title: Transistor Schottky
text: # Transistor Schottky
  
  Il transistor Schottky, dal nome del fisico tedesco Walter Schottky, è un tipo di transistore bipolare che si ottiene inserendo un diodo Schottky tra la base e il collettore (anodo alla base e catodo al collettore nel caso di un transistore di tipo npn). In questa maniera si evita che il dispositivo vada in saturazione e si rende più veloce la commutazione; la presenza del diodo impedisce infatti che la tensione diretta applicata alla giunzione base-collettore superi il potenziale di accensione.
  
  ## Dettagli fisici
  
  La tensione $V_{\gamma }$ alla quale un contatto rettificante tra metallo e semiconduttore inizia a condurre è solitamente inferiore rispetto a quella di una normale giunzione; se è vero questo, non appena il potenziale tra base e collettore raggiunge il livello $V_{\gamma }$, il diodo si "accende" impedendo alla tensione di aumentare ulteriormente e quindi di raggiungere la soglia di accensione del contatto BC. Ciò evita l'accumulo di minoritari nella base, con due effetti benefici:
  
  * il dispositivo può essere mantenuto nella regione attiva con maggiore facilità
  * i tempi di risposta alle sollecitazioni del transistore, pesantemente influenzati dalla necessità di svuotare la base dai minoritari in eccesso, si riducono
  
  Ovviamente, questo oggetto non può essere utilizzato nei casi in cui è necessario che il BJT entri in saturazione.
  
  La configurazione è nota come Baker Clamp
  
  ## Applicazioni reali
  
  Questi transistor sono alla base della famiglia logica 74S00 e derivate il cui Baker Clamp triplica la velocità di commutazione (i 7400 a drogaggio d'Oro e gli S00 hanno lo stesso passo)
  
  ## Dettagli tecnologici
  
  Nel processo bipolare standard, è possibile realizzare una giunzione rettificante tra i metalli tipicamente usati nell'elettronica (come l'alluminio) e la regione N del silicio che rappresenta il collettore (o la base nel caso di un pnp). Tra una regione P e il metallo può invece essere realizzata una giunzione ohmica a bassa impedenza, attraverso opportuni accorgimenti tecnologici quali la siliciurizzazione.
  
  