Regolamento (UE) 2021/821 del Parlamento europeo e del Consiglio del 20 maggio 2021 che istituisce un regime dell’Unione di controllo delle esportazioni, dell’intermediazione, dell’assistenza tecnica, del transito e del trasferimento di prodotti a duplice uso (rifusione)
Het scheidend vermogen van de ADC is het aantal bits van de digitale output dat de gemeten analoge input vertegenwoordigt. Het effectieve aantal bits (ENOB) wordt niet gebruikt voor de bepaling van het scheidend vermogen van de ADC. 3. Voor “meerkanalen-ADC’s” wordt de “bemonsteringssnelheid” niet samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale snelheid van één kanaal. 4. Voor “interleaved-ADC’s” en “meerkanalen-ADC’s” met interleaved-modus worden de “bemonsteringssnelheden” samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale gecombineerde totale snelheid van alle interleaved-kanalen samen. b. digitaal-analoogomzetters (DAC’s) met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een ‘‹adjusted update rate›’ van meer dan 3 500 MSPS, of 2. een scheidend vermogen van 12 bit of meer en met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een ‘‹adjusted update rate›’ van meer dan 1 250 MSPS maar niet hoger dan 3 500 MSPS, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een stabilisatietijd (‹settling time›) van minder dan 9 ns tot het bereiken van 0,024 % of minder van ‹full scale› bij een ‹full scale›-stap, of 2. een storingsvrij dynamisch bereik (‘Spurious Free Dynamic Range’ - SFDR) van meer dan 68 dBc (draaggolf) bij de synthese van een ‹full scale› analoog signaal van 100 MHz of de hoogst aangegeven ‹full scale› analoge signaalfrequentie van minder dan 100 MHz, of b. een ‘‹adjusted update rate›’ van meer dan 3 500 MSPS; Technische noten: 1. Het storingsvrij dynamisch bereik (‘Spurious Free Dynamic Range’ - SFDR) wordt gedefinieerd als de verhouding van de rms-waarde van de draaggolffrequentie (maximale signaalcomponent) aan de ingang van de DAC tot de rms-waarde van de volgende grootste ruis- of harmonische distorsiecomponent aan de uitgang. 2. Het SFDR wordt rechtstreeks bepaald aan de hand van de specificatietabel of van de grafiek waarin het SFDR tegen de frequentie wordt uitgezet. 3 Een signaal wordt gedefinieerd als zijnde ‹full scale› wanneer de amplitude groter is dan – 3 dBfs (‹full scale›). 4. ‘‹Adjusted update rate›’ voor DAC’s: a. in conventionele DAC’s (zonder interpolatie) geeft de ‘‹adjusted update rate›’ het tempo weer waarin het digitale signaal in een analoog signaal wordt geconverteerd en de analoge uitgangswaarden door de DAC worden aangepast. DAC’s waarbij zonder interpolatiefunctie kan worden gewerkt (interpolatiefactor één) worden beschouwd als conventionele DAC’s (zonder interpolatie). b.  in interpolerende DAC’s (overbemonsterende DAC’s) is de ‘‹adjusted update rate›’ de ‹update rate› van de DAC gedeeld door de kleinste interpolatiefactor. De ‘‹adjusted update rate›’ van interpolerende DAC’s kan met verschillende termen worden aangegeven, waaronder: — snelheid van gegevensinvoer (input data rate) — snelheid van woordinvoer (input word rate) — bemonsteringssnelheid (input sample rate) — maximale totale snelheid van de invoerbus (maximum total input bus rate) — maximale snelheid van de DAC-klok voor DAC-klokinvoer (‹maximum DAC clock rate for DAC clock input). 6. elektro-optische of “optische geïntegreerde schakelingen” voor “signaalverwerking” met alle volgende eigenschappen: a. één of meer inwendige “laser”-dioden; b. één of meer inwendige lichtdetectie-elementen, en c. optische golfgeleiders; 7. door de gebruiker te programmeren logische elementen met één van de volgende eigenschappen: a. een maximaal aantal enkelvoudige digitale inputs/outputs van 700 of meer, of b. een ‘totale unilaterale piek seriële zendontvanger datasnelheid’ van 500 Gb/s of meer; Noot: 3A001. a. 7. omvat:   Complex Programmable Logic Devices - complexe programmeerbare logische elementen (CPLD’s)   ‹Field Programmable Gate Arrays› - door de gebruiker te programmeren ‹gate arrays› (FPGA’s)   ‹Field Programmable Logic Arrays› - door de gebruiker te programmeren ‹logic arrays› (FPLA’s)   Field Programmable Interconnects - door de gebruiker te programmeren ‹interconnects› (FPIC’s) NB: Zie 3A001. a. 14. voor geïntegreerde schakelingen met door de gebruiker te programmeren logische elementen die gecombineerd zijn met een analoog-digitaalomzetter. Technische noten: 1. Het in 3A001. a. 7. a. bedoelde maximaal aantal digitale inputs/outputs wordt ook het maximaal aantal user-inputs/outputs of maximaal beschikbaar aantal inputs/outputs genoemd, afhankelijk van het feit of de geïntegreerde schakeling al dan niet verpakt is. 2. ‘Totale unilaterale piek seriële zendontvanger datasnelheid’ is het product van de seriële unilaterale zendontvanger gegevens pieksnelheid maal het aantal zendontvangers op de FPGA. 8. niet gebruikt; 9. geïntegreerde schakelingen voor neurale netwerken; 10. op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de controlestatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet aan de fabrikant bekend is, met één of meer van de volgende eigenschappen: a. meer dan 1 500 in-/uitgangspunten; b. een typische “‹basic gate propagation delay time›” van minder dan 0,02 ns, of c. een werkfrequentie vanaf 3 GHz; 11. digitale geïntegreerde schakelingen, anders dan als omschreven in 3A001. a. 3. tot en met 3A001. a. 10. of 3A001. a. 12. , die zijn gebaseerd op een samengestelde halfgeleider en met één van beide volgende eigenschappen: a.  een ‹gate count› equivalent van meer dan 3 000 (twee ingangspoorten), of b. een ‹toggle›-frequentie vanaf 1,2 GHz; 12. FFT (‹Fast Fourier Transform›)-processoren met een nominale uitvoeringstijd, voor een N-punt complexe FFT van minder dan (N log2 N) /20 480 ms, waarbij N het aantal punten is; Technische noot: Wanneer N gelijk is aan 1 024 punten, geeft de formule in 3A001. a. 12. een uitvoeringstijd van 500 μs. 13. Directe Digitale Synthesizer (DDS) geïntegreerde schakelingen met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een digitaal-analoog-omzetter (DAC) klokfrequentie van 3,5 GHz of meer en een DAC-resolutie van 10 bit of meer, maar minder dan 12 bit, of b. een DAC-klokfrequentie van 1,25 GHz of meer en een DAC-resolutie van 12 bit of meer; Technische noot: De DAC-klokfrequentie kan worden gespecificeerd als de hoofdklokfrequentie of de invoerklokfrequentie. 14. geïntegreerde schakelingen die alle volgende taken verrichten of die daartoe kunnen worden geprogrammeerd: a. analoog-digitaalomzetters die voldoen aan één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een scheidend vermogen van 8 bit of meer maar minder dan 10 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,3 gigasamples per seconde (GSPS); 2. een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,0 gigasamples per seconde (GSPS); 3. een scheidend vermogen van 12 bit of meer maar minder dan 14 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,0 gigasamples per seconde (GSPS); 4. een scheidend vermogen van 14 bit of meer maar minder dan 16 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 400 megasamples per seconde (MSPS), of 5. een scheidend vermogen van 16 bit of meer, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 180 megasamples per seconde (MSPS), en b. één of meer van de volgende eigenschappen: 1. opslag van gedigitaliseerde gegevens, of 2. verwerking van gedigitaliseerde gegevens; NB 1: Zie 3A001. a. 5. a. voor geïntegreerde schakelingen die analoog-digitaalomzetters bevatten. NB 2: Zie 3A001. a. 7. voor door de gebruiker te programmeren logische elementen. Technische noten: 1. Een scheidend vermogen van n bit komt overeen met een kwantisering van 2n niveaus. 2. Het scheidend vermogen van de ADC is het aantal bits van de digitale output van de ADC dat de gemeten analoge input vertegenwoordigt. Het effectieve aantal bits (ENOB) wordt niet gebruikt voor de bepaling van het scheidend vermogen van de ADC. 3.  Voor geïntegreerde schakelingen met niet-“interleaving”“meerkanalen-ADC’s” wordt de bemonsteringssnelheid niet samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale snelheid van één kanaal. 4. Voor geïntegreerde schakelingen met “interleaved-ADC’s” en “meerkanalen-ADC’s” met interleaved-modus worden de “bemonsteringssnelheden” samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale gecombineerde totale snelheid van alle interleaved-kanalen samen. b. microgolf- of millimetergolfproducten, als hieronder: Technische noot: Voor de toepassing van 3A001. b. kan er op de productinformatiebladen naar de parameter verzadigd piekuitgangsvermogen worden verwezen als uitgangsvermogen, verzadigd uitgangsvermogen, maximaal uitgangsvermogen, piekuitgangsvermogen of ‹peak envelope power output›. 