PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having high yield in a configuration, capable of stably producing a large-area panel or narrow frame panel, which reduces the space around the panel to an extremely small size. SOLUTION: On a thin-film transistor(TFT) substrate, on which plural pixels are composed of plural TFTs, a peripheral wiring Sc connected to a fixed potential is grounded around the TFT substrate. In the semiconductor device having the TFT substrate on which the plural pixels are composed of the plural TFT; driving wiring of each of TFT is connected through a wiring resistor Rs; one pixel on the TFT substrate is composed of a TFT and a photoelectric conversion element; and bias wiring of the photoelectric conversion element is connected with driving wiring of the TFT. Then, this device has a slice line for cutting the TFT substrate around the TFT substrate and peripheral wiring between the slice line and the TFT.
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に複数の機能素子が構成されている半導体装置とその製造方法、放射線検出装置とそれを用いた放射線検出システムに関するものである。 The present invention relates to relates to a radiation detection system using the method for producing the same, and it radiation detector semiconductor device that is configured a plurality of functional elements on a substrate.
更には、TFT素子と同様の非晶質シリコン薄膜を用いたPIN型フォトダイオード、または、MIS型フォトキャパシター、TFT型光センサーなどの光電変換素子(以下、光センサー素子と称す)と組み合わせた光センサーパネルなどに広く利用されている。 Furthermore, PIN type photodiode using amorphous silicon thin film similar to the TFT elements or,, MIS-type photo capacitor, a photoelectric conversion element such as a TFT type optical sensor (hereinafter, referred to as an optical sensor element) in combination with light It has been widely used, such as the sensor panel.
TFT素子と直接放射線を電気信号に変換する非晶質セレンなどを用いた直接型の放射線撮像装置も開発が進んでいる。 Direct type radiation image pickup device using such amorphous selenium for converting radiation directly TFT element into an electrical signal also has been developed.
0はTFT駆動配線、1050はPIN型光センサーのバイアス配線である。 0 TFT driving wiring, 1050 denotes a bias wiring PIN type optical sensor.
iN保護膜である。 iN as a protective film.
駆動配線1040のクロス部で形成される容量C2に電荷分配され、信号線1030の電位変化を読み取り出力としている。 It is charge distribution in the capacitor C2 formed by the cross section of the drive wire 1040, and the read output potential change of the signal line 1030.
【0007】現在、上述の光センサーパネルは、大面積化、高精細化の要求により、基板サイズの大型化、プロセス精度の向上が急務とされているが、膨大な設備投資が必要となり、更に、立ち上げに要する期間などを考慮すると、最良の方法とは言えないと思われる。  Currently, optical sensor panel described above, large area, the demand for high definition, larger substrate size, but the improvement of the process accuracy is an urgent need, it requires enormous capital investment, further When considering the time required for start-up, the best way would not say.
【0008】そこで、従来の小型基板用の設備、装置を用いて、大面積化パネルを目指す方法として、複数のパネルを貼り合わせることより大面積化する構造の半導体装置が提案されている。  Therefore, conventional equipment for small substrates, using the apparatus, as a method aimed at a large area panel, a semiconductor device structure that larger area than attaching the plurality of panels is proposed.
400はシャーシ部である。 400 is a chassis portion.
3070はセンサーパネル3010の駆動用プリント基板、3060はプリント基板3070とセンサーパネル3010とを接続するためのフレキシブル基板である。 3070 is a flexible board for connecting the printed board for driving the sensor panel 3010, 3060 and printed circuit board 3070 and the sensor panel 3010.
400の中で、放射線センサー部3300を固定することによって、センサーユニットが形成されている。 Among the 400, by fixing the radiation sensor portion 3300, the sensor unit is formed.
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述のように、複数のパネルを貼り合わせる場合、特に、パネル間のつなぎ目の精度とそのクリアランスとが問題になる。  However, as described above, when bonding a plurality of panels, in particular, it seams accuracy between the panel and its clearance is a problem.
画素端より数10μmの位置で、パネル切断を行うことが必要となる。 In the position of several 10μm than the pixel edge, it is necessary to perform a panel cutting.
【0014】このような課題を解決するには、以下の問題があり、製造上の歩留り、更には、特性上の問題まで、影響を及ぼす場合がある。  To solve such problems, the following problems, manufacturing yield, and further, until the problem of the characteristics may affect.
20を破壊している。 It is destroying the 20. この結果、初期特性上、問題が無いが、高温・高湿での保存により、出力の変動が確認されている。 As a result, the initial characteristics, but there is no problem, the storage at high temperature and high humidity, variation in the output is confirmed.
画素破壊が発生する。 Pixel corruption. 通常、ガラス基板などの絶縁材料は、真空チャックステージでの剥離帯電、エアーブローなどによる摩擦帯電などにより、容易に帯電する。 Usually, an insulating material such as glass substrate, peeling electrification of a vacuum chuck stage, due such as by triboelectric charging air blow easily charged. 帯電した状態で、電位差のある物体、具体的には、接地されたケースなどに接近しただけで、放電が起こり、破壊される。 In the charged state, the object of potential, specifically, only approached such a case that is grounded, discharge occurs, it is destroyed. 特に、コーナー部は、その傾向が強く、歩留りの低下を引き起こしている。 In particular, the corner is, the trend is strong, causing a decrease in yield.
