None
met een verbruikscapaciteit van de elektrode tussen 1 000 cm3 en 20 000 cm3; en











2.
geschikt om te werken bij een smelttemperatuur hoger dan 1 973 K (1 700 °C);














b.
ovens voor het smelten met elektronenstralen en ovens voor het verstuiven en smelten met een plasma met beide volgende eigenschappen:






1.
een vermogen van 50 kW of meer; en











2.
geschikt om te werken bij een smelttemperatuur hoger dan 1 473 K (1 200 °C).
c.
computersystemen voor besturing en controle, speciaal geconfigureerd voor de in 2B227.a. en 2B227.b. bedoelde ovens.
2B228Apparatuur voor de vervaardiging of assemblage van rotoren, rotorrichtapparatuur, en matrijzen voor het vormen van balgen, als hieronder:






a.
rotorassemblageapparatuur voor de assemblage van rotorbuisdelen, schijven en deksels van gascentrifuges;








Noot:




2B228.a. omvat zeer nauwkeurige spillen, klemmen en machines voor krimppassen.
b.
rotorrichtapparatuur voor het richten van de rotorbuisdelen van een gascentrifuge ten opzichte van een gemeenschappelijke as;


Technische noot:



Gewoonlijk bestaat de apparatuur in 2B228.b. uit zeer nauwkeurige meetsondes gekoppeld aan een computer die vervolgens de werking van bijvoorbeeld de voor het richten van de rotorbuisdelen gebruikte pneumatische plunjers bestuurt.
c.
balgvormende spillen en matrijzen voor de productie van balgen met een enkele winding.
Technische noot:



De in 2B228.c. bedoelde balgen hebben alle volgende eigenschappen:








1.
binnendiameter van 75 mm tot 400 mm;












2.
lengte van 12,7 mm of meer;












3.
dikte van de enkele winding groter dan 2 mm; en













4.
vervaardigd van aluminiumlegeringen met een hoge sterkte, maragingstaal of "stapel- of continuvezelmateriaal" met een hoge sterkte.
2B230Alle soorten 'drukomzetters' geschikt voor het meten van de absolute druk en met alle volgende eigenschappen:






a.
drukopneemelementen vervaardigd van of beschermd door aluminium, aluminiumlegeringen, aluminiumoxide (alumina of saffier), nikkel of nikkellegeringen met meer dan 60 gewichtspercenten nikkel of volledig gefluoreerde koolwaterstofpolymeren;










b.
 eventuele afdichtingen die essentieel zijn voor het afdichten van het drukopneemelement en die rechtstreeks in contact komen met het procesmedium, vervaardigd van of beschermd door aluminium, aluminiumlegeringen, aluminiumoxide (alumina of saffier), nikkel of nikkellegeringen met meer dan 60 gewichtspercenten nikkel of volledig gefluoreerde koolwaterstofpolymeren; en











c.
met een van de twee volgende eigenschappen:






1.
een volledig bereik van minder dan 13 kPa en een 'nauwkeurigheid' beter dan ± 1 % over het gehele bereik; of











2.
een volledig bereik van 13 kPa of groter en een 'nauwkeurigheid' beter dan ± 130 Pa wanneer wordt gemeten bij 13 kPa.
Technische noten:









1.
In 2B230 wordt onder 'drukomzetter' verstaan een toestel dat een drukmeting omzet in een signaal.
2.
Voor de toepassing van 2B230 houdt 'nauwkeurigheid' in non-lineariteit, hysteresis en herhaalbaarheid bij omgevingstemperatuur.
2B231Vacuümpompen met alle volgende eigenschappen:






a.
een toevoerhals van 380 mm of groter;










b.
een pompsnelheid van 15 m3/s of meer; en











c.
geschikt voor het bereiken van een maximale onderdruk beter dan 13 mPa.
Technische noten:









1.
De pompsnelheid wordt bepaald op het meetpunt met stikstofgas of lucht.
2.
De maximale onderdruk wordt berekend aan de invoerzijde van de pomp terwijl de invoer van de pomp is afgesloten.
2B232Kanonsystemen voor hoge snelheden (spoel-, elektromagnetische en thermoelektrische types en andere geavanceerde systemen) die projectielen kunnen versnellen tot een snelheid van 1,5 km/s of meer.
NB:




ZIE OOK DE LIJST MILITAIRE GOEDEREN.
2B233Compressoren met balgafdichting van het scroll-type en vacuümpompen met balgafdichting van het scroll-type met alle volgende eigenschappen:








NB:




ZIE OOK 2B350.i.
a.
geschikt voor een inlaatvolumedebiet van 50 m3/uur of meer;










b.
geschikt voor een drukverhouding van 2:1 of meer; en











c.
alle oppervlakken die in contact komen met het procesgas is gemaakt van een van de volgende materialen:






1.
aluminium of aluminiumlegering;










2.
aluminiumoxide;










3.
 roestvast staal;










4.
nikkel of nikkellegering;










5.
fosforbrons; of











6.
fluorpolymeren.
2B350Chemische productie-installaties, productieapparatuur en onderdelen daarvan, als hieronder:






a.
reactorvaten of reactors, met of zonder roerwerk, met een totaal inwendig (geometrisch) volume van meer dan 0,1 m3 (100 liter) en minder dan 20 m3 (20 000 liter), waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:






1.
'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;










2.
fluorpolymeren (polymere of elastomere materialen die meer dan 35 gewichtspercenten fluor bevatten);










3.
glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding («lining»);










4.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;










5.
tantaal of 'legeringen' ervan;










6.
titaan of 'legeringen' ervan;










7.
zirkonium of 'legeringen' ervan; of











8.
niobium (columbium) of 'legeringen' ervan;














b.
roerwerken die ontworpen zijn voor gebruik in reactorvaten of reactors als aangegeven in 2B350.a; en voor gebruik in dergelijke roerwerken ontworpen schoepen, bladen en assen, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:






1.
'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;










2.
fluorpolymeren (polymere of elastomere materialen die meer dan 35 gewichtspercenten fluor bevatten);










3.
glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding («lining»);










4.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;










5.
tantaal of 'legeringen' ervan;










6.
titaan of 'legeringen' ervan;










7.
zirkonium of 'legeringen' ervan; of











8.
niobium (columbium) of 'legeringen' ervan;














c.
 opslagtanks en vaten met een totaal inwendig (geometrisch) volume van meer dan 0,1 m3 (100 l), waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:






1.
'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;










2.
fluorpolymeren (polymere of elastomere materialen die meer dan 35 gewichtspercenten fluor bevatten);










3.
glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding («lining»);










4.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;










5.
tantaal of 'legeringen' ervan;










6.
titaan of 'legeringen' ervan;










7.
zirkonium of 'legeringen' ervan; of











8.
niobium (columbium) of 'legeringen' ervan;














d.
warmtewisselaars of condensors met een warmte-uitwisseloppervlak van meer dan 0,15 m2 en minder dan 20 m2; en voor gebruik in dergelijke warmtewisselaars of condensors ontworpen buizen, platen, spoelen of blokken (kernen), waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:






1.
'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;










2.
fluorpolymeren (polymere of elastomere materialen die meer dan 35 gewichtspercenten fluor bevatten);










3.
glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding («lining»);










4.
grafiet of 'koolstofgrafiet';










5.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;










6.
tantaal of 'legeringen' ervan;










7.
titaan of 'legeringen' ervan;










8.
zirkonium of 'legeringen' ervan;










9.
siliciumcarbide;










10.
titaancarbide; of











11.
niobium (columbium) of 'legeringen' ervan;














e.
 distillatiekolommen of absorptiekolommen met een inwendige diameter van meer dan 0,1 m, en voor gebruik in dergelijke distillatiekolommen of absorptiekolommen ontworpen vloeistofverdelers, dampverdelers of vloeistofcollectoren, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:






1.
'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;










2.
fluorpolymeren (polymere of elastomere materialen die meer dan 35 gewichtspercenten fluor bevatten);










3.
glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding («lining»);










4.
grafiet of 'koolstofgrafiet';










5.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;










6.
tantaal of 'legeringen' ervan;










7.
titaan of 'legeringen' ervan;










8.
zirkonium of 'legeringen' ervan; of











9.
niobium (columbium) of 'legeringen' ervan;














f.
op afstand bedienbare vulapparatuur waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:






