クエリ: フラッシュメモリを開発したのは誰
文章: 舛岡富士雄 舛岡 富士雄(ますおか ふじお、1943年5月8日 - )は日本の電子工学研究者。東北大学名誉教授。フラッシュメモリの発明者である。半導体事業は莫大な初期投資費用がかかるため[1]、東芝在籍時には厚遇されていなかったが半導体需要の激増でフラッシュメモリは一大産業に成長している。
文章: デジタルオーディオプレーヤー 近年、HDDの低価格化などから大容量のMP3プレーヤーが増えてきており、また、じわじわと市民権を得た事もあって、国内外で、特にMDが利用されていない地域で多く利用されている。また、低価格化、小型化も進み、最近はFMラジオが聞けるMP3プレーヤーや、ボイスレコーダー搭載などの多機能製品も出回っている。フラッシュメモリのタイプの特徴としては、小型で軽量、振動に対して音飛びが発生しない、回転部がないために電池の持ちが比較的良いために低電圧の汎用乾電池で動作する物が多い、などが挙げられる。その一方、メモリそのものの記憶単価が高いことから、メモリ容量は2000年代前半で128MB~4GB程度と小さく、またギガバイトを超える容量の製品は高価になっていた。そのため、デジタルオーディオプレーヤーも2004年頃まではメモリ容量がおおむね64MB~256MB程度にとどまっていた。しかし、フラッシュメモリの大容量・低価格化は急ピッチで進み、デジタルオーディオプレーヤーの分野でも2005年には急激な大容量化が見られた。2005年に登場したiPod nanoは従来の「半導体メモリ=高価」という常識を覆し、当時通常の実売価格が4万~5万円といわれた4GBのフラッシュメモリを用いたモデルを27,800円で発表し、話題をさらった。アップルはサムスンから市場価格を大きく下回る価格でフラッシュメモリを仕入れたと言われている。その後もメモリの大容量化は進み、2009年現在では64GBのフラッシュメモリを用いたモデルも登場している。 文章: NAND型フラッシュメモリ 2001年ごろまでは、フラッシュメモリの市場規模全体からみてもNAND型は約10%程度を占めるに過ぎなかった。2003年頃からNAND型フラッシュメモリが成長し、金額ベースで2001年には全世界約8億ドルだったものが、2004年には約72億ドル規模となった。 文章: コンパクトフラッシュ コンパクトフラッシュ(CompactFlash, CF)は、小型カード型インタフェース、およびその規格による拡張カード。フラッシュメモリ型メモリーカードとして、ATAフラッシュメモリ、もしくはパラレルATA接続で使われる事が多い。コンパクトフラッシュは、1994年にアメリカのサンディスクによって開発されたため、「コンパクトフラッシュ」という名称は、サンディスクの登録商標である。そのため他のメーカーは商標の使用を避けるため「CFカード」や「CF」といった名称を用いることが多い。日本IBMは1995年発売のPalm Top PC 110内蔵のリーダーに「スマート・ピコ・フラッシュ」という名を与えていた。以下CFと略称で表記する。 文章: NAND型フラッシュメモリ この現象を回避するのがウェアレベリングである。ウェアレベリングにはいくつかの手法があるが、NAND型フラッシュメモリを使った記憶媒体では、メモリチップ外部からのアドレス信号をチップ内部的に異なるアドレスに変換して、各ブロックの書き込み消去回数が平準化するようにする手法が広く用いられている。またこのアドレス変換情報もNAND型フラッシュメモリ内に書き込まれて保存される。なお、この変換アルゴリズムは複数存在し、記憶媒体のメーカの特許等になっている。 文章: 岡崎文次 岡崎 文次(おかざき ぶんじ、1914年(大正3年) - 1998年(平成10年))は、日本で最初に、ほとんど独力でプログラム記憶方式のコンピュータFUJICを開発した、富士写真フィルムのエンジニア。その後、日本電気を経て、専修大学経営学部が情報管理学科を設置し情報教育を開始する際に、教授として招聘された。岡崎文次 本人の著作・論文: 文章: MEMSメモリ いずれも不揮発性メモリで従来のフラッシュメモリ等の半導体記憶素子とは異なる原理で作動する。