Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiterstruktur, mit einem Halbleitersubstrat, einem Isolationsmerkmal in dem Halbleitersubstrat, einem ersten aktiven Bereich und einem zweiten aktiven Bereich in dem Halbleitersubstrat, wobei die ersten und zweiten aktiven Bereiche sich in einer ersten Richtung erstrecken und voneinander durch das Isolationsmerkmal getrennt sind, und ein Schein-Gate auf dem Isolationsmerkmal, welches Schein-Gate sich in der ersten Richtung zum ersten aktiven Bereich von einer Seite erstreckt und sich zu dem zweiten aktiven Bereich von einer anderen Seite erstreckt.
Halbleiterstruktur und verfahren zu deren herstellung