None
2B005




IX.A2.006


Systemen, apparatuur en „samenstellingen” voor dimensionale inspectie en meting, als volgt:
a)  computergestuurde of „numeriek bestuurde” coördinatenmeetmachines (CMM), met een driedimensionale (volumetrische) maximaal toelaatbare lengtemeetfout (E0,MPE) op enig punt in het werkbereik van de machine (d.w.z. binnen de aslengte) gelijk aan of minder (nauwkeuriger) dan (1,7 + L/1 000 ) μm (L is de gemeten lengte in mm), overeenkomstig ISO-norm 10360-2 (2009);
b)  meetinstrumenten voor lineaire en hoekverplaatsingen, als volgt:
1.  meetinstrumenten voor „lineaire verplaatsingen” met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a.  meetsystemen van het contactloze type met een „resolutie” gelijk aan of kleiner (beter) dan 0,2 μm binnen een meetgebied tot en met 0,2 mm;
b.  lineaire variabele verschilomzetters (Linear Variable Differential Transformers of LVDT):
1.  met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a.  „lineariteit” gelijk aan of minder (nauwkeuriger) dan 0,1 % gemeten van 0 tot het „volledige werkgebied”, voor LVDT's met een „volledig werkgebied” tot en met ± 5 mm; of
b.  „lineariteit” gelijk aan of minder (nauwkeuriger) dan 0,1 % gemeten van 0 tot 5 mm, voor LVDT's met een „volledig werkgebied” groter dan ± 5 mm; en
2.  verloop gelijk aan of minder (nauwkeuriger) dan 0,1 % per dag bij een standaardomgevingstemperatuur in de testruimte ± 1 K;


Technische opmerking:



In het bovenstaande punt b wordt met een „volledig werkgebied” de helft van de totale mogelijke lineaire verplaatsing van de LVDT bedoeld. LVDT's met een „volledig werkgebied” tot en met ± 5 mm kunnen bijvoorbeeld een totale mogelijke lineaire verplaatsing van 10 mm hebben.
 c.  meetsystemen met alle volgende kenmerken:
1.  zij bevatten een „laser”;
2.  een „resolutie” over hun volledige schaal van 0,200 nm of kleiner (nauwkeuriger); en
3.  het vermogen om een „meetonzekerheid” te bereiken die gelijk is aan of minder bedraagt (nauwkeuriger is) dan (1,6 + L/2 000 ) nm (L is de gemeten lengte in mm) op ieder punt in een meetgebied, gecompenseerd voor de refractieve luchtindex en gemeten gedurende een periode van 30 seconden bij een temperatuur van 20 ± 0,01 °C; of
d.  „elektronische samenstellingen” speciaal ontworpen om in bovenvermelde systemen terugkoppelcapaciteit te leveren;
2.  meetinstrumenten voor hoekverplaatsingen;


Opmerking: De bovenstaande categorie is niet van toepassing op optische instrumenten, zoals autocollimatoren, die gebruikmaken van gecollimeerd licht (bv. laserlicht) voor de bepaling van hoekverplaatsingen van een spiegel.
c)  apparatuur voor het meten van oppervlakteruwheid (met inbegrip van oppervlakteonvolkomenheden) met een gevoeligheid van 0,5 nm of minder (nauwkeuriger) door het meten van optische verstrooiing.
2B006.b.
2B206.b




IX.A2.007


„Robots” met een of meerdere van de volgende kenmerken, en speciaal ontworpen besturingsapparatuur en „eindeffectoren” daarvoor:
a)  geschikt voor onvertraagde (in real time), volledig driedimensionale beeldverwerking of volledig driedimensionale „beeldanalyse” voor het maken of wijzigen van „programma's” of voor het maken of wijzigen van numerieke programmagegevens;


Technische opmerking:



Deze beperking van de „beeldanalyse” sluit een bepaling van de derde dimensie door middel van beschouwing vanuit een vaste hoek niet uit, noch een beperkte interpretatie van grijstinten voor de waarneming van diepte of structuur voor de toegestane taken (2 1/2 D).
 b)  speciaal ontworpen volgens nationale veiligheidsnormen voor gebruik in ruimten met mogelijk explosieve munitie;
c)  speciaal ontworpen of gekwalificeerd als bestand zijnde tegen een totale stralingsdosis van een stralingsniveau hoger dan 5 × 103 Gy (silicium) zonder verslechtering van de werking; of
d)  speciaal ontworpen voor gebruik op een hoogte van meer dan 30 000  m.
2B007
2B207




IX.A2.008


Samenstellingen of eenheden, speciaal ontworpen voor werktuigmachines, maatinspectie- of meetsystemen of apparatuur, als volgt:
a)  lineaire plaatsbepalers die een totale „nauwkeurigheid” hebben kleiner (nauwkeuriger) dan (800 + (600 × L/1 000 )) nm (waarbij L de effectieve lengte is in mm);
b)  roterende plaatsbepalers die een „nauwkeurigheid” hebben kleiner (nauwkeuriger) dan 0,00025 °; of
c)  „samengestelde draaitafels” of „kantelspillen” die de mogelijkheden van werktuigmachines kunnen vergroten tot aan of boven de in deze categorie bedoelde niveaus.
2B008




IX.A2.009


Forceer-(spin-forming) of vloei-(flow-forming) draaibanken, die, volgens de technische specificatie van fabrikant, kunnen worden uitgerust met „numerieke besturings”-eenheden of computerbesturing, en met alle volgende kenmerken:
a)  drie of meer bestuurde assen waarvan er minstens twee gelijktijdig kunnen samenwerken voor „contourbesturen”; en
b)  een walskracht van meer dan 60 kN.
Technische opmerking: Machines die de functies van forceren en vloeidraaien combineren, worden beschouwd als vloeidraaibanken.
2B009
2B109
2B209





IX.A3.   
ELEKTRONICA
















Nr.
Omschrijving


Verwant item in bijlage I bij Verordening (EG) nr. 428/2009




IX.A3.001


Elektronische producten, als volgt:
a)  universele geïntegreerde schakelingen, als volgt:


Opmerkingen:



1.  De vraag of een uitvoervergunning is vereist voor (al dan niet afgewerkte) plakken (wafers) waarin de functie reeds is vastgelegd, dient te worden beoordeeld aan de hand van de parameters in 3A001.a.
 2.  Geïntegreerde schakelingen omvatten de volgende typen:


— „monolithische geïntegreerde schakelingen”;



— „hybride geïntegreerde schakelingen”;



— „multichip geïntegreerde schakelingen”;