【0017】3.  3. パネル組み立て時のハンドリングなどで、静電気が2〜3kV蓄積され切断面、特に、コーナー部で、1画素が破壊する場合がある。 In such handling during panel assembly, cut surface static electricity is 2~3kV accumulated, particularly in the corner portion, there is a case where one pixel is destroyed.
安定に且つ高歩留りで可能とするような、構成の半導体装置を提供することを目的としている。 Such as to allow stable and with high yield, and its object is to provide a semiconductor device structure.
信頼性が確保される位置に配し、切断時のチッピングなどによる保護膜などの破損を電気的にチェックして、組み立て後の信頼性を確保することにある。 Placed in a position where reliability is secured, damage such as a protective film due to chipping during cutting electrical check is to ensure the reliability after assembly.
電気的なクロストークを抑えることである。 It is possible to suppress the electrical cross-talk.
【0021】更に、本発明の第3の目的は、スライスチェック配線をTFTの駆動配線、または、光センサーのバイアス配線に電気的に接続して、静電気破壊に対する耐性を向上させると共に、スライスチェック配線を一定電位に接続することにより、帯電防止機能を持たせ、デバイスの安定性と信頼性を確保することにある。  A third object of the present invention, the driving wiring of the TFT slices check wiring, or electrically connected to the bias line of the optical sensor, thereby improving the resistance to electrostatic breakdown, slice check wire by connecting to a fixed potential, to have an antistatic function is to ensure the stability and reliability of the device.
T基板の周囲に該TFT基板の切断用のスライスラインが設けられ、該スライスラインと前記TFT基板との間に周囲配線を有することを特徴とする。 Slice lines for cutting of the TFT substrate is provided around the T substrate, and having a peripheral wiring between the TFT substrate and the slice lines.
基板の1画素は、TFT素子と光電変換素子とから構成されており、前記周囲配線は、該光電変換素子のバイアス配線と電気的に接続されていることが有効である。 1 pixel substrate is composed of a TFT element and a photoelectric conversion element, said peripheral line, it is effective that the bias lines electrically connected to the photoelectric conversion element.
【発明の実施の形態】以下本発明を図面を参照して更に詳細に説明する。 Described in more detail DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention below with reference to the accompanying drawings.
Vg3はTFT駆動配線、Sig1〜Sig5は信号配線、Vs1,Vs2はバイアス配線である。 Vg3 is TFT driving wiring, Sig1~Sig5 are signal lines, Vs1, Vs2 are the bias line.
読み出される。 It is read. また、TFTは、TFT駆動用ドライバ11から、TFT駆動配線Vg1〜Vg3を介して、与えられた信号で、順次、オン/オフする。 Further, TFT is a TFT for driving the driver 11, through the TFT driving wirings VgI to Vg3, the given signals are sequentially turned on / off. 更に、Scはスライスチェック配線であり、TFT駆動用ドライバおよびMIS型光センサーの駆動用ドライバから接地電位を与えられている。 Furthermore, Sc is a slice check wiring, it is given the ground potential from the TFT driving driver and a driver for driving the MIS type photosensor.
は、光センサーパネルの模式的断面図を示す。 Shows a schematic cross-sectional view of an optical sensor panel.
【0028】(1) 図2の(a)に示すように、ガラス基板101上に、Crを、1000Å厚さで、スパッタリング法により成膜し、MIS型光センサーの下電極102、TFTゲート電極103、および、ゲート配線104、更には、パネル切断用のスライスラインおよびスライスチェック配線などを、パターニングする。  (1) As shown in FIG. 2 (a), on a glass substrate 101, a Cr, at 1000Å thick, was deposited by sputtering, the lower electrode 102, TFT gate electrode of the MIS type photosensors 103, and the gate wiring 104, and further, and panel cutting of slice lines and slice check wire is patterned.
S型光センサーの下電極とTFTS−D電極とを接合するためのコンタクトホール108、及び、配線引出し部などのコンタクトホールなどを、CDE法により、開口する。 A contact hole 108 for joining the lower electrode and the TFTS-D electrodes of the S-type optical sensor, and the like contact hole or wiring lead-out portion, by CDE, open.
0、光センサーのバイアス配線111を、ウエットエッチング法により形成する。 0, the bias line 111 of the optical sensor is formed by a wet etching method.
FTギャップ部のオーミック層(n Ohmic layer of FT gap portion (n + )を、RIE法により除去し、TFTチャネル部112を形成する。 The +), it was removed by the RIE method, to form the TFT channel portion 112.
N)を、9000Å厚さで成膜し、引き出し配線部パッド部などを、RIE法により開口する。 The N), was deposited at 9000Å thick, and lead-out wiring portion pad portion is opened by the RIE method.
【0033】以上より、単一パネルが作製され、検査工程により、良品判定が行われることで、前工程が終了する。  From the above, a single panel is produced by the inspection process, that is determined as non-defective is carried out, before step is finished.
