None
2. 


onderdelen van dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur (bv. modules, elementen, cassettes, patronen, eenheden of platen) met een filteroppervlak van 0,2 m2 of meer voor ieder onderdeel en bedoeld voor gebruik in de in 2B352.d. vermelde dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur;






e. 


vriesdroogapparatuur, geschikt voor stoom-, gas-, of dampsterilisatie en met een condensorcapaciteit van 10 kg ijs of meer per 24 uur en minder dan 1 000  kg ijs per 24 uur;




f. 


beschermings- of insluitingsmiddelen, als hieronder:


1. 


pakken van het type waarbij het lichaam geheel of half wordt omsloten, of van een externe luchttoevoer afhankelijke getuide, onder positieve druk werkende afzuigkappen;



Noot
: 
Pakken die zijn ontworpen om met onafhankelijke ademhalingsapparatuur te worden gedragen, vallen niet onder 2B352.f.1.
2. 


biocontainmentkamers, isolerende systemen of biologische veiligheidskasten met alle volgende eigenschappen, voor normaal bedrijf:


a. 


een volledig afgesloten werkruimte waar de operator afgezonderd is van het werk door middel van een fysieke barrière;




b. 


geschikt voor gebruik bij negatieve druk;




c. 


manieren om producten veilig te bewerken in de werkruimte;




d. 


de inkomende en uitgaande lucht in de werkruimte wordt met HEPA-filters gezuiverd;





Noot 1
: 
2B352.f.2. omvat biologische veiligheidskasten van klasse III, zoals omschreven in de laatste versie van de WHO Laboratory Biosafety Manual of vervaardigd in overeenstemming met nationale normen, wetgeving of richtsnoeren.
Noot 2
: 
2B352.f.2. heeft betrekking op alle isolerende systemen die alle hierboven vermelde eigenschappen bezitten, ongeacht het beoogde gebruik en de aanduiding ervan.
Noot 3
: 
2B352.f.2. heeft geen betrekking op isolerende systemen speciaal ontworpen voor barrièreverpleging of vervoer van besmette patiënten.
 g. 


aerosol-inhalatieapparatuur ontworpen voor immuniteitsonderzoek met „micro-organismen”, virussen of „toxinen”, als hieronder:


1. 


blootstellingskamers voor het gehele lichaam met een capaciteit van 1 m3 of meer;




2. 


apparatuur voor blootstelling via de neus met een gerichte stroom aerosols voor blootstelling van één of meer van de volgende producten:


a. 


12 of meer knaagdieren; of





b. 


2 of meer andere dieren dan knaagdieren;






3. 


afgesloten fixeerbuizen voor dieren die zijn ontworpen voor gebruik met apparatuur voor blootstelling via de neus met een gerichte stroom aerosols;






h. 


voor het drogen van toxinen of pathogene „micro-organismen” geschikte sproeidroogapparatuur, met alle volgende eigenschappen:


1. 


een waterverdampingscapaciteit ≥ 0,4 kg/uur en ≤ 400 kg/uur;




2. 


het vermogen om een typische gemiddelde productdeeltjesgrootte ≤ 10 μm te genereren met bestaande hulpstukken of met een minimale aanpassing van de sproeidroger met verneveldoppen die deeltjes van de vereiste grootte kunnen genereren; en





3. 


in-situ gesteriliseerd of gedesinfecteerd kunnen worden;






i. 


samenstellers en synthesizers van nucleïnezuren, gedeeltelijk of geheel geautomatiseerd, en ontworpen voor de continue generatie van nucleïnezuren met een lengte van meer dan 1,5 kilobasen, met een foutenpercentage van minder dan 5 % tijdens een cyclus.
2CMaterialen

Geen.
2DProgrammatuur

2D001„Programmatuur” anders dan bedoeld in 2D002, als hieronder:


a. 


„programmatuur”, speciaal ontworpen of aangepast voor de „ontwikkeling” of „productie” van in 2A001 of 2B001 tot en met 2B009 bedoelde apparatuur.
b. 


„programmatuur”, speciaal ontworpen of aangepast voor het „gebruik” van in 2A001.c., 2B001 of 2B003 tot en met 2B009 bedoelde apparatuur.
Noot
: 
2D001 heeft geen betrekking op „programmatuur” voor werkstukprogramma’s waarmee „numerieke besturings”-codes voor de bewerking van verschillende onderdelen worden gegenereerd.
2D002„Programmatuur” voor elektronische toestellen, ook wanneer geïntegreerd in een elektronisch toestel of systeem, waardoor dergelijke toestellen of systemen kunnen functioneren als „numerieke besturings”-eenheid, en geschikt om meer dan vier assen gelijktijdig te laten samenwerken voor „contourbesturen”.
 Noot 1
: 
2D002 heeft geen betrekking op „programmatuur” die speciaal is ontworpen of aangepast voor de bediening van goederen die niet zijn vermeld in categorie 2.
Noot 2
: 
2D002 heeft geen betrekking op „programmatuur” voor goederen die zijn vermeld in 2B002. Zie 2D001 en 2D003 voor „programmatuur” voor goederen vermeld in 2B002.
Noot 3
: 
2D002 heeft geen betrekking op „programmatuur” die wordt geëxporteerd met, en het minimale vereiste is voor het gebruik van, goederen die niet zijn vermeld in categorie 2.
2D003„Programmatuur” ontworpen of aangepast voor de werking van apparatuur, vermeld in 2B002, die het optische ontwerp, de metingen van het werkstuk en de functies voor de verwijdering van materiaal omzet in „numerieke besturings”- opdrachten voor het bereiken van de gewenste werkstukvorm.
2D101„Programmatuur” speciaal ontworpen of aangepast voor het „gebruik” van apparatuur, bedoeld in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 of 2B119 tot en met 2B122.
NB
: 
ZIE OOK 9D004.
2D201„Programmatuur” speciaal ontworpen voor het „gebruik” van apparatuur, bedoeld in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 of 2B227.
2D202„Programmatuur”, speciaal ontworpen of aangepast voor de „ontwikkeling”, de „productie” of het „gebruik” van apparatuur vermeld in 2B201.
Noot
: 
2D202heeft geen betrekking op „programmatuur” voor werkstukprogramma’s waarmee wel opdrachtcodes voor „numerieke besturing” worden gegenereerd maar die geen rechtstreeks gebruik van apparatuur voor het bewerken van verscheidene onderdelen mogelijk maakt.
2D351Andere „programmatuur” dan die als bedoeld in 1D003, speciaal ontworpen voor het „gebruik” van apparatuur, bedoeld in 2B351.
2D352„Programmatuur” speciaal ontworpen voor samenstellers en synthesizers van nucleïnezuren bedoeld in 2B352.i., geschikt voor het ontwerpen en aanmaken van functionele genetische elementen op basis van digitale sequentiegegevens.
2ETechnologie