— „geïntegreerde schakelingen van het filmtype”, met inbegrip van geïntegreerde schakelingen van silicium op saffier;



— „optische geïntegreerde schakelingen”;



— „driedimensionale geïntegreerde schakelingen”;



— „monolithisch geïntegreerde microgolfschakelingen” („MMIC's”).
3A001.a




IX.A3.002


Geïntegreerde schakelingen, ontworpen of gespecificeerd als bestand tegen een of meerdere van de volgende parameters:
a)  een totale dosis ioniserende straling van 5 × 103 Gy (silicium) of meer;
b)  storing bij een dosistempo van 5 × 106 Gy (silicium)/s of meer; of
c)  een fluentie (geïntegreerde flux) van neutronen (gelijk aan 1 MeV) van 5 × 1 n/cm2 of meer op silicium, of het equivalent daarvan voor andere materialen.
Opmerking: Niet van toepassing op MIS-condensatoren (Metal Insulator Semiconductors).
3A001.a.
IX.A3.003


„Microprocessor-microschakelingen”,
„microcomputer-microschakelingen”, microbesturing-microschakelingen, geïntegreerde geheugenschakelingen vervaardigd van samengesteld halfgeleidermateriaal, analoog-digitaalomzetters, geïntegreerde schakelingen die analoog-digitaalomzetters bevatten en gedigitaliseerde gegevens opslaan of verwerken, digitaal-analoogomzetters, elektro-optische of „optisch geïntegreerde schakelingen” voor „signaalverwerking”, door de gebruiker te programmeren logische elementen, op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de status van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet bekend is, of FFT (Fast Fourier Transform)-processoren, elektrisch wisbare PROM's (EEPROM's), flash-geheugens, statische RAM's (SRAM's) of magnetische RAM's (MRAM's), met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a)  gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur hoger dan 398 K (+ 125 °C);
b)  gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur lager dan 218 K (– 55 °C); of
c)  gespecificeerd om te werken over het gehele omgevingstemperatuurbereik van 218 K (– 55 °C) tot 398 K (+ 125 °C).
Opmerking: Deze categorie is niet van toepassing op geïntegreerde schakelingen voor toepassingen in civiele automobielen of treinen.
 3A001.a.2




IX.A3.004


Elektro-optische of „optische geïntegreerde schakelingen” voor „signaalverwerking” met alle volgende kenmerken:
a)  een of meer inwendige „laser”-dioden;
b)  een of meer inwendige lichtdetectie-elementen; en
c)  optische golfgeleiders.
3A001.a.
IX.A3.005


4.  Door de gebruiker te programmeren logische elementen met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a)  een maximaal aantal enkelvoudige digitale inputs/outputs van 700 of meer; of
b)  een „totale unilaterale piek seriële transceiver datasnelheid” van 500 Gb/s of meer.
Opmerking: Deze categorie omvat:


— Simple Programmable Logic Devices - eenvoudige programmeerbare logische elementen (SPLD's);



— Complex Programmable Logic Devices - complexe programmeerbare logische elementen (CPLD's);



— Field Programmable Gate Arrays - door de gebruiker te programmeren gate arrays (FPGA's);



— Field Programmable Logic Arrays - door de gebruiker te programmeren logic arrays (FPLA's);



— Field Programmable Interconnects - door de gebruiker te programmeren interconnects (FPIC's).
3A001.a.
IX.A3.006


Geïntegreerde schakelingen voor neurale netwerken;


3A001.a.
IX.A3.007


Op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de status van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet aan de fabrikant bekend is, met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a)  meer dan 1 500  in-/uitgangspunten;
b)  een typische „voortplantingsvertragingstijd van de basispoort” van minder dan 0,02 ns; of
c)  een werkfrequentie vanaf 3 GHz.
3A001.a.
IX.A3.008


Directe digitale Synthesizer (DDS) geïntegreerde schakelingen met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a)  een digitaal/analoog-omzetter(DAC)klokfrequentie van 3,5 GHz of meer en een DAC-resolutie van 10 bit of meer, maar minder dan 12 bit; of
b)  een DAC-klokfrequentie van 1,25 GHz of meer en een DAC-resolutie van 12 bit of meer.
Technische opmerking: De DAC-klokfrequentie kan worden gespecificeerd als de hoofdklokfrequentie of de invoerklokfrequentie.
3A001.a.
 IX.A3.009


Microgolf- of millimetergolfproducten, als volgt:
a)  „elektronische vacuümelementen” met een lopende-golf, voor puls- of ongedempte golven;
1.  toestellen die werken bij frequenties hoger dan 31,8 GHz;
2.  toestellen met een kathodeverhittingselement dat in minder dan drie seconden het gespecificeerde RF-vermogen bereikt;
3.  gekoppelde trilholtecomponenten of afgeleiden daarvan, met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 7 % of een piekvermogen van meer dan 2,5 kW;
4.  toestellen die zijn gebaseerd op schakelingen met een spiraalvormige golfgeleider, gevouwen golfgeleider of kronkelende golfgeleider of afgeleiden daarvan, met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a.  een „momentele bandbreedte” van meer dan één octaaf, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) en frequentie (in GHz) van meer dan 0,5;
b.  een „momentele bandbreedte” van een octaaf of minder, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) en frequentie (in GHz) van meer dan 1;
c.  „voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd”; of
d.  met een gerasterd elektronenkanon;
5.  toestellen met een „fractionele bandbreedte” van 10 % of meer, en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a.  een ringvormige elektronenbundel;
b.  een niet-axiaalsymmetrische elektronenbundel; of
c.  meerdere elektronenbundels;
b)  versterkende „elektronische vacuümelementen met een dwarsveld” (crossed field) en meer dan 17 dB versterking;
c)  thermionische kathoden, ontworpen voor „elektronische vacuümelementen” voor het voortbrengen van een continue emissiestroomdichtheid groter dan 5 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden of een gepulseerde (onderbroken) emissiestroomdichtheid groter dan 10 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden;
d)  „elektronische vacuümelementen” met de mogelijkheid om in een „dual-mode” te werken.
Technische opmerking: „Dual-mode” houdt in dat de bundelstroom van het „elektronische vacuümelement” opzettelijk kan worden geschakeld tussen werking met ongedempte golven en pulsgolven door middel van een raster en een top-impulsuitgangsvermogen produceert die groter is dan het continugolfuitgangsvermogen.
3A001.b.
 IX.A3.010