【0034】その後、中工程により、光センサーパネルに電気的な実装を行う。  Then, the middle step, the electrical mounting the optical sensor panel. 即ち、 (6) ポリイミドをスピンコートし、加熱キュアーする。 That is, (6) the polyimide is spin-coated and heated curing. その後、スライスラインに従って、所定のサイズに切断する。 Then, according to the slice line is cut into a predetermined size.
【0035】(7) スライスチェック配線によって導電性の検査を行う。  (7) inspecting a conductive by the slice check wire.
【0036】(8) TAB接続、PCB接続など電気的な実装を行い、その後、再び導電性の検査を行う。  (8) TAB connection, an electrically implementation such as PCB connection, then inspect the conductive again.
【0037】以上により、貼り合わせ前のモジュールが完成し、以降、後工程により、大面積パネルとして、組み立てられる。  According to the above, pre-bonding of the module has been completed, and later, by the post-process, as a large-area panel, are assembled. 即ち、 (9) 基台にパネルを貼り合わせ、蛍光板を貼り、更に、Alシートを貼り合わせる。 That is, (9) bonded to the panel to the base, bonding the fluorescent plate, further, bonding the Al sheet.
【0038】(10) 筐体に組み込み、最終検査を行う。  (10) embedded in the housing, perform a final inspection.
【0039】以上により、放射線画像読み取り装置に用いる半導体装置が完成する。 The  above, the semiconductor device is completed for use in the radiation image reading apparatus. 駆動用ドライバなどを接続した後には静電気破壊などの恐れは小さくなるため、ドライバの実装が終わった段階で、スライスチェック配線は切断して取り除いてもよいし、残しておいて問題にならない場合にはそのままにしておいてもよい。 To become smaller risk of static electricity destruction after connecting a driver for driving, at the stage when mounting has been completed the driver, to slice check wire may be removed by cutting, if no problem be left it may be left as it is.
光センサー部の重心であり、光学的な画素中心である。 A center of gravity of the photosensor section is an optical pixel centers.
Tの配置により、光センサー部の重心を貼り合わせ、中央側に配置することにより、達成可能とするものである。 The arrangement T, then bonded to the center of gravity of the photosensor section, by disposing the center side, it is an achievable. なお、この実施の形態では、画素領域の間の距離が、160μmから188μmおよび202μmに拡大可能となっている。 In this embodiment, the distance between the pixel regions, and can expand from 160μm to 188μm and 202μm.
【0041】図4には、光センサーパネルのコーナー部の概略パターンが示されている。  FIG. 4 is a schematic pattern of the corner portion of the light sensor panel is shown. 図中、41はスライスライン、42はスライスチェック配線、43はSiN保護膜、点aは画素重心である。 In the figure, 41 is slice lines, 42 slice check wire 43 is SiN protective film, the point a is a pixel centroid.
保護膜内にスライスチェック配線42が配置される。 Slice check wire 42 is placed in the protective film. この幅は、高温高湿などの信頼性試験により、特性が確保できる最小幅である。 The width, the reliability test such as high temperature and high humidity, the minimum width characteristics can be ensured. また、スライスは、スライスラインを切り落とすように切断されるが、チッピング、スライスズレなどにより、マージンとして、スライスライン41がSiN保護膜端から45μmの位置に設定されている。 Further, the slice is being cut to cut off the slice lines, chipping, or the like slices deviation, as a margin, the slice lines 41 are set to the position of 45μm from SiN protective film end. なお、この領域にSiN保護膜を配していないのは、SiN保護膜が割れ、画素まで成長することがあるためである。 Incidentally, not arranged SiN protective film in this region, cracks SiN protective film, because that may grow to pixels.
pにより、導電性のチェックを行うことで、異常が確認でき、良品組センサーパネルへの混同を避けることが可能となる。 The p, by performing the checks conductive, abnormality can be confirmed, it is possible to avoid confusion in the non-defective assembly sensor panel.
【0044】その結果、従来、目視確認で行なっていた判定に比べて、確実で精度の高い検査を行なうことが可能となる。  As a result, conventionally, as compared to the determination that has been made by visual check, it is possible to perform a highly reliable and accurate inspection. 更に、上述のように、中工程、後工程での要所要所で、スライスチェック配線による確認を行うことにより、複数の光センサーパネルを貼り合わせた後での、不良発生を皆無とすることが可能になった。 Further, as described above, the middle step, at important points in the subsequent step, by performing the confirmation by slice check wiring, be completely eliminated in the after attaching a plurality of light sensor panel, the defective It has become possible.
T駆動用ドライバや光電変換素子駆動用ドライバなどを電気的に実装するまで起こりえるので、それらの実装を行なうまでは適宜行なう。 Because it can occur and T driver for driving and photoelectric conversion element driving driver to the electrically implementation, performed until performing their implementation as appropriate.
【0046】また本実施形態においては機能素子としてTFTを例として示したが、これに限られるものではなく、ダイオードや薄膜ダイオードを用いてももちろんよい。  Although shown as an example a TFT as a functional element in the present embodiment is not limited thereto, may of course be a diode or thin film diode.