1. “elektronische vacuümelementen” en kathoden, als hieronder: Noot 1: 3A001. b. 1. heeft geen betrekking op “elektronische vacuümelementen” die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen elke frequentieband en die alle volgende eigenschappen hebben: a. niet meer dan 31,8 GHz, en b. “door de ITU toegewezen” voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie. Noot 2: 3A001. b. 1. heeft geen betrekking op niet “voor gebruik in de ruimte gekwalificeerde”“elektronische vacuümelementen” met alle volgende eigenschappen: a. een gemiddelde vermogensdichtheid aan de uitgang van 50 W of minder, en b. buizen die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen ongeacht welke frequentieband en die alle volgende eigenschappen hebben: 1. meer dan 31,8 GHz doch niet meer dan 43,5 GHz, en 2. “door de ITU toegewezen” voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie. a. “elektronische vacuümelementen” met een lopende-golf, voor puls- of ongedempte golven, als hieronder: 1. toestellen die werken bij frequenties hoger dan 31,8 GHz; 2. toestellen met een kathodeverhittingselement dat in minder dan drie seconden het gespecificeerde RF-vermogen bereikt; 3. gekoppelde trilholtecomponenten of afgeleiden daarvan, met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 7 % of een piekvermogen van meer dan 2,5 kW; 4. toestellen die zijn gebaseerd op schakelingen met een spiraalvormige golfgeleider, gevouwen golfgeleider of kronkelende golfgeleider of afgeleiden daarvan, met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een “momentele bandbreedte” van meer dan één octaaf, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) maal frequentie (in GHz) van meer dan 0,5; b. een “momentele bandbreedte” van een octaaf of minder, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) maal frequentie (in GHz) van meer dan 1; c. “voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd”, of d. met een gerasterd elektronenkanon; 5. toestellen met een “fractionele bandbreedte” van 10 % of meer, en met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een ringvormige elektronenbundel; b. een niet-axiaalsymmetrische elektronenbundel, of c. meerdere elektronenbundels; b.  versterkende “elektronische vacuümelementen” met een dwarsveld (‹crossed field›) en meer dan 17 dB versterking; c. thermionische kathoden, ontworpen voor “elektronische vacuümelementen” voor het voortbrengen van een continue emissiestroomdichtheid groter dan 5 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden of een gepulseerde (onderbroken) emissiestroomdichtheid groter dan 10 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden; d. “elektronische vacuümelementen” met de mogelijkheid om in een ‘dual-mode’ te werken. Technische noot: ‘Dual-mode’ houdt in dat de bundelstroom van het “elektronische vacuümelement” opzettelijk kan worden geschakeld tussen werking met ongedempte golven en pulsgolven door middel van een raster en een top-impulsuitgangsvermogen produceert die groter is dan het continugolfuitgangsvermogen. 2. “monolithisch geïntegreerde microgolfschakelingen”- (MMIC-)vermogensversterkers met: NB: Zie 3A001. b. 12. voor “MMIC”-versterkers met een geïntegreerde faseverschuiver. a. nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 15 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 75 W (48,75 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 55 W (47,4 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz; b. nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 16 GHz met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 W (40 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz, of 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 5 W (37 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 16 GHz; c. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 3 W (34,77 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; d. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (- 70 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz; e. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; f.  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 31,62 mW (15 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; g. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 mW (10 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 5 %, of h. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (- 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz; Noot 1: Niet gebruikt. Noot 2: De controlestatus van “MMIC’s” waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001. b. 2. a. tot 3A001. b. 2. h. , wordt bepaald door het laatste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt. Noot 3: De noten 1 en 2 onder 3A houden in dat in 3A001. b. 2. niet worden bedoeld “MMIC’s” die speciaal zijn ontworpen voor andere toepassingen zoals telecommunicatie, radars en automobielen. 3. discrete microgolftransistors, met: a. nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 400 W (56 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 205 W (53,12 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 115 W (50,61 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 60 W (47,78 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz; b. nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 15 W (41,76 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 12 GHz tot en met 16 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 7 W (38,45 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz; c.  een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,5 W (27 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz; d. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz; e. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz, of f. anders dan aangeduid in 3A001. b. 3. a. tot en met 3A001. b. 3. e. , en met een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 5 W (37,0 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 31,8 GHz; Noot 1: De controlestatus van een transistor in 3A001. b. 3. a. tot en met 3A001. b. 3. e. waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001. b. 3. a. tot en met 3A001. b. 3. e. , wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt. Noot 2: 3A001. b. 3. omvat kale blokjes, blokjes gemonteerd op dragers, of blokjes gemonteerd in pakketten. Naar sommige discrete transistors kan ook verwezen worden als vermogensversterkers, maar de status van deze discrete transistors wordt bepaald door 3A001. b. 3. 4. microgolf-halfgeleiderversterkers en microgolfassemblages/-modules die microgolf-halfgeleiderversterkers bevatten met: a. nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 15 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 500 W (57 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 270 W (54,3 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 200 W (53 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 90 W (49,54 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz; b. nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 70 W (48,54 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz; 2.  een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz; 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 30 W (44,77 dBm) op elke frequentie vanaf 12 GHz tot en met 16 GHz, of 4. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz; c. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,5 W (27 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz; d. een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 2 W (33 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; e. nominale werkfrequenties vanaf 43,5 GHz en met één van de volgende eigenschappen: 1. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,2 W (23 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 10 %; 2. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 mW (13 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een “fractionele bandbreedte” van meer dan 5 %, of 3. een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (- 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz, of f. niet gebruikt; NB 1: Zie 3A001. b. 2 voor “MMIC”-versterkers. NB 2: Zie 3A001. b. 12 voor ‘zend-/ontvangstmodules’ en ‘zendmodules’. NB 3: Zie 3A001. b. 7. voor converters en harmonische mixers die zijn ontworpen om het werk- of frequentiebereik van signaalanalysatoren, signaalgeneratoren, netwerkanalysatoren en microgolftestontvangers uit te breiden. Noot 1: Niet gebruikt. Noot 2: De controlestatus van een object waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001. b. 4. a. tot 3A001. b. 4. e. , wordt bepaald door het laagste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor de controle geldt. 5. elektronisch of magnetisch afstembare banddoorlaat of bandsperfilters met meer dan vijf afstembare resonatoren, geschikt om af te stemmen over een frequentieband van 1,5:1 (fmax/fmin) in minder dan 10 μs bij: a. een banddoorlaatbandbreedte van meer dan 0,5 % van de centrale frequentie, of b. een bandsperbandbreedte van minder dan 0,5 % van de centrale frequentie; 6. niet gebruikt; 7. converters en harmonische mixers met één van de volgende eigenschappen: a. ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van “signaalanalysatoren” tot meer dan 90 GHz; b.  ontworpen voor het vergroten van het werkgebied van signaalgeneratoren: 1. tot meer dan 90 GHz; 2. tot een uitgangsvermogen van meer dan 100 mW (20 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz; c. ontworpen voor het vergroten van het werkgebied van netwerkanalysatoren: 1. tot meer dan 110 GHz; 2. tot een uitgangsvermogen van meer dan 31,62 mW (15 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz; 3. tot een uitgangsvermogen van meer dan 1 mW (0 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 90 GHz tot ten hoogste 110 GHz, of d. ontworpen voor het vergroten van het frequentiebereik van microgolftestontvangers tot meer dan 110 GHz; 8. microgolfvermogensversterkers die “elektronische vacuümelementen” als omschreven in 3A001. b. 1. bevatten en alle volgende eigenschappen bezitten: a. werkfrequenties hoger dan 3 GHz; b. een gemiddeld vermogen per massaeenheid aan de uitgang van meer dan 80 W/kg, en c. een volume van minder dan 400 cm3; Noot: 3A001. b. 8. heeft geen betrekking op apparatuur die is ontworpen of gespecificeerd voor een frequentieband die “door de ITU toegewezen” is voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie. 9. microgolfvermogensmodules (MPM) bestaande uit ten minste een “elektronisch vacuümelement” met een lopende-golf, een “monolithisch geïntegreerde microgolfschakeling” (“MMIC”) en een geïntegreerde elektronische vermogensregelaar, met alle volgende eigenschappen: a. een ‘opstarttijd’, van uitgeschakeld naar volledig operationeel, van minder dan 10 seconden; b. een volume van minder dan het nominale maximumvermogen in watt, vermenigvuldigd met 10 cm3/W, en c. een “momentele brandbreedte” groter dan 1 octaaf (fmax > 2fmin) en één of meer van de volgende eigenschappen: 1. voor frequenties gelijk aan of kleiner dan 18 GHz, een RF-uitgangsvermogen van meer dan 100 W, of 2. een frequentie groter dan 18 GHz; Technische noten: 1. De berekening van het volume in 3A001. b. 9. b. wordt aan de hand van het volgende voorbeeld toegelicht: voor een nominaal maximumvermogen van 20 W bedraagt het volume: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3. 