しかしながら、上記の除斥期間が定められた趣旨及び法的性質に照らせば、上記各事例に共通するように、民法７２４条後段の効果が生じないとされるためには、少なくとも、被害者が、不法行為から２０年の間に、不法行為による損害賠償請求権を行使することが客観的におよそ不可能であり又はその行使の機会がなかったといえる場合に、客観的に権利行使を不可能にし、又はその行使の機会を失わせたのが加害者であるため、２０年の経過により加害者が損害賠償義務を免れることが、著しく正義・公平の理念に反する場合であって、同様の場合に時効期間が満了していても時効の完成を猶予する明文の規定がある場合には、その規定の法意に照らして、民法７２４条後段の効果は生じないものと解すべきである。本件優生手術が、憲法１４条１項に反し無効である旧優生保護法の優生条項に基づいてされたものであり、優生手術が、厚生大臣の指揮監督のもと、全国的かつ組織的に実施されていたことは上記認定のとおりであって、優生思想の普及が図られていたことから、優生手術の対象とされた者が損害賠償請求権を行使することが困難であったということはできるが、他方で、控訴人甲１について、昭和５４年頃、本件優生手術を受けたことが知られたため縁談が破談になったことは上記認定のとおりであり、控訴人甲１の母は、昭和５０年頃、控訴人甲１の義姉に対して控訴人甲１に子どもができないように手術したことを伝えるなど、控訴人甲１に不妊手術が実施されたことを認識していた（甲１Ｂ６、（省略））から、遅くともそのころ、控訴人甲１は、優生手術を受けたことを認識し得たものというべきであり、控訴人甲２は、本件優生手術から半年程度経った頃、両親の会話を偶然聞くことがあり、自身の受けた手術が、不妊手術、優生手術であることを認識した（甲２Ｂ１７、控訴人甲２本人（原審））というのであるから、控訴人らが権利行使することが客観的におよそ不可能であり又はその行使の機会がなかったとまではいえない。そして、上記のとおり、民法７２４条後段所定の期間が、被害者側の認識のいかんを問わず一定の時の経過により法律関係を確定させるため、請求権の存続期間を画一的に定めたものであり、民法７２４条後段の効果が生じないとされた上記事例をみても、除斥期間の適用を事案の具体的事情により制限することを広く認めたものとは解されないのであり、正義・公平という理念のみに基づいて、最高裁判所による違憲判決がされてから６か月以内に権利行使した場合に、民法７２４条後段の効果が排除されると解することは、本件優生手術が国による違法な行為であり、その結果、控訴人らが重大な損害を被ったことを考慮に入れたとしても、なお困難であるといわざるを得ない。したがって、控訴人らの主張は採用することができない。ウ控訴人らは、被害者による権利行使を民法７２４条後段の期間の経過によって排斥することが著しく正義、公平に反するような特段の事情がある場合には、国による不法行為を客観的に認識し得た時点から相当期間その効果を制限するのが相当であり、それが条理にも適うとし、客観的に認識し得た時期は、最高裁判所の違憲判決があった時というべきであり、また、一時金支給法の制定時（平成３１年４月２４日）と考えることにも一定の合理性があると主張する。
しかしながら、民法７２４条後段が、被害者側の認識のいかんを問わず一定の時の経過により法律関係を確定させるため、請求権の存続期間を画一的に定めたものであることは上記のとおりであり、民法７２４条後段の効果が生じないとされた事例も、不法行為から２０年の間に損害賠償請求権を行使することが客観的におよそ不可能であり又はその行使の機会がなかった場合に、客観的に権利行使を不可能にし又はその行使の機会を失わせたのが加害者であるため、２０年の経過により加害者が損害賠償義務を免れることが、著しく正義・公平の理念に反する場合であって、同様の場合に時効期間が満了していても時効の完成を猶予する明文の規定がある場合には、その規定の法意に照らして、民法７２４条後段の効果が生じないとするものであることに照らせば、正義・公平という理念のみに基づいて、被害者の認識により民法７２４条後段の効果を排除し得るものと解することは困難である。
そして、控訴人らが、本件優生手術の実施及びそれによる損害の発生を認識しており、旧優生保護法の優生手術であったことについても認識し又は認識し得たものというべきであることも上記のとおりであるところ、控訴人らは、本件優生手術について認識していたとしても、控訴人らの権利を侵害する違法、違憲なものであり、被控訴人による不法行為が成立することを認識することができなかったと主張する。
確かに、本件優生手術から２０年が経過した時点では、平成８年法改正は行われておらず、当時、過去に実施された優生手術につき法律に基づく適法なものと取り扱われており、優生手術が違憲、違法なものであるとの認識が一般的であったとはいえないから、優生政策の実施等を踏まえれば、優生手術を受けた者が、当該優生手術につき、違法であったと判断し、被控訴人に対して損害賠償請求権を行使することは困難であったということができるが、客観的におよそ不可能であったとまでいうことはできない。したがって、控訴人らの上記主張は採用できない。
正義公平の理念による民法７２４条後段の適用制限
控訴人らは、本件では、仮に除斥期間の起算点から２０年が経過していたとしても、適用を制限すべき特段の事情があり、正義公平を根拠として民法７２４条後段の適用は制限されるべきであると主張する。しかしながら、民法７２４条後段の趣旨及び法的性質に照らし、正義・公平という理念のみに基づいて、民法７２４条後段の効果を排除し得るものと解することが困難であることは上記のとおりであって、控訴人らの上記主張は採用できない。
本件に民法７２４条後段を適用することの違憲性
ア控訴人らは、民法７２４条後段の制度目的自体には正当性があったとしても、本件に適用することは、侵害行為の態様、侵害される法的利益の種類及び侵害の程度、並びに免責又は責任制限の範囲及び程度に照らし、制度目的達成のための手段としての合理性、必要性が一切なく、国賠法４条のうち民法７２４条後段を適用する部分は、控訴人らに適用する限りにおいて憲法１７条に違反すると主張する。


イ控訴人らの上記主張は、法令が当然に適用を予定している場合の一部につきその適用を違憲と判断すべきというものであって、結局のところ、法令の一部を違憲であると主張するに等しいものといわざるを得ない。そこで、国賠法４条、民法７２４条後段が憲法１７条に違反するかについてみるに、憲法１７条は、国又は公共団体に対して損害賠償を求める権利を保障し、当該権利については法律による具体化を予定しているものであるところ、公務員の不法行為による国又は公共団体の損害賠償責任を免除又は制限する法律の規定が憲法１７条に適合するか否かは、当該規定の目的の正当性並びにその目的達成の手段として免責又は責任制限を認めることの合理性及び必要性を総合的に考慮して判断すべきである（最高裁平成１４年９月１１日大法廷判決・民集５６巻７号１４３９頁参照）。国賠法４条により適用される民法７２４条後段は、不法行為をめぐる法律関係の速やかな確定を意図するものであり、被害者側の認識のいかんを問わず、不法行為の時から２０年という一定の期間の経過によって法律関係を確定させるため請求権の存続期間を画一的に定めたものであると解されることは上記説示のとおりであるところ、その規定の目的は正当であり、その目的達成の手段として上記のとおり免責を認めることに合理性及び必要性があることに照らせば、民法７２４条後段が憲法１７条に適合しないものということはできない。
したがって、国賠法４条により適用される民法７２４条後段が憲法１７条に違反するものとはいえず、本件に民法７２４条後段を適用することが、その目的、趣旨を逸脱するものということもできないから、控訴人らの上記主張は採用できない。
本件に民法７２４条後段を適用することの拷問等禁止条約及び国際慣習法
違反
ア控訴人らは、本件に民法７２４条後段を適用することが拷問等禁止条約１４条１項に違反すると主張する。
条約は、その国について効力が発生した日前に生じた行為、事実又は同日前に消滅した事態に関しては、当該当事国を拘束しない（条約法条約２８条）とされているところ、本件優生手術がされたのは、控訴人甲１については（省略）控訴人甲２については（省略）であり、日本が拷問等禁止条約に加入したのは平成１１年であるから、上記拷問等禁止条約の規定は、本件との関係では、日本を拘束するものではないというべきである。なお、控訴人らは、控訴人らへの侵害が日本の拷問等禁止条約加入まで継続しており、継続的侵害の法理により条約の適用を認めることができると主張するが、控訴人らに対する加害行為が本件優生手術の実施により終了し、損害も本件優生手術の時に発生したものというべきであることは前記説示のとおりであるから、控訴人らの主張は採用することができない。
そもそも、拷問等禁止条約１４条１項は、その文言上、被害者について生じた損害賠償請求権について、権利の存続期間を設けることを許さないとするものではなく、拷問等禁止条約の解釈にかかる拷問禁止委員会の一般的意見は、日本を拘束するものではなく、１４条の効果的な実施を阻む具体的な障害として出訴期間が挙げられている（平成２４年の一般的意見第３８項。甲Ａ１４８）ものの、救済を受ける権利について出訴期間を設けることを一切許容しないこととはされていないから、除斥期間の適用があること自体が同項に違反するということはできない。イ控訴人らは、本件に民法７２４条後段を適用することが国際慣習法に違反すると主張し、「時効は、国際人権法及び国際人道上の重大な違反であって国際法上の犯罪を構成するものには適用されない」とする基本原則及びガイドライン原則６は、国際慣習法となっており、控訴人らの救済を受ける権利が、自由権規約及び社会権規約、女子差別撤廃条約、拷問等禁止条約、障害者権利条約などに規定された、被害者の救済を受ける権利であり、本件優生手術は国際人権法及び国際人道上の重大な違反であって国際法上の犯罪に当たると主張する。
しかしながら、そもそも、条約が効力を発生した日前に生じた行為等に関して当事国を拘束しないことは上記のとおりであり、上記各条約について、日本が加入又は批准したのは、自由権規約及び社会権規約が昭和５４年、女子差別撤廃条約が昭和６０年、拷問等禁止条約が平成１１年、障害者権利条約が平成２６年であって、いずれも本件優生手術の後であるから、本件との関係では、日本を拘束するものではないし、いずれも、出訴期間等の時間的制限を設けることを一切許容しないとするものでもない。また、上記基本原則及びガイドライン原則６については、その諮問会議報告書において、各国から懸念が示されている状況であり、その他の事情に照らしても、各国において広く一般的に受け入れられ、又は、国際法上の義務と認識され、確信して行われているなど、国際慣習法となっているということはできない。
よって、本件に民法７２４条後段を適用することが国際慣習法に違反するということはできず、控訴人らの主張は採用することができない。
４小括


上記のとおり、控訴人らの主位的請求のうち、主位的違法行為③は、国賠法１条１項の適用上違法の評価を受け、本件優生手術により控訴人らが被った損害について、被控訴人に対する損害賠償請求権が生じているところ、控訴人らが本訴を提起したのは、控訴人甲１が平成３０年１月３０日、控訴人甲２が同年５月１７日であり、控訴人らが本件優生手術を受けたのは、控訴人甲１が（省略）控訴人甲２が（省略）であるから、本訴提起の時点においては、いずれも不法行為の時から２０年以上が経過し、除斥期間の経過により上記損害賠償請求権は消滅している。また、旧優生保護法の優生条項の立法行為及び本件優生手術までその改廃を行わなかった不作為が、国賠法１条１項の適用上違法であることは上記のとおりであるが、仮にこれが主位的違法行為③と継続的な不法行為であるといえるとしても、本件優生手術の時点が不法行為の時であることに変わりはないから、２０年以上が経過していることは同様である。なお、仮に、控訴人らの主張を踏まえ、平成８年法改正までは、旧優生保護法が存在しており、同法に基づく優生手術が適法であったことや優生政策等の実施により、適法であるとの認識が一般的であったことに鑑み、平成８年法改正の時点を除斥期間の起算点と解したとしても、本訴提起の時点では既に２０年以上が経過している。そして、平成８年法改正前後からの２０年の間には、平成８年法改正に際し、日本障害者協議会等からの改正の要望がされ、これに先立ち、国連の会議などでも旧優生保護法を取り上げて、改正すべきとの強い意向が示されていたこと、平成８年法改正後は、謝罪を求める会が結成され、平成９年には謝罪と補償を求める要望書を厚生省に提出したこと、障害者基本法や障害者差別解消法などの法整備がされたこと、日弁連も平成１３年及び平成２７年には優生手術の対象となった人達に対する補償の措置を講じるべきであることなどを内容とする報告書を発表していること、控訴人甲２が平成９年以降、謝罪を求める会において活動し、平成２５年には弁護士に相談して日弁連に人権救済の申立てを行ったことはいずれも上記認定のとおりであり、優生政策が推進されたことなどにより、優生思想による差別や偏見が継続して存在していたことなどを考慮しても、上記期間内に優生手術の対象とされた控訴人らが権利行使することが著しく困難であって、手術の違法性を訴えることが不可能に近い状態であったとまではいえないから、控訴人らが主張するところを考慮しても、上記結論は左右されない。
５争点２（平成８年法改正後の被控訴人による被害回復、軽減措置の不作為による不法行為が成立するか）について
厚生大臣及び厚生労働大臣が遅くとも平成８年法改正までに発生する、損害の賠償、補償のための措置を含む被害回復、軽減措置を講ずる義務を怠っ
たこと（予備的違法行為①）の違法性
控訴人らは、厚生大臣及び厚生労働大臣は、遅くとも平成８年法改正までに、主位的違法行為①から③の先行行為に基づく条理上の作為義務として、控訴人らが被った優生手術に基づく損害及び人としての尊厳に対する被害について、被害回復、軽減措置として、優生条項の廃止の事実や理由の公表、謝罪等によるスティグマ除去、名誉回復、被害実態の検証、損害の賠償、補償のための措置を講じるべき作為義務を負っていると主張する。しかしながら、国賠法１条１項の違法とは、公権力の行使に当たる公務員が個々の国民に対して負担する職務上の法的義務に違反することをいうものと解され、職務上の法的義務があるというためには、控訴人らの主張する先行行為から生じる条理上の作為義務の発生要件が当該公務員にとって明確であり、発生すべき作為義務の内容も当該公務員にとって明らかであることを要するものと解されることは主位的違法行為④について説示したとおりである。控訴人らは、主位的違法行為①から③がいずれも国賠法１条１項の適用上違法であるとして、本件優生手術により発生した損害賠償を求めているところ、控訴人らの主張によっても、損害賠償請求権に加えて、主位的違法行為①から③を先行行為として、厚生大臣及び厚生労働大臣に、控訴人らとの関係で、条理上何らかの作為義務が発生することが明らかではなく、控訴人らが主張する作為義務の内容も被害回復・軽減措置というのみで、控訴人らが例示する項目を併せてみても具体的に明確であるとはいえないし、先行行為であるとする主位的違法行為①から③の内容から、具体的に発生する作為義務の内容が明確であるということができないことも同様である。また、控訴人らが被った本件優生手術による損害等に対する損害賠償や補償のための措置を講じる義務があったと主張していることについては、憲法上保障されている国家賠償請求権を行使するための立法として、既に国賠法が存在しており、平成８年法改正の時点では、優生手術から２０年の除斥期間を経過していた被害者が多数いたことを考慮しても、国賠法とは別に国家賠償請求権の行使の機会を確保するための立法措置をとることが憲法上の要請であるとはいえず、上記立法措置が必要不可欠であり、そのことが明白であるにもかかわらず、国会が正当な理由なくこれを怠っていたということもできないから、厚生大臣又は厚生労働大臣が国賠法のほかに損害賠償請求のための法案を提出すべき職務上の法的義務を負っていたとはいえない。さらに、控訴人らは、憲法１３条あるいは公平の原則及び憲法１３条、１４条、２５条の精神、趣旨に基づく補償請求権があることを前提として、補償請求のための立法措置を講じる義務があったと主張するが、憲法の上記条文ないしその精神、趣旨から具体的な補償請求権が発生しているということは困難であり、旧優生保護法による優生手術を受けた者に対する補償の要否、要する場合におけるその具体的な手続及び内容は、国会の裁量的権限にゆだねられるものと解されるから、平成３１年に制定された一時金支給法が補償請求に係る立法措置であると評価し得るとしても、その制定の時期及び内容について、立法裁量の当不当の問題が生じるにすぎず、補償請求に係る立法措置ではないと評価される場合であっても、補償請求のための立法措置が必要不可欠であり、そのことが明白であるにもかかわらず、国会が正当な理由なくこれを怠っていたということはできないのであって、いずれにしても厚生大臣又は厚生労働大臣が補償請求のための法案を提出すべき職務上の法的義務を負っていたとはいえない。
したがって、厚生大臣及び厚生労働大臣について、予備的違法行為①が、控訴人らとの関係で、国賠法１条１項の適用上違法であることをいう控訴人らの主張は理由がない。
国会議員が、平成１９年３月以降、本件優生手術を受けた控訴人らが被控訴人に対して有する憲法１７条に基づく国家賠償請求権又は憲法１３条あるいは公平の原則及び憲法１３条、１４条、２５条の精神、趣旨に基づく補償請求権を行使するための立法措置を講じることを怠ったこと（予備的違法行為②）の違法性


主         文
１被告は、原告に対し、別紙文書目録記載１及び２の各文書をＢ管理組合の管理事務所において閲覧させよ。
２訴訟費用は被告の負担とする。
事実及   び理由
第１請求
主文同旨
第２事案の概要
本件は、札幌市ａ区ｂ町ｃ丁目に所在するマンション（以下「本件マンション」という。）の区分所有者の配偶者である原告が、本件マンションの管理組合（以下「本件管理組合」という。）の理事長である被告に対し、本件マンションの管理規約（以下「本件管理規約」という。）に基づき、別紙文書目録記載１及び２の記帳済み通帳等の閲覧を求める事案である。
１前提事実
以下の事実は、当事者間に争いがないか、後掲括弧内記載の証拠及び弁論の全趣旨により容易に認められる。
⑴    原告は、本件マンションの区分所有者である訴外Ｄの配偶者であり、平成２３年４月２８日から現在まで、Ｄの区分所有建物において同人と同居している（甲１７、１８、乙１）。
⑵本件管理組合は、本件マンションの区分所有者全員で構成され、本件マンションの管理を行うために設立された建物の区分所有等に関する法律（以下「区分所有法」という。）３条前段所定の団体である。
⑶被告は、本件管理組合の理事長であり、本件管理規約４３条２項により区分所有法所定の管理者となる（甲１１）。
⑷本件管理規約６９条は、「理事長は、会計帳簿、什器備品台帳、組合員名簿、及びその他の帳票類を作成して保管し、組合員又は利害関係人の理由を付した書面による請求があったときは、これらを閲覧させなければならない。この場合において、閲覧につき、相当の日時、場所等を指定することができる。」と定めている（甲１１）。
⑸原告は、令和３年４月１３日、本件管理組合の当時の理事長であったＥに対し、訴外Ｆ元理事長が取引業者から収受した金銭の所在を確認する必要があるとして、平成２０年４月１日から平成２９年３月３１日の期間に係る記帳済み貯金通帳及び支払伺書の閲覧を書面にて請求した（甲１）。⑹原告は、令和３年８月２５日、同年９月７日及び同月１４日、Ｅに対し、平成２６年度から本件マンションで開催されている「サロン」（住民の交流と地域活動を目的に理事会の下部組織として、本件マンションの集会室で開催される集会）に要する費用の内訳が組合員に対して公開されたことがないなどとして、平成２６年度以降のサロン開催に関する収支内訳書、総勘定元帳、通帳等の閲覧を書面にて請求した（甲４～７）。
⑺Ｅは、同月１６日、原告の上記閲覧請求はいずれも不適法なものであるとして却下した（甲８）。
⑻原告は、同年９月２２日、Ｅを被告として本件訴訟を提起した。⑼Ｅは令和４年３月６日開催の本件管理組合の理事会において、理事長を辞任し、本件管理組合の副理事長であった被告が理事長に就任した。⑽被告は、同月１０日、本件訴訟手続を受継した。
２争点及びこれに対する当事者の主張
本件の争点は、原告が本件管理規約６９条の定める「利害関係人」に該当するか否かである。
（原告の主張）
原告は、本件マンションの区分所有建物を所有するＤの配偶者であり、同一世帯員であるから、当然に利害関係人に該当する。また、組合員であるＤから会計帳簿の閲覧請求及び閲覧作業の委任を受けている。
（被告の主張）
本件管理規約６９条は国土交通省が作成したマンション標準管理規約６４条を参考に作成されているところ、同条の「利害関係人」は、総会議事録の閲覧請求を定める標準管理規約４９条の「利害関係人」と同義と解される。同４９条の「利害関係人」とは、「敷地、専有部分に対する担保権者、差押債権者、賃借人、組合員からの媒介の依頼を受けた宅地建物取引業者等法律上の利害関係がある者をいい、単に事実上利益や不利益を受けたりする者、親族関係にあるだけの者等は対象とはならない。」と解されるが、原告はこれらの者のいずれにも該当しないから本件管理規約６９条の「利害関係人」には当たらない。
第３当裁判所の判断
１区分所有法は、建物又はその敷地若しくは附属施設の管理又は使用に関する区分所有者相互間の事項は、同法に定めるもののほか、規約で定める旨規定しているところ（同法３０条１項）、同法が閲覧請求の対象とする書面は、規約（同法３３条２項）及び集会の議事録（同法４２条５項）に限られることから、会計に関する書類を閲覧請求の対象とするか否か、また、これをいかなる範囲の者に閲覧させるかは、もっぱら区分所有者の意思に基づく自治的規範である規約に委ねているものと解される。
２そして、本件管理規約６９条は、理事長に会計帳簿、什器備品台帳、組合員名簿及びその他の帳票類（以下「会計帳簿等」という。）の作成・保管義務を課すことに加えて、組合員又は利害関係人の理由を付した書面による請求があったときは、会計帳簿等を閲覧させなければならない旨定めている。本件管理規約がその第７章に会計に関する定めを置き、理事長による管理組合の収支予算案・決算案の総会への提出及びこれらの総会での承認等の会計に関する基本的事項を定め（６３条及び６４条）、管理費等の徴収、預金口座の開設、組合業務遂行のための借入れ等会計業務を遂行する上での必要な事項についての定め（６５条ないし６８条）の後に上記６９条を設けていることや本件管理組合が区分所有法３条所定の団体であり、会計に関しても自治的な運営に任されていること等を考慮すると、上記６９条の閲覧請求制度は、管理組合の構成員である組合員及び本件マンションの管理又は使用に利害関係を有する者に会計帳簿等の閲覧を認めることにより、会計業務の透明性を確保し、管理組合の健全な運営を実現することをその目的とするものと解される。そして、本件管理規約６９条は、会計帳簿等の閲覧請求権者を「組合員又は利害関係人」という一定の範囲の者に限定しているが、この限定は、閲覧請求の対象となる会計帳簿等には本件マンションに居住する者の個人情報や本件マンションの防犯上重要な情報等が含まれるところ、これらの情報が閲覧請求制度の上記目的を達するのに必要な範囲外の者に取得されることを防止するためと解される。


