Ushbu maqolada (Bi1−xSbx) 2Te3 ingichka plyonkalar asosida supero'tkazuvchi topologik izolyator nano simlarning amalga oshirilishi haqida xabar berilgan. 100-200 nm ajratish bilan BST ingichka plyonkasida palladiy ikkita to'g'ri to'rtburchak pads joylashtirilgan, padlar ostidagi BSTni supero'tkazuvchiga aylantiradi. Interfeys epitaksial va yuqori elektron shaffoflikka ega, nano simda kuchli supero'tkazuvchilikka olib keladi. Ushbu platforma Majorana nol rejimlarini kelajakda o'rganish uchun umidlidir. Topologik izolyatorlar (TI) bo'shliqsiz sirt holatlariga ega, ularning bo'shliqsiz tabiati vaqt-reversal simmetriya bilan himoyalangan. Biroq, o'lcham kvantlashtirish effekti ushbu 1D holatlarni
spam fails_task lang_mismatch pii not_appropriate hate_speech sexual_content quality toxicity humor helpfulness creativity violence