متناسب با متن زیر، یک عنوان انتخاب کرده و آن را خلاصه کنید

متن: هر سلول در فلش nor یک بخش پایانی دارد که مستقیما به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیما به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل nor نامید شده‌است که مثل یک گیت nor عمل می‌کند. وقتی یکی از خطوط کلمه‌ها high شود ترانزیستور ذخیره‌کننده مربوط عمل می‌کند تا خط بیت خروجی را low کند. فلش nand نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آن‌ها به صورتی به هم متصل اند که گیت nand را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها high شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیله تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل nor متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش nor به هم ارتباط پیدا کرده‌اند. در حافظه نند عمودی (vertical nand)، سلول‌های حافظه به‌طور عمودی روی‌هم قرار می‌گیرند. با این کار بدون احتیاج به سلول‌هایی کوچکتر می‌توان تراکم سطحی بالاتری برای سلول‌ها ایجاد کرد. در ساختاری که در نند عمودی استفاده شده‌است، بار الکتریکی روی یک فیلم سیلیکون نیترید ذخیره می‌شود. فیلم‌های سیلیکون نیترید قابلیت این را دارند که ضخیم‌تر شوند و بار بیشتری بر روی خود جا دهند و علاوه بر آن مقاومت بالایی دارند. بارهای الکتریکی نمی‌توانند به‌طور عمودی در واسطه سیلیکون نیترید حرکت کنند، در نتیجه سلول‌های حافظه در لایه‌های عمودی متفاوت، با هم هیچ تداخلی ندارند. هر مجموعه عمودی، از نظر الکتریکی مشابه گروه‌های متصل به همی که در ساختار نند معمولی استفاده می‌شوند، می‌باشد. از سال ۲۰۱۳ عملیات نوشتن و خواندن توسط حافظه نند عمودی، با سرعتی معادل دو برابر سرعت حافظه نند معمولی اتفاق می‌افتد. از طرفی حافظه نند عمودی با مصرف تنها ۵۰ درصد انرژی مصرفی حافظه نند معمولی تا ۱۰ برابر آن عمر می‌کند. در حال حاضر فلش مموری از ۴ گیگ تا ۲ ترابایت موجود است. ظرفیت فلش‌ها به این ساختار می‌باشد: ۴ گیگ، ۸ گیگ، ۱۶ گیگ، ۳۲ گیگ، ۶۴ گیگ، ۱۲۸ گیگ، ۲۵۶ گیگ، ۵۱۲ گیگ، ۱۰۲۴ گیگ و ۲۰۴۸ گیگ که همان دو ترابایت می‌شود. در واقع این اعداد، همان اعداد ۲ به توان‌های مختلف است. ۲ به توان ۲ می‌شود ۴، ۲ به توان ۳ می‌شود ۸، ۲ به توان ۴ می‌شود ۱۶ و به همین منوال. معماری حافظه فلش شامل یک آرایه حافظه است که با تعداد زیادی سلول‌های فلش جمع شده …
جواب:
"حافظه فلش" میتواند عنوان مناسب و "حافظهٔ فلش یا فلش مموری (به انگلیسی : flash memory) ، حافظهٔ غیر فرار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد . این فناوری عمدتا در کارت‌های حافظه و یواس‌بی استفاده می‌شود و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود . این نوع خاصی از eeprom (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است . از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرار است ، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست . یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است ." میتواند خلاصه ی مناسبی برای این متن باشد