令和５年２月２８日判決言渡同日原本領収    裁判所書記官令和４年（ワ）第１５１３６号発信者情報開示請求事件
口頭弁論終結日令和５年１月１６日
判        決
原        告          Ｘ
同訴訟代理人弁護士         大    熊    裕    司
島    川    知    子
被        告          グーグル・エルエルシ   ー同訴訟代理人弁護士          赤    川        圭
山    内    真    之
山    本    浩    貴
伊    藤    誠    悟
ほか
主        文
１被告は、原告に対し、別紙発信者情報目録記載の各情報を開示せよ。２訴訟費用は被告の負担とする。
３この判決に対する控訴のための付加期間を３０日と定める。
事実及び理由
第１請求
主文同旨
第２事案の概要
１本件は、原告が、インターネット上の地図サービスである「Ｇｏｏｇｌｅマップ」（以下「本件サイト」という。）を運営する被告に対し、氏名不詳者（以下「本件投稿者」という。）による別紙投稿動画目録記載のアカウントによる投稿（以下「本件投稿」という。）が、原告においてインスタグラムに投稿した動画に係る原告の著作権（複製権・公衆送信権）を侵害することが明らかであると主張して、特定電気通信役務提供者の損害賠償責任の制限及び発信者情報の開示に関する法律（以下「法」という。）５条１項に基づき、別紙発信者情報目録記載の各情報(以下「本件発信者情報」という。)の開示を求める事案である。２前提事実（当事者間に争いのない事実並びに後掲の各証拠及び弁論の全趣旨により認められる事実をいう。なお、証拠を摘示する場合には、特に記載のない限り、枝番を含むものとする。）
当事者等
ア原告は、肩書地に居住する女性である。
原告の夫は、医療法人社団孝雄会アップル歯科医院（以下「本件歯科医院」という。）を経営する歯科医である。（甲１、２）
イ被告は、インターネットで閲覧可能な地図サービスである「Ｇｏｏｇｌｅマップ」（本件サイト）を運営・管理する者である。
⑵本件動画に係る権利関係
ア原告は、令和３年１０月２７日午前１１時３０分頃、夫が、本件歯科医院付近の路上を走りながら向かってくる様子をスマートフォンで撮影した（以下、これにより撮影された動画を「本件動画１」という。）。（甲８ないし１０、弁論の全趣旨）
イ原告は、同月２８日、本件動画１の下に「麻酔待ちの間にご近所に菓子折り渡しに走ってる。田舎すぎて。笑」とのテロップ（以下「本件テロップ」という。）を付した動画（以下「本件動画２」といい、本件動画１と併せて「本件各動画」という。）を作成し、自身のインスタグラムのストーリーズに投稿した。
なお、原告のインスタグラムのアカウントについては、非公開とする設定がされており（いわゆる鍵アカウント）、上記投稿当時、３０名程度のフォロワーのみが閲覧することが可能な状態であった。
（以上につき、甲９、１０、弁論の全趣旨）
⑶本件投稿者による投稿
ア本件投稿者は、令和４年１月頃、Ｇｏｏｇｌｅのアカウントにログインをした上で、本件投稿を行った。（甲１０、弁論の全趣旨）イ本件投稿は、別紙投稿画像目録記載のとおり、本件動画２の一場面を静止画として切り取った画像２枚（以下、併せて「本件投稿画像」という。）を、本件サイト上、本件歯科医院の写真としてアップロードするものである。これにより、本件サイトにおいて、地図上に表示された本件歯科医院をクリックすると、本件投稿画像が表示される状態となっていた。
⑷本件発信者情報の保有
被告は、本件発信者情報を保有している。（弁論の全趣旨）
３争点
⑴権利侵害の明白性（争点１）
ア本件各動画の著作物性（争点１－１）
イ黙示の承諾の有無（争点１－２）
ウ著作権法４１条適用の有無（争点１－３）
⑵正当な理由の有無（争点２）
第３争点に関する当事者の主張
１争点１－１（本件各動画の著作物性）について
（原告の主張）
⑴本件各動画の著作物性
原告は、夫に頼まれて、本件歯科医院が借りている駐車場の大家に書類を届けに行こうとしたものの、まだ周囲の地理に詳しくなかったため、直ちにはたどりつけなかった。そして、原告は、その時見た空がとても青くて美しかったため、周囲の景色をスマートフォンの動画で撮影していたところ、夫がたまたま外に出てきて、大家の自宅のある方向を指で指して教えに来てくれたため、夫の走っている姿もそのまま撮影したものである。このように、本件各動画は、原告が美しく感じる風景を自ら選択し撮影したものであり、その構図やカメラアングルも自ら設定したものである。そして、夫が登場した場面においても、スマートフォンを固定して撮影したものではなく、夫を被写体としない選択もあったのに夫に焦点を合わせて撮影を行っていることからしても、誰が撮影しても同じ表現になるものではない。したがって、本件各動画は、原告の個性の発揮によりその思想又は感情を創作的に表現したものであり、創作性は認められる。
⑵本件投稿画像の著作物性
本件各動画に創作性が認められることは、上記において説示したとおりであり、その動画の一部分である本件投稿画像についても、原告の個性が発揮されたものであるから、上記と同様に創作性が認められる。
（被告の主張）
⑴本件各動画の著作物性
本件各動画は、原告の夫が公道上を走っている点に主眼を置いて撮影したものであり、本件各動画全体を通じて、空に主眼を置いている様子など、原告が美しく感じる風景を選択したことはうかがわれない。
また、本件動画１は僅か１９秒、本件動画２は僅か１５秒という短い動画であるところ、カメラアングルもほぼ固定した状態で、正面から原告の夫を撮影したものであり、自然光の下、スマートフォンのカメラ機能を用いて一般的な態様で撮影したものにすぎず、構図やカメラアングル等の工夫は見出せないものである。
したがって、本件各動画には創作性がないため、本件各動画は「映画の著作物」には該当しない。
⑵本件投稿画像の著作物性


本件投稿画像の投稿が原告の複製権・公衆送信権を侵害するものであるためには、本件動画２のうち本件投稿画像として切り取られた部分に創作性があり、当該部分に著作物性が認められる必要がある。しかしながら、本件投稿画像は、原告の夫が公道上にいる一場面を切り取ったものにすぎず、その構図やカメラアングル、背景等においても創作性は認められない。
２争点１－２（黙示の承諾の有無）について
（被告の主張）
本件動画２は、インスタグラムにアップロードされた動画であるところ、インスタグラムの利用者は、投稿する情報を公開する相手を任意に選択することができる（乙８）。そして、原告のインスタグラムのアカウントは、いわゆる鍵付きアカウントである以上、公開情報には該当しないものの、転載禁止等の注記がされていないことからすれば、原告は、少なくとも、原告のインスタグラムのフォロワーに対し、本件動画２の一部の複製及び公衆送信など、インスタグラムの使用上当然に想定される利用形態について禁止する意向は示していない。したがって、原告は、本件動画２の使用につき、黙示の承諾をしていたというべきである。
（原告の主張）
原告が本件動画２につき黙示の利用許諾をしていたと認められるには、そのような事情が裏付けられるような具体的事実が認められなければならない。そして、原告のインスタグラムのアカウントは鍵付きであり、かつ、原告は、２４時間で消滅するストーリーズにより本件動画２を公開しているなど、その公開範囲をかなり限定していた事情を踏まえると、原告が黙示的許諾をしていたことを裏付けるような積極的な事情が認められない限り、黙示的許諾をしていたとは認定できない。そうすると、転載禁止等の注記がなされていなかったとしても、第三者による著作物の利用を容認していた事情とはならないというべきである。
したがって、原告は、本件動画２の使用につき、黙示の承諾をしていなかったというべきである。
３争点１－３（著作権法４１条の適用の有無）について
（被告の主張）
本件投稿画像からは、医療関係者と思われる男性が白衣姿で走っている様子がうかがわれるとともに、「麻酔待ちの間にご近所に菓子折り渡しに走ってる。田舎すぎて。笑」との記載がある（甲６、９、１０）。そして、本件動画２が投稿されたのが令和３年１０月２８日であることからすれば、本件投稿画像は、遅くとも令和４年１月までには投稿されたものと考えられる。そうすると、本件投稿画像は、近時のニュース性のある、医療関係者の男性が患者の麻酔中に当該患者の下を離れて外出している様子を収めたものであり、当該様子を投稿することは、医療現場の実態や、医療事故につながりかねない様子をとらえた「時事の事件」を構成するものである。そして、このような本件投稿画像が、原告の夫が経営する本件歯科医院につき投稿されたことは、上記時事の事件を「報道する場合」に当たるといえる。
また、本件投稿画像の投稿は、本件動画２の全体ではなくその一部であるスクリーンショットのみを掲載するものであるから、「報道の目的上正当な範囲内」での「複製」及び「利用」といえる。
したがって、本件投稿画像の投稿者は、本件歯科医院という医療現場の実態を報道するべく、当該現場を収めた本件動画２の一部を投稿という形で「複製」及び「利用」したものである（著作権法４１条）。
（原告の主張）
⑴著作権法４１条にいう「時事の事件」とは、現在又は現在と時間的に近接した時点の出来事であるとされ、時事の事件を「報道する」とは、事件や事実を取材し編集し、これを発表し又は伝達することをいう。これを本件についてみると、本件投稿には、何らかの事件や事実を取材した形跡はなく、原告が投稿した本件動画を複製して公衆送信したにすぎないから、時事の事件を「報道する」には該当しない。
⑵また、著作権法４１条には、報道機関や報道記者ではない個人が行う報道が含まれ得るとしても、客観的に判断して時事の事件と認められるような報道でなければならず、著作物の利用が主目的であるような場合は、そもそも時事の事件の報道とはいえない。
本件投稿は、それ自体、「時事の事件」の報道であるとは理解できない上に、原告が本件動画２をインスタグラムに投稿したのは令和３年１０月２８日であるのに対し、本件投稿が行われたのは令和４年になってからであることからすれば、現在又は現在と時間的に近接した時点の出来事であるともいえない。
４争点２（正当な理由の有無）について
（原告の主張）
原告は、本件投稿者に対して、不法行為に基づく損害賠償等の請求をする予定であるが、そのためには、被告が保有する本件発信者情報の開示を受ける必要がある。
（被告の主張）
本件各動画は、原告の私的な動画（甲１０）であるため、消極的損害・積極的損害のいずれも観念することができない。そもそも、本件投稿画像は本件動画２の一部のみを切り取ったスクリーンショットに過ぎず、これが投稿されることにより原告に損害が生じることは考え難い。
したがって、原告の主張を前提としても、発信者に対する損害賠償請求が認められない蓋然性が高く、原告には本件発信者情報の開示を受ける正当な理由がない。
第４当裁判所の判断
１争点１－１（本件各動画の著作物性）について
⑴本件動画２及び本件投稿画像の著作物性
前記前提事実、証拠（甲６、８、９）及び弁論の全趣旨によれば、本件動画２は、原告の夫が、医療用のユニフォームを着て、公道上を、画面の奥から手前に向かって走りながら近付いてくる様子を遠距離から撮影した上で、画面の下側に「麻酔待ちの間にご近所に菓子折り渡しに走ってる。田舎過ぎて。笑」というテロップ(本件テロップ)を加えた約１５秒の動画であることが認められる。
そして、本件動画２は、約１５秒間という短い時間の中で、田舎で歯科医として勤務する原告の夫の日常の風景を分かりやすく紹介するために、原告の夫が走っている様子が画面の中央に映るようにカメラの位置を低めに設定した上で、道路や空、道路沿いの住居といった背景がバランス良く写り込む構図・アングルで撮影した動画に、その状況を端的に説明するために本件テロップを加えるという編集を施したものであることが認められる。そうすると、本件動画２は、撮影方法や編集等に工夫を凝らした点において創作性があるといえるから、本件動画２には、映画の著作物として、著作物性を認めるのが相当である。そして、証拠（甲６ないし１０）及び弁論の全趣旨によれば、本件動画２の２か所をトリミングして静止画化した本件投稿画像についても、上記において説示した工夫を踏まえると、著作物性を認めるのが相当である。
したがって、本件動画２及び本件投稿画像は、いずれも著作物性を認めるのが相当である。


⑵その他に、被告提出に係る主張書面及び証拠を改めて精査しても、上記工夫等に鑑みると、被告の主張は、上記判断を左右するに至らない。したがって、被告の主張は、採用することができない。
２争点１－２（黙示の承諾の有無）について
被告は、本件動画２につき転載禁止等の注記がされていないことを根拠として、原告は本件動画２の利用を黙示に承諾していた旨主張する。しかしながら、証拠（甲１０）及び弁論の全趣旨によれば、本件動画２は、いわゆる鍵アカウント設定で投稿されたものであり、原告のフォロワーのみが閲覧可能なものとして公開されたものであること、ストーリーズに投稿されたものであり、２４時間が経過すると視聴が不可能となること、以上の事実が認められる。そして、インスタグラムに公開した動画につき、転載禁止であることを積極的に示していない事実をもって、直ちに、第三者による一切の利用を承諾したということはできず、その他に、被告は、黙示の承諾の存在を基礎付ける具体的事情を主張立証するものではない。
これらの事情を踏まえると、原告は、本件動画２の利用を第三者に承諾していたものと認めることはできない。
したがって、被告の主張は、採用することができない。３争点１－３（著作権法４１条の適用の有無）について⑴被告は、本件投稿画像につき、医療関係者の男性が患者の麻酔中に当該患者の下を離れて外出している様子を収めたものであり、その様子を投稿することは、医療現場の実態や、医療事故につながりかねない様子を捉えたものとしてニュース性があるから、「時事の事件」を構成するものである旨主張する。しかしながら、前記前提事実、証拠（甲６及び１０）及び弁論の全趣旨によれば、本件投稿画像は、ある男性が住宅地の道路上を走っている画像に、「麻酔待ちの間にご近所に菓子折り渡しに走ってる。田舎過ぎて。笑」というテロップが付されるにとどまり、いつの出来事であるかどうか一切明らかではなく、しかも、本件投稿画像は、Ｇｏｏｇｌｅマップという地図アプリにおいて、本件歯科医院の上にカーソルを動かし、クリックした場合に表示されるものにすぎないものであることが認められる。
上記認定事実によれば、本件投稿画像で表示された出来事は、これが生じた時期すら明らかではなく、地図アプリにおいて本件歯科医院の上にカーソルを動かし、クリックした場合に限り表示されるにすぎないことが認められる。そうすると、本件投稿画像の出来事は、著作権法４１条にいう「時事の事件」とはいえず、その投稿も、上記認定に係る表示態様に照らし、同条にいう「報道」というに足りないものと認めるが相当である。
これに対し、被告は、本件投稿画像で表示された出来事が医療現場の実態や、医療事故につながりかねない様子をとらえたものである旨主張するものの、一般の利用者の普通の注意と読み方とを基準として判断すれば、「麻酔待ちの間にご近所に菓子折り渡しに走ってる。田舎過ぎて。笑」というテロップの内容及び上記認定に係る本件投稿画像の内容を踏まえると、本件投稿画像は、医療現場の実態や、医療事故につながりかねない様子であると理解されるものと認めることはできず、上記各内容に照らしても、被告が主張するようなニュース性を認めることもできない。したがって、被告の主張は、その前提を欠くものであり、いずれも採用することができない。
⑵被告の主張及び提出証拠を改めて精査しても、この判断を左右するには至らない。被告の主張は、採用することができない。
４権利侵害の明白性について
証拠（甲１０）及び弁論の全趣旨によれば、本件投稿者は、令和４年１月頃、本件投稿画像をＧｏｏｇｌｅマップ上に投稿していることからすると、本件動画２に係る原告の複製権及び公衆送信権を侵害したものといえる。その他に、本件投稿者による著作権侵害につき、違法性阻却事由の存在をうかがわせるような事情は認められない。そうすると、本件投稿者は、本件投稿画像の投稿により、本件動画２に係る原告の複製権及び公衆送信権を侵害するものであることは明らかであると認められる。
５争点２（正当な理由の有無）について
弁論の全趣旨によれば、原告は、本件投稿者に対し、損害賠償等を請求することを予定していることが認められる。そうすると、上記において説示したところを踏まえると、原告には本件発信者情報の開示を受けるべき正当な理由があるものといえる。したがって、原告は、被告に対し、法５条１項に基づき、本件発信者情報の開示を求めることができる。
これに対し、被告は、本件動画２は私的な動画であり、消極的損害も積極的損害も観念することができないため、原告の損害賠償請求は認められない旨主張するものの、本件投稿画像の投稿により原告の著作権が侵害されたことが明白であることは、既に説示したとおりであり、具体的な損害額の多寡は、著作権の侵害の成否を左右するものではない。したがって、被告の主張は、採用することができない。
第５結論
よって、原告の請求は理由があるから、これを認容することとし、主文のとおり判決する。
東京地方裁判所民事第４０部
裁判長裁判官
中    島    基    至
裁判官
小    田    誉太    郎
裁判官
國    井    陽    平
（別紙）
発信者情報目録
別紙投稿記事目録記載の投稿記事を投稿したＧｏｏｇｌｅビジネスプロフィールのアカウントに関する登録情報であって、次に掲げるもの。ただし、裁判所の判決言渡日において被告が保有し、かつ、直ちに利用可能なものに限る。
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②電子メールアドレス
以上
（別紙）
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令和５年１１月２９日判決言渡同日原本交付    裁判所書記官
令和５年（ワ）第４３３３号損害賠償請求事件
口頭弁論終結日令和５年９月２１日
判         決
原               告        富源株式会社同訴訟代   理人弁   護士       上野貴史被告       株式会社ラザフォードインターナショナル同訴訟   代理人   弁護士        阿    野    光    男
主         文
１原告の請求を棄却する。
２訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１請求
１被告は、原告に対し、５５００万円及びこれに対する令和２年８月７日から支払済みまで年３分の割合による金員を支払え。
２仮執行宣言
第２事案の概要等
１事案の概要
本件は、原告がパッケージに入ったマスク（以下、パッケージとマスクが一体となった商品として「原告商品」という。）を製造、販売していたところ、被告が製造、販売したパッケージに入ったマスク（以下、パッケージとマスクが一体となった商品として「被告商品」という。）が原告商品を模倣したものであり、被告による被告商品の販売が不正競争防止法２条１項３号の不正競争行為、不法行為に当たるとして、同法４条又は民法７０９条に基づき、５５００万円及び被告が同マスクの販売を開始した日である令和２年８月７日から支払済みまで民法所定の年３分の割合による金員の支払を請求する事案である。２前提事実（当事者間に争いがないか、後掲各証拠及び弁論の全趣旨によって容易に認められる事実）
ア原告は、日用雑貨等の輸出入業、卸売業、小売業を営む株式会社である。
（争いなし）
イ被告は、日用品雑貨品等の卸売、小売及び輸入を営む株式会社である。（争いなし）
原告は、令和２年４月２日に委託先から原告商品のパッケージのデザインの納品を受け、同月３０日までに原告商品の予約販売を開始し、その旨を同日インターネット上でプレスリリースした。原告商品のパッケージは、別紙マスク比較写真の上段「富源マスク」と付されたもののとおりである。（甲１、３、１３）
原告は、令和２年４月２０日、マルチワークスプロジェクト株式会社（以下「本件取引会社」という。）との間で、原告から本件取引会社に対し原告商品（１０万箱）を代金１億４０００万円で売り渡す旨の売買契約（以下「本件売買契約」という。）を締結した。（甲４）
被告は、令和２年８月７日から、被告商品の販売を開始した。被告商品のパッケージは別紙マスク比較写真の下段「ラザフォードマスク」と付されたもののとおりである。（甲１、２）
本件取引会社は、令和２年１０月１６日、原告商品と類似する被告商品が安価に販売されていることを挙げて本件売買契約を解除する旨の通知をした。
（甲６）
３争点に対する当事者の主張
被告商品の形態は原告商品の形態と実質的に同一か（争点１）
（原告の主張）
原告商品と被告商品のパッケージは、いずれも、①パッケージの背景の色が青色、②文字の色が白字であり、③デザイン（文字と絵の配置）も次のとおり同一である。
アマスク（絵）の配置、サイズ（ふつうサイズ）の表示位置、文字の配置、数字（カット率、枚数等）の配置が全て同じである。
イマスクの特徴に関する表現が同一（「肌に優しい素材」、「99％カットフィルターでブロック」等）かつ文字の配置も同じである。ウマスクの効果が生じる対象について「花粉」、「ウィルス    飛沫」、「ＰＭ２．５」、「ほこり」に関する記載も、黄色い四角で囲まれた背景に青字で記載されており、配置及び配列も同一である。
エ商品の情報、使用上の注意等が記載されている面は、販売元の記載以外は、同一である。
（被告の主張）
ア原告商品及び被告商品のパッケージのデザインは不正競争防止法２条４項所定の商品の形態には当たらない。
イありふれた商品形態は、不正競争防止法２条４項で保護される商品形態に含まれない。原告商品のパッケージ及び被告商品のパッケージに印刷されている文字、文言（同項の「模様」に当たる）やその他のデザインはありふれているから、保護に値する形態には当たらない。
ウ被告商品のパッケージには、被告のマークとブランド名「Ｐａｎａ    Ｓｕｒｕ」が明示されており、商品全体から見て重要な意味を有する部分に相違点があるから、実質的に同一とはいえない。
被告商品は原告商品に依拠したものか（争点２）
（原告の主張）
被告商品は原告商品に依拠して製造されたものである。このことは、被告商品の発売のタイミング、両製品のパッケージが酷似していること、原告商品のパッケージの誤植まで再現されていること、被告商品のパッケージの一つの側面に「らくらくマスク」という原告商品の商品名が記載されている（反対側の側面には同部分に被告商品の商品名である「不織布マスク」の記載がある。）ことから明らかである。被告がパッケージの製造を他社に委託していたとしてもその委託先は被告の履行補助者に当たる。
（被告の主張）
被告商品は「他人の商品の形態に依拠」しているわけではない。被告は、パッケージの生産を他の会社に委託し、その際、被告のマークとブランド名を入れることを指示したのみである。
故意、過失（争点３）
（原告の主張）
被告商品は、原告商品を模倣することによって製造され、これを販売した被告には故意又は過失があることは明らかである。仮に被告商品が他の会社に委託して製造されたもので、被告が模倣を直接指示していなかったとしても、同社は被告の履行補助者に当たるから、被告は責任を免れない。
（被告の主張）
被告は、他の会社に製造を依頼する際に、被告のマークとブランド名を入れることを指示したにすぎないから、模倣について故意も過失もない。製造会社は被告から独立した地位にあり、また、債務の履行のために使用したものではないから、履行補助者にも当たらない。
損害及び因果関係（争点４）
（原告の主張）
本件売買契約の売買代金は１億４０００万円であり、これに係る輸入金額、輸入税金、倉庫代／運搬費、マスクの広告費を控除した原告の利益は、１億１７５２万６１１０円が予定されていた。被告が被告商品を販売したことを理由に本件売買契約は解除されたから、同額が被告の行為と因果関係のある原告の損害である。原告は同額の一部として５０００万円を請求するとともに、弁護士費用相当損害金５００万円を請求する。
（被告の主張）
被告商品の販売と原告が主張する損害には相当因果関係がない。このような損害は通常生ずべき損害には当たらないし、被告に予見もできない。
第３当裁判所の判断


１被告商品の形態は原告商品の形態と実質的に同一か（争点１）について甲１によれば、原告商品と被告商品の形態等は次のとおりである。ア原告商品及び被告商品は、５０枚の不織布製の使い捨てマスクが青色の紙製の直方体のパッケージに入ったものである。原告商品及び被告商品のパッケージの上面（以下「上面」という。）は、いずれも縦長の長方形に構成されており、上部に商品名、中部にマスクを斜め方向から見た図（商品の説明をするポップアップが二つ付されている。）、下部に商品の特徴が掲載されている。パッケージの側面のうち、略正方形の面（以下「略正方形面」という。）には、いずれも、商品名とその特徴が掲載されている。いずれのパッケージも、パッケージの側面のうち、長方形の面は、横長に構成されており、そのうち一方（以下「長方形面１」）については左半分に前記略正方形面とほぼ同様の記載が、右半分にマスクを斜め方向から見た図が掲載されており、他方の面（以下「長方形面２」という。）には、左側に商品の特徴及び基本情報が、右側に使用上の注意事項、保管上の注意事項及び販売元が記載されている。
イ原告商品と被告商品のパッケージの上面のデザインは、中部のマスクの色合いが被告商品の方が若干青みかかっており、被告商品のみに小さく「※イラストはイメージです」という文言が付されている点、下部の商品の特徴を列挙している４つのブロックを貫く青線の太さ及び濃さが多少異なる点を除いて、基本的に同じデザイン（マスクの形状についても差異が認められない。）になっている。上面の上部についても、上から順に、各商品のロゴ、商品の特徴、「肌にやさしい素材」、「９９％カットフィルターでブロック」、商品の名称となっている点は共通しており、ロゴ、商品の特徴（原告商品は「－耳にやさしい－」、被告商品は「個包装携帯に便利」との記載）、商品名（原告商品は「らくらくマスク」、被告商品は「不織布マスク」）に異なる部分があるが、文字のデザインは基本的に同じである。ウ略正方形面については、原告商品、被告商品のいずれも、上から、前記イ記載の各上部の記載（ただし、片面について被告商品は商品名の欄に「らくらくマスク」と記載されている。）があり、基本的に上面の下部分と同じデザインとなっている。
エ長方形面１については、原告商品、被告商品のいずれも、左側が略正方形面と基本的に同じデザインで、右側は上面の中部分と基本的に同じデザインになっている。
オ長方形面２については、原告商品、被告商品のいずれも、左上の商品特徴を記載した４つのブロックを貫く線が、原告商品が白抜きで被告商品が青抜きである点及び販売元に関する記載と商品バーコードの有無以外の点は、記載内容が同一である（商品は、原告商品と被告商品のいずれも「らくらくマスク」とされている。）。
不正競争防止法２条４項所定の商品の形態とは、「需要者が通常の用法に従った使用に際して知覚によって認識することができる商品の外部及び内部の形状並びにその形状に結合した模様、色彩、光沢及び質感」である。原告商品及び被告商品につき、パッケージの中の不織布製の多数枚（５０枚）のマスクは、その性状からもそれぞれのマスク単体ではなくパッケージに入った状態で流通し、販売されて消費者がこれを購入することが予定されており、原告商品及び被告商品のパッケージ全体は、中に入ったマスクと一体となって「商品」を構成し、そのパッケージのデザインは、商品の「模様、色彩」に当たるとするのが相当と解する。
前記で認定したとおり、原告商品と被告商品は、そのパッケージの基本的なデザインが同じであるほか、マスクの写真に付されたポップアップのデザイン及び説明文言、商品特徴の説明文言及び配置、商品の特徴を列挙している４つのブロックを青色の線が貫くデザイン等の細かい点まで一致している。原告商品と被告商品のパッケージは、商品名やロゴ、販売元に関する記載等について一部異なる点があるものの、それらの記載等が商品全体において占める部分は非常に小さく、全体的な印象に与える影響は限定的であり、原告商品と被告商品の形態は実質的に同一であるというべきである。
被告は、原告商品のパッケージのデザインがありふれたものである旨主張する。
原告商品のパッケージにおける個々の模様のデザイン、説明文言等は、そのそれぞれに着目すると同種商品に同じデザイン、文言等が記載されているものもある（乙４～９）。しかし、原告商品のパッケージは多数の具体的な模様、表示等からなり、それらを組み合わせたデザインがありふれたものであることを認めるに足りる証拠はなく、原告商品のパッケージのデザインが全体としてありふれたデザインであるとは認めるには足りない。
２被告商品は原告商品に依拠したものか（争点２）について被告商品は原告商品の後に発売されたものであり（前提事実、）、前記１で認定したとおり、原告商品と被告商品のパッケージは細部まで一致している。また、原告商品のマスクの画像に付されたポップアップの誤記（「側は肌にやさしい滑らか素材」との記載について、原告は、「内側は肌にやさしい滑らか素材」とすべきであったところ誤植したと述べる。）が被告商品にもそのままあり（被告商品の記載も「側は肌にやさしい滑らか素材」との記載である。）、被告商品では、商品名として、上面及び長方形面１、略正方形面の一方では「不織布マスク」と記載されているものの、略正方形面の他方及び長方形面２では「らくらくマスク」（原告商品の商品名）と記載されていて、これらは、いずれも原告商品の記載をそのまま利用してしまい、変更することを失念したものと推認できることを考慮すると、被告商品は原告商品に依拠して製造されたものと認められる。
３故意、過失（争点３）について
弁論の全趣旨によれば、被告は、別会社にデザインまで含めた商品の内容について指示を出し、被告商品の製造を委託したことが認められる。前記２で認定したとおり、被告商品は原告商品に依拠してデザインされ、製造されたものである。原告商品のデザインに依拠したパッケージデザインを具体的に発案した者は必ずしも明らかではないが、被告商品の内容について最終的な決定権を有するのは被告であったといえ、原告商品に依拠してこれと実質的に同一の被告商品を販売したことについて、被告には少なくとも過失があったというべきである。
４損害及び因果関係（争点４）について
証拠によれば次の事実が認められる。
ア本件売買契約に係る売買契約書（甲４）には次の記載がある。
第１条（目的）
甲（判決注：原告）は乙（判決注：本件取引会社）に対し、以下の条項にしたがい、本件商品を売り渡し、乙はこれを買い受ける。物品の表示「らくらくマスク」ＪＡＮコード    （略）「ＤＩＳＰＯＳＡＢＬＥＦＡＣＥ    ＭＡＳＫ５０ＰＣＳ／
ＢＯＸ」
数量      ２５００ケース（１００，０００箱－５０枚／箱）総量５，０
００，０００枚数
単価     ２８円／枚（税込み）
第２条（売買代金）


