５－３（ｍＪ／ｃｍ２／ｐｕｌｓｅ）の範囲である。また，パルス幅は，２０（ｎｓｅｃ)，繰り返し周波数は１０（Ｈｚ），そして照射スポット径は，１×１（ｍｍ角）とした。こうして，成膜レート７(ｎｍ／ｍｉｎ）で成膜を行った。
【００４３】得られた薄膜について，薄膜のすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法，入射角０．５度）を行ったところ，明瞭な回折ピークは認められなかったことから，作製したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系薄膜はアモルファスであるといえる。さらに，Ｘ線反射率測定を行い，パターンの解析を行った結果，薄膜の平均二乗粗さ（Ｒｒｍｓ）は約０．５ｎｍであり，膜厚は約１２０ｎｍであることが分かった。蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）分析の結果，薄膜の金属組成比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝０．９８：１．０２：４であった。電気伝導度は，約１０－２Ｓ／ｃｍ未満であった。電子キャリア濃度は約１０１６/ｃｍ３以下，電子移動度は約５ｃｍ２／（Ｖ・秒）と推定される。【００４４】光吸収スペクトルの解析から，作製したアモルファス薄膜の禁制帯エネルギー幅は，約３ｅＶと求まった。以上のことから，作製したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系薄膜は，結晶のＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４の組成に近いアモルファス相を呈しており，酸素欠損が少なく，電気伝導度が小さな透明な平坦薄膜であることが分かった。
【００４５】具体的に図１を用いて説明する。同図は，Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏから構成され，結晶状態を仮定した時の組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ(ｍは６未満の数)で表される透明アモルファス酸化物薄膜を本実施例と同じ条件下で作成する場合に，酸素分圧を変化させた場合に，成膜された酸化物の電子キャリア濃度の変化を示したものである。
【００４６】本実施例と同じ条件下で酸素分圧を４．５Ｐａ超の高い雰囲気中で，成膜することにより，図１に示すように，電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満に低下させることができた。この場合，基板の温度は意図的に加温しない状態で，ほぼ室温に維持されている。フレキシブルなプラスチックフィルムを基板として使用するには，基板温度は１００℃未満に保つことが好ましい。【００４７】酸素分圧をさらに大きくすると，電子キャリア濃度をさらに低下させることができる。例えば，図１に示す様に，基板温度２５℃，酸素分圧５Ｐａで成膜したＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４薄膜では，さらに，電子キャリア濃度を１０１６／


ｃｍ
３に低下させることができた。
【００４８】得られた薄膜は，図２に示す様に，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超であった。しかし，本実施例のパルスレーザー蒸着法では，酸素分圧を６．５Ｐａ以上にすると，堆積した膜の表面が凸凹となり，ＴＦＴのチャネル層として用いることが困難となる。従って，酸素分圧４．５Ｐａ超，望ましくは５Ｐａ超，６．５Ｐａ未満の雰囲気で，パルスレーザー蒸着法で作製したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏから構成され，結晶状態における組成ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の数）で表される透明アモルファス酸化物薄膜を用いれば，ノーマリーオフのトランジスタを構成することができる。
【００４９】また，該薄膜の電子移動度は，１ｃｍ２／Ｖ・秒超が得られ，オン・オフ比を１０３超に大きくすることができた。以上，説明したように，本実施例に示した条件下でＰＬＤ法によりＩｎＧａＺｎ酸化物の成膜を行う場合は，酸素分圧を４．５Ｐａ以上６．５Ｐａ未満になるように制御することが望ましい。なお，電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満を実現するためには，酸素分圧の条件，成膜装置の構成や，成膜する材料や組成などに依存する。
(イ)実施例２（ＰＬＤ法によるアモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）及びＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４酸化物膜の成膜）
【００５０】ＫｒＦエキシマレーザーを用いたＰＬＤ法により，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）及びＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をそれぞれターゲットとして，ガラス基板（コーニング社製１７３７）上にＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系アモルファス酸化物膜を堆積させた。ＰＬＤ成膜装置は，実施例１で示したものを用い，成膜条件は上記と同様とした。基板温度は２５℃で成膜を行った。【００５１】得られた膜に関し，膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法，入射角０．５度）を行ったところ，明瞭な回折ピークは検出されず，２種類のターゲットから作製したＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系膜は，いずれもアモルファス膜であることが示された。
【００５２】さらに，ガラス基板上のＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系アモルファス酸化物膜のＸ線反射率測定を行い，パターンの解析を行った結果，薄膜の平均二乗粗さ（Ｒｒｍｓ）は約０．５ｎｍであり，膜厚は約１２０ｎｍであることが分かった。蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）分析の結果，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られた膜の金属原子組成比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１．１：１．１：０．９であった。また，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られた膜の金属原子組成比は，Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝０．９８：１．０２：４であった。
【００５３】成膜時の雰囲気の酸素分圧を変化させ，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られたアモルファス酸化物膜の電子キャリア濃度を測定した。その結果を図１に示す。酸素分圧が４．５Ｐａ超の雰囲気中で成膜することにより，電子キャリア濃度を１０１８／ｃｍ３未満に低下させることができた。この場合，基板の温度は意図的に加温しない状態でほぼ室温に維持されている。また，酸素分圧が６．５Ｐａ未満の時は，得られたアモルファス酸化物膜の表面は平坦であった。
【００５４】酸素分圧が５Ｐａの時，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られたアモルファス酸化膜の電子キャリア濃度は１０１６／ｃｍ３，電気伝導度は，１０－２Ｓ／ｃｍであった。また，電子移動度は，約５ｃｍ２／Ｖ・秒と推測された。光吸収スペクトルの解析から，作製したアモルファス酸化物膜の禁制帯エネルギー幅は，約３ｅＶと求まった。酸素分圧を５Ｐａからさらに大きくすると，電子キャリア濃度をさらに低下させることができた。【００５５】図１に示す様に，基板温度２５℃，酸素分圧６Ｐａで成膜したＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系アモルファス酸化物膜では，電子キャリア濃度を８×１０１５／
ｃｍ
３（電気伝導度：約８×１０
－３Ｓ／ｃｍ）に低下させることができた。得られた
膜は，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超と推測された。しかし，ＰＬＤ法では，酸素分圧を６．５Ｐａ以上にすると，堆積した膜の表面が凸凹となり，ＴＦＴのチャネル層として用いることが困難となった。


【００５６】ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとし，異なる酸素分圧で成膜したＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系アモルファス酸化物膜に関して，電子キャリア濃度と電子移動度の関係を調べた。その結果を図２に示す。電子キャリア濃度が，１０１６／ｃｍ３から１０２０／ｃｍ３に増加すると，電子移動度は，約３ｃｍ２／（Ｖ・秒）から約１１ｃｍ２／（Ｖ・秒）に増加することが示された。また，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体をターゲットとして得られたアモルファス酸化膜に関しても，同様の傾向が見られた。(ウ)実施例３（ＳＰ法によるＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系アモルファス酸化物膜の成膜）
【００５８】雰囲気ガスとしてアルゴンガスを用いた高周波ＳＰ法により，成膜する場合について説明する。ＳＰ法は，図８に示す装置を用いて行った。同図において，８０７は被成膜基板，８０８はターゲット，８０５は冷却機構付き基板保持手段，８１４は，ターボ分子ポンプ，８１５はロータリーポンプ，８１７はシャッター，８１８はイオン真空計，８１９はピラニ真空計，８２１は成長室（チャンバー），８３０はゲートバルブである。被成膜基板８０７としては，ＳｉＯ２ガラス基板（コーニング社製１７３７）を用意した。成膜前処理として，この基板の超音波脱脂洗浄を，アセトン，エタノール，超純水により各５分ずつ行った後，空気中１００℃で乾燥させた。
【００５９】ターゲット材料としては，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体（サイズ２０ｍｍΦ５ｍｍｔ）を用いた。この焼結体は，出発原料として，Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ（各４Ｎ試薬）を湿式混合（溶媒：エタノール）し，仮焼（１０００℃：２ｈ），乾式粉砕，本焼結（１５５０℃：２ｈ）を経て作製した。このターゲット８０８の電気伝導度は９０（Ｓ／ｃｍ）であり，半絶縁体状態であった。
【００６０】成長室８２１内の到達真空は，１×１０－４（Ｐａ）であり，成長中の酸素ガスとアルゴンガスの全圧は，４～０．１ｘ１０－１（Ｐａ）の範囲での一定の値とし，アルゴンガスと酸素との分圧比を変えて，酸素分圧を，１０－３～２ｘ１０－１（Ｐａ）の範囲で変化させた。また，基板温度は，室温とし，ターゲット８０８と被成膜基板８０７間の距離は，３０（ｍｍ）であった。投入電力は，ＲＦ１８０Ｗであり，成膜レートは，１０（ｎｍ／ｍｉｎ）で行った。【００６１】得られた膜に関し，膜面にすれすれ入射Ｘ線回折（薄膜法，入射角＝０．５度）を行ったところ，明瞭な回折ピークは検出されず，作製したＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系膜はアモルファス膜であることが示された。さらに，Ｘ線反射率測定を行い，パターンの解析を行った結果，薄膜の平均二乗粗さ（Ｒｒｍｓ）は約０．５ｎｍであり，膜厚は約１２０ｎｍであることが分かった。蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）分析の結果，薄膜の金属組成比はＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝０．９８：１．０２：４であった。
【００６２】成膜時の雰囲気の酸素分圧を変化させて得られたアモルファス酸化物膜の電気伝導度を測定した。その結果を図３に示す。図３に示すように，酸素分圧を３×１０－２Ｐａ超の高い雰囲気中で，成膜することにより，電気伝導度を１０Ｓ／ｃｍ未満に低下させることができた。
【００６３】酸素分圧をさらに大きくすることにより，電子キャリア濃度を低下させることができた。例えば，図３に示す様に，基板温度２５℃，酸素分圧１０－１Ｐａで成膜したＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４薄膜では，さらに，電気伝導度を約１０－１０Ｓ／ｃｍに低下させることができた。また，酸素分圧１０－１Ｐａ超で成膜したＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４薄膜は，電気抵抗が高すぎて電気伝導度は測定できなかった。この場合，電子移動度は測定できなかったが，電子キャリア濃度が大きな膜での値から外挿して，電子移動度は，約１ｃｍ２／Ｖ・秒と推定された。【００６４】すなわち，酸素分圧３×１０－２Ｐａ超，望ましくは５×１０－１Ｐａ超のアルゴンガス雰囲気で，スパッタ蒸着法で作製したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏから構成され，結晶状態における組成ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ)ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される透明アモルファス酸化物薄膜を用い，ノーマリーオフで，かつオン・オフ比を１０
３超のトランジスタを構成することができた。
【００６５】本実施例で示した装置，材料を用いる場合は，スパッタによる成膜の際の酸素分圧としては，例えば，３×１０－２Ｐａ以上，５×１０－１Ｐａ以下の範囲である。なお，パルスレーザー蒸着法およびスパッタ法で作成された薄膜では，図２に示す様に，伝導電子数の増加と共に，電子移動度が増加する。【００６６】上記のとおり，酸素分圧を制御することにより，酸素欠陥を低減でき，その結果，電子キャリア濃度を減少できる。また，アモルファス状態では，多結晶状態とは異なり，本質的に粒子界面が存在しないために，高電子移動度のアモルファス薄膜を得ることができる。…
(エ)実施例５（ＰＬＤ法によるＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系アモルファス酸化物膜を用いたＴＦＴ素子の作製（ガラス基板））


【００７５】図５に示すトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した。まず，ガラス基板（１）上に，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）４組成を有する多結晶焼結体をターゲットとし，酸素分圧５Ｐａの条件で，実施例１のＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系アモルファス酸化物膜の作製法により，チャンネル層（２）として用いる厚さ１２０ｎｍのＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系アモルファス膜を形成した。
【００７８】（ＴＦＴ素子の特性評価）…ドレイン電圧ＶＤＳの増加に伴い，ドレイン電流ＩＤＳが増加したことからチャネルがｎ型伝導であることが分かる。これは，アモルファスＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系アモルファス酸化物膜がｎ型伝導体であるという事実と矛盾しない。ＩＤＳはＶＤＳ＝６Ｖ程度で飽和（ピンチオフ）する典型的な半導体トランジスタの挙動を示した。…トランジスタのオン・オフ比は，１０３超であった。また，出力特性から電界効果移動度を算出したところ，飽和領域において
約７ｃｍ
２（Ｖｓ）－１の電界効果移動度が得られた。
【００８０】本実施例によれば，電子キャリア濃度が小さく，したがって，電気抵抗が高く，かつ電子移動度が大きいチャネル層を有する薄膜トランジスタを実現できる。なお，上記したアモルファス酸化物は，電子キャリア濃度の増加と共に，電子移動度が増加し，さらに縮退伝導を示すという優れた特性を備えていた。本実施例では，ガラス基板上に薄膜トランジスタを作製したが，成膜自体が室温で行えるので，プラスチック板やフィルムなどの基板が使用可能である。また，本実施例で得られたアモルファス酸化物は，可視光の光吸収が殆どなく，透明なフレキシブルＴＦＴを実現できる。
(オ)実施例６（ＰＬＤ法によるＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系アモルファス酸化物膜を用いたＴＦＴ素子の作製）
【００８１】図５に示すトップゲート型ＴＦＴ素子を作製した。具体的には，ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（１）上に，実施例２に示した成膜法により，ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）組成を有する多結晶焼結体をターゲットとし，酸素分圧５Ｐａの雰囲気で，チャンネル層（２）として用いる厚さ１２０ｎｍのＩｎ－Ｚｎ－Ｇａ－Ｏ系アモルファス酸化物膜を形成した。【００８４】（ＴＦＴ素子の特性評価）ＰＥＴフィルム上に形成したＴＦＴの室温下で測定した電流－電圧特性は，図６と同様であった。すなわち，ドレイン電圧ＶＤＳの増加に伴い，ドレイン電流ＩＤＳが増加したことから，チャネルがｎ型伝導であることが分かる。これは，アモルファスＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系アモルファス酸化物膜がｎ型伝導体であるという事実と矛盾しない。ＩＤＳはＶＤＳ＝６Ｖ程度で飽和（ピンチオフ）する典型的なトランジスタの挙動を示した。…トランジスタのオン・オフ比は，１０３超であった。また，出力特性から電界効果移動度を算出したところ，飽和領域において約７ｃｍ２（Ｖｓ）－１の電界効果移動度が得られた。
カ産業上の利用可能性
【００８８】本発明に係るアモルファス酸化物は，薄膜トランジスタなどの半導体デバイスに利用できる。そして，この薄膜トランジスタは，例えば，ＬＣＤや有機ＥＬディスプレイのスイッチング素子として応用することができ，フレキシブル・ディスプレイをはじめ，シースルー型のディスプレイ，ＩＣカードやＩＤタグなどに幅広く応用できる。
キ図面の簡単な説明
【００８９】
【図１】第１図は，パルスレーザー蒸着法で成膜したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系アモルファス酸化物の電子キャリア濃度と成膜中の酸素分圧の関係を示すグラフである。
【図２】第２図は，パルスレーザー蒸着法で成膜したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系アモルファス酸化物膜の電子キャリアの濃度と電子移動度の関係を示すグラフである。(2)前記(1)の記載によれば，本件明細書には，本件各発明に関し，以下の点が開示されているものと認められる。
ア本件各発明は，アモルファス酸化物薄膜及び薄膜トランジスタに関する（【０００１】）。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は，基板上に成膜した半導体薄膜を，電子又はホールが移動するチャネル層として用い，ゲート端子に電圧を印加して，チャネル層に流れる電流を制御し，ソース端子とドレイン端子間の電流をスイッチングする機能を有するアクティブ素子である（【０００２】）。最近，ＺｎＯを用いた透明伝導性酸化物多結晶薄膜をチャネル層に用いたＴＦＴの開発が活発に行われているが，従来のＺｎＯは室温で安定なアモルファス相を形成することができず，そのほとんどが多結晶相を呈するため，多結晶粒子界面の散乱により，電子移動度を大きくすることができず，さらに，ＺｎＯは酸素欠陥が入りやすく，キャリヤ電子が多数発生して電気伝導度を小さくすることが難しいため，トランジスタのオン・オフ比を大きくすることが難しいという問題があった（【０００３】，【０００４】）。また，引用例４には，アモルファス酸化物として，ＺｎｘＭｙＩｎｚＯ（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）（式中，ＭはＡｌ及びＧａのうち少なくとも一つの元素であり，比率ｘ／ｙが０．２～１２の範囲であり，比率ｚ／ｙが０．４～１．４の範囲にある。）で表される非晶質酸化物が記載されているが，ここで得られている非晶質酸化物膜の電子キャリヤ濃度は，１０１８／ｃｍ３以上であり，単なる透明電極として用いるには充分であるものの，オン・オフ比が充分にとれないため，ＴＦＴのチャネル層には適用し難いものであった（【０００５】）。