2. De ‘opstarttijd’ in 3A001. b. 9. a. is de tijd die verloopt tussen volledig uitgeschakeld en volledig operationeel; hieronder is dus ook de opwarmtijd van de MPM begrepen. 10.  oscillatoren of een samenbouw van oscillatoren die zijn ontworpen om te werken met een enkelzijband (SSB) faseruis, in dBc/Hz, minder (beter) dan - (126 + 20log10F – 20log10f) binnen het bereik van 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Technische noot: In 3A001. b. 10. staat F voor de verschuiving van de werkfrequentie in Hz en f voor de werkfrequentie in MHz. 11. ‘frequentiesynthesizer’, “elektronische samenstellingen” met een “frequentiewisseltijd”, overeenkomstig één van de volgende eigenschappen: a. minder dan 143 ps; b. minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 4,8 GHz tot ten hoogste 31,8 GHz; c. niet gebruikt; d. minder dan 500 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 550 MHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz; e. minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van hoger dan 37 GHz tot ten hoogste 90 GHz; f. niet gebruikt, of g. minder dan 1 ms binnen het ‹synthesized› frequentiebereik van meer dan 90 GHz. Technische noot: Onder ‘frequentiesynthesizer’ wordt verstaan elke soort frequentiebron, ongeacht de feitelijk daarin toegepaste techniek, die een veelheid aan uitgangsfrequenties afgeeft, gelijktijdig of naar keuze, aan één of meer uitgangen, en die worden bepaald door, afgeleid van of beheerst door een geringer aantal standaard- (of basis)frequenties. NB: Voor “signaalanalysatoren”, signaalgeneratoren, netwerkanalysatoren en microgolftestontvangers voor algemeen gebruik, zie respectievelijk 3A002. c. , 3A002. d. , 3A002. e. en 3A002. f. 12. ‘zend-/ontvangstmodules’, ‘zend-/ontvangst-MMIC’s’, ‘zendmodules’ en ‘zend-MMIC’s’, gespecificeerd voor werkfrequenties vanaf 2,7 GHz en met alle volgende eigenschappen: a. een verzadigd piekuitgangsvermogen (in watt), Psat, groter dan 505,62 gedeeld door de gekwadrateerde maximale werkfrequentie (in GHz) [Psat>505,62 W*GHz2/fGHz 2] voor elk kanaal; b. een “fractionele bandbreedte” van 5 % of meer voor elk kanaal; c. een lengte d (in cm) die kleiner is dan of gelijk is aan 15 gedeeld door de laagste werkfrequentie in GHz [d ≤ 15 cm*GHz/fGHz], waarbij N het aantal zendkanalen of zend-/ontvangstkanalen is, en d. een elektronisch variabele faseverschuiver per kanaal. Technische noten: 1. een ‘zend-/ontvangstmodule’: een multifunctionele “samenstelling” die bidirectionele amplitude- en faseregeling levert voor de verzending en ontvangst van signalen. 2. een ‘zendmodule’: een “samenstelling” die amplitude- en faseregeling levert voor de verzending van signalen. 3.  een ‘zend-/ontvangst-MMIC’: een multifunctionele “MMIC” die bidirectionele amplitude- en faseregeling levert voor de verzending en ontvangst van signalen. 4. een ‘zend-MMIC’: een “MMIC” die amplitude- en faseregeling levert voor de verzending van signalen. 5. 2,7 GHz moet gebruikt worden als de laagste werkfrequentie (fGHz) in de formule in 3A001. b. 12. c. voor zend-/ontvangstmodules of zendmodules die een nominale werkfrequentie hebben van 2,7 GHz en lager [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz]. 6. 3A001. b. 12. is van toepassing op ‘zend-/ontvangstmodules’ of ‘zendmodules’ met of zonder koelelement. De waarde van d in 3A001. b. 12. c. omvat geen delen van de ‘zend-/ontvangstmodule’ of ‘zendmodule’ die als koelelement fungeren. 7. ‘zend-/ontvangstmodules’, ‘zendmodules’, ‘zend-/ontvangst-MMIC’s’ of ‘zend-MMIC’s’ kunnen N geïntegreerde uitstralende antenne-elementen hebben, waarbij N het aantal zendkanalen of zend-/ontvangstkanalen is; c. elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen daarvoor: 1. elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische oppervlaktegolven en van akoestische golven die langs de oppervlakte scheren (‹surface wave›), met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een draaggolffrequentie groter dan 6 GHz; b. een draaggolffrequentie groter dan 1 GHz, doch kleiner dan 6 GHz, en één van de volgende eigenschappen: 1. een ‘onderdrukking van de zijlobben groter’ dan 65 dB; 2. een product van de maximale vertragingstijd (tijd in μs en bandbreedte in MHz) groter dan 100; 3. een bandbreedte van meer dan 250 MHz, of 4. een dispersieve vertraging groter dan 10 μs, of c. een draaggolffrequentie van 1 GHz of lager, en met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een product van de maximale vertragingstijd (tijd in μs en bandbreedte in MHz) groter dan 100; 2. een dispersieve vertraging groter dan 10 μs, of 3. een ‘onderdrukking van de zijlobben’ groter dan 65 dB en een bandbreedte van meer dan 100 MHz; Technische noot: ‘Onderdrukking van de zijlobben’: is de maximale waarde van de onderdrukking zoals gespecificeerd in de technische toelichting. 2. elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven in de gehele massa van het materiaal (‹bulk wave›) en die geschikt zijn voor directe verwerking van signalen met frequenties hoger dan 6 GHz; 3. akoestisch-optische “signaalverwerkende” elementen die gebruikmaken van een wisselwerking tussen akoestische golven (‹bulk wave› of ‹surface wave›) en lichtgolven en die geschikt zijn voor directe verwerking van signalen of beelden, met inbegrip van, doch niet beperkt tot, spectrale analyse, correlatie of convolutie; Noot: 3A001. c.  heeft geen betrekking op elementen waarbij gebruik wordt gemaakt van akoestische golven, die van een specifieke band-, laag- of hoogdoorlaatfilter, bandsperfilter dan wel van specifieke resonantiefunctie voorzien zijn. d. elektronische elementen of schakelingen die onderdelen bevatten vervaardigd van “supergeleidende” materialen die speciaal zijn ontworpen om te werken bij temperaturen beneden de “kritische temperatuur” van tenminste één van de “supergeleidende” bestanddelen en met één of meer van de volgende functies: 1. stroomschakelen voor digitale schakelingen die gebruikmaken van “supergeleidende” poorten waarbij het product van de vertragingstijd per poort (in seconden) en het energieverlies per poort (in watt) kleiner is dan 10-14 J, of 2. frequentieselectie bij alle frequenties met toepassing van afstemkringen met een Q-waarde hoger dan 10 000. e. hoge-energiecomponenten, als hieronder: 1. ‘cellen’, als hieronder: a. ‘primaire cellen’ met een of meer van de volgende eigenschappen bij 20 °C: 1. een ‘energiedichtheid’ groter dan 550 Wh/kg en een ‘continu-vermogensdichtheid’ groter dan 50 W/kg, of 2. een ‘energiedichtheid’ groter dan 50 Wh/kg en een ‘continu-vermogensdichtheid’ groter dan 350 W/kg, of b. ‘secundaire cellen’ met een ‘energiedichtheid’ groter dan 350 Wh/kg bij 20 °C; Technische noten: 1. Voor de toepassing van 3A001. e. 1. wordt de ‘energiedichtheid’ (Wh/kg) berekend uit de nominale spanning vermenigvuldigd met de nominale capaciteit in ampère-uur (Ah) gedeeld door de massa (in kg). Indien de nominale capaciteit niet is opgegeven, wordt de energiedichtheid berekend uit de nominale spanning in het kwadraat vermenigvuldigd met de ontladingstijd (in uur), gedeeld door de ontladingsbelasting (in ohm) en de massa (in kg). 2. Voor de toepassing van 3A001. e. 1. wordt een ‘cel’ gedefinieerd als een elektrochemisch element dat voorzien is van positieve en negatieve elektroden, alsook een elektrolyt, en dat een bron van elektrische energie is. Het is de basisbouwsteen van een batterij. 3. Voor de toepassing van 3A001. e. 1. a. is een ‘primaire cel’ een ‘cel’ die niet ontworpen is om door enige andere bron te worden opgeladen. 4. Voor de toepassing van 3A001. e. 1. b. is een ‘secundaire cel’ een ‘cel’ die ontworpen is om door een externe elektrische bron te worden opgeladen. 5. Voor de toepassing van 3A001. e. 1. a. wordt de ‘continu-vermogensdichtheid’ (W/kg) berekend uit de nominale spanning vermenigvuldigd met de gespecificeerde maximale continue ontlaadspanning in ampère (A) gedeeld door de massa in kg. ‘Continu-vermogensspanning’ wordt ook aangeduid als specifiek vermogen. Noot: 3A001. e. 1.  heeft geen betrekking op batterijen, met inbegrip van ééncellige batterijen. 2. condensatoren geschikt voor hoge-energieopslag, als hieronder: NB: ZIE OOK 3A201. a. en de lijst militaire goederen. a. condensatoren met een herhalingssnelheid van minder dan 10 Hz (‹single shot›-condensatoren) met alle volgende eigenschappen: 1. een toelaatbare spanning gelijk aan of hoger dan 5 kV; 2. een energiedichtheid gelijk aan of hoger dan 250 J/kg, en 3. een totale energie gelijk aan of groter dan 25 kJ; b. condensatoren met een herhalingssnelheid van 10 Hz of meer (‹repetition-rated›-condensatoren) met alle volgende eigenschappen: 1. een toelaatbare spanning gelijk aan of hoger dan 5 kV; 2. een energiedichtheid gelijk aan of hoger dan 50 J/kg; 3. een totale energie gelijk aan of groter dan 100 J, en 4. een levensduur gelijk aan of langer dan 10 000 cyclussen van laden en ontladen. 