第１条の数量に基づいて、売買代金総合計を計算した。売買代金は総額１４０，０００，０００円（税込み）、指定納品日は２０２０年１０月２２日と定め、甲乙は、双方はこれに合意をした。（略）
第８条（期限の利益の喪失と契約解除）
甲または乙が次の各号の１つでも該当したときは、該当した当事者は当然に期限の利益を失い、通告、催告なくして相手側との本契約を直ちに解除できるものとする。
本契約上の義務に重大な違反があったとき
資産につき、仮差押、仮処分、差押、保全差押、滞納処分又はこれに類
する法的手続が開始されたとき
破産、民事再生、会社更生、特別清算の各手続開始の申立があったとき
銀行取引停止処分を受けたとき
事業を廃止し又は解散の決議を行ったとき
余りにも大きな粗悪品、ダメージ品が出た場合
第７条以外で極端な納期遅れ、または、何らかの不履行は（判決注：ママ）生じた場合
業務、サービスの不履行
商品の不具合や品質保証違反相当にあたる場合
不適合責任（取扱い商品の種類、類似、品質、または、数量に関して契約内容との不具合、不適合が発見された場合
上記のほか、信用状態の悪化が認められるとき
イ本件取引会社は、令和２年１０月１６日付けで、原告に対し本件売買契約を解除する旨記載された契約解除通知書（以下「本件通知書」という。）を送付した。本件通知書には、「貴社と締結いたしました商品売買契約につきまして、下記の理由をもちまして、本書面をもって解除いたします。」と記載され、下記の記載があった。当時、被告商品を９９９円／箱で販売している小売店が存在した。原告は、本件通知書の内容を了承して、本件売買契約は履行されなかった。（甲５、６、１５）
記「１．雑貨店で同じ包装の商品が安く売られていることが判明しました。２．雑貨店の定価（税別９９９円／箱）は貴社からご提示いただいた価格（税込１４００円／箱）よりも低いことが判明しました。３．貴社は当該商品売買契約（判決注：本件売買契約）の第８条に違反しました。」
以上
原告は、被告商品が販売されたことが原因で本件売買契約が解除されたので、本件売買契約に基づく履行利益（売買代金から経費を控除した額）が損害に当たると主張する。
前記で認定したとおり、本件取引会社は、被告商品が、本件売買契約における単価（１４００円／箱）よりも安価に販売されていることを指摘して、本件通知書を送付したことが認められる。
しかし、本件通知書には、本件売買契約８条に違反したとの記載はあるものの、同条のいずれの項に違反したとも特定されていない。この点について、原告は、本件売買契約は８条で規定されている「信用状態の悪化」があったため解除されたと主張する。しかし、一般的に取引契約における解除原因として規定される「信用状態の悪化」は、当事者の支払能力等の経済的信用を問題とする趣旨で用いられるところ、原告にそのような事情があったことはうかがえず、また、被告商品の販売がこれに関連するとも認められない。仮に「信用状態の悪化」を、当事者が信頼関係を損なう背信的行為をしたこと（道義的信用が悪化したこと）を意味するとしても、その趣旨からして少なくとも原告に帰責性のある事情があることが前提とされるところ、被告が原告商品の形態を模倣して販売したことは、原告に何の帰責性もない。その他、原告において「信用状態の悪化」が認められる事情が生じたことを認めるに足りる証拠はなく、本件売買契約８条のその余の条項に当たる事情があったことを認めるに足りる証拠もない。原告は、原告代表者の配偶者の陳述書（甲１５）を提出し、そこには、令和２年１０月、本件取引会社の販売先が原告商品と同じパッケージのマスクを見かけ、本件取引会社は、原告は本件取引会社に１４００円／箱の卸価格で提案したのに、店で９９９円で売られていることがありえないことだと怒っていて、これは本件売買契約８条に違反するので、キャンセルするなどと電話連絡をして、その後本件通知書が送付され、原告は、原告商品と被告商品の販売価格に乖離があったためやむを得ずキャンセルを了承することとしたとの記載がある。この陳述書によっても、本件取引会社は、本件取引会社への販売価格よりも低廉な価格で商品が販売されていたことを問題視していることはうかがえるが、それにより、結局本件取引会社が何を問題としていたのかは必ずしも明らかではなく、原告が原告商品を本件取引会社以外の者に対しては本件取引会社に対する価格よりも廉価で販売していたと誤解した可能性もうかがわれないではない。原告が本件取引会社以外の者に対して廉価販売したと誤解したことについては誤解を解くべき話といえる。なお、被告商品の販売が本件取引会社による原告商品の販売数量に影響を与えることはあり得るものの、そもそも本件売買契約では当該商品について本件取引会社に対してのみ販売することが定められてはおらず（甲４）、他社が同種の商品を販売したこと自体を本件取引会社は問題視できるものではない。これらによれば、本件売買契約については、契約において定められた解除理由は存在しなかったというべきであり、これが履行されなかったのは、原告と本件取引会社との間の合意によるものといえる。
被告商品を販売することは不正競争行為であり、被告は、これにより原告に生じたといえる損害を賠償する義務がある。もっとも、侵害者は、侵害行為が他社間の契約の存続に影響を与えることを当然に予見できるものではなく、また、他社間の契約の内容は当該他者間で自由に定められるもので侵害者がその内容を通常は知ることはできず、侵害者にその契約の履行利益を前提とする損害を負担させることは当事者間の衡平に反する場合があるといえる。少なくとも本件のように、原告と第三者との間に解除権の発生原因がないが、両者間の合意によってこれを履行せず、また、本件売買契約における販売価格も当時の相場に比べて高額といえるような場合（甲１１は、マスクの平均価格は、令和２年４月２４日には１枚当たり７８円だったが、その後急速に値下がりし、同年８月１３日には１枚当たり１２円だったとする。被告の侵害行為の時点（前記第２の２）では、本件売買契約のマスクの単価は上記平均価格に比べて相当に高かった。原告は本件売買契約によって相当多額の利益を得られたはずであると主張している（前記第２の３））、本件で原告が主張する損害は、通常生ずべき損害には当たらず、また、被告にはその発生が予見できなかったものということが相当である。
以上の事情を考慮すると、本件において原告が主張する損害は、被告商品の販売との間の因果関係を欠くというべきであり、被告がそれを賠償すべきであるとは認められない。なお、原告は、本件において不正競争防止法５条に基づく主張はしない旨述べた（令和５年９月１２日付け原告第３準備書面）。
第４結論


令和４年９月５日判決言渡
令和３年（ネ）第１０１０１号特許権侵害差止請求控訴事件（原審・東京地方裁判所平成３０年（ワ）第２８９２９号）
口頭弁論終結日令和４年６月１日
判             決
当事者の表示別紙当事者目録記載のとおり
主             文
１本件控訴を棄却する。
２控訴費用は控訴人の負担とする。
３なお、原判決主文１項及び２項（被控訴人の特許第３９３５１８８号に係る特許権に基づく請求を認容した部分に限る。）は、被控訴人の訴えの取下げにより、失効している。
事実及   び理由
第１控訴の趣旨
１原判決を取り消す。
２被控訴人の請求をいずれも棄却する。
３訴訟費用は第１、２審とも被控訴人の負担とする。
第２事案の概要
１被控訴人は、いずれも発明の名称を「レーザ加工装置」とする特許第３９３５１８８号（以下「本件特許１」という。）に係る特許権（以下「本件特許権１」という。）及び特許第３９９０７１１号（以下「本件特許２」といい、本件特許１と併せて「本件各特許」という。）に係る特許権（以下「本件特許権２」といい、本件特許権１と併せて「本件各特許権」という。）を有する者であり、控訴人は、少なくとも原判決別紙１被告製品目録記載の各製品（以下「被告製品」という。）を製造し、譲渡するなどしていた者である。本件は、被控訴人が、控訴人が被告製品を製造し、譲渡するなどすることは被控訴人の本件各特許権を侵害すると主張し、特許法１００条１項及び同条２項に基づいて、控訴人に対し、被告製品の製造、譲渡等の差止め及び被告製品の廃棄を求める事案である。原審は、被控訴人の請求を全部認容したところ、控訴人は、これを不服として本件控訴を提起した。なお、被控訴人は、当審において、本件特許権１に基づく請求に係る訴えを取り下げた。
２前提事実、争点及び争点に関する当事者の主張
次のとおり改め、後記３のとおり当審で追加された争点及び争点に関する当事者の主張を付加するほかは、原判決の「事実及び理由」欄の第２の２及び３並びに第３（１６頁２３行目（行数は、原判決左余白欄の付記による。）から２４１頁５行目まで）に摘示のとおり（ただし、本件特許権１に係る主張については、本件特許権２に係る主張において引用するなどの本件特許権２に関係する部分を含むが、本件特許権１のみに関する部分を除く。）であるから、これを引用する。(1)原判決１７頁１２行目及び１６行目並びに１８頁１行目及び３行目の各「願書に添付した」をいずれも「設定登録時の」と改める。(2)原判決１９頁１３行目の「以下のとおりである（」の次に「甲２の２、２の３。」を加える。
(3)原判決２３頁２０行目の「被告」から２１行目末尾までを「控訴人は、少なくとも、業として、被告製品を製造し、譲渡し、及び輸出し、並びに被告製品の譲渡の申出をしていた（なお、控訴人が現時点においてこれらの行為をしているか否かについては、当事者間に争いがある。）。」と改める。(4)原判決３０頁１５行目の「原告は」を「仮に、本件発明１の「改質領域」が「多光子吸収によるもの」に限定されないのであれば、被控訴人は、上記説明により、」と改める。
(5)原判決３０頁２６行目の「「要点」」を「「要点」欄に記載した点」と改める。
(6)原判決３１頁２行目の「審査官が，」の次に「本件発明１と、引用発明ではない」を加える。
(7)原判決３２頁９行目の「特開２００２－２０５１８０号公報」から１０行目から１１行目にかけての「「乙６３発明」という。）」までを「特開２００２－２０５１８０号公報（乙６３。以下「乙６３公報」という。）に記載された発明（以下「乙６３発明」という。）」と改める。
(8)原判決３２頁２１行目の「その条件」を「微小空洞（ヴォイド）が観察される条件」と改める。
(9)原判決３２頁２５行目から２６行目にかけての「残存する」を「残存するような」と改める。
(10)原判決３３頁９行目の「本件発明１に関する」を「本件発明１がそのような特徴を備えないとする」と改める。
(11)原判決３３頁１３行目及び１５行目、３４頁１７行目、２２行目から２３行目にかけて及び２４行目並びに３５頁１２行目の各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。
(12)原判決３７頁１１行目の「固体のシリコン内部で」を「固体のシリコン内部では空洞は生じず、したがって、」と改める。
(13)原判決３７頁１５行目の「空間には，真空ないし気体が存在する」を「空間は真空であるか、そこには気体が存在する」と改める。(14)原判決３７頁１８行目の「必要があるから」の次に「、固体内部のある箇所の温度が融点に達した後も」を加える。
(15)原判決３７頁１９行目の「要しない」を「持たず」と改める。(16)原判決３８頁３行目の「被告製品」の次に「のレーザのパルス幅」を加える。
(17)原判決４０頁２４行目の「原告は，」及び４１頁７行目の「確認されたことは，」の各次にいずれも「被告製品を用いて形成される」を加える。(18)原判決４２頁２４行目の「当該部分の」を「当該部分における」と改める。(19)原判決４３頁５行目の「主張するが」の次に「、この観察は」を加える。(20)原判決４４頁１７行目の「J.   Achiev.Mater.Manuf.   Eng.」を「JournalofAchievementin   MaterialsandManufacturing   Engineering」と改める。(21)原判決４５頁２５行目の「New   J.Phys.」を「NewJournal   ofPhysics」と改める。
(22)原判決４７頁１１行目、１３行目、１４行目、１８行目及び２５行目の各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。(23)原判決４８頁９行目の「「改質スポット」に」の次に「ついて」を加える。(24)原判決４８頁１０行目、２０行目及び２４行目の各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。
(25)原判決４８頁２１行目の「実施形態よりも」を「実施形態におけるものよりも」と改める。


(26)原判決４９頁２１行目及び５０頁１７行目の各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。
(27)原判決５０頁２０行目の「集光用レンズが」を「集光用レンズは」と改める。
(28)原判決５１頁８行目の「始める」を「始まる」と改める。(29)原判決５１頁２０行目の「被告製品による」を「被告製品によって形成される」と改める。
(30)原判決５５頁３行目の「多光子吸収は」を「単光子吸収は、」と改める。(31)原判決５５頁７行目の「従ったとしても」の次に「、被控訴人は」を加える。
(32)原判決５５頁９行目の「説明されてきたというのであるから」を「説明されてきたと主張するのであるから」と改める。
(33)原判決５６頁４行目の「本件発明１」を「本件特許１」と改める。(34)原判決５６頁２３行目の「本件先行特許」から２４行目から２５行目にかけての「発明ですら」までを「本件先行特許の権利範囲が最も広いと説明していたのであり、その最も広い権利範囲を有する本件先行特許に係る発明ですら」と改める。
(35)原判決５７頁１９行目の「存在したとしても」の次に「、それは」を加える。
(36)原判決５８頁１５行目及び２１行目の各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。
(37)原判決５９頁４行目及び６０頁１８行目の各「越える」をいずれも「超える」と改める。
(38)原判決６１頁１５行目の「仮に最も安定な状態であったとしても」を「仮にそのような状態が最も安定したものであったとしても」と改める。(39)原判決６４頁１９行目の「元と」を「元の単結晶と」と改める。(40)原判決６５頁１５行目から１６行目にかけての「反論足り得ていない」を「反論たり得ていない」と改める。
(41)原判決６６頁５行目、６８頁１８行目及び２３行目から２４行目にかけて、６９頁１１行目、１４行目、１６行目及び２４行目から２５行目にかけて並びに７０頁１行目及び２１行目から２２行目にかけての各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。
(42)原判決７７頁２行目及び３行目の各「ないし「改質スポット」」をいずれも削る。
(43)原判決７７頁２３行目及び２５行目並びに同頁２６行目から７８頁１行目にかけての各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。
(44)原判決７８頁３行目及び１９行目の各「ないし「改質スポット」」をいずれも削る。
(45)原判決７８頁１３行目、１５行目及び２０行目の各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。
(46)原判決７８頁１４行目の「実施形態よりも」を「実施形態におけるものよりも」と改める。
(47)原判決７９頁２３行目の「その主張」を「本件発明１に係る主張」と改める。
(48)原判決８２頁８行目の「被告製品による」を「被告製品における」と改める。
(49)原判決８４頁７行目、１０行目及び１２行目並びに８５頁３行目の各「被告製品による」をいずれも「被告製品によって形成される」と改める。(50)原判決８６頁１８行目の「被告製品では」を「被告製品は」と改める。(51)原判決８８頁８行目の「定義していないから」の次に「、これらについては」を加える。
(52)原判決８８頁１１行目の「被告製品による」を「被告製品における」と改める。
(53)原判決９２頁１６行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(54)原判決９６頁１６行目の「本件明細書」を「本件明細書１」と改める。(55)原判決９８頁１３行目から１４行目にかけての「記載されている以上，」の次に「ここにいう「スクライブ・ライン」が」を加える。(56)原判決９９頁４行目の「スクライブ・ライン２０７」から５行目の「切断する」までを「スクライブ・ライン２０７に対向する部分をローラーで押圧して切断する」と改める。
(57)原判決１０４頁９行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(58)原判決１０８頁２０行目及び２２行目の各「乙２４発明１」をいずれも「乙２４公報」と改める。
(59)原判決１０９頁２０行目の「相違点Ａに係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(60)原判決１１２頁１７行目の「実施不可能であるとして，」の次に「乙２６公報は」を加える。
(61)原判決１１４頁１３行目及び１１７頁１８行目の各「相違点に係る」の次にいずれも「本件発明１－１の」を加える。
(62)原判決１１８頁７行目の「本件特許」を「本件特許１」と改める。(63)原判決１２３頁１行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(64)原判決１２７頁１５行目の「相違点８（相違点Ａ）に係る」及び１７行目の「当該相違点に係る」の各次にいずれも「本件発明１－１の」を加える。(65)原判決１２９頁９行目及び１３１頁２４行目の各「相違点に係る」の次にいずれも「本件発明１－１の」を加える。
(66)原判決１３２頁６行目の「本件発明１」を「本件発明１－１」と改める。(67)原判決１３２頁２５行目の「相違点」を「相違点に係る本件発明１－１の構成」と改める。
(68)原判決１３３頁１３行目及び１３４頁２行目から３行目にかけての各「相違点８（相違点Ａ）に係る」の次にいずれも「本件発明１－１の」を加える。(69)原判決１３７頁１１行目から１２行目にかけての「に電極が積層されたもの」を削る。
(70)原判決１３７頁１９行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(71)原判決１３９頁３行目の「（３頁左下欄６行ないし９行），」の次に「乙５８発明１を」を加える。


(72)原判決１３９頁２５行目の「その」を「乙５８公報の」と改める。(73)原判決１４０頁８行目及び１４３頁１４行目の各「相違点に係る」の次にいずれも「本件発明１－１の」を加える。
(74)原判決１４４頁１５行目の「相違点の」を「相違点に係る本件発明１－１の構成の」と改める。
(75)原判決１４５頁１７行目の「相違点７（相違点Ａ）に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(76)原判決１４９頁１行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(77)原判決１５０頁１１行目の「構成は，」の次に「乙２５発明１に」を加える。
(78)原判決１５１頁１２行目の「左下７行」を「右上１５行」と改める。(79)原判決１５１頁２４行目の「本件明細書」を「本件明細書１」と改める。(80)原判決１５２頁５行目の「相違点」から６行目の「適用することで」までを「相違点に係る本件発明１－１の構成は、乙２５発明１に周知慣用技術を適用することで」と改める。
(81)原判決１５４頁１５行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(82)原判決１５５頁２１行目の「合成ガラス」を「合成石英ガラス」と改める。(83)原判決１５５頁２１行目の「反対側」の次に「の面」を加える。(84)原判決１５７頁１９行目の「マーキングライン」を「マーキング予定ライン」と改める。
(85)原判決１５７頁２３行目末尾に「を備え、」を加える。(86)原判決１５９頁５行目、１６１頁１９行目及び１６４頁９行目の各「相違点に係る」の次にいずれも「本件発明１－１の」を加える。(87)原判決１６３頁１４行目の「マーキングライン」を「マーキング予定ライン」と改める。
(88)原判決１６３頁１８行目末尾に「を備え、」を加える。(89)原判決１６４頁１９行目の「構成」を「本件発明１－１の構成」と改める。(90)原判決１６６頁８行目末尾に「、」を加える。(91)原判決１６６頁１７行目末尾に「を備え、」を加える。(92)原判決１６７頁２４行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(93)原判決１６８頁２４行目から２５行目にかけての「本件明細書」を「本件明細書１」と改める。
(94)原判決１６９頁２０行目の「乙６０発明１’」を「乙６０公報」と改める。(95)原判決１６９頁２５行目及び１７１頁２１行目の各「相違点に係る」の次にいずれも「本件発明１－１の」を加える。
(96)原判決１７１頁１８行目の「光学的損傷」を「光学破壊群」と改める。(97)原判決１７２頁２０行目の「相違点Ａに係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(98)原判決１７４頁２０行目の「本件発明１－１」の次に「に係る特許請求の範囲の記載」を加える。
(99)原判決１７５頁２２行目の「，原告の上記解釈を前提とすれば」を削る。(100)原判決１７５頁２４行目の「開示されていないところ」の次に「、被控訴人の上記解釈を前提とすると」を加える。
(101)原判決１７７頁１行目及び７行目の各「本件発明１－１」をいずれも「本件発明１－１に係る特許請求の範囲の記載」と改める。(102)原判決１７７頁１９行目から２０行目にかけて及び１７８頁５行目の各「本件発明１－１及び本件発明１－２」をいずれも「本件発明１に係る本件明細書１の発明の詳細な説明の記載」と改める。
(103)原判決１７９頁２２行目の「本件発明１」を「本件発明２」と改める。(104)原判決１８１頁１６行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(105)原判決１８２頁１行目の「組み合わせ」を「組合せ」と改める。(106)原判決１８４頁１３行目の「仮に存在するとしても」の次に「、相違点Ａに係る本件発明２－１の構成は、」を加える。
(107)原判決１８５頁２５行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(108)原判決１８６頁７行目の「本件発明１－１」から８行目の「及び」までを削る。
(109)原判決１８６頁１０行目の「これらの」を「この」と改める。(110)原判決１８６頁１８行目の「構成は，」の次に「乙２４発明２に」を加える。
(111)原判決１８９頁３行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(112)原判決１９０頁８行目の「その相違点１に係る構成」を「相違点１に係る本件発明２－１の構成」と改める。
(113)原判決１９０頁２６行目の「その相違点２に係る構成」を「相違点２に係る本件発明２－１の構成」と改める。
(114)原判決１９１頁２３行目から２４行目にかけて及び１９２頁２行目の各「本件発明」をいずれも「本件発明２－１」と改める。(115)原判決１９２頁４行目の「相違点Ａに係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(116)原判決１９２頁６行目の「相違点Ａ」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(117)原判決１９３頁３行目の「乙２４発明２」を「乙２４発明２’」と改める。
(118)原判決１９４頁９行目の「相違点に係る」及び１９行目の「相違点Ｆに係る」の各次にいずれも「本件発明２－２の」を加える。(119)原判決１９４頁２５行目の「乙２５公報」から２６行目の「乙２８公報」までを「乙２５公報及び乙２７公報」と改める。
(120)原判決１９７頁１４行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(121)原判決１９７頁２２行目の「同様に，」の次に「乙２６発明２に」を加える。


(122)原判決１９８頁６行目及び２２行目の各「相違点４に係る」の次にいずれも「本件発明２－１の」を加える。
(123)原判決１９９頁１６行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(124)原判決２０１頁１０行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(125)原判決２０１頁２２行目の「当該相違点」から２３行目の「組み合わせ」までを「当該相違点に係る本件発明２－２の構成は、乙２６発明２に、乙２６公報に記載された他の構成、乙２７発明及び乙２５発明Ａを組み合わせ」と改める。(126)原判決２０２頁９行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(127)原判決２０２頁２５行目の「乙２６」を「乙２６発明２」と改める。(128)原判決２０３頁１１行目の「その相違点１に係る構成」を「相違点４に係る本件発明２－１の構成」と改める。
(129)原判決２０３頁１７行目の「解される」の次に「。」を加える。(130)原判決２０３頁２０行目の「その相違点２に係る構成」を「相違点５に係る本件発明２－１の構成」と改める。
(131)原判決２０４頁１５行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(132)原判決２０５頁１３行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(133)原判決２０５頁１４行目の「相違点②に係る」及び２３行目の「相違点に係る」の各次にいずれも「本件発明２－１の」を加える。(134)原判決２０７頁１８行目から１９行目にかけての「対比すると」の次に「、両発明は」を加える。
(135)原判決２０７頁２０行目の「構成は，」の次に「乙５７公報に記載された発明に」を加える。
(136)原判決２０８頁１行目から２行目にかけての「乙５７公報に記載された発明」を「乙５７発明１」と改める。
(137)原判決２０８頁６行目の「本件発明１－１」から８行目末尾までを「本件発明１－１と乙５７発明１との相違点に係る本件発明１－１の構成の容易想到性に加え、相違点①に係る本件発明２－２の構成の容易想到性について更に主張する。」と改める。
(138)原判決２０８頁９行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(139)原判決２０８頁１４行目から１５行目にかけての「対比すると」の次に「、両発明は」を加える。
(140)原判決２０８頁１６行目から１７行目にかけての「乙２７公報に記載された発明を適用することで」を「乙５７公報に記載された発明に乙２７発明を適用することで」と改める。
(141)原判決２０９頁４行目の「相違点①及び②」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(142)原判決２０９頁６行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(143)原判決２０９頁９行目の「乙２７発明」を「乙２７公報」と改める。(144)原判決２１０頁９行目の「解される」の次に「。」を加える。(145)原判決２１０頁１１行目の「乙５７」を「乙５７公報」と改める。(146)原判決２１０頁１９行目の「乙５８公報」を「乙５７公報」と改める。(147)原判決２１１頁６行目の「その構成」を「相違点①に係る本件発明２－２の構成」と改める。
(148)原判決２１１頁８行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(149)原判決２１１頁２５行目の「相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(150)原判決２１１頁２６行目の「相違点②に係る」及び２１２頁２行目の「相違点に係る」の各次にいずれも「本件発明２－１の」を加える。(151)原判決２１２頁９行目から１０行目にかけての「乙５８公報の」を「乙５８公報に記載された発明において」と改める。
(152)原判決２１３頁１８行目から１９行目にかけての「対比すると」の次に「、両発明は」を加える。
(153)原判決２１３頁２０行目の「構成は，」の次に「乙５８公報に記載された発明に」を加える。
(154)原判決２１４頁３行目の「本件発明１－１」から５行目末尾までを「本件発明１－１と乙５８公報に記載された発明との相違点に係る本件発明１－１の構成の容易想到性に加え、相違点①に係る本件発明２－２の構成の容易想到性について更に主張する。」と改める。
(155)原判決２１４頁６行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(156)原判決２１４頁１１行目から１２行目にかけての「対比すると」の次に「、両発明は」を加える。
(157)原判決２１４頁１３行目から１４行目にかけての「乙２７公報に記載された発明を適用することで」を「乙５８公報に記載された発明に乙２７発明を適用することで」と改める。
(158)原判決２１４頁２３行目の「相違点①及び②」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(159)原判決２１４頁２５行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(160)原判決２１５頁１３行目の「乙５７公報」を「乙５８公報」と改める。(161)原判決２１５頁２３行目の「解される」の次に「。」を加える。(162)原判決２１６頁２１行目の「その構成」を「相違点①に係る本件発明２－２の構成」と改める。
(163)原判決２１６頁２３行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。


