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Pourquoi les SSD et les cartes SD manquent-ils de cycles de réécriture en quelques années, alors que la mémoire interne de l'appareil ne fonctionne pas ? J'avais deux banques de mémoire solides mortes sur moi, tandis que les téléphones et les consoles de jeu fonctionnent presque parfaitement. Explique comme si j'avais cinq ans.
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La RAM régulière (DRAM) stocke les données dans la charge d'un condensateur, elle peut être chargée et déchargée directement et l'opération n'entraîne aucune usure. La mémoire flash stocke les informations dans un transistor à grille flottante. La partie importante est la porte flottante. Il n'est pas directement connecté à quoi que ce soit, alors chargez sur la porte flottante, restez-y. C'est bien parce que vous pouvez stocker des informations. C'est aussi un problème parce que comment supprimez-vous ou ajoutez-vous des frais pour pouvoir stocker des informations ? La réponse est que vous avez une tension plus élevée que la charge peut passer à travers l'isolement autour de la grille flottante. Le problème est que la haute tension endommage l'isolation et au fil du temps commence à conduire de sorte que la charge n'est plus isolée et se décharge afin que vous puissiez stocker des informations et que la cellule mémoire tombe en panne. Ainsi, la RAM fonctionne à une basse tension appropriée afin de ne pas endommager la puce. Le flash doit fonctionner à une tension plus élevée pour stocker et effacer les données. Le problème est qu'il endommage la puce au fil du temps, mais qu'il est nécessaire à l'opération. Il est important de noter que c'est l'écriture et l'effacement qui sont destructeurs et non la lecture. Cela peut se produire plus rapidement en fonction du nombre de cycles d'écriture, de sorte que des bits de données supplémentaires sont stockés afin que vous puissiez récupérer les informations si quelques transistors à grille flottante ont mal tourné. Vous avez également un bloc supplémentaire disponible, donc si un bloc tombe en panne, un bloc de rechange est utilisé à la place. Des zones de rechange de ce type existent également sur les disques durs. Le disque utilise également le sur-approvisionnement en combinaison avec le nivellement de l'usure. C'est un disque qui est commercialisé comme 120 Go est probablement en réalité 128 Go . Donc, si vous écrivez dans un seul emplacement sur le disque, vous n'utilisez qu'une seule cellule, mais il peut s'agir d'une cellule différente à chaque fois, de sorte que chaque cellule a un nombre de cycles d'écriture aussi faible. Les 8 Go supplémentaires sont utilisés pour que vous disposiez toujours d'une autre cellule inutilisée pour stocker les données. Ainsi, la qualité des puces dans la mémoire et le niveau de nivellement d'usure possible peuvent ne pas être les mêmes dans le SSD que vous avez utilisé dans un ordinateur que dans les autres appareils. Vous écrivez aussi beaucoup plus sur un ordinateur que sur un téléphone ou une console de jeux. Les téléphones sont conçus pour le stockage sur mémoire flash, ils sont donc, espérons-le, conçus avec des limites de mémoire à l'esprit par rapport à un ordinateur qui n'en est pas un. L'usure peut être élevée sur un PC car il a été conçu pour les disques durs. Donc, quelque chose comme la défragmentation d'un SSD ou d'un fichier d'échange sur le peut être un problème de cause.