2E001„Technologie” volgens de algemene technologienoot voor de „ontwikkeling” van apparatuur of „programmatuur”, bedoeld in 2A, 2B of 2D.
 Noot
: 
2E001 omvat „technologie” voor de integratie van de sondesystemen in de coördinaatmeetmachines gespecificeerd in 2B006.a.
2E002„Technologie” volgens de algemene technologienoot voor de „productie” van apparatuur, bedoeld in 2A of 2B.
2E003Andere „technologie”, als hieronder:


a. 


niet gebruikt;




b. 


„technologie” voor fabricageprocessen door middel van metaalbewerking, als hieronder:


1. 


„technologie” voor het ontwerpen van gereedschappen, matrijzen en klemmen, speciaal ontworpen voor de volgende processen:


a. 


„superplastisch vormen”;




b. 


„diffusielassen”; of





c. 


„direct hydraulisch persen”;




Technische noot
:

„Direct hydraulisch persen”: een vervormingsproces waarbij gebruik wordt gemaakt van een flexibele, met vloeistof gevulde blaas die in direct contact staat met het werkstuk.
2. 


niet gebruikt;



NB
: 
Voor „technologie” voor fabricageprocessen door middel van metaalbewerking voor gasturbinemotoren en onderdelen daarvan, zie 9E003 en de lijst militaire goederen.
c. 


„technologie” voor de „ontwikkeling” of „productie” van machines voor hydraulisch strekvormen en matrijzen daarvoor, voor de fabricage van vliegtuigconstructies;




d. 


niet gebruikt;




e. 


„technologie” voor de „ontwikkeling” van integratie-„programmatuur” voor het inbouwen van expertsystemen in „numerieke besturings”-eenheden ten behoeve van geavanceerde beslissingsondersteuning voor verrichtingen op de werkvloer;




f. 


„technologie” voor het aanbrengen van anorganische deklagen of deklagen door anorganische modificatie van het oppervlak, omschreven in kolom 3 van onderstaande tabel, op niet elektronische substraten, gespecificeerd in kolom 2 van onderstaande tabel, door middel van procedés als omschreven in kolom 1 van onderstaande tabel en als gedefinieerd in de technische noten.
Noot
: 
De tabel en de technische noot zijn opgenomen na punt 2E301.
 NB
: 
Deze tabel moet als volgt worden gelezen: voor een specifiek bekledingsprocedé (kolom 1) zijn de resulterende deklaag in kolom 3 en het substraat in kolom 2 alleen te combineren wanneer zij op gelijke hoogte, in dezelfde alinea, naast elkaar staan. Voorbeeld: voor het bekledingsprocedé „chemische afzetting uit de damplaag (CVD)” geldt dat siliciden wel geschikt zijn voor substraten van „composieten” met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal-„matrix”, maar niet voor de substraten „gecementeerde wolfraamcarbide” (16) of „siliciumcarbide” (18). Deze laatste twee substraten staan namelijk niet recht naast de alinea in kolom 3 met de resulterende deklagen.
2E101„Technologie” overeenkomstig de algemene technologienoot voor het „gebruik” van apparatuur of „programmatuur”, bedoeld in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 tot en met 2B122 of 2D101.
2E201„Technologie” overeenkomstig de algemene technologienoot voor het „gebruik” van apparatuur of „programmatuur”, bedoeld in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 tot en met 2B233, 2D201 of 2D202.
2E301„Technologie” overeenkomstig de algemene technologienoot voor het „gebruik” van goederen, bedoeld in 2B350 tot en met 2B352.
 TABEL – AFZETTINGSTECHNIEKEN – NOTEN



1. 


„Bekledingsprocedé” behelst zowel het herstel en opknappen van de deklaag als het aanbrengen van een oorspronkelijke deklaag.
2. 


Eénfasige of meerfase-bekledingen waarbij één of meer elementen worden afgezet vóór of tijdens het aanbrengen van de aluminidebekleding, worden, zelfs wanneer deze elementen door middel van een ander bekledingsprocedé worden afgezet, mede begrepen onder de term „bekleding met gelegeerde aluminide”; daaronder wordt echter niet begrepen het meerdere malen toepassen van éénfasige ‹pack› cementeringsprocedés om gelegeerde aluminiden te verkrijgen.
3. 


Meerfase-bekleding waarbij het edele metaal of de edele metalen worden opgebracht door middel van een ander bekledingsprocedé voordat de aluminidebekleding wordt aangebracht, wordt mede begrepen onder de term „met edelmetaal gemodificeerde aluminide”-bekleding.
4. 


Het begrip „mengsels daarvan” omvat geïnfiltreerd materiaal, samenstellingen met een verlopend gehalte, gelijktijdig afgezette materialen en afzettingen bestaande uit meerdere lagen en zij worden verkregen door middel van één of meer van de in de tabel vermelde bekledingsprocedés.
5. 


Met „MCrAlX” wordt bedoeld een bekledingslegering waarbij M staat voor kobalt, ijzer, nikkel of combinaties daarvan en X staat voor hafnium, yttrium, silicium, tantaal in iedere hoeveelheid of voor andere opzettelijke toevoegingen van meer dan 0,01 gewichtspercent in verschillende verhoudingen en combinaties, met uitzondering van:


a. 


CoCrAlY-bekledingen die minder dan 22 gewichtsprocent chroom bevatten, minder dan 7 gewichtsprocent aluminium en minder dan 2 gewichtsprocent yttrium;




b. 


CoCrAlY-bekledingen die 22 tot 24 gewichtsprocent chroom bevatten, 10 tot 12 gewichtsprocent aluminium en 0,5 tot 0,7 gewichtspercent yttrium; of





c. 


NiCrAlY-bekledingen die 21 tot 23 gewichtsprocent chroom bevatten, 10 tot 12 gewichtsprocent aluminium en 0,9 tot 1,1 gewichtspercent yttrium.
6. 


Met „aluminiumlegeringen” worden bedoeld legeringen met een treksterkte van 190 MPa of meer gemeten bij 293 K (20 °C).
 7. 