1.
'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom; of











2.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;














g.
kleppen en onderdelen, als hieronder:






1.
kleppen, met beide volgende eigenschappen:






a.
een 'nominale afmeting' groter dan 10 mm (3/8″); en











b.
alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden geproduceerd, verwerkt of ingesloten, zijn gemaakt van 'corrosiebestendig materiaal';














2.
kleppen, anders dan bedoeld in 2B350.g.1., met alle volgende eigenschappen;






a.
een 'nominale afmeting' gelijk aan of groter dan 25,4 mm (1″) en gelijk aan of kleiner dan 101,6 mm (4″);










b.
omhulsels (klephuizen) of voorgevormde binnenbekledingen;










c.
een sluitingselement dat ontworpen is om verwisselbaar te zijn; en











d.
 alle oppervlakken van de omhulsels (klephuizen) of voorgevormde binnenbekledingen die in direct contact komen met de chemicaliën die worden geproduceerd, verwerkt of ingesloten, zijn gemaakt van 'corrosiebestendig materiaal';














3.
onderdelen, ontworpen voor kleppen bedoeld in 2B350.g.1 of 2B350.g.2., waarvan alle oppervlakken die rechtstreeks in aanraking komen met de chemicaliën die worden geproduceerd, verwerkt of ingesloten, zijn gemaakt van 'corrosiebestendig materiaal' als hieronder:






a.
omhulsels (afsluiters);










b.
voorgevormde binnenbekledingen;










Technische noten:









1.
Voor de toepassing van 2B350.g. wordt onder 'corrosiebestendige materialen' een van de volgende materialen verstaan:








a.
nikkel of legeringen die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;












b.
legeringen met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;












c.
fluorpolymeren (polymere of elastomere materialen die meer dan 35 gewichtspercenten fluor bevatten);












d.
glas of glasbekleding ("lining") (met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen);












e.
tantaal of tantaallegeringen;












f.
titaan of titaanlegeringen;












g.
zirkonium of zirkoniumlegeringen;












h.
niobium (columbium) of 'legeringen' ervan; of













i.
onderstaande keramische materialen:








1.
siliciumcarbide met een zuiverheidsgraad van 80 gewichtspercenten of meer;












2.
aluminiumoxide (alumina) met een zuiverheidsgraad van 99,9 gewichtspercenten of meer;












3.
zirkoniumoxide (zirconia).
2.
Onder 'nominale afmeting' wordt verstaan de kleinste diameter van de inlaat- en uitlaatopeningen.
h.
meerwandige buizen met een lektestaansluiting, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt of zijn opgeslagen, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:






1.
'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;










2.
fluorpolymeren (polymere of elastomere materialen die meer dan 35 gewichtspercenten fluor bevatten);










3.
glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding («lining»);










4.
grafiet of 'koolstofgrafiet';










5.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;










6.
tantaal of 'legeringen' ervan;










7.
titaan of 'legeringen' ervan;










8.
 zirkonium of 'legeringen' ervan; of











9.
niobium (columbium) of 'legeringen' ervan;














i.
pompen met meervoudige afdichting en pompen zonder afdichting, met door de fabrikant opgegeven maximale pompsnelheid van meer dan 0,6 m3 per uur, of vacuümpompen met door de fabrikant opgegeven maximale pompsnelheid van meer dan 5 m3 per uur bij standaardtemperatuur (273 K (0 °C)) en druk (101,3 kPa), anders dan bedoeld in 2B233, en voor gebruik in dergelijke pompen ontworpen omhulsels (pomphuizen), voorgevormde binnenbekledingen, schoepen, vleugelraderen of straalpompverdeelstukken, waarvan alle oppervlakken die in direct contact komen met de chemicaliën die worden verwerkt, gemaakt zijn van een of meer van de volgende materialen:






1.
'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;










2.
keramische materialen;










3.
ferrosilicium (ijzerlegeringen met een hoog siliciumgehalte);










4.
fluorpolymeren (polymere of elastomere materialen die meer dan 35 gewichtspercenten fluor bevatten);










5.
glas, met inbegrip van verglaasde of geëmailleerde lagen of glasbekleding («lining»);










6.
grafiet of 'koolstofgrafiet';










7.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten;










8.
tantaal of 'legeringen' ervan;










9.
titaan of 'legeringen' ervan;










10.
zirkonium of 'legeringen' ervan; of










11.
niobium (columbium) of 'legeringen' ervan;






Technische noot:



In 2B350.i verwijst de term afdichting alleen naar de afdichtingen die rechtstreeks in aanraking te komen met de chemicaliën die worden verwerkt (of daarvoor zijn ontworpen) en die voorzien in een afdichtingsfunctie waarbij een roterende of op-en-neergaande aandrijfas door de kast van een pomp heen gaat.
j.
verbrandingsovens ontworpen om chemicaliën bedoeld in 1C350 te vernietigen, met speciaal ontworpen afvaltoevoersystemen en speciale transportfaciliteiten en een gemiddelde verbrandingskamertemperatuur van meer dan 1 273 K (1 000 °C), waarvan alle oppervlakken van het afvaltoevoersysteem die in direct contact komen met de afvalproducten, gemaakt zijn van of bekleed zijn met een of meer van de volgende materialen:






1.
 'legeringen' met meer dan 25 gewichtspercenten nikkel en meer dan 20 gewichtspercenten chroom;










2.
keramische materialen; of











3.
nikkel of 'legeringen' die meer dan 40 gewichtspercenten nikkel bevatten.
Noot:




Voor de toepassing van 2B350 zijn de materialen voor pakkingen, verpakking, afdichtingen, pakkingen, schroeven, sluitringen en andere materialen die een afdichtingsfunctie vervullen niet bepalend zijn voor de embargostatus, op voorwaarde dat deze elementen zijn ontworpen om verwisselbaar te zijn.
Technische noten:









1.
'Koolstofgrafiet' is een composiet bestaande uit amorf koolstof en grafiet, met 8 of meer gewichtspercenten grafiet.
2.
Voor de hierboven opgesomde materialen wordt onder 'legeringen' - voor zover de term niet vergezeld gaat van een specifieke concentratie van een chemisch element - verstaan legeringen waarin het geïdentificeerde metaal in een hoger gewichtspercent dan enig ander element aanwezig is.
2B351Andere dan in 1A004 bedoelde controleapparatuur voor giftige gassen en de speciaal daarvoor ontworpen detectieonderdelen ervan, als hieronder, en detectoren; sensoren; en vervangbare sensorpatronen daarvoor:






a.
geschikt om in continubedrijf chemische strijdgassen of chemische stoffen als bedoeld in 1C350 waar te nemen bij concentraties van minder dan 0,3 mg/m3 lucht; of











b.
geschikt om cholinesteraseremmende werking waar te nemen.
2B352Uitrusting, geschikt voor het manipuleren van biologische stoffen, als hieronder:






a.
complete installaties met fysische inperking van de klassen P3 en P4;


Technische noot:



P3- en P4- (BL3, BL4, L3, L4) inperkingsniveaus zijn gespecificeerd in de WHO Laboratory Biosafety Manual (3e editie, Genève 2004).
b.
fermentoren en onderdelen, als hieronder:






1.
fermentoren, geschikt voor het kweken van pathogene "micro-organismen" of levende cellen voor de productie van pathogene virussen of toxines, zonder aerosolvorming, met een totale capaciteit van 20 liter of meer;










2.
onderdelen die ontworpen zijn voor fermentoren in 2B352.b.1., als hieronder:






a.
kweekkamers ontworpen om ter plaatse te worden gesteriliseerd of gedesinfecteerd;










b.
houdinrichtingen («holding devices») voor in kweekkamers;










c.
 procesbesturingseenheden die in staat zijn tot het gelijktijdig monitoren en besturen van twee of meer parameters van het fermentatiesysteem (bv. temperatuur, pH, nutriënten, agitatie, opgeloste zuurstof, luchtstroom, schuimbeheersing);










Technische noot:



Voor de toepassing van 2B352.b omvatten fermentoren bioreactoren, bioreactoren voor eenmalig gebruik (wegwerpbare bioreactoren), chemostaten en continustroomsystemen.
c.
centrifuges, geschikt voor continu scheiden zonder aerosolvorming, met alle volgende eigenschappen:






1.
een doorstroomsnelheid van meer dan 100 liter per uur;










