Erstelle anhand dieses Textes eine Aufzählung der Verfahren, die zur Herstellung von Halbleitermaterialien für integrierte Schaltungen (ICs) verwendet werden.
Es gibt eine Kombination von Verfahren, die zur Herstellung von Halbleitermaterialien für ICs verwendet werden. Ein Verfahren ist die thermische Oxidation, bei der sich Siliziumdioxid auf der Oberfläche des Siliziums bildet. Dieses wird als Gate-Isolator und Feldoxid verwendet. Andere Verfahren sind die Fotomaske und die Fotolithografie. Bei diesem Verfahren werden die Muster auf den Schaltkreisen der integrierten Schaltung erzeugt. Ultraviolettes Licht wird zusammen mit einer Fotolackschicht verwendet, um eine chemische Veränderung zu bewirken, die die Muster für die Schaltung erzeugt.

Das Ätzen ist der nächste Prozess, der erforderlich ist. Der Teil des Siliziums, der nicht von der Fotolackschicht aus dem vorherigen Schritt bedeckt war, kann nun geätzt werden. Das heute übliche Verfahren ist das Plasma-Ätzen. Beim Plasmaätzen wird normalerweise ein Ätzgas in eine Niederdruckkammer gepumpt, um ein Plasma zu erzeugen. Ein gängiges Ätzgas ist Fluorchlorkohlenwasserstoff, besser bekannt als Freon. Eine hohe Hochfrequenzspannung zwischen Kathode und Anode sorgt für die Erzeugung des Plasmas in der Kammer. Der Silizium-Wafer befindet sich auf der Kathode, wodurch er von den positiv geladenen Ionen getroffen wird, die vom Plasma freigesetzt werden. Das Ergebnis ist Silizium, das anisotrop geätzt wird.

Der letzte Prozess wird Diffusion genannt. Dies ist der Prozess, der dem Halbleitermaterial die gewünschten Halbleitereigenschaften verleiht. Er wird auch als Dotierung bezeichnet. Bei diesem Prozess wird ein unreines Atom in das System eingebracht, wodurch der p-n-Übergang entsteht. Um die unreinen Atome in den Siliziumwafer einzubringen, wird der Wafer zunächst in eine 1.100 Grad Celsius heiße Kammer gelegt. Die Atome werden hineingespritzt und diffundieren schließlich mit dem Silizium. Nachdem der Prozess abgeschlossen ist und das Silizium die Raumtemperatur erreicht hat, ist der Dotierungsprozess abgeschlossen und das Halbleitermaterial ist bereit für die Verwendung in einem integrierten Schaltkreis.
-Thermische Oxidation
-Fotomasken/Photolithographie
Ätzen (hauptsächlich Plasma-Ätzen)
-Diffusion/Dotierung
Based on this passage, please provide a bullet-point list of the processes used to prepare semiconducting materials for integrated circuits (ICs).
There is a combination of processes that are used to prepare semiconducting materials for ICs. One process is called thermal oxidation, which forms silicon dioxide on the surface of the silicon. This is used as a gate insulator and field oxide. Other processes are called photomasks and photolithography. This process is what creates the patterns on the circuit in the integrated circuit. Ultraviolet light is used along with a photoresist layer to create a chemical change that generates the patterns for the circuit.[4]

The etching is the next process that is required. The part of the silicon that was not covered by the photoresist layer from the previous step can now be etched. The main process typically used today is called plasma etching. Plasma etching usually involves an etch gas pumped in a low-pressure chamber to create plasma. A common etch gas is chlorofluorocarbon, or more commonly known Freon. A high radio-frequency voltage between the cathode and anode is what creates the plasma in the chamber. The silicon wafer is located on the cathode, which causes it to be hit by the positively charged ions that are released from the plasma. The result is silicon that is etched anisotropically.[1][4]

The last process is called diffusion. This is the process that gives the semiconducting material its desired semiconducting properties. It is also known as doping. The process introduces an impure atom to the system, which creates the p–n junction. To get the impure atoms embedded in the silicon wafer, the wafer is first put in a 1,100 degree Celsius chamber. The atoms are injected in and eventually diffuse with the silicon. After the process is completed and the silicon has reached room temperature, the doping process is done and the semiconducting material is ready to be used in an integrated circuit.[1][4]
-Thermal oxidation
-Photomasks/photolithography
-Etching (mainly plasma etching)
-Diffusion/doping