Met „roestwerend staal” wordt bedoeld AISI (American Iron and Steel Institute) serie 300 of naar gelijkwaardige nationale normen geclassificeerde staalsoorten.
8. 


„Vuurvaste metalen en legeringen” omvatten de volgende metalen en hun legeringen: niobium (columbium), molybdeen, wolfraam en tantaal.
9. 


„Sensorvenstermaterialen”, als hierna: aluminiumoxide, silicium, germanium, zinksulfide, zinkselenide, galliumarsenide, diamant, galliumfosfide, saffier en de volgende metaalhaliden: sensorvenstermaterialen met een diameter groter dan 40 mm indien gemaakt van zirconiumfluoride en hafniumfluoride.
10. 


Categorie 2 heeft geen betrekking op „technologie” voor het in één fase ‹pack› cementeren van massieve aerodynamische vlakken.
11. 


„Polymeren”, als hierna: polyimide, polyester, polysulfide, polycarbonaten en polyurethanen.
12. 


„Gemodificeerd zirkoniumoxide” verwijst naar toevoegingen van andere metaaloxiden, bv. calciumoxide, magnesiumoxide, yttriumoxide, hafniumoxide, zeldzame aardoxiden, enz. aan zirkoniumoxide teneinde bepaalde kristallografische fasen en fasesamenstellingen te stabiliseren. Warmtebarrièrebekledingen gemaakt van zirkoniumoxide, gemodificeerd met calciumoxide of magnesiumoxide door middel van mengen of versmelting worden niet bedoeld.
13. 


Met „titaanlegeringen” worden uitsluitend bedoeld ruimtevaartlegeringen met een treksterkte van 900 MPa of meer gemeten bij 293 K (20 °C).
14. 


Met „glazen met een lage thermische uitzettingscoëfficiënt” worden bedoeld glazen met een uitzettingscoëfficiënt van 1 × 10–7 K–1 of minder gemeten bij 293 K (20 °C).
15. 


„Diëlektrische lagen” zijn bekledingen die zijn opgebouwd uit meerdere lagen bestaande isolatiematerialen waarbij gebruik wordt gemaakt van de interferentie-eigenschappen van een ontwerp dat is samengesteld uit materialen met uiteenlopende brekingsindexen voor de reflectie, transmissie of absorptie van verschillende golflengtebanden. Met diëlektrische lagen worden bedoeld meer dan vier diëlektrische lagen of „composiete” diëlektrische/metaallagen.
16. 


Materialen voor snij- en vormwerktuigen bestaande uit wolfraamcarbide/(met kobalt, nikkel), titaancarbide/(met kobalt, nikkel), chroomcarbide/(met nikkel, chroom) en chroomcarbide/(met nikkel) zijn niet mede begrepen onder de „gecementeerde wolfraamcarbide” in de tabel.
 17. 


Niet bedoeld wordt „technologie” voor het aanbrengen van diamantachtige koolstof op één van de volgende artikelen:
magnetische diskdrives en koppen, apparatuur voor de vervaardiging van wegwerpartikelen, kleppen of tapkraantjes, akoestische membranen voor luidsprekers, automotoronderdelen, snijmachines, pons- en persmatrijzen, kantoorautomatiseringsapparatuur, microfoons of medische apparatuur of uit legeringen met minder dan 5 % beryllium gemaakte matrijzen voor het gieten of vormen van plastic.
18. 


„Siliciumcarbide” omvat geen materiaal voor snij- of vormwerktuigen.
19. 


Keramische substraten, zoals onder dit nummer gebruikt, omvatten geen keramische materialen met 5 % of meer gewichtspercent klei- of cementinhoud, als afzonderlijke bestanddelen dan wel in combinatie.
TABEL – AFZETTINGSTECHNIEKEN – TECHNISCHE NOOT

De definities van de in kolom 1 van de tabel vermelde procedés luiden als volgt:


a. 


Chemische afzetting uit de dampfase (CVD) is een procedé voor deklaagbekleding of voor bekleding door modificatie van het oppervlak waarbij een metaal, legering, „composiet”, diëlektrisch of keramisch materiaal op een verhit substraat wordt afgezet. In de nabijheid van een substraat worden gasvormige reagentia ontleed of gecombineerd, wat leidt tot de afzetting van het gewenste materiaal, zijnde een element, legering of samengesteld materiaal, op het substraat. De energie voor dit proces van ontleding of chemische reactie kan worden geleverd door de hitte van het substraat, door een gloeiontladingsplasma of door „laser”-bestraling.
NB 1
: 
CVD omvat de volgende procedés: ‹out-of-pack›-afzetting met gerichte gasstroom, pulserende CVD, thermische afzetting met beheerste kernenvorming (CNTD), met plasma versterkte of met plasma ondersteunde CVD-procedés.
NB 2
: 
‹Pack› geeft aan dat een substraat is ingebed in een poedermengsel.
NB 3
: 
Het bij het ‹out-of-pack›-procedé gebruikte gasvormige materiaal wordt verkregen door toepassing van dezelfde basisreacties en parameters als bij het ‹pack› cementeringsprocedé, behalve dat het te bekleden substraat niet in contact komt met het poedermengsel.
 b. 


Thermische verdampingsafzetting (TE-PVD) (opdampen) is een procedé voor deklaagbekleding in een vacuümkamer bij een druk van minder dan 0,1 Pa waarin gebruik wordt gemaakt van een thermische energiebron voor het verdampen van het bekledingsmateriaal. Dit leidt tot de neerslag, of afzetting, van de verdampte stoffen op een in een geschikte positie geplaatst substraat.
De toevoeging van gassen aan de vacuümkamer tijdens het bekledingsprocedé voor het opbouwen van een samengestelde bekleding is een gebruikelijke aanpassing van het procedé.
Het gebruik van een ionen- of elektronenstraal, of plasma, teneinde de afzetting van de bekleding te activeren of te ondersteunen is eveneens een gebruikelijke aanpassing in deze techniek. Ook kunnen tijdens deze procedés monitoren worden gebruikt voor het tijdens het proces meten van de optische eigenschappen en de dikte van de bekledingslaag.
 Specifieke TE-PVD-procedés verlopen als volgt:


1. 


bij elektronenstraalverdampen (EB-PVD) wordt gebruikgemaakt van een elektronenstraal voor het verhitten en verdampen van het materiaal waaruit de deklaag wordt gevormd;




