. متن داده‌شده را خلاصه کن

متن: در اصل، وقتی‌که مقاومت منفی دیود گان در مدار یک نوسانساز قرار می‌گیرد، با مقاومت‌های مثبت موجود در مدار اسیلاتور جمع شده و اثر آن‌ها را خنثی کرده و یک مدار الکتریکی با مقاومت صفر به وجود می‌آید و باعث می‌شود مدار به‌طور خود به خود شروع به نوسان کند (علت اصلی میرا شدن نوسان در اسیلاتورها، تلف شدن انرژی در مقاومت مدار است که با فیدبک مثبت، این تلفات را جبران می‌کنند). در مدار نوسانسازها از یک مدار تشدید برای تعیین فرکانس استفاده می‌شود که این دیود با خنثی کردن مقاومت مدار تشدید باعث شروع نوسان در فرکانس تشدید می‌شود. دیودهای گان ساخته‌شده از گالیم آرسنید توانایی کار در فرکانس‌های بالا تا ۲۰۰ گیگاهرتز را دارند. دیودهایی که از گالیم نیترید ساخته شده‌اند تا فرکانس ۳ تراهرتز کاربرد دارند.. در ساختار نوراهای انرژی برخی از نیمه‌هادی مثل گالیم آرسنید (gaas)، علاوه بر باند هدایت و باند ظرفیت، یک نوار انرژی دیگری نیز در قسمت لایه هدایت و بالاتر از نوار هدایت اصلی، قرار دارد. این نوار، در سطح انرژی بالاتری نسبت به نوار هدایت اصلی قرار دارد و تا زمانی که انرژی کافی برای انتقال الکترون به این نوار وجود نداشته باشد، این نوار خالی از الکترون است. هنگامی‌که الکترون‌های موجود در نوار هدایت اصلی، انرژی کافی را دریافت نمایند (مثلا با افزایش ولتاژ دو سر دیود)، می‌توانند از نوار هدایت اصلی جدا شده و به این نوار منتقل شوند (علت نامگذاری این قطعه به نام المان الکترون انتقال‌یافته به همین دلیل است). اما در این نوار، سرعت حرکت الکترون نسبت به نوار هدایت اصلی، کمتر است. در نیمه هادی‌هایی مانند گالیم آرسنید با افزایش ولتاژ دو سر دیود، الکترون‌های بیشتری از باند هدایت اصلی به این باند (که سرعت الکترون کمتر است) منتقل می‌شود و در نتیجه باعث کاهش جریان می‌شود (به علت کمتر شدن سرعت الکترون نسبت به باند هدایت اصلی). همان‌طور که در منحنی ولتاژ جریان این دیود می‌بینیم، مقدار حداقل این ولتاژ که موجب انتقال الکترون‌ها از باند هدایت اصلی می‌شود، ولتاژ آستانه نام دارد. حال اگر ولتاژ دو سر دیود را باز هم از مقدار آستانه بیشتر کنیم، این نوار نیز پر از الکترون شده و اشباع می‌شود و باعث ثابت ماند جریان دیود در مقدار معینی می‌گردد. مشاهده می‌شود که در ابتدا با افزایش تدریجی ولتاژ، جریان دیود افزایش می‌یابد اما در لحظه‌ای که …
خلاصه:
دیود گان (gunn diode) , همچنین با نام المان الکترون انتقال‌یافته (به انگلیسی : transferred electron device (ted) ) نوعی دیود نیمه هادی است که دارای دو سر می‌باشد و مقاومت منفی از خود نشان می‌دهد . از این دیود در فرکانس‌های بالا استفاده می‌شود . این قطعه بر اساس « اثر گان » که توسط جی بی گان فیزیکدان اهل بریتانیا در سال ۱۹۶۲ کشف شد ، کار می‌کند . عمده استفاده از این دیود در نوسانسازهای الکترونیکی برای تولید امواج مایکروویو است . این رفتار به معنای این است که دیود گان دارای یک ناحیه مقاومت منفی در مشخصه جریان-ولتاژ خود است که در این ناحیه ، افزایش ولتاژ ، باعث کاهش جریان دیود می‌شود .