Shockley-Gleichung
# Shockley-Gleichung

Die Shockley-Gleichung, benannt nach William B. Shockley, beschreibt die Strom-Spannungs-Kennlinie einer Halbleiterdiode.

Sie lautet nach Wagner:

    $I_{\text{D}}=I_{\text{S}}(T)\,\left(\exp \left({\frac {U_{\text{F}}}{n\,U_{\text{T}}}}\right)-1\right)$

mit

* dem Strom $I_{\text{D}}$ durch die Diode
* dem temperaturabhängigen Sättigungssperrstrom (kurz Sperrstrom) $I_{\text{S}}(T)\approx {10^{-12}\dots 10^{-6}\;\mathrm {A} }$
* der Anoden-Kathoden-Spannung oder Flussspannung $U_{\text{F}}$
* dem Emissionskoeffizient $n\approx 1\dots 2$
* der Temperaturspannung $U_{\text{T}}={\frac {k_{\mathrm {B} }\cdot T}{e}}\approx 25\;\mathrm {mV}$ bei 20 °C
   * der absoluten Temperatur $T$
   * der Boltzmannkonstante $k_{\mathrm {B} }$
   * der Elementarladung $e$.

Mit steigender Temperatur steigt auch der Strom durch die Diode; zwar sinkt der Wert der Exponentialfunktion wegen steigender Temperaturspannung, aber dies wird überkompensiert durch die starke Erhöhung des Sperrstroms mit der Temperatur.

In Durchlassrichtung, also für positive Spannung $U_{\text{F}}$, wächst die Exponentialfunktion für Werte von $U_{\text{F}}$, die größer als $n\ U_{\text{T}}$ sind, stark an. Damit erhält man für die Shockley-Gleichung in guter Näherung:

    $I_{\text{D}}\approx I_{\text{S}}(T)\,\cdot \exp \left({\frac {U_{\text{F}}}{n\,U_{\text{T}}}}\right)$

Für $U_{\text{F}}>n\cdot 120\,\mathrm {mV}$ weicht diese Näherung um weniger als 1 % vom theoretischen Wert ab, für $U_{\text{F}}>n\cdot 180\,\mathrm {mV}$ um weniger als 1 ‰. Wie man an den Kennlinien sieht, ist die tatsächliche Spannung deutlich höher.

Die Shockley-Gleichung beschreibt das Großsignalverhalten, also die physikalisch messbaren Größen einer Diode. Im Kleinsignalverhalten approximiert man die Gleichung durch eine lineare Näherung in der Umgebung eines gewählten Arbeitspunktes.