2. 


bij weerstandsverhittingsverdampen met ionen wordt gebruikgemaakt van elektrische weerstandsverwarmingsbronnen in combinatie met één of meer botsende ionenstralen die een beheerste en gelijkmatige stroom verdampt bekledingsmateriaal leveren;




3. 


bij „laser”-verdamping wordt gebruikgemaakt van ofwel een pulserende ofwel een continue „laser”-straal voor het verdampen van het materiaal waaruit de deklaag wordt gevormd;




4. 


boogverdampen maakt gebruik van een uit het materiaal van de te vormen deklaag bestaande kathode welke opgebruikt wordt en waarbij een vonkoverslag op het oppervlak wordt gecreëerd door een kort aardcontact. De beheerste vlamboogbeweging erodeert het kathodeoppervlak waardoor een sterk geïoniseerd plasma ontstaat. De anode kan een kegel zijn die via een isolatie aan de rand van de kathode is bevestigd of de kamer wordt als anode gebruikt. Het aanleggen van een voorspanning op het substraat wordt gebruikt bij het uit de gezichtslijn opbrengen van deklagen;



NB
: 
Het aanbrengen van deklagen door middel van een niet beheerste vlamboog zonder een voorspanning op het substraat is niet mede begrepen in deze definitie.
5. 


‹Ion-plating› is een speciale aanpassing van een algemeen TE-PVD-procedé waarbij een plasma of een ionenbron wordt gebruikt voor het ioniseren van de af te zetten stoffen, en waarbij een negatieve voorspanning wordt aangelegd op het substraat teneinde de stoffen gemakkelijker aan het plasma te kunnen onttrekken. Het toevoegen van reactieve stoffen, de verdamping van vaste stoffen in de proceskamer en het gebruik van monitoren voor het tijdens het proces meten van de optische eigenschappen en de dikte van de bekledingslaag zijn gebruikelijke aanpassingen van het procedé.
 c. 


‹Pack›-cementering is een procedé voor bekleding door modificatie van het oppervlak of voor deklaagbekleding waarbij een substraat wordt ingebed in een poedermengsel, een zgn. ‹pack›, dat bestaat uit:


1. 


de metaalhoudende poeders die moeten worden afgezet (gewoonlijk aluminium, chroom, silicium of combinaties daarvan);




2. 


een activerende stof (gewoonlijk een halogenide zout); en




3. 


een inerte stof, meestal aluminiumoxide.
Het substraat en het poedermengsel bevinden zich in een retort die wordt verhit tot 1 030  K (757 °C) à 1 375  K (1 102  °C) gedurende een tijd lang genoeg voor afzetting van de laag.
d. 


Plasmaspuiten is een deklaagbekledingsprocedé waarbij een spuitpistool, dat een plasma produceert en reguleert, bekledingsmaterialen in poeder- of draadvorm krijgt toegevoerd, deze smelt en naar een substraat drijft, waarop zich een integraal gehechte laag vormt. Plasmaspuiten zoals hier bedoeld is ofwel plasmaspuiten bij lage druk ofwel plasmaspuiten met hoge snelheid.
NB 1
: 
Lage druk wil zeggen minder dan de atmosferische omgevingsdruk.
NB 2
: 
Met hoge snelheid wordt bedoeld een uitstroomsnelheid van het gas uit het mondstuk hoger dan 750 m/s bij 293 K (20 °C) en 0,1 MPa.
e. 


Afzetting uit suspensie is een procedé voor bekleding door modificatie van het oppervlak of voor deklaagbekleding waarbij een metaalhoudend of keramisch poeder met een organische bindstof in suspensie wordt gebracht in een vloeistof en op een substraat wordt aangebracht door spuiten, dompelen of penselen; vervolgens droging aan de lucht of in een oven; en warmtebehandeling om de gewenste laag te verkrijgen.
 f. 


Afzetting door middel van sputteren is een deklaagbekledingsprocedé dat is gebaseerd op een verschijnsel van pulsoverdracht, waarbij positief geladen ionen worden versneld door een elektrisch veld naar het oppervlak van een trefplaat (deklaagmateriaal). De kinetische energie van de botsende ionen is voldoende om ervoor te zorgen dat atomen aan het oppervlak van de trefplaat vrijkomen en worden afgezet op een in een geschikte positie geplaatst substraat.
NB 1
: 
De tabel verwijst uitsluitend naar afzetting door sputteren met een triode, magnetron of naar reactief sputteren, welke methoden worden toegepast om de hechting van de bekleding en de afzetsnelheid te vergroten, en naar hoogfrequent (RF) versterkte afzetting door sputteren, wat wordt toegepast om de verdamping van niet-metaalhoudende bekledingsmaterialen mogelijk te maken.
NB 2
: 
Ionenstralen met lage energie (minder dan 5 keV) kunnen worden toegepast om de afzetting in gang te zetten.
g. 


Ionenimplantatie is een procedé voor bekleding door modificatie van het oppervlak waarbij het te legeren element wordt geïoniseerd, wordt versneld door een potentiaalgradiënt en in het substraatoppervlak wordt geïmplanteerd. De definitie omvat mede procedés waarbij tegelijk met de ionenimplantatie elektronenstraalverdamping of afzetting door middel van sputtering plaatsvindt.
DEEL V

Categorie 3


CATEGORIE 3 — ELECTRONICA


3ASystemen, apparatuur en onderdelen




Noot 1
: 
De controlestatus van in 3A001 of 3A002 omschreven apparatuur en onderdelen, anders dan die welke zijn omschreven in 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.10. of 3A001.a.12. tot en met 3A001.a.14., of 3A001.b.12., die speciaal zijn ontworpen voor apparatuur waarvoor een uitvoervergunning vereist is, of die dezelfde functionele eigenschappen hebben, wordt bepaald door de controlestatus van die andere apparatuur.
 Noot 2
: 
De controlestatus van geïntegreerde schakelingen als omschreven in 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.9. of 3A001.a.12. tot en met 3A001.a.14. die onveranderbaar zijn geprogrammeerd of ontworpen voor een specifieke functie, wordt eveneens bepaald door de controlestatus van die andere apparatuur.
NB
: 
Wanneer de fabrikant of de aanvrager de controlestatus van de andere apparatuur niet kan bepalen, wordt de controlestatus bepaald op grond van 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.9. en 3A001.a.12. tot en met 3A001.a.14.
Noot 3
: 
De status van (al dan niet afgewerkte) plakken (‹wafers›) waarin de functie reeds is vastgelegd, dient te worden beoordeeld aan de hand van de parameters in 3A001.a., 3A001.b., 3A001.d., 3A001.e.4., 3A001.g., 3A001.h. of 3A001.i.
3A001Elektronische producten, als hieronder:


a. 