(164)原判決２１７頁１４行目の「本件発明１－１」から１６行目末尾までを「本件発明１－１と乙２５発明１との相違点に係る本件発明１－１の構成の容易想到性に加え、相違点①及び②に係る本件発明２－１の構成の容易想到性について更に主張する。」と改める。
(165)原判決２１７頁１７行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(166)原判決２１７頁２４行目の「乙２５公報記載の」を「乙２５公報に記載された発明において」と改める。
(167)原判決２１９頁７行目の「構成は，」の次に「乙２５公報に記載された発明に」を加える。
(168)原判決２１９頁１６行目の「本件発明１－１」から１７行目末尾までを「本件発明１－１と乙２５発明１との相違点に係る本件発明１－１の構成の容易想到性に加え、相違点①に係る本件発明２－２の構成の容易想到性について更に主張する。」と改める。
(169)原判決２１９頁１８行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(170)原判決２１９頁２３行目から２４行目にかけての「対比すると」の次に「、両発明は」を加える。
(171)原判決２１９頁２５行目から２６行目にかけての「乙２７公報に記載された発明を適用することで」を「乙２５公報に記載された発明に乙２７発明を適用することで」と改める。
(172)原判決２２０頁９行目の「相違点①及び②」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(173)原判決２２０頁１１行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(174)原判決２２１頁６行目の「解される」の次に「。」を加える。(175)原判決２２２頁４行目の「その構成」を「相違点①に係る本件発明２－２の構成」と改める。
(176)原判決２２２頁６行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(177)原判決２２２頁２０行目の「加えての相違点として」を「加え」と改める。
(178)原判決２２２頁２３行目の「本件発明１－１」から２５行目末尾までを「本件発明１－１と乙５９発明１との相違点に係る本件発明１－１の構成の容易想到性に加え、相違点①及び②に係る本件発明２－１の構成の容易想到性について更に主張する。」と改める。
(179)原判決２２２頁２６行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(180)原判決２２４頁１８行目の「構成は，」の次に「乙５９公報に記載された発明に」を加える。
(181)原判決２２５頁１行目の「本件発明１－１」から２行目末尾までを「本件発明１－１と乙５９発明１の相違点に係る本件発明１－１の構成の容易想到性に加え、相違点①に係る本件発明２－２の構成の容易想到性について更に主張する。」と改める。
(182)原判決２２５頁３行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(183)原判決２２５頁８行目から９行目にかけての「対比すると」の次に「、両発明は」を加える。
(184)原判決２２５頁１０行目から１１行目にかけての「乙２７公報に記載された発明を適用することで」を「乙５９公報に記載された発明に乙２７発明を適用することで」と改める。
(185)原判決２２５頁２０行目の「相違点①及び②」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(186)原判決２２５頁２２行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(187)原判決２２６頁１行目の「組み合わせ」を「組合せ」と改める。(188)原判決２２６頁２０行目の「解される」の次に「。」を加える。(189)原判決２２６頁２４行目の「乙２８」を「乙２８公報」と改める。(190)原判決２２７頁１６行目の「その構成」を「相違点①に係る本件発明２－２の構成」と改める。
(191)原判決２２７頁１８行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(192)原判決２２８頁９行目の「本件発明１－１」から１１行目末尾までを「本件発明１－１と乙６０発明１との相違点に係る本件発明１－１の構成の容易想到性に加え、相違点①及び②に係る本件発明２－１の構成の容易想到性について更に主張する。」と改める。
(193)原判決２２８頁１２行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。
(194)原判決２３０頁２行目の「構成は，」の次に「乙６０公報に記載された発明に」を加える。
(195)原判決２３０頁１１行目の「本件発明１－１」から１２行目末尾までを「本件発明１－１と乙６０発明１との相違点に係る本件発明１－１の構成の容易想到性に加え、相違点①に係る本件発明２－２の構成の容易想到性について更に主張する。」と改める。
(196)原判決２３０頁１３行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(197)原判決２３０頁１８行目から１９行目にかけての「対比すると」の次に「、両発明は」を加える。
(198)原判決２３０頁２０行目から２１行目にかけての「乙２７公報に記載された発明を適用することで」を「乙６０公報に記載された発明に乙２７発明を適用することで」と改める。
(199)原判決２３１頁４行目の「相違点①及び②」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(200)原判決２３１頁６行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－１の」を加える。


(201)原判決２３２頁４行目の「解される」の次に「。」を加える。(202)原判決２３２頁６行目の「乙６０」を「乙６０公報」と改める。(203)原判決２３３頁１行目の「その構成」を「相違点①に係る本件発明２－２の構成」と改める。
(204)原判決２３３頁３行目の「相違点に係る」の次に「本件発明２－２の」を加える。
(205)原判決２３３頁２３行目から２４行目にかけての「本件発明２－１」の次に「に係る特許請求の範囲の記載」を加える。
(206)原判決２３３頁２６行目の「用いられており」から２３４頁２行目末尾までを「用いられている。」と改める。
(207)原判決２３４頁６行目の「本件発明２－２」及び１１行目の「本件発明２－１」の各次にいずれも「に係る特許請求の範囲の記載」を加える。(208)原判決２３４頁１９行目及び２２行目の各「及び「改質スポット」」をいずれも削る。
(209)原判決２３５頁５行目の「構成要件２Ｈ」の次に「に係る特許請求の範囲の記載」を加える。
(210)原判決２３５頁１６行目の「本件発明１－１と同様の理由で，本件発明２－１についても」を「本件発明１－１に係る特許請求の範囲の記載と同様の理由で、本件発明２－１に係る特許請求の範囲の記載についても」と改める。(211)原判決２３６頁８行目の「いずれについても」の次に「、特許請求の範囲の記載に関し」を加える。
(212)原判決２３６頁１５行目及び１９行目の各「本件発明２－１及び本件発明２－２」をいずれも「本件発明２に係る本件明細書２の発明の詳細な説明の記載」と改める。
(213)原判決２３７頁１１行目から１２行目にかけての「原告と被告が」を削る。
(214)原判決２３９頁１６行目の「本件各発明」を「本件各特許」と改める。(215)原判決２４１頁１行目の「ＭＬ２００ＰｌｕｓⅢ，ＭＬ２００Ｐｌｕｓ」を「ＭＬ２００ＰｌｕｓⅢ、ＭＬ２００ＰｌｕｓⅤ」と改める。３当審で追加された争点及び争点に関する当事者の主張(1)争点７－１（本件発明２の特開２００２－１９２３７０号公報（平成１４年７月１０日公開。以下「乙１５０公報」という。）を主引用例とする進歩性欠如）
について
（控訴人の主張）
ア本件発明２の進歩性判断の基準日
本件出願２に係る優先権主張の根拠となる基礎出願（特願２００２－６７３４８号。以下「本件基礎出願」という。）の明細書（乙３１）の記載によると、本件基礎出願に係る発明にいう「改質領域」は、多光子吸収によって形成されるものと解されるところ、本件発明２の「改質領域」が多光子吸収によって形成されるものに限定されないとの解釈を前提とすると、本件発明２の「改質領域」は、本件基礎出願の明細書に記載された技術的事項の範囲を超える態様のものを包含していることになり、本件基礎出願との関係で新たな技術的事項を導入するものである。また、本件発明２－１の「切断予定ライン」についても、それ自体は、本件基礎出願の明細書に記載されているものの、本件明細書２には、本件基礎出願の明細書に記載されていなかった新たな技術的事項（本件発明２－１の構成要件２Ｈに係る態様）が記載されているから、本件発明２－１の「切断予定ライン」は、本件基礎出願の明細書に記載された技術的事項の範囲を超えることになり、本件基礎出願との関係で新たな技術的事項を導入するものである。
したがって、本件基礎出願に基づく優先権主張は認められず、本件発明２の進歩性の有無を判断するに当たっては、本件特許２の優先日（平成１４年３月１２日）ではなく、本件特許２の原出願日（平成１５年３月１１日）を基準にすべきである。
イ乙１５０公報に記載された発明
乙１５０公報には、本件発明２と対比すべき発明として、次の発明（以下「乙１５０発明」という。）が記載されている。
２ａシリコンウェハ（加工対象物１）の内部に、切断の起点となる改質領域を
形成するレーザ加工装置であって、
２ｂ前記シリコンウェハが載置される載置台１０７と、
２ｃレーザ光を出射するレーザ光源１０１と、
２ｄ前記載置台１０７に載置された前記シリコンウェハの内部に、前記レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌを集光し、そのレーザ光Ｌの集光点の位置で
前記改質領域を形成させる集光用レンズ１０５と、
２ｅ前記改質領域を前記シリコンウェハの内部に形成するために、レーザ光Ｌの集光点を前記シリコンウェハの内部に位置させた状態で、前記シリコンウェハの切断予定ライン５に沿ってレーザ光Ｌの集光点を移動させるステージ制御部１１５
と、
２ｇシリコンウェハの表面を撮像する撮像素子１２１と、を備え、２ｈ前記切断予定ライン５は、前記シリコンウェハの内側部分と外縁部との境
界付近に始点及び終点が位置し、
２ｒ前記ステージ制御部は、前記載置台１０７の移動を制御する２ｉことを特徴とするレーザ加工装置１００。
ウ本件発明２－１の進歩性欠如
(ｱ)本件発明２－１と乙１５０発明との対比
本件発明２－１と乙１５０発明は、次の一致点で一致し、相違点１で相違する。
（一致点）
２Ａ半導体基板の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装
置であって、
２Ｂ前記半導体基板が載置される載置台と、
２Ｃレーザ光を出射するレーザ光源と、
２Ｄ前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成さ
せる集光用レンズと、


２Ｅ前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、を備え、２Ｈ前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近
に始点及び終点が位置する、
２Ｉことを特徴とするレーザ加工装置。
（相違点１）
本件発明２－１は、「前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、を備え」るのに対し、乙１５０発明は、シリコンウェハの表面を撮像する撮像素子１２１を備えるものの、赤外透過照明を備えない点。
(ｲ)相違点１に係る本件発明２－１の構成の容易想到性ａ乙１５０発明は、シリコンウェハの内部にレーザ光を集光させ、その部分に改質領域を形成するものであり、外部から視認し得ない改質領域の様子をシリコンウェハを透過する赤外線等により検査・観察して、改質領域が所望どおりに形成されているかを確認する必要があるところ（例えば、特開平４－１７２１９２号公報（以下「乙１５４公報」という。）、特開昭５３－１１４３４７号公報（以下「乙１５２公報」という。）及び特開平１０－３２３７７８号公報（以下「乙２０９公報」という。）に記載があるとおり、ウェハのレーザ加工時に赤外線等を用いて加工状態を観察することは、本件特許２の優先日当時の当業者にとって自明であった。）、乙１５０公報には、乙１５０発明の撮像素子１２１につき、赤外線用のものを用いることができることが明記されており（【００９１】）、乙１５０発明の撮像素子１２１は、シリコンウェハの内部に観察面を合わせることで、シリコンウェハの内部の改質領域を観察することができるものである。ｂまた、特公昭６２－４５９６５号公報（以下「乙１５５公報」という。）、特開平８－２２０００８号公報（以下「乙１５６公報」という。）、特開平１０－３３２３３２号公報（以下「乙１５７公報」という。）、特開平８－２６４４８８号公報（以下「乙１５８公報」という。）、特開平５－２５９２７５号公報（以下「乙１５９公報」という。）、特開平９－１７８３１号公報（以下「乙１６０公報」という。）及び特開平１１－１２１５１７号公報（以下「乙１６１公報」という。）に記載があるとおり、赤外光を半導体ウェハ（半導体基板）に照射し、半導体ウェハを透過した赤外光を測定することで切断時の半導体ウェハの内部の状態を検査・観察することは、本件特許２の原出願日前（本件特許２の優先日前）において、普通に行われていた周知の技術であった。
ｃ以上のとおり、乙１５０発明において、レーザ加工時の加工状態を観察・監視するために、上記ｂの周知技術を適用し、シリコンウェハを赤外線で照明する赤外透過照明を設け、シリコンウェハを透過した赤外線を撮像装置１２１で撮像するように構成することは、乙１５０公報に接した当業者において、容易に想到し得たものである。そして、内部に改質領域が形成されたシリコンウェハを透過した赤外線は、シリコンウェハの内部の改質領域に係る情報を含むから、乙１５０発明の撮像素子１２１は、シリコンウェハの内部の改質領域を撮像することが可能である。したがって、本件特許２の原出願日当時の当業者は、相違点１に係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たものである。
(ｳ)被控訴人が主張する相違点Ｂ（本件発明２－１は、「前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する、」との構成を有するのに対し、乙１５０発明’は、それに対応する構成を有しない点。）に係る本件発明２－１の構成の容易想到性
ａ特開平６－２２４２９８号公報（以下「乙１６２公報」という。）、乙２８公報及び特開２００２－４３２５４号公報（以下「乙１６４公報」という。）に記載があるとおり、ウェハ状の加工対象物を切断する技術の分野において、「半導体基板の端の一定の幅をもった部分を「外縁部」とし、半導体基板の外縁部以外の部分を「内側部分」とした上で、「外縁部」に切断予定ラインがかからないように、「外縁部」と「内側部分」との境界付近に「切断予定ライン」の始点及び終点を位置させることによって、「内側部分」の内部に「切断予定ライン」が設定されるようにする」との技術は、本件特許２の原出願日（本件特許２の優先日）において、当業者に周知の技術であった。
そして、相違点Ｂに係る本件発明２－１の構成が乙１５０公報（【図１６】）に示唆されていることや、乙１５０発明の目的（加工対象物を切断することにより作製される製品の歩留まりや生産性の向上（乙１５０公報の【０１１８】））を考慮すると、当業者は、切断された半導体ウェハを一体的に保持するようにして加工対象物の切断工程における歩留まりを向上させるため、乙１５０発明に上記の周知技術を適用することを動機付けられるというべきである。ｂ乙１６２公報（【００１９】、【００２４】）には、ウエハのダイシングの際、ウエハの周縁部に、「切断されたウエハを一体的に保持する補強部材としての機能を果たす切り残し部分を設けることで、ダイシング工程における歩留まりを向上させる」との構成が開示されている。また、乙１６２公報（【図２】）には、「半導体基板の端の一定の幅をもった部分を「外縁部」とし、半導体基板の外縁部以外の部分を「内側部分」とした上で、「外縁部」に切断予定ラインがかからないように、「外縁部」と「内側部分」との境界付近に「切断予定ライン」の始点及び終点を位置させることによって、「内側部分」の内部に「切断予定ライン」が設定されるようにする」との構成が開示されている。


そして、上記のとおり、乙１５０発明は、歩留まりや生産性の向上を目的の一つとする発明であるから、当業者は、歩留まりを向上させることを可能にする乙１６２公報に記載された上記構成を乙１５０発明に適用するよう動機付けられる。ｃ以上によると、仮に、相違点Ｂを本件発明２－１と乙１５０発明の相違点として認定するとしても、相違点Ｂに係る本件発明２－１の構成は、本件特許２の原出願日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
エ本件発明２－２の進歩性欠如
本件発明２－２と乙１５０発明とを対比すると、両発明の間には、前記ウ(ｱ)の相違点１と同様の相違点が存在する。
そして、前記ウ(ｲ)のとおり、本件特許２の原出願日当時の当業者は、上記相違点に係る本件発明２－２の構成に容易に想到し得たものである。
（被控訴人の主張）
ア本件発明２の進歩性判断の基準日
(ｱ)本件発明２－１
本件発明２－１の進歩性の有無の判断に当たり、本件特許２の原出願日を基準にすべきことは争わない。その理由は、本件発明２－１が本件基礎出願の明細書に記載されていない構成要件２Ｈを発明特定事項としているからである。
(ｲ)本件発明２－２
本件基礎出願の明細書（【請求項１】、【請求項３】、【０００６】、【０００７】、【００１０】、【００１１】）をみると、本件基礎出願の請求項１に係る発明が「改質領域が多光子吸収により形成されるものでなければならない発明」を表しているのに対し、請求項３に係る発明は、「改質領域が多光子吸収により形成されるものでなくてもよい発明」を表しており、また、本件基礎出願の明細書に記載された発明は、「半導体基板の内部に改質領域が形成されると、改質領域を起点として比較的小さな力で半導体基板に割れが発生する」という事項を課題解決原理としているのであって、「改質領域が多光子吸収により形成されるものであること」という事項を課題解決原理としているわけではないことが明らかである。そうすると、本件基礎出願の明細書には、「改質領域が多光子吸収により形成されるものでなくてもよい発明」が記載されているといえるから、本件発明２－２の「改質領域」は、本件基礎出願の明細書に記載された技術的事項の範囲を超える内容のものを発明特定事項とするものではない。
したがって、本件発明２－２については、その全体につき優先権主張が認められ、その進歩性の有無を判断するに当たっては、本件特許２の優先日を基準にすべきである。仮に、本件明細書２に本件発明２－１の構成要件２Ｈに関する態様のものが記載されたことにより、①本件基礎出願の明細書に記載された構成（本件発明２－２の構成要件２Ｎにいう「切断予定ライン」が「半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する」ものを含まないという構成）に、②新たな構成（本件発明２－２の構成要件２Ｎにいう「切断予定ライン」が「半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する」ものであるとの構成）が追加されたと解されるとしても、少なくとも本件基礎出願の明細書に記載されていた上記①の構成については、優先権主張が認められるべきであるから、その進歩性を判断するに当たっては、本件特許２の優先日を基準にすべきである。
イ乙１５０公報に記載された発明
乙１５０公報には、控訴人が主張する構成２ｈが開示されていない。したがって、乙１５０公報に記載された発明については、構成２ｈを備えないものとして認定するのが相当である（以下、被控訴人が主張する乙１５０公報に記載された発明（構成２ｈを備えないもの）を「乙１５０発明’」という。）。
ウ本件発明２－１の進歩性
(ｱ)本件発明２－１と乙１５０発明’との対比
上記イによると、本件発明２－１と乙１５０発明’との一致点は、控訴人が主張する一致点から構成要件２Ｈを除いたものとなるから、構成要件２Ｈは、本件発明２－１と乙１５０発明’との相違点（次の相違点Ｂ）となる。また、控訴人が主張する相違点１は、乙１５０発明’が「改質領域を撮像可能な撮像素子」を備えていないことが明らかでないとする点で相当でないから、控訴人が主張する相違点１は、次の相違点Ａのように認定されるべきである。
（相違点Ａ）
本件発明２－１は、「前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、を備え」るのに対し、乙１５０発明’は、赤外透過照明を備えておらず、撮像素子１２１を備えるものの、その撮像素子１２１は、半導体基板の表面を撮像対象とするのみであり、半導体基板の内部に形成される改質領域を撮像可能とするものではない点。
（相違点Ｂ）
本件発明２－１は、「前記切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する、」との構成を有するのに対し、乙１５０発明’は、それに対応する構成を有しない点。
(ｲ)相違点に係る本件発明２－１の構成の想到困難性
ａ相違点Ａ
(a)乙１５０発明’の撮像素子１２１は、半導体基板の表面からの反射光を利用してフォーカス調整をするためのものであり（乙１５０公報の【００４９】、【００５０】、【００９１】）、それを改質領域の観察用のものに変えることに対する動機付けはない。また、乙１５０発明’の撮像素子１２１は、観察用光源１１７からの可視光又は加工用のレーザ光源１０１からのレーザ光Ｌを撮像するものであるから（乙１５０公報の【００４９】、【００９１】）、乙１５０発明’において赤外透過照明を導入することに対しても動機付けがない。そもそも、乙１５０発明’は、加工対象物の内部にレーザ光を集光して切断予定ラインに沿って走査するだけで加工対象物を切断するという目的を達成できる発明であるから、それを実施する上で改質領域の撮像を必要とするものではない（乙１５０公報には、改質領域を撮像することの示唆もない。）。


(b)ⅰ控訴人は、乙１５０発明の撮像素子１２１につき赤外線用のものを用い得ることが乙１５０公報に記載されていると主張するが、乙１５０発明の撮像素子１２１が半導体基板の表面からの反射光を利用してフォーカス調整するための撮像素子であることに変わりはないから、控訴人が主張する乙１５０公報の記載は、相違点Ａに係る本件発明２－１の構成の容易想到性を根拠付けるものではない。ⅱ控訴人は、乙１５５公報ないし乙１６１公報を根拠に、「赤外光を半導体ウェハに照射し、半導体ウェハを透過した赤外光を測定することで切断時の半導体ウェハの内部の状態を検査・観察すること」が本件特許２の原出願日前（本件特許２の優先日前）において周知技術であったと主張するが、乙１５５公報ないし乙１６１公報をみても、そのような周知技術は認められない。(c)以上のとおりであるから、本件特許２の原出願日当時の当業者が相違点Ａに係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たということはできない。
ｂ相違点Ｂ
(a)乙１５０公報には、相違点Ｂに係る本件発明２－１の構成（構成要件２Ｈ）を設けることに対する動機付けがあることを示す記載はない。(b)ⅰ控訴人は、乙１６２公報、乙２８公報及び乙１６４公報を根拠に、「半導体基板の端の一定の幅をもった部分を「外縁部」とし、半導体基板の外縁部以外の部分を「内側部分」とした上で、「外縁部」に切断予定ラインがかからないように、「外縁部」と「内側部分」との境界付近に「切断予定ライン」の始点及び終点を位置させることによって、「内側部分」の内部に「切断予定ライン」が設定されるようにする」との技術が本件特許２の原出願日（本件特許２の優先日）における周知技術であったと主張するが、乙１６２公報、乙２８公報及び乙１６４公報をみても、そのような周知技術は認められない。
ⅱ控訴人は、乙１６２公報には上記周知技術と同様の構成及び「切断されたウエハを一体的に保持する補強部材としての機能を果たす切り残し部分を設ける」との構成が開示されているとも主張するが、乙１６２公報に記載された構成は、ブレード交換のための中断及び再開の際の位置ずれの防止というフルカットブレードダイシングに特有の課題を解決するものであるから（【請求項１】、【０００１】ないし【０００７】）、そのような課題を有しない乙１５０発明’にこれを適用する動機付けはない。
(c)以上のとおりであるから、本件特許２の原出願日当時の当業者が相違点Ｂに係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たということはできない。
エ本件発明２－２の進歩性
(ｱ)主位的主張
本件発明２－２については、その全体につき優先権主張が認められるから、乙１５０公報は、特許法２９条１項３号の刊行物に当たらない。
(ｲ)予備的主張
ａ本件発明２－２のうち前記ア(ｲ)の①の構成については、優先権主張が認められるから、乙１５０公報は、特許法２９条１項３号の刊行物に当たらない。ｂ本件発明２－２のうち前記ア(ｲ)の②の構成についてみると、本件発明２－２は、本件発明２－１と同じ構成を備えた上、「前記半導体基板はシリコン基板であり、」との構成を付加したものであるから、前記ウのとおり、本件発明２－１が進歩性を欠かない以上、本件発明２－２が進歩性を欠くということはできない。(2)争点７－２（本件発明２の特開平１１－１７７１３７号公報（以下「乙１５１公報」という。）を主引用例とする進歩性欠如）について
（控訴人の主張）
ア乙１５１公報に記載された発明
乙１５１公報には、本件発明２と対比すべき発明として、次の発明（以下「乙１５１発明」という。）が記載されている。
２ａ基板２０１の一方の表面に島状窒化物半導体２０２が形成された半導体ウエハー２００の基板２０１の内部に、加工変質部を形成するレーザー加工機であっ
て、
２ｂ前記基板２０１が載置されるステージと、
２ｃレーザー光線を照射するＹＡＧレーザー照射装置と、２ｄ前記ステージに載置された前記基板２０１の内部に、ＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線を集光し、そのレーザー光線の焦点の位置で加工
変質部を形成させるレーザーの光学系と、
２ｅ前記基板２０１の内部にあるブレイク・ライン２０４に沿って形成された前記加工変質部を形成するために、ＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線の焦点を前記基板２０１の内部に位置させた状態で、前記ブレイク・ライン２０４に沿ってＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線の焦点を移動
させる制御部と、を備え、
２ｒ前記制御部は、前記ステージ及び前記レーザーの光学系の少なくとも１つ
の移動を制御する、
２ｉことを特徴とするレーザー加工機。
イ本件発明２－１の進歩性欠如
(ｱ)本件発明２－１と乙１５１発明との対比
本件発明２－１と乙１５１発明は、次の一致点で一致し、相違点１ないし３で相違する。なお、本件発明２－１において、加工対象物である半導体基板及びシリコン基板には溝部の特定がないから、被控訴人が主張する相違点Ａ（本件発明２－１は、基板の表面に溝部を形成する必要がなく、半導体基板の内部に改質領域を形成してこれを切断加工するレーザ加工装置であるのに対し、乙１５１発明’は、基板の表面に溝部を形成することを必須の構成として、「加工変質部」すなわち「ブレイク・ライン」を溝部の底面の下部に形成することにより半導体ウエハーを切断加工するレーザ加工装置である点。）は存在しない。
（一致点）
２Ａ半導体基板の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
２Ｂ前記半導体基板が載置される載置台と、
２Ｃレーザ光線を出射するレーザ光源と、
２Ｄ前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成さ
せる集光用レンズと、