Cに接続されるドライバ側引出し配線部である。 A driver-side lead wiring section connected to C. 本実施形態では、各センサーパネルはドライバ側引出し配線部をパネル両側に配置し、高速駆動を実現させている。 In this embodiment, each sensor panel arranged driver side lead wire portion to the panel sides, thereby realizing high-speed driving.
はセンサー駆動用回路、107はシャーシである。 The sensor driving circuit, 107 is a chassis. 図中、端部画素部Aをシャーシに近接させることが可能となり、シャーシ部の近傍の画像を読み取ることが可能となる。 In the figure, it is possible to close the end pixel portion A to the chassis, it is possible to read the image in the vicinity of the chassis portion.
FT素子とMIS型光電変換素子とから構成されている放射線画像読み取り装置に用いる半導体装置について説明する。 A semiconductor device for use in a radiation image reading apparatus is composed of a FT element and an MIS-type photoelectric conversion element will be described. なお、図7はこの実施の形態における等価回路を示す。 Incidentally, FIG. 7 shows an equivalent circuit in this embodiment. 図中11はTFT駆動用ドライバ、12は信号処理増幅器、13はMIS型光電変換素子駆動用ドライバである。 Figure 11 is TFT driving driver, 12 denotes a signal processing amplifier, 13 is a MIS-type photoelectric conversion element driving driver.
FTの駆動配線のみと接続してもよいし、図示はしないが、バイアス配線のみと接続することも可能である。 May be connected with the FT driving lines only, although not shown, it is also possible to connect only the bias line.
hが隣接ラインに影響を与えない抵抗を、設定すれば良いことになる。 A resistance that h does not affect the adjacent line, so that may be set. なお、隣接ラインはオフ電圧Vg1に保持されている。 Note that adjacent lines are held off voltage Vg1.
【0052】図9は、上述の等価回路における電位を説明するための図である。  Figure 9 is a diagram for explaining an electric potential in the equivalent circuit described above. 点aの電位VaがTFTのしきい値電圧Vthより低ければ、隣接ラインをオフ状態に保つことができる。 When the potential Va at the point a is lower than the threshold voltage Vth of the TFT, it is possible to keep the adjacent line to the OFF state.
【0053】 Vth>Va=Vg1+(Vgh-Vg1)×Ro/(Rs+2Ro)………(1)式 Rs>Ro(Vg1-Vth-2Vth)/(Vth-Vg1) ここで、Vg1=-5V 、Vgh=15V 、Vth=2V、Ro=100Ωであるので、Rs>86 Ωとなる。  Vth> Va = Vg1 + (Vgh-Vg1) × Ro / (Rs + 2Ro) ......... (1) formula Rs> Ro (Vg1-Vth-2Vth) / (Vth-Vg1) where, Vg1 = - 5V, Vgh = 15V, Vth = 2V, because it is Ro = 100Ω, Rs> a 86 Ω.
vs>100×Roとなる。 vs> a 100 × Ro.
sは、Rvs>100×Roであれば、光センサーのバイアス電位の変動を1%以下に抑えることが可能となる。 s, if Rvs> 100 × Ro, it is possible to suppress the fluctuation of the bias potential of the photosensor 1% or less.
【0056】なお、本実施形態では、各配線間をオーミック層(n + )を用いて接続することが可能であり、上述の各接続抵抗値に十分余裕を持たせて、1MΩを標準として設定した。  In the present embodiment, set between the wirings may be connected with an ohmic layer (n +), and to have a sufficient margin in the connection resistance described above, a 1MΩ as standard did.
【0057】図10にVg配線間接続の模式的平面図を示す。  Figure 10 shows a schematic plan view of Vg wiring connections. 同図において、51はAl配線、52はCr配線、53はコンタクトホール、54はn +接続配線部である。 In the figure, 51 is an Al wiring, 52 Cr wire, 53 is a contact hole, 54 an n + connection wiring portion.
Cr配線からAl配線にコンタクトホールを介して接続されており、そのAl配線間はn +層で接続されている。 From Cr wiring Al wire is connected through a contact hole, between the Al wiring is connected with the n + layer.
00kΩ/□である。 00kΩ / □ is. 画素ピッチが160μmであるために、10シート以上あれば、1MΩで接続できる。 For the pixel pitch is 160 .mu.m, if 10 sheets or more can be connected in 1 M.OMEGA. したがって、本実施形態では10μmで配線間を接続している。 Therefore, in the present embodiment is connected between wiring 10 [mu] m. また、Vs配線間は同様にn +層により接続される。 Further, between Vs wiring are connected by an n + layer in the same manner.