2.
met componenten gemaakt van gepolijst roestvast staal of titaan;










3.
met één of meer koppelingen binnen het met stoom steriliseerbare compartiment; en











4.
geschikt voor in-situ-stoomsterilisatie in afgesloten toestand;






Technische noot:



Met centrifuges zijn ook bedoeld decanteerflessen.
d.
dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur en onderdelen, als hieronder:






1.
dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur geschikt voor het scheiden van pathogene micro-organismen, virussen, toxines of celculturen met alle volgende eigenschappen:






a.
een totaal filteroppervlak van 1 m2 of meer; en











b.
met een van de volgende eigenschappen:






1.
in-situ gesteriliseerd of gedesinfecteerd kunnen worden; of











2.
filteronderdelen zijn wegwerpbaar of slechts voor eenmalig gebruik.
Technische noot:



In 2B352.d.1.b. slaat gesteriliseerd op het verwijderen van alle levensvatbare bacteriën uit de apparatuur door middel van fysieke (bv. stoom) of chemische agentia. Gedesinfecteerd betekent dat iedere mogelijke bacteriële infectiviteit in de apparatuur door middel van chemische agentia met een kiemdodende werking volledig is uitgeschakeld. Desinfectie en sterilisatie zijn te onderscheiden van reiniging, waarmee schoonmaakprocedés worden bedoeld die het bacteriële gehalte van de apparatuur verminderen zonder de bacteriële infectiviteit of levensvatbaarheid noodzakelijkerwijze volledig uit te schakelen.
Noot:




2B352.d. heeft geen betrekking op apparatuur voor omgekeerde osmose, zoals gespecificeerd door de fabrikant.
2.
onderdelen van dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur (bv. modules, elementen, cassettes, patronen, eenheden of platen) met een filteroppervlak van 0,2 m2 of meer voor ieder onderdeel en bedoeld voor gebruik in de in 2B352.d. vermelde dwars- (tangentiële) stroomfiltratieapparatuur;














e.
 vriesdroogapparatuur, geschikt voor stoomsterilisatie en met een condensorcapaciteit van meer dan 10 kg ijs per 24 uur en minder dan 1 000 kg ijs per 24 uur;










f.
beschermings- of insluitingsmiddelen, als hieronder:






1.
pakken van het type waarbij het lichaam geheel of half wordt omsloten, of van een externe luchttoevoer afhankelijke getuide, onder positieve druk werkende afzuigkappen;








Noot:




Pakken die zijn ontworpen om met onafhankelijke ademhalingsapparatuur te worden gedragen, vallen niet onder 2B352.f.1.
2.
biologische veiligheidskasten van klasse III of isolerende systemen met soortgelijke werkingsnormen;








Noot:




De isolerende systemen in 2B352.f.2. omvatten flexibele isolatoren, droge kasten, anaerobe kamers, handschoenkasten en afzuigkappen met laminaire stroming (gesloten met verticale stroming).
g.
aerosol-inhalatiekamers ontworpen voor immuniteitsonderzoek met "micro-organismen", virussen of "toxinen" met een capaciteit van 1 m3 of meer;










h.
voor het drogen van toxinen of pathogene micro-organismen geschikte sproeidroogapparatuur, met alle volgende eigenschappen:






1.
een waterverdampingscapaciteit ≥ 0,4 kg/uur en ≤ 400 kg/uur;










2.
het vermogen om een typische gemiddelde productdeeltjesgrootte ≤ 10 μm te genereren met bestaande hulpstukken of met een minimale aanpassing van de sproeidroger met verneveldoppen die deeltjes van de vereiste grootte kunnen genereren; en











3.
in-situ gesteriliseerd of gedesinfecteerd kunnen worden.
2CMaterialen

Geen.
2DProgrammatuur

2D001"Programmatuur" anders dan bedoeld in 2D002, als hieronder:






a.
"programmatuur", speciaal ontworpen of aangepast voor de "ontwikkeling" of "productie" van apparatuur, bedoeld in 2A001 of 2B001.
b.
"programmatuur", speciaal ontworpen of aangepast voor het "gebruik" van in 2A001.c, 2B001 of 2B003 tot en met 2B009 bedoelde apparatuur.
Noot:




2D001 heeft geen betrekking op "programmatuur" voor werkstukprogramma's waarmee "numerieke besturings"-codes voor de bewerking van verschillende onderdelen worden gegenereerd.
 2D002"Programmatuur" voor elektronische toestellen, ook wanneer geïntegreerd in een elektronisch toestel of systeem, waardoor dergelijke toestellen of systemen kunnen functioneren als "numerieke besturings"-eenheid, en geschikt om meer dan vier assen gelijktijdig te laten samenwerken voor "contourbesturen".
Noot 1:




2D002 heeft geen betrekking op "programmatuur" die speciaal is ontworpen of aangepast voor de bediening van goederen die niet zijn vermeld in categorie 2.
Noot 2:




2D002 heeft geen betrekking op "programmatuur" voor goederen die zijn vermeld in 2B002. Zie 2D001 en 2D003 voor "programmatuur" voor goederen vermeld in 2B002.
Noot 3:




2D002 heeft geen betrekking op "programmatuur" die wordt geëxporteerd met, en het minimale vereiste is voor het gebruik van, goederen die niet zijn vermeld in categorie 2.
2D003"Programmatuur" ontworpen of aangepast voor de werking van apparatuur, vermeld in 2B002, die het optische ontwerp, de metingen van het werkstuk en de functies voor de verwijdering van materiaal omzet in "numerieke besturings"- opdrachten voor het bereiken van de gewenste werkstukvorm.
2D101"Programmatuur" speciaal ontworpen of aangepast voor het "gebruik" van apparatuur, bedoeld in 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 of 2B119 tot en met 2B122.
NB:




ZIE OOK 9D004.
2D201"Programmatuur" speciaal ontworpen voor het "gebruik" van apparatuur, bedoeld in 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 of 2B227.
2D202"Programmatuur", speciaal ontworpen of aangepast voor de "ontwikkeling", de "productie" of het "gebruik" van apparatuur vermeld in 2B201.
Noot:




2D202 heeft geen betrekking op "programmatuur" voor werkstukprogramma's waarmee wel opdrachtcodes voor "numerieke besturing" worden gegenereerd maar die geen rechtstreeks gebruik van apparatuur voor het bewerken van verscheidene onderdelen mogelijk maakt.
2D351Andere "programmatuur" dan die als bedoeld in 1D003, speciaal ontworpen voor het "gebruik" van apparatuur, bedoeld in 2B351.
2ETechnologie

2E001"Technologie" volgens de algemene technologienoot voor de "ontwikkeling" van apparatuur of "programmatuur", vermeld in 2A, 2B of 2D.
 Noot:




2E001 omvat "technologie" voor de integratie van de sondesystemen in de coördinaatmeetmachines gespecificeerd in 2B006.a.
2E002"Technologie" volgens de algemene technologienoot voor de "productie" van apparatuur, bedoeld in 2A of 2B.
2E003Andere "technologie", als hieronder:






a.
"technologie" voor de "ontwikkeling" van interactieve grafische modellen als geïntegreerd onderdeel in "numerieke besturings"-eenheden voor het maken of wijzigen van werkstukprogramma's;










b.
"technologie" voor fabricageprocessen door middel van metaalbewerking, als hieronder:






1.
"technologie" voor het ontwerpen van gereedschappen, matrijzen en klemmen, speciaal ontworpen voor de volgende processen:






a.
"superplastisch vormen";










b.
"diffusielassen"; of










c.
"direct hydraulisch persen";














2.
technische gegevens bestaande uit procesmethoden of procesparameters als hieronder opgesomd, welke worden gebruikt voor het regelen van:






a.
"superplastisch vormen" van aluminium-, titaan- en "superlegeringen":






1.
oppervlaktevoorbehandeling;










2.
reksnelheid;










3.
temperatuur;










4.
druk;














b.
"diffusielassen" van "superlegeringen" en titaanlegeringen:






1.
oppervlaktevoorbehandeling;










2.
temperatuur;










3.
druk;














c.
"direct hydraulisch persen" van aluminium- en titaanlegeringen:






1.
druk;










2.
cyclustijd;














d.
"heet isostatisch verdichten" van titaan-, aluminium- en "superlegeringen":






1.
temperatuur;










2.
druk;