universele geïntegreerde schakelingen, als hieronder:



Noot
: 
Geïntegreerde schakelingen omvatten de volgende typen:




— 



„monolithische geïntegreerde schakelingen”;





— 



„hybride geïntegreerde schakelingen”;





— 



„multichip geïntegreerde schakelingen”;





— 



„geïntegreerde schakelingen van het filmtype” met inbegrip van geïntegreerde schakelingen van silicium op saffier;





— 



„optische geïntegreerde schakelingen”;





— 



„driedimensionale geïntegreerde schakelingen”;





— 



„monolithisch geïntegreerde microgolfschakelingen” („MMIC’s”).
1. 


geïntegreerde schakelingen, ontworpen of gespecificeerd als bestand tegen één of meer van de volgende parameters:


a. 


een totale dosis van 5 × 103 Gy (silicium) of meer;




b. 


storing bij een dosistempo van 5 × 106 Gy (silicium)/s of meer; of





c. 


een fluentie (geïntegreerde flux) van neutronen (gelijk aan 1 MeV) van 5 × 1013 n/cm2 of meer op silicium, of het equivalent daarvan voor andere materialen;



Noot
: 
3A001.a.1.c. heeft geen betrekking op MIS-condensatoren (Metal Insulator Semiconductors).
 2. 


„microprocessor-microschakelingen”, „microcomputer-microschakelingen”, microbesturing-microschakelingen, geïntegreerde geheugenschakelingen vervaardigd van samengesteld halfgeleidermateriaal, analoog-digitaalomzetters, geïntegreerde schakelingen die analoog-digitaalomzetters bevatten en gedigitaliseerde gegevens opslaan of verwerken, digitaal-analoogomzetters, elektro-optische of „optisch geïntegreerde schakelingen” voor „signaalverwerking”, door de gebruiker te programmeren logische elementen, op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de controlestatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet bekend is, of FFT („Fast Fourier Transform”)-processoren, statische RAM’s (SRAM’s) of „niet-volatiele geheugens”, met een of meer van de volgende eigenschappen:


a. 


gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur hoger dan 398 K (125 °C);




b. 


gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur lager dan 218 K (- 55 °C); of





c. 


gespecificeerd om te werken over het gehele omgevingstemperatuurbereik van 218 K (- 55°C) tot 398 K (125 °C);





Noot
: 
3A001.a.2. heeft geen betrekking op geïntegreerde schakelingen die zijn ontworpen voor toepassingen in civiele automobielen of treinen.
Technische noot
:

„niet-vluchtige geheugens” zijn geheugens die gegevens bewaren gedurende een periode nadat de spanning wordt afgesloten.
3. 


„microprocessor-microschakelingen”, „microcomputer-microschakelingen” en microbesturingmicroschakelingen, gefabriceerd van een samengestelde halfgeleider en werkend met een klokfrequentie vanaf 40 MHz;



Noot
: 
3A001.a.3. heeft mede betrekking op digitale signaalprocessoren, digitale „array”-processoren en digitale coprocessoren.
4. 


niet gebruikt;




5. 


geïntegreerde schakelingen voor analoog-digitaalomzetters (ADC’s) en digitaal-analoogomzetters (DAC’s), als hieronder:


a. 


ADC’s met één of meer van de volgende eigenschappen:



NB
: 
ZIE OOK 3A101.
 1. 


een scheidend vermogen van 8 bit of meer maar minder dan 10 bit, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,3 gigasamples per seconde (GSPS);




2. 


een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 600 megasamples per seconde (MSPS);




3. 


een scheidend vermogen van 12 bit of meer maar minder dan 14 bit, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 400 megasamples per seconde (MSPS);




4. 


een scheidend vermogen van 14 bit of meer maar minder dan 16 bit, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 250 megasamples per seconde (MSPS); of





5. 


een scheidend vermogen van 16 bit of meer, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 65 megasamples per seconde (MSPS);





NB
: 
Zie 3A001.a.14 voor geïntegreerde schakelingen die analoog-digitaalomzetters bevatten en gedigitaliseerde gegevens opslaan of verwerken.
Technische noten
:


1.
Een scheidend vermogen van n bit komt overeen met een kwantisering van 2n niveaus.
2.
Het scheidend vermogen van de ADC is het aantal bits van de digitale output dat de gemeten analoge input vertegenwoordigt. Het effectieve aantal bits (ENOB) wordt niet gebruikt voor de bepaling van het scheidend vermogen van de ADC.
3.
Voor „meerkanalen-ADC’s” wordt de „bemonsteringssnelheid” niet samengevoegd en is de „bemonsteringssnelheid” de maximale snelheid van één kanaal.
4.
Voor „interleaved-ADC’s” en „meerkanalen-ADC’s” met interleaved-modus worden de „bemonsteringssnelheden” samengevoegd en is de „bemonsteringssnelheid” de maximale gecombineerde totale snelheid van alle interleaved-kanalen samen.
 b. 


digitaal-analoogomzetters (DAC’s) met één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een „‹adjusted update rate›” van meer dan 3 500  MSPS; of





2. 


een scheidend vermogen van 12 bit of meer en met één of meer van de volgende eigenschappen:


a. 


een „‹adjusted update rate›” van meer dan 1 250  MSPS maar niet hoger dan 3 500  MSPS, en met één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een stabilisatietijd (‹settling time›) van minder dan 9 ns tot het bereiken van 0,024 % of minder van ‹full scale› bij een ‹full scale›-stap; of





2. 


een storingsvrij dynamisch bereik („Spurious Free Dynamic Range” - SFDR) van meer dan 68 dBc (draaggolf) bij de synthese van een ‹full scale› analoog signaal van 100 MHz of de hoogst aangegeven ‹full scale› analoge signaalfrequentie van minder dan 100 MHz; of







b. 


een „‹adjusted update rate›” van meer dan 3 500  MSPS;






Technische noten
:


1.
Het storingsvrij dynamisch bereik („Spurious Free Dynamic Range” - SFDR) wordt gedefinieerd als de verhouding van de rms-waarde van de draaggolffrequentie (maximale signaalcomponent) aan de ingang van de DAC tot de rms-waarde van de volgende grootste ruis- of harmonische distorsiecomponent aan de uitgang.
2.
Het SFDR wordt rechtstreeks bepaald aan de hand van de specificatietabel of van de grafiek waarin het SFDR tegen de frequentie wordt uitgezet.
3
 
Een signaal wordt gedefinieerd als zijnde ‹full scale› wanneer de amplitude groter is dan – 3 dBfs (‹full scale›).
4.
 „‹Adjusted update rate›” voor DAC’s:





a. 



in conventionele DAC’s (zonder interpolatie) geeft de „‹adjusted update rate›” het tempo weer waarin het digitale signaal in een analoog signaal wordt geconverteerd en de analoge uitgangswaarden door de DAC worden aangepast. DAC’s waarbij zonder interpolatiefunctie kan worden gewerkt (interpolatiefactor één) worden beschouwd als conventionele DAC’s (zonder interpolatie).
b. 



in interpolerende DAC’s (overbemonsterende DAC’s) is de „‹adjusted update rate›” de ‹update rate› van de DAC gedeeld door de kleinste interpolatiefactor. De „‹adjusted update rate›” van interpolerende DAC’s kan met verschillende termen worden aangegeven, waaronder:



— 



snelheid van gegevensinvoer (input data rate)





— 



snelheid van woordinvoer (input word rate)





— 



bemonsteringssnelheid (input sample rate)





— 



maximale totale snelheid van de invoerbus (maximum total input bus rate)





— 



maximale snelheid van de DAC-klok voor DAC-klokinvoer (‹maximum DAC clock rate for DAC clock input).
6. 


elektro-optische of „optische geïntegreerde schakelingen” voor „signaalverwerking” met alle volgende eigenschappen:


a. 


één of meer inwendige „laser”-dioden;




b. 


één of meer inwendige lichtdetectie-elementen; en





c. 


optische golfgeleiders;






7. 


door de gebruiker te programmeren logische elementen met één van de volgende eigenschappen:


a. 


een maximaal aantal enkelvoudige digitale inputs/outputs van 700 of meer; of





b. 


een „totale unilaterale piek seriële zendontvanger datasnelheid” van 500 Gb/s of meer;





Noot
: 
3A001.a.7. omvat:




— 



Complex Programmable Logic Devices - complexe programmeerbare logische elementen (CPLD’s)





— 



‹Field Programmable Gate Arrays› - door de gebruiker te programmeren ‹gate arrays› (FPGA’s)





— 



‹Field Programmable Logic Arrays› - door de gebruiker te programmeren ‹logic arrays› (FPLA’s)





— 



Field Programmable Interconnects - door de gebruiker te programmeren ‹interconnects› (FPIC’s)






NB
: 
Zie 3A001.a.14. voor geïntegreerde schakelingen met door de gebruiker te programmeren logische elementen die gecombineerd zijn met een analoog-digitaalomzetter.
Technische noten
:


1.
 Het in 3A001.a.7.a. bedoelde maximaal aantal digitale inputs/outputs wordt ook het maximaal aantal user-inputs/outputs of maximaal beschikbaar aantal inputs/outputs genoemd, afhankelijk van het feit of de geïntegreerde schakeling al dan niet verpakt is.
2.
„Totale unilaterale piek seriële zendontvanger datasnelheid” is het product van de seriële unilaterale zendontvanger gegevens pieksnelheid maal het aantal zendontvangers op de FPGA.
8. 


niet gebruikt;




9. 


geïntegreerde schakelingen voor neurale netwerken;




10. 


op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de controlestatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet aan de fabrikant bekend is, met één of meer van de volgende eigenschappen:


a. 


meer dan 1 500  in-/uitgangspunten;




b. 


een typische „‹basic gate propagation delay time›” van minder dan 0,02 ns; of





c. 


een werkfrequentie vanaf 3 GHz;






11. 


digitale geïntegreerde schakelingen, anders dan als omschreven in 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.10. of 3A001.a.12., die zijn gebaseerd op een samengestelde halfgeleider en met één van beide volgende eigenschappen:


a. 


een ‹gate count› equivalent van meer dan 3 000  (twee ingangspoorten); of





b. 


een ‹toggle›-frequentie vanaf 1,2 GHz;






12. 


FFT (‹Fast Fourier Transform›)-processoren met een nominale uitvoeringstijd, voor een N-punt complexe FFT van minder dan (N log2 N) /20 480 ms, waarbij N het aantal punten is;


Technische noot
:

Wanneer N gelijk is aan 1 024  punten, geeft de formule in 3A001.a.12. een uitvoeringstijd van 500 μs.
13. 


Directe Digitale Synthesizer (DDS) geïntegreerde schakelingen met één of meer van de volgende eigenschappen:


a. 


een digitaal-analoog-omzetter (DAC) klokfrequentie van 3,5 GHz of meer en een DAC-resolutie van 10 bit of meer, maar minder dan 12 bit; of





b. 


een DAC-klokfrequentie van 1,25 GHz of meer en een DAC-resolutie van 12 bit of meer;




Technische noot
:

De DAC-klokfrequentie kan worden gespecificeerd als de hoofdklokfrequentie of de invoerklokfrequentie.
 14. 


geïntegreerde schakelingen die alle volgende taken verrichten of die daartoe kunnen worden geprogrammeerd:


a. 


analoog-digitaalomzetters die voldoen aan één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een scheidend vermogen van 8 bit of meer maar minder dan 10 bit, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,3 gigasamples per seconde (GSPS);




2. 


een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,0 gigasamples per seconde (GSPS);




3. 


een scheidend vermogen van 12 bit of meer maar minder dan 14 bit, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,0 gigasamples per seconde (GSPS);




4. 


een scheidend vermogen van 14 bit of meer maar minder dan 16 bit, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 400 megasamples per seconde (MSPS); of





5. 


een scheidend vermogen van 16 bit of meer, met een „bemonsteringssnelheid” van meer dan 180 megasamples per seconde (MSPS); en







b. 


