クエリ: フラッシュメモリを開発したのは誰
文章: フラッシュメモリ 主要な種別はNAND型フラッシュメモリとNOR型フラッシュメモリの2種である。それぞれの基本的な特徴は次の通り。書き込みがブロック単位であることはどちらも共通である。歴史的には、最初のフラッシュメモリとして発明されたのはNOR型で、続いてNAND型が発明された。いずれの発明も当時東芝の舛岡富士雄による。普及については主としてインテルによりNOR型が先行して市場に広がった。現在は、NAND型が東芝メモリとサンディスクとサムスン、NOR型がマイクロンとスパンション、といったところが大手である。
文章: SDメモリーカード こちらも最大容量は2GBであり、それ以上の容量は後述のminiSDHCでの対応となる。microSDカード(マイクロエスディーカード)は、SDアソシエーションによって2005年(平成17年)7月13日に承認されたフラッシュメモリ型電子媒体である。サンディスクが2004年(平成16年)2月に開発したトランスフラッシュ(TransFlash; TFカード)の仕様を引き継いだもので、名称は異なるが媒体そのものは同じである。 文章: 磁気抵抗メモリ MRAMとフラッシュメモリ(Flash)の比較も重要であろう。フラッシュメモリはMRAMと同様に電源を切っても記憶が保持されるため、スマートフォン等のメインメモリとしてよく用いられている。 文章: メモリースティック メモリースティック (Memory Stick) は、フラッシュメモリを用いた小型メモリーカード、およびその関連規格・製品群の総称である。省略して「メモステ」「MS」などとも呼ばれる。主にデジタルカメラやデジタルオーディオプレーヤー、携帯電話、PlayStation Portableなどの記録媒体として利用されている。 文章: メモリースティック 発表当時、既にメモリーカード市場ではコンパクトフラッシュ・スマートメディアなどがシェアを争っていたが、PC周辺機器での使用を前提として開発されたそれらの規格と違い、メモリースティックはさまざまなユーザーが利用することを想定した家電寄りのユニバーサルデザイン的な設計思想が特徴である。「メモリースティック」という規格名は平易な単語で構成し、非英語話者でも理解しやすいよう試みている。 文章: Windows ReadyBoost HDDとの読み書きのデータが全てフラッシュメモリにキャッシングされるわけではない。高速なHDDでの大量のシーケンシャルアクセスの場合には、フラッシュメモリよりも高スループットでアクセスできることが多く、そのような場合はフラッシュメモリへのキャッシング処理はなされない。 文章: Basic Input/Output System BIOS製造会社 Micro Firmware社のRobert Braver社長によると、Flash BIOSチップは1995年頃から主流になり、紫外線により消去するPROMより安価かつ扱いが容易になったためとしている。EPROMでは書き換えのためにマザーボードから取り外す必要があるのに対し、フラッシュメモリは基板上に付けたまま再プログラムが可能である。 文章: デジタルオーディオプレーヤー 記録媒体にはフラッシュメモリまたはハードディスクドライブを使用する。フラッシュメモリを使用する機器では、プレーヤーにメモリを内蔵するタイプと、SDカードなどのメモリカードを使用するタイプがある(プレーヤーにメモリを内蔵しつつメモリカードも使用可能な機種もある)。ハードディスクではごく一部を除いて機器に内蔵するタイプとなる。2011年1月時点で、フラッシュメモリ内蔵タイプは主に小容量(~64GB)、ハードディスク内蔵タイプは主に大容量(80GB~)を中心に展開されている。 文章: メモリスタ メモリスタの存在は1971年にLeon Chuaの論文で指摘されていたが、対応する物理現象が発見されず、メモリスタは長い間実現されることはなかった。しかし、2008年に米ヒューレット・パッカード (HP) 研究所により二酸化チタンの薄膜を用いたメモリスタが開発され、第4の回路素子として注目を集めることとなった。 文章: サムスン電子 ほどなく256K DRAMの開発にも成功する。一方日本の東芝(東芝のDRAM部門は後にマイクロンに買収)は、1984年に舛岡富士雄が世界初のNOR型フラッシュメモリを開発、1985年に世界初の1M DRAMを開発、1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを開発するなど盛んに次世代メモリの開発を行なっていたが、東芝やマイクロンなどのトップ企業が次世代メモリに移行することで旧世代メモリの品薄現象が生じたため、あえて256K DRAMに注力した三星は1988年だけで3200億ウォンの莫大な純利益を出し、一気に会社の規模を拡大した。この経営判断を行ったのが李秉喆の三男である三星グループ副会長の李健熙で、李秉喆が1987年に死去した後は李健煕が三星グループの第2代会長に就任する。1992年には世界初の64M DRAMの開発に成功、1993年にはDRAM市場で13.5%のシェアを確保し、12.8%に留まった日本の東芝を抜いてついにシェア世界1位となった。以来トップを維持している。なおNAND型フラッシュメモリでも2002年に世界1位となっている。 文章: ソリッドステートドライブ SSDとしては広義に、メモリにRAMを用いたもの(ハードウェア方式のRAMディスク)と、フラッシュメモリを用いたものに分類される。本項では特に断りのない限り、後者のフラッシュメモリを用いたデバイスについて説明する。 文章: フランシス・ライン フランシス・ライン (, 1595年 1675年11月15日)はリエージュのライナスとしても知られるイエズス会の司祭及び科学者。磁石時計を発明したことで知られている。ニュートンの理論と業績に対する同時代の批評家としても有名である。ロバート・ボイルと彼の気体理論にも挑んだ。 文章: フラッシュメモリ パソコン用デバイスとしてのフラッシュメモリは、当初ユーザーの操作で書き換え可能なBIOSを持ったマザーボードへの利用など表面に出ない用途だったが、やがてUSBメモリなどによるフロッピーディスクの代替としての利用が始まり、書き換えに対する耐久性の向上(ハード的な技術向上やソフト的に書き換える部分を集中しないようにする工夫 - ウェアレベリング)、大容量化・低価格化・高速化が進み、徐々に大容量記憶装置としての役割を担うようになっていった。 文章: ソリッドステートドライブ HDDとフラッシュメモリの双方の長所を取り入れたハイブリッドHDDも開発され、実用化されている。 文章: フラッシュファイルシステム モバイル機器の数が増加し、メモリ容量当たりの単価が減少し、フラッシュメモリ・チップの容量は増加するにつれ、フラッシュベースのメモリデバイスはより一般的になっている。 文章: ソリッドステートドライブ サンディスクでは会社設立当初から磁気ディスクや光ディスク等の回転式記録媒体を固体状のフラッシュメモリに置き換えることを狙い、将来像としてSSDが世界中に普及する姿を描いていた。そうした中で、1個のメモリセルに1ビットを越えるデータを記録する「マルチレベル」と呼称する技術と、コントローラ技術により従前から存在する回転式記録媒体をエミュレートする「システムフラッシュ」と呼称する手法の2つを新たなコンセプトとして打ち出し、これらのコンセプトに沿った最初の製品として前記のSSDが開発された。