3. “supergeleidende” elektromagneten en solenoïden die speciaal zijn ontworpen voor volledig opladen of ontladen in minder dan een seconde, met alle volgende eigenschappen: NB: ZIE OOK 3A201. b. Noot: 3A001. e. 3. heeft geen betrekking op “supergeleidende” elektromagneten of solenoïden die speciaal zijn ontworpen voor medische apparatuur voor beeldvorming door middel van magnetische resonantie (Magnetic Resonance Imaging - MRI). a. de in de eerste seconde tijdens de ontlading geleverde energie is meer dan 10 kJ; b. de binnendiameter van de stroomvoerende wikkelingen is groter dan 250 mm, en c. de apparatuur heeft een nominale magnetische inductie van meer dan 8 T of een nominale “totale stroomdichtheid” in de wikkeling hoger dan 300 A/mm2; 4. zonnecellen, CIC (‹cell-interconnect-coverglass›)-samenstellingen, zonnepanelen en zonne-‹arrays› die “voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd” zijn, met een gemiddeld minimumrendement van meer dan 20 % bij een werktemperatuur van 301 K (28 °C) onder gesimuleerde ‘AM0’-belichting van 1 367 watt per vierkante meter (W/m2); Technische noot: ‘AM0’ (Air Mass Zero) slaat op de spectrale bestralingssterkte van zonlicht in de buitenste atmosfeer van de aarde bij een afstand tussen zon en aarde van één astronomische eenheid (AE). f. roterende absolute positiecodeerapparaten met een “nauwkeurigheid” die gelijk is aan of lager is dan 1,0 boogseconde en speciaal daarvoor ontworpen encoderringen, -schijven of -schalen; g. vastestof-thyristoren en ‘-thyristormodules’ met pulswerking die elektrisch, optisch of door elektronenstraling geschakeld worden, met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een maximale inschakel-stroomsteilheid (di/dt) van meer dan 30 000 A/μs en een sperspanning van meer dan 1 100 V, of 2.  een maximale inschakel-stroomsteilheid (di/dt) van meer dan 2 000 A/μs en alle volgende eigenschappen: a. een pieksperspanning gelijk aan of groter dan 3 000 V, en b. een piekstroom (stootstroom) gelijk aan of groter dan 3 000 A. Noot 1: 3A001. g. omvat:   SCR’s (gestuurde halfgeleidergelijkrichters)   ETT’s (Electrical Triggering Thyristors)   LTT’s (Light Triggering Thyristors)   IGCT’s (Integrated Gate Commutated Thyristors)   GTO’s (Gate Turn-off Thyristors - uitschakelbare thyristoren)   MCT’s (MOS Controlled Thyristors)   Solidtrons Noot 2: 3A001. g. heeft geen betrekking op thyristoren en ‘thyristormodules’ die zijn ingebouwd in apparatuur voor toepassingen in civiele treinen of “civiele vliegtuigen”. Technische noot: Voor de toepassing van 3A001. g. bevat een ‘thyristormodule’ één of meer thyristoren. h. vermogenshalfgeleiderschakelaars, vermogendiodes of ‘modules’ met alle onderstaande eigenschappen: 1. geschikt voor een maximale operationele junctietemperatuur van meer dan 488 K (215 °C); 2. periodieke piekblokkeerspanning van meer dan 300 V, en 3. continue stroom van meer dan 1 A. Noot 1: De in 3A001. h. bedoelde periodieke piekblokkeerspanning omvat de afvoer-bronspanning, de collector-emittorspanning, de periodieke pieksperspanning en de periodieke piekblokkeerspanning. Noot 2: 3A001. h. omvat:   junctie-veldeffecttransistors (JFETs)   verticale junctie-veldeffecttransistors (VJFETs)   metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistors (MOSFETs)   dubbel gediffundeerde metaaloxide-halfgeleider-veldeffecttransistors (DMOSFETs)   bipolaire transistors met geïsoleerde poort (IGTBs)   hoge-elektronenmobiliteittransistors (HEMTs)   bipolaire junctietransistors (BJTs)   thyristors en gestuurde halfgeleidergelijkrichters (SCRs)   uitschakelbare thyristoren (GTOs)   Emitter Turn-Off Thyristors (ETOs)   PiN-diodes   Schottkydiodes Noot 3: 3A001. h. heeft geen betrekking op controleschakelaars, diodes of ‘modules’ die verwerkt zijn in apparatuur die is ontworpen voor toepassingen in civiele automobielen, civiele spoorvoertuigen of “civiele vliegtuigen”. Technische noot: Voor de toepassing van 3A001. h. bevatten ‘modules’ één of meer vermogenshalfgeleiderschakelaars of vermogendiodes. i. Elektro-optische modulators voor intensiteit, amplitude of fase, ontworpen voor analoge signalen, met een of meer van de volgende eigenschappen: 1. een maximale werkfrequentie van meer dan 10 GHz doch minder dan 20 Ghz, een optisch opnameverlies van 3 dB of minder en een of meer van de volgende eigenschappen: a. een ‘halve-golfspanning’ (‘Vπ’) van minder dan 2,7 V wanneer gemeten met een frequentie van 1 Ghz of minder, of b. een ‘Vπ’ van minder dan 4 V wanneer gemeten met een frequentie van meer dan 1 GHz, of 2. een maximale werkfrequentie van 20 Ghz of meer, een optisch opnameverlies van 3 dB of minder en een of meer van de volgende eigenschappen: a. een ‘Vπ’ van minder dan 3,3 V wanneer gemeten met een frequentie van 1 Ghz of minder, of b.  een ‘Vπ’ van minder dan 5 V wanneer gemeten met een frequentie van meer dan 1 GHz; Noot: Onder 3A001. i. vallen ook elektro-optische modulators met optische ingang- en uitgangsconnectoren (bijvoorbeeld aanstralingsvezel). Technische noot: Voor de toepassing van 3A001. i wordt onder ‘halve-golfspanning’ (‘Vπ’) verstaan: de spanning die nodig is voor een faseverandering van 180 graden in de golflengte van licht dat zich voortplant in de optische modulator. 3A002 Universele “elektronische samenstellingen”, modules en apparatuur, als hieronder: a. opnameapparatuur en oscilloscopen, als hieronder: 1. niet gebruikt; 2. niet gebruikt; 3. niet gebruikt; 4. niet gebruikt; 5. niet gebruikt; 6. digitale datarecorders met alle volgende eigenschappen: a. een ononderbroken ‘continue verwerkingscapaciteit’ van meer dan 6,4 Gbit/s naar schijf of opslagmedium zonder bewegende delen, en b. “signaalverwerking” van de radiofrequentiedatasignalen terwijl deze worden opgenomen; Technische noten: 1. Voor recorders met een parallelle busarchitectuur is de ‘continue verwerkingscapaciteit’ het product van de hoogste ‘word rate’ maal het aantal bit in een woord. 2. ‘Continue verwerkingscapaciteit’ betekent de grootste snelheid waarmee het instrument gegevens kan opslaan op een schrijf of opslagmedium zonder bewegende delen zonder verlies van informatie terwijl de snelheid van digitale gegevensinvoer (input digital data rate) of de conversiesnelheid van de digitiser behouden blijft. 7. real-time oscilloscopen met een verticale kwadratisch gemiddelde (rms) ruisspanning van minder dan 2 % van de totale schaal op de verticale schaalinstelling die voorziet in de laagste ruisspanningswaarde voor een 3 dB-bandbreedte van 60 GHz of meer per kanaal; Noot: 3A002. a. 7. heeft geen betrekking op oscilloscopen voor equivalenttijd-bemonstering b. niet gebruikt; c. “signaalanalysatoren”, als hieronder: 1. “signaalanalysatoren” met een 3 dB resolutiebandbreedte hoger dan 40 MHz binnen een frequentiebereik hoger dan 31,8 GHz, tot ten hoogste 37 GHz; 2. “signaalanalysatoren” met een Displayed Average Noise Level (DANL — gemiddeld ruisniveau) van minder (beter) dan – 150 dBm/Hz binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz, tot ten hoogste 90 GHz; 3. “signaalanalysatoren” met een frequentie van meer dan 90 GHz; 4. “signaalanalysatoren” met alle volgende eigenschappen: a. een ‘real-time bandbreedte’ van meer dan 170 MHz, en b. met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. 100 % ontdekkingskans met een vermindering van minder dan 3 dB vanaf de volledige amplitude als gevolg van hiaten of venstereffecten van signalen met een duur van 15 μs of minder, of 2.  een ‘frequentiemasker-trigger’-functie met een 100 % kans op trigger (ontvangst) voor signalen met een duur van 15 μs of minder; Technische noten: 1. Onder ‘real-time bandbreedte’ wordt verstaan: het grootste frequentiebereik waarvoor de analysator gegevens in het tijddomein doorlopend en geheel kan omzetten in resultaten in het frequentiedomein, met een Fourier- of andere discrete tijdtransformatie die ieder inkomend tijdstip verwerkt zonder een vermindering van de gemeten amplitude van meer dan 3 dB onder de werkelijke signaalamplitude tijdens de uitvoer of weergave van de omgezette gegevens als gevolg van hiaten of venstereffecten. 2. Naar ontdekkingskans als bedoeld in 3A002. c. 4. b. 1. wordt ook wel verwezen als onderscheppingskans of pakkans. 3. Voor de toepassing van 3A002. c. 4. b. 1. is de periode van 100 % ontdekkingskans gelijkwaardig aan de minimale signaalduur die nodig is voor het gespecificeerde niveau van de meetonzekerheid. 4. Onder ‘frequentiemasker-trigger’ wordt verstaan: een mechanisme waarbij de triggerfunctie een frequentiebereik als deelgroep van de acquisitiebandbreedte kan kiezen om op te worden geactiveerd, terwijl andere signalen die mogelijk binnen dezelfde acquisitiebandbreedte aanwezig zijn, genegeerd worden. Een ‘frequentiemasker-trigger’ kan meer dan één onafhankelijke groep limieten bevatten. Noot: 3A002. c. 4. heeft geen betrekking op “signaalanalysatoren” die uitsluitend gebruikmaken van bandbreedtefilters met constant percentage (ook wel octaaf- of deeloctaaffilters genoemd). 