متناسب با متن زیر، یک عنوان انتخاب کرده و آن را خلاصه کنید

متن: ثابت دی‌الکتریک نسبی sio ۲، مواد عایق‌بندی که هنوز در تراشه‌هایسیلیسیمی استفاده‌شده، ۳ ٫ ۹ است. این عدد نرخ گذردهی sio ۲ تقسیم بر گذردهی خلاء εsio ۲ / ε ۰ است، که در آن [میکرومتر / ε ۰ = ۸ ٫ ۸۵۴ × ۱۰ - ۶ [pf, بسیاری از مواد با ثابت دی‌الکتریک نسبی پایین‌تر وجود دارد اما تعداد کمی از آن‌ها می‌توانند به‌طور مناسب در یک فرایند تولید ادغام شوند. تلاش‌های عمدتا در طبقه‌بندی مواد زیر متمرکز شده‌است: آلایش sio ۲ با فلوئور شیشه سیلیکا فلوئوردار تولید می‌کند، ثابت دی‌الکتریک نسبی از ۳ ٫ ۹ به ۳ ٫ ۵ کاهیده است. مواد اکسید شده با آلاینده فلوئور برای گره‌های فناوری ۱۸۰ نانومتر و ۱۳۰ نانومتر استفاده شد. دو نوع مواد سیلیسیم مبتنی‌بر دی‌الکتریک پلیمری، هیدروژن سیلسکوی‌اکسین (hsq) و متیل‌سیلسکوی‌اکسین (msq) وجود دارد. ماده نهایی کاپای کم هوا با مقدار نفوذپذیری نسبی ۱ ٫ ۰ ~ است. با این وجود، قرار دادن شکاف‌های هوا بین سیم‌های رسانا، ثبات مکانیکی مدار یکپارچه را به خطر می‌اندازد و ساختن یک آی‌سی که کاملا از هوا به عنوان ماده عایق ساخته‌شده غیر عملی است. با این وجود، قرار دادن استراتژی شکاف‌های هوا می‌تواند عملکرد الکتریکی تراشه را بهبود بخشد، بدون این‌که دوام آن را به شدت خراب کند. به عنوان مثال، اینتل در فناوری فین‌فت ۱۴ نانومتری خود از شکاف‌های هوا برای دو سطح میان‌هابند استفاده می‌کند. 
جواب:
"دي الكتريك با كاپاي كم" میتواند عنوان مناسب و "در ساخت نیم‌رساناها ، کاپای کم (به انگلیسی : low-κ) ماده‌ای با یک ثابت دی‌الکتریک نسبی (κ ، کاپا) کوچک نسبت به سیلیسیم دی‌اکسید است . پیاده‌سازی مواد دی‌الکتریک با کاپای کم یکی از چندین استراتژی است که اجازه می‌دهد تا مقیاس‌بندی ادامه‌دار ادوات میکروالکترونیکی انجام شود ، که به صورت محاوره‌ای به عنوان تمدید قانون مور نامیده می‌شود . در مدارهای دیجیتالی ، دی‌الکتریک عایق قطعات رسانا (سیم میان‌هابندها و ترانزیستور) را از یکدیگر جدا می‌کنند . از آنجا که اجزای سازندهٔ مقیاس‌شده و ترانزیستورها به یکدیگر نزدیکتر شده‌اند ، دی‌الکتریک‌های عایق‌بندی به‌حدی نازک شده‌اند که در نقطه‌ای بار ایجاد می‌کنند و عبور متقابل که بر کارکرد قطعه تأثیر منفی می‌گذارد ." میتواند خلاصه ی مناسبی برای این متن باشد