„Monolithisch geïntegreerde microgolfschakelingen”- (MMIC-)vermogensversterkers met:
a)  nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 15 %, en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 75 W (48,75 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz;
2.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 55 W (47,4 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz;
3.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz; of
4.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz;
b)  nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 16 GHz met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %, en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 W (40 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz; of
2.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 5 W (37 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 16 GHz;
c)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 3 W (34,77 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;
d)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz;
e)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;
f)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 31,62 mW (15 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;
g)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 mW (10 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 5 %; of
h)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz.
 Opmerkingen:



1.  De status van de MMIC waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt.
2.  Deze categorie is niet van toepassing op MMIC's die speciaal zijn ontworpen voor andere toepassingen zoals telecommunicatie, radars en motorvoertuigen.
3A001.b.
 IX.A3.011


Discrete microgolftransistors, met:
a)  nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 400 W (56 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz;
2.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 205 W (53,12 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz;
3.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 115 W (50,61 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz; of
4.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 60 W (47,78 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz;
b)  nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz;
2.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 15 W (41,76 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz;
3.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 12 GHz tot en met 16 GHz; of
4.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 7 W (38,45 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz;
c)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,5 W (27 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz;
d)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz; of
e)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (-70 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz.
 Opmerkingen:



1.  De status van een transistor waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen.
2.  Deze categorie omvat kale blokjes, blokjes gemonteerd op dragers, of blokjes gemonteerd in pakketten. Naar sommige discrete transistors kan ook verwezen worden als vermogensversterkers.
3A001.b.
 IX.A3.012


Microgolf-halfgeleiderversterkers en microgolfassemblages/-modules die microgolf-halfgeleiderversterkers bevatten met:
a)  nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 15 %, en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 500 W (57 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz;
2.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 270 W (54,3 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz;
3.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 200 W (53 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz; of
4.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 90 W (49,54 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz;
b)  nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %, en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 70 W (48,54 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz;
2.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz;
3.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 30 W (44,77 dBm) op elke frequentie vanaf 12 GHz tot en met 16 GHz; of
4.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz;
c)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,5 W (27 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz;
d)  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 2 W (33 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;
e)  nominale werkfrequenties vanaf 43,5 GHz en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,2 W (23 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;
2.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 mW (13 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 5 %; of
3.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz.
 Opmerking: De status van een object waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen.
3A001.b.
IX.A3.013


Elektronisch of magnetisch afstembare banddoorlaat of bandsperfilters met meer dan vijf afstembare resonatoren, geschikt om af te stemmen over een frequentieband van 1,5:1 (fmax/fmin) in minder dan 10 μs bij:
a)  een banddoorlaatbandbreedte van meer dan 0,5 % van de centrale frequentie; of
b)  een bandsperbandbreedte van minder dan 0,5 % van de centrale frequentie.
3A001.b.
IX.A3.014


Converters en harmonische mixers met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a)  ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van „signaalanalysatoren” tot meer dan 90 GHz;
b)  ontworpen voor het vergroten van het werkgebied van signaalgeneratoren tot:
1.  meer dan 90 GHz;
2.  een uitgangsvermogen van meer dan 100 mW (20 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz;
c)  ontworpen voor het vergroten van het werkgebied van netwerkanalysatoren tot:
1.  meer dan 110 GHz;
2.  een uitgangsvermogen van meer dan 31,62 mW (15 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz;
3.  een uitgangsvermogen van meer dan 1 mW (0 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 90 GHz tot ten hoogste 110 GHz; of
d)  ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van microgolftestontvangers tot meer dan 110 GHz.
3A001.b.
IX.A3.015


Microgolfvermogensversterkers die bovenvermelde „elektronische vacuümelementen” bevatten en met alle volgende kenmerken:
a)  werkfrequenties hoger dan 3 GHz;
b)  een gemiddeld vermogen per massaeenheid aan de uitgang van meer dan 80 W/kg; en
c)  een volume van minder dan 400 cm3.
Opmerking: Niet van toepassing op apparatuur die is ontworpen of gespecificeerd voor een frequentieband die „door de Internationale Telecommunicatie Unie (ITU) toegewezen” is voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.
3A001.b.
 IX.A3.016


Microgolfvermogensmodules (MPM) bestaande uit ten minste „elektronische vacuümelementen” met een lopende-golf, een „monolithisch geïntegreerde microgolfschakeling” („MMIC”), een geïntegreerde elektronische vermogensregelaar en met alle volgende kenmerken:
a)  een 'opstarttijd', van uitgeschakeld naar volledig operationeel, van minder dan 10 seconden;
b)  een volume van minder dan het nominale maximumvermogen in watt, vermenigvuldigd met 10 cm3/W; en
c)  een „momentele brandbreedte” groter dan 1 octaaf (fmax > 2fmin) en een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  voor frequenties gelijk aan of kleiner dan 18 GHz, een RF-uitgangsvermogen van meer dan 100 W; of
2.  een frequentie groter dan 18 GHz.
Technische opmerkingen:



1.  Voorbeeld van de berekening van het volume in het bovenstaande punt b: voor een nominaal maximumvermogen van 20 W bedraagt het volume: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
2.  De „opstarttijd” in het bovenstaande punt a. is de tijd die verloopt tussen volledig uitgeschakeld en volledig operationeel; hieronder is dus ook de opwarmtijd van de MPM begrepen.
3A001.b.
IX.A3.017


Oscillatoren of een samenbouw van oscillatoren die zijn ontworpen om te werken met een enkelzijband (SSB) faseruis, in dBc/Hz, minder (beter) dan – (126 + 20log10F - 20log10f) binnen het bereik van 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz.
Technische opmerking:



In de bovenstaande categorie staat F voor de verschuiving van de werkfrequentie in Hz en f voor de werkfrequentie in MHz.
3A001.b.
 IX.A3.018


„Elektronische samenstellingen” met „frequentiesythese” met een „frequentiewisseltijd”, overeenkomstig een of meerdere van de volgende kenmerken:
a)  minder dan 143 ps;
b)  minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het frequentiesynthesebereik van hoger dan 4,8 GHz tot ten hoogste 31,8 GHz;
c)  minder dan 500 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 550 MHz binnen het frequentiesynthesebereik van hoger dan 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz;
d)  minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het frequentiesynthesebereik van hoger dan 37 GHz tot ten hoogste 90 GHz; of
e)  minder dan 1 ms binnen het frequentiesynthesebereik van meer dan 90 GHz.
3A001.b.
IX.A3.019