één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


opslag van gedigitaliseerde gegevens; of





2. 


verwerking van gedigitaliseerde gegevens;







NB 1
: 
Zie 3A001.a.5.a. voor geïntegreerde schakelingen die analoog-digitaalomzetters bevatten.
NB 2
: 
Zie 3A001.a.7. voor door de gebruiker te programmeren logische elementen.
Technische noten
:


1.
Een scheidend vermogen van n bit komt overeen met een kwantisering van 2n niveaus.
2.
Het scheidend vermogen van de ADC is het aantal bits van de digitale output van de ADC dat de gemeten analoge input vertegenwoordigt. Het effectieve aantal bits (ENOB) wordt niet gebruikt voor de bepaling van het scheidend vermogen van de ADC.
3.
Voor geïntegreerde schakelingen met niet-„interleaving”„meerkanalen-ADC’s” wordt de bemonsteringssnelheid niet samengevoegd en is de „bemonsteringssnelheid” de maximale snelheid van één kanaal.
4.
Voor geïntegreerde schakelingen met „interleaved-ADC’s” en „meerkanalen-ADC’s” met interleaved-modus worden de „bemonsteringssnelheden” samengevoegd en is de „bemonsteringssnelheid” de maximale gecombineerde totale snelheid van alle interleaved-kanalen samen.
 b. 


microgolf- of millimetergolfproducten, als hieronder:


Technische noot
:

Voor de toepassing van 3A001.b. kan er op de productinformatiebladen naar de parameter verzadigd piekuitgangsvermogen worden verwezen als uitgangsvermogen, verzadigd uitgangsvermogen, maximaal uitgangsvermogen, piekuitgangsvermogen of ‹peak envelope power output›.
1. 


„elektronische vacuümelementen” en kathoden, als hieronder:



Noot 1
: 
3A001.b.1. heeft geen betrekking op „elektronische vacuümelementen” die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen elke frequentieband en die alle volgende eigenschappen hebben:





a. 



niet meer dan 31,8 GHz; en







b. 



„door de ITU toegewezen” voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.
Noot 2
: 
3A001.b.1. heeft geen betrekking op niet „voor gebruik in de ruimte gekwalificeerde”„elektronische vacuümelementen” met alle volgende eigenschappen:





a. 



een gemiddelde vermogensdichtheid aan de uitgang van 50 W of minder; en







b. 



buizen die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen ongeacht welke frequentieband en die alle volgende eigenschappen hebben:




1. 



meer dan 31,8 GHz doch niet meer dan 43,5 GHz; en







2. 



„door de ITU toegewezen” voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.
 a. 


„elektronische vacuümelementen” met een lopende-golf, voor puls- of ongedempte golven, als hieronder:


1. 


toestellen die werken bij frequenties hoger dan 31,8 GHz;




2. 


toestellen met een kathodeverhittingselement dat in minder dan drie seconden het gespecificeerde RF-vermogen bereikt;




3. 


gekoppelde trilholtecomponenten of afgeleiden daarvan, met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 7 % of een piekvermogen van meer dan 2,5 kW;




4. 


toestellen die zijn gebaseerd op schakelingen met een spiraalvormige golfgeleider, gevouwen golfgeleider of kronkelende golfgeleider of afgeleiden daarvan, met één of meer van de volgende eigenschappen:


a. 


een „momentele bandbreedte” van meer dan één octaaf, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) maal frequentie (in GHz) van meer dan 0,5;




b. 


een „momentele bandbreedte” van een octaaf of minder, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) maal frequentie (in GHz) van meer dan 1;




c. 


„voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd”; of





d. 


met een gerasterd elektronenkanon;






5. 


toestellen met een „fractionele bandbreedte” van 10 % of meer, en met één of meer van de volgende eigenschappen:


a. 


een ringvormige elektronenbundel;




b. 


een niet-axiaalsymmetrische elektronenbundel; of




c. 


meerdere elektronenbundels;








b. 


versterkende „elektronische vacuümelementen” met een dwarsveld (‹crossed field›) en meer dan 17 dB versterking;




c. 


thermionische kathoden, ontworpen voor „elektronische vacuümelementen” voor het voortbrengen van een continue emissiestroomdichtheid groter dan 5 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden of een gepulseerde (onderbroken) emissiestroomdichtheid groter dan 10 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden;




d. 


„elektronische vacuümelementen” met de mogelijkheid om in een „dual-mode” te werken.
Technische noot
:

„Dual-mode” houdt in dat de bundelstroom van het „elektronische vacuümelement” opzettelijk kan worden geschakeld tussen werking met ongedempte golven en pulsgolven door middel van een raster en een top-impulsuitgangsvermogen produceert die groter is dan het continugolfuitgangsvermogen.
2. 


„monolithisch geïntegreerde microgolfschakelingen”- (MMIC-)vermogensversterkers met:



NB
: 
Zie 3A001.b.12. voor „MMIC”-versterkers met een geïntegreerde faseverschuiver.
 a. 


nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 15 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 75 W (48,75 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz;




2. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 55 W (47,4 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz;




3. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz; of





4. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz;






b. 


nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 16 GHz met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 W (40 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz; of





2. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 5 W (37 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 16 GHz;






c. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 3 W (34,77 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;




d. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz;




e. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;




f. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 31,62 mW (15 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;




g. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 mW (10 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 5 %; of





h. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz;





Noot 1
: 
Niet gebruikt.
 Noot 2
: 
De controlestatus van „MMIC’s” waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.2.a. tot en met 3A001.b.2.h., wordt bepaald door het laatste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt.
Noot 3
: 
De noten 1 en 2 onder 3A houden in dat in 3A001.b.2. niet worden bedoeld „MMIC’s” die speciaal zijn ontworpen voor andere toepassingen zoals telecommunicatie, radars en automobielen.
 3. 


discrete microgolftransistors, met:


a. 


nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz en met één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 400 W (56 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz;




2. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 205 W (53,12 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz;




3. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 115 W (50,61 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz; of





4. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 60 W (47,78 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz;






b. 


nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz en met één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz;




2. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 15 W (41,76 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz;




3. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 12 GHz tot en met 16 GHz; of





4. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 7 W (38,45 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz;






c. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,5 W (27 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz;




d. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz;




e. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz; of





f. 


anders dan aangeduid in 3A001.b.3.a. tot en met 3A001.b.3.e., en met een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 5 W (37,0 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 31,8 GHz;





Noot 1
: 
De controlestatus van een transistor in 3A001.b.3.a. tot en met 3A001.b.3.e. waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.3.a. tot en met 3A001.b.3.e., wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt.
 Noot 2
: 
3A001.b.3. omvat kale blokjes, blokjes gemonteerd op dragers, of blokjes gemonteerd in pakketten. Naar sommige discrete transistors kan ook verwezen worden als vermogensversterkers, maar de status van deze discrete transistors wordt bepaald door 3A001.b.3.
 4. 