イ本件各発明は，前記アの問題に鑑み，電子キャリヤ濃度が低い，アモルファス酸化物薄膜を提供すること，更には，当該アモルファス酸化物薄膜をチャネル層に用いた薄膜トランジスタを提供することを目的とし（【０００７】），かかる課題の解決手段として，特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載の方法を採用したものである。
このうち，本件発明１（請求項１）は，スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜である（【０００８】）。
ウ本件各発明によれば，電気キャリヤ濃度が低く，電子キャリヤ濃度が増加するとともに電子移動度が増加するという特徴を持ち，縮退伝導を示すアモルファス酸化物を提供することができ，これをチャネル層に用いた薄膜トランジスタを製作することができる（【０００９】，【００１５】，【００１６】）。２取消事由１（本件各発明の要旨認定の誤り）について(1)原告は，本件各発明に係る特許請求の範囲は，ＰＢＰクレームに該当するものであるところ，物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合であっても，その発明の要旨は，当該製造方法により製造された物と構造，特性等が同一である物として認定されなければならないにもかかわらず，本件審決は，引用発明１及び２と対比するに当たり，製造方法部分を含めて本件各発明の要旨を認定し，相違点の判断を行っており，発明の要旨認定の手法を誤ったものであるから，本件審決は取り消されるべきである旨主張する。(2)しかし，原告が製造方法を規定する部分であるとする文言のうち，「スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され」との部分については，本件審決は，本件発明１及び３と引用発明１との対比，本件発明１及び３と引用発明２との対比において，いずれも両者の一致点として認定している部分であるから，当該部分に係る認定判断は，本件審決の結論に影響を及ぼすものではない。また，「不純物イオンを添加することなしに」との部分は，不純物イオンを添加しない状態において「１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超」の電子移動度及び「１０１６／ｃｍ３以下」の電子キャリヤ濃度が実現されるという，本件各発明のアモルファス酸化物薄膜の特性を特定するものであって，当該部分の記載が物の製造方法を記載したものであるととらえるのは相当でない。よって，本件審決が，本件発明１及び３と引用発明１との対比，本件発明１及び３と引用発明２との対比において，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリ
ヤ濃度が１０
１６／ｃｍ３以下である」との点を相違点として認定判断したことが，誤りであるということもできない。
(3)以上によれば，取消事由１は，理由がない。３取消事由２（本件発明１の引用発明１に基づく容易想到性判断の誤り）につ
いて
(1)引用例１の記載
引用例１（甲１）には，次のような記載がある（図１及び２については，別紙引用例１図面目録を参照。）。
ア特許請求の範囲
【請求項１】ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
イ発明の詳細な説明
(ア)産業上の利用分野
【０００１】本発明は，光電変換素子及び発光素子を駆動する薄膜トランジスタに係り，特に光に影響されず，素子特性を向上できる薄膜トランジスタに関する。
(イ)従来の技術
【０００３】…逆スタガ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は，ガラス等の基板２０上にゲート電極２１としてのクロム（Ｃｒ１）層，ゲート絶縁層２２としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ），半導体活性層２３としての水素化アモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ：Ｈ）層，ゲート電極２１に対向するよう設けられたチャネル保護層２４としてのシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ），オーミックコンタクト層２５としてのｎ＋型水素化アモルファスシリコン（ｎ+ａ－Ｓｉ：Ｈ）層，ソース電極２６及びドレイン電極２７としてのクロム（Ｃｒ２）層，その上に層間絶縁層２９としてのポリイミド層，更に，その上に配線層３０又はチャネル保護層２４の上部においてはａ－Ｓｉ：Ｈ層の遮光用としてのアルミニウム（Ａｌ）の遮光層２８とを順次積層した構造となっている…。
(ウ)発明が解決しようとする課題
【０００４】しかしながら，上記従来の薄膜トランジスタにおいては，半導体活性層にアモルファスシリコンを用いていることから，半導体活性層に光が当たると導電性を持ってスイッチング素子の特性が劣化するという問題点があった。【０００５】そのために，半導体活性層に光が当たらないように遮光層を設ける方法があり，例えば，遮光層としては金属薄膜が用いられていた。しかしながら，遮光層を設けると工程が増えるだけでなく浮遊電位を持つこととなるので，遮光層をグランドレベルにする必要があり，その場合にも，寄生容量が発生するという問題点があった。
【０００６】また，薄膜トランジスタを光電変換素子又は発光素子との積層構造にする場合には，…従来の積層型のものであれば，ソース電極２６及びドレイン電極２７が金属電極であり，単位画素内でＴＦＴが占める割合が増大し，当然ながら開口率（単位画素内における光電変換素子の受光エリアが占める割合）の低下を招き，感度が低下するという問題点もあった。


【０００７】本発明は上記実情に鑑みて為されたもので，半導体層としてアモルファスシリコンよりバンドギャップの大きい透明材質の半導体を使うことで光に影響されず，更に開口率を増大させることができる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
(エ)課題を解決するための手段
【０００８】上記従来例の問題点を解決するための請求項１記載の発明は，ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，前記半導体層を透光性膜としたことを特徴としている。【０００９】上記従来例の問題点を解決するための請求項２記載の発明は，ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴としている。
(オ)作用
【００１０】請求項１記載の発明によれば，半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，半導体層を透光性膜とした薄膜トランジスタとしているので，光が透過した場合でも導電性が変化しにくくなる。【００１１】請求項２記載の発明によれば，半導体層のキャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ半導体層を透光性膜としているので，抵抗率が高くなり，光が透過した場合でも導電性が変化しにくい薄膜トランジスタとすることができる。
(カ)実施例
【００１３】図１に示すように，実施例１の薄膜トランジスタは，ガラス等の透明絶縁性の基板１と，基板１上に形成されたＣｒ等のゲート電極２と，ゲート電極２を覆うように形成された窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等のゲート絶縁層３と，ゲート絶縁層３上に酸素濃度を調製して形成された酸化インジィウム・スズ（ＩＴＯ）等の半導体活性層８とが積層され，更に半導体活性層８上には窒化シリコン等のチャネル保護層５が形成され，Ｃｒ等のソース電極７及びドレイン電極６とがチャネル保護層５の一部を覆うよう形成される構成となっている。【００１５】次に，ゲート絶縁層３として窒化シリコンをプラズマＣＶＤ法で２５００オングストローム程度着膜する。そして，膜中の酸素濃度を調整し，半導体活性層８となるＩＴＯ膜をスパッタリングにより５００オングストローム程度着膜する。
【００１６】具体的には，着膜時の酸素ガス濃度を１％以上にしてスパッタリングを行うことで実現することができる。このとき，ＩＴＯ膜のキャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下となれば，縮退が解け半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層８）が実現される。
【００１９】一般にＩＴＯなどの酸化物の透明導電膜は，膜中の酸素量を変化させることにより膜の導電率を変化させることができるものである。これは，化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）によりキャリアが発生していることによる。【００２０】ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ    Ｏｘｉｄｅ）膜の電気抵抗率のスパッタ時での酸素濃度依存性は，図２に示すような特性をもっているので，Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上にすれば，ＩＴＯ膜における電気抵抗率（ρ［Ω・ｃｍ］）を増加させることができ，ＩＴＯ膜の導電性を低下するように制御できるものである。【００２１】また，光が当っても導電性が変化しないエネルギバンドギャップの大きい半導体を半導体活性層８として用いる必要があるので，半導体活性層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上であることが望ましい。従来のａ－Ｓｉの半導体層ではエネルギバンドギャップが１．７～１．８ｅＶ程度であったが，本実施例で製造されるＩＴＯ膜の半導体層ではエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上とすることができる。
【００２２】実施例１の薄膜トランジスタによれば，従来透明電極として用いられていたＩＴＯ膜の膜中の酸素量を増加させることにより，膜中のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御して導電性を低下させ，半導体活性層８にＩＴＯ膜を使用することで，光に影響されず，素子特性を向上できる効果がある。
(キ)発明の効果
【００３６】請求項１記載の発明によれば，半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，半導体層を透光性膜とした薄膜トランジスタとしているので，光が透過した場合でも導電性が変化しにくくなり，素子特性を向上できる効果がある。
【００３７】請求項２記載の発明によれば，半導体層のキャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ半導体層を透光性膜としているので，抵抗率が高くなり，光が透過した場合でも導電性が変化しにくい薄膜トランジスタとすることができ，素子特性を向上できる効果がある。
(2)取消事由２－１（引用発明１の認定の誤り）についてア前記(1)の記載によれば，引用例１には，前記第２の３(2)アのとおりの引用発明１が記載されているものと認められ，引用発明１に関し，以下の点が開示されているものと認められる。
(ア)引用発明１は，光電変換素子及び発光素子を駆動する薄膜トランジスタであって，特に，光に影響されず，素子特性を向上できる薄膜トランジスタに関する（【０００１】）。
従来の薄膜トランジスタにおいては，半導体活性層にアモルファスシリコンを用いていることから，半導体活性層に光が当たると導電性を持ってスイッチング素子の特性が劣化するという問題点があった（【０００３】～【０００５】）。また，薄膜トランジスタを光電変換素子又は発光素子との積層構造にする場合には，ソ－ス電極及びドレイン電極が金属電極であり，単位画素内でＴＦＴが占める割合が増大し，開口率の低下を招き，感度が低下するという問題点もあった（【０００６】）。
(イ)引用発明１は，前記(ア)の問題点に鑑み，半導体層としてアモルファスシリコンよりバンドギャップの大きい透明材質の半導体を使うことで光に影響されず，更に開口率を増大させることができる薄膜トランジスタを提供することを目的とする（【０００７】）。


(ウ)本件審決が認定した引用発明１は，引用例１に実施例１として記載された発明に基づく（【００１３】，【００１５】，【００１６】，【００１９】～【００２２】）。
(エ)引用発明１によれば，半導体層のキャリヤ濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ半導体層を透光性膜としているので，抵抗率が高くなり，光が透過した場合でも導電性が変化しにくい薄膜トランジスタとすることができ，素子特性を向上できる効果がある（【００１０】，【００１１】，【００３６】，【００３７】）。
イ原告の主張について
(ア)原告は，引用例１ではＩＴＯを例に説明しているが，請求項１及び２が組成を限定していないことからも明らかなとおり，引用例１に記載された発明は，ＩＴＯに限定されるものではなく（【００１６】，【００１９】，【００２１】，図２），また，引用例１には，請求項１及び２をＩＴＯ以外の酸化物に適用することの妨げとなるような記載も存在しないから，引用例１には，ＩＴＯに限られない酸化物薄膜に関するより上位の発明，すなわち，原告主張の引用発明１が記載されている旨主張する。
しかし，請求項１及び２の記載は，薄膜トランジスタの半導体層の組成を限定するものではないものの，請求項１には，半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが３ｅＶ以上で，前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタが，請求項２には，半導体層のキャリヤ濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタが，それぞれ記載されているにすぎず，特定の金属元素を含む，エネルギバンドギャップが３ｅＶ以上であって，かつ電子キャリヤ濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下である透明半導体酸化物薄膜を具体的に記載するものではない。そして，【００１９】の記載も，ＩＴＯなどの酸化物の透明導電膜について，酸素量を変化させることにより膜の導電率を変化させるという方法及びその原理を，一般論として説明するものにすぎず，特定の電子キャリヤ濃度（１０１８／ｃｍ３以下）を有し，かつ特定のバンドギャップエネルギー（３ｅＶ以上）を有する半導体である酸化物薄膜の成膜方法について開示するものではない。さらに，【００１６】は，実施例１について，半導体活性層８となるＩＴＯ膜を着膜させる成膜方法を記載したものであって，ＩＴＯ膜以外の酸化物薄膜の成膜方法を記載したものではないし，図２も「ＩＴＯ膜の抵抗率のスパッタ時の酸素濃度依存度を示す図」であって，ＩＴＯ膜以外の酸化物薄膜について，抵抗率のスパッタ時の酸素濃度依存度を示すものではない。そして，酸素量を変化させることによりどの程度キャリヤ濃度を低下させることができるか，導電率を変化させた膜が半導体活性層として機能するかは酸化物の種類により異なるものではなく，ＩＴＯ膜以外の酸化物薄膜についてもＩＴＯ膜と同一の性質を示すということが，当業者の技術常識であったことを認めるに足りる証拠はない。
したがって，引用例１に，ＩＴＯ膜について，酸素ガスを含む雰囲気中で基板上に薄膜を堆積させる際に，成膜した薄膜の電子キャリヤ濃度が１０１８／ｃｍ３以下となる大きさに酸素分圧の大きさを制御することによって，電子キャリヤ濃度が１０１８／ｃｍ３以下である半導体であるバンドギャップエネルギーが大きな（３ｅＶ以上）の透明酸化物薄膜が開示されているからといって（【００１３】，【００１５】，【００１６】，【００１９】～【００２２】），ＩＴＯ膜以外の酸化物薄膜についても同一のことが開示されているなどということはできない。以上によれば，原告の上記主張は，理由がない。
(イ)原告は，ＩＴＯに限られない酸化物薄膜に関する原告主張の引用発明１が記載されていないというのであれば，本件審決においてこれを否定する理由を示す必要があるにもかかわらず，本件審決は，ＩＴＯに限定された発明を認定しながら，引用例１にはこのような限定された発明のみが記載されているとする根拠を何ら示していないから，判断遺脱の違法がある旨主張する。
審判請求書（甲２７）によれば，原告は，本件発明１の無効理由として，本件発明１は引用例１及び引用例４ないし１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることを主張し，引用例１に記載された発明としては，引用例１の【０００７】，【０００８】，【００１０】，【００１５】，【００１９】及び【００２０】を引用し，引用例１には，「気相成膜法であるスパッタ法で成膜され，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｏの元素から構成される透明酸化物薄膜であって，電子キャリヤ濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下であることを特徴とする，ＩＴＯなどの透明半導体酸化物薄膜。」を主張したことが認められる。一方，別紙審決書によれば，本件審決が認定した引用発明１は，引用例１に実施例１として記載された発明に基づくものであり，原告主張の引用発明１とは異なるところ，本件審決は，原告主張の引用発明１を認定しなかった理由を明示的に記載していない。ところで，特許無効審判の請求書に記載すべき「請求の理由」は，特許を無効にする根拠となる事実を具体的に特定し，かつ，立証を要する事実ごとに証拠との関係を記載したものでなければならないところ（特許法１３１条１項３号，２項），審判合議体の判断は，当事者が申し立てた理由について審理するものである限り，引用例に記載された発明の内容の特定や当該特許発明の構成に到達することが容易であるとの理解を裏付けるための過程に係る当事者の主張に拘束されるものではない（同法１５３条１項，２項参照）。