„Zend-/ontvangstmodules”, „zend-/ontvangst-MMIC's”, „zendmodules” en „zend-MMIC's”, gespecificeerd voor werkfrequenties vanaf 2,7 GHz en met alle volgende kenmerken:
a)  een verzadigd piekuitgangsvermogen (in watt), Psat, groter dan 505,62 gedeeld door de gekwadrateerde maximale werkfrequentie (in GHz) [Psat> 505,62 W*GHz2/fGHz
2] voor elk kanaal;
b)  een „fractionele bandbreedte” van 5 % of meer voor elk kanaal;
c)  een lengte d (in cm) die kleiner is dan of gelijk is aan 15 gedeeld door de laagste werkfrequentie in GHz [d ≤ 15 cm * GHz/fGHz], waarbij N het aantal zendkanalen of zend-/ontvangstkanalen is; en
d)  een elektronisch variabele faseverschuiver per kanaal.
Technische opmerkingen:



1.  Een „zend-/ontvangstmodule”: een multifunctionele „samenstelling” die bidirectionele amplitude- en faseregeling levert voor de verzending en ontvangst van signalen.
2.  Een „zendmodule”: een „samenstelling” die amplitude- en faseregeling levert voor de verzending van signalen.
3.  Een „zend-/ontvangst-MMIC”: een multifunctionele „MMIC” die bidirectionele amplitude- en faseregeling levert voor de verzending en ontvangst van signalen.
4.  Een „zend-MMIC”: een „MMIC” die amplitude- en faseregeling levert voor de verzending van signalen.
 5.  2,7 GHz moet gebruikt worden als de laagste werkfrequentie (fGHz) in de formule in c. voor zend-/ontvangstmodules of zendmodules die een nominale werkfrequentie hebben van 2,7 GHz en lager [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz].
6.  PuntIX.A3.019 Punt 11 is van toepassing op „zend-/ontvangstmodules” of „zendmodules” met of zonder koelelement. De waarde van d in punt 11.c. omvat geen delen van de „zend-/ontvangstmodule” of „zendmodule” die als koelelement fungeren.
7.  „Zend-/ontvangstmodules”, „zendmodules”, „zend-/ontvangst-MMIC's” of „zend-MMIC's” kunnen N geïntegreerde uitstralende antenne-elementen hebben, waarbij N het aantal zendkanalen of zend-/ontvangstkanalen is.
3A001.b.
IX.A3.020


Akoestische oppervlaktegolven en van akoestische golven die langs de oppervlakte scheren, met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a)  een draaggolffrequentie groter dan 6 GHz;
b)  een draaggolffrequentie groter dan 1 GHz, doch kleiner dan 6 GHz, en een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een „onderdrukking van de zijlobben groter” dan 65 dB;
2.  een product van de maximale vertragingstijd (tijd in μs en bandbreedte in MHz) groter dan 100;
3.  een bandbreedte van meer dan 250 MHz; of
4.  een dispersieve vertraging groter dan 10 μs; of
c)  een draaggolffrequentie van 1 GHz of lager, en met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een product van de maximale vertragingstijd (tijd in μs en bandbreedte in MHz) groter dan 100;
2.  een dispersieve vertraging groter dan 10 μs; of
3.  een „onderdrukking van de zijlobben” groter dan 65 dB en een bandbreedte van meer dan 100 MHz.
3A001.c.
IX.A3.021


Elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven in de gehele massa van het materiaal en die geschikt zijn voor directe verwerking van signalen met frequenties hoger dan 6 GHz.
3A001.c.
 IX.A3.022


Akoestisch-optische „signaalverwerkende” elementen die gebruikmaken van een wisselwerking tussen akoestische golven (bulk wave of surface wave) en lichtgolven en die geschikt zijn voor directe verwerking van signalen of beelden, met inbegrip van, doch niet beperkt tot, spectrale analyse, correlatie of convolutie.
3A001.c.
IX.A3.023


Elektronische elementen of schakelingen die onderdelen bevatten vervaardigd van „supergeleidende” materialen die speciaal zijn ontworpen om te werken bij temperaturen beneden de „kritische temperatuur” van ten minste een van de „supergeleidende” bestanddelen en met een of meerdere van de volgende functies:
a)  stroomschakelen voor digitale schakelingen die gebruikmaken van „supergeleidende” poorten waarbij het product van de vertragingstijd per poort (in seconden) en het energieverlies per poort (in watt) kleiner is dan 10– 14 J; of
b)  frequentieselectie bij alle frequenties met toepassing van afstemkringen met een Q-waarde hoger dan 10 000.
3A001.d.
IX.A3.024


Hoge-energiecellen, als volgt:
a)  „primaire cellen” met een „energiedichtheid” groter dan 550 Wh/kg bij 20 °C;
b)  „secundaire cellen” met een „energiedichtheid” groter dan 350 Wh/kg bij 20 °C.
Technische opmerkingen:



1.  In het kader van hoge-energiecomponenten wordt de „energiedichtheid” (Wh/kg) berekend uit de nominale spanning vermenigvuldigd met de nominale capaciteit in ampère-uur (Ah) gedeeld door de massa (in kg). Indien de nominale capaciteit niet is opgegeven, wordt de energiedichtheid berekend uit de nominale spanning in het kwadraat vermenigvuldigd met de ontladingstijd (in uur), gedeeld door de ontladingsbelasting (in ohm) en de massa (in kg).
2.  In het kader van hoge-energiecomponenten wordt een „cel” gedefinieerd als een elektrochemisch element dat voorzien is van positieve en negatieve elektroden, alsook van elektrolyt, en dat een bron van elektrische energie is. Het is de basisbouwsteen van een batterij.
3.  In het kader van hoge-energiecomponenten is een „primaire cel” een „cel” die niet ontworpen is om door enige andere bron te worden opgeladen.
 4.  In het kader van hoge-energiecomponenten is een „secundaire cel” een „cel” die ontworpen is om door een externe elektrische bron te worden opgeladen.
Opmerking: Hoge-energiecomponenten hebben geen betrekking op batterijen, met inbegrip van ééncellige batterijen.
3A001.e.
IX.A3.025


Condensatoren geschikt voor hoge-energieopslag, als volgt:
a)  condensatoren met een herhalingssnelheid van minder dan 10 Hz (single shot-condensatoren) met alle volgende kenmerken:
1.  een toelaatbare spanning gelijk aan of hoger dan 5 kV;
2.  een energiedichtheid gelijk aan of hoger dan 250 J/kg; en
3.  een totale energie gelijk aan of groter dan 25 kJ;
b)  condensatoren met een herhalingssnelheid van 10 Hz of meer (repetition-rated-condensatoren) met alle volgende kenmerken:
1.  een toelaatbare spanning gelijk aan of hoger dan 5 kV;
2.  een energiedichtheid gelijk aan of hoger dan 50 J/kg;
3.  een totale energie gelijk aan of groter dan 100 J; en
4.  een levensduur gelijk aan of langer dan 10 000  cyclussen van laden en ontladen.
3A001.e.
IX.A3.026