5. niet gebruikt; d. “signaalgeneratoren” met één van de volgende eigenschappen: 1. geschikt voor het genereren van pulsgemoduleerde signalen met alle volgende eigenschappen, binnen het frequentiebereik van 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz: a. een ‘pulsduur’ van minder dan 25 ns, en b. in-/uitschakeltijd gelijk aan of hoger dan 65 dB; 2. een uitgangsvermogen van meer dan 100 mW (20 dBm) binnen een frequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz; 3. een “frequentiewisseltijd” overeenkomstig één van de volgende eigenschappen: a. niet gebruikt; b. minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 4,8 GHz tot ten hoogste 31,8 GHz; c. niet gebruikt; d. minder dan 500 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 550 MHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz, of e. minder dan 100 μs voor elke frequentiewisseling van meer dan 2,2 GHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 37 GHz tot ten hoogste 90 GHz; f. niet gebruikt; 4. enkele zijband (SSB) faseruis, in dBc/Hz, gespecificeerd als één van het volgende: a.  minder (beter) dan - (126 + 20log10F - 20log10f) binnen het bereik van 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz binnen een frequentiebereik hoger dan 3,2 GHz tot ten hoogste 90 GHz, of b. minder (beter) dan - (206 - 20log10f) binnen het bereik van 10 kHz< F≤ 100 kHz binnen een frequentiebereik hoger dan 3,2 GHz tot ten hoogste 90 GHz; Technische noot: In 3A002. d. 4. staat F voor de verschuiving van de werkfrequentie in Hz en f voor de werkfrequentie in MHz. 5. een ‘RF-modulatiebandbreedte’ van digitale basisbandsignalen overeenkomstig één van de volgende karakteristieken: a. boven 2,2 GHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 4,8 GHz tot ten hoogste 31,8 GHz; b. boven 550 MHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 31,8 GHz tot ten hoogste 37 GHz, of c. boven 2,2 GHz binnen het frequentiebereik van hoger dan 37 GHz tot ten hoogste 90 GHz, of Technische noot: ‘RF-modulatiebandbreedte’— ook aangeduid als informatiebandbreedte of vectormodulatiebandbreedte — is de bandbreedte die op het radiofrequente (RF) spectrum wordt ingenomen door een digitaal gecodeerd basisbandsignaal dat op een RF-signaal is gemoduleerd. I/Q-digitale modulatie is de technische methode waarmee een vectorgemoduleerd RF-uitgangssignaal wordt gegenereerd; dat uitgangssignaal wordt gewoonlijk omschreven als gekenmerkt door een ‘RF-modulatiebandbreedte’. 6. een maximale uitgangsfrequentie vanaf 90 GHz; Noot 1: Voor de toepassing van 3A002. d. omvat de term signaalgeneratoren ook willekeurige-golfvormgeneratoren en functiegeneratoren. Noot 2: 3A002. d. heeft geen betrekking op apparatuur waarbij de uitgangsfrequentie wordt verkregen door het optellen of aftrekken van twee of meer kristaloscillatorfrequenties, of het optellen of aftrekken gevolgd door de vermenigvuldiging van de uitkomst. Technische noten: 1. Het maximale frequentiebereik van een willekeurige-golfvorm of functiegenerator wordt berekend door de bemonsteringssnelheid, in monsters per seconde, met een factor 2,5 te delen. 2. In 3A002. d. 1. a. wordt onder ‘pulsduur’ verstaan het tijdsinterval tussen het moment waarop de voorkant van een puls 50 % van de piekwaarde bereikt en het moment waarop de achterkant van die puls 50 % van de piekwaarde bereikt. e. netwerkanalysatoren met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een uitgangsvermogen van meer dan 31,62 mW (15 dBm) binnen een werkfrequentiebereik hoger dan 43,5 GHz tot ten hoogste 90 GHz; 2. een uitgangsvermogen van meer dan 1 mW (0 dBm) binnen een werkfrequentiebereik hoger dan 90 GHz tot ten hoogste 110 GHz; 3.  ‘niet-lineaire vectormeetfunctie’ op frequenties hoger dan 50 GHz tot ten hoogste 110 GHz, of Technische noot: ‘Niet-lineaire vectormeetfunctie’ is het vermogen van een instrument om de testresultaten van apparaten in het grootsignaaldomein of niet-lineaire vervormingsbereik te analyseren. 4. een maximale werkfrequentie vanaf 110 GHz; f. microgolftestontvangers met alle volgende eigenschappen: 1. een maximale werkfrequentie vanaf 110 GHz, en 2. geschikt voor het gelijktijdig meten van amplitude en fase; g. atomaire frequentiestandaarden met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. “voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd”; 2. niet rubidium en een langetermijnstabiliteit van minder (beter) dan 1 × 10-11/maand, of 3. niet “voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd” met alle volgende eigenschappen: a. rubidiumstandaard; b. langetermijnstabiliteit van minder (beter) dan 1 × 10-11/maand, en c. totaal energieverbruik van minder dan 1 W; h. “elektronische samenstellingen”, modules, of apparatuur, bedoeld voor de volgende functies: 1. analoog-digitaalomzetters die voldoen aan één of meer van de volgende eigenschappen: a. een scheidend vermogen van 8 bit of meer maar minder dan 10 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,3 gigasamples per seconde (GSPS); b. een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,0 gigasample per seconde (GSPS); c. een scheidend vermogen van 12 bit of meer maar minder dan 14 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 1,0 gigasample per seconde (GSPS); d. een scheidend vermogen van 14 bit of meer maar minder dan 16 bit, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 400 megasamples per seconde (MSPS), of e. een scheidend vermogen van 16 bit of meer, met een “bemonsteringssnelheid” van meer dan 180 megasamples per seconde (MSPS), en 2. één of meer van de volgende eigenschappen: a. output van gedigitaliseerde gegevens; b. opslag van gedigitaliseerde gegevens, of c. verwerking van gedigitaliseerde gegevens; NB: Digitale datarecorders, oscilloscopen, “signaalanalysatoren”, signaalgeneratoren, netwerkanalysatoren en microgolftestontvangers, zoals bedoeld in respectievelijk 3A002. a. 6. , 3A002. a. 7. , 3A002. c. , 3A002. d. , 3A002. e. en 3A002. f. Technische noten: 1. Een scheidend vermogen van n bit komt overeen met een kwantisering van 2n niveaus. 2. Het scheidend vermogen van de ADC is het aantal bits van de digitale output van de ADC dat de gemeten analoge input vertegenwoordigt. Het effectieve aantal bits (ENOB) wordt niet gebruikt voor de bepaling van het scheidend vermogen van de ADC. 3.  Voor “elektronische samenstellingen”, modulen of apparatuur met meerdere niet-interleaved kanalen wordt de “bemonsteringssnelheid” niet samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale snelheid van één kanaal. 4. Voor interleaved kanalen in “elektronische samenstellingen”, modulen of apparatuur met meerdere kanalen wordt de “bemonsteringssnelheid” niet samengevoegd en is de “bemonsteringssnelheid” de maximale snelheid van één kanaal. Noot: 3A002. h. omvat ADC-kaarten, ‹waveform digitisers›, gegevensverzamelingskaarten, signaalverzamelingsplaten en recorders voor registratie van transiënte verschijnselen (‹transient recorders›). 3A003 Temperatuurregelingssystemen met nevelkoeling die gebruikmaken van apparatuur met een gesloten vloeistofcirculatie en -reconditioneringscircuit in een lucht- en waterdicht omhulsel waarin met speciaal daartoe ontworpen spuitmonden een diëlektrische vloeistof op elektronische componenten wordt verneveld om deze binnen de gebruikstemperatuur te houden, en speciaal hiervoor ontworpen onderdelen. 3A101 Elektronische uitrusting, elementen en onderdelen, anders dan vermeld in 3A001, als hieronder: a. analoog-digitaalomzetters, geschikt voor gebruik in “raketten” en ontworpen om te voldoen aan de militaire specificaties voor robuust uitgevoerde apparatuur; b. versnellers waarmee elektromagnetische straling kan worden geproduceerd in de vorm van remstraling afkomstig van versnelde elektronen met een energie van 2 MeV of meer en systemen die deze versnellers bevatten. Noot: 3A101. b. heeft geen betrekking op apparatuur speciaal bestemd voor medische doeleinden. 3A102 ‘Thermische batterijen’ ontworpen of aangepast voor ‘raketten’. Technische noten: 1. In de zin van 3A102 zijn ‘thermische batterijen’ batterijen voor eenmalig gebruik die een vast, niet-geleidend anorganisch zout als elektrolyt bevatten. Deze batterijen bevatten een pyrolytisch materiaal dat bij ontbranding het elektrolyt doet smelten en de batterij activeert. 2. In 3A102 worden onder ‘raketten’ complete raketsystemen en systemen voor onbemande luchtvaartuigen verstaan met een bereik van meer dan 300 km; 3A201 Elektronische onderdelen, anders dan vermeld in 3A001, als hieronder: a. condensators met één van de volgende groepen eigenschappen: 1. a. een toelaatbare spanning hoger dan 1,4 kV; b. energieopslag groter dan 10 J; c. capaciteit groter dan 0,5 μF, en d. serie-inductantie minder dan 50 nH, of 2. a. een toelaatbare spanning hoger dan 750 V; b. capaciteit groter dan 0,25 μF, en c. serie-inductantie minder dan 10 nH; b. supergeleidende solenoïde elektromagneten met alle volgende eigenschappen: 1. geschikt voor het opwekken van een magnetisch veld van meer dan 2 T; 2. ratio van L/D (lengte gedeeld door binnendiameter) groter dan 2; 3. de binnendiameter is groter dan 300 mm, en 4. een magneetveld dat over 50 % van het interne veld uniform is tot beter dan 1 %; Noot: 3A201. b.  heeft geen betrekking op magneten die speciaal zijn ontworpen voor en worden uitgevoerd ‘als onderdeel van’ medische apparatuur voor beeldvorming door middel van kernmagnetische resonantie (‹Nuclear Magnetic Resonance› - NMR). De zinsnede ‘als onderdeel van’ betekent niet noodzakelijkerwijs werkelijk als onderdeel van dezelfde zending. Afzonderlijke zendingen vanuit verschillende bronnen zijn toegestaan, mits in de bijbehorende exportdocumenten duidelijk wordt vermeld dat de zendingen ‘als onderdeel van’ de beeldvormende systemen worden verzonden. c. röntgen-generatoren met flitsontlading of gepulseerde elektronenversnellers met één van de volgende groepen eigenschappen: 1. a. een elektronpiekenergieversneller van 500 keV of meer doch minder dan 25 MeV, en b. een ‘prestatiegetal’ (K) van 0,25 of hoger, of 2. a. een elektronpiekenergieversneller van 25 MeV of meer, en b. een ‘piekvermogen’ groter dan 50 MW. Noot: 3A201. c. heeft geen betrekking op versnellers die een bestanddeel zijn van toestellen ontworpen voor andere toepassingen dan elektronenbundels of röntgenstraling (bv. elektronenmicroscopie) en versnellers ontworpen voor medische toepassingen. Technische noten: 1. Het ‘prestatiegetal’ (K) wordt als volgt gedefinieerd:   K = 1,7 × 103V2,65Q   waarin V de elektronpiekenergie is in miljoen elektronvolt. Bij een bundelpulsversnellerduur korter dan of gelijk aan 1 μs is Q de totale versnelde lading in coulomb. Bij een bundelpulsversnellerduur langer dan 1 μs is Q de maximale versnelde lading in 1 μs. Q is gelijk aan de integraal van i over de tijd t, zijnde ofwel 1 μs ofwel de tijdsduur van de bundelpuls, welk van de twee het kortste is, (Q = ∫ idt), waarbij i de bundelstroom in ampère is en t de tijd in seconden. 