. متن داده‌شده را خلاصه کن

متن: ویفرها از مواد تک-کریستالی فوق‌العاده خالص (با درصد خلوص ۹۹ ٫٪) و تقریبا کاملا بدون نقص ساخته می‌شوند. یکی از فرایندهای ساخت ویفرها، فرایند چکرالسکی است که نخستین بار از سوی شیمیدان لهستانی یان چکرالسکی پیشنهاد شد. در این فرایند یک شمش کریستالی نیمه رسانای تک-بلوری فوق‌العاده خالص، مانند سیلیکون یا ژرمانیم، که boule نامیده می‌شود، با بیرون کشیدن یک بذر بلور از داخل ظرف حاوی مواد مذاب آن ماده بدست می‌آید. برخی اتم‌های ناخالصی مانند بور یا فسفر را هم می‌توان در اندازه‌های بسیار دقیق به داخل مذاب افزود تا به این ترتیب با آلایش سیلیکون، ساختار ماده را دگرگون کرد و به نیمه‌رسانای n و نیمه‌رسانای p رسید. پس از آن شمش بدست آمده را با کمک اره سیمی، برش و سپس پولیشکاری و جلا می‌دهند تا به شکل دلخواه درآید. اندازه ویفرها برای کاربرد فتوولتاییک میان ۱۰۰ تا ۲۰۰ میلی‌متر (مربعی) و ضخامت آن‌ها ۲۰۰ تا ۳۰۰ میکرومتر است. البته قرار است که در آینده ضخامت ۱۶۰ میکرومتر، ضخامت استاندارد تعیین گردد. در الکترونیک از ویفرهایی به قطر ۱۰۰ تا ۳۰۰ میلی‌متر بهره برده می‌شود. بزرگترین ویفر ساخته‌شده تاکنون ۴۵۰ میلی‌متر قطر داشته که هنوز به خط تولید نرسیده‌است. سطح ویفرها را با کمک اسیدهای ضعیف پاکسازی می‌کنند تا ذرات ناخواسته را از سطح آن بزدایند یا آسیب‌های پدید آمده در سطح آن در هنگام فرایند برش را بهبود بخشند. هنگامی‌که قرار باشد این ویفرها در سول‌های خورشیدی بکار روند، بر روی ویفرها، نوعی طرح یا الگوی زبری تکراری (texture) ایجاد می‌کنند تا بازدهی آن‌ها بالا رود. شیشه فسفوسیلیکات شکل‌گرفته در لبه‌ها (که معمولا psg نامیده می‌شود)، با استفاده از فرایند اچینگ (که نوعی فرایند لایه‌برداری به کمک مواد شیمایی است) حذف می‌شود. ویفرهای سیلیکونی در قطرهای مختلفی از ۲۵ ٫ ۴ میلی‌متر (یک اینچ) تا ۳۰۰ میلی‌متر (۱۱ ٫ ۸ اینچ) ساخته می‌شوند. کارخانه‌های ساخت نیمه رساناها که بیشتر اوقات fab نامیده می‌شوند، بر اساس قطر ویفری که توانایی ساخت آن را دارند و تجهیزات آنها مختص ساخت آن قطر می‌باشد، دسته‌بندی می‌شوند. با گذر زمان پهنای ویفرهای تولیدی بیشتر شده‌است تا بازدهی بالا رود و هزینه‌های ساخت کم شود. تاکنون بیشترین قطر ویفرهای ساخته‌شده ۳۰۰ میلی‌متر (۱۲ اینچ) بوده‌است که قرار است در آینده این مقدار به ۴۵۰ میلی‌متر (۱۸ اینچ) …
خلاصه:
در الکترونیک ، ویفر (به انگلیسی : wafer) که گاهی برش یا زیرلایه نیز نامیده می‌شود ، یک برش نازک از یک نیمه‌رسانا مانند سیلیکون بلورین است که در ساخت تراشه‌های الکترونیکی و در فتوولتائیک برای ساخت سلول‌های خورشیدی کاربرد دارد . از این ویفرها در میکروابزارهای الکترونیکی به عنوان یک زیرلایه استفاده می‌شود به گونه‌ای که این میکروابزارها درون و روی ویفرها ساخته می‌شوند یا بسیاری فرایندهای زیرساختی مانند آلایش ، کاشت یون ، لیتوگرافی نوری و… بر روی آن‌ها انجام می‌شود . این ویفرها سپس توسط فرایند « برش ویفر » یا « wafer dicing » برش خورده و تراشه‌ها از هم جدا می‌شوند . چندین گونه از سلول‌های خورشیدی هم از این ویفرها ساخته شده‌اند .