„Supergeleidende” elektromagneten en solenoïden die speciaal zijn ontworpen voor volledig opladen of ontladen in minder dan een seconde, met alle volgende kenmerken:


Opmerking: Niet van toepassing op „supergeleidende” elektromagneten of solenoïden die speciaal zijn ontworpen voor medische apparatuur voor beeldvorming door middel van magnetische resonantie (Magnetic Resonance Imaging - MRI).
a)  de in de eerste seconde tijdens de ontlading geleverde energie is meer dan 10 kJ;
b)  de binnendiameter van de stroomvoerende wikkelingen is groter dan 250 mm; en
c)  de apparatuur heeft een nominale magnetische inductie van meer dan 8 T of een nominale „totale stroomdichtheid” in de wikkeling hoger dan 300 A/mm2.
3A001.e.
 IX.A3.027


Zonnecellen, CIC-samenstellingen (cell-interconnect-coverglass), zonnepanelen en zonne-arrays die „voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd” zijn, met een gemiddeld minimumrendement van meer dan 20 % bij een werktemperatuur van 301 K (28 °C) onder gesimuleerde „AM0”-belichting van 1 367  watt per vierkante meter (W/m2).
Technische opmerking: „AM0” (Air Mass Zero) slaat op de spectrale bestralingssterkte van zonlicht in de buitenste atmosfeer van de aarde bij een afstand tussen zon en aarde van één astronomische eenheid (AE).
3A001.e.
IX.A3.028


Roterende absolute positiecodeerapparaten met een „nauwkeurigheid” die gelijk is aan of lager is dan 1,0 boogseconde en speciaal daarvoor ontworpen encoderringen, -schijven of -schalen.
3A001.f.
IX.A3.029


Vastestof-thyristoren en '-thyristormodules' met pulswerking die elektrisch, optisch of door elektronenstraling geschakeld worden, met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  maximale inschakel-stroomsteilheid (di/dt) van meer dan 30 000  A/μs en een sperspanning van meer dan 1 100  V; of
2.  een maximale inschakel-stroomsteilheid (di/dt) van meer dan 2 000  A/μs en met alle volgende kenmerken:
a.  een pieksperspanning gelijk aan of groter dan 3 000  V; en
b.  een piekstroom (stootstroom) gelijk aan of groter dan 3 000  A.
Opmerkingen:



1.  Punt g) omvat:


— Silicon Controlled Rectifiers (SCRs);



— Electrical Triggering Thyristors (ETTs);



— Light Triggering Thyristors (LTTs);



— Integrated Gate Commutated Thyristors (IGCTs);



— Gate Turn-off Thyristors (GTOs);



— MOS Controlled Thyristors (MCTs);



— Solidtrons.
2.  Punt g) is niet van toepassing op thyristoren en „thyristormodules” die zijn ingebouwd in apparatuur voor toepassingen in civiele treinen of „civiele vliegtuigen”.
Technische opmerking: In het kader van het bovenstaande punt g) bevat een „thyristormodule” één of meer thyristoren.
3A001.g.
 IX.A3.030


Vermogenshalfgeleiderschakelaars, vermogendiodes of „modules”, met alle volgende kenmerken:
1.  geschikt voor een maximale operationele junctietemperatuur van meer dan 488 K (215 °C);
2.  periodieke piekblokkeerspanning van meer dan 300 V; en
3.  continue stroom van meer dan 1 A.
Opmerking: De in het bovenstaande punt bedoelde periodieke piekblokkeerspanning omvat de afvoer-bronspanning, de collector-emittorspanning, de periodieke pieksperspanning en de periodieke piekblokkeerspanning.
3A001.h.
IX.A3.031


Opnameapparatuur en oscilloscopen, als volgt:
1.  digitale datarecorders met alle volgende kenmerken:
a.  een ononderbroken „continue verwerkingscapaciteit” van meer dan 6,4 Gbit/s naar schijf of opslagmedium zonder bewegende delen; en
b.  een processor die radiofrequentiedatasignalen analyseert terwijl deze worden opgenomen;


Technische opmerkingen:



1.  Voor recorders met een parallelle busarchitectuur is de „continue verwerkingscapaciteit” het product van de hoogste word rate maal het aantal bit in een woord.
2.  „Continue verwerkingscapaciteit” betekent de grootste snelheid waarmee het instrument gegevens kan opslaan op een schrijf of opslagmedium zonder bewegende delen zonder verlies van informatie terwijl de snelheid van digitale gegevensinvoer (input digital data rate) of de conversiesnelheid van de digitiser behouden blijft.
2.  real-time oscilloscopen met een verticale kwadratisch gemiddelde (rms) ruisspanning van minder dan 2 % van de totale schaal op de verticale schaalinstelling die voorziet in de laagste ruisspanningswaarde voor een 3 dB-bandbreedte van 60 GHz of meer per kanaal.
3A002.a.
 IX.A3.032


„Signaalanalysatoren”, als volgt:
1.  „signaalanalysatoren” met een 3 dB resolutiebandbreedte hoger dan 10 MHz binnen een frequentiebereik hoger dan 31,8 GHz, tot ten hoogste 37 GHz;
2.  „signaalanalysatoren” met een Displayed Average Noise Level (DANL - gemiddeld ruisniveau) van minder (beter) dan – 150 dBm/Hz binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz, tot ten hoogste 90 GHz;
3.  „signaalanalysatoren” met een frequentie van meer dan 90 GHz;
4.  „signaalanalysatoren” met alle volgende kenmerken:
a.  een „real-time bandbreedte” van meer dan 170 MHz; en
b.  met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  100 % ontdekkingskans met een vermindering van minder dan 3 dB vanaf de volledige amplitude als gevolg van hiaten of venstereffecten van signalen met een duur van 15 μs of minder; of
2.  een „frequentiemasker-trigger”-functie met een 100 % kans op trigger (ontvangst) voor signalen met een duur van 15 μs of minder.
Technische opmerkingen:



1.  Naar ontdekkingskans als bedoeld in punt 1 wordt ook wel verwezen als onderscheppingskans of ontvangstkans.
2.  Voor de toepassing van punt 1 is de periode van 100 % ontdekkingskans gelijkwaardig aan de minimale signaalduur die nodig is voor het gespecificeerde niveau van de meetonzekerheid.
Opmerking: Niet van toepassing op „signaalanalysatoren” die uitsluitend gebruikmaken van bandbreedtefilters met constant percentage (ook wel octaaf- of deeloctaaffilters genoemd).
3A002.c.
 IX.A3.033


