Avec ce type de dispositif , on peut penser que vont émerger non seulement des transistors aux propriétés aisément modulables mais aussi des lasers à semi-conducteurs de grande précision , finement réglables à une longueur d'onde désirée . Il semble de plus en plus probable qu'à l'avenir , le graphène remplacera le silicium . Britney Spears va devoir faire des ajouts à son célèbre sur la physique des semi-conducteurs . Construire les semi-conducteurs à l'échelle des atomes . Physique Technologie Dopage GPM actualité . 2 Min au sommaire A gauche , les atomes de dopants ( en violet ) tels qu'ils ont été repérés par la sonde atomique tomographique , serrés les uns contre les autres en petits anneaux . A droite , la répartition idéale que les électroniciens aimeraient obtenir un jour . IBM Jusqu'à présent , pour fabriquer un semi-conducteur , on ajoute au silicium des impuretés , appelées aussi dopants , qui déterminent précisément ses propriétés conductrices . Lors de cette opération - le « dopage » - , les atomes d'impuretés se répartissent au petit bonheur . On aimerait pourtant qu'ils se rangent sagement , le plus régulièrement possible . En fait , personne ne sait vraiment ce qu'ils deviennent une fois inclus dans le silicium . Pourtant , si l'on veut améliorer encore les performances et la miniaturisation des circuits , il faut atteindre l'échelle atomique pour y mettre un peu d'ordre . Les ingénieurs n'y sont pas encore mais chez IBM , on a voulu regarder de plus près ces atomes de dopants . Leur résultats viennent d'être publiés dans Science et montrent que l'on est loin de la répartition uniforme espérée par les électroniciens . Pour détecter individuellement les atomes qu'ils venaient d'introduire dans le silicium , les scientifiques ont utilisé une sonde atomique tomographique .