しかし，特許法１５７条２項４号が審決をする場合には審決書に理由を記載すべき旨定めている趣旨は，審判官の判断の慎重，合理性を担保しその恣意を抑制して審決の公正を保障すること，当事者が審決に対する取消訴訟を提起するかどうかを考慮するのに便宜を与えること及び審決の適否に関する裁判所の審査の対象を明確にすることにあるというべきであり（最高裁昭和５４年（行ツ）第１３４号同５９年３月１３日第三小法廷判決・裁判集民事１４１号３３９頁），上記趣旨に照らせば，引用例に記載された発明の内容の特定等に係る当事者の主張を採用しないときは，その理由を明示することが好ましいというべきである。そうすると，この点において，本件審決は，措辞必ずしも適切とはいえない。もっとも，前記(ア)のとおり，引用例１に原告主張の引用発明１が記載されているということはできないところ，本件審決には，原告の無効審判請求が成り立たないとの結論とともに，その理由として，引用例１の記載から前記第２の３(2)アのとおりの引用発明１を認定した上で，本件発明１と引用発明１とを対比し，両者の相違点についての容易想到性に係る判断が，証拠による認定事実に基づき明示されているから，判断遺脱があるということはできないし，取り消すべき違法があるということもできない。
(3)取消事由２－２（一致点及び相違点の認定の誤り）について原告は，本件審決における引用発明１の認定が誤りであることを前提に，本件発明１との一致点及び相違点の認定も誤りである旨主張する。しかし，前記(2)のとおり，本件審決における引用発明１の認定に誤りはないから，原告の上記主張は，理由がない。
(4)取消事由２－３（相違点の容易想到性判断の誤り）について
ア時機に後れた攻撃防御方法の主張について
被告は，本件審決における相違点１－１に係る容易想到性の判断が誤りである旨の原告の主張は，民事訴訟法１５７条によって却下されるべきである旨主張する。原告は，平成２８年３月４日付け「準備書面（原告その２）」において，「原告としては，審決による引用発明の認定は誤っており，これに伴い「相違点の認定」も誤っていると主張するものであるが，仮に，審決による引用発明の認定を前提とした相違点１－１の認定を前提としても，原告書面１に記載した原告の主張は妥当する。」旨明示的に主張した（同準備書面７頁）。しかし，原告の上記主張は，引用例１に記載された発明として，原告主張の引用発明１のとおり認定されない場合に備え，予備的に，本件審決における引用発明１の認定を前提とした相違点１－１の容易想到性の判断の誤りを主張するものであって，しかも，その内容も当初から主張していたもの（相違点Ａ及びＢに係る容易想到性の判断の誤り）と実質的に異ならないことに鑑みれば，原告の上記主張が，訴訟の完結を遅延させるものであるということはできない。
したがって，上記主張を却下しない。
イ引用例等の記載
引用例等には，次のような記載がある。
(ア)引用例４の記載（甲４）
ａ「透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法」（【発明の名称】）
ｂ「本発明の物品の第１の態様は，基材の少なくとも一方の表面の少なくとも一部に，一般式ＺｎｘＭｙＩｎｚＯ（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）（式中，Ｍはアルミニウム及びガリウムのうち少なくとも一つの元素であり，比率ｘ／ｙが０．２～１２の範囲であり，比率ｚ／ｙが０．４～１．４の範囲にある）で表される非晶質酸化物を含有する膜を有することを特徴とする。」（【０００９】）
ｃ「本発明の製造方法においては，例えば，ターゲットとしてＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の焼結体を用いた場合，６．２×１０－３［Ωｃｍ］の薄膜を容易に得ることができる。この場合，高導電性の主因は非晶質物質にも関わらず移動度が１０以上と高い値を示すことによる。また，ターゲットとしてＺｎ成分を増加させたホモロガスＩＧＺＯＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ：２以上の整数）の焼結体を用いた場合，４．３×１０－３［Ωｃｍ］の抵抗率を有する薄膜を容易に得ることができる。」（【００３４】）
ｄ「１．ターゲットの作成    Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率がそれぞれ１になるように秤量した。秤量した粉末を，遊星ボールミル装置で湿式混合。１０００℃で５時間仮焼した後，再び遊星ボールミルで解砕処理した。この粉体を一軸加圧で直径２０ｍｍの円板状に成形の後ＣＩＰをかけた。大気下，１５５０℃で２時間焼成して焼結体を得た。ＸＲＤによりＩｎＧａＺｎＯ４で表される酸化物が生成していることを確認した。」（【００４０】）ｅ「ホモロガスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの場合は，Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，ＺｎＯの各粉末を，含有金属の比率が１：１：ｍ（ｍは２以上の整数）となるように秤量した。」（【００４１】）
(イ)引用例６の記載（甲６）
「ＩｎＧａＺｎＯ４…が良好な透明導電性を有することが確認されている。…薄膜試料の抵抗率，キャリヤ密度および移動度は，ＩｎＧａＺｎＯ４スパッタ膜でそれぞれ２×１０－３Ω・ｃｍ，１.２×１０２０ｃｍ－３，２４ｃｍ２／Ｖ・s，…という値が得られている。」（１５０～１５１頁）
(ウ)引用例７の記載（甲７）
ａ「アモルファス透明導電性酸化物    ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：Ｚ
ｎ４ｓ導電体」（表題）


ｂ「要約    ＺｎＯ系のアモルファス透明導電体を作り出すことを目的として，さまざまなアモルファス膜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）をパルスレーザー蒸着法を用いて作製した。得られた膜は光学バンドギャップが２．８～３．０ｅＶ，ｎ型導電率が室温において１７０～４００Ｓｃｍ－１を示し，ｍの値へのわずかな依存性を呈しており，キャリア濃度は１０１９～１０２０ｃｍ－３であった。電子移動度は１２～２０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１であり，ホール係数とゼーベック係数の間にｐ－ｎ異常は見られなかった。導電率は，１０～３００Ｋの範囲でほとんど温度への依存性を呈さなかった。Ｘ線回折，透過電子顕微鏡法，および広域Ｘ線吸収微細構造測定により，これらの膜はアモルファス相であることが確認された。制動放射等色線分光法と紫外光電子分光法の併用により，伝導帯テイルが大きな分散を有し，フェルミ準位が伝導帯端に位置していることが明らかとなった。…本系はＺｎ４ｓ軌道が広がった伝導帯を形成する初めてのアモルファス酸化物半導体である。」（訳文１～２頁）
ｃ「２.    実験の詳細薄膜試料は，パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）により作製した。Ｉｎ２Ｏ３，Ｇａ２Ｏ３，およびＺｎＯの粉末を用いて，従来のセラミックプロセスとその後のダイヤモンド研磨機を用いた研磨により，化学量論的組成を有する，高密度に焼成したＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの円板を，ターゲットとして用意した。」（訳文５頁）
ｄ「３．２    電気的および光学的特性表１は室温におけるアモルファスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ膜の電気輸送パラメータを示している。ドーピングは意図的に行わなかったが，移動度１２～２０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１，キャリア密度１０１９～１０２０
ｃｍ
－３で１７０～４００Ｓｃｍ－１の伝導率が得られた。」（訳文９頁）
(エ)引用例８の記載（甲８）
ａ「新しい型のアモルファス透明導電膜ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ」（表題）ｂ「２.実験    ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍの焼結体（ｍ＝１～４）に酸素雰囲気中でＫｒＦエキシマーレーザー光を照射し，対抗して配置した石英ガラス基板上に薄膜を室温成膜した。」
ｃ「３．結果及び考察    …ｍ＝１の試料について観察した断面ＴＥＭ像から，結晶粒子の無い，均質なアモルファス膜であることが確認できた。…伝導帯の形成に４ｓ軌道が寄与した新しい型の透明導電体群であると考えられる。」
(オ)引用例９の記載（甲９）
ａ「アモルファス酸化物半導体の歴史は長く，…。しかしこれらの材料を用いた電子デバイスは，現在までほとんど登場していない。その主な原因は，ｐ－ｎ接合が半導体の多様な能動的機能の源であるが，ｐ型アモルファス酸化物半導体が見つかっていないからである。アモルファス半導体には，大面積基板への低温薄膜堆積が可能といった特有の利点があるため，太陽電池や平面ディスプレイなどの大面積電子機器への応用に非常に好適であり，ｐ－ｎヘテロ接合の格子不整合に対してロバスト性を持つと期待されている。そこで我々は，最初のｐ型アモルファス酸化物半導体であるａ―ＺｎＯ・Ｒｈ２Ｏ３について報告する。ａ―ＺｎＯ・Ｒｈ２Ｏ３のバンドギャップは２．１ｅＶであり，３００Ｋで２Ｓｃｍ－１と比較的高いｐ型導電率を持つ。ガラス基板またはプラスチック基板上に，ｐ－ＺｎＯ・Ｒｈ２Ｏ３とｎ－ＩｎＧａＺｎＯ４から成るアモルファス酸化物ｐ－ｎヘテロ接合ダイオードを，スパッタリング技術を用いて室温で作製した。」（訳文１頁）ｂ「一連のｎ型アモルファス酸化物半導体として，…ａ―ＩｎＧａＯ   ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）…などがこれまでに発見されている。これらの半導体は，特有の電子輸送性を持つ，…そして結晶性材料と同等の高い移動度を持つ（電子Ｈａｌｌ移動度が＞１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１）という点に特徴がある。…しかしこれらのアモルファス酸化物はすべて，ｎ型の電気伝導を示す。つまり，伝導型の制御は未だ実現されていない。」（訳文２～３頁）


ｃ「ｐ型伝導のさらなる確証を得るため，また，実デバイスへの応用の可能性を示すため，ｐ型のａ―ＺｎＯ・Ｒｈ２Ｏ３とｎ型のａ―ＩｎＧａＺｎＯ４（Ｅｇ＝３．０ｅＶ）からなるｐ－ｎ接合ダイオードの性能評価を行った。」（訳文７頁）ｄ「アモルファスのＩｎＧａＺｎＯ４はｎ型半導体として知られており，室温での高周波（ＲＦ）スパッタリングにより作製した。その導電率は室温で１．４×１０－１Ｓｃｍ－１であった。キャリア密度は，以前報告した移動度の値２１ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１を用いると，４．２×１０１６ｃｍ－３と見積もられる。プラスチックシート上に作製した素子は，図３ｂに示す通り，可撓性を有する。」（訳文８頁）ｅ「実験    アモルファスＺｎＯ・Ｒｈ２Ｏ３の薄膜を，石英ガラス基板およびポリエステル基板上に，…成膜した。…続いて，ｐ－ｎ接合ダイオードを，アモルファスＩｎＧａＺｎＯ４を用いて作製した。ａ―ＩｎＧａＺｎＯ４膜は，多結晶ＩｎＧａＺｎＯ４の円盤状ターゲットを用い，Ａｒ中で成膜した。…」（訳文１１～１２頁）
(カ)甲２５（特開平８－２９５５１４号公報）
ａ「ＩＴＯは，この吸収端が４５０ｎｍ付近にあり，これにより長波長側の光を吸収しない。」（【０００３】）
ｂ「…従来，吸収端が４５０ｎｍより短波長側にあり，しかもＩＴＯと同等かそれ以上の電気伝導率を有する材料は，知られていなかった。そこで本発明の目的は，吸収端が４５０ｎｍより短波長側にあって，かつＩＴＯと同等かそれ以上の電気伝導率を有するために，ＩＴＯ膜より大きな膜厚としても着色を生じない新規な材料を提供することにある。さらに本発明の目的は，上記の新たな材料を用いた，液晶ディスプレイ，ＥＬディスプレイ及び太陽電池等に有用な電極を提供することにある。」（【０００８】）
ｃ「本発明は，一般式ＺｎｘＭｙＩｎｚＯ（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）－ｄ（式中，Ｍはアルミニウム及びガリウムのうちの少なくとも１つの元素であり，比率（ｘ：ｙ）が１．８：１を超え８：１以下の範囲であり，比率（ｚ：ｙ）が０．４～１．４：１の範囲であり，かつ酸素欠損量ｄが０を超え，（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）の１×１０－１倍の範囲である）で表されることを特徴とする導電性酸化物（第１の態様の酸化物）に関する。」（【０００９】）
ｄ「実施例２５    実施例２で調製した假焼粉（Ｉｎ２Ｏ３（高純度化学研究所（株）社製，純度９９．９９％），Ｇａ２Ｏ３（高純度化学研究所（株）社製，純度９９．９９％）及びＺｎＯ（高純度化学研究所（株）社製，純度９９．９９％）各粉末を，混合粉末中の含有金属の比率が表１（原子比がＺｎ：Ｇａ：Ｉｎ＝６６：１７：１７）の値になるように秤量した。秤量した粉末を，容量５００ｍｌのポリアミド容器に直径２ミリメートルのジルコニアビーズ２００ｇを加え，フリッツジャパン社製遊星ボールミル装置を用いて１時間湿式混合した。分散媒にはエタノールを用いた。各混合粉をアルミナるつぼ中，大気下，１０００℃で５時間仮焼した後，再び遊星ボールミル装置を用いて１時間解砕処理した。このようにして調製した假焼粉体）を用い，一軸加圧（１００ｋｇ／ｃｍ２）によって直径２５ミリの円板成形体を作製し，大気下，１３００℃で２４時間焼成して焼結体を得た。焼結体の表面を研磨し，バッキングプレート上に接着剤を用いて固定し，スパッタリングターゲットとした。これを日本真空（株）製ＢＣ１４５７型スパッタリング装置に固定してＡｒ／Ｏ２比４０／１０のガスを装置内に導入し，１８０ＷのＲＦパワーを４０分間入力して，５００℃に加熱した石英ガラス基板上に厚み約２０００オングストロームの薄膜を作製した。これを大気下，４００℃～１０００℃で加熱処理したのち，アルゴン雰囲気下，８８０℃で２時間熱処理した。」（【００５６】，【００６５】）
ｅ「実施例２６    実施例２５に記載した方法により薄膜を作製した。ただし，Ａｒ雰囲気下における熱処理は施さなかったので，この段階では，薄膜は電気伝導性を示さなかった。この膜にＨ＋イオンを，約３μＡ／ｃｍ２のドーズ速度で３×１０１６イオン／ｃｍ２だけ注入したのち，実施例２５と同様の方法で測定した電気伝導率，吸収端，４００ｎｍの光に対する透過率及びキャリア電子量を表５に示す。」
（【００６７】）


ｆ「比較例５    Ｉｎに対してＳｎを５％含むＩＴＯターゲットを用い，実施例２６と同様の方法により，石英ガラス基板上に厚み約２０００オングストロームのＩＴＯ薄膜を作製した。このＩＴＯ薄膜の電気伝導率，吸収端波長，４００ｎｍの光に対する透過率を測定し，表５に示す。実施例２６の薄膜は比較例５の薄膜と同等の伝導率を持つが，吸収端波長が短波長側にある。このため，４００ｎｍの光に対する透過率が格段に高く，比較例１の薄膜に黄色の着色が明らかに認められたのに対して，実施例２６の薄膜は殆ど着色して見えなかった。（【００６８】）ｇ「本発明によれば，吸収端が４５０ｎｍより短波長側にあって，かつＩＴＯと同等かそれ以上の電気伝導率を有し，かつＩＴＯ膜より大きな膜厚としても着色を生じない新規な導電性酸化物を提供することができる。さらに本発明によれば，上記導電性酸化物を用いて，液晶ディスプレイ，ＥＬディスプレイ及び太陽電池等に有用な電極を提供することができる。」（【００７３】）(キ)甲２９（Ｍ．Ｏｒｉｔａ    外「ＡＮｅｗ    ＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＯｘｉｄｅ，ＩｎＧａＺｎＯ４」ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳＯＦＴＨＥ    ＭＡＴＥＲＩＡＬＳＲＥＳＥＡＲＣＨ    ＳＯＣＩＥＴＹＯＦＪＡＰＡＮＶｏｌｕｍｅ２０（平成８年））
ａ「ＩｎＧａＺｎＯ４に透明電極用の新規材料としての可能性が見出された。ＲＦマグネトロンスパッタリングによってガラス基板上に厚さ５００ｎｍの膜を形成した。光学バンドギャップは３．５ｅＶであった。Ｈ２雰囲気中６００℃のアニールによって１×１０２０／ｃｍ３のキャリア電子が誘起された。移動度は２４ｃｍ２／Ｖｓ，伝導度は５００Ｓ／ｃｍ，有効質量は０．７ｍｅであった。…」（訳文２頁）ｂ「ＩｎＧａＺｎＯ４膜の透過スペクトルを２つのＩＴＯ膜のスペクトルと共に図５に示す。…ＩＴＯ膜のキャリア密度が高くなると，スペクトルは短波長側にシフトした（Ｂｕｒｓｔｅｉｎ－Ｍｏｓｓシフト）が，４５０ｎｍ未満の透過率ではＩｎＧａＺｎＯ４に劣っている。…ＩｎＧａＺｎＯ４の真性バンドギャップは３．５ｅＶであり，ＩＴＯの３．２ｅＶよりも大きかった。短波長領域において透明性に優れていることはＩｎＧａＺｎＯ４の基本特性である。」（訳文６頁）
ウ相違点１－１の容易想到性
(ア)引用発明１は，前記(2)アによれば，従来の薄膜トランジスタにおいては，半導体活性層にアモルファスシリコンを用いていることから，半導体活性層に光が当たると導電性を持ってスイッチング素子の特性が劣化するという問題等があったことに鑑み，半導体層としてアモルファスシリコンよりバンドギャップの大きい透明材質の半導体を使うことで光に影響されず，更に開口率を増大させることができる薄膜トランジスタを提供することを目的とし，前記半導体層のキャリヤ濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタの半導体層において，Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ膜の膜中の酸素量を増加させることでキャリヤ濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した半導体層である。
(イ)ところで，前記イの(ア)ないし(オ)の記載によれば，本件組成をターゲットとしたパルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法を用いた気相成膜方法により，アモルファス本件組成の薄膜を成膜することは，本件特許の優先日前に，周知技術であったということができる。また，前記イの(ウ)及び(オ)の記載によれば，アモルファス本件組成の薄膜は良好な透過性を有し，(カ)及び(キ)の記載によれば，本件組成は，ＩＴＯ膜より透明性に優れるものであることは，本件特許の優先日前に，周知技術であったということができる。
しかし，引用例４（前記イ(ア)ａ，ｃ），引用例６（同(イ)），引用例７（同(ウ)ａ，ｂ），引用例８（同(エ)ａ，ｃ），甲２５（同(カ)ｂ，ｃ）及び甲２９（同(キ)ａ）に開示された本件組成の薄膜は，透明導電膜として用いるものとして，引用例９（同(オ)ａ，ｃ，ｅ）に開示された本件組成の薄膜は，ｐ－ｎ接合ダイオードのｎ型半導体として用いるものとして，それぞれ開示されているにとどまり，薄膜トランジスタの半導体活性層に用いるものとして開示されているものではない。そして，本件特許の優先日前に，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることが，当業者に周知の技術であったことを認めるに足りる証拠はない。