Signaalgeneratoren met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  geschikt voor het genereren van pulsgemoduleerde signalen met alle volgende kenmerken, binnen het frequentiebereik van 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz;
a.  een '„pulsduur” ' van minder dan 25 ns; en
b.  in-/uitschakeltijd gelijk aan of hoger dan 65 dB;
2.  een uitgangsvermogen van meer dan 100 mW (20 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz;
3.  een „frequentiewisseltijd” die overeenkomt met:
a.  minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 4,8 GHz tot ten hoogste 31,8 GHz;
b.  minder dan 500 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 550 MHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz; of
c.  minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 37 GHz tot ten hoogste 90 GHz.
3A002.d.
IX.A3.034


Netwerkanalysatoren met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  een uitgangsvermogen van meer dan 31,62 mW (15 dBm) binnen een werkfrequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz;
2.  een uitgangsvermogen van meer dan 1 mW (0 dBm) binnen een werkfrequentiebereik hoger dan 90 GHz tot ten hoogste 110 GHz;
3.  „niet-lineaire vectormeetfunctie” op frequenties hoger dan 50 GHz tot ten hoogste 110 GHz; of
4.  een maximale werkfrequentie vanaf 110 GHz.
Technische opmerking: „Niet-lineaire vectormeetfunctie” is het vermogen van een instrument om de testresultaten van apparaten in het grootsignaaldomein of niet-lineaire vervormingsbereik te analyseren.
3A002.e.
IX.A3.035


Microgolftestontvangers met alle volgende kenmerken:
1.  een maximale werkfrequentie vanaf 110 GHz; en
2.  geschikt voor het gelijktijdig meten van amplitude en fase.
3A002.f.
 IX.A3.036


Atomaire frequentiestandaarden met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  „voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd”;
2.  niet-rubidium en een langetermijnstabiliteit van minder (beter) dan 1 × 10– 11/maand; of
3.  niet-„voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd” met alle volgende kenmerken:
a.  rubidiumstandaard;
b.  langetermijnstabiliteit van minder (beter) dan 1 × 10– 11/maand; en
c.  totaal energieverbruik van minder dan 1 W.
3A002.f.
IX.A3.037


Productieapparatuur voor halfgeleiderelementen of materialen, als volgt, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor:
a)  apparatuur ontworpen voor ionenimplantatie, met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  ontworpen en geoptimaliseerd voor gebruik bij een stralingsenergie van 20 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 10 mA of meer voor het implanteren van waterstof, deuterium of helium;
2.  geschikt voor direct schrijven;
3.  een stralingsenergie van 65 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 45 mA of meer om met hoge energie zuurstof te implanteren in een verwarmd „substraat” bestaande uit halfgeleidermateriaal; of
4.  ontworpen en geoptimaliseerd voor gebruik bij een stralingsenergie van 20 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 10 mA om silicium te implanteren in een „substraat” bestaande uit halfgeleidermateriaal verwarmd tot 600 °C of meer;
b)  lithografische apparatuur, als volgt, en apparatuur voor imprintlithografie die structuren van 45 nm of minder kan produceren;
1.  repeteerapparatuur (step and repeat (direct step on wafer) apparatuur of step and scan (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a.  golflengte van de lichtbron korter dan 193 nm; of
b.  in staat om patronen te produceren met een „minimum resolvable feature size” (MRF) van 45 nm of minder.
 Technische opmerking: De „minimum resolvable feature size” (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule:





waarbij de K-factor = 0,35

c)  apparatuur speciaal ontworpen voor masker met behulp van afgebogen en gefocusseerde elektronen-, ionen- of „laser”-bundels.
3B001.b.
3B001.f.
3B001.f.
IX.A3.038


Apparatuur die is ontworpen voor toestelverwerking met gebruikmaking van directe schrijfmethoden;
maskers of fijne optische netwerken (reticles) voor geïntegreerde schakelingen.
3B001.g.
IX.A3.038


Testapparatuur, speciaal ontworpen voor het testen van afgewerkte of half-afgewerkte halfgeleider- en microgolfelementen, als volgt, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen en toebehoren:
a)  voor het testen van S-parameters van transistorelementen bij frequenties hoger dan 31,8 GHz;
b)  voor het testen van hierboven vermelde geïntegreerde schakelingen voor microgolven.
3B002




IX.A3.039


Hetero-epitaxiale materialen bestaande uit een „substraat” met verscheidene gestapelde epitaxiaal gegroeide lagen van:
a)  silicium (Si);
b)  germanium (Ge);
c)  siliciumcarbide (SiC); of
d)  „III/V” gallium- of indium-„verbindingen”.
Opmerking: Niet van toepassing op „substraat” met één of meer P-type epitaxiale lagen GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP of InGaAlP, onafhankelijk van de volgorde van de elementen, behalve wanneer de P-type epitaxiale laag zich tussen N-type lagen bevindt.
 3C001




IX.A3.040


Resists (gevoelige lagen), als volgt, en „substraten” bekleed met de volgende resists:
a)  resists ontworpen voor halfgeleiderlithografie, als volgt:
1.  positieve resists die optimaal geschikt zijn gemaakt voor gebruik bij golflengten van minder dan 245 nm maar gelijk aan of meer dan 15 nm;
2.  positieve resists die zijn aangepast (geoptimaliseerd) voor het gebruik bij golflengten van minder dan 15 nm maar meer dan 1 nm;
b)  alle resists ontworpen voor gebruik met elektronen- of ionenbundels met een gevoeligheid van 0,01 microcoulomb/mm2 of beter;
c)  alle resists die optimaal geschikt zijn gemaakt voor beeldvorming aan het oppervlak;
d)  alle resists die ontworpen zijn of optimaal geschikt zijn gemaakt voor gebruik met de imprintlithografieapparatuur die structuren van 45 nm of minder kan produceren, waarbij gebruik wordt gemaakt van een uithardingsproces onder invloed van warmte of licht.
3C002




IX.A3.041


Organisch-anorganische verbindingen:
a)  organische metaalverbindingen van aluminium, gallium of indium met een zuiverheidsgraad (op metaalbasis) hoger dan 99,999 %;
b)  organische arseen-, antimoon- en fosforverbindingen met een zuiverheidsgraad (op basis van de anorganische elementen) hoger dan 99,999 %.
3C003