2. ‘Piekvermogen’ = (piekspanning in volt) × (maximale bundelstroom in ampère). 3. In machines die werken op basis van versnellende microgolftrilholtes is de tijdsduur van de bundelpuls ofwel 1 μs ofwel de duur van de door een microgolfmodulatorpuls voortgebrachte deeltjesbundel, welk van de twee het kortste is. 4. In machines die werken op basis van versnellende microgolftrilholtes is de maximale bundelstroom de gemiddelde stroom voor de duur van een bundelpuls. 3A225 Frequentieomzetters of frequentiegeneratoren anders dan die, welke zijn vermeld in 0B001. b. 13. , te gebruiken als: aandrijfeenheden met variabele of vaste frequentie, met alle volgende eigenschappen: NB 1: “Programmatuur” speciaal ontworpen voor het verbeteren of leveren van de prestaties van een frequentieomzetter of frequentiegenerator om te voldoen aan de eigenschappen van 3A225, wordt in 3D225 beschreven.  NB 2: “Technologie” in de vorm van codes of sleutels voor het verbeteren of leveren van de prestaties van een frequentieomzetter of frequentiegenerator om te voldoen aan de eigenschappen van 3A225, wordt in 3E225 beschreven. a. een meerfasige uitgang geschikt voor het leveren van een vermogen van 40 VA of groter; b. geschikt om te werken in het frequentiegebied van 600 Hz of hoger, en c. frequentieafwijking beter (kleiner) dan 0,2 %. Noot: 3A225 heeft geen betrekking op frequentieomzetters of frequentiegeneratoren als deze aan hardware, “programmatuur” of “technologie” verbonden beperkingen hebben die de prestaties verlagen tot beneden de bovengenoemde eigenschappen, op voorwaarde dat zij voldoen aan het volgende: 1. moeten worden teruggestuurd naar de oorspronkelijke fabrikant om de verbeteringen aan te brengen of de beperkingen op te heffen; 2. “programmatuur” zoals gespecificeerd in 3D225 is vereist om de prestaties te verbeteren of te leveren teneinde de eigenschappen van 3A225 te vervullen, of 3. “technologie” in de vorm van sleutels of codes zoals gespecificeerd in 3E225 is vereist om de prestaties te verbeteren of te leveren teneinde de eigenschappen van 3A225 te vervullen. Technische noten: 1. De in 3A225 bedoelde frequentieomzetters zijn ook bekend als ‹converters› of ‹inverters›. 2. De in 3A225 bedoelde frequentieomzetters kunnen op de markt verschijnen als generatoren, elektronische testapparatuur, wisselstroomvoedingen, en aandrijfeenheden met variabele of aanpasbare snelheid of frequentie (Variable Speed Drives (VSDs), Variable Frequency Drives (VFDs), Adjustable Frequency Drives (AFDs), of Adjustable Speed Drives (ASDs)). 3A226 Gelijkstroombronnen met hoog vermogen, anders dan bedoeld in 0B001. j. 6. , met beide volgende eigenschappen: a. over een periode van acht uur ononderbroken 100 V of meer kunnen produceren bij een stroom van 500 A of meer, en b. met een stroom- of spanningsstabiliteit beter dan 0,1 % over een periode van acht uur. 3A227 Hoogspanningsgelijkstroombronnen, anders dan vermeld in 0B001. j. 5. , met beide volgende eigenschappen: a. over een periode van acht uur ononderbroken 20 kV of meer kunnen produceren bij een stroom van 1 A of meer, en b. met een stroom- of spanningsstabiliteit beter dan 0,1 % over een periode van acht uur. 3A228 Schakelelementen, als hieronder: a. buizen met koude kathode, al dan niet met gas gevuld, die op dezelfde wijze als een vonkbrug werken, en alle volgende eigenschappen hebben: 1. drie of meer elektroden; 2. een maximale anodespanning van 2,5 kV of meer; 3.  een maximale anodestroomsterkte van 100 A of meer, en 4. een anodevertragingstijd van 10 μs of minder; Noot: Onder 3A228 vallen met gas gevulde krytronbuizen en vacuümsprytronbuizen. b. gestuurde vonkbruggen met beide volgende eigenschappen: 1. een anodevertragingstijd van 15 μs of minder, en 2. een toelaatbare maximale stroomsterkte van 500 A of meer. c. andere dan de in 3A001. g. of in 3A001. h. gespecificeerde modules of samenstellingen met een snelle schakelfunctie met alle volgende eigenschappen: 1. een maximale anodespanning hoger dan 2 kV; 2. een maximale anodestroomsterkte van 500 A of meer, en 3. een inschakeltijd van 1 μs of minder. 3A229 Pulsgeneratoren met hoge stroomsterkte, als hieronder: NB: ZIE OOK DE LIJST MILITAIRE GOEDEREN. a. ontstekingsmechanismen met detonator (initiatorsystemen, ontstekers), met inbegrip van elektrisch gestarte, explosief gestarte en optisch gestarte ontstekingsmechanismen, anders dan die zijn vermeld in 1A007. a. , ontworpen voor het starten van meerdere bestuurde detonatoren bedoeld in 1A007. b. ; b. modulaire elektrische pulsgeneratoren (pulseerders) met alle volgende eigenschappen: 1. ontworpen voor draagbaar, mobiel of ruw gebruik; 2. in staat hun energie in minder dan 15 μs in een belasting van minder dan 40 ohm af te geven; 3. met een uitgangsstroomsterkte hoger dan 100 A; 4. geen enkele afmeting groter dan 30 cm; 5. gewicht minder dan 30 kg, en 6. gespecificeerd voor gebruik in een breed temperatuurgebied 223 K (– 50 °C) tot 373 K (100 °C) of gespecificeerd als geschikt voor ruimtevaarttoepassingen. Noot: 3A229. b. omvat starters voor xenonflitslampen. c. micro-ontstekingseenheden met alle volgende eigenschappen: 1. geen enkele afmeting groter dan 35 mm; 2. een toelaatbare spanning gelijk aan of groter dan 1 kV, en 3. capaciteit gelijk aan of groter dan 100 nF. 3A230 Snelle pulsgeneratoren en ‘pulskoppen’ daarvoor, met beide van de volgende eigenschappen: a. een uitgangsspanning van meer dan 6 V in een weerstandsbelasting van minder dan 55 ohm, en b. met een ‘pulsstijgtijd’ van minder dan 500 ps. Technische noten: 1. In 3A230 is de ‘pulsstijgtijd’ gedefinieerd als het tijdsinterval dat verstrijkt tussen het bereiken van 10 % van de piekspanning en 90 % van de piekspanning. 2. ‘Pulskoppen’ zijn pulsvormende netwerken die zijn ontworpen om te worden voorzien van een voltagestapfunctie (‹voltage step›) en een verscheidenheid aan pulsvormen te vormen, waaronder van het type rechthoekig, driehoekig, ‹step›, puls-, exponentieel of ‹monocycle›.  ‘pulskoppen’ kunnen integraal deel uitmaken van de pulsgenerator, een ‹plug-ins› module van de inrichting vormen of als extern apparaat erop aangesloten worden. 3A231 Neutronengeneratorsystemen, met inbegrip van buizen, met beide volgende eigenschappen: a. ontworpen om te werken zonder uitwendig vacuümsysteem, en b. gebruikmaken van: 1. elektrostatische versnelling voor het opwekken van een tritium-deuterium-kernreactie, of 2. elektrostatische versnelling voor het opwekken van een deuterium-deuterium-kernreactie en in staat 3 × 109 neutrons/s of meer aan output te leveren. 3A232 Andere dan de in 1A007 bedoelde meervoudige ontstekingssystemen, als hieronder: NB: ZIE OOK DE LIJST MILITAIRE GOEDEREN. NB: Zie 1A007. b. voor detonatoren. a. niet gebruikt; b. opstellingen waarbij gebruik wordt gemaakt van enkel- of meervoudige detonatoren en die zijn ontworpen om door middel van een enkel ontstekingssignaal een explosief oppervlak over een gebied van meer dan 5 000 mm2 bijna gelijktijdig tot ontploffing te brengen met een ontstekingstijdmarge over het oppervlak van minder dan 2,5 μs. Noot: 3A232 heeft geen betrekking op detonators die uitsluitend gebruikmaken van primaire springstoffen, zoals loodazide. 3A233 Massaspectrometers, anders dan vermeld in 0B002. g. , die ionen met een massa van 230 u of meer kunnen meten en die een oplossend vermogen hebben dat beter is dan 2 u op 230 u, en ionenbronnen hiervoor, als hieronder: a. inductief gekoppelde plasmamassaspectrometers (ICP/MS); b. massaspectrometers werkend door middel van een gloeiontlading (GDMS); c. massaspectrometers werkend door middel van thermische ionisatie (TIMS); d. massaspectrometers werkend door middel van elektronenbeschieting met beide volgende eigenschappen: 1. een molecuulbundelinlaatsysteem dat een gecollimeerde bundel analytmoleculen injecteert in een regio van de ionenbron waar de moleculen zijn geïoniseerd met een elektronenbundel, en 2. een of meer ‘koudevallen’ die kunnen worden afgekoeld tot een temperatuur van 193 K (– 80 °C); e. niet gebruikt; f. massaspectrometers uitgerust met een microfluoreer-ionenbron ontworpen voor actiniden of actinidefluoriden. Technische noten: 1. De door middel van elektronbeschieting werkende massaspectrometers bedoeld in 3A233. d. staan ook bekend als massaspectrometers met elektronimpact (‹electron impact mass spectrometers›) of massaspectrometers met elektronionisatie (‹electron ionization mass spectrometers›). 2. In 3A233. d. 2. wordt onder ‘koudeval’ een systeem verstaan waarmee gasmoleculen worden gevangen door ze te condenseren of bevriezen op koude oppervlakken. Voor de toepassing van 3A233. d. 2. wordt een kryogene vacuümpomp met een gesloten systeem en gasvormig helium niet beschouwd als een ‘koudeval’. 3A234 Striplines om te voorzien in een lage-inductiviteitspad naar ontstekers met de volgende eigenschappen: a.  een toelaatbare spanning hoger dan 2 kV, en b inductie van minder dan 20 nH. 3B   Test-, inspectie- en productieapparatuur 3B001 Productieapparatuur voor halfgeleiderelementen of materialen, als hieronder, en speciaal ontworpen onderdelen en toebehoren daarvoor: NB: ZIE OOK 2B226. a. apparatuur voor epitaxiale groei, als hieronder: 1. apparatuur die is ontworpen of aangepast voor de productie van een laag van een ander materiaal dan silicium met een laagdikte-uniformiteit beter dan ± 2,5 % over een afstand van 75 mm of meer te produceren; Noot: 3B001. a. 1. omvat apparatuur voor atomaire-lagenepitaxie (ALE). 