متناسب با متن زیر، یک عنوان انتخاب کرده و آن را خلاصه کنید

متن: memristor، مخفف واژه memory resistor به معنای مقاومت حافظه‌دار است. از لحاظ سخت‌افزاری، یک ابزار میکروسکوپیک است که می‌تواند شرایط الکتریکی ماقبل خود را حفظ کند و با این ترفند می‌توان، حافظه موقتی را حتی پس از قطع جریان برق، حفظ کرد. اگر مقاومت را همچون لوله آب، و آب را بار الکتریکی در نظر بگیریم. میزان مقاومت با قطر لوله نسبت عکس خواهد داشت. تاکنون مقاومت‌ها، قطر لوله ثابتی داشته‌اند اما ممریستور مانند لوله‌ای است که قطرش با میزان و جهت جریان تغییر می‌کند اگر جریان در جهت موافق باشد قطر لوله بیشتر و اگر در جهت مخالف باشد قطر لوله کمتر می‌شود همچنین اگر جریان قطع شود، قطر لوله تا برقراری مجدد جریان ثابت می‌ماند. این ویژگی‌های منحصر به فرد سبب شده، ساخت ممریستور نوید تحولی بزرگتر از تحول اختراع ترانزیستور در قرن بیستم بدهد. [۱] یین چن (xin chen) و زیوبین وانگ، دو محقق در فناوری تولید هارد دیسک در شرکت سیگیت (seagate technology)، در بلومینگتون، مینه‌سوتا در ماه مارس ۲۰۰۹، سه نمونه احتمالی از ممریستورهای مغناطیسی را تشریح نمودند. در یکی ازسه نمونه مقاومت ایجاد شده با چرخش الکترون‌ها در یک بخش از اشاره‌گر دستگاه در یک جهت متفاوت نسبت به بخش‌های دیگر «دیوارمی‌دانی» مرزی را بین دو وضعیت ایجاد می‌کند. الکترون‌های در حال حرکت به سمت دستگاه دارای اسپین خاصی هستند که باعث ایجاد تغییر در حالت مغناطیسی دستگاه می‌شود. تغییر مغناطیسی، به نوبه خود باعث حرکت دیوار می‌دانی و تغییر مقاومت دستگاه می‌شود. این کار مورد توجه فراوان مطبوعات الکترونیک قرار گرفته‌است که از جمله آن‌ها می‌توان به مصاحبه در رابطه با طیف ieee اشاره کرد. mram انتقال گشتاور اسپینی، ابزار شناخته شده‌ای است که رفتار ممریستیو را نشان می‌دهد. مقاومت به جهت چرخش نسبی بین دو طرف محل اتصال تونل مغناطیسی بستگی دارد. این به نوبه خود می‌تواند به وسیله گشتاور چرخشی القا شده توسط جریان بواسطه اتصال کنترل شود. با این حال، طول زمان جریان از طریق اتصال مقدار مورد جریان مورد نیاز را تعیین می‌کند، به‌طور مثال بار الکتریکی شارژ شده از این طریق متغیر اصلی محسوب می‌شود. علاوه بر این، همان‌طور که توسط krzysteczko و همکاران گزارش‌شده، اتصالات تونل مغناطیسی بر مبنایmgo رفتار ممریستیو بر اساس راندگی جای خالی اکسیژن در داخل لایه mgo عایق (تعویض …
جواب:
"ممریستور" میتواند عنوان مناسب و "ممریستور (memristor) یا مقاومت حافظه‌دار از المان‌های دو پایانه‌ای مدارها هستند . ممریستور در ابعاد و مقیاس نانو ساخته شده و مقاومت آن به دامنه ، پلاریته و مدت زمان ولتاژ اعمال شده به آن بستگی دارد . منحنی هیسترتیک جریان – ولتاژ در ممریستور باعث می‌شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد . حافظه ram به صورت ذاتی پس از قطعی جریان ، به‌طور کامل پاک می‌شود . با این حال در سال ۱۹۷۱ ایده حفظ حافظه به صورت تئوری مطرح شد و این پدیده در سال ۲۰۰۸ به عمل انجامید ." میتواند خلاصه ی مناسبی برای این متن باشد