3.
cyclustijd;






















c.
"technologie" voor de "ontwikkeling" of "productie" van machines voor hydraulisch strekvormen en matrijzen daarvoor, voor de fabricage van vliegtuigconstructies;










d.
"technologie" voor de "ontwikkeling" van generatoren van instructies voor werktuigmachines (bv. werkstukprogramma's) op basis van ontwerpgegevens welke aanwezig zijn in "numerieke besturings"-eenheden;










e.
"technologie" voor de "ontwikkeling" van integratie-"programmatuur" voor het inbouwen van expertsystemen in "numerieke besturings"-eenheden ten behoeve van geavanceerde beslissingsondersteuning voor verrichtingen op de werkvloer;










f.
"technologie" voor het aanbrengen van anorganische deklagen of deklagen door anorganische modificatie van het oppervlak, omschreven in kolom 3 van onderstaande tabel, op niet elektronische substraten, gespecificeerd in kolom 2 van onderstaande tabel, door middel van procedés als omschreven in kolom 1 van onderstaande tabel en als gedefinieerd in de technische noten.
Noot:




De tabel en de technische noot zijn opgenomen na punt 2E301.
 NB:




Deze tabel moet als volgt worden gelezen: voor een specifiek bekledingsprocedé (kolo 1) zijn de resulterende deklaag in kolom 3 en het substraat in kolom 2 alleen te combineren wanneer zij op gelijke hoogte, in dezelfde alinea, naast elkaar staan. Voorbeeld: voor het bekledingsprocedé "chemische afzetting uit de damplaag (CVD)" geldt dat siliciden wel geschikt zijn voor substraten van "composieten" met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal-"matrix", maar niet voor de substraten 'gecementeerde wolfraamcarbide' (16) of 'siliciumcarbide' (18). Deze laatste twee substraten staan namelijk niet recht naast de alinea in kolom 3 met de resulterende deklagen.
2E101"Technologie" overeenkomstig de algemene technologienoot voor het "gebruik" van apparatuur of "programmatuur", bedoeld in 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 tot en met 2B122 of 2D101.
2E201"Technologie" overeenkomstig de algemene technologienoot voor het "gebruik" van apparatuur of "programmatuur", bedoeld in 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b., 2B007.c., 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 tot en met2B233, 2D201 of 2D202.
2E301"Technologie" overeenkomstig de algemene technologienoot voor het "gebruik" van goederen, bedoeld in 2B350 tot en met 2B352.
Tabel


Afzettingstechnieken














1.
Bekledingsprocedé (1) (3)













2.
Substraat












3.
Resulterende deklaag














A.
Chemische afzetting uit de dampfase (CVD)






"superlegeringen"


aluminiden voor inwendige kanalen




keramische materialen (19) en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14)


siliciden
carbiden
diëlektrische lagen (15)
diamant
diamantachtige koolstof (17)




"composieten" met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal "matrix"


siliciden
carbiden
vuurvaste metalen
mengsels daarvan (4)
diëlektrische lagen (15)
aluminiden
gelegeerde aluminiden (2)
boriumnitride




gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide (18)


carbiden
wolfraam
mengsels daarvan (4)
diëlektrische lagen (15)




molybdeen en molybdeen- legeringen


diëlektrische lagen (15)




beryllium en beryllium- legeringen


diëlektrische lagen (15)
diamant
diamantachtige koolstof (17)




sensorvenstermaterialen (9)


diëlektrische lagen (15)
diamant
diamantachtige koolstof (17)




Thermische verdampingsafzetting (TE-PVD) (opdampen)


 


 










B.1.
 Fysieke afzetting uit de dampfase: Elektronenstraalverdampen (EB-PVD)






"superlegeringen"


gelegeerde siliciden
gelegeerde aluminiden (2)
MCrAIX (5)
gemodificeerd zirkoniumoxide (12)
siliciden
aluminiden
mengsels daarvan (4)




keramische materialen (19) en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14)


diëlektrische lagen (15)




roestwerend staal (7)


MCrAIX (5)
gemodificeerd zirkoniumoxide (12)
mengsels daarvan (4)




"composieten" met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal "matrix"


siliciden
carbiden
vuurvaste metalen
mengsels daarvan (4)
diëlektrische lagen (15)
boriumnitride




gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide (18)


carbiden
wolfraam
mengsels daarvan (4)
diëlektrische lagen (15)




molybdeen en molybdeen- legeringen


diëlektrische lagen (15)




beryllium en beryllium- legeringen


diëlektrische lagen (15)
boriden
beryllium




sensorvenstermaterialen (9)


diëlektrische lagen (15)




titaanlegeringen (13)


boriden
nitriden










B.2.
Fysieke afzetting uit de dampfase: weerstandsverhittingsverdamping met ionen (ion-plating)






keramische materialen (19) en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt


diëlektrische lagen (15)
diamantachtige koolstof (17)




"composieten" met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal "matrix"


diëlektrische lagen (15)




gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide


diëlektrische lagen (15)




molybdeen en molybdeen- legeringen


diëlektrische lagen (15)




beryllium en beryllium- legeringen


diëlektrische lagen (15)




sensorvenstermaterialen (9)


diëlektrische lagen (15)
diamantachtige koolstof (17)










B.3.
Fysieke afzetting uit de dampfase: "laser"-verdamping






keramische materialen (19) en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14)


siliciden
diëlektrische lagen (15)
diamantachtige koolstof (17)




"composieten" met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal "matrix"


diëlektrische lagen (15)




gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide


diëlektrische lagen (15)




molybdeen en molybdeen- legeringen


diëlektrische lagen (15)




beryllium en beryllium- legeringen


diëlektrische lagen (15)




sensorvenstermaterialen (9)


diëlektrische lagen (15)
diamantachtige koolstof










B.4.
Fysieke afzetting uit de dampfase: boogverdampen






"superlegeringen"


gelegeerde siliciden
gelegeerde aluminiden (2)
MCrAIX (5)




polymeren (11) en "composieten" met een organische "matrix"


boriden
carbiden
nitriden
diamantachtige koolstof (17)










C.
(Pack) cementering (zie A hierboven voor «out-of-pack» cementering (10)






"composieten" met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal "matrix"


siliciden
carbiden
mengsels daarvan (4)




titaanlegeringen (13)


siliciden
aluminiden
gelegeerde aluminiden (2)




vuurvaste metalen en legeringen (8)


siliciden
oxiden










D.
 Plasmaspuiten






"superlegeringen"


MCrAIX (5)
gemodificeerd zirkoniumoxide (12)
mengsels daarvan (4)
slijtbaar nikkelgrafiet
slijtbare materialen met Ni-Cr-Al
slijtbaar Al-Si-polyester
gelegeerde aluminiden (2)




aluminiumlegeringen (6)


MCrAIX (5)
gemodificeerd zirkoniumoxide (12)
siliciden
mengsels daarvan (4)




vuurvaste metalen en legeringen (8)


aluminiden
siliciden
carbiden




roestwerend staal (7)


MCrAIX (5)
gemodificeerd zirkoniumoxide (12)
mengsels daarvan (4)




titaanlegeringen (13)


carbiden
aluminiden
siliciden
gelegeerde aluminiden (2)
slijtbaar nikkelgrafiet
slijtbare materialen met Ni-Cr-Al
slijtbaar Al-Si-polyester










E.
Afzetting uit suspensie






vuurvaste metalen en legeringen (8)


ineengesmolten siliciden
ineengesmolten aluminiden met uitzondering van weerstandsverhittingselementen




"composieten" met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal "matrix"


siliciden
carbiden
mengsels daarvan (4)