【0060】次にVg配線とスライスチェック配線間の接続方法について説明する。  Next will be described a method of connecting Vg wires and the slice check wire. 図12はその接続形態の模式的平面図である。 Figure 12 is a schematic plan view of the connection form. スライスチェック配線であるCr配線はコンタクトホールを介してVg配線と接続されている。 Cr wire is sliced check wiring is connected to the Vg wiring through a contact hole. 図12におけるA−A部の断面の模式図を図13に示す。 A schematic diagram of a cross section of A-A section in FIG. 12 is shown in FIG. 13. コンタクトホール53において、Vg配線51とスライスチェックライン52が接続される。 In the contact hole 53, Vg line 51 and the slice check line 52 is connected. この場合も配線抵抗が1MΩとなるようにn +層が引き回されている。 N + layers are routed to this case wiring resistance becomes 1 M.OMEGA. また導電性のチェックが終了した後は、スライスチェック配線はTFTの駆動配線及び光電変換素子の駆動配線との接続部において切断し取り除いてもよいし、接続部の抵抗を調整することによって、素子の駆動の障害にならないような場合にはそのまま残しておいてもよい。 Also after checking conductivity is completed, the slice check wire may be removed by cutting at the connecting portion between the driving wiring of the drive wiring and the photoelectric conversion element of the TFT, by adjusting the resistance of the connecting portion, element may be left as it is in the case of such so as not to failure of the drive.
【0061】また本実施形態においては機能素子としてTFTを例として示したが、これに限られるものではなく、ダイオードや薄膜ダイオードを用いてももちろんよい。  Although shown as an example a TFT as a functional element in the present embodiment is not limited thereto, may of course be a diode or thin film diode.
Sc配線に接続することも可能である。 It is also possible to connect to the Sc wire. 本実施形態においても、パネルの切断を行なった後に、導電性チェック用のパットCpにおいて導電性のチェックを行なうことによって、不良品のチェックを行なうことができ接地電位では無いが、一定電位に固定されるため、やはり静電気破壊などから素子を守ることが可能になる。 In the present embodiment, after performing the cutting of the panel, by performing a check of conductivity in pad Cp conductive for checking, is not at ground potential can be performed to check the defective, fixed to a constant potential because it is, it is possible to protect the device from such still electrostatic breakdown.
【0063】また本発明は液晶パネルなどの狭額縁化にあたっても有効な手段となる。  The present invention will be effective even when narrowing the frame means such as a liquid crystal panel. 液晶パネルの場合においては、例えばガラス基板を2枚用意し、該基板上に素子を形成し、該基板を所望の大きさに切断した後に両基板を貼り合わせその中間部に液晶を流し込んで、パネルを形成する。 In the case of the liquid crystal panel, for example, a glass substrate was prepared two, and an element is formed on the substrate, the intermediate portion thereof bonded to the substrates after the substrate was cut into a desired size by pouring a liquid crystal, panel to form. そして、ドライバなどの電気的な実装を行なう。 Then, the electrical implementation of such as a driver. したがって、液晶パネルなどにおいてもやはり、スライスチェック配線を該駆動配線に接続し、スライスチェック配線の導電性を検査することによって、不良品のチェックを行なうことができ、TFTの制御配線とスライスチェック配線を接続することによって、静電気などによる画素破壊を防ぐことができる。 Therefore, also even in a liquid crystal panel, connect the slice check wiring to the drive wiring, by checking the conductivity of the slice check wiring, it can be performed to check the defective, control wiring and slice check wiring TFT by connecting, it is possible to prevent such a pixel destruction due to static electricity. また通常液晶パネルの製造工程では基板を貼り合わせて、液晶を注入しているために、導電性のチェックは基板を貼り合わせる前でもあとでもどちらでもよい。 The normal bonding a substrate in the manufacturing process of a liquid crystal panel, in order to have a liquid crystal is injected, conductive checks may be either even after even before bonding the substrate. また液晶パネルにおいては必ずしもこのスライスチェック配線を同電位にする必要はない。 Also it is not always necessary to this slice check wire the same potential in the liquid crystal panel.
線診断システムへの応用例を示したものである。 It illustrates the application to a line diagnostic system.
60は患者あるいは被験者6061の胸部6062を透過し、蛍光体を上部に実装した光電変換装置6040に入射する。 60 is transmitted through the chest 6062 of a patient or subject 6061 and enters the photoelectric conversion device 6040 which implements the phosphor at the top. ただし、X線などの放射線に対して直接感応性がある物質、例えばGaAsなどを用いた装置においては特に蛍光体を設けずに放射線に感応させることも可能である。 However, it is also possible to particularly sensitive to radiation without providing the phosphor in the device using substances that are directly sensitive, for example, GaAs and the like with respect to radiation such as X-rays. この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。 It includes information on the inside of the body of the patient 6061 The incident X-ray. X線の入射に対応して蛍光体は発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。 Phosphor emits light in response to incidence of the X-ray to obtain electrical information which was photoelectrically converted. この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ6080で観察できる。 This information can be observed on a display 6080 as a display unit of the image processing a control room by an image processor 6070 as a signal processing means is converted to a digital.
【0066】また、この情報は電話回線6090等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどディスプレイ6081に表示もしくは光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。  In addition, this information can be stored in the storage means can be transferred to a remote location, display or optical disks, etc. to display 6081 doctor room of another location, such as by the transmission means, such as a telephone line 6090, the remote doctor but it is also possible to diagnose. また記録手段となるフィルムプロセッサ6100によりフィルム6110に記録することもできる。 It is also possible to record by a film processor 6100 serving as recording means in the film 6110.