IX.A3.042


Hydriden van fosfor, arseen of antimoon, met een zuiverheid hoger dan 99,999 %, zelfs bij verdunning in edelgassen of waterstof.
Opmerking: Niet van toepassing op hydriden die 20 mol pct. of meer edelgassen of waterstof bevatten.
3C004




IX.A3.043


Semigeleidende „substraten” of walsblokken, monokristallen of andere voorvormstukken (preforms) van siliciumcarbide (SiC), galliumnitride (GaN), aluminiumnitride (AlN) of aluminiumgalliumnitride (AlGaN), met een weerstand van meer dan 10 000  ohm-cm bij een temperatuur van 20 °C.
3C005




IX.A3.044


De in punt 5 bedoelde „substraten” met ten minste één epitaxiale laag siliciumcarbide, galliumnitride, aluminiumnitride of aluminiumgalliumnitride.
3C006





IX.A6.   
SENSOREN EN LASERS
















Nr.
 Omschrijving


Verwant item in bijlage I bij Verordening (EG) nr. 428/2009




IX.A6.001


Optische sensoren en apparatuur, en onderdelen daarvoor, als volgt:
a)  speciale ondersteunende onderdelen voor optische sensoren, als volgt:
1.  „voor gebruik in de ruimte gekwalificeerde” cryogene koelers.
6A002.d.
IX.A6.002


Niet „voor gebruik in de ruimte gekwalificeerde” cryogene koelers met een koelbrontemperatuur lager dan 218 K (– 55 °C), als volgt:
a)  met een gesloten kringloop met een gespecificeerd gemiddeld interval vóór storing (MTTF) of gemiddeld storingsvrij interval (MTBF) groter dan 2 500  uur;
b)  zelfregulerende Joule-Thomson (JT)-minikoelers voor een boorgat met een middellijn kleiner dan 8 mm.
6A002.d.
IX.A6.003


Glasvezels voor aftasten die qua samenstelling of structuur speciaal zo zijn geconstrueerd of door bekleding zodanig aangepast dat zij akoestische, thermische, traagheids- of elektromagnetische gevoeligheid bezitten of gevoeligheid voor nucleaire straling.
6A002.d.
IX.A6.004


Camerasystemen en -apparatuur, en onderdelen daarvoor, als volgt:
a)  instrumentatiecamera's en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen, als volgt:


Opmerking: De hierboven bedoelde instrumentatiecamera's met modulaire structuren moeten worden beoordeeld op hun maximumcapaciteit door gebruik te maken van plug-ins die overeenkomstig de specificaties van de fabrikant van de camera beschikbaar zijn.
6A003




IX.A6.005


Filmcamera's voor hoge opnamesnelheden waarbij gebruik wordt gemaakt van elk filmformaat van 8 tot en met 16 mm, waarin de film gedurende de registratietijd ononderbroken wordt voortbewogen en geschikt voor opnamesnelheden van meer dan 13 150  beelden per seconde;


Opmerking: Niet van toepassing op filmcamera's die voor civiele doeleinden ontworpen zijn.
 2.  mechanische camera's voor hoge opnamesnelheden waarin de film niet wordt voortbewogen, en geschikt voor opnamesnelheden van meer dan 1 000 000  beelden per seconde bij volle beeldhoogte van standaard 35 mm-film of naar verhouding hogere snelheden bij een kleinere beeldhoogte, of lagere snelheden bij een grotere beeldhoogte;
3.  mechanische of elektronische streak-camera's als volgt:
a.  mechanische streak-camera's met opnamesnelheden groter dan 10 mm/μs;
b.  elektronische streak-camera's met een temporele resolutie van meer dan 50 ns;
4.  elektronische beeld-(framing-)camera's met een snelheid groter dan 1 000 000  beelden per seconde;
5.  elektronische camera's met alle volgende kenmerken:
a.  een elektronische sluitertijd (venstervermogen) van minder dan 1 microseconde per volledig beeld; en
b.  een uitleestijd die een opnamesnelheid van meer dan 125 volledige beelden per seconde mogelijk maakt;
6.  plug-ins met alle volgende kenmerken:
a.  speciaal ontworpen voor instrumentatiecamera's met modulaire structuren en als vermeld in dit punt; en
b.  waarmee die camera's beantwoorden aan de bovenvermelde kenmerken, overeenkomstig de specificaties van de fabrikant.
6A003




IX.A6.006


Beeldcamera's, als volgt:


Opmerking: Niet van toepassing op televisie- of videocamera's die speciaal zijn ontworpen voor televisie-uitzendingen.
1.  videocamera's die halfgeleidersensoren bevatten, met een grootste gevoeligheid bij een golflengte van meer dan 10 nm, doch niet meer dan 30 000  nm en alle volgende kenmerken:
a.  met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  meer dan 4 × 106„actieve pixels” per halfgeleider-array voor monochroom- (zwart/wit) camera's;
2.  meer dan 4 × 106„actieve pixels” per halfgeleider-array voor kleurencamera's met drie halfgeleider-arrays; of
3.  meer dan 12 × 106„actieve pixels” voor halfgeleider-array kleurencamera's met één halfgeleider-array; en
b.  met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  de hieronder vermelde optische spiegels;
2.  de hieronder vermelde optische regelapparatuur; of
3.  de mogelijkheid om intern gegenereerde „cameratrackinggegevens” te annoteren.
 Technische opmerkingen:



1.  Voor de toepassing van dit punt moeten digitale videocamera's worden beoordeeld volgens het maximumaantal „actieve pixels” die gebruikt worden om bewegende beelden op te nemen.
2.  Voor de toepassing van dit punt wordt onder „cameratrackinggegevens” verstaan: de nodige informatie om de kijkrichting van de camera ten opzichte van de aarde aan te geven. Dit omvat: a) de horizontale hoek van de kijkrichting van de camera ten opzichte van de richting van het magnetische veld van de aarde; en b) de verticale hoek tussen de kijkrichting van de camera en de horizon van de aarde.
6A003




