2N7000
# 2N7000

Il 2N7000 e il BS170 sono due diversi MOSFET a canale N modalità enhancement utilizzati per applicazioni di commutazione a bassa potenza, con disposizioni dei terminali e valori nominali di corrente diversi. A volte sono elencati insieme nella stessa scheda tecnica con altre varianti 2N7002, VQ1000J e VQ1000P.

Il 2N7000 è un componente molto diffuso, spesso consigliato tra quei componenti utili e comuni da avere a portata di mano per uso hobbistico. Il BS250P è "un buon analogo a canale p del 2N7000".

In formato contenitore TO-92, sia il 2N7000 che il BS170 sono dispositivi a 60 V. Il 2N7000 può commutare 200 mA mentre il BS170 può commutare 500 mA, con una resistenza di canale massima di 5 Ω a 10 V Vgs.

Il 2N7002 è un altro componente con resistenza, corrente nominale e package diversi. Il 2N7002 è in un package TO-236, noto anche come "small outline transistor" SOT-23 a montaggio superficiale, che è un package a tre conduttori a montaggio superficiale più comunemente usato.

## Applicazioni

Il 2N7000 è stato definito "FETlington" e come "parte hacker assolutamente ideale". La parola "FETlington" è un riferimento alla caratteristica di saturazione del transistor Darlington.

Un uso tipico di questi transistor è come interruttore per tensioni e correnti moderate, anche come driver per piccole lampade, motori e relè. Nei circuiti di commutazione, questi FET possono essere utilizzati in modo molto simile ai transistor a giunzione bipolare, ma presentano alcuni vantaggi:

* l'elevata impedenza di ingresso del gate isolato significa che non è richiesta quasi alcuna corrente di gate
* di conseguenza non è necessaria alcuna resistenza limitatrice di corrente nell'ingresso del gate
* I MOSFET, a differenza dei dispositivi di giunzione PN (come i LED) possono essere messi in parallelo perché la resistenza aumenta con la temperatura, sebbene la qualità di questo bilanciamento del carico dipenda in gran parte dalla chimica interna di ogni singolo MOSFET nel circuito

I principali svantaggi di questi FET rispetto ai transistor bipolari nella commutazione sono i seguenti:

* suscettibilità a danni cumulativi da scarica statica prima dell'installazione
* circuiti con esposizione a gate esterno richiedono una resistenza di gate di protezione o altra protezione contro le scariche statiche
* Risposta ohmica diversa da zero quando guidato alla saturazione, rispetto a una caduta di tensione di giunzione costante in un transistor a giunzione bipolare