F.
Afzetting door middel van sputteren






"superlegeringen"


gelegeerde siliciden
gelegeerde aluminiden (2)
aluminiden gemodificeerd met edele metalen (3)
MCrAIX (5)
gemodificeerd zirkoniumoxide (12)
platina
mengsels daarvan (4)




keramische materialen en glazen met een lage uitzettingscoëfficiënt (14)


siliciden
platina
mengsels daarvan (4)
diëlektrische lagen (15)
diamantachtige koolstof (17)




titaanlegeringen (13)


boriden
nitriden
oxiden
siliciden
aluminiden
gelegeerde aluminiden (2)
carbiden




"composieten" met een koolstof-koolstof-, keramische of metaal "matrix"


siliciden
carbiden
vuurvaste metalen
mengsels daarvan (4)
diëlektrische lagen (15)
boriumnitride




gecementeerde wolfraamcarbide (16) siliciumcarbide (18)


carbiden
wolfraam
mengsels daarvan (4)
diëlektrische lagen (15)
boriumnitride




molybdeen en molybdeen- legeringen


diëlektrische lagen (15)




beryllium en beryllium- legeringen


boriden
diëlektrische lagen (15)
beryllium




sensorvenstermaterialen (9)


diëlektrische lagen (15)
diamantachtige koolstof (17)




vuurvaste metalen en legeringen (8)


aluminiden
siliciden
oxiden
carbiden










G.
Ionenimplantatie






hogetemperatuurlager- staalsoorten


toevoeging van chroom, tantaal of niobium (columbium)




titaanlegeringen (13)


boriden
nitriden




beryllium en beryllium- legeringen


boriden




gecementeerde wolfraamcarbide (16)


carbiden
nitriden




TABEL – AFZETTINGSTECHNIEKEN – NOTEN






1.
'Bekledingsprocedé' behelst zowel het herstel en opknappen van de deklaag als het aanbrengen van een oorspronkelijke deklaag.
2.
 Eénfasige of meerfase-bekledingen waarbij één of meer elementen worden afgezet vóór of tijdens het aanbrengen van de aluminidebekleding, worden, zelfs wanneer deze elementen door middel van een ander bekledingsprocedé worden afgezet, mede begrepen onder de term 'bekleding met gelegeerde aluminide'; daaronder wordt echter niet begrepen het meerdere malen toepassen van éénfasige «pack» cementeringsprocedés om gelegeerde aluminiden te verkrijgen.
3.
Meerfase-bekleding waarbij het edele metaal of de edele metalen worden opgebracht door middel van een ander bekledingsprocedé voordat de aluminidebekleding wordt aangebracht, wordt mede begrepen onder de term 'met edelmetaal gemodificeerde aluminide'-bekleding.
4.
Het begrip 'mengsels daarvan' omvat geïnfiltreerd materiaal, samenstellingen met een verlopend gehalte, gelijktijdig afgezette materialen en afzettingen bestaande uit meerdere lagen en zij worden verkregen door middel van één of meer van de in de tabel vermelde bekledingsprocedés.
5.
Met 'MCrAlX' wordt bedoeld een bekledingslegering waarbij M staat voor kobalt, ijzer, nikkel of combinaties daarvan en X staat voor hafnium, yttrium, silicium, tantaal in iedere hoeveelheid of voor andere opzettelijke toevoegingen van meer dan 0,01 gewichtspercent in verschillende verhoudingen en combinaties, met uitzondering van:






a.
CoCrAlY-bekledingen die minder dan 22 gewichtspercenten chroom bevatten, minder dan 7 gewichtspercenten aluminium en minder dan 2 gewichtspercenten yttrium;










b.
CoCrAlY-bekledingen die 22 tot 24 gewichtspercenten chroom bevatten, 10 tot 12 gewichtspercenten aluminium en 0,5 tot 0,7 gewichtspercent yttrium; of











c.
NiCrAlY-bekledingen die 21 tot 23 gewichtspercenten chroom bevatten, 10 tot 12 gewichtspercenten aluminium en 0,9 tot 1,1 gewichtspercent yttrium.
6.
Met 'aluminiumlegeringen' worden bedoeld legeringen met een treksterkte van 190 MPa of meer gemeten bij 293 K (20 °C).
7.
Met 'roestwerend staal' wordt bedoeld AISI (American Iron and Steel Institute) serie 300 of naar gelijkwaardige nationale normen geclassificeerde staalsoorten.
8.
'Vuurvaste metalen en legeringen' omvatten de volgende metalen en hun legeringen: niobium (columbium), molybdeen, wolfraam en tantaal.
9.
 'Sensorvenstermaterialen', als hierna: aluminiumoxide, silicium, germanium, zinksulfide, zinkselenide, galliumarsenide, diamant, galliumfosfide, saffier en de volgende metaalhaliden: sensorvenstermaterialen met een diameter groter dan 40 mm indien gemaakt van zirconiumfluoride en hafniumfluoride.
10.
"Technologie" voor het in één fase «pack» cementeren van massieve aerodynamische vlakken wordt niet bedoeld in categorie 2.
11.
'Polymeren', als hierna: polyimide, polyester, polysulfide, polycarbonaten en polyurethanen.
12.
'Gemodificeerd zirkoniumoxide' verwijst naar toevoegingen van andere metaaloxiden, bv. calciumoxide, magnesiumoxide, yttriumoxide, hafniumoxide, zeldzame aardoxiden, enz. aan zirkoniumoxide teneinde bepaalde kristallografische fasen en fasesamenstellingen te stabiliseren. Warmtebarrièrebekledingen gemaakt van zirkoniumoxide, gemodificeerd met calciumoxide of magnesiumoxide door middel van mengen of versmelting worden niet bedoeld.
13.
Met 'titaanlegeringen' worden uitsluitend bedoeld ruimtevaartlegeringen met een treksterkte van 900 MPa of meer gemeten bij 293 K (20 °C).
14.
Met 'glazen met een lage thermische uitzettingscoëfficiënt' worden bedoeld glazen met een uitzettingscoëfficiënt van 1 × 10–7 K–1 of minder gemeten bij 293 K (20 °C).
15.
'Diëlektrische lagen' zijn bekledingen die zijn opgebouwd uit meerdere lagen bestaande isolatiematerialen waarbij gebruik wordt gemaakt van de interferentie-eigenschappen van een ontwerp dat is samengesteld uit materialen met uiteenlopende brekingsindexen voor de reflectie, transmissie of absorptie van verschillende golflengtebanden. Met diëlektrische lagen worden bedoeld meer dan vier diëlektrische lagen of "composiete" diëlektrische/metaallagen.
16.
Materialen voor snij- en vormwerktuigen bestaande uit wolfraamcarbide/(met kobalt, nikkel), titaancarbide/(met kobalt, nikkel), chroomcarbide/(met nikkel, chroom) en chroomcarbide/(met nikkel) zijn niet mede begrepen onder de 'gecementeerde wolfraamcarbide' in de tabel.
17.
 Niet bedoeld wordt "technologie" die speciaal is ontwikkeld voor het aanbrengen van diamantachtige koolstof op een van de volgende artikelen:
magnetische diskdrives en koppen, apparatuur voor de vervaardiging van wegwerpartikelen, kleppen of tapkraantjes, akoestische membranen voor luidsprekers, automotoronderdelen, snijmachines, pons- en persmatrijzen, kantoorautomatiseringsapparatuur, microfoons of medische apparatuur of uit legeringen met minder dan 5 % beryllium gemaakte matrijzen voor het gieten of vormen van plastic.
18.
'Siliciumcarbide' omvat geen materiaal voor snij- of vormwerktuigen.
19.
Keramische substraten, zoals onder dit nummer gebruikt, omvatten geen keramische materialen met 5 % of meer gewichtspercent klei- of cementinhoud, als afzonderlijke bestanddelen dan wel in combinatie.
TABEL – AFZETTINGSTECHNIEKEN – TECHNISCHE NOOT
De definities van de in kolom 1 van de tabel vermelde procedés luiden als volgt:






a.
Chemische afzetting uit de dampfase (CVD) is een procedé voor deklaagbekleding of voor bekleding door modificatie van het oppervlak waarbij een metaal, legering, "composiet", diëlektrisch of keramisch materiaal op een verhit substraat wordt afgezet. In de nabijheid van een substraat worden gasvormige reagentia ontleed of gecombineerd, wat leidt tot de afzetting van het gewenste materiaal, zijnde een element, legering of samengesteld materiaal, op het substraat. De energie voor dit proces van ontleding of chemische reactie kan worden geleverd door de hitte van het substraat, door een gloeiontladingsplasma of door "laser"-bestraling.
NB 1:




CVD omvat de volgende procedés: «out-of-pack»-afzetting met gerichte gasstroom, pulserende CVD, thermische afzetting met beheerste kernenvorming (CNTD), met plasma versterkte of met plasma ondersteunde CVD-procedés.
NB 2:




«Pack» geeft aan dat een substraat is ingebed in een poedermengsel.
NB 3:




Het bij het «out-of-pack»-procedé gebruikte gasvormige materiaal wordt verkregen door toepassing van dezelfde basisreacties en parameters als bij het «pack» cementeringsprocedé, behalve dat het te bekleden substraat niet in contact komt met het poedermengsel.
b.
 Thermische verdampingsafzetting (TE-PVD) (opdampen) is een procedé voor deklaagbekleding in een vacuümkamer bij een druk van minder dan 0,1 Pa waarin gebruik wordt gemaakt van een thermische energiebron voor het verdampen van het bekledingsmateriaal. Dit leidt tot de neerslag, of afzetting, van de verdampte stoffen op een in een geschikte positie geplaatst substraat.
De toevoeging van gassen aan de vacuümkamer tijdens het bekledingsprocedé voor het opbouwen van een samengestelde bekleding is een gebruikelijke aanpassing van het procedé.
Het gebruik van een ionen- of elektronenstraal, of plasma, teneinde de afzetting van de bekleding te activeren of te ondersteunen is eveneens een gebruikelijke aanpassing in deze techniek. Ook kunnen tijdens deze procedés monitoren worden gebruikt voor het tijdens het proces meten van de optische eigenschappen en de dikte van de bekledingslaag.
Specifieke TE-PVD-procedés verlopen als volgt:






1.
bij elektronenstraalverdampen (EB-PVD) wordt gebruikgemaakt van een elektronenstraal voor het verhitten en verdampen van het materiaal waaruit de deklaag wordt gevormd;










2.
bij weerstandsverhittingsverdampen met ionen wordt gebruikgemaakt van elektrische weerstandsverwarmingsbronnen in combinatie met één of meer botsende ionenstralen die een beheerste en gelijkmatige stroom verdampt bekledingsmateriaal leveren;










3.
bij "laser"-verdamping wordt gebruikgemaakt van ofwel een pulserende ofwel een continue "laser"-straal voor het verdampen van het materiaal waaruit de deklaag wordt gevormd;










4.
boogverdampen maakt gebruik van een uit het materiaal van de te vormen deklaag bestaande kathode welke opgebruikt wordt en waarbij een vonkoverslag op het oppervlak wordt gecreëerd door een kort aardcontact. De beheerste vlamboogbeweging erodeert het kathodeoppervlak waardoor een sterk geïoniseerd plasma ontstaat. De anode kan een kegel zijn die via een isolatie aan de rand van de kathode is bevestigd of de kamer wordt als anode gebruikt. Het aanleggen van een voorspanning op het substraat wordt gebruikt bij het uit de gezichtslijn opbrengen van deklagen.
 NB:




Het aanbrengen van deklagen door middel van een niet beheerste vlamboog zonder een voorspanning op het substraat is niet mede begrepen in deze definitie.
5.
«Ion-plating» is een speciale aanpassing van een algemeen TE-PVD-procedé waarbij een plasma of een ionenbron wordt gebruikt voor het ioniseren van de af te zetten stoffen, en waarbij een negatieve voorspanning wordt aangelegd op het substraat teneinde de stoffen gemakkelijker aan het plasma te kunnen onttrekken. Het toevoegen van reactieve stoffen, de verdamping van vaste stoffen in de proceskamer en het gebruik van monitoren voor het tijdens het proces meten van de optische eigenschappen en de dikte van de bekledingslaag zijn gebruikelijke aanpassingen van het procedé.
c.
«Pack» cementering is een procedé voor bekleding door modificatie van het oppervlak of voor deklaagbekleding waarbij een substraat wordt ingebed in een poedermengsel, een zgn. «pack», dat bestaat uit:






1.
de metaalhoudende poeders die moeten worden afgezet (gewoonlijk aluminium, chroom, silicium of combinaties daarvan);










2.
een activerende stof (gewoonlijk een halogenide zout); en










3.
een inerte stof, meestal aluminiumoxide.
Het substraat en het poedermengsel bevinden zich in een retort die wordt verhit tot 1 030 K (757 °C) à 1 375 K (1 102 °C) gedurende een tijd lang genoeg voor afzetting van de laag.
d.
Plasmaspuiten is een deklaagbekledingsprocedé waarbij een spuitpistool, dat een plasma produceert en reguleert, bekledingsmaterialen in poeder- of draadvorm krijgt toegevoerd, deze smelt en naar een substraat drijft, waarop zich een integraal gehechte laag vormt. Plasmaspuiten zoals hier bedoeld is ofwel plasmaspuiten bij lage druk ofwel plasmaspuiten met hoge snelheid.
NB 1:




Lage druk wil zeggen minder dan de atmosferische omgevingsdruk.
NB 2:




Met hoge snelheid wordt bedoeld een uitstroomsnelheid van het gas uit het mondstuk hoger dan 750 m/s bij 293 K (20 °C) en 0,1 MPa.
e.
 Afzetting uit suspensie is een procedé voor bekleding door modificatie van het oppervlak of voor deklaagbekleding waarbij een metaalhoudend of keramisch poeder met een organische bindstof in suspensie wordt gebracht in een vloeistof en op een substraat wordt aangebracht door spuiten, dompelen of penselen; vervolgens droging aan de lucht of in een oven; en warmtebehandeling om de gewenste laag te verkrijgen.
f.
Afzetting door middel van sputteren is een deklaagbekledingsprocedé dat is gebaseerd op een verschijnsel van pulsoverdracht, waarbij positief geladen ionen worden versneld door een elektrisch veld naar het oppervlak van een trefplaat (deklaagmateriaal). De kinetische energie van de botsende ionen is voldoende om ervoor te zorgen dat atomen aan het oppervlak van de trefplaat vrijkomen en worden afgezet op een in een geschikte positie geplaatst substraat.
NB 1:




De tabel verwijst uitsluitend naar afzetting door sputteren met een triode, magnetron of naar reactief sputteren, welke methoden worden toegepast om de hechting van de bekleding en de afzetsnelheid te vergroten, en naar hoogfrequent (RF) versterkte afzetting door sputteren, wat wordt toegepast om de verdamping van niet-metaalhoudende bekledingsmaterialen mogelijk te maken.
NB 2:




Ionenstralen met lage energie (minder dan 5 keV) kunnen worden toegepast om de afzetting in gang te zetten.
g.
Ionenimplantatie is een procedé voor bekleding door modificatie van het oppervlak waarbij het te legeren element wordt geïoniseerd, wordt versneld door een potentiaalgradiënt en in het substraatoppervlak wordt geïmplanteerd. De definitie omvat mede procedés waarbij tegelijk met de ionenimplantatie elektronenstraalverdamping of afzetting door middel van sputtering plaatsvindt.
 CATEGORIE 3 —   ELECTRONICA


3ASystemen, apparatuur en onderdelen









Noot 1:



De embargostatus van in 3A001 of 3A002 omschreven apparatuur en onderdelen, anders dan die welke zijn omschreven in 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.10., 3A001.a.12. of 3A001.a.13., die speciaal zijn ontworpen voor apparatuur waarvoor een uitvoervergunning vereist is, of die dezelfde functionele eigenschappen hebben, wordt bepaald door de embargostatus van die andere apparatuur.
Noot 2:



De embargostatus van geïntegreerde schakelingen als omschreven in 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.9., 3A001.a.12. of 3A001.a.13 die onveranderbaar zijn geprogrammeerd of ontworpen voor een specifieke functie, wordt eveneens bepaald door de embargostatus van die andere apparatuur.
NB:



Wanneer de fabrikant of de aanvrager de embargostatus van de andere apparatuur niet kan bepalen, wordt de embargostatus bepaald op grond van 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.9., 3A001.a.12 en 3A001.a.13.
3A001Elektronische onderdelen en de speciaal daarvoor ontworpen onderdelen, als hieronder:






a.
universele geïntegreerde schakelingen, als hieronder:








Noot 1:



De vraag of een uitvoervergunning is vereist voor (al dan niet afgewerkte) plakken («wafers») waarin de functie reeds is vastgelegd, dient te worden beoordeeld aan de hand van de parameters in 3A001.a.
Noot 2:



Geïntegreerde schakelingen omvatten de volgende typen:






—



"monolithische geïntegreerde schakelingen";











—



"hybride geïntegreerde schakelingen";











—



"multichip geïntegreerde schakelingen";











—



"geïntegreerde schakelingen van het filmtype" met inbegrip van geïntegreerde schakelingen van silicium op saffier;











—



"optische geïntegreerde schakelingen";











