IBM กล่าวว่า "อิเล็กตรอนลงมาจากตัวปล่อยโพลีซิลิคอน เร่งความเร็วผ่านฐาน SiGe และหมุนในชั้น SOI ไปยังอิเล็กโทรดหน้าสัมผัสของตัวสะสม
" อิเล็กตรอนลงมาจากตัวปล่อยโพลีซิลิคอน และเร่งความเร็วผ่าน SiGe ฐานและทำการเลี้ยวในชั้นซอยไปทางอิเล็กโทรดหน้าสัมผัสตัวสะสม” บริษัท กล่าว