２Ｅ前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で、前記半導体基板の前記切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、を備える、２Ｉレーザ加工装置。
（相違点１）
本件発明２－１は、改質領域が「切断の起点」となるのに対し、乙１５１発明は、改質領域に相当する加工変質部が、切断の起点となるものか明らかでない点。
（相違点２）
本件発明２－１は、「前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と、前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、を備え」るのに対し、乙１５１発明は、当該構成を備えない点。
（相違点３）
本件発明２－１は、「切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する」を備えるのに対し、乙１５１発明は、当該構成を備えない点。
(ｲ)相違点に係る本件発明２－１の構成の容易想到性
ａ相違点１
乙１５１公報の記載（【００２３】、【００４５】）によると、乙１５１発明の窒化物半導体ウエハー１００は、ダイサー等の切断手段ではなく、ローラーによる荷重を受けることで切断分離されるものであるところ、乙１５１発明の窒化物半導体ウエハー１００がローラーの荷重を受けると、荷重を受ける側とは反対側に位置する加工変質部に引張応力が働き、加工変質部から割れが始まり、加工変質部が形成されていた位置に切断端面ができる。すなわち、乙１５１発明においても、ブレイク・ラインに沿って形成される加工変質部が切断の起点となる。したがって、相違点１は、本件発明２－１と乙１５１発明との間の実質的な相違点ではない。
ｂ相違点２
(a)前記(1)（控訴人の主張）ウ(ｲ)ｂのとおり、ウェハ状の加工対象物を切断する技術の分野において、赤外光を半導体ウェハに照射し、半導体ウェハを透過した赤外光を測定することで切断時の半導体ウェハの内部の状態を検査・観察することは、本件特許２の優先日前において、普通に行われていた周知の技術であった。(b)乙１５１発明は、窒化物半導体が形成された半導体ウエハーの基板の内部にレーザ光を集光させ、その部分に加工変質部を形成するものであり、外部から視認し得ない加工変質部の様子を半導体ウエハーを透過する赤外線等により検査・観察し、加工変質部が所望どおりに形成されているかを確認する必要がある。(c)したがって、乙１５１発明において、加工対象物を透過する光（赤外線を含む。）の照射により加工状態を検査・観察するために、上記(a)の周知技術を適用し、加工対象物の切断時の検査・観察を行う構成を付加すること（相違点２に係る本件発明２－１の構成とすること）は、本件特許２の原出願日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
ｃ相違点３
(a)前記(1)（控訴人の主張）ウ(ｳ)ａのとおり、ウェハ状の加工対象物を切断する技術の分野において、「半導体基板の端の一定の幅をもった部分を「外縁部」とし、半導体基板の外縁部以外の部分を「内側部分」とした上で、「外縁部」に切断予定ラインがかからないように、「外縁部」と「内側部分」との境界付近に「切断予定ライン」の始点及び終点を位置させることによって、「内側部分」の内部に「切断予定ライン」が設定されるようにする」との技術は、本件特許２の優先日において、当業者に周知の技術であった。
そして、乙１５１発明が「歩留まりを高めること」を目的の一つとしていること（乙１５１公報の【００４７】、【００４９】）も考慮すると、当業者は、切断された半導体ウェハを一体的に保持するようにして加工対象物の切断工程における製造歩留まりを向上させるため、乙１５１発明に上記周知技術を適用するよう動機付けられるというべきである。
(b)なお、上記(a)の周知技術が認められないとしても、乙１６２公報には、相違点３に係る本件発明２－１の構成が記載されているところ、上記(a)のとおり、乙１５１発明は、歩留まりの向上を目的の一つとする発明であるから、当業者は、歩留まりを向上させることを可能にする乙１６２公報に記載の上記構成を乙１５１発明に適用するよう動機付けられる。
(c)以上のとおり、乙１５１発明において相違点３に係る本件発明２－１の構成とすることは、本件特許２の原出願日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
ウ本件発明２－２の進歩性欠如
(ｱ)本件発明２－２と乙１５１発明との対比
本件発明２－２と乙１５１発明との間には、前記イ(ｱ)の相違点１及び２のほか、次の相違点４が存在する。なお、前記イ(ｱ)のとおり、被控訴人が主張する相違点Ａは存在しない。
（相違点４）
本件発明２－２では、加工対象物が「シリコン基板」であるのに対し、乙１５１発明では、加工対象物が「基板２０１の一方の表面に島状窒化物半導体２０２が形成された半導体ウエハー２００の基板２０１」である点。(ｲ)相違点に係る本件発明２－２の構成の容易想到性
ａ相違点１
前記イ(ｲ)ａのとおり、相違点１は、本件発明２－２と乙１５１発明との間の実質的な相違点ではない。
ｂ相違点２
前記イ(ｲ)ｂのとおり、乙１５１発明において相違点２に係る本件発明２－２の構成とすることは、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
ｃ相違点４
(a)乙１５１公報（【００２４】）には、切断分離される対象である基板の材料として、サファイア以外の種々のものが選択可能であるとの記載があるところ、特開平５－３４３７４１号公報（乙１６５）、特開２０００－３３１９４６号公報（乙１６６）、特開平１１－４６０４５号公報（乙１６７）等に記載があるとおり、窒化物半導体の基板の材料としてシリコンを用いることは、本件特許２の優先日当時において、周知の技術であった。


したがって、乙１５１発明において、加工対象物である「一方の表面に島状窒化物半導体２０２が形成された半導体ウエハー２００」の「基板２０１」の材料を「シリコン」とし、相違点４に係る本件発明２－２の構成とすることは、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものである。(b)特開平６－１２０３３４号公報（以下「乙１６８公報」という。）及び特開平３－２７６６６２号公報（以下「乙１６９公報」という。）に記載があるとおり、「ウェハ状の加工対象物の切断予定ラインに沿ってレーザ光を集光させることにより、加工対象物を切断する」との技術は、本件特許２の優先日前において周知の技術であり、このようなレーザ光による切断がサファイア基板等に限らずシリコン基板にも適用できることも、本件特許２の優先日前において周知の技術であった。そうすると、「半導体基板の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成」して「半導体基板を切断」するとの技術を開示する乙１５１公報に接した当業者は、乙１５１発明をシリコン基板にも適用できることを直ちに想起するといえる。したがって、この点でも、乙１５１発明において相違点４に係る本件発明２－２の構成とすることは、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
（被控訴人の主張）
ア乙１５１公報に記載された発明
乙１５１公報には、本件発明２と対比すべき発明として、控訴人が主張する乙１５０発明は記載されていない。乙１５１公報に記載された発明は、次のとおり（控訴人が主張する乙１５１発明の構成と相違する構成には、「２ａ’」のように「’」を付し、相違する部分に下線を付した。）認定するのが相当である（以下、被控訴人が主張する乙１５１公報に記載された発明を「乙１５１発明’」という。）。２ａ’基板２０１の一方の表面に溝部２０３が形成され、他方の表面に島状窒化物半導体２０２が形成された半導体ウエハー２００の基板２０１であって、サファイア基板やスピネル基板のように、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難で、ダイサーのみで切断しようとすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できない基板２０１の前記溝部２０３の下部に、加工
変質部を形成するレーザー加工機であって、
２ｂ前記基板２０１が載置されるステージと、
２ｃレーザー光線を照射するＹＡＧレーザー照射装置と、２ｄ’前記ステージに載置された前記基板２０１の前記溝部２０３の下部に、ＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線を集光し、そのレーザー光線の焦点の位置で微視的なマイクロ・クラックの集合を形成させるレーザーの光学系と、２ｅ’前記基板２０１の前記溝部２０３の下部に、予定したラインに沿って形成された前記微視的なマイクロ・クラックの集合である前記加工変質部を形成するために、ＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線の焦点を前記基板２０１の内部に位置させた状態で、前記予定したラインに沿ってＹＡＧレーザー照射装置から発振されたレーザー光線の焦点を直線的に移動させる制御部と、を備え、２ｒ前記制御部は、前記ステージ及び前記レーザーの光学系の少なくとも１つ
の移動を制御する、
２ｉことを特徴とするレーザー加工機。
イ本件発明２－１の進歩性
(ｱ)本件発明２－１と乙１５１発明’との対比
本件発明２－１と乙１５１発明’との間に控訴人が主張する相違点１ないし３が存在することは争わないが、両発明の間には、次の相違点Ａも存在する。
（相違点Ａ）
本件発明２－１は、基板の表面に溝部を形成する必要がなく、半導体基板の内部に改質領域を形成してこれを切断加工するレーザ加工装置であるのに対し、乙１５１発明’は、基板の表面に溝部を形成することを必須の構成として、「加工変質部」すなわち「ブレイク・ライン」を溝部の底面の下部に形成することにより半導体ウエハーを切断加工するレーザ加工装置である点。
(ｲ)相違点に係る本件発明２－１の構成の想到困難性
ａ相違点１
(a)乙１５１発明’においては、溝部が形成され、その底部の下部にブレイク・ライン２０４（加工変質部）が形成されるのであるから、切断における溝部と加工変質部の役割は不明であり、加工変質部を「切断の起点」にすることが容易に想到し得たといえる根拠はない。
(b)控訴人は、乙１５１発明の窒化物半導体ウエハー１００がローラーの荷重を受けると、加工変質部から割れが始まるから、相違点１は本件発明２－１と乙１５１発明との間の実質的な相違点でないと主張するが、乙１５１発明’において、溝部２０３の底面に当然に存在する傷ないし凹凸が切断の起点とならないと考えるべき理由はなく、結局、乙１５１発明’における「切断の起点」は、不明というほかない。したがって、相違点１は、本件発明２－１と乙１５１発明’との間の実質的な相違点である。
(c)相違点１に係る本件発明２－１の構成を得るためには、溝を形成することなく研磨面の内側に改質領域を形成するようにする必要があるところ、乙１５１発明’には、そのようにする動機付けはないし、かえって、そのようにすることには阻害要因がある。
(d)以上のとおり、相違点１は、本件発明２－１と乙１５１発明’との間の実質的な相違点であり、本件特許２の優先日当時の当業者は、相違点１に係る本件発明２－１の構成に容易に想到することができなかったものである。
ｂ相違点２
(a)乙１５１発明’は、乙１５０発明’と同様、それを実施する上で改質領域の撮像を必要とするものではなく、乙１５１公報には、改質領域を撮像することを示唆する記載はない。
乙１５１発明’が主として想定している加工対象物は、サファイアやスピネルの基板であり、それらは、可視光の透過率と赤外光の透過率との間に顕著な差があるものではないから、当業者は、仮に加工変質部を観察することに想到したとしても、「赤外透過照明」や「赤外線で照明された加工変質部を撮像可能な撮像素子」を設けようとの発想に至らない。


(b)控訴人は、乙１５５公報ないし乙１６１公報を根拠に、「赤外光を半導体ウェハに照射し、半導体ウェハを透過した赤外光を測定することで切断時の半導体ウェハの内部の状態を検査・観察すること」が本件特許２の優先日前における周知技術であったと主張するが、乙１５５公報ないし乙１６１公報をみても、そのような周知技術は認められない。
(c)以上のとおりであるから、本件特許２の原出願日当時の当業者が相違点２に係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たということはできない。
ｃ相違点３
(a)乙１５１公報には、相違点３に係る本件発明２－１の構成（構成要件２Ｈ）を設けることに対する動機付けがあることを示す記載はない。(b)ⅰ控訴人は、乙１６２公報、乙２８公報及び乙１６４公報を根拠に、「半導体基板の端の一定の幅をもった部分を「外縁部」とし、半導体基板の外縁部以外の部分を「内側部分」とした上で、「外縁部」に切断予定ラインがかからないように、「外縁部」と「内側部分」との境界付近に「切断予定ライン」の始点及び終点を位置させることによって、「内側部分」の内部に「切断予定ライン」が設定されるようにする」との技術が本件特許２の優先日における周知技術であったと主張するが、乙１６２公報、乙２８公報及び乙１６４公報をみても、そのような周知技術は認められない。
ⅱ控訴人は、乙１６２公報には相違点３に係る本件発明２－１の構成が記載されているとも主張するが、乙１６２公報に記載された構成は、ブレード交換のための中断及び再開の際の位置ずれの防止というフルカットブレードダイシングに特有の課題を解決するものであるから（【請求項１】、【０００１】ないし【０００７】）、そのような課題を有しない乙１５１発明’にこれを適用する動機付けはない。
(c)以上のとおりであるから、本件特許２の原出願日当時の当業者が相違点３に係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たということはできない。
ｄ相違点Ａ
(a)乙１５１公報には、「基板の表面に溝部が形成されていないウェハ」を「基板に達する切断のための溝形成」という工程を経ることなく好適に切断加工ができることについての開示はないし、その余の証拠にも、乙１５１発明’に係るレーザ加工機を、基板の表面に溝が形成されていなくても切断できるように改変することを示唆する記載はない。
(b)乙１５１発明’における「基板に溝部を形成し、当該溝部の底部にブレイク・ラインをレーザー照射により形成する」との技術的事項は、乙１５１発明’における課題解決手段の本質的部分であるから（乙１５１公報の【０００８】ないし【００１２】）、乙１５１発明’に係るレーザ加工機を「基板の表面に溝部が形成されていないウェハ」を「基板に達する切断のための溝形成」という工程を経ることなく好適に切断加工ができるように改変することは、乙１５１発明’における上記の本質的部分を変更することになる。このような改変は、乙１５１公報に記載された課題を解決できないものに改変することを意味するから、乙１５１発明’にそのような改変を加えることには、明白な阻害要因がある。(c)そもそも、本件発明２－１は、「加工対象物の表面を加工せずに、その内部に、切断の起点となる改質領域を形成する」という発明であり、「半導体基板上に複数の機能素子が形成されていたとしても、機能素子が破壊されるのを防止して、半導体基板を切断予定ラインに沿って精度良く切断することを可能にする」という効果を奏するものであって（本件明細書２の【０００８】）、基板の表面に溝部を形成することを必須の構成とする乙１５１発明’とは、その技術思想において異なるものである。
(d)以上のとおりであるから、本件特許２の原出願日当時の当業者が相違点Ａに係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たということはできない。
ウ本件発明２－２の進歩性
(ｱ)本件発明２－２と乙１５１発明’との対比
本件発明２－２と乙１５１発明’との間には、控訴人が主張する相違点１及び２並びに被控訴人が主張する相違点Ａが存在するほか、次の相違点Ｂ（控訴人が主張する相違点４を乙１５１発明’の構成に合わせて訂正したもの）が存在する。
（相違点Ｂ）
本件発明２－２では、加工対象物が「シリコン基板」であるのに対し、乙１５１発明’では、加工対象物が「サファイア基板やスピネル基板のように、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難で、ダイサーのみで切断しようとすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できない基板２０１」である点。
(ｲ)相違点に係る本件発明２－２の構成の想到困難性
ａ相違点１及び２
前記イ(ｲ)ａ及びｂのとおりであるから、相違点１及び２に係る本件発明２－２の構成は、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものではない。
ｂ相違点Ａ
(a)前記イ(ｲ)ｄのとおりである。
(b)また、乙１５１発明’は、加工対象物が「サファイア基板やスピネル基板のように、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難で、ダイサーのみで切断しようとすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できない基板２０１」であることから、その表面に溝部を形成し、溝部の底面の下部にブレイク・ラインを形成して、これを切断加工することをその中核的な技術思想としているのに対し、本件発明２－２は、加工対象物がシリコンウェハであることから、わざわざその表面に溝部を形成する必要はなく、その内部に切断の起点となる改質領域を形成して、これを切断加工することをその中核的な技術思想とするものである。
(c)以上によると、相違点Ａに係る本件発明２－２の構成は、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものではない。
ｃ相違点Ｂ


(a)乙１５１発明’は、窒化物半導体素子の製造方法の技術分野において、「結晶性の良い窒化物半導体の単結晶膜を得るために採用されるサファイアやスピネル基板などの上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーは、ダイヤモンドスクライバーのみで切断することは困難で、ダイサーのみで切断しようとすると、その切断面にクラック、チッピングが発生しやすく綺麗に切断できない、基板から窒化物半導体層が部分的に剥離する、などの問題があった」という課題を前提とした発明であり（乙１５１公報の【０００１】、【０００４】、【０００６】）、従来の方法における「ダイヤモンドスクライバーにより、ダイサーで形成した溝部の底面にスクライブ・ラインを形成する」という工程に代えて、「レーザー照射により、溝部の底面にブレイク・ラインを形成する」という工程を採用することを前提にしたものであり（乙１５１公報の【００１３】、【請求項１】）、「これにより、より幅が狭くかつ深い溝部に高精度のブレイク・ライン形成を可能にし」たものである（乙１５１公報の【００６４】）。そうすると、乙１５１発明’の加工対象物をシリコンウェハ（通常、基板の表面に溝部が形成されることがないもの）に変えるということは、技術分野が相違することになるとともに、乙１５１発明’を無意味にするものであるから、当業者が乙１５１発明’の加工対象物をシリコンウェハに変えようとすることはあり得ない。
(b)ⅰ控訴人が主張する乙１５１公報の【００２４】は、窒化物半導体の基板の材料となり得るものの全てが乙１５１発明’の加工対象物として想定されていることを示す記載ではないところ、シリコン基板は、乙１５１発明’の加工対象物として想定されたものではない。
ⅱ控訴人は、乙１６８公報及び乙１６９公報を根拠に、「ウェハ状の加工対象物の切断予定ラインに沿ってレーザ光を集光させることにより、加工対象物を切断する」との技術が本件特許２の優先日における周知技術であったなどと主張するが、乙１６８公報及び乙１６９公報に記載された技術は、いずれも「ウェハ状の加工対象物の内部に加工変質部を形成する」というものではなく、乙１５１発明’とは無関係のものであるから、乙１６８公報及び乙１６９公報の記載は、乙１５１発明’の加工対象物をシリコン基板に変えることが当業者において容易に想到し得たものであることの根拠とはならない。
(c)以上のとおりであるから、本件特許２の優先日当時の当業者が相違点Ｂに係る本件発明２－２の構成に容易に想到し得たということはできない。(3)争点７－３（本件発明２の乙１５２公報を主引用例とする進歩性欠如）に
ついて
（控訴人の主張）
ア乙１５２公報に記載された発明
乙１５２公報には、本件発明２と対比すべき発明として、次の発明（以下「乙１５２発明」という。）が記載されている。
２ａ半導体ウエハー（１３）の表面（１８）に、切断の起点となる溝（２３、２３’）を形成するレーザ加工装置であって、
２ｂ前記半導体ウエハー（１３）が載置されるＸＹテーブル（１７）と、２ｃレーザ光線（１１）を出射するレーザ発振器（１０）と、２ｄ前記ＸＹテーブル（１７）に載置された前記半導体ウエハー（１３）の表面（１８）に、前記レーザ発振器（１０）から出射されたレーザ光線（１１）を集光し、そのレーザ光線（１１）の集光点の位置で前記溝（２３、２３’）を形成さ
せる集光レンズ（１４）と、
２ｅ前記溝（２３、２３’）を前記半導体ウエハー（１３）の表面（１８）に形成するために、レーザ光線（１１）の集光点を前記半導体ウエハー（１３）の表面（１８）に位置させた状態で、前記半導体ウエハー（１３）の素子（１５）間に沿って（すなわち、切断予定ラインに沿って）レーザ光線（１１）の集光点を移動させるようにＸＹテーブル（１７）を制御する制御部と、２ｆ前記ＸＹテーブル（１７）に載置された前記半導体ウエハー（１３）を赤
外線で照明する構成と、
２ｇ監視装置としての赤外線イメージ変換装置と、を備え２ｑ前記半導体ウエハー（１３）は、赤外線で透視状態となるものであり、２ｒ前記制御部は、前記ＸＹテーブル（１７）の移動を制御する、２ｉことを特徴とするレーザ加工装置。
イ本件発明２－１の進歩性欠如
(ｱ)本件発明２－１と乙１５２発明との対比
本件発明２－１と乙１５２発明は、次の一致点で一致し、相違点１及び２で相違する。
（一致点）
２Ａ半導体基板に、切断の起点となる領域を形成するレーザ加工装置であって、
２Ｂ前記半導体基板が載置される載置台と、
２Ｃレーザ光を出射するレーザ光源と、
２Ｄ前記載置台に載置された前記半導体基板に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記切断の起点となる領域を
形成させる集光レンズと、
２Ｅ前記切断の起点となる領域を前記半導体基板に形成するために、レーザ光の集光点を前記半導体基板に位置させた状態で、前記半導体基板の切断予定ライン
に沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と、
２Ｆ前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明
と、
２Ｇ前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における切断
の起点となる領域を撮像可能な撮像素子と、を備えた
２Ｉことを特徴とするレーザ加工装置。
（相違点１）
本件発明２－１では、「切断の起点となる領域」が「半導体基板の内部」に位置する「改質領域」であるのに対し、乙１５２発明では、「切断の起点となる領域」が「半導体ウエハー（１３）の表面（１８）」に位置する「溝（２３、２３’）」である点。
（相違点２）
本件発明２－１は、「切断予定ラインは、前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する」を有するのに対し、乙１５２発明は、当該構成を有しない点。
(ｲ)相違点に係る本件発明２－１の構成の容易想到性
ａ相違点１


(a)ⅰ乙１５０公報、特開２００３－１４５７号公報（平成１５年１月８日公開。以下「乙１７０公報」という。）、特開２００３－１４５８号公報（平成１５年１月８日公開。以下「乙１７１公報」という。）、特開２００３－１０９８６号公報（平成１５年１月１５日公開。以下「乙１７２公報」という。）、特開２００３－１０９９２号公報（平成１５年１月１５日公開。以下「乙１７３公報」という。）等に記載があるとおり、半導体基板を分割するに際し、半導体基板の内部にレーザ光の集光点を位置付けてレーザ光を照射し、半導体基板の内部に切断の起点となる改質領域を形成することは、本件特許２の原出願日における周知技術であった。
ⅱ乙１５２発明と上記ⅰの周知技術は、レーザ光を用いて半導体基板を分割する技術に関するものであり、両者の技術分野は共通する。また、乙１５２発明は、レーザ光による飛散、蒸着物が素子の表面に付着することがなく、歩留まりを向上させることを目的（課題）の一つとする発明であり、上記ⅰの周知技術は、発塵粉体がほとんどないことを可能にし（乙１５０公報の【０１０１】）、製品（例えば半導体チップ液晶等の表示装置）の歩留まりや生産性を向上させることができるものであり（乙１５０公報の【０１１８】）、両者の目的（課題）は共通する。さらに、本件特許２の優先日当時において、加工対象物のレーザ光を照射した部分から飛散物が生じたり、溶融物が残るなどにより製造工程に支障を来したりすることは、当業者に一般的に知られており（沖山俊裕著「レーザ割断」（精密工学会誌６０巻２号１９６～１９９頁（平成６年））。以下「乙１９０文献」という。）、加工対象物のレーザ光を照射した部分からの蒸散物（飛散物）がレンズ等に付着するとの課題も、当業者にとって周知であった（特開平８－６６７９０号公報（以下「乙１７４公報」という。）、特開平８－１７８８５６号公報（以下「乙１７５公報」という。）、特開２００１－１１７５号公報（以下「乙１７６公報」という。）及び特開２００２－３５９８５号公報（以下「乙１７７公報」という。））。乙１５２発明においても、集光レンズ（１４）が加工対象物である半導体ウエハー（１３）に面していることから、半導体ウエハー（１３）のレーザ光を照射した部分からの蒸散物（飛散物）が集光レンズ（１４）に付着するなどの周知の課題があった。ⅲ以上によると、本件特許２の原出願日当時の当業者は、上記ⅱの周知の課題を解決するため、乙１５２発明に上記ⅰの周知技術を適用するよう動機付けられるというべきである。したがって、乙１５２発明において、相違点１に係る本件発明２－１の構成要件２Ａ、２Ｄ及び２Ｅの構成とすることは、本件特許２の原出願日当時の当業者が容易に想到し得たものである。そして、乙１５２発明において、半導体ウエハー（１３）の内部に切断の起点となる改質領域を形成した場合、乙１５２発明の赤外線イメージ変換装置は、当該改質領域を撮像することになるから、乙１５２発明において、相違点１に係る本件発明２－１の構成要件２Ｇの構成とすることも、本件特許２の原出願日当時の当業者が容易に想到し得たものである。(b)ⅰ乙１５１公報は、サファイア等の半導体基板２０１を分割するためのブレイク・ラインを形成するに際し、基板２０１の内部に切断の起点となる加工変質部２０４を形成する技術を開示している（【００１６】、【００４８】）。ⅱ乙１５２発明は、レーザ光を用いて半導体基板をペレット（チップ）に分割する技術に関するものであり、上記ⅰの技術も、レーザ光を用いて半導体基板を分割する技術に関するものであるから、両者の技術分野は共通する。また、前記(a)ⅱのとおり、乙１５２発明は、レーザ光による飛散、蒸着物が素子の表面に付着することがなく、歩留まりを向上させることを目的（課題）の一つとする発明であり、上記ⅰの技術は、歩留まりを向上させる作用機能を有し（乙１５１公報の【００１２】、【００１９】、【００４９】）、両者の目的（課題）等は共通する。さらに、前記(a)ⅱのとおり、本件特許２の優先日当時において、レーザ光を用いた加工技術に関し、加工対象物のレーザ光を照射した部分からの蒸散物（飛散物）がレンズ等に付着するとの課題は、当業者にとって周知であった。乙１５２発明においても、前記(a)ⅱのとおり、集光レンズ（１４）が加工対象物である半導体ウエハー（１３）に面していることから、半導体ウエハー（１３）のレーザ光を照射した部分からの蒸散物（飛散物）が集光レンズ（１４）に付着するなどの周知の課題があった。ⅲ以上によると、本件特許２の優先日当時の当業者は、上記ⅱの周知の課題を解決するため、乙１５２発明に上記ⅰの技術を適用するよう動機付けられるというべきである。したがって、乙１５２発明において、相違点１に係る本件発明２－１の構成要件２Ａ、２Ｄ及び２Ｅの構成とすることは、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものである。そして、乙１５２発明において、半導体ウエハー（１３）の内部に切断の起点となる改質領域を形成した場合、乙１５２発明の赤外線イメージ変換装置は、当該改質領域を撮像することになるから、乙１５２発明において、相違点１に係る本件発明２－１の構成要件２Ｇの構成とすることも、本件特許２の原出願日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
ｂ相違点２
(a)前記(1)（控訴人の主張）ウ(ｳ)ａのとおり、ウェハ状の加工対象物を切断する技術の分野において、「半導体基板の端の一定の幅をもった部分を「外縁部」とし、半導体基板の外縁部以外の部分を「内側部分」とした上で、「外縁部」に切断予定ラインがかからないように、「外縁部」と「内側部分」との境界付近に「切断予定ライン」の始点及び終点を位置させることによって、「内側部分」の内部に「切断予定ライン」が設定されるようにする」との技術は、本件特許２の優先日において、当業者に周知の技術であった。