—



"driedimensionale geïntegreerde schakelingen".
1.
geïntegreerde schakelingen, ontworpen of gespecificeerd als bestand tegen één of meer van de volgende parameters:






a.
een totale dosis ioniserende straling van 5 × 103 Gy (silicium) of meer;










b.
storing bij een dosistempo van 5 × 106 Gy (silicium)/s of meer; of











c.
 een fluentie (geïntegreerde flux) van neutronen (gelijk aan 1 MeV) van 5 × 1013 n/cm2 of meer op silicium, of het equivalent daarvan voor andere materialen;








Noot:



3A001.a.1.c. heeft geen betrekking op MIS-condensatoren (Metal Insulator Semiconductors).
2.
"microprocessor-microschakelingen", "microcomputer-microschakelingen", microbesturing-microschakelingen, geïntegreerde geheugenschakelingen vervaardigd van samengesteld halfgeleidermateriaal, analoog/digitaal-omzetters, digitaal/analoog-omzetters, elektro-optische of "optisch geïntegreerde schakelingen" voor "signaalverwerking", door de gebruiker te programmeren logische bouwstenen, op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de embargostatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet bekend is, of FFT ("Fast Fourier Transform")-processoren, elektrisch wisbare PROM's (EEPROM's), flash-geheugens of statische RAM's (SRAM's):






a.
gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur hoger dan 398 K (125 °C);










b.
gespecificeerd om te werken bij een omgevingstemperatuur lager dan 218 K (– 55 °C); of











c.
gespecificeerd om te werken over het gehele omgevingstemperatuurbereik van 218 K (55 °C) tot 398 K (125 °C);








Noot:



3A001.a.2. heeft geen betrekking op geïntegreerde schakelingen voor toepassingen in civiele automobielen of treinen.
3.
"microprocessor-microschakelingen", "microcomputer-microschakelingen" en microbesturingmicroschakelingen, gefabriceerd van een samengestelde halfgeleider en werkend met een klokfrequentie vanaf 40 MHz;








Noot:



3A001.a.3. heeft mede betrekking op digitale signaalprocessoren, digitale "array"-processoren en digitale coprocessoren.
4.
niet gebruikt;










5.
geïntegreerde schakelingen voor analoog/digitaalomzetters (ADC’s) en digitaal/analoogomzetters (DAC’s), als hieronder:






a.
ADC’s met één of meer van de volgende eigenschappen:








NB:



ZIE OOK 3A101.
1.
een scheidend vermogen van 8 bit of meer maar minder dan 10 bit, met een outputsnelheid van meer dan 1 000 miljoen woorden per seconde;










2.
een scheidend vermogen van 10 bit of meer maar minder dan 12 bit, met een outputsnelheid van meer dan 300 miljoen woorden per seconde;










3.
een scheidend vermogen van 12 bit en een outputsnelheid van meer dan 200 miljoen woorden per seconde;










4.
 een scheidend vermogen van meer dan 12 bit maar niet meer dan 14 bit en een outputsnelheid van meer dan 125 miljoen woorden per seconde; of











5.
een scheidend vermogen van meer dan 14 bit en een outputsnelheid van meer dan 20 miljoen woorden per seconde;






Technische noten:








1.
Een scheidend vermogen van n bits komt overeen met een kwantisering van 2n niveaus.
2.
Het aantal bits in het outputwoord komt overeen met het scheidend vermogen van de ADC.
3.
De outputsnelheid is de maximale outputsnelheid van de omzetter, ongeacht de architectuur of de overbemonstering.
4.
Voor 'meerkanalen-ADC's' worden de outputs niet samengevoegd en is de outputsnelheid de maximale outputsnelheid van één kanaal.
5.
Voor 'interleaved-ADC's' en 'meerkanalen-ADC's' met interleaved-modus worden de outputs samengevoegd en is de outputsnelheid de maximale gecombineerde outputsnelheid van alle outputs samen.
6.
Verkopers kunnen de outputsnelheid ook omschrijven als de bemonsteringssnelheid, de conversiesnelheid of de verwerkingssnelheid. Deze wordt vaak uitgedrukt in megahertz (MHz) of megasamples per seconde (MSPS).
7.
Voor de meting van de outputsnelheid komt één outputwoord per seconde overeen met één Hertz of één sample per seconde.
8.
'Meerkanalen-ADC's' zijn toestellen waarin meer dan één ADC is geïntegreerd en die zo zijn ontworpen dat elke ADC een aparte analoge input heeft.
9.
'Interleaved-ADC's' zijn toestellen met meerdere ADC-eenheden die dezelfde analoge input op verschillende tijdstippen bemonsteren, zodat bij het samenvoegen van de outputs de analooginput doeltreffend is bemonsterd en op een hogere bemonsteringsnelheid is omgezet.
b.
digitaal/analoogomzetters (DAC’s) met één of meer van de volgende eigenschappen:






1.
een scheidend vermogen van 10 bit of meer met een 'adjusted update rate' van meer dan 3 500 MSPS; of











2.
 een scheidend vermogen van 12 bit of meer met een 'adjusted update rate' van 1 250 MSPS of meer met één of meer van de volgende eigenschappen:






a.
een stabilisatietijd («settling time») van minder dan 9 ns tot 0,024 % van «full scale» bij een «full scale»-stap; of











b.
een storingsvrij dynamisch bereik ('Spurious Free Dynamic Range' - SFDR) van meer dan 68 dBc (draaggolf) bij de synthese van een «full scale» analoog signaal van 100MHz of de hoogst aangegeven «full scale» analoge signaalfrequentie van minder dan 100MHz.
Technische noten:








1.
Het storingsvrij dynamisch bereik ('Spurious Free Dynamic Range' - SFDR) wordt gedefinieerd als de verhouding van de rms-waarde van de draaggolffrequentie (maximale signaalcomponent) aan de ingang van de DAC tot de rms-waarde van de volgende grootste ruis- of harmonische distorsiecomponent aan de uitgang.
2.
Het SFDR wordt rechtstreeks bepaald aan de hand van de specificatietabel of van de grafiek waarin het SFDR tegen de frequentie wordt uitgezet.
3



Een signaal wordt gedefinieerd als zijnde «full scale» wanneer de amplitude groter is dan -3 dBfs («full scale»).
4.
'Adjusted update rate' voor DAC's:







a.
in conventionele DAC's (zonder interpolatie) geeft de 'adjusted update rate' het tempo weer waarin het digitale signaal in een analoog signaal wordt geconverteerd en de analoge uitgangswaarden door de DAC worden aangepast. DAC’s waarbij zonder interpolatiefunctie kan worden gewerkt (interpolatiefactor één) worden beschouwd als conventionele DAC’s (zonder interpolatie).
b.
 in interpolerende DAC's (overbemonsterende DAC's) is de 'adjusted update rate' de «update rate» van de DAC gedeeld door de kleinste interpolatiefactor. De 'adjusted update rate' van interpolerende DAC's kan met verschillende termen worden aangegeven, waaronder:







—



snelheid van gegevensinvoer (input data rate)











—



snelheid van woordinvoer (input word rate)











—



bemonsteringssnelheid (input sample rate)











—



maximale totale snelheid van de invoerbus (maximum total input bus rate)











—



maximale snelheid van de DAC-klok voor DAC-klokinvoer (‹maximum DAC clock rate for DAC clock input).
6.
elektro-optische of "optische geïntegreerde schakelingen" voor "signaalverwerking" met alle volgende eigenschappen:






a.
een of meer inwendige "laser"-dioden;










b.
een of meer inwendige lichtdetectie-elementen; en











c.
optische golfgeleiders;














7.
'door de gebruiker te programmeren logische bouwstenen' met één van de volgende eigenschappen:






a.
een maximaal aantal enkelvoudige digitale inputs/outputs van 700 of meer; of











b.
een 'totale unilaterale piek seriële transceiver datasnelheid' van 500 Gb/s of meer;












Noot:



3A001.a.7. omvat:






—



Simple Programmable Logic Devices - eenvoudige programmeerbare logische bouwstenen (SPLD’s)











—



Complex Programmable Logic Devices - complexe programmeerbare logische bouwstenen (CPLD’s)











—



«Field Programmable Gate Arrays» - door de gebruiker te programmeren «gate arrays» (FPGA’s)











—



«Field Programmable Logic Arrays» - door de gebruiker te programmeren «logic arrays» (FPLA’s)