IX.A6.007


Aftastcamera's en aftastcamerasystemen met alle volgende kenmerken:
a)  een grootste gevoeligheid bij een golflengte van meer dan 10 nm doch niet meer dan 30 000  nm;
b)  lineaire detectie-arrays met meer dan 8 192  elementen per array; en
c)  mechanische aftasting in één richting.
Opmerking: Niet van toepassing op aftastcamera's en aftastcamerasystemen speciaal ontworpen voor een of meerdere van de volgende doelen:


a)  industriële fotokopieerapparaten of fotokopieerapparaten voor privégebruik;


b)  beeldaftasters speciaal ontworpen voor civiele stationaire applicaties voor aftasting op korte afstand (bv. reproductie van afbeeldingen of gedrukte tekst in documenten, kunstwerken of foto's); of


c)  medische apparatuur.
 6A003




IX.A6.008


Beeldcamera's met versterkerbuizen met een of meerdere van de volgende kenmerken:
a.  met alle volgende kenmerken:
1.  een grootste gevoeligheid bij een golflengte van meer dan 400 nm doch niet meer dan 1 050  nm;
2.  elektronische beeldversterking waarbij gebruik wordt gemaakt van:
a.  een microkanaalplaat met een afstand tussen de gaten (hart op hart gemeten) van 12 μm of minder; of
b.  een elektronische sensor met een afstand tussen de niet-gebinde pixels van ten hoogste 500 μm, die speciaal is ontworpen of aangepast om „ladingsvermenigvuldiging” op een andere manier tot stand te brengen dan door een microkanaalplaat; en
3.  een of meerdere van de volgende fotokathoden:
a.  een multi-alkalifotokathode (bv. S-20 en S-25) met een lichtgevoeligheid van meer dan 350 μA/lm;
b.  een GaAs- of GaInAs-fotokathode; of
c.  andere „op III-V-verbindingen gebaseerde” halfgeleiderfotokathoden met een maximale „stralingsgevoeligheid” van meer dan 10 mA/W; of
b.  met alle volgende kenmerken:
1.  een grootste gevoeligheid bij een golflengte van meer dan 1 050  nm doch niet meer dan 1 800  nm;
2.  elektronische beeldversterking waarbij gebruik wordt gemaakt van:
a.  een microkanaalplaat met een afstand tussen de gaten (hart op hart gemeten) van 12 μm of minder; of
b.  een elektronische sensor met een afstand tussen de niet-gebinde pixels van ten hoogste 500 μm, die speciaal is ontworpen of aangepast om „ladingsvermenigvuldiging” op een andere manier tot stand te brengen dan door een microkanaalplaat; en
3.  „op III-V-verbindingen gebaseerde” halfgeleiderfotokathoden (bijv., GaAs of GaInAs) en fotokathoden op basis van elektronenoverdracht, met een maximale „stralingsgevoeligheid” van meer dan 15 mA/W.
 Opmerkingen:



1.  In punt 4 bedoelde beeldcamera's omvatten onder meer „focal plane arrays” gecombineerd met voldoende elektronica voor „signaalverwerking”, naast de geïntegreerde schakeling voor het uitlezen, om ten minste de output van een analoog of digitaal signaal mogelijk te maken zodra er stroom wordt geleverd.
2.  Punt 4.a. is niet van toepassing op beeldcamera's met lineaire „focal plane arrays” met 12 elementen of minder, zonder tijdvertraging en integratie in het element, die zijn ontworpen voor een of meerdere van de volgende doelen:


a)  inbraakalarmsystemen voor industriële of civiele toepassing, of systemen voor het regelen en tellen van bewegingen in het verkeer of de industrie;


b)  industriële apparatuur die wordt gebruikt voor inspectie van of toezicht op hittestromen in gebouwen, apparatuur of industriële processen;


c)  industriële apparatuur die wordt gebruikt voor inspectie, selectie of analyse van de eigenschappen van materialen;


d)  apparatuur die speciaal is ontworpen voor gebruik in het laboratorium; of


e)  medische apparatuur.
3.  Punt 4.b is niet van toepassing op beeldcamera's met een of meerdere van de volgende kenmerken:


a)  een maximale beeldsnelheid gelijk aan of kleiner dan 9 Hz;


b)  met alle volgende kenmerken:


1.  een minimaal horizontaal of verticaal „momenteel gezichtsveld”(Instantaneous-Field-of-View, IFOV) van ten minste 10 mrad (milliradiaal);


2.  een ingebouwde lens met vaste brandpuntsafstand die niet is ontworpen om te worden verwijderd;


3.  geen ingebouwd beeldscherm voor „directe beeldvorming”; en



Technische opmerking:



Met „directe beeldvorming” wordt bedoeld een beeldcamera werkend in het infrarode spectrum, die de menselijke waarnemer een visueel beeld geeft door gebruik te maken van een near-to-eye-microbeeldscherm met een ingebouwd lichtweringsmechanisme.
 4.  met een of meerdere van de volgende kenmerken:


a.  geen mogelijkheid om een bekijkbaar beeld van het gedetecteerde gezichtsveld te verkrijgen; of


b.  de camera is ontworpen voor één toepassing en is zodanig ontworpen dat de gebruiker haar niet kan aanpassen; of



Technische opmerking:



Het „momenteel gezichtsveld” (Instantaneous-Field-of-View, IFOV) als bedoeld in opmerking 3.b, is het kleinste getal van respectievelijk de „horizontale IFOV” of de „verticale IFOV”.
„Horizontale IFOV” = horizontaal gezichtsveld (FOV)/aantal horizontale detectorelementen.
„Verticale IFOV” = verticaal gezichtsveld (FOV)/aantal verticale detectorelementen.
c)  de camera is speciaal ontworpen voor installatie in een civiel voertuig voor passagiersvervoer te land en heeft alle volgende kenmerken:


1.  de plaatsing en configuratie van de camera in het voertuig zijn enkel bedoeld om de bestuurder te helpen bij de veilige besturing van het voertuig.
6A003




IX.A6.010


Optische spiegels (reflectoren), als volgt:
1.  „vervormbare spiegels” met een actieve optische apertuur groter dan 10 mm en met een of meerdere van de volgende kenmerken en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen:
a.  met alle volgende kenmerken:
1.  een mechanische resonantiefrequentie van 750 Hz of hoger; en
2.  meer dan 200 aandrijvers; of
b.  een schadegrens veroorzaakt door lasers (Laser Induced Damage Threshold (LIDT)) met een of meerdere van de volgende kenmerken:
1.  groter dan 1 kW/cm2 met gebruik van een „CW-laser”; of
2.  groter dan 2 J/cm2 met gebruik van „laser”pulsen van 20 ns bij een herhalingssnelheid van 20 Hz;
2.  lichtgewicht monolithische spiegels met een gemiddelde „equivalente dichtheid” van minder dan 30 kg/m2 en een totale massa van meer dan 10 kg;
3.  lichtgewicht „composiete” of schuimspiegelstructuren met een gemiddelde „equivalente dichtheid” van minder dan 30 kg/m2 en een totale massa van meer dan 2 kg.