現在のHDDでは熱擾乱による磁化の消失の顕在化により、近い将来限界に達すると言われているので走査型プローブ顕微鏡の技術を応用することで1Tbit/inchを超える記録密度を持つ次世代の超高密度メモリの実現に向けて開発が進められる。 文章: アラン・シュガート アラン・フィールド・シュガート(, 1930年9月27日 - 2006年12月12日)は、ディスクドライブの分野で指導的役割を果たしたエンジニア・実業家で、ディスクドライブの第一人者であった。 文章: マイクロン・テクノロジ 現在では、同社はコンピューターにおける主記憶・ストレージ用の各種半導体メモリ(DRAMやフラッシュメモリとそれらの搭載製品群)を開発・製造・販売している。ただし、エンドユーザー向けの製品はクルーシャル・テクノロジやバリスティクス・ゲーミング 文章: スマートメディア スマートメディア(SmartMedia)は、東芝が開発したメモリーカード、フラッシュメモリメディアの通称。 文章: 強誘電体メモリ 強誘電体メモリ(きょうゆうでんたいめもり・)とは、FeRAMとも呼ばれる、強誘電体のヒステリシス(履歴効果)に因る正負の残留分極(自発分極)をデジタルデータの1と0に対応させた不揮発性メモリのことである。なお、FRAMは同種のRAMのラムトロン・インターナショナル(現・サイプレス・セミコンダクター)による商標で、国内では富士通が同社とのライセンスによりFRAMの名称を使用している。 文章: ターボメモリー ターボメモリーは、システムロード時間短縮、応答性の向上を目的とした、NAND型フラッシュメモリの一種であり、ノート向けのフラッシュメモリカードである。 文章: アルベール・フェール アルベール・フェール (Albert Fert、1938年3月7日 - ) はフランスの物理学者。巨大磁気抵抗の発見者の一人であり、この発見はギガバイト単位のハードディスクの成功へつながった。現在はオルセーのパリ第11大学の教授であり、国立科学研究センター(CNRS)と電機メーカー・タレスグループの合同研究室の科学主任でもある。2007年にペーター・グリューンベルクとともにノーベル物理学賞を受賞した。 文章: RCA 初期の重要な業績は記憶技術だった。先進的な電子機器の工場で、アメリカ陸軍が支援していたENIACとランド研究所ののような複数の初期のコンピュータの開発で潜在的な記憶素子の技術の相談をした。これらの計画のためにジャン・A・ライクマンのチームが、テレビの発明で知られるウラジミール・ツヴォルキンの指揮下でセレクトロン管を開発した。これは先進的で高度に複雑な電子管記憶素子だった。しかしながら、マンチェスターからのウィリアムス管は大幅に単純で廉価で入手が容易となり、JOHNNIACと、それまでのシステムを除くすべての機械に備えられることとなり、2,000本の真空管を多様な計画のために製造した。1950年代初頭には不揮発性メモリである磁気コアメモリを開発し、1970年代半ばまで標準的なコンピュータの記憶装置になった。開発者をめぐり、マサチューセッツ工科大学のジェイ・フォレスターによる論争があった。フォレスターの素子はSAGE防空計画で使用された。当時、Camden機構での開発で先進開発グループ(ADG)のみが軍用と民生用の両方を支援した。そのため、それはこのグループにとってデジタル技術を民生用と軍用の両方のために対応する事は自然ななりゆきだった。 文章: 村上雅人 村上 雅人(むらかみ まさと、1955年2月13日 -)は、日本の超伝導工学者。芝浦工業大学学長(2012年4月-)。専門は材料科学。Fe-Mn-Si系形状記憶合金の発明ならびにバルク超伝導体の開発者。 文章: 東芝メモリ もともと、世界で先駆けてNAND型フラッシュメモリを開発し、製品化した東芝が、1992年(平成4年)に初めて量産を開始したのは岩手東芝エレクトロニクス(現・ジャパンセミコンダクター岩手事業所)においてであり[29]、約四半世紀の時を経て、NAND型フラッシュメモリの量産拠点が岩手に戻ってくることとなった。