2. reactoren voor het chemisch neerslaan van organometaaldamp (MOCVD), ontworpen voor epitaxiale groei van samengestelde halfgeleiders van materiaal dat twee of meer van de volgende elementen bevat: aluminium, gallium, indium, arseen, fosfor, antimoon of stikstof; 3. apparatuur voor het opbrengen van epitaxiale lagen door middel van moleculaire bundels met gebruik van gasvormige of vaste bronnen; b. apparatuur ontworpen voor ionenimplantatie, met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. niet gebruikt; 2. wordt ontworpen en geoptimaliseerd voor gebruik bij een stralingsenergie van 20 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 10 mA of meer voor het implanteren van waterstof, deuterium of helium; 3. geschikt voor direct schrijven; 4. een stralingsenergie van 65 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 45 mA of meer om met hoge energie zuurstof te implanteren in een verwarmd “substraat” bestaande uit halfgeleidermateriaal, of 5. wordt ontworpen en geoptimaliseerd voor gebruik bij een stralingsenergie van 20 keV of meer en een bundelstroomsterkte van 10 mA om silicium te implanteren in een “substraat” bestaande uit halfgeleidermateriaal verwarmd tot 600 °C of meer; c. niet gebruikt; d. niet gebruikt; e. centrale ‹wafer›transportsystemen met meerdere kamers, voor het automatisch laden van de ‹wafers› en met: 1. interfaces voor de in- en uitvoer van de ‹wafers›, waaraan meer dan twee functioneel verschillende ‘halfgeleiderbewerkingstools’ als bedoeld in 3B001. a. 1. , 3B001. a. 2. , 3B001. a. 3. of 3B001. b. kunnen worden aangesloten, en 2. ontworpen ter vorming van een geïntegreerd systeem in een vacuümomgeving voor ‘stapsgewijze bewerking van verscheidene ‹wafers› tegelijk’; Noot: 3B001. e. heeft geen betrekking op robotachtige automatische wafertransportsystemen die speciaal zijn ontworpen voor gelijktijdige bewerking van ‹wafers›. Technische noten: 1. In 3B001. e. wordt onder ‘halfgeleiderbewerkingstools’ verstaan, modulaire tools die fysische processen voor het produceren van functioneel verschillende halfgeleiders opleveren, zoals afzetting, implantatie of thermische verwerking. 2. In 3B001. e.  wordt onder ‘stapsgewijze bewerking van verscheidene ‹wafers› tegelijk’ verstaan, het vermogen om elke ‹wafer› met verschillende ‘halfgeleiderbewerkingstools’ te bewerken, bijvoorbeeld door elke ‹wafer› van de ene naar de andere tool en vervolgens naar nog een derde tool over te brengen door middel van de centrale ‹wafer›transportsystemen met meerdere kamers, voor het automatisch laden van de ‹wafers›. f. lithografische apparatuur, als hieronder: 1. repeteerapparatuur (‹step and repeat› (‹direct step on wafer›) apparatuur of ‹step and scan› (scanner) apparatuur) voor uitrichten en belichten ten behoeve van het bewerken van wafers, waarbij gebruik wordt gemaakt van foto-optische of röntgenmethoden, met één of beide van de volgende eigenschappen: a. golflengte van de lichtbron korter dan 193 nm, of b. in staat om patronen te produceren met een ‹minimum resolvable feature size› (MRF) van 45 nm of minder; Technische noot: De ‹minimum resolvable feature size› (MRF) wordt berekend volgens de volgende formule: waarbij de K-factor = 0,35 2. apparatuur voor imprintlithografie die structuren van 45 nm of minder kan produceren; Noot: 3B001. f. 2. omvat:   apparatuur voor microcontactdruk   apparatuur voor warm pregen (hot embossing)   apparatuur voor nano-imprintlithografie   apparatuur voor S-FIL (Step and flash imprint lithography) 3. apparatuur die speciaal is ontworpen voor het vervaardigen van maskers, met alle volgende eigenschappen: a. een afgebogen en gefocusseerde elektronen-, ionen- of “laser”-bundels, en b. met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een brandpuntsvlak met een halfwaardebreedte (FWHM) van minder dan 65 nm en een beeldpositionering van minder dan 17 nm (gemiddeld + 3 sigma), of 2. niet gebruikt; 3. een tweede overlay-fout van minder dan 23 nm (gemiddeld + 3 sigma) op het masker; 4. apparatuur die is ontworpen voor toestelverwerking met gebruikmaking van directe schrijfmethoden, met alle volgende eigenschappen: a. een afgebogen en gefocusseerde elektronenbundel, en b. met één of meer van de volgende eigenschappen: 1. een minimale bundelafmeting van 15 nm of minder, of 2. een overlay-fout van minder dan 27 nm (gemiddeld + 3 sigma); g. maskers of fijne optische netwerken (‹reticles›) voor geïntegreerde schakelingen, vermeld in 3A001; h. meerlagige maskers met een niet door 3B001. g. gespecificeerde faseverschuivingslaag en ontworpen om te worden gebruikt door lithografische apparatuur met een golflengte van de lichtbron van minder dan 245 nm; Noot: 3B001. h. heeft geen betrekking op maskers bestaande uit verscheidene lagen met een faseverschuivingslaag die ontworpen zijn voor de fabricage van geheugenmedia die niet onder 3A001 vallen.  NB: Zie 6B002 voor maskers of fijne optische netwerken (‹reticles›) die speciaal zijn ontworpen voor optische sensoren. i. imprintlithografie-templates ontworpen voor de in 3A001 gespecificeerde geïntegreerde schakelingen. j. maskers van “onafgewerkt substraat” met meerlagige reflectorstructuur bestaande uit molybdeen en silicium, met alle volgende eigenschappen: 1. speciaal ontworpen voor lithografie met ‘extreem ultraviolet’ (‘EUV’) licht, en 2. in overeenstemming met SEMI-norm P37. Technische noot: onder “extreem ultraviolet” wordt verstaan: golven op het elektromagnetische spectrum groter dan 5 nm en kleiner dan 124 nm. 3B002 Testapparatuur, speciaal ontworpen voor het testen van afgewerkte of half-afgewerkte halfgeleiderelementen, als hieronder, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen en toebehoren: a. voor het testen van S-parameters van in 3A001. b. 3. vermelde items; b. niet gebruikt; c. voor het testen van in 3A001. b. 2. vermelde items; 3C   Materialen 3C001 Hetero-epitaxiale materialen bestaande uit een “substraat” met verscheidene gestapelde epitaxiaal gegroeide lagen van één of meer van de volgende stoffen: a. silicium (Si); b. germanium (Ge); c. siliciumcarbide (SiC), of d. “III/V” gallium- of indium-“verbindingen”. Noot: 3C001. d. heeft geen betrekking op “substraat” met één of meer P-type epitaxiale lagen GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP of InGaAlP, onafhankelijk van de volgorde van de elementen, behalve wanneer de P-type epitaxiale laag zich tussen N-type lagen bevindt. 3C002 ‹Resists› (gevoelige lagen), als hieronder, en “substraten” bekleed met de volgende ‹resists›: a. ‹resists› ontworpen voor halfgeleiderlithografie, als hieronder: 1. positieve ‹resists› die optimaal geschikt zijn gemaakt voor gebruik bij golflengten van minder dan 193 nm maar gelijk aan of meer dan 15 nm; 2. positieve ‹resists› die zijn aangepast (geoptimaliseerd) voor het gebruik bij golflengten van minder dan 15 nm maar meer dan 1 nm; b. alle ‹resists› ontworpen voor gebruik met elektronen- of ionenbundels met een gevoeligheid van 0,01 μcoulomb/mm2 of beter; c. niet gebruikt; d. alle ‹resists› die optimaal geschikt zijn gemaakt voor beeldvorming aan het oppervlak; e. alle ‹resists› die ontworpen zijn of optimaal geschikt zijn gemaakt voor gebruik met de in 3B001. f. 2. bedoelde imprintlithografieapparatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van een uithardingsproces onder invloed van warmte of licht. 3C003 Organisch-anorganische verbindingen, als hieronder: a. organische metaalverbindingen van aluminium, gallium of indium met een zuiverheidsgraad (op metaalbasis) hoger dan 99,999 %; b. organische arseen-, antimoon- en fosforverbindingen met een zuiverheidsgraad (op basis van de anorganische elementen) hoger dan 99,999 %.  Noot: 3C003 heeft alleen betrekking op verbindingen waarvan het metallische, deels metallische of niet-metallische element direct gekoppeld is aan koolstof in het organische deel van het molecuul. 3C004 Hydriden van fosfor, arseen of antimoon, met een zuiverheid hoger dan 99,999 %, zelfs bij verdunning in edelgassen of waterstof. Noot: 3C004 heeft geen betrekking op hydriden die 20 mol % of meer edelgassen of waterstof bevatten. 3C005 Materialen met hoge weerstand, zoals hieronder: a. semigeleidende “substraten” of walsblokken, monokristallen of andere voorvormstukken (preforms) van siliciumcarbide (SiC), galliumnitride (GaN), aluminiumnitride (AlN) of aluminiumgalliumnitride (AlGaN), met een weerstand van meer dan 10 000 ohm-cm bij een temperatuur van 20 °C; b. polikristallijne “substraten” of polykristallijne keramieken “substraten” met weerstanden groter dan 10 000 ohm-cm bij 20 °C en met ten minste één niet-epitaxiale enkelkristallen laag van silicium (Si), siliciumcarbide (SiC), galliumnitride (GaN), aluminiumnitride (AlN) of aluminiumgalliumnitride (AlGaN) op het oppervlak dan het “substraat”. 3C006 Materialen, niet vermeld in 3C001, bestaande uit een in 3C005 bedoeld “substraat” met ten minste één epitaxiale laag siliciumcarbide, galliumnitride, aluminiumnitride of aluminiumgalliumnitride. 3D   Programmatuur 3D001 “Programmatuur” (“software”), speciaal ontworpen voor de “ontwikkeling” of de “productie” van de apparatuur die is vermeld in 3A001. b. tot en met 3A002. h. of in 3B. 3D002 “Programmatuur”, speciaal ontworpen voor het “gebruik” van de apparatuur die is vermeld in 3B001. a. tot en met f. , in 3B002 of 3A225. 