【図1】本発明の第1の実施形態を示す等価回路図である。 1 is an equivalent circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1の実施形態のTFT、及び光電変換素子部を有するパネル部の作成プロセスの模式的断面図である。 Figure 2 is a first embodiment of the TFT, and schematic cross-sectional view of the process of creating the panel section having a photoelectric conversion element of the present invention.
【図3】本発明の第1の実施形態の貼り合わせパネルの模式的平面図である。 Figure 3 is a schematic plan view of a bonded panel of the first embodiment of the present invention.
【図4】本発明の第1の実施形態のパネルのコーナー部の模式図である。 It is a schematic view of a corner portion of the panel of the first embodiment of the present invention; FIG.
【図5】本発明の第2の実施形態のパネルの貼り合わせた際の図である。 5 is a diagram at the time of bonding of the panel of the second embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第2の実施形態の単一のパネルを用いた際の図である。 It is a diagram when using a single panel of a second embodiment of the present invention; FIG.
【図7】本発明の第3の実施形態を示す等価回路図である。 7 is an equivalent circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第3の実施形態の他の例を示す等価回路図である。 8 is an equivalent circuit diagram showing another example of the third embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第3の実施形態のTFT駆動用ドライバの周辺部の電位を説明するための等価回路図である。 9 is an equivalent circuit diagram for explaining the potential of the peripheral portion of the third embodiment of the TFT for driving the driver of the present invention.
【図10】TFTの駆動配線間の接続形態を示す模式的平面図である。 10 is a schematic plan view showing a connection form between the drive wirings of the TFT.
【図11】図10のA−A部における断面を示す模式図である。 11 is a schematic diagram showing a cross section taken along A-A of FIG. 10.
【図12】TFTの駆動配線とスライスチェック配線間の接続形態を示す模式的平面図である。 12 is a schematic plan view showing a connection form between TFT driving wiring and a slice check wire.
【図13】図12のA−A部における断面を示す模式図である。 13 is a schematic diagram showing a cross section taken along A-A of FIG. 12.
【図14】本発明の第4の実施形態を示す等価回路図である。 14 is an equivalent circuit diagram showing a fourth embodiment of the present invention.
【図15】従来の光センサーの平面図である。 15 is a plan view of a conventional optical sensor.
【図16】従来のPIN型光センサーの断面の模式図である。 16 is a schematic sectional view of a conventional PIN type optical sensor.
【図17】従来の放射線画像読取装置の斜視図である。 17 is a perspective view of a conventional radiographic image reading apparatus.
【図18】従来の放射線画像読取装置の断面の模式図である。 18 is a schematic sectional view of a conventional radiation image reading apparatus.
【図19】貼り合わせパネルの模式的平面図である。 19 is a schematic plan view of a bonded panel.
【図20】貼り合わせパネルのつなぎ目中央部の拡大図である。 FIG. 20 is an enlarged view of a joint center of the bonded panel.
【図21】パネル切断部の模式的平面図である。 21 is a schematic plan view of a panel cut.
【図22】本発明の半導体装置をX線診断装置に応用した場合のシステム図である。  The semiconductor device of the present invention is a system diagram of application of the X-ray diagnostic apparatus.
【請求項1】 基板上に複数の機能素子が構成されている半導体装置において、前記基板の周囲に該基板の切断用のスライスラインが設けられ、該スライスラインと前記機能素子との間に周囲配線を有する半導体装置。 1. A semiconductor device having a plurality of functional elements on a substrate is formed, slice lines for cutting the substrate is provided around the substrate, the periphery between the slice lines and the functional element the semiconductor device having a wiring.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置において、前記周囲配線は前記基板の切断の良否をチェックするための配線である半導体装置。 2. A semiconductor device according to claim 1, the semiconductor device wherein the peripheral wiring is a wiring for checking the quality of the cutting of the substrate.
【請求項3】 請求項1記載の半導体装置において、前記周囲配線は一定電位に接続されている半導体装置。 3. A semiconductor device according to claim 1, wherein the peripheral wiring semiconductor device which is connected to a constant potential.
【請求項4】 請求項3記載の半導体装置において、前記一定電位は接地電位である半導体装置。 4. A semiconductor device according to claim 3, the semiconductor device wherein the constant potential is a ground potential.
【請求項5】 請求項1記載の半導体装置において、前記周囲配線は導電検査のためのパット部を有している半導体装置。 5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the peripheral wiring semiconductor device having a pad portion for conducting the inspection.
【請求項6】 請求項1記載の半導体装置において、前記周囲配線は、前記機能素子の駆動配線、もしくは信号配線に接続されている半導体装置。 The semiconductor device 6. The method of claim 1, wherein the peripheral wiring drive wiring or a semiconductor device which is connected to the signal wiring of the functional element.
【請求項7】 請求項1記載の半導体装置において、前記基板上に機能素子としてTFT素子と光電変換素子が構成されており、前記周囲配線は、該光電変換素子のバイアス配線と接続されている半導体装置。 The semiconductor device of claim 7 according to claim 1, wherein which TFT elements and the photoelectric conversion element is configured as a functional element on a substrate, said peripheral wiring is connected to the bias wiring of the photoelectric conversion element semiconductor device.