また，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることが知られていない状況において，アモルファス本件組成の薄膜を成膜すること及びアモルファス本件組成の薄膜が良好な透過性を有することが周知であるからといって，これらのことから，ゲート電極から印加された電圧によって形成される電界に応じて，ｎ型キャリヤ（電子）がソース電極及びドレイン電極が接する界面に集まり，そのことによって，ソース・ドレイン間に電流が流れるという，薄膜トランジスタの半導体活性層に用いるのに適した電気的特性を有するものと容易に予測することができるわけではない。したがって，アモルファス本件組成の薄膜を成膜すること及びアモルファス本件組成の薄膜が良好な透過性を有することが周知であるからといって，直ちに，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることができる（薄膜トランジスタの半導体活性層として機能する）と予測することが可能であったとまでいうことはできない。そうすると，そもそも，薄膜トランジスタの半導体層である引用発明１において，ＩＴＯ膜（インジウム（Ｉｎ），スズ（Ｓｎ）の酸化物）に代えて，ＩＴＯとは組成を構成する元素も異なり，薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることができるかも不明であるアモルファス本件組成の薄膜とすることには，動機付けがない。(ウ)さらに，仮に，引用発明１において，ＩＴＯ膜に代えて，金属酸化物を網羅的に探索することで，結果的にアモルファス本件組成の薄膜とすることを試みたとしても，少なくとも，当該薄膜において，「電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下」となることを容易に想到することができたということはできない。すなわち，引用例９には，前記イ(オ)ｄのとおり，「アモルファスのＩｎＧａＺｎＯ４はｎ型半導体として知られており，室温での高周波（ＲＦ）スパッタリングにより作製した。その導電率は室温で１．４×１０－１Ｓｃｍ－１であった。キャリア密度は，以前報告した移動度の値２１ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１を用いると，４．２×１０１６ｃｍ－３と見積もられる。」との記載があり，アモルファス本件組成の薄膜について，電子キャリヤ濃度が４．２×１０１６／ｃｍ－３のものを成膜し得ることが示唆されているということができる。しかし，引用例１の【００２０】の記載及び【図２】（ＩＴＯ膜の抵抗率のスパッタ時の酸素濃度依存度を示す図）において，抵抗率とスパッタ時の酸素濃度は，下に凸の曲線の関係となっており，酸素を追加するだけで，抵抗値が単純に増加，すなわち，キャリヤ濃度が単純に減少するという関係とはなっていないこと，引用例９のほかには，アモルファス本件組成の薄膜について「４．２×１０１６／ｃｍ－３」というような低いキャリヤ濃度の成膜が実施できたことを開示した文献の提示がないこと等に照らせば，アモルファス本件組成の薄膜について，酸素濃度を調整することによりどの程度キャリヤ濃度が変化するかを調べたデータや実際に作製した例についての開示もないのに，当業者が直ちに，引用例９に示唆されたキャリヤ濃度より更に低い，電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下となる薄膜の作製が可能であると予測することは困難であるといわざるを得ない。
エ原告の主張について
(ア)原告は，①透明膜として本件組成が，ＩＴＯよりも優れていることが知られていたこと，②本件組成の可視光領域における透過率がＩＴＯのそれよりも全体的に高いことが開示されていること，③酸化物では，酸素量を調整することで電子キャリヤ濃度を下げることができることは周知であること，④引用例９にあるように，アモルファス酸化物材料であるアモルファス本件組成で電子キャリヤ濃度の低い薄膜が知られていたこと，⑤甲３０には，アモルファス酸化物材料をトランジスタの活性層に用いることが開示されていることから，アモルファス本件組成を薄膜トランジスタの活性層に使用する動機付けがある旨主張する。しかし，甲３０には，亜鉛とスズとの酸化物のアモルファス薄膜が薄膜トランジスタの半導体活性層として機能することが記載されているものの，そこに記載されたアモルファス酸化物材料は，ＺＴＯ（ＺｎＳｎＯ３）のみであり，アモルファス本件組成のように，ガリウム（Ｇａ）を含む酸化物が半導体活性層として機能することを記載するものではないから，甲３０の記載から，直ちに，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることができる（薄膜トランジスタの半導体活性層として機能する）と予測することが可能であったとまでいうことはできない。
そして，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることが知られていない状況において，上記①ないし⑤の事項が周知又は公知であるからといって，これらのことから，直ちに，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることができる（薄膜トランジスタの半導体活性層として機能する）と予測することが可能であったとまでいうことはできない。なお，原告は，本件明細書では，電子移動度が０．０１～１ｃｍ２／（Ｖ・秒）程度でＴＦＴとして使用できるとされているところ，アモルファス本件組成の電子移動度は，１０ｃｍ２／（Ｖ・秒）以上であるから，これをＴＦＴに使用した場合に良好な特性が得られることは明らかであるとも主張するが，本件明細書は，本件出願の優先日前における公知文献ではないから，明らかに失当である。(イ)原告は，引用例９には，アモルファス本件組成の薄膜の電子キャリヤ濃度として，４．２×１０１６ｃｍ－３のものが記載されているところ，①酸化物では酸素濃度を調整することで電子キャリヤ濃度を調整できることが周知であり，②トランジスタ（とりわけノーマリーオフ型のトランジスタ）においては薄膜の抵抗率が高いこと，すなわち，電子キャリヤ濃度が低いことが望ましいことも周知の事実であるから，引用発明１の酸化物薄膜として，アモルファス本件組成を採用するに際し，引用例９に記載の条件に加えて酸素濃度を高くすることで，電子キャリヤ濃度を１
×１０
１６ｃｍ－３以下にすることは容易である旨主張する。しかし，上記①及び②の事項が周知又は公知であるとしても，アモルファス本件組成の薄膜について，酸素濃度を調整することによりどの程度キャリヤ濃度が変化するかを調べたデータや実際に作製した例についての開示もないのに，当業者において，直ちに，引用例９に示唆されたキャリヤ濃度より更に低い，電子キャリヤ濃
度が１０


１６／ｃｍ３以下となる薄膜の作製が可能であると予測することが容易であるということはできない。したがって，仮に，引用発明１において，ＩＴＯ膜に代えて，金属酸化物を網羅的に探索することで，結果的にアモルファス本件組成の薄膜とすることを試みたとしても，少なくとも，当該薄膜において，「電子キャリヤ濃
度が１０
１６／ｃｍ３以下」となることを容易に想到することができたということはできない。
(ウ)原告は，本件発明１には，「電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超」との規定があるが，電子キャリヤ濃度が１×１０１６ｃｍ－３以下の薄膜における電子移動度を特定することに特段の技術的意義は認められず，単なる設計的事項というべきであるから，上記値とすることは容易である旨主張する。しかし，本件発明１は，「電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリ
ヤ濃度が１０
１６／ｃｍ３以下である」アモルファス本件組成の薄膜であるところ，前記(イ)のとおり，仮に引用発明１において，ＩＴＯ膜に代えて，金属酸化物を網羅的に探索することで，結果的にアモルファス本件組成の薄膜とすることを試みたとしても，少なくとも，当該薄膜において，「成膜した薄膜の室温での電子キャリヤ
濃度が１０
１６／ｃｍ３以下」となることを容易に想到することができたということはできない。原告の上記主張は，引用発明１において，ＩＴＯ膜に代えて，電子キャ
リヤ濃度が１０
１６／ｃｍ３以下のアモルファス本件組成の薄膜とすることに容易に想到できることを前提に，電子移動度を規定することが設計的事項にすぎないと主張するものであって，理由がない。
オ以上によれば，引用発明１において，相違点１－１に係る本件発明１の構成とすることに容易に想到することができたということはできない。
(5)小括
以上のとおり，本件審決における本件発明１の引用発明１に基づく容易想到性の判断に誤りはない。
よって，取消事由２は，理由がない。
４取消事由３（本件発明１の引用発明２に基づく容易想到性判断の誤り）につ
いて
(1)引用例２の記載等
ア引用例２（甲２）には，次のような記載がある（図１については，別紙引用例２図面目録を参照。）。
(ア)請求の範囲
１．半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，／前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムが積層されていることを特徴とする半導体装置。
２．前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛であることを特徴とする請求の範囲１記載の半導体装置。
(イ)明細書
ａ技術分野
本発明は，ＩＩ族酸化物を半導体層として用いた半導体装置およびそれを用いる表示装置に関し，特に酸化亜鉛を半導体層として用いた半導体装置に好適な性能改善の手法に関するものである。（１頁４～６行）
ｂ背景技術
⒜近年，酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物を半導体層として使用した半導体装置を作製する研究がなされている。それらの研究は，半導体装置の改良を目的あるいは手段として提示し，質の高い具体的な技術を多数報告している。その技術とは，概して，半導体装置の性能向上には積層膜の結晶性の向上や前記結晶性の制御，それに伴う界面制御，さらには不純物のドープが有効であり，そのために各積層膜の積層方法や積層膜材料，ドープ材料を変化させるというものである。（１頁９～１５行）
⒝日本国公開公報である特開２０００－１５０９００号公報…には，トランジスタのチャネル層に酸化亜鉛等の透明半導体を使用し，ゲート絶縁層にも透明絶縁性酸化物を使用する等してトランジスタを透明にすることにより，液晶表示装置の開口率を向上させることが記載されている。（２頁１～５行）⒞しかしながら，上記各先行文献で示唆するように上記材料に結晶材料を使用した場合，以下のような制約を受けてしまうという問題がある。１．成膜が容易でない。
２．基板の大型化が容易でない。
３．積層膜の成膜の順序が固定される。（３頁１９～２３行）
ｃ発明の開示
⒜本発明の目的は，半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，汎用的な手法で性能が向上された半導体装置およびそれを用いる表示装置を提供することである。（５頁６～８行）
⒝本発明の半導体装置は，半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，前記半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が積層されていることを特徴とする。上記の構成によれば，半導体層が酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物を含む半導体装置の性能の向上を図るにあたって，従来では，積層膜の結晶性の向上や前記結晶性の制御，それに伴う界面制御，さらには不純物のドープという手法が用いられていたのに対して，本発明では，半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムを積層する。このような構造とすることで，アモルファス状の酸化アルミニウム以外の積層膜では不可能な，総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることが可能になる。これは，前記ＩＩ族酸化物の半導体層に前記アモルファス状の酸化アルミニウムを積層することで，それらの界面での欠陥準位が低減されるためであると考えられる。前記欠陥準位とは，半導体層のキャリア移動の際に障害となるような電子的欠陥である。（５頁９～２３行）
⒞これによって，酸化亜鉛等の半導体層に対して，従来程，結晶性の向上の要求は強くなく，成膜が容易で，かつ基板の大型化にも容易に対応することができるＩＩ族酸化物を半導体層とする半導体装置を実現することができる。（５頁２４行～６頁３行）


⒟本発明の半導体装置では，前記ＩＩ族酸化物は，酸化亜鉛であることが好ましい。半導体層として用いることができるＩＩ族酸化物としては，たとえば酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ），酸化カドミウム亜鉛（ＣｄｘＺｎ１－ｘＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）等があるが，そのなかでも酸化亜鉛は特に好適であり，特性の向上が特に期待できる。（６頁１０～１５行）⒠上記の構成によれば，本発明の半導体装置は，総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることができ，成膜が容易で，かつ基板の大型化にも容易に対応できるので，液晶表示装置等の表示装置，特に大型の表示装置に対して好適に実施することができる。（６頁１８～２２行）
ｄ発明を実施するための最良の形態
⒜チャネル層５は，酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇｘＺｎ１－ｘＯ），酸化カドミウム亜鉛（ＣｄｘＺｎ１－ｘＯ），酸化カドミウム（ＣｄＯ）等のＩＩ族酸化物あるいはそれらを含む半導体層であり，酸化亜鉛が特に好適である。該チャネル層５の膜厚は，通常，１００ｎｍ以上，２００ｎｍ以下の範囲内に設定されるが，特に限定は無い。チャネル層５には，移動度の向上を意図して結晶性を持たせてもよいし，結晶粒界による散乱を考慮してアモルファス状でもよい。（８頁１９行～９頁１行）
⒝酸化亜鉛は，結晶性や配向性を自ら帯びやすい性質を持つことから，たとえばスパッタリング法を用いる場合，成膜レートをチャネル層５に結晶性および配向性を持たせない場合よりも低く調整する等の方法が挙げられる。（９頁４～７行）⒞表１に，図１の構造のＦＥＴ１による特性の改善効果を，本件発明者の実験結果から，具体的に示す。ＦＥＴの性能を表す重要な特性として，ゲート電圧に対するソース－ドレイン間の電流変化特性であるＶｇ－Ｉｄ特性がある。このＶｇ－Ｉｄ特性を特徴付ける指標として，閾値電圧，移動度，オンオフ比，ヒステリシスがあるが，それをこの表１に示す。…なお，これらの総ての試料は，チャネル層５として酸化亜鉛を使用している。具体的には，以下の実験には，無アルカリガラスからなる０．７ｍｍの基板２上に，タンタル（Ｔａ）からなる１５０ｎｍのゲート層３，それぞれ以下に示す材料からなる２００ｎｍのゲート絶縁層４，結晶性を持たせた酸化亜鉛からなる１００ｎｍのチャネル層５，アルミニウム（Ａｌ）からなる１００ｎｍのソース層６およびドレイン層７が，図１に示すようにこの順に積層されてなるＦＥＴを使用した。従来の試料は各積層膜に結晶性を持たせて作製したものであり，本発明の試料は上述のようにアモルファス状の酸化アルミニウム（抵抗率５×１０１３Ω・ｃｍ）のゲート絶縁層４上に，チャネル層５として，結晶性を持たせた酸化亜鉛を積層したものであり，比較用の試料は前記ゲート絶縁層４を本発明のアモルファス状の酸化アルミニウムからアモルファス状の窒化シリコン（抵抗率１×１０１６Ω・ｃｍ）に置換えて，その上に，結晶性を持たせた酸化亜鉛を積層したものである。また，前記従来の試料では，ゲート絶縁層４として，ジルコン酸カルシウム（抵抗率３×１０１４Ω・ｃｍ）を用いている。（１０頁７行～１１頁８行）
⒟チャネル層２５は，前記チャネル層５，１５と同様に，酸化亜鉛等から成り，結晶性を持たせてもよいしアモルファス状でもよい。（１４頁１２～１３行）⒠続いて，前記チャネル層５として，上記ゲート絶縁層４上に，酸化亜鉛（ＺｎＯ）をＰＬＤ法により堆積した。堆積条件は，以下のとおりとした。すなわち，ＫｒＦエキシマレーザを使用し，レーザパワー密度は１．０Ｊ／ｃｍ２，レーザパルス繰り返し周波数は１０Ｈｚ，堆積雰囲気は酸素，堆積圧力は２００ｍＴｏｒｒ（≒２６．７Ｐａ）とし，ターゲットには酸化亜鉛焼結体を使用し，膜厚は，５～１００ｎｍ程度とした。（２０頁１６～２２行）
ｅ産業上の利用の可能性
本発明の半導体装置は，半導体層が酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物を含む半導体装置の性能の向上を図るにあたって，半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウムが積層されている構造とすることで，アモルファス状の酸化アルミニウム以外の積層膜では不可能な，総ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることができる。それゆえ，酸化亜鉛等の半導体層に対して，従来程，結晶性の向上の要求は強くなく，成膜が容易で，かつ基板の大型化にも容易に対応することができるＩＩ族酸化物を半導体層とする半導体装置を実現することができる。また，積層膜の成膜の順序が固定されることなく，設計自由度の高い半導体装置を実現することができる。そして，特に上記ＩＩ族酸化物が酸化亜鉛である場合，上記アモルファス状の酸化アルミニウムとの組み合わせによって，界面での欠陥準位が大幅に低減され，該半導体装置の性能がより一層向上する。上記の組み合わせにより，ゲート絶縁層とチャネル層の界面の欠陥に起因するトランジスタの電気特性の閾値ずれは，ほぼ０Ｖになる。上記半導体装置は，上述したように成膜が容易で，かつ基板の大型化にも容易に対応できるので，液晶表示装置等の表示装置，特に大型の表示装置に対して好適に実施することができる。
（２２頁２０行～２３頁１４行）


