title: Arseniuro di gallio
text: # Arseniuro di gallio
  
  L'arseniuro di gallio è un composto chimico inorganico. È un semiconduttore composto dalla combinazione degli elementi chimici arsenico e gallio. La sua formula chimica è GaAs.
  
  È caratterizzato da un'alta mobilità elettrica dei portatori liberi di carica (elettroni e lacune) e da una banda di energia proibita diretta, per cui trova applicazioni nei dispositivi elettronici ad altissima velocità e nei dispositivi emettitori di luce (componenti per microonde, diodi LED e laser, componenti per lettori DVD e per radar automobilistici), nonché nelle celle fotovoltaiche.
  
  ## Caratteristiche strutturali e fisiche
  
  In questo composto il gallio presenta il numero di ossidazione +3.
  
  ## Sintesi del composto
  
  Il composto può essere sintetizzato come cristallo singolo, allo scopo di produrre dei wafer, o come film sottile.
  
  Per produrre l'arseniuro di gallio in forma monocristallina è possibile usare il processo Czochralski, largamente utilizzato per produrre il silicio monocristallino. Un'altra possibilità è il metodo Bridgman-Stockbarger in cui la crescita del cristallo avviene all'interno di una fornace orizzontale, in cui vengono fatti reagire vapori di gallio e arsenico e il composto si deposita su un seme monocristallino.
  
  Anche per produrre un film sottile esistono diverse possibilità:
  
  * Deposizione chimica da vapore, a partire da gallio metallico gassoso e tricloruro di arsenico: 2 Ga + 2 $AsCl_3$ → 2 GaAs + 3 $Cl_2.$
  * MOCVD da trimetilgallio e arsina: $Ga(CH_3)_3$ + $AsH_3$ → GaAs + 3 $CH_4.$
  * Epitassia da fasci molecolari da gallio e arsenico: 4 Ga + $As_4$ → 4 GaAs oppure 2 Ga + $As_2$ → 2 GaAs.
  