Basándote en este pasaje, proporciona una lista con viñetas de los procesos utilizados para preparar materiales semiconductores para circuitos integrados (CI).
Hay una combinación de procesos que se utilizan para preparar materiales semiconductores para circuitos integrados. Un proceso se denomina oxidación térmica, que forma dióxido de silicio en la superficie del silicio. Éste se utiliza como aislante de puerta y óxido de campo. Otros procesos se denominan fotomáscaras y fotolitografía. Este proceso es el que crea los patrones en el circuito integrado. Se utiliza luz ultravioleta junto con una capa fotorresistente para crear un cambio químico que genera los patrones del circuito.

El grabado es el siguiente proceso necesario. Ahora se puede grabar la parte del silicio que no estaba cubierta por la capa fotorresistente del paso anterior. El principal proceso que se suele utilizar hoy en día se llama grabado por plasma. El grabado por plasma suele implicar el bombeo de un gas de grabado en una cámara de baja presión para crear plasma. Un gas de grabado habitual es el clorofluorocarbono, o más comúnmente conocido como freón. Lo que crea el plasma en la cámara es un alto voltaje de radiofrecuencia entre el cátodo y el ánodo. La oblea de silicio está situada sobre el cátodo, lo que hace que sea golpeada por los iones cargados positivamente que se desprenden del plasma. El resultado es silicio grabado anisotrópicamente.

El último proceso se denomina difusión. Es el proceso que confiere al material semiconductor las propiedades semiconductoras deseadas. También se conoce como dopaje. El proceso introduce un átomo impuro en el sistema, lo que crea la unión p-n. Para conseguir que los átomos impuros se incrusten en la oblea de silicio, primero se introduce la oblea en una cámara a 1.100 grados Celsius. Los átomos se inyectan y acaban difundiéndose con el silicio. Una vez finalizado el proceso y el silicio ha alcanzado la temperatura ambiente, se realiza el proceso de dopaje y el material semiconductor está listo para ser utilizado en un circuito integrado.
-Oxidación térmica
-Fotomáscaras/fotolitografía
-Grabado (principalmente por plasma)
-Difusión/dopaje
Based on this passage, please provide a bullet-point list of the processes used to prepare semiconducting materials for integrated circuits (ICs).
There is a combination of processes that are used to prepare semiconducting materials for ICs. One process is called thermal oxidation, which forms silicon dioxide on the surface of the silicon. This is used as a gate insulator and field oxide. Other processes are called photomasks and photolithography. This process is what creates the patterns on the circuit in the integrated circuit. Ultraviolet light is used along with a photoresist layer to create a chemical change that generates the patterns for the circuit.[4]

The etching is the next process that is required. The part of the silicon that was not covered by the photoresist layer from the previous step can now be etched. The main process typically used today is called plasma etching. Plasma etching usually involves an etch gas pumped in a low-pressure chamber to create plasma. A common etch gas is chlorofluorocarbon, or more commonly known Freon. A high radio-frequency voltage between the cathode and anode is what creates the plasma in the chamber. The silicon wafer is located on the cathode, which causes it to be hit by the positively charged ions that are released from the plasma. The result is silicon that is etched anisotropically.[1][4]

The last process is called diffusion. This is the process that gives the semiconducting material its desired semiconducting properties. It is also known as doping. The process introduces an impure atom to the system, which creates the p–n junction. To get the impure atoms embedded in the silicon wafer, the wafer is first put in a 1,100 degree Celsius chamber. The atoms are injected in and eventually diffuse with the silicon. After the process is completed and the silicon has reached room temperature, the doping process is done and the semiconducting material is ready to be used in an integrated circuit.[1][4]
-Thermal oxidation
-Photomasks/photolithography
-Etching (mainly plasma etching)
-Diffusion/doping