イ前記アの記載によれば，引用例２には，前記第２の３(3)アのとおりの引用発明２が記載されているものと認められるところ（この点は，当事者間に争いがない。），引用発明２に関し，以下の点が開示されているものと認められる。(ア)引用発明２は，ＩＩ族酸化物を半導体層として用いた半導体装置及びそれを用いる表示装置に関し，特に酸化亜鉛を半導体層として用いた半導体装置に好適な性能改善の手法に関するものである（前記ア(イ)ａ）。近年，酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物を半導体層として使用した半導体装置を作製する研究がされており，半導体装置の性能向上のため，積層膜の結晶性の向上や結晶性の制御，それに伴う界面制御，不純物のドープのために各積層膜の積層方法や積層膜材料，ドープ材料を変化させる等の技術が報告されている（前記ア(イ)ｂ⒜及び⒝）。
しかし，酸化亜鉛等のＩＩ族酸化物を半導体層として使用した場合，①成膜が容易でない，②基板の大型化が容易でない，③積層膜の成膜の順序が固定されるという問題がある（前記ア(イ)ｂ⒞）。
(イ)引用発明２は，前記(ア)の問題に鑑み，半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，汎用的な手法で性能が向上された半導体装置及びそれを用いる表示装置を提供することを目的とする発明について（前記ア(イ)ｃ⒜），引用例２に実施例として記載されたＺｎＯの透明酸化物半導体層に基づく（前記ア(イ)ｄ）。(ウ)引用発明２に係る半導体装置は，半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が積層されているという構造にすることで，全ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることが可能になるが，これは，前記ＩＩ族酸化物の半導体層に前記アモルファス状の酸化アルミニウムを積層することで，それらの界面での欠陥準位が低減されるためであると考えられる（前記ア(イ)ｃ⒝）。
(エ)引用発明２に係る半導体装置によれば，酸化亜鉛等の半導体層に対して，従来ほど，結晶性の向上の要求は強くなく，成膜が容易で，かつ基板の大型化にも容易に対応することができるＩＩ族酸化物を半導体層とする半導体装置を実現することができる等の効果を奏する（前記ア(イ)ｃ⒝及びｅ）。
(2)相違点２－１の容易想到性
ア引用発明２は，前記(1)イのとおり，半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，汎用的な手法で性能が向上された半導体装置及びそれを用いる表示装置を提供することを目的とする発明について，引用例２に実施例として記載されたＺｎＯの透明酸化物半導体層に基づくものであり，引用発明２に係る半導体装置は，半導体層がＩＩ族酸化物を含む半導体装置において，半導体層の少なくとも一方の面にアモルファス状の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が積層されているという構造にすることで，全ての積層膜を結晶性積層膜で作製した半導体装置と同等レベルの性能を得ることが可能になるというものである。
以上のとおり，引用発明２に係る半導体装置は，半導体層がⅠⅠ族酸化物を含む半導体装置であることを前提とするものである。
他方，本件組成は，ⅠⅠⅠ族元素であるＧａやＩｎを含むものである。そうすると，そもそも，半導体層がⅠⅠ族酸化物を含む半導体装置の半導体層である引用発明２において，酸化亜鉛（ＺｎＯ）に代えて，ⅠⅠⅠ族元素であるＧａやＩｎを含む本件組成の薄膜とすることを試みる動機付けがない。
イ原告の主張について
原告は，引用例２には，結晶粒界による散乱を考慮してチャネルをアモルファスにしてもよいことが記載されているところ，引用例２で用いられているＺｎＯは通常の方法ではアモルファスにすることが困難なことが知られており，一方で，アモルファス本件組成は周知であり，半導体層として有用な特性が知られていたことに加え，引用例７にはＺｎＯに代えてアモルファス本件組成を使用することが記載されているから，引用発明２において，アモルファス本件組成を採用することには，強い動機付けがある旨主張する。
しかし，前記アのとおり，引用発明２に係る半導体装置は，半導体層がⅠⅠ族酸化物を含む半導体装置であることを前提とするものであることに照らせば，引用例２の「チャネル層５には，…結晶粒界による散乱を考慮してアモルファス状でもよい。」との記載は，あくまでもⅠⅠ族酸化物を前提とするものであって，アモルファス状とするに当たり，半導体層がⅠⅠ族酸化物以外の酸化物を含む半導体装置であってもよいことを記載するものではない。
また，引用例７には，本件組成の薄膜が透明導電膜として用いるものとして開示されているにとどまり，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることが知られていない状況において，アモルファス本件組成が周知であり，半導体層として有用な特性が知られていたからといって，これらのことから直ちに，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることができる（薄膜トランジスタの半導体活性層として機能する）と予測することが可能であったとまでいうことはできない。
したがって，引用発明２において，アモルファス本件組成を採用することに動機付けがあるということはできない。
ウ以上によれば，引用発明２において，相違点２－１に係る本件発明１の構成とすることに容易に想到することができたということはできない。
(3)相違点２－２の容易想到性
ア引用例２の記載から，引用発明２に係る半導体装置には薄膜トランジスタが含まれることは明らかであるところ，前記３(4)のとおり，本件組成をターゲットとしたパルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法を用いた気相成膜方法により，アモルファス本件組成の薄膜を成膜すること，アモルファス本件組成の薄膜は良好な透過性を有することは，本件特許の優先日前に，周知技術であったということができるものの，引用例４，６，７及び８，並びに甲２５及び２９に開示された本件組成の薄膜は，透明導電膜として用いるものとして，引用例９に開示された本件組成の薄膜は，ｐ－ｎ接合ダイオードのｎ型半導体として用いるものとして，それぞれ開示されているにとどまり，薄膜トランジスタの半導体活性層に用いるものとして開示されているものではない。また，本件特許の優先日前に，アモルファス本件組成の薄膜を薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることが，当業者に周知の技術であったことを認めるに足りる証拠はない。


そうすると，半導体層がⅠⅠ族酸化物を含む半導体装置の半導体層である引用発明２において，酸化亜鉛（ＺｎＯ）に代えて，薄膜トランジスタの半導体活性層に用いることができるかも不明であるアモルファス本件組成の薄膜とすることには，動機付けがない。
イさらに，仮に，引用発明２において，酸化亜鉛（ＺｎＯ）に代えて，アモルファス本件組成の薄膜とすることを試みたとしても，少なくとも，当該薄膜において，「電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下」となることを容易に想到することができたということはできない。
すなわち，引用例９には，アモルファス本件組成の薄膜について，電子キャリヤ濃度が４．２×１０１６／ｃｍ－３のものを成膜し得ることが示唆されているということができ，また，引用例１０には，「単結晶の薄膜透明酸化物半導体ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５を電子チャネル…に用いた透明電界効果トランジスタ」の作製に関し，単結晶ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５薄膜について，キャリヤ濃度がおよそ１０１３ｃｍ－３と見積もられる薄膜を作製できたことが記載されているが，アモルファス本件組成の薄膜について，酸素濃度を調整することによりどの程度キャリヤ濃度が変化するかを調べたデータや実際に作製した例についての開示もないのに，当業者が，これらの記載から直ちに，引用例９に示唆されたキャリヤ濃度より更に低い，電子キャ
リヤ濃度が１０
１６／ｃｍ３以下となる薄膜の作製が可能であると予測することは困難であるといわざるを得ない。
ウ以上によれば，引用発明２において，相違点２－２に係る本件発明１の構成とすることに容易に想到することができたということはできない。
(4)小括
以上のとおり，本件審決における本件発明１の引用発明２に基づく容易想到性の判断に誤りはない。
よって，取消事由３は，理由がない。
５取消事由４（本件発明１の実施可能要件の判断の誤り）について(1)特許法３６条４項１号が実施可能要件を定める趣旨は，明細書の発明の詳細な説明に，当業者がその実施をすることができる程度に発明の構成等が記載されていない場合には，発明が公開されていないことに帰し，発明者に対して特許法の規定する独占的権利を付与する前提を欠くことになるからであると解される。したがって，上記の実施可能要件を充足するためには，当業者が，明細書の発明の詳細な説明の記載及び出願当時の技術常識とに基づいて，過度の試行錯誤を要することなく，その発明を実施することができる程度の記載があることを要する。(2)原告は，本件明細書の発明の詳細な説明に記載された成膜条件は，導電性膜を開示する引用例４の製造方法に含まれるから，本件明細書の開示は引用例４の内容と矛盾しており，当業者であっても，導電膜を成膜する条件で行われている本件明細書の記載において，電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性膜が成膜されることを理解することはできない旨主張する。
ア本件明細書の記載
本件明細書には，前記１(1)のとおり，実施例１ないし３，５及び６が，成膜装置の構造，材料の事前処理及び成膜条件等を開示して，具体的に記載されており，また，【００４５】ないし【００４７】及び【図１】（パルスレーザー蒸着法で成膜したＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系アモルファス酸化物の電子キャリヤ濃度と成膜中の酸素分圧の関係を示すグラフ）の記載から，酸素分圧を大きくすることで，アモルファス本件組成の薄膜の電子キャリヤ濃度を低下させること及び酸素分圧の程度と電子キャリヤ濃度との関係を理解することができる。
イ引用例４について
(ア)引用例４（甲４）には，次のような記載がある。【０００１】本発明は，高い導電性と可視，特に青色光透過性を有し，かつ作製が容易である非晶質性酸化物を含む透明導電体膜を有する物品およびその製造方法に関する。さらに本発明は，本発明の物品からなる電極に関する。【００３０】本発明の製造方法では，基板温度を室温から３００℃の範囲とし，かつ１×１０－２［Ｐａ］～１０［Ｐａ］の圧力範囲の酸素雰囲気あるいは酸素ラジカル雰囲気中で，スパッタリング法またはレーザーアブレーション法により，酸化物膜を形成する。スパッタリング法及びレーザーアブレーション法においても，基板温度を室温から３００℃の範囲とし，かつ圧力（酸素分圧）を１×１０－２［Ｐａ］～１０［Ｐａ］の範囲とすることで，非晶質の酸化物膜を形成することができる。基板温度は，好ましくは０～１５０℃の範囲であり，かつ圧力は，好ましくは０．０１［Ｐａ］～１［Ｐａ］の範囲である。
【００３１】スパッタリング法は，常法により行うことができる。また，レーザーアブレーション法では，薄膜形成装置内の酸素分圧の制御は，酸素分子を適当なリークバルブ等から系内に導入することにより行うことができるが，特に，レーザーアブレーション装置内に設置したラジカル銃により行うことが，膜中に含まれる酸素量を制御しやすいという観点から適当である。尚，ラジカル銃とはｒｆプラズマにより酸素等のガスのラジカル種を発生させ真空系内に導入する装置である。【００３５】更に低抵抗化を望む場合は，成膜後に低温（３００℃以下が望ましい）でガス還元法あるいはイオン注入法を用いることでキャリア密度を上げることにより，導電性を向上させることができる。更にターゲットの組成を変える置換ドーピング効果を利用して，キャリア密度を向上してもよい。【００３９】本実施例の条件は以下のとおりである。
光源：ＫｒＦレーザー励起によるＰＬＤ(エネルギー密度４Ｊ／ｃｍ２)
ターゲットはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の焼結体
ＱＺ基板使用
ガス導入     Ｏ２５－４０ＣＣＭ（Ｐｔ＝７．９×１０－２～１．４［Ｐａ］）
酸素ラジカル印加電力   ０－１５０Ｗ
抵抗率        ６．２×１０－３[Ωcm]
キャリア濃度８．５×１０１９［／ｃｍ３］
移動度        １５[ｃｍ／Ｖｓ］
ターゲットはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：４の焼結体（ホモロガスＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍｍ：整数）
ＱＺ，ＰＭＭＡ基板使用


ガス導入      Ｏ２５－４０ＣＣＭ（Ｐｔ＝７．９×１０－２～１．４［Ｐａ］）
抵抗率        ４．３×１０－３[Ωcm]
キャリア濃度２．５×１０２０［／ｃｍ３］
移動度        ５．８[ｃｍ／Ｖｓ］
(イ)上記(ア)のとおり，引用例４には，酸素分圧の望ましい範囲は０．０１［Ｐａ］～１［Ｐａ］の範囲と記載され，実施例１及び２では全圧を０．８－１．０［Ｐａ］とし（【００４３】，【００４５】），実施例３では全圧を０．２～０．４［Ｐａ］とし（【００４７】），実施例４では全圧を０．８～１．０［Ｐａ］（【００４９】）としている。
なお，引用例４の【００３０】には，「１×１０－２［Ｐａ］～１０［Ｐａ］の圧力範囲の酸素雰囲気あるいは酸素ラジカル雰囲気中で」を成膜条件とする旨の記載があるが，【００３５】には，成膜時の酸素分圧の調整以外の手段によって，成膜後の導電性を調整する手段が記載されており，酸素分圧の調整以外の手段が併用されることに備え，引用例４の【請求項１２】において１×１０－２［Ｐａ］～１０［Ｐａ］の圧力範囲を特許請求の範囲にするとともに，【００３０】において，上記の記載がされているものと，当業者であれば理解することができる。これに対し，本件明細書では，実施例１（ＰＬＤ法の例）では酸素分圧が６．５（Ｐａ）（【００４２】），実施例２（ＰＬＤ法の例）では４．５（Ｐａ）超（【００５３】），実施例５（ＰＬＤ法の例）では酸素分圧は５（Ｐａ）（【００７５】），実施例６（ＰＬＤ法の例）では酸素分圧は５（Ｐａ）（【００８１】）である。
以上のとおり，引用例４の酸素分圧は小さく，本件明細書の記載にかかる実施例では，酸素分圧は大きい。したがって，引用例４では導電膜が得られ，本件明細書に記載された実施例では半絶縁性の膜が得られるとしても，両者が矛盾するということはできない。
(3)原告は，本件明細書には，スパッタ法で作製した薄膜のキャリヤ濃度に係る実験データが示されていないから，本件発明１におけるスパッタ法では「電子キャ
リヤ濃度が１０
１６／ｃｍ３以下となる大きさに酸素分圧の大きさを制御すること」が実現できるかは明らかではないし，本件明細書のスパッタ法による唯一の実施例である実施例３の酸素分圧が引用例４の望ましい範囲に完全に含まれているから，少なくとも，スパッタ法については，記載不備の違法がある旨主張する。
ア本件明細書の記載
本件明細書には，前記１(1)のとおり，スパッタ法に関して実施例３が，成膜装置の構造，材料の事前処理及び成膜条件等を開示して，具体的に記載されており，成膜方法によって薄膜の組成自体が変わるわけではないから，ＰＬＤ法による薄膜の電子キャリヤ濃度に係る実験データ（図１）が示されている以上，当業者であれば，同じ真空成膜法であるスパッタ法で成膜された薄膜においても同様の結果が得られているであろうことを，理解するということができる。
イ引用例４について
引用例４の実施例はいずれも，パルスレーザーアブレーション法（パルスレーザー堆積法）によるものであり，引用例４には，スパッタ法による成膜例に係る実施例についての記載はない。
そうすると，引用例４には，本件明細書の実施例３と比較すべき対象が存在しないから，引用例４の記載と本件明細書の記載とが矛盾するということはできない。(4)以上によれば，本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，当業者が本件発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるということができる。
よって，取消事由４は，理由がない。
６取消事由５（本件発明２ないし６の容易想到性及び本件発明２，５及び６の実施可能要件の判断の誤り）について
原告は，本件発明１の引用発明１に基づく容易想到性，引用発明２に基づく容易想到性及び実施可能要件の判断は誤りであるから，本件審決における本件発明２ないし６の引用発明１に基づく容易想到性及び引用発明２に基づく容易想到性並びに本件発明２，５及び６の実施可能要件の判断も，いずれも誤りである旨主張する。しかし，前記３及び４のとおり，本件審決における本件発明１の進歩性に係る判断に誤りはなく，また，前記５のとおり，本件審決における本件発明１の実施可能要件に係る判断にも，誤りはない。
したがって，取消事由５は，理由がない。
７結論
以上のとおり，取消事由１ないし５は，いずれも理由がないから，原告の本訴請求は理由がない。よって，これを棄却することとして，主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第４部
裁判長裁判官      髙    部    眞規    子裁判官      柵    木    澄    子
裁判官      片    瀬        亮
（別紙）
本件明細書図面目録
【図１】                 【図２】
【図５】
（別紙）
引用例１図面目録
【図１】
【図２】
（別紙）
引用例２図面目録
【図１】