3D003 “Programmatuur” voor ‘computerlithografie’, speciaal ontworpen voor de “ontwikkeling” van patronen op maskers of fijne optische netwerken (‹reticles›) voor EUV-lithografie. Technische noot: 'Computerlithografie' is het gebruik van computermodellen voor het voorspellen, corrigeren, optimaliseren en controleren van de beeldprestaties van het lithografieproces voor een aantal patronen, processen en systeemvoorwaarden. 3D004 “Programmatuur”, speciaal ontworpen voor de “ontwikkeling” van apparatuur als vermeld in 3A003. 3D005 “Programmatuur”, speciaal ontworpen om de normale werking van een microcomputer, “microprocessor-microschakeling” of “microcomputer-microschakeling” binnen 1 ms na een verstoring door een elektromagnetische puls (EMP) of een elektrostatische ontlading (ESD) te hervatten zonder dat de werking is onderbroken. 3D101 “Programmatuur”, speciaal ontworpen of aangepast voor het “gebruik” van apparatuur als vermeld in 3A101. b. 3D225 “Programmatuur” speciaal ontworpen voor het verbeteren of leveren van de prestaties van frequentieomzetters of frequentiegeneratoren om te voldoen aan de eigenschappen van 3A225.  3E   Technologie 3E001 “Technologie” volgens de algemene technologienoot voor de “ontwikkeling” of “productie” van apparatuur of materialen, vermeld in 3A, 3B of C; Noot 1: 3E001 heeft geen betrekking op “technologie” voor apparatuur of onderdelen als vermeld in 3A003. Noot 2: 3E001 heeft geen betrekking op “technologie” voor geïntegreerde schakelingen als vermeld in 3A001. a. 3. tot en met 3A001. a. 12. , met de volgende eigenschappen: a. gebruik van “technologie” groter dan of gelijk aan 0,130 μm, en b. bevat een meerlagenstructuur met drie of minder metaallagen. Noot 3: 3E001 heeft geen betrekking op ‘Process Design Kits’ (‘PDK’s’) tenzij die bibliotheekprogramma’s omvatten die functies of technologieën uitvoeren voor in 3A001 bedoelde items. Technische noot: Een ‘Process Design Kit’ (‘PDK’) is een door een halfgeleiderfabrikant verstrekte programmatuurstool die ervoor zorgt dat de vereiste regels en praktijken inzake ontwerp worden gevolgd, voor de juiste productie van een ontwerp van een specifieke geïntegreerde schakeling in een specifieke halfgeleiderbewerking, in overeenstemming met de technologische en fabricagebeperkingen (elk fabricageproces van een halfgeleider heeft zijn eigen ‘PDK’). 3E002 “Technologie” volgens de algemene technologienoot, anders dan vermeld in 3E001, voor de “ontwikkeling” of de “productie” van een “microprocessor-microschakelings-”, een “microcomputer-microschakelings-” of een microbesturings-microschakelingskern met een logische rekeneenheid (ALU) met een toegangsbereik van 32 bit of meer en met één of meer van de volgende eigenschappen: a. een ‘vectorprocessor’ ontworpen om meer dan twee berekeningen op zwevendekommavectoren (eendimensionale ‹arrays› van getallen van 32 bit of meer) gelijktijdig uit te voeren; Technische noot: Een ‘vectorprocessor’ is een processor met ingebouwde instructies waarbij gelijktijdig verscheidene berekeningen worden uitgevoerd op zwevendekommavectoren (eendimensionale ‹arrays› van getallen van 32 bit of meer), met ten minste één vector-ALU en vectorregisters van ten minste 32 elementen elk. b. ontworpen om meer dan vier zwevendekommabewerkingen van 64 bit of hoger per cyclus uit te voeren, of c. ontworpen om meer dan acht vastekomma-MAC(multiply-accumulate)-resultaten van 16 bit per cyclus te realiseren (bijvoorbeeld de digitale bewerking van analoge informatie die in digitale vorm is omgezet, ook bekend als digitale “signaalbewerking”). Technische noten: 1. Voor de toepassing van 3E002. a. en 3E002. b. wordt ‘zwevende komma’ gedefinieerd in IEEE-norm 754. 2. Voor de toepassing van 3E002. c. wordt met ‘vaste komma’ bedoeld een reëel getal met een vast aantal cijfers dat zowel een integer-component als een fractionele component heeft, en dat niet uitsluitend in een integer-formaat voorkomt. Noot 1: 3E002 heeft geen betrekking op “technologie” voor multimedia-uitbreidingen.  Noot 2: 3E002 heeft geen betrekking op “technologie” voor microprocessorkernen met alle volgende eigenschappen: a. gebruik van “technologie” groter dan of gelijk aan 0,130 μm, en b. meerlagenstructuren van vijf of minder metaallagen. Noot 3: 3E002 omvat ook “technologie” voor de “ontwikkeling” of de “productie” van digitale signaalprocessoren en digitale processoren. 3E003 Andere “technologie” voor de “ontwikkeling” of “productie” van: a. micro-elektronische vacuümelementen; b. elektronische halfgeleiderelementen met een heterostructuur, zoals transistors met hoge elektronenmobiliteit (HEMT), hetero bipolaire transistors (HBT), elementen met een kwantumval of superrooster; Noot: 3E003. b. heeft geen betrekking op “technologie” voor hoge-elektronenmobiliteit-transistoren (HEMT) werkende bij frequenties van minder dan 31,8 GHz en hetero-junction bipolaire transistoren (HBT) werkende bij frequenties van minder dan 31,8 GHz. c. “supergeleidende” elektronische elementen; d. substraten van diamantfilm voor elektronische componenten; e. SOI (silicon-on-insulator)-substraten voor geïntegreerde schakelingen met siliciumdioxide als isolator; f. substraten van siliciumcarbide voor elektronische onderdelen; g. “elektronische vacuümelementen” die werkzaam zijn bij frequenties van 31,8 GHz of hoger. 3E004 “Technologie” die “noodzakelijk” is voor het snijden, slijpen en polijsten van siliciumwafers met een diameter van 300 mm teneinde een ‘Site Front least sQuares Range’ (‘SFQR’) van 20 nm of minder voor elke punt van 26 mm × 8 mm op de bovenkant van de wafer, gemeten tot op 2 mm of minder van de rand, te bereiken. Technische noot: Voor de toepassing van 3E004 is ‘SFQR’ het bereik van de maximale en de minimale afwijking van het referentievoorvlak, berekend volgens de methode van de kleinste kwadraten aan de hand van alle gegevens van de bovenkant, inclusief de begrenzing binnen een punt. 3E101 “Technologie” overeenkomstig de algemene technologienoot voor het “gebruik” van apparatuur of “programmatuur”, vermeld in 3A001. a. 1. of 2. , 3A101, 3A102 of 3D101. 3E102 “Technologie” volgens de algemene technologienoot voor de “ontwikkeling” van “programmatuur”, vermeld in 3D101. 3E201 “Technologie” volgens de algemene technologienoot voor het “gebruik” van apparatuur, vermeld in 3A001. e. 2. , 3A001. e. 3. , 3A001. g. , 3A201, 3A225 tot en met 3A234. 3E225 “Technologie” in de vorm van codes of sleutels voor het verbeteren of leveren van de prestaties van frequentieomzetters of frequentiegeneratoren om te voldoen aan de eigenschappen van 3A225. DEEL VI —     Categorie 4 CATEGORIE 4 — COMPUTERS Noot 1: Computers, aanverwante apparatuur of “programmatuur” die telecommunicatie- of “lokaal netwerk-” functies verrichten, dienen tevens te worden getoetst aan de criteria van categorie 5, deel 1 (Telecommunicatie).  Noot 2: Besturingseenheden die zorgen voor de directe onderlinge verbinding van de hoofdlijnen of kanalen van de centrale verwerkingseenheden, het ‘werkgeheugen’ en de schijvenbesturingseenheden worden niet beschouwd als telecommunicatieapparatuur als omschreven in categorie 5, deel 1 (Telecommunicatie). NB: Zie 5D001 voor de controlestatus van “programmatuur” die speciaal is ontworpen voor pakketschakelen. Technische noot: Onder ‘werkgeheugen’ wordt verstaan: het primaire geheugen voor gegevens of opdrachten, dat voor de centrale verwerkingseenheid snel toegankelijk is. Het bestaat uit het interne geheugen van een “digitale computer” en elke hiërarchische uitbreiding daarvan, zoals ‹cache›-geheugens of niet-sequentieel toegankelijke geheugenuitbreidingen. 4A   Systemen, apparatuur en onderdelen 4A001 Elektronische computers en aanverwante apparatuur, met één of meer van de volgende en “elektronische samenstellingen” en speciaal ontworpen onderdelen daarvoor: NB: ZIE OOK 4A101. a. speciaal ontworpen voor één van beide volgende eigenschappen: 1. geschikt voor werktemperaturen lager dan 228 K (- 45 °C) of hoger dan 358 K (85 °C), of Noot: 4A001. a. 1. heeft geen betrekking op computers die speciaal zijn ontworpen voor toepassingen in civiele automobielen, treinen of “civiele vliegtuigen”. 2. de stralingsbestendigheid overschrijdt één of meer van de volgende specificaties: a. totale dosis 5 x 103 Gy (silicium); b. storing bij dosistempo 5 x 106 Gy (silicium)/s, of c. storing éénmalige gebeurtenis 1 x 10-8 fout/bit/dag; Noot: 4A001. a. 2. heeft geen betrekking op computers die speciaal zijn ontworpen voor toepassingen in “burgerluchtvaartuigen”. b. niet gebruikt. 4A003 “Digitale computers”, “elektronische samenstellingen” en aanverwante apparatuur daarvoor, zoals hieronder vermeld, en speciaal daarvoor ontworpen onderdelen: Noot 1: 4A003 heeft mede betrekking op: — ‘vectorprocessoren’; — ‹array›-processoren; — digitale signaalprocessoren; — logische processoren; — apparatuur voor “beeldverbetering”. Noot 2: De controlestatus van de in 4A003 omschreven “digitale computers” of aanverwante apparatuur wordt bepaald door de controlestatus van andere apparatuur of systemen, mits: a. de “digitale computers” of aanverwante apparatuur essentieel zijn voor de werking van de andere apparatuur of systemen; b. de “digitale computers” of de aanverwante apparatuur niet een “voornaamste deel” van de andere apparatuur of systemen vormen, en NB 1: De controlestatus van apparatuur voor “signaalverwerking” of “beeldverbetering” speciaal ontworpen voor andere apparatuur, waarvan de functies beperkt zijn tot die welke noodzakelijk zijn voor die andere apparatuur, wordt bepaald door de controlestatus van die andere apparatuur, ook indien het criterium betreffende het “voornaamste deel” wordt overschreden. NB 2: Zie categorie 5 (Deel 1 — Telecommunicatie) voor de controlestatus van “digitale computers” of aanverwante apparatuur voor telecommunicatie-uitrusting. 