【請求項8】 請求項6記載の半導体装置において、前記基板上に機能素子としてTFT素子と光電変換素子が構成されており、前記周囲配線は、該光電変換素子のバイアス配線と接続されている半導体装置。 8. The semiconductor device according to claim 6, wherein which TFT elements and the photoelectric conversion element is configured as a functional element on a substrate, said peripheral wiring is connected to the bias wiring of the photoelectric conversion element semiconductor device.
【請求項9】 請求項1記載の半導体装置において、前記基板は絶縁性である半導体装置。 9. The semiconductor device according to claim 1, the semiconductor device wherein the substrate is insulating.
前記機能素子上に波長変換体を有する半導体装置。 The semiconductor device having a wavelength converter on the functional element.
【請求項11】 請求項10記載の半導体装置において、前記波長変換体は蛍光体である半導体装置。 11. A semiconductor device according to claim 10, the semiconductor device wherein the wavelength converter is a phosphor.
【請求項12】 基板上に複数の機能素子が構成されている半導体装置において、前記基板の周囲に基準電圧源に接続された周囲配線を有する半導体装置。 12. A semiconductor device in which a plurality of functional elements on a substrate is formed, a semiconductor device having a peripheral wiring connected to a reference voltage source around the substrate.
【請求項13】 請求項12記載の半導体装置において、前記周囲配線は前記基板の切断の良否をチェックするための配線である半導体装置。 13. The semiconductor device according to claim 12, wherein the semiconductor device wherein the peripheral wiring is a wiring for checking the quality of the cutting of the substrate.
【請求項14】 請求項12記載の半導体装置において、前記周囲配線が接地電位に保持されている半導体装置。 14. The semiconductor device according to claim 12, a semiconductor device in which the peripheral wires are held at ground potential.
【請求項15】 請求項12記載の半導体装置において、前記周囲配線は導電検査のためのパット部を有している半導体装置。 15. The semiconductor device according to claim 12, the semiconductor device wherein the peripheral wiring having a pad portion for conducting the inspection.
信号配線に接続されている半導体装置。 The semiconductor device is connected to the signal line.
【請求項17】 請求項12記載の半導体装置において、前記基板上に、前記機能素子としてTFT素子と光電変換素子が構成されており、前記周囲配線は、該光電変換素子のバイアス配線と接続されている半導体装置。 17. The semiconductor device according to claim 12, on the substrate, said and TFT elements and the photoelectric conversion element is configured as a functional element, said peripheral line is connected to the bias line of the photoelectric conversion element in which the semiconductor device.
【請求項18】 請求項16記載の半導体装置において、前記基板上に、前記機能素子としてTFT素子と光電変換素子とが構成されており、前記周囲配線は、該光電変換素子のバイアス配線と接続されている半導体装置。 18. The semiconductor device according to claim 16, on the substrate, said has a TFT element and a photoelectric conversion element is configured as a functional element, said peripheral wiring connected to the bias line of the photoelectric conversion element semiconductor devices that are.
【請求項19】 請求項12記載の半導体装置において、前記基板は絶縁性である半導体装置。 19. The semiconductor device according to claim 12, the semiconductor device wherein the substrate is insulating.
【請求項20】 請求項12記載の半導体装置において、前記機能素子上に波長変換体を有する半導体装置。 20. A semiconductor device according to claim 12, a semiconductor device having a wavelength converter on the functional element.
【請求項21】 請求項20記載の半導体装置において、前記波長変換体は蛍光体である半導体装置。 The semiconductor device 21. The method of claim 20, wherein the semiconductor device wherein the wavelength converter is a phosphor.
【請求項22】 基板上に複数のTFT(薄膜トランジスタ)により、複数の画素が構成されているTFT基板を有する半導体装置において、 前記TFTの駆動配線が配線抵抗Rsを介してそれぞれ接続され、 前記TFT基板の1画素は、前記TFTと光電変換素子とから構成され、該光電変換素子のバイアス配線と前記TFTの駆動配線が接続されており、 前記TFT基板の周囲に該TFT基板切断用のスライスラインを有し、 該スライスラインと前記TFTとの間に周囲配線を有する半導体装置。 The method according to claim 22 a plurality of TFT on the substrate (thin film transistor), a semiconductor device having a TFT substrate having a plurality of pixels are configured, the driving wiring of the TFT are connected through the wiring resistance Rs, the TFT 1 pixel of the substrate, the is composed of a TFT and the photoelectric conversion element, photoelectric bias line of the conversion element and the driving wiring is connected to the TFT, a slice line for the TFT substrate cleavage around the TFT substrate the a, a semiconductor device having a peripheral wiring between the slice lines and the TFT.
【請求項23】 請求項22記載の半導体装置において、前記周囲配線は前記基板の切断の良否をチェックするための配線である半導体装置。 23. The semiconductor device according to claim 22, the semiconductor device wherein the peripheral wiring is a wiring for checking the quality of the cutting of the substrate.