平成２４年２月８日判決言渡同日原本領収    裁判所書記官平成２３年（行ケ）第１０１８５号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２４年１月２５日
判        決
原              告        株式会   社東芝同訴訟代理人弁護士        高   橋   雄一郎同          弁理士        堀口    浩
服部直   美
小林幹   雄
山下正   成
手塚史   展
林   佳輔
小   川   百合香
同訴訟復代理人弁護士      大   堀   健太郎被              告        特許庁   長官同指定   代理人          野田定   文
吉水純   子
唐   木   以知良
板谷玲   子
主        文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
特許庁が不服２００９－７７７５号事件について平成２３年４月１８日にした審決を取り消す。
第２事案の概要
本件は，原告が，下記１のとおりの手続において，特許請求の範囲の記載を下記２とする本件出願に対する拒絶査定不服審判の請求について，特許庁が，同請求は成り立たないとした別紙審決書（写し）の本件審決（その理由の要旨は下記３のとおり）には，下記４の取消事由があると主張して，その取消しを求める事案である。
１特許庁における手続の経緯
(1)原告は，平成１７年７月７日，発明の名称を「負極活物質，非水電解質電池及び電池パック」とする発明について特許出願（特願２００５－１９９４５７号。請求項の数は１０）を行った（甲７）。
(2)原告は，平成２１年３月５日付けで拒絶査定を受け（甲１２），同年４月９日，これに対する不服の審判を請求した。
(3)特許庁は，上記請求を不服２００９－７７７５号事件として審理し，平成２３年４月１８日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との本件審決をし，その謄本は，同年５月１０日，原告に送達された。
２特許請求の範囲の記載
本件審決が判断の対象とした特許請求の範囲の請求項１の記載は，以下のとおりである（ただし，平成２１年５月１１日付け手続補正書（甲１１）による補正後のものである。）。以下，その発明を「本願発明」といい，本件出願に係る明細書（甲６，９，１０）を「本願明細書」という。
平均細孔直径が５０～５００Åで，かつｐＨ値が１０～１１．２であるリチウムチタン複合酸化物粒子を含むことを特徴とする負極活物質
３本件審決の理由の要旨
(1)本件審決の理由は，要するに，①本願発明は，国際公開第０３／０７６３３８号（平成１５年９月１８日公開。甲１。以下「引用例」という。）に記載された発明（以下「引用発明」という。）と同一であるから，特許法２９条１項３号の規定により特許を受けることができない，②仮にそうでないとしても，本願発明は，引用発明に基づき，当事者が容易に発明することができたものであるから，同法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。(2)なお，本件審決は，その判断の前提として，引用発明並びに本願発明と引用発明との一致点及び相違点を以下のとおり認定した。ア引用発明：ＬｉとＴｉの原子比を４：５となるように混合し，約２００ないし２５０℃の範囲の温度で噴霧乾燥し，約７００ないし９００℃の範囲の温度及び約６ないし１２時間の範囲の時間でか焼して形成される粗いＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２を水に懸濁し，０．４ないし０．６ｍｍのジルコニア粉砕メディアで８時間粉砕する工程，及びＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２を約４００ないし９００℃で３時間再焼成する工程によって製造された，ＢＥＴ表面積が５ないし１００ｍ２／ｇであって，粒子サイズが１０ないし１０００ｎｍであり，かつ，標準偏差が２０％以下である充放電可能な
リチウムイオンバッテリーの電極用の材料
イ一致点：リチウムチタン複合酸化物粒子を含む活物質である点ウ相違点１：リチウムチタン複合酸化物粒子について，本願発明においては，「平均細孔直径が５０～５００Åで，かつｐＨ値が１０～１１．２である」のに対して，引用発明においては，「ＬｉとＴｉの原子比を４：５となるように混合し，約２００ないし２５０℃の範囲の温度で噴霧乾燥し，約７００ないし９００℃の範囲の温度及び約６ないし１２時間の範囲の時間でか焼して形成される粗いＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２を水に懸濁し，０．４ないし０．６ｍｍのジルコニア粉砕メディアで８時間粉砕する工程，及びＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２を約４００～９００℃で３時間再焼成する工程によって製造された，ＢＥＴ表面積が５ないし１００ｍ2／ｇであって，粒子サイズが１０ないし１０００ｎｍであり，かつ，標準偏差が２０％以下である」Ｌｉ４Ｔｉ５Ｏ１２である点（以下「本件相違点」という。）エ相違点２：活物質について，本願発明においては，「負極」用であるのに対して，引用発明においては，正極，負極の特定がない点
４取消事由
(1)新規性に係る判断の誤り（取消事由１）
(2)進歩性に係る判断の誤り（取消事由２）
第３当事者の主張
１取消事由１（新規性に係る判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)本件審決は，本願明細書に記載されたリチウムチタン複合酸化物粒子の製造方法の一例（【００３６】～【００４４】。その製造条件は別紙のとおり。以下，この製造方法を「本件製法」という。）と引用発明に示されたＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２の製造方法（以下「引用発明製法」という。）との製造条件が重なる部分を摘示し，引用発明のＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２は平均細孔直径が５０ないし５００Åで，かつｐＨ値が１０ないし１１．２であるということができるとして，本件相違点は実質的な相違点でないと判断した。


(2)しかし，本件製法と引用発明製法に製造条件の設定において重なる部分があるとしても，それは，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子が，引用発明製法により必ず製造されることを示すものではない。本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従えば，必ず本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子が製造されるというのでなければ，本件相違点が実質的に相違しないものとはいえない。
しかるに，引用発明に示された製造工程に準じて原告が行った追試実験（甲１３，１４）では，本件製法と引用発明製法の製造条件が重なる部分である，温度を４００℃，時間を３時間として再焼成した場合に，合成されたリチウムチタン複合酸化物粒子のｐＨ値は，本願発明のｐＨ値の上限である１１．２を超えた１１．３となっている（甲１３の表Ａの例Ｄ）。
(3)また，本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従ったとしても，他の要素により，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物が製造されない場合もある。
すなわち，本件製法と引用発明製法との製造条件が重なる部分である，温度を５００℃，時間を３時間として再焼成した場合，甲１３の表Ａの例Ｃの場合には合成されたリチウムチタン複合酸化物のｐＨ値が本願発明のｐＨ値の範囲内である１１．１であったのに対し，甲１４の表１の例２の場合にはその上限値を超える１１．４３となっているが，これは，上記例Ｃの場合には，上記例２の場合に比して，粉砕時に使用したメディアであるジルコニア製ボールと水の量に対する活物質であるチタン酸リチウムの量が少なかったため，粉砕が進んで粒子が小さくなることにより，ｐＨ値が高くなり難くなったものである。同様に，本件製法と引用発明製法との製造条件が重なる部分である，チタン酸リチウムの粉砕時間を８時間，温度を９００℃，時間を３時間として再焼成した場合に，ボールミルの回転数を１５０ｒｐｍとしたときには，合成されたリチウムチタン複合酸化物粒子のｐＨ値が本願発明のｐＨ値の範囲内である１１．０６となったのに対し，２００ｒｐｍとしたときには，本願発明のｐＨ値の上限値を超えた１１．２８となっているが（甲１４の表１の例４，例６），これは，同じ粉砕時間でも，ボールミルの回転数がリチウムチタン複合化合物粒子のｐＨ値に影響したものである。このように，本件製法では，粉砕時のボールミルの回転数や，メディア及び水の量とチタン酸リチウムの量との比率を調整し，ｐＨ値を意識的に調整しているため，ｐＨ値が１０．０ないし１１．２の範囲のリチウムチタン複合酸化物粒子を製造することが可能であるが，引用例のようにｐＨ値について記載も示唆もない場合には，たまたま本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子と同様の物が製造される場合があるにすぎず，これを必ず製造することはできないものである。
(4)被告の主張について
ア被告は，本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従ってリチウムチタン複合酸化物粒子を製造すれば，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子が得られることは，本願発明において当然に求められる要件であり，原告の主張は，本願明細書の記載に基づく主張ではなく，失当であると主張する。しかし，引用発明製法の焼成温度，焼成時間，再焼成温度等の製造条件は，いずれも幅のある記載であり，これらの条件に従ったとしても，本願発明のリチウムチタン複合酸化物粒子が必ず得られるというものではない。複数の条件の組合せを調整することにより，本願発明のリチウムチタン複合酸化物粒子が得られることとなるが，引用例には，合成されたリチウムチタン複合化合物粒子のｐＨ値が１０．０ないし１１．２となるように各条件を組み合わせることの記載や示唆はない。本件製法と引用発明製法において，各製造条件として定められたものの範囲に重なる部分があるとしても，それぞれの条件について，設定された範囲内で組み合わせる必要があるから，「本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従ってリチウムチタン複合酸化物粒子を製造すれば，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子が得られることは，本願発明において当然に求められる要件」とはいえない。イまた，被告は，特許出願において，公開の裏付けとなる明細書の記載の程度は，「その物」全体について実施できる程度に記載されなければならず，「その物」の一部についてのみ実施できる程度の記載では足りないとして，本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従ったとしても，他の要素により，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物が製造されない場合もあるとする原告の主張は失当であると主張する。
しかし，原告は，引用発明に記載されていない条件を組み入れた場合に，本願発明の技術的範囲から外れる場合があることを主張しているにすぎず，本願明細書が「その物」の全体について実施できる程度に記載されていないということではない。本願明細書の実施例等の記載により，本願発明の技術的範囲についての実施可能性は当業者が実施可能な程度に担保されている。
ウさらに，被告は，引用発明製法によって普通に製造される「物」に対して，特許権が設定されるのは不合理であると主張する。
しかし，引用発明製法により，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子が普通に製造されるという根拠はない。
(4)したがって，本件相違点は，実質的な相違点である。
〔被告の主張〕
(1)本願発明と引用発明では，製造原料と製造方法が実質的に重複しているから，引用発明においても，本願発明と性状の同じ物質が得られると解するのが自然である。実際，原告による追試実験でも，引用発明製法に準ずる方法でリチウムチタン複合酸化物粒子を製造した結果，平均細孔直径が５０ないし５００Åで，かつｐＨ値が１０ないし１１．２であるリチウムチタン複合酸化物粒子が得られている（甲１３の表Ａの例Ｂ及び例Ｃ，甲１４の表１の例３及び例４）。したがって，引用発明のリチウムチタン複合酸化物粒子は，平均細孔直径が５０ないし５００Åで，かつｐＨ値が１０ないし１１．２である粒子の態様と合致するので，本件相違点は実質的に相違しないものというべきである。(2)これに対し，原告は，本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従えば，必ず本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子が製造されるのでなければ，本件相違点が実質的に相違しないものとはいえないとした上で，追試実験の例（甲１３の表Ａの例Ｄ）を挙げ，本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従ったとしても，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物が製造されない場合もある旨主張する。


しかし，本願明細書（【００３５】）では，「以下，リチウムチタン複合酸化物粒子の製造方法に一例を説明する」として，本件製法を記載しているのであるから，本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従ってリチウムチタン複合酸化物粒子を製造すれば，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子が得られることは，本願発明において当然に求められる要件であり，原告の主張は，本願明細書の記載に基づく主張ではなく，失当である。
また，原告は，本件製法と引用発明製法とで重なる製造条件に従ったとしても，他の要素により，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物が製造されない場合もあるとも主張している。
しかし，物の発明に係る特許権は，公開の代償として，特許請求の範囲に記載された「その物」について，実施する権利を専有することができる制度であるから，特許出願において，公開の裏付けとなる明細書の記載の程度は，「その物」全体について実施できる程度に記載されなければならず，「その物」の一部についてのみ実施できる程度の記載では足りないのであるから，原告の主張はその前提において失当である。
そもそも，本願発明は，平均細孔直径とｐＨ値というパラメータを所定の範囲に特定した負極活物質という物の発明であって，最適な負極活物質を設定するための方法に関する発明ではないから，このパラメータを有する負極物活質であれば本願発明の対象物となるのであり，仮に，原告が主張するように，引用発明で示された製造方法では，本願発明の上記パラメータから外れる物質ができる場合があるとしても，この製造方法によって普通に製造される「物」に対して，特許権が設定されるのは不合理であるから，引用発明製法によって製造された物が，必ず本願発明の対象物とならなければ，実質的な相違点がないとはいえないという原告の主張は失当である。
２取消事由２（進歩性に係る判断の誤り）について
〔原告の主張〕
(1)本件審決は，仮に，本件相違点が実質的な相違点であるとしても，引用発明は粉砕後の粒径を調整するものであるから，所望の粒子を得るために，引用発明製法において，粉砕時のジルコニア製ボールの直径や粉砕時間を種々変更することは，当事者が適宜行うべき設計事項であって，平均細孔直径が５０ないし５００Åで，かつｐＨ値が１０ないし１１．２であるＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２を製造すること自体は，当業者が容易にすることができたことであると判断した。(2)しかし，本願発明は，リチウムチタン複合酸化物粒子の製造に当たり，再焼成の温度，粉砕条件等を様々な条件で組み合わせることにより，平均細孔直径が５０ないし５００Åのリチウムチタン複合酸化物粒子において，ｐＨ値を１０．０ないし１１．２とする制御を行い，その結果，０．３Ａ放電容量，３Ａ放電時の容量維持率，サイクル寿命を向上させることができるという顕著な効果を有するものであるところ（【００４２】～【００４５】），引用例には合成されたリチウムチタン複合酸化物粒子のｐＨ値に関しては，記載も示唆もない。また，引用例の「粒子サイズがより小さく，粒子サイズ分布がより狭いことは，高い充電及び放電率でその充電用量を維持する電極の製造において有益である」との記載（【０００３】）や，「９００℃，６５０℃，５００℃及び４００℃で再焼成した後･･･粒子サイズは４００℃で約１００ｎｍであり，より高い温度では，それぞれ約２００，５００及び１０００ｎｍに増大した」との記載（【００４２】）に接した当業者は，通常，再焼成の温度はより低いほど好ましいと考えるところ，再焼成温度が低い場合には，ｐＨ値が大きくなる傾向が認められ，本願発明のｐＨ値の範囲を超えることがあるから，引用例の上記記載から導かれる，より小さい粒子を得るため，再焼成温度を低く設定することが好ましいとの事実は，本願発明を想到することを阻害する要因であるということができる。(3)したがって，当業者は，引用発明に基づき，本件相違点に係る本願発明の構成を容易に想到することはできない。
〔被告の主張〕
(1)仮に，引用発明において，平均細孔直径が５０ないし５００Åで，かつｐＨ値が１０ないし１１．２とならない態様を包含するとしても，「高い充電及び放電率でその充電用量を維持する」（甲１【０００３】）ことは周知の課題であるから，引用発明において，引用例に記載された値の範囲内で，焼成時間，粉砕条件，再焼成温度などを高い充電及び放電率でその充電用量を維持するように最適化することは，当業者が適宜行うべき設計事項である。
また，電極の機能に，非水電解質との接触面積が関係することは自明であり，電極の細孔直径が接触面積に影響することは，当業者であれば当然知得できることである。さらに，電極の活物質に不純物が少ない方が好ましいことは当然の事項であるから，不純物である未反応リチウム濃度の指標となるｐＨ値ができるだけ低い適切な値であることが望ましいことも，当業者であれば当然理解できることである。そして，本願発明に規定された二つのパラメータの数値範囲を同時に満たすことに臨界的な意義があるとも認められず，原告による追試実験でも，実際に本願発明に該当するものが存在しているから（甲１３の表Ａの例Ｂ及び例Ｃ，甲１４の表１の例３及び例４），平均細孔直径が５０ないし５００Åで，かつｐＨ値が１０ないし１１．２であるＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２を製造することは，当業者が容易にすることができたことである。
また，上記のとおり，原告による追試実験において，本願発明に該当するリチウムチタン複合酸化物粒子が得られていることからして，本願発明の効果は，引用発明の効果と同じであるか，少なくとも顕著な効果を奏するものといえないことは明らかである。
(2)これに対し，原告は，引用例の記載（【０００３】【００４２】）から導かれる，より小さい粒子を得るため，再焼成温度を低く設定することが好ましいとの事実は，本願発明を想到することの阻害要因であると主張する。しかし，引用例には，再焼成温度として９００℃を採用することも記載されている（【００３７】）。そして，発明の具体化に際して，引用発明の粒子の要件を満たすように，温度条件を４００ないし９００℃の範囲内で適宜変更することは，当業者が通常行う事項であるから，引用例の上記記載（【０００３】【００４２】）は，本願発明を想到することの阻害要因とはならず，原告の主張は失当である。
第４当裁判所の判断
１本願発明について