microgolf-halfgeleiderversterkers en microgolfassemblages/-modules die microgolf-halfgeleiderversterkers bevatten met:


a. 


nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 15 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 500 W (57 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz;




2. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 270 W (54,3 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz;




3. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 200 W (53 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz; of





4. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 90 W (49,54 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz;






b. 


nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 70 W (48,45 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz;




2. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz;




3. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 30 W (44,77 dBm) op elke frequentie vanaf 12 GHz tot en met 16 GHz; of





4. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz;






c. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,5 W (27 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz;




d. 


een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 2 W (33 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;




e. 


nominale werkfrequenties vanaf 43,5 GHz en met één van de volgende eigenschappen:


1. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,2 W (23 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %;




2. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 mW (13 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een „fractionele bandbreedte” van meer dan 5 %; of





3. 


een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (- 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz; of







f. 


niet gebruikt;





NB 1
: 
Zie 3A001.b.2. voor „MMIC”-versterkers.
 NB 2
: 
Zie 3A001.b.12. voor „zend-/ontvangstmodules” en „zendmodules”.
NB 3
: 
Zie 3A001.b.7. voor converters en harmonische mixers die zijn ontworpen om het werk- of frequentiebereik van signaalanalysatoren, signaalgeneratoren, netwerkanalysatoren en microgolftestontvangers uit te breiden.
Noot 1
: 
Niet gebruikt.
Noot 2
: 
De controlestatus van een object waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.4.a. tot en met 3A001.b.4.e., wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt.
 5. 


elektronisch of magnetisch afstembare banddoorlaat of bandsperfilters met meer dan vijf afstembare resonatoren, geschikt om af te stemmen over een frequentieband van 1,5:1 (fmax/fmin) in minder dan 10 μs bij:


a. 


een banddoorlaatbandbreedte van meer dan 0,5 % van de centrale frequentie; of





b. 


een bandsperbandbreedte van minder dan 0,5 % van de centrale frequentie;






6. 


niet gebruikt;




7. 


converters en harmonische mixers met één van de volgende eigenschappen:


a. 


ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van „signaalanalysatoren” tot meer dan 90 GHz;




b. 


ontworpen voor het vergroten van het werkgebied van signaalgeneratoren:


1. 


tot meer dan 90 GHz;




2. 


tot een uitgangsvermogen van meer dan 100 mW (20 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz;






c. 


ontworpen voor het vergroten van het werkgebied van netwerkanalysatoren:


1. 


tot meer dan 110 GHz;




2. 


tot een uitgangsvermogen van meer dan 31,62 mW (15 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz;




3. 


tot een uitgangsvermogen van meer dan 1 mW (0 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 90 GHz tot ten hoogste 110 GHz; of







d. 


ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van microgolftestontvangers tot meer dan 110 GHz;






8. 


microgolfvermogensversterkers die „elektronische vacuümelementen” als omschreven in 3A001.b.1. bevatten en alle volgende eigenschappen bezitten:


a. 


werkfrequenties hoger dan 3 GHz;




b. 


een gemiddeld vermogen per massaeenheid aan de uitgang van meer dan 80 W/kg; en





c. 


een volume van minder dan 400 cm3;





Noot
: 
3A001.b.8. heeft geen betrekking op apparatuur die is ontworpen of gespecificeerd voor een frequentieband die „door de ITU toegewezen” is voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.
 9. 


microgolfvermogensmodules (MPM) bestaande uit ten minste een „elektronisch vacuümelement” met een lopende-golf, een „monolithisch geïntegreerde microgolfschakeling” („MMIC”) en een geïntegreerde elektronische vermogensregelaar, met alle volgende eigenschappen:


a. 


een „opstarttijd”, van uitgeschakeld naar volledig operationeel, van minder dan 10 seconden;




b. 


een volume van minder dan het nominale maximumvermogen in watt, vermenigvuldigd met 10 cm3/W; en





c. 


een „momentele brandbreedte” groter dan 1 octaaf (fmax > 2fmin) en één of meer van de volgende eigenschappen:


1. 


voor frequenties gelijk aan of kleiner dan 18 GHz, een RF-uitgangsvermogen van meer dan 100 W; of





2. 


een frequentie groter dan 18 GHz;






Technische noten
:


1.
De berekening van het volume in 3A001.b.9.b. wordt aan de hand van het volgende voorbeeld toegelicht: voor een nominaal maximumvermogen van 20 W bedraagt het volume: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
2.
De „opstarttijd” in 3A001.b.9.a. is de tijd die verloopt tussen volledig uitgeschakeld en volledig operationeel; hieronder is dus ook de opwarmtijd van de MPM begrepen.
10. 


oscillatoren of een samenbouw van oscillatoren die zijn ontworpen om te werken met een enkelzijband (SSB) faseruis, in dBc/Hz, minder (beter) dan - (126 + 20log10F – 20log10f) binnen het bereik van 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz;


Technische noot
:

In 3A001.b.10. staat F voor de verschuiving van de werkfrequentie in Hz en f voor de werkfrequentie in MHz.
 11. 


„frequentiesynthesizer”, „elektronische samenstellingen” met een „frequentiewisseltijd”, overeenkomstig één van de volgende eigenschappen:


a. 


minder dan 143 ps;




b. 


minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 4,8 GHz tot ten hoogste 31,8 GHz;




c. 


niet gebruikt;




d. 


minder dan 500 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 550 MHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz;




e. 


minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 37 GHz tot ten hoogste 75 GHz;




f. 


minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 5,0 GHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 75 GHz tot ten hoogste 90 GHz; of





g. 


minder dan 1 ms binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van meer dan 90 GHz.
Technische noot
:

Onder „frequentiesynthesizer” wordt verstaan elke soort frequentiebron, ongeacht de feitelijk daarin toegepaste techniek, die een veelheid aan uitgangsfrequenties afgeeft, gelijktijdig of naar keuze, aan één of meer uitgangen, en die worden bepaald door, afgeleid van of beheerst door een geringer aantal standaard- (of basis)frequenties.
NB
: 
Voor „signaalanalysatoren”, signaalgeneratoren, netwerkanalysatoren en microgolftestontvangers voor algemeen gebruik, zie respectievelijk 3A002.c., 3A002.d., 3A002.e. en 3A002.f.