【請求項24】 請求項22記載の半導体装置において、前記周囲配線は基準電圧源に接続されている半導体装置。 The semiconductor device of claim 24 claim 22, wherein the peripheral wiring semiconductor device which is connected to a reference voltage source.
【請求項25】 請求項22記載の半導体装置において、前記周囲配線は接地電位に保持されている半導体装置。 25. A semiconductor device according to claim 22, wherein said peripheral wires semiconductor device which is held at ground potential.
【請求項26】 請求項22記載の半導体装置において、前記周囲配線は導電検査のためのパット部を有している半導体装置。 26. The semiconductor device according to claim 22, wherein the peripheral wiring semiconductor device having a pad portion for conducting the inspection.
【請求項27】 請求項22記載の半導体装置において、前記周囲配線は、前記TFTの駆動配線または、信号配線に接続されている半導体装置。 The semiconductor device of claim 27 claim 22, wherein the peripheral wiring drive wiring of the TFT or a semiconductor device which is connected to the signal line.
【請求項28】 請求項22記載の半導体装置において、前記周囲配線が、該光電変換素子のバイアス配線と接続されている半導体装置。 28. The semiconductor device according to claim 22, a semiconductor device wherein the peripheral wiring is connected to the bias wiring of the photoelectric conversion element.
【請求項29】 請求項27記載の半導体装置において、前記周囲配線が、該光電変換素子のバイアス配線と接続されている半導体装置。 29. The semiconductor device according to claim 27, a semiconductor device wherein the peripheral wiring is connected to the bias wiring of the photoelectric conversion element.
Roである半導体装置。 A semiconductor device which is Ro.
【請求項31】 放射線源と、 波長変換体と、 基板上に複数のTFT(薄膜トランジスタ)により、複数の画素が構成されているTFT基板と、 前記TFTの駆動配線が配線抵抗Rsを介してそれぞれ接続され、 前記TFT基板の1画素は、前記TFTと光電変換素子とから構成され、該光電変換素子のバイアス配線と前記TFTの駆動配線が接続されており、 前記TFT基板の周囲に該TFT基板切断用のスライスラインを有し、 該スライスラインと前記TFT基板との間に周囲配線を有する放射線検出装置。 And 31. The radiation source, the wavelength converter, a plurality of TFT on the substrate (thin film transistor), respectively, via a TFT substrate in which a plurality of pixels are configured, the drive wiring is wiring resistance Rs of the TFT connected, one pixel of the TFT substrate, the is composed of a TFT and the photoelectric conversion element, the bias wiring of the photoelectric conversion element and the driving wiring is connected to the TFT, the TFT substrate on the periphery of the TFT substrate a slice line for cutting, the radiation detecting apparatus having a peripheral wiring between the TFT substrate and the slice lines.
【請求項32】 請求項31に記載の放射線検出装置を有する放射線検出システムにおいて、 前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、 前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、 前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、 前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、を備えた放射線検出システム。 32. A radiation detection system comprising a radiation detecting apparatus according to claim 31, a signal processing means for processing the signals from the radiation detecting device, a recording means for recording a signal from said signal processing means When the radiation detection system comprising a display means for displaying the signal from said signal processing means, and a transmission processing means for transmitting a signal from said signal processing means.
【請求項33】 請求項22に記載の半導体装置の製造方法において、 前記基板を前記スライスラインによって所定のサイズに切断するステップと、前記周囲配線の導電検査を行うステップと、 前記導電検査した後、前記TFT駆動用ドライバ、前記光電変換素子駆動用ドライバを実装するステップと、を備えた半導体装置の製造方法。 33. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 22, comprising the steps of cutting the substrate into a predetermined size by the slice lines and performing conductivity test of the peripheral wires, after checking the conductive the TFT for driving the driver, a method of manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: mounting the photoelectric conversion element driving driver.
【請求項34】 請求項33に記載の半導体装置の製造方法において、前記周囲配線を前記TFTの駆動配線もしくは前記光電変換素子のバイアス配線と接続するステップを備えた半導体装置の製造方法。 In 34. The method according to claim 33, a method of manufacturing a semiconductor device of the peripheral wiring comprising a step of connecting the bias wiring of the drive line or the photoelectric conversion element of the TFT.
【請求項35】 請求項33に記載の半導体装置の製造方法において、前記周囲配線の導電検査を行なった後に、該周囲配線と前記TFTの駆動配線もしくは前記光電変換素子のバイアス配線との接続部において接続を切断するステップを備えた半導体装置の製造方法。 35. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 33, after performing a conductive inspection of the peripheral wiring connecting portion between the bias line of the drive wire or the photoelectric conversion element of the with the peripheral wiring TFT the method of manufacturing a semiconductor device including the step of disconnecting at.
【請求項36】 請求項33に記載の半導体装置の製造方法において、前記切断後の複数の基板を貼り合せるステップを備えた半導体装置の製造方法。 In 36. The method according to claim 33, a method of manufacturing a semiconductor device including the step of bonding a plurality of substrates after the cutting.
NL194873C (en) * 1992-08-13 2003-05-06 Oki Electric Ind Co Ltd A thin-film transistor array, and its use in making liquid crystal display device.


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