本願明細書（甲６，９，１０）には，本願発明について，概略，次の記載がある。(1)本願発明は，大電流特性及び充放電サイクル特性に優れた負極活物質を提供することを目的とするものである（【００１０】）。(2)スピネル構造を有するリチウムチタン酸化物を主たる構成相とするリチウムチタン複合酸化物粉末を強固に粉砕し，粉砕物に適当な熱処理条件で再焼成して合成したリチウムチタン複合酸化物粒子の平均細孔直径を５０ないし５００Åの範囲にすることにより，非水電解質の含浸性を格段に向上することができ，大電流特性及びサイクル寿命の向上を達成できる（【００１４】）。(3)また，リチウムチタン複合酸化物粒子のｐＨ値を１１．２よりも小さくすることにより，高温サイクル性能や出力性能を向上させることができる（【００４２】）。他方，電気容量を高容量に保持するためには，ｐＨ値を１０以上にすることが望ましい（【００４５】）。
(4)チタン酸リチウム粉末を機械的に粉砕する場合，未反応Ｌｉ成分が表面に露出することになり，ｐＨ値が１１．２よりも大きくなって電池性能が低下する傾向があるため，粉砕工程後に再焼成を行うことにより，表面に露呈された未反応リチウムが，活物質内部に取り込まれ，ｐＨ値を１１．２以下に制御することが可能となる（【００４４】）。
(5)リチウムチタン複合酸化物粒子の製造方法の一例を説明する（【００３５】）。
アまず，Ｌｉ源として，水酸化リチウム，酸化リチウム，炭酸リチウムなどのリチウム塩を用意し，これらを純水に所定量溶解させ，その溶液にリチウムとチタンの原子比が所定比率になるように酸化チタンを投入する。組成式Ｌｉ４Ｔｉ５Ｏ１２のスピネル型リチウムチタン酸化物を合成する場合，ＬｉとＴｉの原子比は４：５となるように混合する（【００３６】）。
イ次に，溶液を攪拌しながら乾燥させ，焼成前駆体を得る。乾燥方法としては，噴霧乾燥等が挙げられる。焼成前駆体の焼成は，６８０℃以上１０００℃以下で１時間以上２４時間以下程度行えばよい（【００３７】【００３８】）。ウ焼成により得られたリチウムチタン複合酸化物粒子を，粉砕・再焼成することによって，一次粒子の細孔容積と平均細孔直径を制御することが可能となる。粉砕方法としては，ボールミル等が用いられ，粉砕時には水等の公知の液体粉砕助剤を共存させた湿式粉砕を用いることもできる。より好ましい方法は，ジルコニア製ボールをメディアに用いたボールミルであり，液体粉砕助剤を加えた湿式での粉砕が好ましい。再焼成は，２５０℃以上９００℃以下で１分以上１０時間以下程度行えばよい（【００３７】【００３８】【００４０】【００４１】）。
２引用発明について
引用発明は，前記第２の３(2)アのとおり，「ＬｉとＴｉの原子比を４：５となるように混合し，約２００ないし２５０℃の範囲の温度で噴霧乾燥し，約７００ないし９００℃の範囲の温度及び約６ないし１２時間の範囲の時間でか焼して形成される粗いＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２を水に懸濁し，０．４ないし０．６ｍｍのジルコニア粉砕メディアで８時間粉砕する工程，及びＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２を約４００ないし９００℃で３時間再焼成する工程によって製造された，ＢＥＴ表面積が５ないし１００ｍ２／ｇであって，粒子サイズが１０ないし１０００ｎｍであり，かつ，標準偏差が２０％以下である充放電可能なリチウムイオンバッテリーの電極用の材料」である。３取消事由１（新規性に係る判断の誤り）について(1)前記１(5)のとおり，本願明細書（【００３５】～【００４１】）には，本願発明に係るリチウムチタン複合酸化物粒子の製造方法の一例として，本件製法が記載されている。
そして，本件製法と引用発明に示されたＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２の製造方法とは，その方法として記載されたところを比較すると，いずれも焼成によりリチウムチタン複合酸化物（Ｌｉ４Ｔｉ５Ｏ１２はリチウムチタン複合酸化物の一種である。）を合成した後，これを粉砕して再焼成するというものであるが，両者の工程は，製造原料（金属原子比），乾燥方法，粉砕形式，液体粉砕助剤及び粉砕メディアの点において一致し，焼成温度，焼成時間，再焼成温度，再焼成時間の点では，引用発明製法の製造条件は，本件製法の製造条件の範囲に含まれるものとなっていることが明らかである。
したがって，本件製法と引用発明製法とは，実質的に同一の製造方法であると認められるところ，製造原料が同一であって，製造方法が同一であれば，同一の物が製造されると解するのが自然であるから，引用発明においても，本願発明と同一のもの，すなわち，平均細孔直径が５０ないし５００Åで，かつｐＨ値が１０ないし１１．２であるＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２が製造されると認めるのが相当である。なお，本願明細書の実施例１（【０１２４】～【０１４４】）においてスピネル型チタン酸リチウムの粉砕メディアとして用いられたジルコニア製ボールの直径は３mm（【０１２５】）であるのに対し，引用例の実施例１（【００４１】【００４２】）においてチタン酸リチウムの粉砕メディアとして用いられたジルコニア製ボールの直径は０．４ないし０．６mmであるから（【００４２】），本件製法と引用発明製法とにおいても，粉砕メディアとして直径の寸法が異なるジルコニア製ボールが用いられることが考えられるが，上記の各ジルコニア製ボールの直径は，本願明細書の実施例１における粉砕後のスピネル型チタン酸リチウムの平均粒子径（０．８９μｍ）（【０１２５】）と比較しても，引用発明の粒子サイズ（１０ないし１０００ｎｍ）と比較しても，十分に大きなものであるから，各製造工程の粉砕物について，本質的な差異を生じさせるものであるとは認められない。したがって，本件製法と引用発明に記載された製造方法とで直径の寸法が異なるジルコニア製ボールが用いられるとしても，本件製法と引用発明に記載された製造方法とで本願発明と同一のものが製造されるとの前記認定が妨げられるものではない。
(2)原告の主張について


主文
１原告らの請求をいずれも棄却する。
２訴訟費用は原告らの負担とする。
事実及   び理由
第１請求
１主位的請求
(1)原告らが，被告に対し，労働契約上の権利を有する地位にあることを確認する。
(2)被告は，別紙２「賃金額一覧」の「原告名」欄記載の原告らに対し，同「賃金額一覧」の「賃金額」欄記載の額の金員を平成２３年６月１日から毎月５日限り支払え。
２予備的請求
被告は，原告らに対し，それぞれ４７４万７６００円及びこれに対する平成２３年５月１日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２事案の概要等
本件は，被告との間で期限の定めのない労働契約を締結した原告らが，平成２３年３月３１日に被告から廃業及び会社解散を理由として同年４月３０日をもって解雇する旨の意思表示を受けた（以下「本件解雇」という。）ため，被告に対し，主位的請求として，被告による解散は原告らの組織する労働組合を排除する目的で行われたものであるから，本件解雇は解雇権の濫用として無効である旨主張して，①労働契約上の権利を有する地位にあることの確認及び②平成２３年６月１日以降の賃金の支払を求めるとともに，予備的請求として，本件解雇が無効でないとしても，本件解雇は組合差別意図に基づく不当労働行為に当たる旨主張して，不法行為に基づく損害賠償金４７４万７６００円及びこれに対する不法行為日（本件解雇の効力発生日）である平成２３年５月１日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。
１前提事実（争いがない事実並びに後掲証拠及び弁論の全趣旨により容易に認められる事実―争いがない事実及び当事者が争うことを明らかにしない事実については特に根拠を明記しない。）
(1)当事者等
ア原告らは，いずれも被告との間で期限の定めのない労働契約を締結した者であり，それぞれの契約締結日は以下のとおりである。原告Ａ                                昭和６１年７月７日原告Ｂ                                昭和６３年１２月１日原告Ｃ                                平成２年８月２８日原告Ｄ                                昭和５４年８月１日原告Ｅ                                平成２０年１２月１日原告Ｆ                                平成９年９月７日原告Ｇ                                平成２０年９月２６日原告Ｈ                                平成４年４月１日イ原告Ａ，原告Ｂ，原告Ｄ及び原告Ｃは，平成２２年４月ころ，Ｉ労働組合Ｊ支部Ｋ分会（以下「本件組合」という。）を設立し，その後，原告ら全員が本件組合の構成員となった。
ウ被告は，昭和４２年４月２１日に設立された，ゴム工業用品及びコンクリート資材の販売業や貨物運送事業等を目的とする株式会社である。
(2)本件解雇
被告は，原告らに対し，被告の廃業及び会社解散を理由として，平成２３年３月３１日，同年４月３０日をもって原告らを解雇する旨の意思表示を行った（本件解雇）。なお，本件解雇当時における原告らの賃金は，別紙２「賃金額一覧」のとおりであった。
(3)被告の解散
被告は，平成２３年５月２日，運送業の廃業届を提出し，同年６月２０日，株主総会の決議により解散（以下「本件解散」という。）した（乙１，２）。
２争点及び争点に関する当事者の主張
本件の争点は，①主位的請求に関し，本件解散に伴う本件解雇が解雇権の濫用として無効となるか否か（争点１），②予備的請求に関し，仮に本件解雇が無効とならないとしても，本件解雇が不当労働行為に当たり，原告らに対する不法行為を構成するか否か（争点２）であり，これらの争点に関する当事者の主張は以下のとおりである。
(1)争点１（本件解雇が無効か否か）について
（原告らの主張）
本件解雇は本件解散に伴うものであるところ，たとえ偽装解散ではなく真実解散に伴って行われた解雇であっても，それは従業員に対する十分な配慮を必要とするものであって，整理解雇の法理の趣旨が妥当するというべきであるから，本件解散に合理性があり，かつ，本件組合又は被解雇者である原告らとの間で十分な協議が行われたという事情がない限り，本件解雇は解雇権の濫用として無効というべきである（なお，本件解散に合理性があることは被告において主張立証すべきである。）。
そして，①被告が本件組合との間の団体交渉を重ねる中で，本件組合を嫌悪するようになっていたこと（このことは，本件解雇後の再就職の経緯においても，原告らを除く他の従業員だけが全員他社に再就職していたことからもうかがわれる。）及び，②被告の営業について，平成２３年３月１１日に発生した東日本大震災による影響が大きいとはいえないことからすれば，本件解散は，同震災を口実にしつつ，実質は組合嫌悪を理由とするものであって，本件解散には何ら合理性が認められない。
加えて，被告は，本件組合や原告らに対し，本件解散の必要性等を十分に説明していない。
したがって，本件解雇は，客観的に合理的理由を欠き，社会通念上相当であるとは認められないものであるから，解雇権の濫用（労働契約法１６条）として無効である。
（被告の主張）
解雇権の濫用については，解雇が客観的に合理的理由を欠き，社会通念上相当であるとは認められないことが法律上の要件であるから，その主張立証責任は原告らにあるというべきである。


そして，会社の解散は，経済活動の自由（憲法２２条１項）に基づく廃業の自由として保障された権利であるから，解散に伴う解雇の場合には，整理解雇の法理の趣旨は及ばないというべきである。また，被告は，本件組合との間で実施された団体交渉において，合意可能な要求については合意し，応じられない要求については極力説明を尽くした上で要求を断るという是々非々の姿勢で臨んでいるのであって，組合嫌悪の事実はない（なお，再就職の経過については，原告らを含む全従業員に対して，再就職先や再就職のために必要な手続を教示したにもかかわらず，原告らだけがその手続を怠ったことによるものであり，組合嫌悪を示すものではない。）。本件解散は，①平成１８年以降に実施してきた経費削減策（一部事業の廃止，従業員賞与や役員報酬のカット等）によっても，過去５年間の経営状況が思わしくなく，実質的な赤字が続いていたことに加え，②被告代表者であるＬ（以下「被告代表者」という。）の体調不良により経営を続けることができず，適切な後継者も存在しなかったこと，③東日本大震災により取引先企業が甚大な被害を被ったため，その復旧や取引再開に多大な時間を要したことを理由とするものであるから，本件解散には必要性，合理性がある。そして，被告は，本件組合や原告らに対して，本件解散の必要性を十分に説明しているので，本件解雇が解雇権の濫用となることはない。
(2)争点２（本件解雇が不法行為になるか否か）について
（原告らの主張）
上記(1)で主張したとおり，本件解雇は，本件組合を嫌悪した被告が，廃業の必要性がないにもかかわらず，東日本大震災を口実にして行ったものであるから，支配介入を内容とする不当労働行為（労働組合法７条３号）に該当する違法なものであって，不法行為を構成する。
そして，原告らは，本件解雇により，少なくとも不法行為日（本件解雇の効力発生日）である平成２３年５月１日から平成２４年４月３０日までの１年間の賃金相当額について損害を受けたところ，原告らの中で最も給与の少ない原告Ｅの給与（月額１９万３０００円）を基準にすれば，少なくとも，原告らは，それぞれ逸失利益として２３１万６０００円の損害を受けていたといえる。これに加えて，不当労働行為である本件解雇による慰謝料２００万円，弁護士費用４３万１６００円がそれぞれ損害額に含まれるというべきであるから，原告らは，被告に対し，それぞれ４７４万７６００円の損害賠償を求めることができる。
（被告の主張）
否認ないし争う。上記(1)で主張したとおり，本件解雇は，東日本大震災による営業損害を理由とする解散に伴うものであって，適法かつ有効であるから，不当労働行為には該当せず，不法行為とはならない。
第３当裁判所の判断
１争点１（本件解雇が無効か否か）について
(1)株式会社は解散すると，清算結了により消滅するものであり（会社法４７６条），株主総会の解散の決議（同法４７１条３号）は，会社が株主の判断により自ら営業の存続を断念し，営業を廃止して法人格を消滅させるための清算手続に入ることを決定することを意味する。このような会社の解散の自由は，営業の自由（憲法２２条１項参照）の一環として保障されていると解されるから，株式会社に対し，その意思（最高の意思決定機関である株主総会の決議）に反して，労働組合や従業員のために企業を存続することを強いることはできないと解される。
そうであれば，当該株式会社の解散が，偽装解散ではなく，株主総会の適法な決議（内容に法令又は定款違反の瑕疵がない決議）により，会社事業の存続を断念することを決定して行われた解散（真実解散）であれば，その動機，目的の如何を問わず，解散自体は有効であると解するのが相当である。そして，解雇の前提となる解散が真実解散である場合には，会社の清算を行う必要があるため，もはや営業の存続を前提に従業員の雇用を継続することは不可能であるから，解散に伴う解雇は，その従業員を解雇したことが解散後の清算法人における清算事務遂行の見地から著しく不合理であるか，又は，その従業員を解雇するに当たっての手続的配慮を著しく欠いたと認めるに足りる特段の事情が存しない限り，客観的に合理的理由を有し，社会通念上相当なものとして有効であると解するのが相当である。これに対し，原告らは，真実解散に伴う解雇であっても，整理解雇の法理の趣旨が妥当するとして，一般的に解散に合理性がなければ，解雇は無効になる旨主張するが，上記解釈に照らし，採用できない。
(2)上記解釈に照らして本件について見るに，前記前提事実のほか，後掲証拠及び弁論の全趣旨によれば，以下の事実が認められる。ア被告は，平成２３年５月２日に運送業の廃業届を提出し，同年６月２０日に株主総会の決議により解散して，同月２１日，その旨の登記をした（前記前提事実(3)，乙１，２）。
イ被告は，会社解散に伴い，取引先企業から，それまで受注していた業務を引き受けてくれる他の業者を紹介するよう要請されたことから，東北三八五流通株式会社，株式会社エクシング，大昭和ユニボード株式会社の３社に業務の引き受けを依頼し，その協力を得たが，被告と上記３社との間には，資本関係や株主・役員の重複はなく，営業譲渡等も行われなかった（乙３ないし５，弁論の全趣旨）。
ウ被告は，同年３月３１日，原告らを含む全従業員に対して，事業廃止，会社解散に関する説明を行い，同年４月２６日には，全従業員を集めた説明会を開催し，再就職に関する手続（希望者はハローワークを経由して応募する必要がある等），雇用保険の手続や予想される支給金額，退職金や厚生年金基金からの共済金の手続について説明した（争いがない）。(3)そこで検討するに，被告は，現に運送業を廃業した上で株主総会決議により解散しており（上記(2)ア），本件全証拠によっても，被告による本件解散に係る株主総会決議に法令又は定款違反の瑕疵があるとは認められない。また，被告は，その業務についても，他社に引き受けを依頼しているものの，営業譲渡等を行っていない（同イ）以上，他の法人格を利用して営業を継続しているといった事情も認められない。したがって，本件解散は，真に事業の存続を断念した結果行われたものとして有効である。そして，被告は，原告らを含む全従業員に対して解散に関する説明を行った上，再就職の手続や雇用保険等についての説明会を実施している（同ウ）のであるから，原告らを解雇するに当たって，手続的配慮を著しく欠いたと認めるに足りる特段の事情が存すると認めることはできない。また，本件全証拠によっても，本件解雇が，解散後の清算法人における清算事務遂行の見地から著しく不合理であると認めるに足りる特段の事情が存するとは認められない。