そして、前記ａ(b)ⅱのとおり、乙１５２発明が「歩留まりの向上」を目的の一つとしていることも考慮すると、当業者は、切断された半導体ウェハを一体的に保持するようにして加工対象物の切断工程における歩留まりを向上させるため、乙１５２発明に上記周知技術を適用するよう動機付けられるというべきである。(b)なお、上記(a)の周知技術が認められないとしても、乙１６２公報には、相違点２に係る本件発明２－１の構成が記載されているところ、前記ａ(b)ⅱのとおり、乙１５２発明は、歩留まりの向上を目的の一つとする発明であるから、当業者は、歩留まりを向上させることを可能にする乙１６２公報に記載の上記構成を乙１５２発明に適用するよう動機付けられる。
(c)以上のとおり、乙１５２発明において相違点２に係る本件発明２－１の構成とすることは、本件特許２の原出願日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
(ｳ)被控訴人が主張する相違点Ａ（本件発明２－１は、「前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、を備え、」という構成を有するのに対し、乙１５２発明は、当該構成を有しない点。）に係る本件発明２－１の構成の容易想到性
乙１５２発明の「監視装置としての赤外線イメージ変換装置」においては、半導体ウエハー（１３）の内部に形成される改質領域（加工変質部）を監視し、素子（１５）間に沿って（切断予定ラインに沿って）改質領域（加工変質部）が形成されているかを確認する必要がある。また、切断予定ラインに対してレーザ加工済みのラインがずれているか否かをレーザ加工装置上で確認することは、本件特許２の優先日前において一般的に行われていたものであり、当業者は、上記の確認をする機能がなければ、レーザ加工装置として成り立たないものと認識していた。したがって、乙１５２発明において相違点Ａに係る本件発明２－１の構成とすることは、本件特許２の原出願日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
ウ本件発明２－２の進歩性欠如
(ｱ)本件発明２－２と乙１５２発明との対比
本件発明２－２と乙１５２発明との間には、前記イ(ｱ)の相違点１のほか、次の相違点３が存在する。
（相違点３）
本件発明２－２は、「前記半導体基板はシリコン基板であ」るのに対し、乙１５２発明は、「前記半導体ウエハー（１３）は、赤外線で透視状態となるもの」である点。
(ｲ)相違点に係る本件発明２－２の構成の容易想到性
ａ相違点１
本件発明２－２の構成要件２Ｊ、２Ｍ、２Ｎ及び２Ｐは、それぞれ本件発明２－１の構成要件２Ａ、２Ｄ、２Ｅ及び２Ｇと同じである。したがって、前記イ(ｲ)ａのとおり、乙１５２発明において、相違点１に係る本件発明２－２の構成とすることは、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
ｂ相違点３
半導体ウエハーとしてのシリコン基板は、本件特許２の優先日前において極めて一般的なものであり（原央編「ＵＬＳＩプロセス技術」（平成９年）。乙１７８）、また、シリコン基板は、赤外線で透視状態となるものである（実開平１－１０８５０８号公報（乙１７９）、乙１５０公報、本件明細書２等）。したがって、乙１５２発明において、相違点３に係る本件発明２－２の構成とすることは、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものである。(ｳ)被控訴人が主張する相違点Ａに係る本件発明２－２の構成の容易想到性前記イ(ｳ)のとおりであるから、乙１５２発明において相違点Ａに係る本件発明２－２の構成とすることは、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものである。
（被控訴人の主張）
ア乙１５２公報に記載された発明
乙１５２公報に控訴人が主張する乙１５２発明が記載されていることは争わない。
イ本件発明２－１の進歩性
(ｱ)本件発明２－１と乙１５２発明との対比
本件発明２－１と乙１５２発明との間に控訴人が主張する相違点１及び２が存在することは争わないが、両発明の間には、次の相違点Ａも存在する。
（相違点Ａ）
本件発明２－１は、「前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と、を備え、」という構成を有するのに対し、乙１５２発明は、当該構成を有しない点。
(ｲ)相違点に係る本件発明２－１の構成の想到困難性
ａ相違点１
(a)乙１５２発明は、半導体ウエハーの表面にレーザ光線を用いて溝を形成し、圧力を加えて微細なペレットに分割する技術を前提に、レーザ光線を従来とは反対側の面（ウエハーの素子が形成された面とは反対側の面）から入射するようにすることで、レーザ光線により飛散蒸発するウエハー材が各素子の上面に付着することを防止するものである（乙１５２公報の特許請求の範囲、１頁左欄１４行ないし右欄１７行）。したがって、乙１５２発明の溝を「半導体基板の内部に位置する改質領域」に変えることは、発明の前提を変えることを意味し、乙１５２発明の課題解決手段（レーザ光線をウエハーの素子が形成された面とは反対側の面から入射するようにするもの）を無意味なものにすることを意味するから、そのような改変は、当業者が容易に想到し得るものではない。
(b)ⅰ控訴人は、乙１９０文献及び乙１７４公報ないし乙１７７公報に記載された周知の課題並びに乙１５０公報及び乙１７０公報ないし乙１７３公報に記載された「半導体基板の内部に切断の起点となる改質領域を形成する」との周知技術に基づき、相違点１に係る本件発明２－１の構成は当業者が容易に想到し得ると主張する。


しかしながら、仮に、控訴人が乙１９０文献及び乙１７４公報ないし乙１７７公報に記載されていると主張する課題が乙１５２発明にも当てはまるとしても、その場合に採用される課題解決手段は、乙１７４公報ないし乙１７７公報に記載された課題解決手段であるはずであるから、これらの刊行物に記載された課題解決手段と異なる乙１５０公報及び乙１７０公報ないし乙１７３公報に記載された技術を採用する動機付けはない。また、乙１５０公報及び乙１７０公報ないし乙１７３公報に記載された技術は、課題解決手段という点からは乙１５２発明と全く異なる技術であり、乙１５２発明の「切断の起点となる領域」（溝）を「半導体基板の内部に位置する改質領域」に変更することを動機付けるものではない。ⅱ控訴人は、乙１７４公報ないし乙１７７公報に記載された周知の課題及び乙１５１公報に記載された技術に基づき、相違点１に係る本件発明２－１の構成は当業者が容易に想到し得るとも主張する。
しかしながら、仮に、控訴人が乙１７４公報ないし乙１７７公報に記載されていると主張する課題が乙１５２発明にも当てはまるとしても、その場合に採用される課題解決手段は、乙１７４公報ないし乙１７７公報に記載された課題解決手段であるはずであるから、これらの刊行物に記載された課題解決手段と異なる乙１５１公報に記載された技術を採用する動機付けはない。また、乙１５１公報に記載された技術は、控訴人が主張するような抽象的な技術（「サファイア等の半導体基板２０１を分割するためのブレイク・ラインを形成するに際し、基板２０１の内部に切断の起点となる加工変質部２０４を形成する」との技術）ではない（なお、乙１５１公報に記載された加工変質部２０４は、切断の起点となるかどうかが不明なものである。）。さらに、乙１５１公報に記載された技術は、乙１５２発明と全く異なる技術であり、乙１５２発明の「切断の起点となる領域」（溝）を「半導体基板の内部に位置する改質領域」に変更することを動機付けるものではない。(c)以上のとおりであるから、本件特許２の原出願日当時の当業者が相違点１に係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たということはできない。
ｂ相違点２
(a)乙１５２公報には、相違点２に係る本件発明２－１の構成（構成要件２Ｈ）を設けることに対する動機付けがあることを示す記載はない。(b)ⅰ控訴人は、乙１６２公報、乙２８公報及び乙１６４公報を根拠に、「半導体基板の端の一定の幅をもった部分を「外縁部」とし、半導体基板の外縁部以外の部分を「内側部分」とした上で、「外縁部」に切断予定ラインがかからないように、「外縁部」と「内側部分」との境界付近に「切断予定ライン」の始点及び終点を位置させることによって、「内側部分」の内部に「切断予定ライン」が設定されるようにする」との技術が本件特許２の優先日における周知技術であったと主張するが、乙１６２公報、乙２８公報及び乙１６４公報をみても、そのような周知技術は認められない。
ⅱ控訴人は、乙１６２公報には相違点２に係る本件発明２－１の構成が記載されているとも主張するが、乙１６２公報に記載された構成は、ブレード交換のための中断及び再開の際の位置ずれの防止というフルカットブレードダイシングに特有の課題を解決するものであるから（【請求項１】、【０００１】ないし【０００７】）、そのような課題を有しない乙１５２発明にこれを適用する動機付けはない。(c)以上のとおりであるから、本件特許２の原出願日当時の当業者が相違点２に係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たということはできない。
ｃ相違点Ａ
乙１５２発明は、そもそも半導体基板の内部に改質領域を形成するものですらないから、乙１５２公報に接した当業者は、改質領域を撮像しようとする動機付けを有しない。
したがって、本件特許２の原出願日当時の当業者が相違点Ａに係る本件発明２－１の構成に容易に想到し得たということはできない。
ウ本件発明２－２の進歩性
(ｱ)本件発明２－２と乙１５２発明との対比
本件発明２－２と乙１５２発明との間には、控訴人が主張する相違点１及び３並びに被控訴人が主張する相違点Ａが存在する。
(ｲ)相違点に係る本件発明２－２の構成の想到困難性
ａ相違点１
前記イ(ｲ)ａのとおりであるから、相違点１に係る本件発明２－２の構成は、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものではない。なお、乙１５０公報及び乙１７０公報ないし乙１７３公報は、いずれも本件特許２の優先日前に頒布された刊行物でない。
ｂ相違点Ａ
前記イ(ｲ)ｃのとおりであるから、相違点Ａに係る本件発明２－２の構成は、本件特許２の優先日当時の当業者が容易に想到し得たものではない。ｃなお、被控訴人は、本件特許２の優先日当時の当業者が相違点３に係る本件発明２－２の構成に容易に想到し得たことを争うものではない。
第３当裁判所の判断
１当裁判所も、被控訴人の本件特許権２に基づく請求は全部理由があるものと判断する。その理由は、次のとおり改め、当審で追加された争点に対する判断として後記２を付加し、当審における控訴人の補充主張に鑑み後記３を付加するほかは、原判決の「事実及び理由」欄の第４の１ないし１６及び１８ないし２９（２４１頁７行目から４２７頁４行目まで及び４３０頁１９行目から４５５頁２５行目まで）に説示のとおり（ただし、本件特許権１に関する部分については、本件特許権２に係る判断において引用するなどの本件特許権２に関係する部分を含むが、本件特許権１のみに関する部分を除く。）であるから、これを引用する。(1)原判決２５９頁２４行目の「切断予定ラインに沿った」を「切断予定ラインに沿って形成された」と改める。
(2)原判決２６２頁２３行目の「ウェハ状のウェハ状の」を「ウェハ状の」と改める。
(3)原判決２６３頁１４行目の「であるシリコンウェハ」を削る。(4)原判決２６４頁２行目の「シリコンウェハ」を「シリコン」と改める。(5)原判決２６４頁８行目の「現象」の次に「の発生機序やその理論的根拠等」を加える。


(6)原判決２６４頁１０行目の「考えられる」を「考えられるところ、前記(b)の課題の解決のためには、当該発生機序やその理論的根拠等まで逐一明らかにする必要はなかったものである」と改める。
(7)原判決２６４頁１９行目の「，「溶融処理領域とは」から２１行目の「いずれか一つを意味する。」」までを削る。
(8)原判決２６５頁６行目から７行目にかけての「「多光子吸収」」から９行目の「理解できる」までを「「多光子吸収」によって「溶融処理領域」が形成され得ることが知られていたという意味にとどまり、「溶融処理領域」につき、これが必ず「多光子吸収」によって形成されるものであり、単光子吸収によって形成されるものは含まないと積極的に定義したとまではいえないと理解できる」と改める。(9)原判決２６５頁１３行目の「甲５１文献」を「証拠（乙４５）」と改める。(10)原判決２６５頁１５行目の「多光子吸収」から１６行目の「見解」までを「多光子吸収が支配的な役割を果たしていない場合（単光子吸収が支配的な役割を果たしている場合）があるとの見解」と改める。
(11)原判決２６５頁２２行目の「したがって，」の次に「現在において」を加える。
(12)原判決２６７頁１４行目及び２４行目の各「基本出願」をいずれも「基本特許出願」と改める。
(13)原判決２６８頁４行目の「改質領域」を「微小クラック」と改める。(14)原判決２６８頁６行目の「引用文献」の次に「に記載された発明」を加える。
(15)原判決２６８頁８行目の「相違点」の次に「の想到困難性」を加える。(16)原判決２６８頁２３行目の「そのような」から２４行目の「権利行使は」までを「そのような被控訴人の対応に照らすと、本件特許権１に基づく被控訴人の権利行使は」と改める。
(17)原判決２６９頁１行目の「基本出願」を「基本特許出願」と改める。(18)原判決２６９頁１６行目の「本件発明１」を「本件特許権１」と改める。(19)原判決２６９頁２５行目の「存在したとしても」の次に「、それは」を加える。
(20)原判決２７０頁８行目の「の記載」を削る。(21)原判決２７０頁１８行目の「乙６２ないし６７」を「乙６２、６４ないし６７」と改める。
(22)原判決２７１頁１行目の「審査過程において」の次に「、乙６２出願に係る拒絶理由通知に対し」を加える。
(23)原判決２７１頁１６行目及び２７２頁７行目の各「本件出願１」の次にいずれも「に係る原出願」を加える。
(24)原判決２７３頁１３行目の「甲５２」の次に「、７１」を加える。(25)原判決２７３頁１８行目の「被告製品による」を「被告製品によって形成される」と改める。
(26)原判決２７３頁２４行目の「さらに」を「なお」と改める。(27)原判決２７４頁９行目の「被告製品における」の次に「パルスレーザ光の」を加える。
(28)原判決２７５頁１０行目の「被告製品の加工領域」を「被告製品によって形成されるレーザ加工領域」と改める。
(29)原判決２７５頁１５行目の「シリコン」から１６行目の「あり続ける」までを「熱衝撃波が通過する間もシリコンが固体のままであり続ける」と改める。(30)原判決２７５頁２５行目の「シリコン」から２６行目の「あり続ける」までを「熱衝撃波が進行した後もシリコンが固体のままであり続ける」と改める。(31)原判決２７７頁１２行目の「８分の１未満」を「８分の１程度」と改める。(32)原判決２７７頁１６行目の「達するかを」の次に「具体的に」を加える。(33)原判決２７７頁２３行目の「５．０μジュールであり」の次に「（甲２３）」を加える。
(34)原判決２７７頁２５行目から２６行目にかけての「焦点におけるエネルギー密度」を「ピークパワー密度」と改める。
(35)原判決２８０頁１２行目の「シリコンにおける」の次に「単結晶、」を加える。
(36)原判決２８０頁１６行目から１７行目にかけての「被告製品による」を「被告製品によって形成される」と改める。
(37)原判決２８１頁４行目の「ピーク」を「スペクトル全体」と改める。(38)原判決２８２頁５行目の「粒形」を「粒径」と改める。(39)原判決２８２頁７行目及び１５行目の各「多結晶シリコン」の次にいずれも「の存在」を加える。
(40)原判決２８２頁１８行目の「ピーク」を「幅広のピーク」と改める。(41)原判決２８３頁４行目から５行目にかけての「単結晶シリコンが多く存在している」を「単結晶シリコンも存在している」と改める。(42)原判決２８６頁７行目の「また」から同頁１５行目末尾までを「そうすると、被告製品によって形成されるシリコンウェアのレーザ加工領域において、割れ等やわずかな結晶方向のずれの存否と、エピタキシャル成長が生じているか否かについては直ちに関連するものではなく、上記控訴人の主張は採用できない。」と改める。
(43)原判決２８７頁１９行目の「短時間」を「ごく短時間」と改める。(44)原判決２８８頁４行目の「論じられているのは」の次に「非熱的加工（甲５５）を特徴とする」を加える。
(45)原判決２８８頁５行目の「被告製品におけるような」の次に「熱的加工を特徴とする」を加える。
(46)原判決２８８頁２２行目の「したがって」から２８９頁３行目末尾までを「したがって、控訴人が指摘する実験結果は、被告製品によって形成されるレーザ加工領域において被控訴人が主張するようなシリコンの溶融及び再固化が生じるとのメカニズムと直ちに矛盾するとまでは認められない。」と改める。(47)原判決２８９頁９行目の「相当であって」を「相当であり」と改める。(48)原判決２９０頁７行目の「前記イ(ｹ)」を「前記イ(ｸ)」と改める。(49)原判決２９０頁１０行目の「領域でも，」の次に「単結晶から」を加える。(50)原判決２９３頁５行目の「これらの記載から」を「本件明細書１のその余の記載をみても」と改める。
(51)原判決２９４頁８行目の「シリコンウェハ内部」から９行目の「レーザの焦点」までを「集光用レンズによってシリコンウェハの内部に形成されたレーザの焦点」と改める。


(52)原判決２９４頁１９行目の「２０μｍ程度」を「３０μｍ程度」と改める。(53)原判決２９４頁２２行目の「限定」から２９５頁１行目の「考慮すれば」までを「限定はされておらず、また、改質スポットは、レーザ光の焦点であるレーザ光のビームスポットよりも広い範囲まで及ぶことも許容されていると解されるから、被告製品によって形成されるレーザ加工領域において改質スポットが存在する位置を考慮しても、パルスレーザ光の照射によって改質スポットが形成されるのであれば、当該位置は、レーザ光が集光した箇所として、構成要件１Ｄの「集光点」に該当し、また」と改める。
(54)原判決２９５頁１０行目の「構成要件１Ｄ」を「構成要件１Ｅ」と改める。(55)原判決２９６頁１５行目から１６行目にかけての「印加することにすることによって」を「印加することによって」と改める。
(56)原判決２９６頁２４行目の「「切断」」を「控訴人が主張する「切断」」と改める。
(57)原判決２９６頁２６行目の「被告製品によるシリコンウェハ内部のレーザ加工領域」を「被告製品によって形成されるシリコンウェハの内部のレーザ加工領域」と改める。
(58)原判決２９７頁３行目の「存在しており」を「存在しているところ」と改める。
(59)原判決２９７頁１９行目から２０行目にかけての「その時点」を「チップの分割の時点」と改める。
(60)原判決２９８頁６行目から７行目にかけての「本件発明１－１」の次に「に係る請求項」を加える。
(61)原判決２９８頁２３行目の「（【００１５】）」の次に「、「本実施形態によれば、パルスレーザ光の繰り返し周波数の大きさやパルスレーザ光の集光点の相対的移動速度の大きさを調整することにより、ピッチｐを制御することができる。」（【００４１】）」を加える。
(62)原判決３００頁４行目の「証拠（甲１３）」の次に「、被告製品の構成のうち当事者間に争いがない部分」を加える。
(63)原判決３０１頁２６行目の「甲２の１」を「甲２の２」と改める。(64)原判決３１８頁１６行目の「構成要件２Ｄ」を「構成要件２Ａ、２Ｄ、２Ｅ及び２Ｇ」と改める。
(65)原判決３１８頁１７行目の「半導体基板内」を「半導体基板の内部」と改める。
(66)原判決３１９頁１８行目の「「改質領域」を」の次に「加工対象物の」を加える。
(67)原判決３１９頁１９行目の「課題解決の手段についてために」を「課題を解決するために」と改める。
(68)原判決３２０頁８行目の「現象」の次に「の発生機序やその理論的根拠等」を加える。
(69)原判決３２０頁１０行目の「考えられる」を「考えられるところ、前記(b)の課題の解決のためには、当該発生機序やその理論的根拠等まで逐一明らかにする必要はなかったものである」と改める。
(70)原判決３２０頁１５行目の「加工対象物」を「半導体基板」と改める。(71)原判決３２０頁２５行目の「「多光子吸収」」から３２１頁２行目の「理解できる」までを「「多光子吸収」によって「溶融処理領域」が形成され得ることが知られていたという意味にとどまり、「溶融処理領域」につき、これが必ず「多光子吸収」によって形成されるものであり、単光子吸収によって形成されるものは含まないと積極的に定義したとまではいえないと理解できる」と改める。(72)原判決３２１頁９行目の「構成」から「「改質スポット」」までを「構成要件２Ａ、２Ｄ、２Ｅ及び２Ｇにいう「改質領域」」と改める。(73)原判決３２２頁１９行目の「の記載」を削る。(74)原判決３２３頁１０行目の「本件発明１」を「本件発明２」と改める。(75)原判決３２６頁６行目の「レーザ光を」を「レーザ光が」と改める。(76)原判決３２６頁１５行目の「シリコンウェハ内部」から「焦点」までを「集光用レンズによってシリコンウェハの内部に形成されたレーザの焦点」と改める。
(77)原判決３２６頁２３行目の「２０μｍ程度」を「３０μｍ程度」と改める。(78)原判決３２８頁１８行目の「印加することにすることによって」を「印加することによって」と改める。
(79)原判決３２９頁１行目の「「切断」」を「控訴人が主張する「切断」」と改める。
(80)原判決３２９頁９行目の「加工対象物」の次に「（半導体基板）」を加える。
(81)原判決３２９頁１１行目の「その時点」を「チップの分割の時点」と改める。
(82)原判決３３０頁１行目の「構成要件２Ｎと同じ」を「構成要件２Ｎと同様、」と改める。
(83)原判決３３０頁１８行目の「となる記載」を削る。(84)原判決３３１頁７行目の「半導体基板」の次に「が載置された載置台又は集光用レンズ」を加える。
(85)原判決３３１頁１１行目の「用いられているとして」を「用いられているところ」と改める。
(86)原判決３３１頁１８行目の「移動を指す」を「移動をも含む」と改める。(87)原判決３３３頁２２行目及び２５行目並びに３３４頁１７行目から１８行目にかけて及び２３行目の各「対象物」をいずれも「加工対象物」と改める。(88)原判決３３５頁２行目の「照明光源を」を「赤外線照明を」と改める。(89)原判決３３５頁２行目及び３行目から４行目にかけての各「当該照明光源」をいずれも「当該赤外線照明」と改める。
(90)原判決３３５頁７行目の「撮像素子」を「赤外線対応カメラ」と改める。(91)原判決３３５頁８行目及び１２行目の各「上記照明光源」をいずれも「上記赤外線照明」と改める。
(92)原判決３３５頁１０行目の「上記の撮像素子」及び１２行目の「上記撮像素子」をいずれも「上記赤外線対応カメラ」と改める。(93)原判決３３５頁１２行目から１３行目にかけての「，対象物を基準として」を削る。
(94)原判決３３５頁１４行目の「対象物」を「加工対象物」と改める。(95)原判決３３７頁１９行目の「半導体基板の」を「半導体基板を取り囲む」と改める。


