 මෙම ඡේදය මත පදනම්ව, කරුණාකර ඒකාබද්ධ පරිපථ (ICs) සඳහා අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍ය සකස් කිරීමට භාවිතා කරන ක්‍රියාවලි වල බුලට්-පොයින්ට් ලැයිස්තුවක් සපයන්න.
IC සඳහා අර්ධ සන්නායක ද්රව්ය සකස් කිරීම සඳහා භාවිතා කරන ක්රියාවලීන්ගේ එකතුවක් ඇත. එක් ක්රියාවලියක් තාප ඔක්සිකරණය ලෙස හැඳින්වේ, සිලිකන් මතුපිට සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් සාදයි. මෙය ද්වාර පරිවාරකයක් සහ ක්ෂේත්‍ර ඔක්සයිඩ් ලෙස භාවිතා කරයි. අනෙකුත් ක්‍රියාවලීන් ෆොටෝමාස්ක් සහ ෆොටෝලිතෝග්‍රැෆි ලෙස හැඳින්වේ. සංයුක්ත පරිපථයේ පරිපථයේ රටා නිර්මාණය කරන්නේ මෙම ක්‍රියාවලියයි. පාරජම්බුල කිරණ චාරිකාව සඳහා රටා උත්පාදනය කරන රසායනික වෙනසක් නිර්මාණය කිරීම සඳහා photoresist ස්ථරයක් සමඟ භාවිතා කරයි. කැටයම් කිරීම අවශ්ය වන ඊළඟ ක්රියාවලියයි. කලින් පියවරේ සිට photoresist ස්ථරයෙන් ආවරණය නොවූ සිලිකන් කොටස දැන් කැටයම් කළ හැක. වර්තමානයේ සාමාන්යයෙන් භාවිතා කරන ප්රධාන ක්රියාවලිය ප්ලාස්මා එචිං ලෙස හැඳින්වේ. ප්ලාස්මා කැටයම් කිරීම සාමාන්‍යයෙන් ප්ලාස්මා සෑදීම සඳහා අඩු පීඩන කුටියක පොම්ප කරන ලද එච්ච් වායුවක් ඇතුළත් වේ. සාමාන්‍ය කැටයම් වායුවක් වන්නේ ක්ලෝරෝෆ්ලෝරෝකාබන් හෝ වඩාත් බහුලව දන්නා ෆ්‍රෝන් ය. කැතෝඩය සහ ඇනෝඩය අතර ඉහළ රේඩියෝ-සංඛ්‍යාත වෝල්ටීයතාවයක් කුටියේ ප්ලාස්මාව නිර්මාණය කරයි. සිලිකන් වේෆරය කැතෝඩය මත පිහිටා ඇති අතර එමඟින් ප්ලාස්මාවෙන් මුදා හරින ධන ආරෝපිත අයන මගින් එය පහර දෙයි. එහි ප්‍රතිඵලය වන්නේ ඇනිසොට්‍රොපික් ලෙස කැටයම් කර ඇති සිලිකන් ය. අවසාන ක්රියාවලිය විසරණය ලෙස හැඳින්වේ. අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යයට අපේක්ෂිත අර්ධ සන්නායක ගුණ ලබා දෙන ක්‍රියාවලිය මෙයයි. එය තහනම් උත්තේජක ලෙසද හැඳින්වේ. මෙම ක්රියාවලිය පද්ධතියට අපිරිසිදු පරමාණුවක් හඳුන්වා දෙයි, එය p-n හන්දිය නිර්මාණය කරයි. අපිරිසිදු පරමාණු සිලිකන් වේෆරය තුළ තැන්පත් කර ගැනීම සඳහා, වේෆරය මුලින්ම සෙල්සියස් අංශක 1,100 කුටියකට දමනු ලැබේ. පරමාණු එන්නත් කර අවසානයේ සිලිකන් සමඟ විසරණය වේ. ක්‍රියාවලිය අවසන් වී සිලිකන් කාමර උෂ්ණත්වයට පැමිණි පසු, මාත්‍රණ ක්‍රියාවලිය සිදු කර අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍ය ඒකාබද්ධ පරිපථයක භාවිතා කිරීමට සූදානම් වේ.
-තාප ඔක්සිකරණය - ෆොටෝමාස්ක්/ෆොටෝලිතෝග්‍රැෆි - කැටයම් (ප්‍රධාන වශයෙන් ප්ලාස්මා කැටයම් කිරීම) -විසරණය/ මාත්‍රණය