そうすると，本件解散に伴って行われた本件解雇は，客観的に合理的理由を有し，社会通念上も相当であるといえるので，無効とはいえない。２争点２（本件解雇が不法行為になるか否か）について(1)解散ないしそれに伴う解雇が有効である場合には，原則としてその解雇は不法行為を構成しないものというべきであるが，当該解散が不当労働行為を行う意思をもって行われた場合には，その解散を理由とする解雇については不当労働行為が成立し，不法行為を構成する余地があると解するのが相当である。そして，当該解散が，不当労働行為を行う意思をもって行われたか否かについては，経営不振の程度，反組合的言動等の有無，組合活動と解散の時期との関係，企業継続の存否等の諸般の事情を総合考慮して判断すべきであると解すべきである。
(2)上記(1)の解釈に照らして本件について検討するに，前記前提事実のほか，争いがない事実並びに後掲証拠及び弁論の全趣旨によれば，以下の事実が認められる。
ア被告においては，平成１８年から平成２０年にかけて，５００万円前後の赤字が続いており，平成２１年には１８００万円を超える赤字となったため，一部の営業所が廃止されるとともに，従業員の賞与や役員の報酬がカットされた（乙６ないし１１，弁論の全趣旨）。
イ平成２３年３月１１日に発生した東日本大震災により，被告については，トレーラーの牽引車が津波により被災した以外は，事務所や倉庫などの不動産も含めて被害がほとんどなかった。他方，被告の取引先企業は，同震災により甚大な被害を受け，同企業の復旧や被告との取引再開には多大な時間を要することとなった（以上につき，争いがない）。ウ上記イの結果，被告は，取引先企業との取引停止により収益を上げることが困難となり，平成２３年度３月期の決算は，営業損益ベースで１５４０万４０９６円の赤字となり，当期純損失は６９２０万６６７１円の大幅な赤字となった（乙１２の１，弁論の全趣旨）。
エ被告は，会社解散に伴い，取引先企業からの要請を受け，東北三八五流通株式会社外２社に業務の引き受けを依頼し，その協力を得たが，被告と上記３社との間には，資本関係や株主・役員の重複はなく，営業譲渡等も行われなかった（前記１(2)イ）。
オ被告は，平成２３年５月２日には運送業を廃業し，同年６月２０日に株主総会の決議により解散した上で，その旨の登記をした（同ア）。カ被告は，本件組合との間で，平成２２年４月３０日，同年５月１６日，同年８月１日，同月２１日，同年１１月１０日，同月２０日，同年１２月４日，同月１８日，平成２３年３月５日にそれぞれ被告訴訟代理人弁護士の立会いの下で団体交渉を行った（争いがない）。
キ被告は，原告らを含む全従業員に対して，事業廃止，会社解散に関する説明を行った上，全従業員を集めた説明会を開催し，再就職に関する手続（希望者はハローワークを経由して応募する必要がある等），雇用保険や退職金，厚生年金基金からの共済金の手続について説明した（前記１(2)ウ）。
(3)上記事実に照らせば，被告では，本件解散以前から経営状況が悪化し，赤字の計上が続いていた（上記(2)ア）ところ，東日本大震災の影響により，取引先企業との取引が長期間にわたって困難となり，その結果，営業損益ベースで１５４０万円超，当期純損失６９２０万円超の大幅な赤字を計上するに至った（同イ，ウ）のであるから，その経営不振の程度は相当大きかったといえる。また，被告は，本件組合の設立直後である平成２２年４月から東日本大震災の発生直前である平成２３年３月５日まで継続的に本件組合との間で団体交渉を行っており（同カ），解散決定後も原告らを含めた全従業員に対して解散や再就職等に関する説明を行っていること（同キ）も併せ考慮すれば，団体交渉拒否等の不当労働行為があるとは認められない。これらの事実に加え，被告が，東日本大震災発生後約２か月で運送業を廃業し，約３か月後に会社を解散したこと（同オ）を併せ考慮すれば，本件解散の直接の理由は，東日本大震災による被災（取引先企業の被災による影響も含む。）によるものと見るのが相当である。そして，被告は，最終的には，運送業を廃業し，会社を解散したことに伴い，他の会社にその業務を引き継いでいるものの，これらの会社との間に資本関係や経営主体の同一性はない（同エ）から，被告が別の法主体の下で事業を継続していると見ることもできない。そうすると，被告による本件解散は，本件組合に対する不当労働行為を行う意思をもってされたものということはできないから，不法行為を構成しない。
(4)これに対し，原告らは，被告が従前から本件組合を嫌悪していた旨主張するが，その根拠として指摘するところは，要するに，被告が本件組合との団体交渉を経て，本件組合の要求に応じることとなったことや，本件組合が被告に対して取締役の退任や役員報酬額の開示等を要求したことなどを内容とするものにとどまり，本件全証拠によっても，被告が本件組合に対して団体交渉拒否や支配介入（ただし，本件において原告らが支配介入に当たる旨主張している本件解散，本件解雇を除く。）といった具体的な不当労働行為をしたと認めることはできないから，原告らの上記主張は推測の域を出るものとはいえず，採用できない。また，原告らは，再就職に係る経緯を指摘して，組合に対する差別があった旨主張するが，仮に原告らの主張を前提としても，上記(3)で検討した結果に照らせば，本件解散当時から，組合に対する差別意図をもって解散をしたとは認め難いので，原告らの指摘する事実をもって，被告による不当労働行為があると認めることはできない。さらに，原告らは，解散に当たって労働組合と十分な協議がされない場合には，解散に伴う解雇は不当労働行為に当たる旨主張するが，解散に当たって事前に労使協議を行う旨の労使協定が存在する場合であればともかく，そのような事情の認められない本件においては，被告において，本件組合との間で解散に先だって事前に十分な協議を行うべき法的義務を負うと解することはできないから，原告らの上記主張は採用できない。その他，原告らが縷々主張するところも，上記結論を左右しない。
第４結論
以上によれば，原告らの請求は，いずれも理由がないからこれらを棄却することとし，訴訟費用の負担につき民事訴訟法６１条，６５条１項本文を適用して，主文のとおり判決する。
仙台地方裁判所第３民事部
裁判長裁判官              関      口      剛      弘裁判官              工      藤      哲      郎裁判官              吉      賀      朝      哉
別紙省略


平成２３年９月７日判決言渡
平成２２年（行ケ）第１０３５８号審決取消請求事件
平成２３年７月６日口頭弁論終結
判                決
原            告      Ｘ
訴訟代理人弁護士      鈴    木          修同                    花    井    美    雪訴訟代理人弁理士      星    野          修同                    鐘ヶ江      幸    男被            告      特許    庁   長   官指定代   理人       亀    丸    広    司同                    黒    瀬    雅    一同                    横    林    秀治郎同                    小    林    和    男
主                文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
３この判決に対する上告及び上告受理の申立てのための付加期間を３０日と定める。
事実及   び理由
第１請求
特許庁が不服２００７－３５２９８号事件について平成２２年７月１３日にした審決を取り消す。
第２当事者間に争いのない事実
１特許庁における手続の経緯
原告は，２００３年（平成１５年）４月４日（パリ条約による優先権主張２００２年９月６日，アメリカ合衆国），発明の名称を「螺旋状相互係止噛み合い案内前進構造」とする発明について，国際出願（特願２００４－５３４２１３号。請求項の数３８。）をし，平成１９年８月９日に特許請求の範囲について補正をしたが，同年９月２７日付けで拒絶査定を受けた。
これに対し，原告は，平成１９年１２月２８日，拒絶査定に対する不服審判の請求をし（不服２００７－３５２９８号），平成２０年１月２５日付けで特許請求の範囲について補正をした（甲４。以下「本件補正」という。）。特許庁は，平成２２年７月１３日付けで，本件補正を却下するとともに，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし（付加期間９０日），その謄本は同月２３日に原告に送達された。
２特許請求の範囲の記載
(1)本件補正前の請求項１の記載は，次のとおりである（以下，この発明を「本願発明」という。なお，本願発明の図４は別紙図１のとおりである。）。
「【請求項１】
間隔が隔てられた一対のアームを持つ開放したレシーバ部材及び前記レシーバー部材を閉鎖するための回転軸線を持つ閉鎖部材を含む医療用インプラントにおいて，ａ）螺旋状をなした噛み合うことができ且つ半径方向に相互係止できる第１及び第２の相互係止形態を含み，前記第１相互係止形態は前記閉鎖部材の外面に取り付けられており，
ｂ）前記第２相互係止形態は前記レシーバー部材の前記一対のアームの内面に取り付けられ，前記第１及び第２の相互係止形態は前記閉鎖部材を前記レシーバー部材内に組み立てるときに回転させることができ，前記第１及び第２の相互係止形態は，前記閉鎖部材の回転時に前記閉鎖部材を前記レシーバー部材内に案内し且つ前進し，
ｃ）前記第１及び第２の相互係止形態は，前記軸線を通る平面内にその実質的長さに沿って均等な断面を各々有し，
ｄ）前記相互係止形態は，前記インプラントの組み立て中及び組み立てに続く使用中に前記アームが半径方向に広がらないように作動的に抵抗する，インプラント。」
〔判決注構成要件の分説及び符号は，審決の表記に合わせた。〕(2)本件補正後の請求項１の記載は，次のとおりである（補正部分に下線を施した。以下，この発明を「本件補正発明」という。）。
「【請求項１】
間隔が隔てられた一対のアームを持つ開放したレシーバ部材及び前記レシーバー部材を閉鎖するための回転軸線を持つ閉鎖部材を含む医療用インプラントにおいて，ａ）螺旋状をなした噛み合うことができ且つ半径方向に相互係止できる第１及び第２の相互係止形態を含み，前記第１及び第２の相互係止形態の各々は，非線形のスラスト面を有し，前記非線形のスラスト面の一方は，他方の相互係止形態の非線形のスラスト面と噛み合い，前記第１相互係止形態は前記閉鎖部材の外面に取り付けられており，前記第１相互係止形態は，前記閉鎖部材から離れた場所において，前記第１相互係止形態が前記閉鎖部材に取り付けられた場所よりも，大きな断面積を有し，
ｂ）前記第２相互係止形態は前記レシーバー部材の前記一対のアームの内面に取り付けられ，前記第２相互係止形態は，前記間隔が隔てられたアームから離れた場所において，前記第２相互係止形態が前記アームに取り付けられた場所よりも，大きな断面積を有し，前記第１及び第２の相互係止形態は前記閉鎖部材を前記レシーバー部材内に組み立てるときに回転させることができ，前記第１及び第２の相互係止形態は，前記閉鎖部材の回転時に前記閉鎖部材を前記レシーバー部材内に案内し且つ前進し，
ｃ）前記第１及び第２の相互係止形態は，前記軸線を通る平面内にその実質的長さに沿って均等な断面を各々有し，
ｄ）前記相互係止形態の前記非線形のスラスト面の各々は，グリップ面を有し，前記グリップ面は，前記相互係止形態が接合されたときに半径方向に互いに重なって，前記アームを前記閉鎖部材に対して半径方向に係止することで，前記相互係止形態は，前記インプラントの組み立て中及び組み立てに続く使用中に前記アームが半径方向に広がらないように作動的に抵抗する，
インプラント。」
〔判決注構成要件の分説及び符号は，審決の表記に合わせた。〕
３審決の理由
審決の理由は，別紙審決書写しのとおりである。要するに，審決は，①本件補正発明は，特開２００２－５２０３０号公報（甲１。以下，甲１を「引用例１」，甲１記載の発明を「引用発明１」ということがある。）及びドイツ実用新案第２９８１０７９８号明細書(甲２。以下，甲２を「引用例２」，甲２記載の発明を「引用発明２」ということがある。)に記載された発明に基づき，容易に発明をすることができたものであるから，本件補正は独立特許要件を充足せず許されない，②本願発明は，引用発明１と同一であり，特許を受けることはできない，とするものである。審決は，上記結論を導くに当たり，引用発明１及び２の内容，同発明と本件補正発明との一致点及び相違点を次のとおり認定した。
(1)引用発明１の内容等
ア引用発明１の内容


間隔を隔てる一対のＵ脚６，７を持つ開放した頭部３及び頭部３を閉鎖するための回転軸線を持つ留めネジ９を含む椎骨にネジ留めする茎ネジ１において，ア）螺旋状をなして噛み合うことができ且つ半径方向に相互係止できる雄ネジ部１０及び雌ネジ部８を含み，雄ネジ部１０及び雌ネジ部８の各々は，線形のスラスト面を有し，線形のスラスト面の一方は，他方のネジ部の線形のスラスト面と噛み合い，雄ネジ部１０は留めネジ９の外面に取り付けられており，イ）雌ネジ部８は頭部３の一対のＵ脚６，７の内面に取り付けられ，雄ネジ部１０，雌ネジ部８の相互係止形態は留めネジ９をＵ脚６，７内に組み立てるときに回転させることができ，雄ネジ部１０，雌ネジ部８の相互係止形態は，留めネジ９の回転時に留めネジ９をＵ脚６，７内に案内し且つ前進し，ウ）雄ネジ部１０及び雌ネジ部８の相互係止形態は，軸線を通る平面内にその実質的長さに沿って均等な断面を各々有し，
エ）雄ネジ部１０及び雌ネジ部８の相互係止形態の線形のスラスト面の各々は，Ｕ脚６，７を留めネジ９に対して半径方向に係止することで，相互係止形態は，茎ネジ１の組み立て中及び組み立てに続く使用中にＵ脚６，７が半径方向に広がらないように作動的に抵抗する，茎ネジ１。
イ引用発明１と本件補正発明との一致点
間隔が隔てられた一対のアームを持つ開放したレシーバー部材及び前記レシーバー部材を閉鎖するための回転軸線を持つ閉鎖部材を含む医療用インプラントにおい
て，
ａ）螺旋状をなした噛み合うことができ且つ半径方向に相互係止できる第１及び第２の相互係止形態を含み，前記第１及び第２の相互係止形態の各々は，スラスト面を有し，前記スラスト面の一方は，他方の相互係止形態のスラスト面と噛み合い，前記第１相互係止形態は前記閉鎖部材の外面に取り付けられており，ｂ）前記第２相互係止形態は前記レシーバー部材の前記一対のアームの内面に取り付けられ，
前記第１及び第２の相互係止形態は前記閉鎖部材を前記レシーバー部材内に組み立てるときに回転させることができ，前記第１及び第２の相互係止形態は，前記閉鎖部材の回転時に前記閉鎖部材を前記レシーバー部材内に案内し且つ前進し，ｃ）前記第１及び第２の相互係止形態は，前記軸線を通る平面内にその実質的長さに沿って均等な断面を各々有し，
ｄ）前記相互係止形態のスラスト面の各々は，前記アームを前記閉鎖部材に対して半径方向に係止することで，前記相互係止形態は，前記インプラントの組み立て中及び組み立てに続く使用中に前記アームが半径方向に広がらないように作動的に抵抗する，インプラント。
ウ引用発明１と本件補正発明との相違点
第１及び第２の相互係止形態の各々について，
本件補正発明の第１及び第２の相互係止形態のスラスト面の各々は非線形であって，グリップ面を有し，グリップ面は相互係止形態が接合されたときに半径方向に互いに重なっており，第１相互係止形態は閉鎖部材から離れた場所において，第１相互係止形態が閉鎖部材に取り付けられた場所よりも，大きな断面積を有し，第２相互係止形態は，間隔が隔てられたアームから離れた場所において，第２相互係止形態がアームの取り付けられた場所よりも，大きな断面積を有しているのに対し，引用発明１のスラスト面の各々は線形であって，線形のスラスト面の各々は，グリップ面を有しておらず，第１相互係止形態が閉鎖部材から離れた場所において，第１相互係止形態が取り付けられた場所よりも断面積が大きいかどうか不明で，第２相互係止形態がアームから離れた場所において，アームに取り付けられた場所よりも，断面積が大きいかどうか不明な点。
(2)引用発明２の内容
骨接合装置において，
螺旋状をなし噛み合うことができ且つ半径方向に相互に係止できるセットスクリュー３の外ネジ１２及びフォークヘッド４に設けられた内ネジ９を含み，内ネジ９は段状に形成された下部フランク１０とアンダーカット１７との連続された非線形のスラスト面を有し，そのスラスト面とセットスクリュー３の外ネジ１２の非線形のスラスト面と噛み合い，外ネジ１２はセットスクリュー３から離れた場所において，外ネジ１２はセットスクリュー３に取り付けられた場所よりも大きな断面積を
有し，
内ネジ９はフォークヘッド４の一対の脚部の内面に取り付けられ，内ネジ９は脚部から離れた場所において，内ネジ９は脚部に取り付けられた場所よりも大きな断
面積を有し，
外ネジ１２及び内ネジ９の相互係止形態はフォークヘッド４内に組み立てるときに回転させることができ，外ネジ１２及び内ネジ９の相互係止形態はセットスクリュー３の回転時にセットスクリュー３をフォークヘッド４内に案内し且つ前進し，相互係止形態の非線形のスラスト面の各々は，グリップ面を有し，グリップ面は，相互係止形態が接合されたときに半径方向に互いに重なって，脚部５をセットスクリュー３に対して半径方向に係止することで，相互係止形態は骨接合装置の組み立て中及び組み立てに続く使用中にフォークヘッド４が半径方向に広がらないように作動的に抵抗する，骨接合装置。
第３取消事由に関する原告の主張
１取消事由１（独立特許要件充足性判断の誤り）
(1)引用発明２の認定の誤り
審決は，引用発明２は，螺旋状をなし噛み合うことができ且つ半径方向に相互に係止できるセットスクリュー３の外ネジ１２及びフォークヘッド４に設けられた内ネジ９を含み，かつ，外ネジ１２及び内ネジ９の相互係止形態はセットスクリュー３の回転時にセットスクリュー３をフォークヘッド４内に案内しかつ前進するという特徴を有する，と認定する。
しかし，引用発明２は，以下のとおり，支持棒をフォークヘッド４の底部に押し込んだ状態で，支持棒に接触する位置までセットスクリュー３をフォークヘッド４内に差し込んだ上で，これを約９０度回転して外ネジ１２と内ネジ９を係止させる構造しか示されていないから，審決の上記認定は，誤りである。ア引用例２には，「セットスクリュー３の外ネジ１２及びフォークヘッド４に設けられた内ネジ９が，螺旋状をなしている」，「セットスクリュー３をフォークヘッド４内に案内しかつ前進させる」との記載はない。螺旋状にねじ山が形成され，雄ねじと雌ねじがねじ山の全長にわたって回転するためには，ねじ山の傾斜角度は，ねじ山の始めから終わりまで均一でなければならないにもかかわらず，引用例２には，個々のフランクの傾斜角度は，ネジ山の少なくとも１つのセクションにおいて，「均一であるか，増加又は減少する」（・・・gleichist,abnimmt   oderzunimmt.）と記載されている。