—



Field Programmable Interconnects - door de gebruiker te programmeren «interconnects» (FPIC’s)











Technische noten:








1.
Het in 3A001.a.7.a. bedoelde maximaal aantal digitale inputs/outputs wordt ook het maximaal aantal user-inputs/outputs of maximaal beschikbaar aantal inputs/outputs genoemd, afhankelijk van het feit of de geïntegreerde schakeling al dan niet verpakt is.
2.
'Totale unilaterale piek seriële transceiver datasnelheid' is het product van de seriële unilaterale transceiver gegevens pieksnelheid maal het aantal zendontvangers op de FPGA.
8.
niet gebruikt;










9.
geïntegreerde schakelingen voor neurale netwerken;










10.
 op bestelling geïntegreerde schakelingen waarbij ofwel de functie ofwel de embargostatus van de apparatuur waarin de geïntegreerde schakelingen zullen worden toegepast, niet aan de fabrikant bekend is, met één of meer van de volgende eigenschappen:






a.
meer dan 1 500 in-/uitgangspunten;










b.
een typische "voortplantingsvertragingstijd van de basispoort" van minder dan 0,02 ns; of











c.
een werkfrequentie vanaf 3 GHz;














11.
digitale geïntegreerde schakelingen, anders dan als omschreven in 3A001.a.3. tot en met 3A001.a.10. of 3A001.a.12., die zijn gebaseerd op een samengestelde halfgeleider en met een van beide volgende eigenschappen:






a.
een «gate count» equivalent van meer dan 3 000 (twee ingangspoorten); of











b.
een «toggle»-frequentie vanaf 1,2 GHz;














12.
FFT («Fast Fourier Transform»)-processoren met een nominale uitvoeringstijd, voor een N-punt complexe FFT van minder dan (N log2 N) /20 480 ms, waarbij N het aantal punten is;


Technische noot:


Wanneer N gelijk is aan 1 024 punten, geeft de formule in 3A001.a.12. een uitvoeringstijd van 500 μs.
13.
Directe digitale Synthesizer (DDS) geïntegreerde schakelingen met één of meer van de volgende eigenschappen:






a.
een digitaal/analoog-omzetter(DAC)klokfrequentie van 3,5 GHz of meer en een DAC-resolutie van 10 bit of meer, maar minder dan 12 bit; of











b.
een DAC-klokfrequentie van 1,25 GHz of meer en een DAC-resolutie van 12 bit of meer;










Technische noot:


De DAC-klokfrequentie kan worden gespecificeerd als de hoofdklokfrequentie of de invoerklokfrequentie.
b.
microgolf- of millimetergolfelementen, als hieronder:


Technische noot:


Voor de toepassing van 3A001.b kan er op de productinformatiebladen naar de parameter verzadigd piekuitgangsvermogen worden verwezen als uitgangsvermogen, verzadigd uitgangsvermogen, maximaal uitgangsvermogen, piekuitgangsvermogen of piekvermogen van de omhullende.
1.
elektronische vacuümbuizen en kathoden, als hieronder:








Noot 1:



3A001.b.1. heeft geen betrekking op buizen die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen ongeacht welke frequentieband en die alle volgende eigenschappen hebben:







a.
 niet meer dan 31,8 GHz; en













b.
"door de ITU toegewezen" voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.
Noot 2:



3A001.b.1. heeft geen betrekking op niet "voor gebruik in de ruimte gekwalificeerde" buizen met alle volgende eigenschappen:







a.
een gemiddelde vermogensdichtheid aan de uitgang van 50 W of minder; en













b.
buizen die zijn ontworpen of gespecificeerd om te werken binnen ongeacht welke frequentieband en die alle volgende eigenschappen hebben:








1.
meer dan 31,8 GHz doch niet meer dan 43,5 GHz; en













2.
"door de ITU toegewezen" voor radiocommunicatiediensten, maar niet voor radiodeterminatie.
a.
lopende golfbuizen voor puls- of ongedempte golven, als hieronder:






1.
buizen die werken bij frequenties hoger dan 31,8 GHz;










2.
buizen met een kathodeverhittingselement dat in minder dan drie seconden het gespecificeerde RF-vermogen bereikt;










3.
gekoppelde trilholtebuizen of afgeleiden daarvan, met een "fractionele bandbreedte" van meer dan 7 % of een piekvermogen van meer dan 2,5 kW;










4.
spiraalbuizen of afgeleiden daarvan, met één of meer van de volgende eigenschappen:






a.
een "momentele bandbreedte" van meer dan één octaaf, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) en frequentie (in GHz) van meer dan 0,5;










b.
een "momentele bandbreedte" van een octaaf of minder, en een product van gemiddeld vermogen (in kW) en frequentie (in GHz) van meer dan 1; of











c.
"voor gebruik in de ruimte gekwalificeerd";


















b.
dwarsveld («crossed field»)-versterkerbuizen met meer dan 17 dB versterking;










c.
geïmpregneerde kathoden, ontworpen voor elektronische buizen geschikt voor het voortbrengen van een continue emissiestroomdichtheid groter dan 5 A/cm2 bij gespecificeerde werkomstandigheden;














2.
"monolithisch geïntegreerde" microgolf-"schakelingen"- (MMIC-)vermogensversterkers met:






a.
nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz met een "fractionele bandbreedte" van meer dan 15 %, en met een of meer van de volgende eigenschappen:






1.
 een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 75 W (48,75 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz;










2.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 55 W (47,4 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz;










3.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 40 W (46 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz; of











4.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 20 W (43 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz;














b.
nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 16 GHz met een "fractionele bandbreedte" van meer dan 10 %, en met een of meer van de volgende eigenschappen:






1.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 W (40 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz; of











2.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 5 W (37 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 16 GHz;














c.
een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 3 W (34,77 dBm) op elke frequentie vanaf 16 GHz tot en met 31,8 GHz, en met een "fractionele bandbreedte" van meer dan 10 %;










d.
een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1 nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 31,8 GHz tot en met 37 GHz;










e.
een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 1 W (30 dBm) op elke frequentie vanaf 37 GHz tot en met 43,5 GHz, en met een "fractionele bandbreedte" van meer dan 10 %;










f.
een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 31,62 mW (15 dBm) op elke frequentie vanaf 43,5 GHz tot en met 75 GHz, en met een "fractionele bandbreedte" van meer dan 10 %;










g.
 een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 10 mW (10 dBm) op elke frequentie vanaf 75 GHz tot en met 90 GHz, en met een "fractionele bandbreedte" van meer dan 5 %; of











h.
een nominaal werkvermogen met een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 0,1nW (– 70 dBm) op elke frequentie vanaf 90 GHz;












Noot 1:



Niet gebruikt.
Noot 2:



De embargostatus van MMIC’s waarvan de nominale werkfrequentie frequenties in meer dan één frequentiegebied omvat, als omschreven in 3A001.b.2.a. tot 3A001.b.2.h., wordt bepaald door het laatste verzadigde piekuitgangsvermogen waarvoor een embargo geldt.
Noot 3:



De noten 1 en 2 onder 3A houden in dat in 3A001.b.2. niet worden bedoeld MMIC’s die speciaal zijn ontworpen voor andere toepassingen zoals telecommunicatie, radars en motorvoertuigen.
3.
discrete microgolftransistors, met:






a.
nominale werkfrequenties vanaf 2,7 GHz tot en met 6,8 GHz en met één of meer van de volgende eigenschappen:






1.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 400 W (56 dBm) op elke frequentie vanaf 2,7 GHz tot en met 2,9 GHz;










2.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 205 W (53,12 dBm) op elke frequentie vanaf 2,9 GHz tot en met 3,2 GHz;










3.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 115 W (50,61 dBm) op elke frequentie vanaf 3,2 GHz tot en met 3,7 GHz; of











4.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 60 W (47,78 dBm) op elke frequentie vanaf 3,7 GHz tot en met 6,8 GHz;














b.
nominale werkfrequenties vanaf 6,8 GHz tot en met 31,8 GHz en met één of meer van de volgende eigenschappen:






1.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 50 W (47 dBm) op elke frequentie vanaf 6,8 GHz tot en met 8,5 GHz;










2.
een verzadigd piekuitgangsvermogen hoger dan 15 W (41,76 dBm) op elke frequentie vanaf 8,5 GHz tot en met 12 GHz;










3.