(96)原判決３３７頁２５行目の「被告製品による」を「被告製品における」と改める。
(97)原判決３３８頁９行目の「位置させて」の次に「、「外縁部」に「切断予定ライン」がかからないように」を加える。
(98)原判決３３８頁１１行目の「被告製品によって形成される」を「被告製品における」と改める。
(99)原判決３３８頁２３行目の「構成要件２Ｄ」を「構成要件２Ｈ」と改める。(100)原判決３５１頁１５行目の「基板など」を「基板等の」と改める。(101)原判決３５３頁４行目の「前記(1)」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(102)原判決３５４頁２１行目の「サファイア基板」を「「サファイア基板」に窒化物半導体層を積層させた窒化物半導体ウエハー」と改める。(103)原判決３５４頁２６行目、３５５頁３行目、１６行目及び２２行目から２３行目にかけて並びに３５６頁１行目、２０行目及び２４行目の各「切断」をいずれも「分離」と改める。
(104)原判決３５７頁１１行目の「前記(2)」を「前記ア」と改める。(105)原判決３５８頁１５行目の「基板に」を「基板上に」と改める。(106)原判決３５９頁２０行目の「この相違点に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(107)原判決３６４頁１４行目、１６行目及び１７行目の各「破断開封アンプル」をいずれも「破断開封用アンプル」と改める。
(108)原判決３６５頁１６行目から１７行目にかけての「望ましいこと」の次に「、レーザービームのスポット直径を０．１ｍｍより小さくすること」を加える。(109)原判決３６６頁３行目の「前記(1)」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(110)原判決３６６頁３行目の「構成」を「発明」と改める。(111)原判決３６６頁６行目の「乙２６公報には」の次に「乙２６発明１の」を加える。
(112)原判決３６６頁１０行目の「記載」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(113)原判決３６８頁１８行目の「相違点③に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(114)原判決３６９頁５行目の「【００３７】及び【００３８】」を「【００３６】及び【００３７】」と改める。
(115)原判決３７３頁１９行目の「前記(1)」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(116)原判決３７４頁２３行目の「最大５０μｍとされており」の次に「（表１）」を加える。
(117)原判決３７６頁１２行目の「スポット」を「改質スポット」と改める。(118)原判決３７６頁２３行目から２４行目にかけての「乙５７発明１」を「乙５７発明１”」と改める。
(119)原判決３７７頁７行目の「相違点」の次に「の認定」を加える。(120)原判決３７８頁５行目の「相違点となるとはいえず，」の次に「両発明の間に控訴人の主張する」を加える。
(121)原判決３７８頁８行目の「相違点⑦に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(122)原判決３７９頁７行目から８行目にかけての「形成する」の次に「乙５７発明１”のような」を加える。
(123)原判決３７９頁９行目から１０行目にかけての「目的として」の次に「乙５７発明１”に」を加える。
(124)原判決３８２頁１２行目の「従って，」を「従って」と改める。(125)原判決３８４頁３行目の「前記(1)」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(126)原判決３８４頁２３行目の「構成ａにおいて，」の次に「半導体基板である加工対象物の」を加える。
(127)原判決３８６頁１行目の「スポット」を「改質スポット」と改める。(128)原判決３８６頁９行目から１０行目にかけての「に電極が積層されたもの」を削る。
(129)原判決３８６頁２２行目の「相違点」の次に「の認定」を加える。(130)原判決３８７頁２０行目の「相違点となるとはいえず，」の次に「両発明の間に控訴人の主張する」を加える。
(131)原判決３８７頁２３行目の「相違点⑥」の次に「に係る本件発明１－１の構成の容易想到性」を加える。
(132)原判決３８９頁１９行目末尾に「（１頁左下欄５行ないし１６行）」を加える。
(133)原判決３９３頁１１行目の「３頁右上欄１６行」を「３頁右上欄１７行」と改める。
(134)原判決３９４頁４行目の「前記(1)」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(135)原判決３９５頁１９行目の「使用し，」の次に「「」を加える。(136)原判決３９５頁２３行目の「開けた」の次に「」」を加える。(137)原判決３９６頁２４行目の「一部に，」の次に「相違点⑥は被控訴人主張の相違点Ａの一部に、」を加える。
(138)原判決３９７頁１７行目末尾に改行して以下のとおり加える。
「（相違点⑥）
本件発明１－１では、１パルスのパルスレーザ光の照射により、そのパルスレーザ光の集光点の位置で「改質スポット」が形成され、加工対象物の切断予定ラインに沿って形成された「複数の改質スポット」が「前記改質領域」を形成するのに対し、乙２５発明１”では、１パルスのパルスレーザ光の照射により、そのパルスレーザ光の集光点の位置で「微小なクラック」が形成され、加工対象物の切断予定ラインに沿って形成された「複数の前記微小なクラック」が「前記連続的なクラック」を形成する点。」
(139)原判決３９７頁１８行目の「相違点③に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(140)原判決３９７頁２５行目の「前記(1)ア(ｲ)ｂ」を「前記(1)ア(ｲ)ａ及びｂ」と改める。


(141)原判決３９８頁４行目から５行目にかけての「前記(1)ア(ｲ)ａ」を「前記(1)ア(ｱ)」と改める。
(142)原判決３９８頁５行目から６行目にかけての「石英ガラスなどの種々の透明材料」を「厚板の合成石英ガラス」と改める。
(143)原判決４０５頁４行目の「前記(1)」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(144)原判決４０５頁５行目の「（ただし」から同行目から６行目にかけての「加える。）」までを削る。
(145)原判決４０５頁９行目の「マーキングとなる」を削る。(146)原判決４０５頁１０行目から１１行目にかけての「改質領域」を「改質スポット」と改める。
(147)原判決４０５頁２０行目の「変質されて」を「変質させて」と改める。(148)原判決４０６頁８行目の「マーキングとなる」を削る。(149)原判決４０６頁１５行目の「加工領域」を「加工領域群」と改める。(150)原判決４０６頁１７行目の「前記加工対象物」の次に「の内部」を加える。
(151)原判決４０６頁２０行目の「予定ライン」を「切断予定ライン」と改める。
(152)原判決４０６頁２１行目の「前記加工領域」を「前記加工領域群」と改める。
(153)原判決４０７頁４行目の「相違点２に」の次に「、相違点③は被控訴人主張の相違点Ａの一部に」を加える。
(154)原判決４０７頁８行目の「光学的損傷」を「光学的損傷群」と改める。(155)原判決４０７頁１５行目末尾に改行して以下のとおり加える。
「（相違点③）
本件発明１－１では、１パルスのパルスレーザ光の照射により、そのパルスレーザ光の集光点の位置で「改質スポット」が形成され、加工対象物の切断予定ラインに沿って形成された「複数の改質スポット」が「前記改質領域」を形成するのに対し、乙５９発明１’では、１パルスのパルスレーザ光の照射により、そのパルスレーザ光の集光点の位置で「光学的損傷」が形成され、加工対象物のマーキング予定ラインに沿って形成された「複数の前記光学的損傷」が「前記光学的損傷群」を形成する点。」
(156)原判決４０７頁１６行目の「相違点」の次に「の認定」を加える。(157)原判決４０７頁２４行目の「レーザによる」を「パルスレーザ光によって形成される」と改める。
(158)原判決４０７頁２６行目の「相違点となるとはいえず，」の次に「両発明の間に控訴人の主張する」を加える。
(159)原判決４０８頁３行目の「相違点①に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(160)原判決４０８頁７行目の「部分があるから」の次に「、加工対象物の内部に設けた加工領域を本件発明１－１の「切断」の用に供するか、乙５９発明１’の「マーキング」の用に供するかは」を加える。
(161)原判決４１６頁１８行目末尾に「」（１６頁３行ないし１５行）」を加える。
(162)原判決４１６頁１９行目を削る。
(163)原判決４１７頁６行目の「前記(1)」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(164)原判決４１７頁６行目の「構成」を「発明」と改める。(165)原判決４１７頁１４行目末尾に「、」を加える。(166)原判決４１７頁２０行目の「光学破壊によって光学破壊群を形成する」を「前記光学破壊によって前記光学破壊群を形成する」と改める。(167)原判決４１７頁２３行目末尾に「を備え、」を加える。(168)原判決４１９頁６行目から７行目にかけての「前記加工対象物」の次に「の内部」を加える。
(169)原判決４１９頁１９行目の「相違点４に」の次に「、相違点④は被控訴人主張の相違点Ａの一部に、」を加える。
(170)原判決４１９頁２４行目の「集光点を」の次に「直線的に」を加える。(171)原判決４２０頁８行目末尾に改行して以下のとおり加える。
「（相違点④）
本件発明１－１では、１パルスのパルスレーザ光の照射により、そのパルスレーザ光の集光点の位置で「改質スポット」が形成され、加工対象物の切断予定ラインに沿って形成された「複数の改質スポット」が「前記改質領域」を形成するのに対し、乙６０発明１”では、１パルスのパルスレーザ光の照射により、そのパルスレーザ光の集光点の位置で「光学破壊」が形成され、加工対象物の予め決められた経路に沿って形成された「複数の前記光学破壊」が「前記光学破壊群」を形成する点。」
(172)原判決４２０頁９行目の「相違点」の次に「の認定」を加える。(173)原判決４２０頁１７行目の「レーザによる」を「パルスレーザ光によって形成される」と改める。
(174)原判決４２０頁１９行目の「相違点となるとはいえず，」の次に「両発明の間に控訴人の主張する」を加える。
(175)原判決４２０頁２６行目の「「マーキング   となる光学的損傷」」を「「マーキングとなる光学破壊群」ないし「光学破壊」」と改める。(176)原判決４２１頁４行目の「したがって」の次に「、この点については」を加える。
(177)原判決４２１頁７行目の「光学的損傷」を「光学破壊群」と改める。(178)原判決４２１頁８行目の「と併せて」を「も考慮し」と改める。(179)原判決４２１頁９行目の「相違点②」を「相違点②及び④」と改める。(180)原判決４２１頁１０行目の「相違点②に係る」の次に「本件発明１－１の」を加える。
(181)原判決４２１頁１４行目の「記載されているから」を「記載されており、また」と改める。
(182)原判決４２１頁１６行目の「乙６０発明１」を「乙６０発明１”」と改める。
(183)原判決４２３頁４行目の「本件発明１－１」の次に「に係る特許請求の範囲」を加える。


(184)原判決４２３頁１６行目末尾に改行して以下のとおり加える。「(1)特許請求の範囲の記載がサポート要件を満たすか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が発明の詳細な説明に記載された発明であって、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくても当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断するのが相当である（知財高裁平成１７年（行ケ）第１００４２号同年１１月１１日特別部判決・判時１９１１号４８頁参照）。」
(185)原判決４２３頁１７行目の「(1)」を「(2)」と改める。(186)原判決４２３頁２０行目の「前記１(2)ア」を「前記１(2)」と改める。(187)原判決４２３頁２６行目の「沿った」を「沿って形成された」と改める。(188)原判決４２４頁５行目の「【０００７】ないし【００１０】」を「【０００７】、【０００８】及び【００１０】」と改める。(189)原判決４２４頁１９行目の「前記(ｱ)」を「前記(ｲ)」と改める。(190)原判決４２４頁２６行目の「沿った」を「沿って形成された」と改める。(191)原判決４２５頁１１行目の「以上によれば」の次に「、本件発明１－１に係る特許請求の範囲の記載について」を加える。
(192)原判決４２６頁２行目の「本件発明１－１」の次に「に係る特許請求の範囲の記載」を加える。
(193)原判決４２６頁１０行目末尾に改行して以下のとおり加える。「特許法３６条４項１号は、明細書の発明の詳細な説明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載しなければならないと定めるところ、この規定にいう「実施」とは、物の発明については、その物の生産等をする行為をいうのであるから（特許法２条３項１号）、物の発明について実施可能要件を満たすためには、明細書の発明の詳細な説明の記載が、当業者において、その記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、当該発明に係る物を生産することができる程度のものでなければならない。」
(194)原判決４２６頁１５行目から１６行目にかけての「本件発明１－１及び本件発明１－２」を「本件発明１に係る本件明細書１の発明の詳細な説明の記載」と改める。
(195)原判決４２６頁１９行目の「前記１(2)イ」を「前記１(1)」と改める。(196)原判決４２７頁２行目の「本件発明１－１及び本件発明１－２」を「本件発明１に係る本件明細書１の発明の詳細な説明の記載」と改める。(197)原判決４３１頁９行目の「切断」を「分離」と改める。(198)原判決４３１頁１８行目の「相違点①」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(199)原判決４３２頁２２行目の「前記８(1)」の次に「及び弁論の全趣旨」を加える。
(200)原判決４３２頁２２行目の「構成」を「発明」と改める。(201)原判決４３３頁９行目の「相違点①」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(202)原判決４３３頁２１行目の「【００３７】及び【００３８】」を「【００３６】及び【００３７】」と改める。
(203)原判決４３３頁２４行目の「これらは」から同行目から２５行目にかけての「記載とはいえず」までを「これらは、乙２６発明２の加工対象物を半導体基板に置き換える動機付けとなる記載とはいえず」と改める。(204)原判決４３４頁２５行目の「相違点②」及び４３６頁３行目の「相違点①」の各次にいずれも「に係る本件発明２－１の構成」を加える。(205)原判決４３６頁１５行目から１６行目にかけての「本件発明２－１」を「本件発明２－２」と改める。
(206)原判決４３６頁２１行目の「本件特許２の原出願日前に」を削る。(207)原判決４３７頁８行目の「その少なくとも」を「少なくともその」と改める。
(208)原判決４３７頁２３行目の「相違点①」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(209)原判決４３８頁９行目から１０行目にかけての「本件発明２－１」を「本件発明２－２」と改める。
(210)原判決４３９頁１８行目の「相違点①」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(211)原判決４３９頁２５行目の「前記１１(1)ア(ｲ)ｂ」を「前記１１(1)ア(ｲ)ａ及びｂ」と改める。
(212)原判決４４０頁８行目の「石英ガラスなどの透明材料」を「厚板の合成石英ガラス」と改める。
(213)原判決４４１頁５行目の「本件発明２－１」を「本件発明２－２」と改める。
(214)原判決４４１頁８行目の「相違点②」の次に「に係る本件発明２－２の構成」を加える。
(215)原判決４４２頁１行目及び９行目から１０行目にかけての各「光学的損傷」をいずれも「光学的損傷群」と改める。
(216)原判決４４２頁１１行目の「相違点①」の次に「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(217)原判決４４２頁２３行目から２４行目にかけての「本件発明２－１」を「本件発明２－２」と改める。
(218)原判決４４４頁２行目及び３行目の各「相違点①」の次にいずれも「に係る本件発明２－１の構成」を加える。
(219)原判決４４４頁１３行目から１４行目にかけての「本件発明２－１」を「本件発明２－２」と改める。
(220)原判決４４４頁２５行目及び４４５頁１２行目の各「本件発明２－１及び本件発明２－２」をいずれも「本件発明２に係る特許請求の範囲」と改める。(221)原判決４４５頁１７行目の「本件発明２－１」の次に「に係る特許請求の範囲の記載」を加える。


(222)原判決４４５頁２１行目の「半導体基板の」を「半導体基板を取り囲む」と改める。
(223)原判決４４５頁２６行目の「切断予定ラインを」を「切断予定ラインが」と改める。
(224)原判決４４６頁３行目の「半導体基板の」を「半導体基板を取り囲む」と改める。
(225)原判決４４６頁９行目の「前記４(2)ア」を「前記４(2)」と改める。(226)原判決４４７頁９行目の「前記ア」を「前記イ」と改める。(227)原判決４４８頁１行目の「本件発明２－１」の次に「に係る特許請求の範囲の記載」を加える。
(228)原判決４４８頁７行目及び１３行目並びに４４９頁１行目の各「本件発明２－２」の次にいずれも「に係る特許請求の範囲の記載」を加える。(229)原判決４４９頁８行目、１１行目から１２行目にかけて及び２２行目の各「本件発明２－１及び本件発明２－２」をいずれも「本件発明２」と改める。(230)原判決４４９頁９行目及び２３行目の各「本件発明２－１及び本件発明２－２」をいずれも「本件発明２に係る本件明細書２の発明の詳細な説明の記載」と改める。
(231)原判決４４９頁１４行目の「前記４(2)」を「前記４(1)」と改める。(232)原判決４５０頁２行目の「甲５」から３行目の「１１８」までを「甲５、６、８、３９、４０、７６、乙１、２、１３ないし１５、１７ないし２０、７９、８４、８６ないし９４、１１７、１１８、１４８、２１０、２１１、当審証人Ａ、当審控訴人代表者本人」と改める。
(233)原判決４５０頁６行目の「●●●●●●●●●●●●●●●●●●」の次に「。」を加える。
(234)原判決４５０頁２３行目の「本契約」を●●●●●●●●●●と改める。(235)原判決４５０頁２６行目の「被告は、被告は」を「控訴人は、」と改める。
(236)原判決４５１頁８行目の「原告から被告にして」を「控訴人から被控訴人に対して」と改める。
(237)原判決４５１頁１６行目の「●●●●」の次に「●●●●●」を加える。(238)原判決４５１頁１８行目の「●●●●●●●●」を「●●●●●●●●●」と改める。
(239)原判決４５１頁２０行目の「●●●●●」を「●●●●●●●」と改める。
(240)原判決４５１頁２１行目末尾に●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●を加える。(241)原判決４５２頁１１行目から１２行目にかけての「レーザエンジンを搭載したダイシング装置」を「ＳＤエンジンを搭載したＳＤ装置」と改める。(242)原判決４５２頁１９行目から２０行目にかけての「●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●」を「●●●●●●●●●●●●●●●」と改める。(243)原判決４５２頁２１行目の「●●●●●●●」を「●●●●●●」と改める。
(244)原判決４５２頁２２行目の「●●●●●●●●●●●●●●」を「●●●●●●●●●●●」と改める。
(245)原判決４５３頁１１行目の「●●●」を「●●●」と改める。(246)原判決４５３頁１８行目の「●●●」を「●●●●●●」と改める。(247)原判決４５３頁２１行目から２２行目にかけての「●●●●●●●」を「●●●●●●」と改める。
(248)原判決４５４頁１行目の「このような」の次に「●●●●●●●●●●●●」を加える。
(249)原判決４５４頁１２行目の●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●と改める。
(250)原判決４５４頁１６行目の「乙２０～２３」を「乙２０、２２、２３」と改める。
(251)原判決４５５頁１行目の「被告」から２行目の「譲渡の申出をしており」までを「控訴人は、少なくとも、業として、被告製品を製造し、譲渡し、及び輸出し、並びに被告製品の譲渡の申出をしていたものであり」と改める。
２当審で追加された争点について
(1)争点７－１（本件発明２の乙１５０公報を主引用例とする進歩性欠如）に
ついて
ア乙１５０公報の記載事項
本件特許２の優先日の後であり本件特許２の原出願日の前に頒布された刊行物である乙１５０公報には、次の記載がある。
【０００１】
【発明の属する技術分野】
【０００２】本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断に使用されるレーザ加工方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】レーザ応用の一つに切断があり、レーザによる一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウェハやガラス基板のような加工対象物の切断する箇所に、加工対象物が吸収する波長のレーザ光を照射し、レーザ光の吸収により切断する箇所において加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断する。しかし、この方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融される。よって、加工対象物が半導体ウェハの場合、半導体ウェハの表面に形成された半導体素子のうち、上記領域付近に位置する半導体素子が溶融する恐れがある。
【０００４】


【発明が解決しようとする課題】加工対象物の表面の溶融を防止する方法として、例えば、特開２０００－２１９５２８号公報や特開２０００－１５４６７号公報に開示されたレーザによる切断方法がある。これらの公報の切断方法では、加工対象物の切断する箇所をレーザ光により加熱し、そして加工対象物を冷却することにより、加工対象物の切断する箇所に熱衝撃を生じさせて加工対象物を切断する。【０００５】しかし、これらの公報の切断方法では、加工対象物に生じる熱衝撃が大きいと、加工対象物の表面に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生することがある。よって、これらの切断方法では精密切断をすることができない。特に、加工対象物が半導体ウェハ、液晶表示装置が形成されたガラス基板や電極パターンが形成されたガラス基板の場合、この不必要な割れにより半導体チップ、液晶表示装置や電極パターンが損傷することがある。また、これらの切断方法では平均入力エネルギーが大きいので、半導体チップ等に与える熱的ダメージも大きい。
【０００６】本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴とする。
【０００８】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射しかつ多光子吸収という現象を利用することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係るレーザ加工方法によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより、加工対象物を切断することができる。よって、比較的小さな力で加工対象物を切断することができるので、加工対象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。
【０００９】また、本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に局所的に多光子吸収を発生させて改質領域を形成している。よって、加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない。なお、集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは加工対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。【００１１】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射している。このため、加工対象物の内部では多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。このクラック領域は上記改質領域の一例であるので、本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工が可能となる。このレーザ加工方法の加工対象物としては、例えば、ガラスを含む部材がある。なお、ピークパワー密度とは、パルスレーザ光の集光点の電界強度を意味する。【００１２】本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成する工程を備えることを特徴とする。
【００１３】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射している。よって、加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。この溶融処理領域は上記改質領域の一例であるので、本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工が可能となる。このレーザ加工方法の加工対象物としては、例えば、半導体材料を含む部材がある。【００１７】加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射するとは、一つのレーザ光源から出射されたレーザ光を集光して加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射する、を例示できる。これによればレーザ光を集光しているので、レーザ光源が一つであってもレーザ光の集光点の電界強度を多光子吸収の発生が可能な大きさにすることができる。
【００１９】改質領域は、加工対象物の内部に合わされたレーザ光の集光点に対して、加工対象物を相対的に移動させることにより形成される。これによれば、上記相対的移動により、加工対象物の表面上の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成している。
【００２０】改質領域を形成する工程後、切断予定ラインに沿って加工対象物を切断する切断工程を備えるようにしてもよい。改質領域形成工程において加工対象物を切断できない場合、この切断工程により加工対象物を切断する。切断工程は、改質領域を起点として加工対象物を割るので、比較的小さな力で加工対象物を切断することができる。これにより、加工対象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。【００２４】本発明に係るレーザ加工方法は、半導体材料の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、半導体材料の切断予定ラインに沿って半導体材料の内部にのみ溶融処理領域を形成する工程を備える、ことを特徴とする。本発明に係るレーザ加工方法によれば、上記と同様の理由により加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工が可能となる。なお、溶融処理領域の形成は多光子吸収が原因の場合もあるし、他の原因の場合もある。
【００２５】
【発明の実施の形態】
【００２６】以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ加工方法は、多光子吸収により改質領域を形成している。多光子吸収はレーザ光の強度を非常に大きくした場合に発生する現象である。まず、多光子吸収について簡単に説明する。


【００２８】このような多光子吸収を利用する本実施形態に係るレーザ加工の原理について図１～図６を用いて説明する。図１はレーザ加工中の加工対象物１の平面図であり、図２は図１に示す加工対象物１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図であり、図３はレーザ加工後の加工対象物１の平面図であり、図４は図３に示す加工対象物１のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図であり、図５は図３に示す加工対象物１のＶ－Ｖ線に沿った断面図であり、図６は切断された加工対象物１の平面図である。【００２９】図１及び図２に示すように、加工対象物１の表面３には切断予定ライン５がある。切断予定ライン５は直線状に延びた仮想線である。本実施形態に係るレーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを加工対象物１に照射して改質領域７を形成する。なお、集光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。
【００３０】レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち矢印Ａ方向に沿って）相対的に移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより、図３～図５に示すように改質領域７が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部にのみ形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は、加工対象物１がレーザ光Ｌを吸収することにより加工対象物１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。加工対象物１にレーザ光Ｌを透過させ加工対象物１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって、加工対象物１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融することはない。
【００３１】加工対象物１の切断において、切断する箇所に起点があると加工対象物１はその起点から割れるので、図６に示すように比較的小さな力で加工対象物１を切断することができる。よって、加工対象物１の表面３に不必要な割れを発生させることなく加工対象物１の切断が可能となる。
【００３２】なお、改質領域を起点とした加工対象物の切断は、次の二通りが考えられる。一つは、改質領域形成後、加工対象物に人為的な力が印加されることにより、改質領域を起点として加工対象物が割れ、加工対象物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物の厚みが大きい場合の切断である。人為的な力が印加されるとは、例えば、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物に曲げ応力やせん断応力を加えたり、加工対象物に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることである。他の一つは、改質領域を形成することにより、改質領域を起点として加工対象物の断面方向（厚さ方向）に向かって自然に割れ、結果的に加工対象物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物の厚みが小さい場合、改質領域が１つでも可能であり、加工対象物の厚みが大きい場合、厚さ方向に複数の改質領域を形成することで可能となる。なお、この自然に割れる場合も、切断する箇所の表面上において、改質領域が形成されていない部分まで割れが先走ることがなく、改質部を形成した部分のみを割断することができるので、割断を制御よくすることができる。近年、シリコンウェハ等の半導体ウェハの厚さは薄くなる傾向にあるので、このような制御性のよい割断方法は大変有効である。【００３３】さて、本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域として、次の（１）～（３）がある。
【００３６】次に、本実施形態に係るレーザ加工において、クラック領域形成による加工対象物の切断のメカニズムについて図８～図１１を用いて説明する。図８に示すように、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを加工対象物１に照射して切断予定ラインに沿って内部にクラック領域９を形成する。クラック領域９は一つ又は複数のクラックを含む領域である。図９に示すようにクラック領域９を起点としてクラックがさらに成長し、図１０に示すようにクラックが加工対象物１の表面３と裏面２１に到達し、図１１に示すように加工対象物１が割れることにより加工対象物１が切断される。加工対象物の表面と裏面に到達するクラックは自然に成長する場合もあるし、加工対象物に力が印加されることにより成長する場合もある。
【００３７】（２）改質領域が溶融処理領域の場合レーザ光を加工対象物（例えばシリコンのような半導体材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なくともいずれか一つを意味する。また、溶融処理領域は相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。なお、電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ～２００ｎｓが好ましい。
【００３８】本発明者は、シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることを実験により確認した。実験条件は次ぎの通りである。（Ａ）加工対象物：シリコンウェハ（厚さ３５０μｍ、外径４インチ）
（Ｂ）レーザ
光源：半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザ光スポット断面積：３．１４×１０－８ｃｍ２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザ光品質：ＴＥＭ００
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
ＮＡ：０．５５
レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント


（Ｄ）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒【００３９】図１２は上記条件でのレーザ加工により切断されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表した図である。シリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３が形成されている。なお、上記条件により形成された溶融処理領域の厚さ方向の大きさは１００μｍ程度である。
【００４２】なお、シリコンウェハは、溶融処理領域を起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することにより、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、加工対象物に力が印加されることにより成長する場合もある。なお、溶融処理領域からシリコンウェハの表面と裏面に割れが自然に成長するのは、一旦溶融後再固化した状態となった領域から割れが成長する場合、溶融状態の領域から割れが成長する場合及び溶融から再固化する状態の領域から割れが成長する場合のうち少なくともいずれか一つである。いずれの場合も切断後の切断面は図１２に示すように内部にのみ溶融処理領域が形成される。加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにくいので、割断制御が容易となる。
【００４４】次に、本実施形態の具体例を説明する。
［第１例］本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法について説明する。図１４はこの方法に使用できるレーザ加工装置１００の概略構成図である。レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら三つのステージ１０９、１１１、１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。
【００４５】Ｚ軸方向は加工対象物１の表面３と直交する方向なので、加工対象物１に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となる。よって、Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に移動させることにより、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせることができる。また、この集光点ＰのＸ（Ｙ）軸方向の移動は、加工対象物１をＸ（Ｙ）軸ステージ１０９（１１１）によりＸ（Ｙ）軸方向に移動させることにより行う。Ｘ（Ｙ）軸ステージ１０９（１１１）が移動手段の一例となる。【００４６】レーザ光源１０１はパルスレーザ光を発生するＮｄ：ＹＡＧレーザである。レーザ光源１０１に用いることができるレーザとして、この他、Ｎｄ：ＹＶＯレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザやチタンサファイアレーザがある。クラック領域や溶融処理領域を形成する場合、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザを用いるのが好適である。屈折率変化領域を形成する場合、チタンサファイアレーザを用いるのが好適である。
【００４７】第１例では加工対象物１の加工にパルスレーザ光を用いているが、多光子吸収を起こさせることができるなら連続波レーザ光でもよい。なお、本発明においてレーザ光はレーザビームを含む意味である。集光用レンズ１０５は集光手段の一例である。Ｚ軸ステージ１１３はレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段の一例である。集光用レンズ１０５をＺ軸方向に移動させることによっても、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができる。【００４８】レーザ加工装置１００はさらに、載置台１０７に載置された加工対象物１を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９と、を備える。ビームスプリッタ１１９と集光用レンズ１０５との間にダイクロイックミラー１０３が配置されている。ビームスプリッタ１１９は、可視光線の約半分を反射し残りの半分を透過する機能を有しかつ可視光線の光軸の向きを９０°変えるように配置されている。観察用光源１１７から発生した可視光線はビームスプリッタ１１９で約半分が反射され、この反射された可視光線がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５を透過し、加工対象物１の切断予定ライン５等を含む表面３を照明する。【００４９】レーザ加工装置１００はさらに、ビームスプリッタ１１９、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１としては例えばＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ－ｃｏｕｐｌｅｄｄｅｖｉｃｅ）カメラがある。切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反射光は、集光用レンズ１０５、ダイクロイックミラー１０３、ビームスプリッタ１１９を透過し、結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像データとなる。


【００５０】レーザ加工装置１００はさらに、撮像素子１２１から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部１２５と、レーザ加工装置１００全体を制御する全体制御部１２７と、モニタ１２９と、を備える。撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点が表面３上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部１１５がＺ軸ステージ１１３を移動制御することにより、可視光の焦点が表面３に合うようにする。よって、撮像データ処理部１２５はオートフォーカスユニットとして機能する。また、撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして表面３の拡大画像等の画像データを演算する。この画像データは全体制御部１２７に送られ、全体制御部で各種処理がなされ、モニタ１２９に送られる。これにより、モニタ１２９に拡大画像等が表示される。
【００５２】次に、図１４及び図１５を用いて、本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法を説明する。図１５は、このレーザ加工方法を説明するためのフローチャートである。加工対象物１はシリコンウェハである。
【００５３】まず、加工対象物１の光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。この測定結果に基づいて、加工対象物１に対して透明な波長又は吸収の少ない波長のレーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１を選定する（Ｓ１０１）。次に、加工対象物１の厚さを測定する。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にして、加工対象物１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）。これは、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部に位置させるために、加工対象物１の表面３に位置するレーザ光Ｌの集光点を基準とした加工対象物１のＺ軸方向の移動量である。この移動量を全体制御部１２７に入力される。
【００５４】加工対象物１をレーザ加工装置１００の載置台１０７に載置する。そして、観察用光源１１７から可視光を発生させて加工対象物１を照明する（Ｓ１０５）。照明された切断予定ライン５を含む加工対象物１の表面３を撮像素子１２１により撮像する。この撮像データは撮像データ処理部１２５に送られる。この撮像データに基づいて撮像データ処理部１２５は観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置するような焦点データを演算する（Ｓ１０７）。【００５５】この焦点データはステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５は、この焦点データを基にしてＺ軸ステージ１１３をＺ軸方向の移動させる（Ｓ１０９）。これにより、観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置する。なお、撮像データ処理部１２５は撮像データに基づいて、切断予定ライン５を含む加工対象物１の表面３の拡大画像データを演算する。この拡大画像データは全体制御部１２７を介してモニタ１２９に送られ、これによりモニタ１２９に切断予定ライン５付近の拡大画像が表示される。
【００５６】全体制御部１２７には予めステップＳ１０３で決定された移動量データが入力されており、この移動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）。
【００５７】次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。そして、加工対象物１を切断予定ライン５に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する（Ｓ１１５）。これにより、加工対象物１をシリコンチップに分割する。
【００５８】第１例の効果を説明する。これによれば、多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせて、パルスレーザ光Ｌを切断予定ライン５に照射している。そして、Ｘ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させることにより、集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させている。これにより、改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率変化領域）を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。よって、改質領域を起点として切断予定ライン５に沿って加工対象物１を割ることにより、比較的小さな力で加工対象物１を切断することができる。これにより、加工対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物１を切断することができる。【００５９】また、第１例によれば、加工対象物１に多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部に集光点Ｐを合わせて、パルスレーザ光Ｌを切断予定ライン５に照射している。よって、パルスレーザ光Ｌは加工対象物１を透過し、加工対象物１の表面３ではパルスレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので、改質領域形成が原因で表面３が溶融等のダメージを受けることはない。【００６０】以上説明したように第１例によれば、加工対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、加工対象物１を切断することができる。よって、加工対象物１が例えば半導体ウェハの場合、半導体チップに切断予定ラインから外れた不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップを半導体ウェハから切り出すことができる。表面に電極パターンが形成されている加工対象物や、圧電素子ウェハや液晶等の表示装置が形成されたガラス基板のように表面に電子デバイスが形成されている加工対象物についても同様である。よって、第１例によれば、加工対象物を切断することにより作製される製品（例えば半導体チップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりを向上させることができる。
【００６１】また、第１例によれば、加工対象物１の表面３の切断予定ライン５は溶融しないので、切断予定ライン５の幅（この幅は、例えば半導体ウェハの場合、半導体チップとなる領域同士の間隔である。）を小さくできる。これにより、一枚の加工対象物１から作製される製品の数が増え、製品の生産性を向上させることができる。


【００６２】また、第１例によれば、加工対象物１の切断加工にレーザ光を用いるので、ダイヤモンドカッタを用いたダイシングよりも複雑な加工が可能となる。例えば、図１６に示すように切断予定ライン５が複雑な形状であっても、第１例によれば切断加工が可能となる。これらの効果は後に説明する例でも同様である。【００６５】［第２例］次に、本実施形態の第２例について説明する。この例は光透過性材料の切断方法及び切断装置である。光透過性材料は加工対象物の一例である。この例では、光透過性材料としてＬｉＴａＯ３からなる厚さが４００μｍ程度の圧電素子ウェハ（基板）を用いている。
【００６６】第２例に係る切断装置は、図１４に示すレーザ加工装置１００及び図１９、図２０に示す装置から構成される。図１９及び図２０に示す装置について説明する。圧電素子ウェハ３１は、保持手段としてのウェハシート（フィルム）３３に保持されている。このウェハシート３３は、圧電素子ウェハ３１を保持する側の面が粘着性を有する樹脂製テープ等からなり、弾性を有している。ウェハシート３３は、サンプルホルダ３５に挟持されて、載置台１０７上にセットされる。なお、圧電素子ウェハ３１は、図１９に示されるように、後に切断分離される多数個の圧電デバイスチップ３７を含んでいる。各圧電デバイスチップ３７は回路部３９を有している。この回路部３９は、圧電素子ウェハ３１の表面に各圧電デバイスチップ３７毎に形成されており、隣接する回路部３９の間には所定の間隙α（８０μｍ程度）が形成されている。なお、図２０は、圧電素子ウェハ３１の内部のみに改質部としての微小なクラック領域９が形成された状態を示している。【００６７】次に、図２１に基づいて、第２例に係る光透過性材料の切断方法について説明する。まず、切断対象材料となる光透過性材料（第２例においては、ＬｉＴａＯ３からなる圧電素子ウェハ３１）の光吸収特性を測定する（Ｓ２０１）。光吸収特性は、分光光度計等を用いることにより測定可能である。光吸収特性が測定されると、その測定結果に基づいて、切断対象材料に対して透明若しくは吸収の少ない波長のレーザ光Ｌを出射するレーザ光源１０１を選定する（Ｓ２０３）。第２例においては、基本波波長が１０６４ｎｍであるパルス波（ＰＷ）型のＹＡＧレーザが選定されている。このＹＡＧレーザは、パルスの繰り返し周波数が２０Ｈｚであり、パルス幅が６ｎｓであり、パルスエネルギは３００μＪである。また、ＹＡＧレーザから出射されるレーザ光Ｌのスポット径は、２０μｍ程度である。【００６８】次に、切断対象材料の厚さを測定する（Ｓ２０５）。切断対象材料の厚さが測定されると、その測定結果に基づいて、レーザ光Ｌの集光点が切断対象材料の内部に位置するように、レーザ光Ｌの光軸方向における切断対象材料の表面（レーザ光Ｌの入射面）からのレーザ光Ｌの集光点の変位量（移動量）を決定する（Ｓ２０７）。レーザ光Ｌの集光点の変位量（移動量）は、切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応して、たとえば切断対象材料の厚さの１／２の量に設定される。【００６９】図２２に示されるように、実際のレーザ光Ｌの集光点Ｐの位置は、切断対象材料雰囲気（たとえば、空気）中の屈折率と切断対象材料の屈折率との違いにより、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌの集光点Ｑの位置よりも切断対象材料（圧電素子ウェハ３１）の表面から深いところに位置するようになる。すなわち、空気中の場合、「レーザ光Ｌの光軸方向でのＺ軸ステージ１１３の移動量×切断対象材料の屈折率＝実際のレーザ光Ｌの集光点移動量」という関係が成り立つことになる。レーザ光Ｌの集光点の変位量（移動量）は、上述した関係（切断対象材料の厚さ及び屈折率）を考慮して設定される。その後、Ｘ－Ｙ－Ｚ軸ステージ（本実施形態においては、Ｘ軸ステージ１０９、Ｙ軸ステージ１１１及びＺ軸ステージ１１３により構成される）上に配置された載置台１０７に対してウェハシート３３に保持された切断対象材料を載置する（Ｓ２０９）。切断対象材料の載置を終えると、観察用光源１１７から光を出射して、出射した光を切断対象材料に照射する。そして、撮像素子１２１での撮像結果に基づいて、レーザ光Ｌの集光点が切断対象材料の表面上に位置するようにＺ軸ステージ１１３を移動させてフォーカス調整を行う（Ｓ２１１）。ここでは、観察用光源１１７によって得られる圧電素子ウェハ３１の表面観察像を撮像素子１２１により撮像し、撮像データ処理部１２５が、撮像結果に基づいて、観察用光源１１７から出射された光が切断対象材料の表面上で焦点を結ぶようにＺ軸ステージ１１３の移動位置を決定し、ステージ制御部１１５に出力する。ステージ制御部１１５は、撮像データ処理部１２５からの出力信号に基づいて、Ｚ軸ステージ１１３の移動位置が、観察用光源１１７から出射された光が切断対象材料の表面上に焦点を結ぶ、すなわちレーザ光Ｌの集光点を切断対象材料の表面上に位置させるための位置となるようにＺ軸ステージ１１３を制御する。【００７０】観察用光源１１７から出射された光のフォーカス調整が終わると、レーザ光Ｌの集光点を切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応した集光点に移動させる（Ｓ２１３）。ここでは、切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応して決定されたレーザ光Ｌの集光点の変位量分だけＺ軸ステージ１１３をレーザ光Ｌの光軸方向に移動させるように、全体制御部１２７がステージ制御部１１５に出力信号を送り、出力信号を受けたステージ制御部１１５がＺ軸ステージ１１３の移動位置を制御する。上述したように、切断対象材料の厚さ及び屈折率に対応して決定されたレーザ光Ｌの集光点の変位量分だけＺ軸ステージ１１３をレーザ光Ｌの光軸方向に移動させることにより、レーザ光Ｌの集光点の切断対象材料の内部への配置が完了する（Ｓ２１５）。


【００７１】レーザ光Ｌの集光点の切断対象材料の内部への配置が完了すると、レーザ光Ｌを切断対象材料に照射すると共に、所望の切断パターンにしたがってＸ軸ステージ１０９及びＹ軸ステージ１１１を移動させる（Ｓ２１７）。レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌは、図２２に示されるように、集光用レンズ１０５により、隣接する回路部３９の間に形成された所定の間隙α（上述したように、８０μｍ）に臨む圧電素子ウェハ３１の内部に集光点Ｐが位置するように集光される。上述した所望の切断パターンは、圧電素子ウェハ３１から複数の圧電デバイスチップ３７を分離するために、隣接する回路部３９の間に形成された間隙にレーザ光Ｌが照射されるように設定されており、レーザ光Ｌの照射状態をモニタ１２９で確認しながらレーザ光Ｌが照射されることになる。
【００７３】レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌを、圧電素子ウェハ３１の内部に集光点Ｐが位置するように集光させ、この集光点Ｐにおけるレーザ光Ｌのエネルギー密度が切断対象材料の光学的損傷若しくは光学的絶縁破壊のしきい値を越えると、切断対象材料としての圧電素子ウェハ３１の内部における集光点Ｐ及びその近傍のみに微小なクラック領域９が形成される。このとき、切断対象材料（圧電素子ウェハ３１）の表面及び裏面に損傷を及ぼすことはない。【００７４】次に、図２３～図２７に基づいて、レーザ光Ｌの集光点を移動させてクラックを形成する点について説明する。図２３に示される略直方体形状の切断対象材料３２（光透過性材料）に対して、切断対象材料３２の内部にレーザ光Ｌの集光点が位置するようにレーザ光Ｌを照射することにより、図２４及び図２５に示されるように、切断対象材料３２の内部における集光点及びその近傍のみに微小なクラック領域９が形成される。また、レーザ光Ｌの集光点がレーザ光Ｌの光軸に交差する切断対象材料３２の長手方向Ｄに移動するように、レーザ光Ｌの走査あるいは切断対象材料３２の移動が制御されている。
【００７５】レーザ光源１０１からはレーザ光Ｌがパルス状に出射されることから、レーザ光Ｌの走査あるいは切断対象材料３２の移動を行った場合、クラック領域９は、図２５に示されるように、切断対象材料３２の長手方向Ｄに沿ってレーザ光Ｌの走査速度あるいは切断対象材料３２の移動速度に対応した間隔を有して複数のクラック領域９が形成されていくことになる。レーザ光Ｌの走査速度あるいは切断対象材料３２の移動速度を遅くすることにより、図２６に示されるように、クラック領域９間の間隔を短くして、形成されるクラック領域９の数を増やすことも可能である。また、レーザ光Ｌの走査速度あるいは切断対象材料の移動速度を更に遅くすることにより、図２７に示されるように、クラック領域９が、レーザ光Ｌの走査方向あるいは切断対象材料３２の移動方向、すなわちレーザ光Ｌの集光点の移動方向に沿って連続的に形成されることになる。クラック領域９間の間隔（形成されるクラック領域９の数）の調整は、レーザ光Ｌの繰り返し周波数及び切断対象材料３２（Ｘ軸ステージあるいはＹ軸ステージ）の移動速度の関係を変化させることでも実現可能である。また、レーザ光Ｌの繰り返し周波数及び切断対象材料３２の移動速度を高くすることでスループットの向上も可能である。【００７６】上述した所望の切断パターンに沿ってクラック領域９が形成されると（Ｓ２１９）、物理的外力印加又は環境変化等により切断対象材料内、特にクラック領域９が形成された部分に応力を生じさせて、切断対象材料の内部（集光点及びその近傍）のみに形成されたクラック領域９を成長させて、切断対象材料をクラック領域９が形成された位置で切断する（Ｓ２２１）。
【００８１】このように、第２例においては、集光用レンズ１０５により、レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌを、その集光点が光透過性材料（圧電素子ウェハ３１）の内部に位置するように集光することで、集光点におけるレーザ光Ｌのエネルギー密度が光透過性材料の光学的損傷若しくは光学的絶縁破壊のしきい値を越え、光透過性材料の内部における集光点及びその近傍のみに微小なクラック領域９が形成される。そして、形成されたクラック領域９の位置にて光透過性材料が切断されるので、発塵量が極めて低く、ダイシング傷、チッピングあるいは材料表面でのクラック等が発生する可能性も極めて低くなる。また、光透過性材料は、光透過性材料の光学的損傷若しくは光学的絶縁破壊により形成されたクラック領域９に沿って切断されるので、切断の方向安定性が向上し、切断方向の制御を容易に行うことができる。また、ダイヤモンドカッタによるダイシングに比して、ダイシング幅を小さくすることができ、１つの光透過性材料から切断された光透過性材料の数を増やすことが可能となる。これらの結果、第２例によれば、極めて容易且つ適切に光透過性材料を切断することができる。
【００８２】また、物理的外力印加又は環境変化等により切断対象材料内に応力を生じさせることにより、形成されたクラック領域９を成長させて光透過性材料（圧電素子ウェハ３１）を切断するので、形成されたクラック領域９の位置にて光透過性材料を確実に切断することができる。
【００８４】また、複数の回路部３９が形成された圧電素子ウェハ３１（光透過性材料）を各圧電デバイスチップ３７毎に切断分離する場合、集光用レンズ１０５により、隣接する回路部３９の間に形成された間隙に臨むウェハ部分の内部に集光点が位置するようにレーザ光Ｌを集光し、クラック領域９を形成させるので、隣接する回路部３９の間に形成された間隙の位置において、圧電素子ウェハ３１を確実に切断することができる。
【００８５】また、光透過性材料（圧電素子ウェハ３１）の移動あるいはレーザ光Ｌを走査して集光点をレーザ光Ｌの光軸に交差する方向、たとえば直交する方向に移動させることにより、クラック領域９が集光点の移動方向に沿って連続的に形成されることになり、切断の方向安定性がより一層向上して、切断の方向制御をより一層容易に行うことができる。
【００８６】また、第２例においては、発塵粉体がほとんどないため発塵粉体の飛散防止のための潤滑洗浄水が不要となり、切断工程でのドライプロセス化を実現することができる。


【００８７】また、第２例においては、改質部（クラック領域９）の形成がレーザ光Ｌによる非接触加工にて実現されるため、ダイヤモンドカッタによるダイシングにおけるブレードの耐久性、交換頻度等の問題が生じることはない。また、第２例においては、上述したように、改質部（クラック領域９）の形成がレーザ光Ｌによる非接触加工にて実現されるため、光透過性材料を完全に切断しない、光透過性材料を切り抜くような切断パターンに沿って、光透過性材料を切断することが可能である。本発明は、前述した第２例に限定されるものではなく、たとえば、光透過性材料は圧電素子ウェハ３１に限られることなく、半導体ウェハ、ガラス基板等であってもよい。レーザ光源１０１も、切断する光透過性材料の光吸収特性に対応して適宜選択可能である。また、第２例においては、改質部として、レーザ光Ｌを照射することにより微小なクラック領域９を形成するようにしているが、これに限られるものではない。たとえば、レーザ光源１０１として超短パルスレーザ光源（たとえば、フェムト秒（ｆｓ）レーザ）を用いることで、屈折率変化（高屈折率）による改質部を形成することができ、このような機械的特性の変化を利用してクラック領域９を発生させることなく光透過性材料を切断することができる。【００８８】また、レーザ加工装置１００において、Ｚ軸ステージ１１３を移動させることによりレーザ光Ｌのフォーカス調整を行うようにしているが、これに限られることなく、集光用レンズ１０５をレーザ光Ｌの光軸方向に移動させることによりフォーカス調整を行うようにしてもよい。
【００８９】また、レーザ加工装置１００において、所望の切断パターンにしたがってＸ軸ステージ１０９及びＹ軸ステージ１１１を移動するようにしているが、これに限られることなく、レーザ光Ｌを所望の切断パターンにしたがって走査するようにしてもよい。
【００９１】また、撮像素子１２１として赤外線用のものを用いることにより、レーザ光Ｌの反射光を利用してフォーカス調整を行うことができる。この場合には、ダイクロイックミラー１０３を用いる代わりにハーフミラーを用い、このハーフミラーとレーザ光源１０１との間にレーザ光源１０１への戻り光を抑制するような光学素子を配設する必要がある。なお、このとき、フォーカス調整を行うためのレーザ光Ｌにより切断対象材料にダメージが生じないように、フォーカス調整時にレーザ光源１０１から照射されるレーザ光Ｌの出力は、クラック形成のための出力よりも低いエネルギー値に設定ことが好ましい。
【００９２】第２例の観点から本発明の特徴を以下に説明する。【００９３】本発明に係る光透過性材料の切断方法は、レーザ光源から出射したレーザ光を、その集光点が光透過性材料の内部に位置するように集光し、光透過性材料の内部における集光点及びその近傍のみに改質部を形成させる改質部形成工程と、形成された改質部の位置にて光透過性材料を切断する切断工程と、を備えていることを特徴としている。本発明に係る光透過性材料の切断方法では、改質部形成工程において、レーザ光の集光点が光透過性材料の内部に位置するようにレーザ光を集光することで、光透過性材料の内部における集光点及びその近傍のみに改質部が形成される。切断工程では、形成された改質部の位置にて光透過性材料が切断されることになり、発塵量が極めて低く、ダイシング傷、チッピングあるいは材料表面でのクラック等が発生する可能性も極めて低くなる。また、光透過性材料は、形成された改質部の位置で切断されるので、切断の方向安定性が向上し、切断方向の制御を容易に行うことができる。また、ダイヤモンドカッタによるダイシングに比して、ダイシング幅を小さくすることができ、１つの光透過性材料から切断された光透過性材料の数を増やすことが可能となる。これらの結果、本発明によれば、極めて容易且つ適切に光透過性材料を切断することができる。【００９４】また、本発明に係る光透過性材料の切断方法においては、発塵粉体がほとんどないため、発塵粉体の飛散防止のための潤滑洗浄水が不要となり、切断工程でのドライプロセス化を実現することができる。
【００９５】また、本発明に係る光透過性材料の切断方法においては、改質部の形成がレーザ光による非接触加工にて実現されるため、従来の技術のようにダイヤモンドカッタによるダイシングにおけるブレードの耐久性、交換頻度等の問題が生じることはない。また、本発明に係る光透過性材料の切断方法においては、上述したように改質部の形成がレーザ光による非接触加工にて実現されるため、光透過性材料を完全に切断しない、光透過性材料を切り抜くような切断パターンに沿って、光透過性材料を切断することが可能である。
【００９６】また、光透過性材料には、複数の回路部が形成されており、改質部形成工程において、隣接する回路部の間に形成された間隙に臨む光透過性材料部分の内部に集光点が位置するようにレーザ光を集光し、改質部を形成させることが好ましい。このように構成した場合には、隣接する回路部の間に形成された間隙の位置において、光透過性材料を確実に切断することができる。【００９８】また、改質部形成工程において、集光点をレーザ光の光軸と交差する方向に移動させることにより、改質部を集光点の移動方向に沿って連続的に形成することが好ましい。このように、改質部形成工程において、集光点をレーザ光の光軸と交差する方向に移動させることにより、改質部を集光点の移動方向に沿って連続的に形成することで、切断の方向安定性がより一層向上して、切断の方向制御をより一層容易に行うことができる。
【００９９】本発明に係る光透過性材料の切断方法は、レーザ光源から出射したレーザ光を、その集光点が光透過性材料の内部に位置するように集光し、光透過性材料の内部における集光点及びその近傍のみにクラックを形成させるクラック形成工程と、形成されたクラックの位置にて光透過性材料を切断する切断工程と、を備えていることを特徴としている。